JPH08278192A - 赤外線検出器 - Google Patents
赤外線検出器Info
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- JPH08278192A JPH08278192A JP7082328A JP8232895A JPH08278192A JP H08278192 A JPH08278192 A JP H08278192A JP 7082328 A JP7082328 A JP 7082328A JP 8232895 A JP8232895 A JP 8232895A JP H08278192 A JPH08278192 A JP H08278192A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
- H10F77/50—Encapsulations or containers
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J5/10—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors
- G01J5/20—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors using resistors, thermistors or semiconductors sensitive to radiation, e.g. photoconductive devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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- H01L2224/4809—Loop shape
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-
- H—ELECTRICITY
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- H01L2924/0132—Binary Alloys
- H01L2924/01322—Eutectic Alloys, i.e. obtained by a liquid transforming into two solid phases
Landscapes
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- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 赤外線量を効率よく受光することによって検
出感度及び検出効率が向上した赤外線検出器を提供する
ことを目的とするものである。 【構成】 基台2に凹部6が形成され、凹部6底面に赤
外線反射膜7が形成され、基体に中空部を形成して架橋
構造の赤外線センサ1がその中空部と凹部6が対向する
ように基台2に固着され、基台2に載置された赤外線セ
ンサ1を、フィルタ3が設けられた蓋体4で被って、蓋
体4の周囲にホーン5が設けられた構造の赤外線検出器
である。
出感度及び検出効率が向上した赤外線検出器を提供する
ことを目的とするものである。 【構成】 基台2に凹部6が形成され、凹部6底面に赤
外線反射膜7が形成され、基体に中空部を形成して架橋
構造の赤外線センサ1がその中空部と凹部6が対向する
ように基台2に固着され、基台2に載置された赤外線セ
ンサ1を、フィルタ3が設けられた蓋体4で被って、蓋
体4の周囲にホーン5が設けられた構造の赤外線検出器
である。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、赤外線検出器に関する
ものであり、詳しくは、非接触温度センサであって、温
度による感熱素子の抵抗変化を利用した赤外線量を検出
する赤外線検出器に係るものである。
ものであり、詳しくは、非接触温度センサであって、温
度による感熱素子の抵抗変化を利用した赤外線量を検出
する赤外線検出器に係るものである。
【0002】
【従来の技術】従来、物体の表面温度を非接触で検出す
る赤外線検出器の一例として、熱型赤外線検出器が知ら
れている。熱型赤外線検出器は、非接触で高温の物体や
移動物体の表面温度を測定するセンサであり、被検知体
から放射される赤外線のエネルギによってセンサの感熱
部の温度が上昇し、その感熱部の電気抵抗の変化を温度
変化としてとらえることによって被検知体の表面温度を
測定するものである。
る赤外線検出器の一例として、熱型赤外線検出器が知ら
れている。熱型赤外線検出器は、非接触で高温の物体や
移動物体の表面温度を測定するセンサであり、被検知体
から放射される赤外線のエネルギによってセンサの感熱
部の温度が上昇し、その感熱部の電気抵抗の変化を温度
変化としてとらえることによって被検知体の表面温度を
測定するものである。
【0003】一般に、赤外線センサの感熱部は温度で抵
抗値が変化する遷移金属酸化物からなるサーミスタ材料
