JPH08262624A - 映画フィルム及びその被覆方法 - Google Patents
映画フィルム及びその被覆方法Info
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- JPH08262624A JPH08262624A JP6642795A JP6642795A JPH08262624A JP H08262624 A JPH08262624 A JP H08262624A JP 6642795 A JP6642795 A JP 6642795A JP 6642795 A JP6642795 A JP 6642795A JP H08262624 A JPH08262624 A JP H08262624A
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Landscapes
- Silver Salt Photography Or Processing Solution Therefor (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 耐久性に優れた保護膜で被覆した映画フィル
ム及びその被覆方法を提供する。 【構成】 ベースフィルム１１の表面に酸化珪素系セラ
ミックス層ＳｉＯX や窒化珪素系セラミックス層ＳｉＮ
Y などのセラミックスからなる保護膜１２を成膜してな
る。
ム及びその被覆方法を提供する。 【構成】 ベースフィルム１１の表面に酸化珪素系セラ
ミックス層ＳｉＯX や窒化珪素系セラミックス層ＳｉＮ
Y などのセラミックスからなる保護膜１２を成膜してな
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、保護層で被覆された映
画フィルム及びその被覆方法に関するものである。
画フィルム及びその被覆方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の映画フィルムは、該フィルムの略
々中央部に映像記録領域がコマ状に配設されており、こ
の映像記録領域の両脇にフィルム巻き取り用のフィルム
巻き取り孔（パーフォレーション）が設けられている。
また、上記映像記録領域と何れか一方のパーフォレーシ
ョンとの間に、該フィルムの巻き取り方向に沿って直線
的にアナログサウンドトラックが設けられており、この
アナログサウンドトラックにオーディオ信号がアナログ
記録されるようになっていた。
々中央部に映像記録領域がコマ状に配設されており、こ
の映像記録領域の両脇にフィルム巻き取り用のフィルム
巻き取り孔（パーフォレーション）が設けられている。
また、上記映像記録領域と何れか一方のパーフォレーシ
ョンとの間に、該フィルムの巻き取り方向に沿って直線
的にアナログサウンドトラックが設けられており、この
アナログサウンドトラックにオーディオ信号がアナログ
記録されるようになっていた。
【０００３】しかし、近年におけるデジタル技術の発達
にともない、上記オーディオ情報をデジタル記録する動
きがでてきた。上記映像記録領域やアナログサウンドト
ラック等の記録位置は、アメリカにおける映画及びテレ
ビジョン技術者の協会であるＳＭＰＴＥ（Society of M
otion Picture and Television Engneers ）により規格
化されているため、上記デジタル化したオーディオ情報
は、上記映像記録領域やアナログサウンドトラック等の
記録位置以外の位置に記録される。
にともない、上記オーディオ情報をデジタル記録する動
きがでてきた。上記映像記録領域やアナログサウンドト
ラック等の記録位置は、アメリカにおける映画及びテレ
ビジョン技術者の協会であるＳＭＰＴＥ（Society of M
otion Picture and Television Engneers ）により規格
化されているため、上記デジタル化したオーディオ情報
は、上記映像記録領域やアナログサウンドトラック等の
記録位置以外の位置に記録される。
【０００４】具体的には、上記オーディオデータとし
て、右チャンネル用のオーディオデータ及び左チャンネ
