JPH08321739A - 弾性表面波フィルタ - Google Patents
弾性表面波フィルタInfo
- Publication number
- JPH08321739A JPH08321739A JP12616195A JP12616195A JPH08321739A JP H08321739 A JPH08321739 A JP H08321739A JP 12616195 A JP12616195 A JP 12616195A JP 12616195 A JP12616195 A JP 12616195A JP H08321739 A JPH08321739 A JP H08321739A
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- JP
- Japan
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- static
- electrode
- electrodes
- thin film
- acoustic wave
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- Pending
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- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、弾性表面波フィルタに関するもの
で、静電破壊を防止することを目的とするものである。 【構成】 入，出力電極９，１０の一部に設けた対静電
気用電極上に対静電気用短絡抵抗として抵抗薄膜１３，
１４を設けたもので、入，出力電極に静電気が複数回印
加された場合でも、抵抗薄膜１３，１４を介してその電
位差を逃がして消去でき、表面波の励振部１１，１２の
静電破壊による消失が起きない。
で、静電破壊を防止することを目的とするものである。 【構成】 入，出力電極９，１０の一部に設けた対静電
気用電極上に対静電気用短絡抵抗として抵抗薄膜１３，
１４を設けたもので、入，出力電極に静電気が複数回印
加された場合でも、抵抗薄膜１３，１４を介してその電
位差を逃がして消去でき、表面波の励振部１１，１２の
静電破壊による消失が起きない。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は移動体通信機器などに使
用される弾性表面波フィルタに関するものである。
用される弾性表面波フィルタに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図２はフィルタとして用いられるものを
示しており、１は圧電基板である。この圧電基板１の上
面には、入力電極２と出力電極３が設けられ、この図２
においてはこれらの入，出力電極２，３間に２つの表面
波励振部４，５が設けられている。これらの表面波励振
部４，５はそれぞれ励振部４ａ，５ａとその両側に設け
られた反射器４ｂ，５ｂとにより構成されている。すな
わち、励振部４ａ，５ａで生じた表面波がその両側でそ
の反射器４ｂ，５ｂで反射され共振を起こし、この共振
特性を利用してフィルタ特性を得るものである。
示しており、１は圧電基板である。この圧電基板１の上
面には、入力電極２と出力電極３が設けられ、この図２
においてはこれらの入，出力電極２，３間に２つの表面
波励振部４，５が設けられている。これらの表面波励振
部４，５はそれぞれ励振部４ａ，５ａとその両側に設け
られた反射器４ｂ，５ｂとにより構成されている。すな
わち、励振部４ａ，５ａで生じた表面波がその両側でそ
の反射器４ｂ，５ｂで反射され共振を起こし、この共振
特性を利用してフィルタ特性を得るものである。
【０００３】つまり、入力電極２に入力された信号は表
面波励振部４，５のフィルタ特性により選択されたもの
だけが出力電極３から出力されるのである。
面波励振部４，５のフィルタ特性により選択されたもの
だけが出力電極３から出力されるのである。
【０００４】また、励振部４ａ，５ａの電極指間は１μ
ｍ程度と極めて細くなっているので静電破壊が起きやす
く、その対策として電極指間を励振部４ａ，５ａの電極
指間より細くした対静電気用電極６ａ，７ａを設けて静
電気が印加されてしまった場合には、まず対静電気用電
極６ａ，７ａで静電破壊が起こり励振部４ａ，５ａの電
極の静電破壊を防いでいる。
ｍ程度と極めて細くなっているので静電破壊が起きやす
く、その対策として電極指間を励振部４ａ，５ａの電極
指間より細くした対静電気用電極６ａ，７ａを設けて静
電気が印加されてしまった場合には、まず対静電気用電
極６ａ，７ａで静電破壊が起こり励振部４ａ，５ａの電
極の静電破壊を防いでいる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、入，出
力電極２，３の少なくとも一方に、例えば製造時におい
て静電気が複数回印加されてしまった場合には、静電破
壊が起こった対静電気用電極６ａ，７ａの電極指間は励
振部４ａ，５ａの電極指間より広くなるので静電用電極
として正常に動作せず、励振部４ａ，５ａで静電破壊が