や金属抵抗材料からなる薄膜或いは薄膜熱電対等が用い
られている。被検知体から放射される赤外線線量は一般
に微弱なため、それを受けるセンサの感熱部は熱容量が
小さいこと、高い赤外線吸収特性が良好であること、更
には高精度な素子製造技術が要求されている。このよう
な観点からシリコン基板上に形成されたサーミスタ、或
いはアモルファスSi等の感熱抵抗体からなる赤外線検
出部が形成された基板に、エッチングにより中空部を形
成して、赤外線検出部を架橋構造とした赤外線センサが
ある。
抗値が変化する遷移金属酸化物からなるサーミスタ材料
や金属抵抗材料からなる薄膜或いは薄膜熱電対等が用い
られている。被検知体から放射される赤外線線量は一般
に微弱なため、それを受けるセンサの感熱部は熱容量が
小さいこと、高い赤外線吸収特性が良好であること、更
には高精度な素子製造技術が要求されている。このよう
な観点からシリコン基板上に形成されたサーミスタ、或
いはアモルファスSi等の感熱抵抗体からなる赤外線検
出部が形成された基板に、エッチングにより中空部を形
成して、赤外線検出部を架橋構造とした赤外線センサが
ある。
【0004】しかし、このような構造の赤外線センサで
あっても、赤外線が微弱であるために、十分な感度を得
ることができないことから、これらの欠点を改良した赤
外線検出器が提案されている。例えば、特開平6−13
7935号公報には、同様な薄膜抵抗体を用いた熱型赤
外線検出器が開示されている。図4を参照して説明する
と、この赤外線検出器は基板に中空部が形成された赤外
線センサが基台2に載置され、赤外線センサは基板10
に架橋構造で支持された絶縁膜上に、一対の電極を有す
る抵抗体層からなる赤外線検出部11が備えられ、基板
10裏面の絶縁層12が接着で基台2に固着され、赤外
線検出部11と対面する基台2部分に凹部6が設けられ
た構造を有している。また、基台2には端子8が貫通し
て設けられ、端子8はワイヤ9によって赤外線センサの
電極13と接続されている。4は赤外線センサを覆う蓋
体であり、蓋体4にはフィルタ3が設けられている。
あっても、赤外線が微弱であるために、十分な感度を得
ることができないことから、これらの欠点を改良した赤
外線検出器が提案されている。例えば、特開平6−13
7935号公報には、同様な薄膜抵抗体を用いた熱型赤
外線検出器が開示されている。図4を参照して説明する
と、この赤外線検出器は基板に中空部が形成された赤外
線センサが基台2に載置され、赤外線センサは基板10
に架橋構造で支持された絶縁膜上に、一対の電極を有す
る抵抗体層からなる赤外線検出部11が備えられ、基板
10裏面の絶縁層12が接着で基台2に固着され、赤外
線検出部11と対面する基台2部分に凹部6が設けられ
た構造を有している。また、基台2には端子8が貫通し
て設けられ、端子8はワイヤ9によって赤外線センサの
電極13と接続されている。4は赤外線センサを覆う蓋
体であり、蓋体4にはフィルタ3が設けられている。
【0005】この赤外線検出器は、基台2に凹部6が形
成されることによって、赤外線検出部11とこれに対面
する基台2との間隔が凹部6の深さ分だけ隔たったもの
となっている。赤外線検出部11と基台2間には気体が
介在するので、赤外線検出部11と基台2間の熱伝導が
少なくなり、赤外線検出部11の熱容量を小さなものと
して熱絶縁性を良好なものとし、赤外線センサの感度を
従来よりも向上させることができた。
成されることによって、赤外線検出部11とこれに対面
する基台2との間隔が凹部6の深さ分だけ隔たったもの
となっている。赤外線検出部11と基台2間には気体が
介在するので、赤外線検出部11と基台2間の熱伝導が
少なくなり、赤外線検出部11の熱容量を小さなものと
して熱絶縁性を良好なものとし、赤外線センサの感度を
従来よりも向上させることができた。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】従来の赤外線センサ
は、基台表面の熱伝導率が大きい場合には、センサから
基台へ放射熱伝達(熱輻射伝達)によって移動する熱が
増加する(基台へ逃げる熱が増加する)為に赤外線セン
サの温度上昇が低くなるので、その赤外線検出部に対面
する基台の部分に凹部を設けて赤外線検出部の熱絶縁性
を高めている。しかしながら、基台と凹部の間隔を大き
くして熱絶縁性を高くしたとしても基台の材料が放射率
の大きいものであれば、基台からの輻射熱によって赤外
線検出部の出力に影響を及ぼし、正確な温度検知ができ
ない欠点があった。また、放射率の小さい材料による基
台であっても、基台からの輻射熱の影響を受けないだけ
であって、正確な温度検知が可能であっても実質的な検
出感度の向上は望めない欠点があった。
は、基台表面の熱伝導率が大きい場合には、センサから
基台へ放射熱伝達(熱輻射伝達)によって移動する熱が
増加する(基台へ逃げる熱が増加する)為に赤外線セン
サの温度上昇が低くなるので、その赤外線検出部に対面
する基台の部分に凹部を設けて赤外線検出部の熱絶縁性
を高めている。しかしながら、基台と凹部の間隔を大き
くして熱絶縁性を高くしたとしても基台の材料が放射率