ル用のオーディオデータが形成され、これらが、例えば
上記各パーフォレーションと映画フィルムの各エッジと
の間に、該映画フィルムの進行方向に沿って設けられて
いる各デジタルサウンドトラックにそれぞれ直線的に記
録される。
て、右チャンネル用のオーディオデータ及び左チャンネ
ル用のオーディオデータが形成され、これらが、例えば
上記各パーフォレーションと映画フィルムの各エッジと
の間に、該映画フィルムの進行方向に沿って設けられて
いる各デジタルサウンドトラックにそれぞれ直線的に記
録される。
【０００５】上記デジタルサウンドトラックは、映写機
のフィルムガイドが接触する部分に設けられているの
で、フィルム走行により擦り傷が付き易い。
のフィルムガイドが接触する部分に設けられているの
で、フィルム走行により擦り傷が付き易い。
【０００６】また、映写機のピクチャゲートと呼ばれる
フィルム投射機構部においては、フィルムを移送させた
後のフィルムの微小振動を抑制して映写画像を安定にす
るために、常にフィルムの両エッジを挿圧しており、こ
れによってもデジタルサウンドに傷が付き易い。そし
て、上記デジタルサウンドトラックについた擦り傷は、
オーディオ再生系におけるエラーの発生原因となる。
フィルム投射機構部においては、フィルムを移送させた
後のフィルムの微小振動を抑制して映写画像を安定にす
るために、常にフィルムの両エッジを挿圧しており、こ
れによってもデジタルサウンドに傷が付き易い。そし
て、上記デジタルサウンドトラックについた擦り傷は、
オーディオ再生系におけるエラーの発生原因となる。
【０００７】そこで、従来、上記デジタルサウンドトラ
ックの表面に例えばエポキシ系塗料を塗布することによ
り保護膜を形成するようにしていた。
ックの表面に例えばエポキシ系塗料を塗布することによ
り保護膜を形成するようにしていた。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記エポキ
シ系塗料を塗布することにより保護膜を形成した映画フ
ィルムでは、上記保護膜の強度が十分でなく、耐久性を
確保することができないという問題点があった。
シ系塗料を塗布することにより保護膜を形成した映画フ
ィルムでは、上記保護膜の強度が十分でなく、耐久性を
確保することができないという問題点があった。
【０００９】そこで、上述の如き従来の映画フィルムに
おける問題点に鑑み、本発明の目的は、耐久性に優れた
映画フィルムを提供することにある。
おける問題点に鑑み、本発明の目的は、耐久性に優れた
映画フィルムを提供することにある。
【００１０】また、本発明の他の目的は、十分な強度の
保護膜で映画フィルムを被覆することができる映画フィ
ルムの被覆方法を提供することにある。
保護膜で映画フィルムを被覆することができる映画フィ
ルムの被覆方法を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明に係る映画フィル
ムは、セラミックスからなる保護膜により被覆されてな
ることを特徴とする。
ムは、セラミックスからなる保護膜により被覆されてな
ることを特徴とする。
【００１２】また、本発明に係る映画フィルムの被覆方
法は、低温プラズマ化学的気相成長法によりセラミック
スを析出させ、映画フィルムの表面に上記セラミックス
からなる保護膜を成膜することを特徴とする。
法は、低温プラズマ化学的気相成長法によりセラミック
スを析出させ、映画フィルムの表面に上記セラミックス
からなる保護膜を成膜することを特徴とする。
【００１３】
【作用】本発明に係る映画フィルムでは、例えば酸化珪
素系セラミックス層や窒化珪素系セラミックス層などの
セラミックスからなる保護膜により表面が保護される。
素系セラミックス層や窒化珪素系セラミックス層などの
セラミックスからなる保護膜により表面が保護される。
【００１４】
【実施例】以下、本発明に係る映画フィルム及びその被
覆方法の好ましい実施例について図面を参照しながら詳
細に説明する。
覆方法の好ましい実施例について図面を参照しながら詳
細に説明する。
【００１５】本発明に係る映画フィルム１は、例えば図
