JPH08253866A - Thin film forming device - Google Patents
Thin film forming deviceInfo
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- JPH08253866A JPH08253866A JP5715695A JP5715695A JPH08253866A JP H08253866 A JPH08253866 A JP H08253866A JP 5715695 A JP5715695 A JP 5715695A JP 5715695 A JP5715695 A JP 5715695A JP H08253866 A JPH08253866 A JP H08253866A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】この発明は、半導体デバイスや各
種センサ等の製造に用いられる薄膜形成装置に関するも
のである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a thin film forming apparatus used for manufacturing semiconductor devices and various sensors.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来例（特開平2-236283号) を図２に示
す。すなわち、真空ポンプ５０により真空排気された真
空チャンバ５１内にはヒータ５２によって加熱された基
板ホルダ５３が配置されており、この基板ホルダ５３の
表面に成膜を施すべき基板５４が固定されている。そし
て基板ホルダ５３と高周波電極５５との間の空間を、基
板ホダ５３と高周波電極５５とともに包囲する冷却可能
なガスカップ５６と、高周波電極５５の側部から前記包
囲された空間に反応ガスを導入するガスノズル５７を備
える。2. Description of the Related Art FIG. 2 shows a conventional example (JP-A-2-236283). That is, a substrate holder 53 heated by a heater 52 is arranged in a vacuum chamber 51 that is evacuated by a vacuum pump 50, and a substrate 54 to be formed with a film is fixed to the surface of the substrate holder 53. . A coolable gas cup 56 that surrounds the space between the substrate holder 53 and the high-frequency electrode 55 together with the substrate holder 53 and the high-frequency electrode 55, and a reaction gas is introduced into the enclosed space from the side of the high-frequency electrode 55. The gas nozzle 57 is provided.
【０００３】高周波電極５５およびガスカップ５６は空
洞形に形成され、内部に冷却水が流されて、これらが冷
却される。５８，５９は絶縁体、６０は高周波電源、６
１は整合回路である。The high frequency electrode 55 and the gas cup 56 are formed in a hollow shape, and cooling water is made to flow inside to cool them. 58 and 59 are insulators, 60 is a high frequency power source, 6
1 is a matching circuit.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】しかし、この従来例
は、ガスカップ５６および高周波電極５５の空間に面し
た表面に膜が形成されて汚れるという欠点があった。し
たがって、この発明の目的は、ガスカップ内の汚れを防
止することができる薄膜形成装置を提供することであ
る。However, this conventional example has a drawback in that a film is formed on the surfaces of the gas cup 56 and the high-frequency electrode 55 facing the space to be contaminated. Therefore, an object of the present invention is to provide a thin film forming apparatus capable of preventing contamination in the gas cup.
【０００５】[0005]
【課題を解決するための手段】請求項１の薄膜形成装置
は、真空チャンバ内に反応ガスを導入し、互いに平行に
配置した基板ホルダと高周波電極との間に高周波電圧を
印加して、前記反応ガスを放電させてプラズマを生成
し、前記基板ホルダの表面に配置した基板に対して成膜
を施す薄膜形成装置において、前記基板ホルダおよび前
記高周波電極の各周縁部間に配置されて前記基板ホルダ
および前記高周波電極の間の空間の周囲を仕切る周壁を
形成するリング状のガスカップと、前記高周波電極の前
記周縁部から前記空間に前記反応ガスを導入するガスノ
ズルと、前記ガスカップを加熱する加熱手段および前記
ガスカップに電圧を印加する電圧印加手段の少なくとも
いずれか一方と、を備えたことを特徴とするものであ
る。According to a first aspect of the present invention, there is provided a thin film forming apparatus, wherein a reaction gas is introduced into a vacuum chamber and a high frequency voltage is applied between a substrate holder and a high frequency electrode which are arranged in parallel with each other. In a thin film forming apparatus for discharging a reaction gas to generate plasma and forming a film on a substrate arranged on the surface of the substrate holder, the substrate is arranged between the peripheral portions of the substrate holder and the high frequency electrode. A ring-shaped gas cup that forms a peripheral wall that divides the space between the holder and the high-frequency electrode, a gas nozzle that introduces the reaction gas into the space from the peripheral portion of the high-frequency electrode, and the gas cup is heated. At least one of a heating means and a voltage applying means for applying a voltage to the gas cup is provided.
【０００６】請求項２の薄膜形成装置は、請求項１にお
いて、前記高周波電極が加熱手段を有するものである。According to a second aspect of the present invention, in the first aspect, the high frequency electrode has a heating means.
【０００７】[0007]
【作用】請求項１の薄膜形成装置によれば、基板ホル
ダ、高周波電極およびガスカップにより形成された空間
にガスノズルから反応ガスが導入され、高周波電極およ
び基板ホルダ間に高周波電圧が印加されて反応ガスが放
電しプラズマを生成し、気相化学反応により、基板ホル
ダの表面に設けられた基板に膜が形成される。According to the thin film forming apparatus of the present invention, the reaction gas is introduced from the gas nozzle into the space formed by the substrate holder, the high frequency electrode and the gas cup, and the high frequency voltage is applied between the high frequency electrode and the substrate holder to cause the reaction. The gas discharges to generate plasma, and a gas-phase chemical reaction forms a film on the substrate provided on the surface of the substrate holder.