の大きいものであれば、基台からの輻射熱によって赤外
線検出部の出力に影響を及ぼし、正確な温度検知ができ
ない欠点があった。また、放射率の小さい材料による基
台であっても、基台からの輻射熱の影響を受けないだけ
であって、正確な温度検知が可能であっても実質的な検
出感度の向上は望めない欠点があった。
【0007】本発明は、上記の欠点に鑑みなされたもの
であって、被検知体から放射される赤外線を効率よく受
光することによって検出感度及び検出効率を向上し得る
赤外線検出器を提供することを目的とする。
であって、被検知体から放射される赤外線を効率よく受
光することによって検出感度及び検出効率を向上し得る
赤外線検出器を提供することを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、第1の発明は、半導体基板の一面上に設けられた絶
縁膜に感熱抵抗膜から構成された赤外線検出部を形成
し、前記基板に中空部を形成して前記赤外線検出部を架
橋構造とした赤外線センサを基台に実装してなる赤外線
検出器であって、前記赤外線センサを載置した基台の前
記赤外線検出部に対面する部分に凹部が形成され、前記
凹部の少なくとも底面に赤外線反射膜を設けたことを特
徴とする赤外線検出器である。
に、第1の発明は、半導体基板の一面上に設けられた絶
縁膜に感熱抵抗膜から構成された赤外線検出部を形成
し、前記基板に中空部を形成して前記赤外線検出部を架
橋構造とした赤外線センサを基台に実装してなる赤外線
検出器であって、前記赤外線センサを載置した基台の前
記赤外線検出部に対面する部分に凹部が形成され、前記
凹部の少なくとも底面に赤外線反射膜を設けたことを特
徴とする赤外線検出器である。
【0009】また、第2の発明は、半導体基板の一面上
に設けられた絶縁膜に感熱抵抗膜から構成された赤外線
検出部を形成し、前記基板に中空部を形成して前記赤外
線検出部を架橋構造とした赤外線センサを基台に実装し
てなる赤外線検出器であって、前記赤外線センサを載置
する基台の前記赤外線センサの赤外線検出部に対面する
部分に貫通孔を設け、前記貫通孔を前記基台の外側から
赤外線反射膜で封じたことを特徴とする赤外線検知器で
ある。
に設けられた絶縁膜に感熱抵抗膜から構成された赤外線
検出部を形成し、前記基板に中空部を形成して前記赤外
線検出部を架橋構造とした赤外線センサを基台に実装し
てなる赤外線検出器であって、前記赤外線センサを載置
する基台の前記赤外線センサの赤外線検出部に対面する
部分に貫通孔を設け、前記貫通孔を前記基台の外側から
赤外線反射膜で封じたことを特徴とする赤外線検知器で
ある。
【0010】また、第3の発明は、半導体基板の一面上
に設けられた絶縁膜に感熱抵抗膜から構成された赤外線
検出部を形成し、前記基板に中空部を形成して前記赤外
線検出部を架橋構造とした赤外線センサを基台に実装し
てなる赤外線検出器であって、前記赤外線センサを載置
した基台の前記赤外線検出部に対面する部分に湾曲状凹
部が形成され、該湾曲状凹部内面に赤外線反射膜を設け
たことを特徴とする赤外線検出器である。また、第4の
発明は、第2の発明において、前記反射板が赤外線反射
率の高い金属板であることを特徴とする赤外線検出器で
ある。
に設けられた絶縁膜に感熱抵抗膜から構成された赤外線
検出部を形成し、前記基板に中空部を形成して前記赤外
線検出部を架橋構造とした赤外線センサを基台に実装し
てなる赤外線検出器であって、前記赤外線センサを載置
した基台の前記赤外線検出部に対面する部分に湾曲状凹
部が形成され、該湾曲状凹部内面に赤外線反射膜を設け
たことを特徴とする赤外線検出器である。また、第4の
発明は、第2の発明において、前記反射板が赤外線反射
率の高い金属板であることを特徴とする赤外線検出器で
ある。
【0011】
【作用】本発明の赤外線検出器は、被測定物から放射さ
れる赤外線が赤外線検出部に入射して赤外線検出部の感
熱抵抗膜の温度を上昇させるとともに、基台部分の凹部
内面に設けた赤外線反射膜によって反射した赤外線も同
様にして感熱抵抗膜の温度を上昇させることができる。
また、基台に凹部又は貫通孔を設けることによって、赤
外線検出部と基台との間隔が大きくなって赤外線検出部
と基台との熱絶縁が良好になり、赤外線検出部から熱が
逃げ難くなるために赤外線検出器の検出感度を一層向上
させることが可能としたものである。また、赤外線反射
膜を湾曲させることによって赤外線検出部に赤外線を照
射させることができるので、検出感度を向上させたもの
である。また、赤外線反射膜を赤外線反射率の高い金属
膜とすることによって検出感度を向上させるたものであ
る。
れる赤外線が赤外線検出部に入射して赤外線検出部の感
熱抵抗膜の温度を上昇させるとともに、基台部分の凹部
内面に設けた赤外線反射膜によって反射した赤外線も同
様にして感熱抵抗膜の温度を上昇させることができる。
また、基台に凹部又は貫通孔を設けることによって、赤
外線検出部と基台との間隔が大きくなって赤外線検出部
と基台との熱絶縁が良好になり、赤外線検出部から熱が
逃げ難くなるために赤外線検出器の検出感度を一層向上
させることが可能としたものである。また、赤外線反射