１に示すように、ベースフィルム１１の表面に成膜され
たセラミックスからなる保護膜１２により被覆されてな
る。上記保護膜１２は例えば酸化珪素系セラミックス層
ＳｉＯX や窒化珪素系セラミックス層ＳｉＮY などのセ
ラミックスからなる。
１に示すように、ベースフィルム１１の表面に成膜され
たセラミックスからなる保護膜１２により被覆されてな
る。上記保護膜１２は例えば酸化珪素系セラミックス層
ＳｉＯX や窒化珪素系セラミックス層ＳｉＮY などのセ
ラミックスからなる。
【００１６】上記酸化珪素系セラミックス層ＳｉＯX や
窒化珪素系セラミックス層ＳｉＮYなどのセラミックス
からなる保護膜１２は、従来のエポキシ系塗料による保
護膜と比較して、強度が高く、耐磨耗性や耐擦傷性に優
れる。また、上記酸化珪素系セラミックス層ＳｉＯX や
窒化珪素系セラミックス層ＳｉＮY などのセラミックス
からなる保護膜１２は、透明であり、映像に影響を与え
ることがない。
窒化珪素系セラミックス層ＳｉＮYなどのセラミックス
からなる保護膜１２は、従来のエポキシ系塗料による保
護膜と比較して、強度が高く、耐磨耗性や耐擦傷性に優
れる。また、上記酸化珪素系セラミックス層ＳｉＯX や
窒化珪素系セラミックス層ＳｉＮY などのセラミックス
からなる保護膜１２は、透明であり、映像に影響を与え
ることがない。
【００１７】このように、本発明に係る映画フィルム１
では、例えば酸化珪素系セラミックス層ＳｉＯX や窒化
珪素系セラミックス層ＳｉＮY などのセラミックスから
なる保護膜１２によりベースフィルム１１の表面が保護
されることによって、耐久性が改善され、多数回の上映
が可能となる。
では、例えば酸化珪素系セラミックス層ＳｉＯX や窒化
珪素系セラミックス層ＳｉＮY などのセラミックスから
なる保護膜１２によりベースフィルム１１の表面が保護
されることによって、耐久性が改善され、多数回の上映
が可能となる。
【００１８】なお、上記ベースフィルム１１とは、保護
膜１２を形成する前の映画フィルムである。
膜１２を形成する前の映画フィルムである。
【００１９】そして、この実施例における映画フィルム
１は、図２に示すように、映写される画像が記録される
映像記録領域２と、当該映画フィルム１を巻き取るため
に上記映像記録領域２の両脇にそれぞれ設けられたフィ
ルム巻き取り用孔（パーフォレーション部）３Ｌ，３Ｒ
と、上記映像記録領域２及び各パーフォレーション部３
Ｌ，３Ｒの間に存在する２つの間隙部のうち何れか一方
の間隙部にフィルムの進行方向に沿って直線的に設けら
れたアナログサウンドトラック４Ｌ，４Ｒと、上記各パ
ーフォレーション部３Ｌ，３Ｒ及びフィルムの両エッジ
の間に、フィルムの進行方向に沿って直線的に設けられ
たデジタルサウンドトラック５Ｌ，５Ｒとを有してい
る。上記アナログサウンドトラック４Ｌには、左チャン
ネル用のアナログのオーディオ信号が記録され、上記ア
ナログサウンドトラック４Ｒには、右チャンネル用のア
ナログのオーディオ信号が記録されている。また、上記
デジタルサウンドトラック５Ｌには、デジタル化された
左チャンネル用のオーディオデータが記録され、上記デ
ジタルサウンドトラック５Ｒには、デジタル化された右
チャンネル用のオーディオデータが記録されている。
１は、図２に示すように、映写される画像が記録される
映像記録領域２と、当該映画フィルム１を巻き取るため
に上記映像記録領域２の両脇にそれぞれ設けられたフィ
ルム巻き取り用孔（パーフォレーション部）３Ｌ，３Ｒ
と、上記映像記録領域２及び各パーフォレーション部３
Ｌ，３Ｒの間に存在する２つの間隙部のうち何れか一方
の間隙部にフィルムの進行方向に沿って直線的に設けら
れたアナログサウンドトラック４Ｌ，４Ｒと、上記各パ
ーフォレーション部３Ｌ，３Ｒ及びフィルムの両エッジ
の間に、フィルムの進行方向に沿って直線的に設けられ
たデジタルサウンドトラック５Ｌ，５Ｒとを有してい
る。上記アナログサウンドトラック４Ｌには、左チャン
ネル用のアナログのオーディオ信号が記録され、上記ア
ナログサウンドトラック４Ｒには、右チャンネル用のア
ナログのオーディオ信号が記録されている。また、上記
デジタルサウンドトラック５Ｌには、デジタル化された