起こり電極が消失してしまうことがあった。
力電極２，３の少なくとも一方に、例えば製造時におい
て静電気が複数回印加されてしまった場合には、静電破
壊が起こった対静電気用電極６ａ，７ａの電極指間は励
振部４ａ，５ａの電極指間より広くなるので静電用電極
として正常に動作せず、励振部４ａ，５ａで静電破壊が
起こり電極が消失してしまうことがあった。
【０００６】本発明はこの静電破壊をより効果的に防止
することを目的とするものである。
することを目的とするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
には本発明は、入，出力電極の少なくとも一方に対静電
気用電極を設けるとともに、この対静電気用電極上に、
対静電気用短絡抵抗として抵抗薄膜を設けたものであ
る。
には本発明は、入，出力電極の少なくとも一方に対静電
気用電極を設けるとともに、この対静電気用電極上に、
対静電気用短絡抵抗として抵抗薄膜を設けたものであ
る。
【０００８】
【作用】上記構成とすれば、入，出力電極に複数回の静
電気が印加された場合でも、対静電気用短絡抵抗により
その電荷が対静電気用電極を介して相手方電極に移動
し、その電位差が小さくなるので、静電破壊による励振
部の消失は起きないものとなる。
電気が印加された場合でも、対静電気用短絡抵抗により
その電荷が対静電気用電極を介して相手方電極に移動
し、その電位差が小さくなるので、静電破壊による励振
部の消失は起きないものとなる。
【０００９】
【実施例】以下本発明の一実施例について、図面を参照
しながら説明する。
しながら説明する。
【００１０】図１において、８はタンタル酸リチウム製
の厚さ０．５ｍｍで、縦２ｍｍ横４ｍｍの圧電基板であ
る。この圧電基板８の上面には入力電極９と出力電極１
０が設けられている。また入力電極９と出力電極１０の
間には２つの表面波励振部１１，１２が並列に設けられ
ている。これらの表面波励振部１１，１２は各々櫛形状
電極を対向させて形成した励振部１１ａ，１２ａとの両
側に設けたグレーティング反射器１１ｂ，１２ｂとによ
り形成されている。また、入，出力電極９，１０にはそ
れぞれ櫛形状電極を対向させて形成した対静電気用電極
１３ａ，１４ａが設けられ、その上から対静電気用短絡
抵抗として抵抗薄膜１３，１４を蒸着して形成してい
る。尚、抵抗薄膜１３，１４は金属ホウ化物、金属炭化
物、金属窒化物、金属酸化物、金属ケイ化物の一つより
なり、その抵抗値は５００ｋΩ〜１ＭΩの範囲であれば
使用上特性に問題無いので、この抵抗薄膜１３，１４の
蒸着厚み及び対静電気用電極１３ａ，１４ａの電極指間
を調整すればよい。従って入，出力電極９，１０に静電
気が複数回印加されても、対静電気用短絡抵抗として用
いた抵抗薄膜１３，１４を介して電位差が消去されるの
で、この結果として励振部１１ａ，１２ａの静電破壊は
起こらない。なお、本実施例において対静電気用電極１
３ａ，１４ａが櫛形状をしているのは、その目的の抵抗
値に合わせるために断面積を増やすためであり、グレー
ティング反射器１１ｂ，１２ｂ対して直行する方向に設
けられているので、この部分で生じる振動が励振部１１
ａ，１２ａで発生する振動を阻害することはない。
の厚さ０．５ｍｍで、縦２ｍｍ横４ｍｍの圧電基板であ
る。この圧電基板８の上面には入力電極９と出力電極１
０が設けられている。また入力電極９と出力電極１０の
間には２つの表面波励振部１１，１２が並列に設けられ
ている。これらの表面波励振部１１，１２は各々櫛形状
電極を対向させて形成した励振部１１ａ，１２ａとの両
側に設けたグレーティング反射器１１ｂ，１２ｂとによ
り形成されている。また、入，出力電極９，１０にはそ
れぞれ櫛形状電極を対向させて形成した対静電気用電極
１３ａ，１４ａが設けられ、その上から対静電気用短絡
抵抗として抵抗薄膜１３，１４を蒸着して形成してい
る。尚、抵抗薄膜１３，１４は金属ホウ化物、金属炭化
物、金属窒化物、金属酸化物、金属ケイ化物の一つより
なり、その抵抗値は５００ｋΩ〜１ＭΩの範囲であれば
使用上特性に問題無いので、この抵抗薄膜１３，１４の
蒸着厚み及び対静電気用電極１３ａ，１４ａの電極指間
を調整すればよい。従って入，出力電極９，１０に静電
気が複数回印加されても、対静電気用短絡抵抗として用
いた抵抗薄膜１３，１４を介して電位差が消去されるの
で、この結果として励振部１１ａ，１２ａの静電破壊は
起こらない。なお、本実施例において対静電気用電極１
３ａ，１４ａが櫛形状をしているのは、その目的の抵抗
値に合わせるために断面積を増やすためであり、グレー
ティング反射器１１ｂ，１２ｂ対して直行する方向に設
けられているので、この部分で生じる振動が励振部１１
ａ，１２ａで発生する振動を阻害することはない。
【００１１】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、入，出力
電極の少なくとも一方に対静電気用電極を設けるととも
に、この対静電気用電極上に、対静電気用短絡抵抗とし
て抵抗薄膜を設けたもので、入，出力電極に静電気が複
数回印加された場合でも、その電位差は抵抗薄膜を介し
て消去され、表面波の励振部の消失の起きない優れた弾