膜を湾曲させることによって赤外線検出部に赤外線を照
射させることができるので、検出感度を向上させたもの
である。また、赤外線反射膜を赤外線反射率の高い金属
膜とすることによって検出感度を向上させるたものであ
る。
【0012】
【実施例】以下、本発明の赤外線検出器の実施例につい
て図を参照して説明する。図1(a)は赤外線検出器の
一実施例を示すその上面からみた外観図であり、図1
(b)はそのX─X′に沿った断面図である。同図にお
いて、1は赤外線センサであり、基台2に載置されてい
る。赤外線センサ1は、赤外線センサ1の電極部がワイ
ヤ9によって端子8と接続されている。基台2に載置さ
れた赤外線センサ1は、フィルタ3が設けられた蓋体4
によって封止されている。蓋体4の周囲にはホーン5が
設けられている。
て図を参照して説明する。図1(a)は赤外線検出器の
一実施例を示すその上面からみた外観図であり、図1
(b)はそのX─X′に沿った断面図である。同図にお
いて、1は赤外線センサであり、基台2に載置されてい
る。赤外線センサ1は、赤外線センサ1の電極部がワイ
ヤ9によって端子8と接続されている。基台2に載置さ
れた赤外線センサ1は、フィルタ3が設けられた蓋体4
によって封止されている。蓋体4の周囲にはホーン5が
設けられている。
【0013】赤外線センサ1の基板10は、セラミック
ス、金属或いは合成樹脂等からなる基台2上に接着剤、
例えば、低融点ガラス、共晶合金(Au−Si)、ハン
ダ等によって固着されている。基台2を貫通するように
設けられた端子8と赤外線センサの電極は、ワイヤ9に
よってボンディングワイヤされている。また、リードフ
レーム等によって配線してもよい。赤外線センサを載置
した基台2のうち、赤外線センサ1の赤外線検出部に対
面する基台2には凹部6が形成され、この凹部6内面、
特に、その底面に赤外線反射膜7が設けられている。赤
外線反射膜7としては、赤外線の放射率が小さく、反射
率の高い材料が用いられる。例えば、金やアルミニウム
が適している。凹部6の開口面積は、少なくとも赤外線
センサ1の赤外線検出部以上の大きさがあればよい。
ス、金属或いは合成樹脂等からなる基台2上に接着剤、
例えば、低融点ガラス、共晶合金(Au−Si)、ハン
ダ等によって固着されている。基台2を貫通するように
設けられた端子8と赤外線センサの電極は、ワイヤ9に
よってボンディングワイヤされている。また、リードフ
レーム等によって配線してもよい。赤外線センサを載置
した基台2のうち、赤外線センサ1の赤外線検出部に対
面する基台2には凹部6が形成され、この凹部6内面、
特に、その底面に赤外線反射膜7が設けられている。赤
外線反射膜7としては、赤外線の放射率が小さく、反射
率の高い材料が用いられる。例えば、金やアルミニウム
が適している。凹部6の開口面積は、少なくとも赤外線
センサ1の赤外線検出部以上の大きさがあればよい。
【0014】赤外線センサ1は、シリコンなどからなる
基板10の表裏に形成された窒化シリコンや酸化シリコ
ンなどからなる絶縁膜11a,11bと、絶縁膜11a
上に設けた酸化アルミニウムまたは酸化タンタルなどの
絶縁膜12を形成し、更に、この絶縁膜12上にタンタ
ル(Ta),チタン(Ti),クロム(Cr),モリブ
デン(Mo)等からなる一対の金属下地層13と、一対
の金属下地層13間に酸化シリコンなどの絶縁膜14
と、絶縁膜14上に形成した少なくとも一層の感熱抵抗
膜15と、感熱抵抗層15に接し、互いに対向して形成
した白金(Pt)等からなる一対の電極層16と、感熱
抵抗膜15上に設けた保護絶縁膜17と、保護絶縁膜1
7上には酸化タンタルまたは酸化チタンからなる緩衝膜
18を挟んで硼珪酸系ガラスからなるガラス層19とを
設けることによって形成されている。この赤外線検出部
に対応する基板にはエッチングによって中空部6が形成
され、赤外線検出部は架橋構造を構成となっている。
基板10の表裏に形成された窒化シリコンや酸化シリコ
ンなどからなる絶縁膜11a,11bと、絶縁膜11a
上に設けた酸化アルミニウムまたは酸化タンタルなどの
絶縁膜12を形成し、更に、この絶縁膜12上にタンタ
ル(Ta),チタン(Ti),クロム(Cr),モリブ
デン(Mo)等からなる一対の金属下地層13と、一対
の金属下地層13間に酸化シリコンなどの絶縁膜14
と、絶縁膜14上に形成した少なくとも一層の感熱抵抗
膜15と、感熱抵抗層15に接し、互いに対向して形成
した白金(Pt)等からなる一対の電極層16と、感熱
抵抗膜15上に設けた保護絶縁膜17と、保護絶縁膜1
7上には酸化タンタルまたは酸化チタンからなる緩衝膜
18を挟んで硼珪酸系ガラスからなるガラス層19とを
設けることによって形成されている。この赤外線検出部
に対応する基板にはエッチングによって中空部6が形成
され、赤外線検出部は架橋構造を構成となっている。
【0015】また、赤外線センサ1を載置固着した基台
2は、金属等からなる蓋体4を被せて封止されている。
その内部空間は、必要に応じて不活性ガスを充填するか
減圧状態で封止されている。蓋体4の上面には窓が開け
られ、この窓には光学フィルタ3が取り付けられてい