左チャンネル用のオーディオデータが記録され、上記デ
ジタルサウンドトラック５Ｒには、デジタル化された右
チャンネル用のオーディオデータが記録されている。
【００２０】そして、この実施例の映画フィルム１で
は、ベースフィルム１１の全表面がセラミックからなる
保護膜１２により被覆されることにより保護されてい
る。なお、耐磨耗性や耐擦傷性が問題となるデジタルサ
ウンドトラック５Ｌ，５Ｒの部分だけを上記保護膜１２
により被覆するようにしてもよい。
は、ベースフィルム１１の全表面がセラミックからなる
保護膜１２により被覆されることにより保護されてい
る。なお、耐磨耗性や耐擦傷性が問題となるデジタルサ
ウンドトラック５Ｌ，５Ｒの部分だけを上記保護膜１２
により被覆するようにしてもよい。
【００２１】また、本発明に係る映画フィルムの被覆方
法は、上述の図１に示した本発明に係る映画フィルム１
のようにベースフィルム１１の表面をセラミックスから
なる保護膜１２により被覆するためのものであって、低
温プラズマ化学的気相成長（CVD: Chemical Vapor Depo
sition）法によりベースフィルム１１の表面にセラミッ
クを析出させることによって、上記セラミックからなる
保護膜１２を上記ベースフィルム１１の表面に成膜す
る。
法は、上述の図１に示した本発明に係る映画フィルム１
のようにベースフィルム１１の表面をセラミックスから
なる保護膜１２により被覆するためのものであって、低
温プラズマ化学的気相成長（CVD: Chemical Vapor Depo
sition）法によりベースフィルム１１の表面にセラミッ
クを析出させることによって、上記セラミックからなる
保護膜１２を上記ベースフィルム１１の表面に成膜す
る。
【００２２】本発明に係る映画フィルムの被覆方法で
は、例えば図３に示すような構成の低温プラズマ化ＣＶ
Ｄ装置２０を用いて、例えば酸化珪素系セラミックス層
ＳｉＯX や窒化珪素系セラミックス層ＳｉＮY などのセ
ラミックスからなる保護膜１２をベースフィルム１１の
表面に成膜する。
は、例えば図３に示すような構成の低温プラズマ化ＣＶ
Ｄ装置２０を用いて、例えば酸化珪素系セラミックス層
ＳｉＯX や窒化珪素系セラミックス層ＳｉＮY などのセ
ラミックスからなる保護膜１２をベースフィルム１１の
表面に成膜する。
【００２３】上記図３に示した低温プラズマ化ＣＶＤ装
置２０は、ロール状のベースフィルム１１を１方向に走
行させて巻き取る機構を設けた真空反応容器２１を備え
る。この真空反応容器２１は、図示しない吸引ポンプに
より吸引口２２を介して真空状態に吸引されるようにな
っている。また、この真空反応容器２１には、上記ベー
スフィルム１１の直線的な走行部分において、フィルム
表面と対向するように石英放電管２３が取り付けられて
いるとともに、フィルム裏面に近接してヒータ２４が設
置されている。
置２０は、ロール状のベースフィルム１１を１方向に走
行させて巻き取る機構を設けた真空反応容器２１を備え
る。この真空反応容器２１は、図示しない吸引ポンプに
より吸引口２２を介して真空状態に吸引されるようにな
っている。また、この真空反応容器２１には、上記ベー
スフィルム１１の直線的な走行部分において、フィルム
表面と対向するように石英放電管２３が取り付けられて
いるとともに、フィルム裏面に近接してヒータ２４が設
置されている。
【００２４】上記石英放電管２３には、放電用コイル２
５が巻装されているとともに、その端部に反応性ガスの
導入口２６が設けられている。上記放電用コイル２５
は、高周波電源装置２７に接続されており、この高周波
電源装置２７から例えば１３．５ＭＨｚの高周波電力が
供給されるようになっている。また、上記ヒータ２４
は、図示しないヒータ電源にヒータ端子２４Ａを介して
接続されている。
５が巻装されているとともに、その端部に反応性ガスの
導入口２６が設けられている。上記放電用コイル２５
は、高周波電源装置２７に接続されており、この高周波
電源装置２７から例えば１３．５ＭＨｚの高周波電力が
供給されるようになっている。また、上記ヒータ２４
は、図示しないヒータ電源にヒータ端子２４Ａを介して