性表面波フィルタを提供することができるものである。
電極の少なくとも一方に対静電気用電極を設けるととも
に、この対静電気用電極上に、対静電気用短絡抵抗とし
て抵抗薄膜を設けたもので、入，出力電極に静電気が複
数回印加された場合でも、その電位差は抵抗薄膜を介し
て消去され、表面波の励振部の消失の起きない優れた弾
性表面波フィルタを提供することができるものである。
【図１】本発明の一実施例における弾性表面波フィルタ
の平面図
の平面図
【図２】従来の弾性表面波フィルタの平面図
８ 圧電基板 ９ 入力電極 １０ 出力電極 １１ 表面波励振部 １２ 表面波励振部 １３ 抵抗薄膜 １４ 抵抗薄膜 １３ａ 対静電気用電極 １４ａ 対静電気用電極
Claims (6)
- 【請求項１】 圧電基板と、この圧電基板の表面に設け
た入，出力電極と、前記圧電基板の表面に入，出力電極
間に設けた表面波励振部とを備え、前記入，出力電極の
少なくとも一方に対静電気用電極を設け、この対静電気
用電極上に、対静電気用短絡抵抗として抵抗薄膜を形成
したことを特徴とする弾性表面波フィルタ。 - 【請求項２】 抵抗薄膜は金属ホウ化物よりなることを
特徴とする請求項１記載の弾性表面波フィルタ。 - 【請求項３】 抵抗薄膜は金属炭化物よりなることを特
徴とする請求項１記載の弾性表面波フィルタ。 - 【請求項４】 抵抗薄膜は金属窒化物よりなることを特
徴とする請求項１記載の弾性表面波フィルタ。 - 【請求項５】 抵抗薄膜は金属酸化物よりなることを特
徴とする請求項１記載の弾性表面波フィルタ。 - 【請求項６】 抵抗薄膜は金属ケイ化物よりなることを
特徴とする請求項１記載の弾性表面波フィルタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12616195A JPH08321739A (ja) | 1995-05-25 | 1995-05-25 | 弾性表面波フィルタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12616195A JPH08321739A (ja) | 1995-05-25 | 1995-05-25 | 弾性表面波フィルタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08321739A true JPH08321739A (ja) | 1996-12-03 |
Family
ID=14928194
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12616195A Pending JPH08321739A (ja) | 1995-05-25 | 1995-05-25 | 弾性表面波フィルタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08321739A (ja) |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6609174B1 (en) | 1999-10-19 | 2003-08-19 | Motorola, Inc. | Embedded MRAMs including dual read ports |
| EP1548936A1 (en) * | 2003-12-24 | 2005-06-29 | Fujitsu Media Devices Limited | Surface acoustic wave filter |
| US6956763B2 (en) | 2003-06-27 | 2005-10-18 | Freescale Semiconductor, Inc. | MRAM element and methods for writing the MRAM element |
| US6967366B2 (en) | 2003-08-25 | 2005-11-22 | Freescale Semiconductor, Inc. | Magnetoresistive random access memory with reduced switching field variation |
| JP2006067258A (ja) * | 2004-08-26 | 2006-03-09 | Kyocera Corp | 弾性表面波装置および通信装置 |
| JP2006086701A (ja) * | 2004-09-15 | 2006-03-30 | Kyocera Corp | 弾性表面波装置およびその製造方法ならびに通信装置 |
| US7129098B2 (en) | 2004-11-24 | 2006-10-31 | Freescale Semiconductor, Inc. | Reduced power magnetoresistive random access memory elements |
| JP2006332122A (ja) * | 2005-05-23 | 2006-12-07 | Fujitsu Ltd | 電子回路装置、その製造方法、バリスタの製造方法、及び半導体装置の製造方法 |