る。フィルタ3は、検出しようとする赤外線に対する透
過率が高い単結晶シリコンやガラス、または透明な合成
樹脂等が用いられる。
2は、金属等からなる蓋体4を被せて封止されている。
その内部空間は、必要に応じて不活性ガスを充填するか
減圧状態で封止されている。蓋体4の上面には窓が開け
られ、この窓には光学フィルタ3が取り付けられてい
る。フィルタ3は、検出しようとする赤外線に対する透
過率が高い単結晶シリコンやガラス、または透明な合成
樹脂等が用いられる。
【0016】蓋体4の周囲には熱伝導率が大きく、赤外
線の放射率が小さく、且つ、反射率の高いアルミニウム
からなるホーン5が取り付けられている。ホーン5の形
状は、被測定物の大きさや温度及び被測定物までの距離
等によって適宜選択されるものである。ホーン5を設け
ることによって目的とする被検知体の赤外線を精度よく
検出することができる。
線の放射率が小さく、且つ、反射率の高いアルミニウム
からなるホーン5が取り付けられている。ホーン5の形
状は、被測定物の大きさや温度及び被測定物までの距離
等によって適宜選択されるものである。ホーン5を設け
ることによって目的とする被検知体の赤外線を精度よく
検出することができる。
【0017】上記実施例の赤外線検出器は、黒体炉から
照射された一定エネルギの赤外線をそのフィルタ面を介
して感熱抵抗部に入射させて、そのときの温度を測定し
た。その結果、赤外線反射膜がない場合は、0.9m℃
/μWであるのに対し、実施例のように赤外線反射膜7
を形成した場合には、1.2m℃/μWであった。すな
わち、赤外線検出部において赤外線エネルギが有効に熱
エネルギに変換され、高い出力感度が得られることが実
証された。無論、この検出効率の向上は、赤外線センサ
に依存するのではなく、赤外線反射膜7による効果であ
り、従って、従来の架橋構造の赤外線センサであって
も、同様な効果が得られることは明らかである。
照射された一定エネルギの赤外線をそのフィルタ面を介
して感熱抵抗部に入射させて、そのときの温度を測定し
た。その結果、赤外線反射膜がない場合は、0.9m℃
/μWであるのに対し、実施例のように赤外線反射膜7
を形成した場合には、1.2m℃/μWであった。すな
わち、赤外線検出部において赤外線エネルギが有効に熱
エネルギに変換され、高い出力感度が得られることが実
証された。無論、この検出効率の向上は、赤外線センサ
に依存するのではなく、赤外線反射膜7による効果であ
り、従って、従来の架橋構造の赤外線センサであって
も、同様な効果が得られることは明らかである。
【0018】次に、本発明の赤外線検出器の他の実施例
について、図2を参照して説明する。図2(a)は本発
明に係る赤外線検出器の他の実施例をその上方からみた
外観図であり、図2(b)はそのX−X′に沿った断面
図である。同図において、赤外線センサ1は感熱抵抗部
が架橋構造であり、図1の赤外線センサとは異なってい
るが、同一の赤外線センサであっもよい。基台2には凹
部6が形成され、その底面が湾曲状曲面2Aが形成さ
れ、その湾曲状曲面2Aの内面に赤外線反射膜7Aが設
けられている。
について、図2を参照して説明する。図2(a)は本発
明に係る赤外線検出器の他の実施例をその上方からみた
外観図であり、図2(b)はそのX−X′に沿った断面
図である。同図において、赤外線センサ1は感熱抵抗部
が架橋構造であり、図1の赤外線センサとは異なってい
るが、同一の赤外線センサであっもよい。基台2には凹
部6が形成され、その底面が湾曲状曲面2Aが形成さ
れ、その湾曲状曲面2Aの内面に赤外線反射膜7Aが設
けられている。
【0019】このように赤外線反射膜7Aを曲面にする
ことによって、赤外線反射膜7Aで反射した赤外線は、
赤外線検出部20に集束されるので、更に、高い出力感
度を得ることができる。赤外線センサ1は基板10の裏
面に絶縁膜21が形成され、赤外線センサ1の電極22
はワイヤ9によって端子8に接続されている。
ことによって、赤外線反射膜7Aで反射した赤外線は、
赤外線検出部20に集束されるので、更に、高い出力感
度を得ることができる。赤外線センサ1は基板10の裏
面に絶縁膜21が形成され、赤外線センサ1の電極22
はワイヤ9によって端子8に接続されている。
【0020】なお、赤外線反射膜7Aの曲面の曲率半径
とセンサ曲面間距離(焦点距離)は赤外線検出部20と
赤外線反射面7Aとの距離や赤外線検出部20の赤外線
検出有効表面によって設定すればよい。また、図2
(C)は、赤外線検出器の基台2に湾曲状凹部2Aが形
成され、その内面に赤外線反射面7Aが設けたものであ
る。このような形状であっても上記と同様な効果を得る
ことができる。
とセンサ曲面間距離(焦点距離)は赤外線検出部20と
赤外線反射面7Aとの距離や赤外線検出部20の赤外線
検出有効表面によって設定すればよい。また、図2
(C)は、赤外線検出器の基台2に湾曲状凹部2Aが形
成され、その内面に赤外線反射面7Aが設けたものであ
る。このような形状であっても上記と同様な効果を得る
ことができる。
【0021】次に、本発明の赤外線検出器の他の実施例