接続されている。
【００２５】このような構成の低温プラズマＣＶＤ装置
２０では、上記石英放電管２３の端部に設けられた導入
口２６から例えばモノシランＳｉＨ4 ガスと酸素Ｏ2 ガ
スからなる反応性ガスを真空反応容器２１内に導入し、
この反応性ガスを上記放電用コイル２５によるプラズマ
で活性化させて、次の反応式に従って酸化珪素ＳｉＯ2
を析出させ、 ＳｉＨ4 ＋ Ｏ2 → ＳｉＯX 上記酸化珪素系セラミックス層ＳｉＯX からなる保護膜
１２をベースフィルム１１の表面に成膜することができ
る。
２０では、上記石英放電管２３の端部に設けられた導入
口２６から例えばモノシランＳｉＨ4 ガスと酸素Ｏ2 ガ
スからなる反応性ガスを真空反応容器２１内に導入し、
この反応性ガスを上記放電用コイル２５によるプラズマ
で活性化させて、次の反応式に従って酸化珪素ＳｉＯ2
を析出させ、 ＳｉＨ4 ＋ Ｏ2 → ＳｉＯX 上記酸化珪素系セラミックス層ＳｉＯX からなる保護膜
１２をベースフィルム１１の表面に成膜することができ
る。
【００２６】また、モノシランＳｉＨ4 ガスと窒素Ｎ2
ガスからなる反応性ガスを導入すると、次の反応式に従
って窒化珪素ＳｉＮ4 を析出させ、 ＳｉＨ4 ＋ Ｎ2 → ＳｉＮY 上記窒化珪素系セラミックス層ＳｉＮY からなる保護膜
１２をベースフィルム１１の表面に成膜することができ
る。
ガスからなる反応性ガスを導入すると、次の反応式に従
って窒化珪素ＳｉＮ4 を析出させ、 ＳｉＨ4 ＋ Ｎ2 → ＳｉＮY 上記窒化珪素系セラミックス層ＳｉＮY からなる保護膜
１２をベースフィルム１１の表面に成膜することができ
る。
【００２７】なお、成膜される各セラミックス層の厚さ
は、約５０オングストオロームである。
は、約５０オングストオロームである。
【００２８】このようにモノシランＳｉＨ4 ガスを低温
プラズマＣＶＤ法によりセラミックス化して形成した酸
化珪素系セラミックス層ＳｉＯX や窒化珪素系セラミッ
クス層ＳｉＮY などのセラミックスからなる保護膜１２
は、硬くて緻密、すなわち、強度が高く、耐磨耗性や耐
擦傷性に優れ、しかも透明である。従って、上記保護膜
１２によりベースフィルム１１の表面を保護することよ
って、映画フィルム１の耐久性を向上させ、多数回の上
映を可能にすることができる。
プラズマＣＶＤ法によりセラミックス化して形成した酸
化珪素系セラミックス層ＳｉＯX や窒化珪素系セラミッ
クス層ＳｉＮY などのセラミックスからなる保護膜１２
は、硬くて緻密、すなわち、強度が高く、耐磨耗性や耐
擦傷性に優れ、しかも透明である。従って、上記保護膜
１２によりベースフィルム１１の表面を保護することよ
って、映画フィルム１の耐久性を向上させ、多数回の上
映を可能にすることができる。
【００２９】なお、上記酸化珪素系セラミックス層Ｓｉ
ＯX や窒化珪素系セラミックス層ＳｉＮY は、上述した
ように硬くて緻密という性質を持っているので可撓性に
欠けると見られるが、可撓性ににおいて問題となるのは
各セラミック層が約２００オングストローム以上の場合
であり、上述の実地例における保護膜のように厚さを約
５０オングストロームとした場合は、保護層の変形は映
画フィルムの捩れに十分追従するので、可撓性の問題は
ない。
ＯX や窒化珪素系セラミックス層ＳｉＮY は、上述した
ように硬くて緻密という性質を持っているので可撓性に
欠けると見られるが、可撓性ににおいて問題となるのは
各セラミック層が約２００オングストローム以上の場合
であり、上述の実地例における保護膜のように厚さを約
５０オングストロームとした場合は、保護層の変形は映
画フィルムの捩れに十分追従するので、可撓性の問題は
ない。
【００３０】
【発明の効果】以上のように、本発明に係る映画フィル
ムでは、例えば酸化珪素系セラミックス層ＳｉＯX や窒
化珪素系セラミックス層ＳｉＮY などのセラミックスか
らなる保護膜により表面が保護されるので、耐久性に優
れ、多数回の上映が可能となる。従って、本発明によれ
ば、耐久性に優れた映画フィルムを提供することができ
る。
ムでは、例えば酸化珪素系セラミックス層ＳｉＯX や窒