| US7184300B2 (en) | 2001-10-16 | 2007-02-27 | Freescale Semiconductor, Inc. | Magneto resistance random access memory element |
| US7301255B2 (en) | 2003-03-27 | 2007-11-27 | Kyocera Corporation | Surface acoustic wave apparatus and communications device |
| US7465589B2 (en) | 2002-07-17 | 2008-12-16 | Everspin Technologies, Inc. | Multi-state magnetoresistance random access cell with improved memory storage density |
| JP2010068345A (ja) * | 2008-09-11 | 2010-03-25 | Murata Mfg Co Ltd | 弾性波装置 |
-
1995
- 1995-05-25 JP JP12616195A patent/JPH08321739A/ja active Pending
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6609174B1 (en) | 1999-10-19 | 2003-08-19 | Motorola, Inc. | Embedded MRAMs including dual read ports |
| US7184300B2 (en) | 2001-10-16 | 2007-02-27 | Freescale Semiconductor, Inc. | Magneto resistance random access memory element |
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| US7301255B2 (en) | 2003-03-27 | 2007-11-27 | Kyocera Corporation | Surface acoustic wave apparatus and communications device |
| US6956763B2 (en) | 2003-06-27 | 2005-10-18 | Freescale Semiconductor, Inc. | MRAM element and methods for writing the MRAM element |
| US6967366B2 (en) | 2003-08-25 | 2005-11-22 | Freescale Semiconductor, Inc. | Magnetoresistive random access memory with reduced switching field variation |
| KR100612194B1 (ko) * | 2003-12-24 | 2006-08-16 | 후지쓰 메디아 데바이스 가부시키가이샤 | 탄성 표면파 필터 |
| US7385468B2 (en) | 2003-12-24 | 2008-06-10 | Fujitsu Media Devices Limited | Surface acoustic wave filter |
| EP1548936A1 (en) * | 2003-12-24 | 2005-06-29 | Fujitsu Media Devices Limited | Surface acoustic wave filter |
| JP2006067258A (ja) * | 2004-08-26 | 2006-03-09 | Kyocera Corp | 弾性表面波装置および通信装置 |
| JP4518877B2 (ja) * | 2004-08-26 | 2010-08-04 | 京セラ株式会社 | 弾性表面波装置 |
| JP2006086701A (ja) * | 2004-09-15 | 2006-03-30 | Kyocera Corp | 弾性表面波装置およびその製造方法ならびに通信装置 |
| US7129098B2 (en) | 2004-11-24 | 2006-10-31 | Freescale Semiconductor, Inc. | Reduced power magnetoresistive random access memory elements |
| JP2006332122A (ja) * | 2005-05-23 | 2006-12-07 | Fujitsu Ltd | 電子回路装置、その製造方法、バリスタの製造方法、及び半導体装置の製造方法 |
| JP2010068345A (ja) * | 2008-09-11 | 2010-03-25 | Murata Mfg Co Ltd | 弾性波装置 |
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