について、図3を参照して説明する。図3(a)は本発
明に係る赤外線検出器の他の実施例をその上方からみた
外観図であり、図3(b)はそのX−X′に沿った断面
図である。同図において、基台2部分に凹部を設ける代
わりに貫通部6Aを設けて、この貫通部6Aを基台2の
底面から赤外線反射膜7Bを形成した基板14によっ
て、密封した構造である。赤外線反射膜7Bとしては、
前述したように金或いはアルミニウム膜が用いられてい
るが、必ずしも赤外線反射膜を用いる必要はなく、アル
ミニウム板のように板の形で用いてもよいことは勿論で
ある。また、赤外線センサ1は感熱部が架橋構造のもの
であればよく、図1の実施例で示した赤外線センサであ
る必要はない。
について、図3を参照して説明する。図3(a)は本発
明に係る赤外線検出器の他の実施例をその上方からみた
外観図であり、図3(b)はそのX−X′に沿った断面
図である。同図において、基台2部分に凹部を設ける代
わりに貫通部6Aを設けて、この貫通部6Aを基台2の
底面から赤外線反射膜7Bを形成した基板14によっ
て、密封した構造である。赤外線反射膜7Bとしては、
前述したように金或いはアルミニウム膜が用いられてい
るが、必ずしも赤外線反射膜を用いる必要はなく、アル
ミニウム板のように板の形で用いてもよいことは勿論で
ある。また、赤外線センサ1は感熱部が架橋構造のもの
であればよく、図1の実施例で示した赤外線センサであ
る必要はない。
【0022】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の赤外線検
出器は、赤外線検出部直下の基台に凹部又は湾曲状凹部
を形成し、その内面に赤外線反射率の高い赤外線反射膜
を形成した構造とし、赤外線センサの赤外線検出部を透
過した赤外線が赤外線反射膜で反射して、再度赤外線検
出部を照射するので、検出効率が高まり、出力感度を改
善することができる利点がある。また、基台の形状、特
に、その厚さに係わりなく、基台に貫通孔を設けること
によって、赤外線検出部と基台との距離を設定できるの
で、その基台底面に反射膜を形成した赤外線検出器と同
様な効果を有するものである。また、その反射面に曲面
を形成することによって、赤外線検出部を透過して、曲
面状の赤外線反射面で入射赤外線を集束させることによ
り、一層検出感度を高めることができる利点がある。
出器は、赤外線検出部直下の基台に凹部又は湾曲状凹部
を形成し、その内面に赤外線反射率の高い赤外線反射膜
を形成した構造とし、赤外線センサの赤外線検出部を透
過した赤外線が赤外線反射膜で反射して、再度赤外線検
出部を照射するので、検出効率が高まり、出力感度を改
善することができる利点がある。また、基台の形状、特
に、その厚さに係わりなく、基台に貫通孔を設けること
によって、赤外線検出部と基台との距離を設定できるの
で、その基台底面に反射膜を形成した赤外線検出器と同
様な効果を有するものである。また、その反射面に曲面
を形成することによって、赤外線検出部を透過して、曲
面状の赤外線反射面で入射赤外線を集束させることによ
り、一層検出感度を高めることができる利点がある。
【図1】(a)は本発明の赤外線検出器の一実施例を示
す上方からみた外観図、(b)はそのX−X′に沿った
断面図である。
す上方からみた外観図、(b)はそのX−X′に沿った
断面図である。
【図2】(a)は本発明の赤外線検出器の他の実施例を
示す上方からみた外観図、(b)はそのX−X′に沿っ
た断面図、(c)は他の実施例の基台を示す断面図であ
る。
示す上方からみた外観図、(b)はそのX−X′に沿っ
た断面図、(c)は他の実施例の基台を示す断面図であ
る。
【図3】(a)は本発明の赤外線検出器の他の実施例を
示す上方からみた外観図、(b)はそのX−X′に沿っ
た断面図である。
示す上方からみた外観図、(b)はそのX−X′に沿っ
た断面図である。
【図4】従来の赤外線検出器の一例を示す断面図であ
る。
る。
1 赤外線センサ 2 基台 2A 湾曲部凹部 3 フィルタ 4 蓋体 5 ホーン 6 凹部 6A 貫通孔 7,7A,7B 赤外線反射膜 8 端子 9 ワイヤ 10 基板
Claims (4)
- 【請求項1】 半導体基板の一面上に設けられた絶縁膜
に感熱抵抗膜から構成された赤外線検出部を形成し、前
記基板に中空部を形成して前記赤外線検出部を架橋構造
とした赤外線センサを基台に実装してなる赤外線検出器
において、 前記赤外線センサを載置した基台の前記赤外線検出部に
対面する部分に凹部が形成され、前記凹部の少なくとも
底面に赤外線反射膜を設けたことを特徴とする赤外線検
出器。 - 【請求項2】 半導体基板の一面上に設けられた絶縁膜
に感熱抵抗膜から構成された赤外線検出部を形成し、前
記基板に中空部を形成して前記赤外線検出部を架橋構造
とした赤外線センサを基台に実装してなる赤外線検出器
において、 前記赤外線センサを載置する基台の前記赤外線センサの
赤外線検出部に対面する部分に貫通孔を設け、前記貫通
孔を前記基台の外側から赤外線反射膜で封じたことを特
徴とする赤外線検知器。 - 【請求項3】 半導体基板の一面上に設けられた絶縁膜