化珪素系セラミックス層ＳｉＮY などのセラミックスか
らなる保護膜により表面が保護されるので、耐久性に優
れ、多数回の上映が可能となる。従って、本発明によれ
ば、耐久性に優れた映画フィルムを提供することができ
る。
【００３１】また、本発明に係る映画フィルムの被覆方
法では、低温プラズマ化学的気相成長法により酸化珪素
系セラミックス層ＳｉＯX や窒化珪素系セラミックス層
ＳｉＮY などのセラミックスを析出させ、映画フィルム
の表面に上記セラミックスからなる保護膜を成膜するこ
とによって、十分な強度の保護膜で映画フィルムを被覆
することができる。
法では、低温プラズマ化学的気相成長法により酸化珪素
系セラミックス層ＳｉＯX や窒化珪素系セラミックス層
ＳｉＮY などのセラミックスを析出させ、映画フィルム
の表面に上記セラミックスからなる保護膜を成膜するこ
とによって、十分な強度の保護膜で映画フィルムを被覆
することができる。
【図１】 本発明に係る映画フィルムの構成を示す模式
的な断面図である。
的な断面図である。
【図２】 上記映画フィルムの記録フォーマットを示す
模式的な平面図である。
模式的な平面図である。
【図３】 本発明に係る映画フィルムの被覆方法を実施
するための低温プラズマＣＶＤ装置の構成を示す模式的
な断面図である。
するための低温プラズマＣＶＤ装置の構成を示す模式的
な断面図である。
１ 映画フィルム １１ ベースフィルム １２ 保護膜 ２０ 低温プラズマＣＶＤ装置
Claims (4)
- 【請求項１】 セラミックスからなる保護膜により被覆
されてなることを特徴とする映画フィルム。 - 【請求項２】 上記保護膜は酸化珪素系セラミック層か
らなることを特徴とする請求項１記載の映画フィルム。 - 【請求項３】 上記保護膜は窒化珪素系セラミック層か
らなることを特徴とする請求項１記載の映画フィルム。 - 【請求項４】 低温プラズマ化学的気相成長法によりセ
ラミックスを析出させ、映画フィルムの表面に上記セラ
ミックスからなる保護膜を成膜することを特徴とする映
画フィルムの被覆方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6642795A JPH08262624A (ja) | 1995-03-24 | 1995-03-24 | 映画フィルム及びその被覆方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6642795A JPH08262624A (ja) | 1995-03-24 | 1995-03-24 | 映画フィルム及びその被覆方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08262624A true JPH08262624A (ja) | 1996-10-11 |
Family
ID=13315485
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6642795A Withdrawn JPH08262624A (ja) | 1995-03-24 | 1995-03-24 | 映画フィルム及びその被覆方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08262624A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009084639A (ja) * | 2007-09-28 | 2009-04-23 | Fujifilm Corp | 窒化シリコン膜の形成方法 |
-
1995
- 1995-03-24 JP JP6642795A patent/JPH08262624A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009084639A (ja) * | 2007-09-28 | 2009-04-23 | Fujifilm Corp | 窒化シリコン膜の形成方法 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20020604 |