に感熱抵抗膜から構成された赤外線検出部を形成し、前
記基板に中空部を形成して前記赤外線検出部を架橋構造
とした赤外線センサを基台に実装してなる赤外線検出器
において、 前記赤外線センサを載置した基台の前記赤外線検出部に
対面する部分に湾曲状凹部が形成され、該湾曲状凹部内
面に赤外線反射膜を設けたことを特徴とする赤外線検出
器。 - 【請求項4】 前記反射板が赤外線反射率の高い金属板
であることを特徴とする請求項2に記載の赤外線検出
器。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7082328A JPH08278192A (ja) | 1995-04-07 | 1995-04-07 | 赤外線検出器 |
US08/626,105 US5693942A (en) | 1995-04-07 | 1996-04-03 | Infrared detector |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7082328A JPH08278192A (ja) | 1995-04-07 | 1995-04-07 | 赤外線検出器 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH08278192A true JPH08278192A (ja) | 1996-10-22 |
Family
ID=13771498
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7082328A Pending JPH08278192A (ja) | 1995-04-07 | 1995-04-07 | 赤外線検出器 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5693942A (ja) |
JP (1) | JPH08278192A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007501404A (ja) * | 2003-05-13 | 2007-01-25 | ハイマン・センサー・ゲゼルシャフト・ミット・ベシュレンクテル・ハフツング | 最適化された表面を活用する赤外線センサー |
JP2007503586A (ja) * | 2003-05-13 | 2007-02-22 | ハイマン・センサー・ゲゼルシャフト・ミット・ベシュレンクテル・ハフツング | 改善された放射活用を備えた赤外線センサー |
WO2018008215A1 (ja) * | 2016-07-04 | 2018-01-11 | 株式会社堀場製作所 | 赤外線検出器及び放射温度計 |
Families Citing this family (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20010007475A1 (en) * | 2000-01-06 | 2001-07-12 | Asahi Kogaku Kogyo Kabushiki Kaisha | Image pickup device and its mounting structure for an optical low-pass filter |
AU2002249778A1 (en) | 2000-11-17 | 2002-08-12 | Thermogenic Imaging, Inc. | Apparatus and methods for infrared calorimetric measurements |
US20020132360A1 (en) | 2000-11-17 | 2002-09-19 | Flir Systems Boston, Inc. | Apparatus and methods for infrared calorimetric measurements |
US7132666B2 (en) * | 2001-02-07 | 2006-11-07 | Tomoji Takamasa | Radiation detector and radiation detecting element |
US6828560B2 (en) * | 2002-01-31 | 2004-12-07 | Delphi Technologies, Inc. | Integrated light concentrator |
GB2392555A (en) * | 2002-09-02 | 2004-03-03 | Qinetiq Ltd | Hermetic packaging |
US20040136434A1 (en) * | 2003-01-13 | 2004-07-15 | Langley Lawrence W. | Laminated heat flux indicating device |
US20040187904A1 (en) * | 2003-02-05 | 2004-09-30 | General Electric Company | Apparatus for infrared radiation detection |
JP2010237118A (ja) * | 2009-03-31 | 2010-10-21 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 赤外線アレイセンサ |
JP5786273B2 (ja) | 2009-12-28 | 2015-09-30 | オムロン株式会社 | 赤外線センサ及び赤外線センサモジュール |
US8436307B2 (en) * | 2010-07-15 | 2013-05-07 | Capella Microsystems Corp. | Multi-cavity optical sensing and thermopile infrared sensing system |
US8743207B2 (en) * | 2010-07-27 | 2014-06-03 | Flir Systems Inc. | Infrared camera architecture systems and methods |
TWI369483B (en) * | 2010-08-30 | 2012-08-01 | Unimems Mfg Co Ltd | Miniature infrared sensor and manufacturing method thereof |
JP5892368B2 (ja) * | 2012-02-01 | 2016-03-23 | 三菱マテリアル株式会社 | 赤外線センサ |
JP6131520B2 (ja) * | 2012-02-06 | 2017-05-24 | 三菱マテリアル株式会社 | 赤外線センサ装置 |
US9250126B2 (en) | 2012-10-26 | 2016-02-02 | Excelitas Technologies Singapore Pte. Ltd | Optical sensing element arrangement with integral package |
CN104068832A (zh) * | 2014-06-20 | 2014-10-01 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种体表温度计及可佩戴显示装置 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5286976A (en) * | 1988-11-07 | 1994-02-15 | Honeywell Inc. | Microstructure design for high IR sensitivity |
US5288649A (en) * | 1991-09-30 | 1994-02-22 | Texas Instruments Incorporated | Method for forming uncooled infrared detector |
JP2725965B2 (ja) * | 1992-10-15 | 1998-03-11 | 松下電工株式会社 | 赤外線センサ |
JPH06137935A (ja) * | 1992-10-22 | 1994-05-20 | Matsushita Electric Works Ltd | 赤外線センサ |
JP3254787B2 (ja) * | 1993-01-30 | 2002-02-12 | 日産自動車株式会社 | 赤外線センサの製造方法 |
-
1995
- 1995-04-07 JP JP7082328A patent/JPH08278192A/ja active Pending
-
1996
- 1996-04-03 US US08/626,105 patent/US5693942A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007501404A (ja) * | 2003-05-13 | 2007-01-25 | ハイマン・センサー・ゲゼルシャフト・ミット・ベシュレンクテル・ハフツング | 最適化された表面を活用する赤外線センサー |
JP2007503586A (ja) * | 2003-05-13 | 2007-02-22 | ハイマン・センサー・ゲゼルシャフト・ミット・ベシュレンクテル・ハフツング | 改善された放射活用を備えた赤外線センサー |
JP4685019B2 (ja) * | 2003-05-13 | 2011-05-18 | ハイマン・センサー・ゲゼルシャフト・ミット・ベシュレンクテル・ハフツング | 改善された放射活用を備えた赤外線センサー |
WO2018008215A1 (ja) * | 2016-07-04 | 2018-01-11 | 株式会社堀場製作所 | 赤外線検出器及び放射温度計 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US5693942A (en) | 1997-12-02 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040113 |