【０００８】この場合において、ガスカップを加熱する
加熱手段を有するとき、ガスカップの加熱によりガスカ
ップの表面に付着する膜を低減できる。またガスカップ
に電圧を印加する電圧印加手段を有するとき、ガスカッ
プに正バイアスを印加することによりプラズマをガスカ
ップから遠ざけて膜付着を低減でき、また高周波電力を
供給してプラズマクリーニングし、付着した膜をエッチ
ングガスでエッチングすることができる。さらに加熱手
段および電圧印加手段を有するとき前記各作用がある。
その結果、ガスカップの内表面の汚れを低減することが
できる。In this case, when the heating means for heating the gas cup is provided, the film deposited on the surface of the gas cup can be reduced by heating the gas cup. Further, when the gas cup has a voltage applying means for applying a voltage, by applying a positive bias to the gas cup, the plasma can be moved away from the gas cup to reduce film adhesion, and high frequency power can be supplied to perform plasma cleaning and adhesion. The formed film can be etched with an etching gas. Further, when the heating means and the voltage applying means are provided, the above-mentioned respective functions are obtained.
As a result, dirt on the inner surface of the gas cup can be reduced.
【０００９】請求項２の薄膜形成装置によれば、請求項
１において、前記高周波電極が加熱手段を有するため、
請求項１の作用のほか、高周波電極を加熱することによ
り、高周波電極の表面に付着する膜を低減することがで
き、汚れを少なくすることができる。According to the thin film forming apparatus of the second aspect, in the first aspect, since the high-frequency electrode has a heating means,
In addition to the effect of the first aspect, by heating the high-frequency electrode, it is possible to reduce the film adhered to the surface of the high-frequency electrode and reduce the contamination.
【００１０】[0010]
【実施例】この発明の一実施例を図１により説明する。
すなわち、この薄膜形成装置は、真空チャンバ２内に反
応ガスを導入し、互いに平行に配置した基板ホルダ４と
高周波電極６との間に高周波電圧を印加して、反応ガス
を放電させてプラズマを生成し、基板ホルダ４の表面に
配置したシリコンウエハ，Ｍｏ，ＳＵＳおよびカーボン
などの導電性の基板５に対して成膜を施すもので、いわ
ゆる枚葉処理型の平行平板型プラズマＣＶＤ装置であ
る。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENT An embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.
That is, in this thin film forming apparatus, a reaction gas is introduced into the vacuum chamber 2 and a high frequency voltage is applied between the substrate holder 4 and the high frequency electrode 6 arranged in parallel with each other to discharge the reaction gas and generate plasma. This is a so-called single-wafer processing parallel plate type plasma CVD apparatus for forming a film on a conductive substrate 5 such as a silicon wafer, Mo, SUS and carbon, which is generated and arranged on the surface of the substrate holder 4. .
【００１１】このような薄膜形成装置において、この実
施例は、ガスカップ７と、ガスノズル８とを設けてい
る。ガスカップ７は、リング状であって、基板ホルダ４
および高周波電極６の各周縁部間に配置されて基板ホル
ダ４および高周波電極６の間の空間１４の周囲を仕切る
周壁を形成する。このガスカップ７は、リング状の軸方
向の一端が絶縁体２３を介して高周波電極６の周縁部に
連結され、他端は基板ホルダ４との間に隙間２６を形成
している。またガスカップ７の内部にガスカップ７を加
熱するヒータを実施例とする加熱手段１５を設けるとと
もに、ガスカップ７の外部にガスカップ７に電圧を印加
する電圧印加手段１６を設けている。電圧印加手段１６
は、高周波電源１７とこれに入力端が接続されて出力端
が真空チャンバ２の絶縁体２８を貫通するガスカップ接
続部２７を通してガスカップ７に接続された整合回路１
８を有し、またこれとは別に直流電源１９とこの直流電
源１９に入力端が接続されて出力端がガスカップ接続部
２７に接続されたローパスフィルタ２０を有する。In such a thin film forming apparatus, this embodiment is provided with a gas cup 7 and a gas nozzle 8. The gas cup 7 has a ring shape and is used for the substrate holder 4.
A peripheral wall is formed between the peripheral portions of the high-frequency electrode 6 and partitions the space 14 between the substrate holder 4 and the high-frequency electrode 6. This gas cup 7 has one end in the ring-shaped axial direction connected to the peripheral portion of the high-frequency electrode 6 via the insulator 23, and the other end forms a gap 26 with the substrate holder 4. Further, a heating means 15 such as a heater for heating the gas cup 7 is provided inside the gas cup 7, and a voltage applying means 16 for applying a voltage to the gas cup 7 is provided outside the gas cup 7. Voltage applying means 16
Is a high frequency power supply 17 and a matching circuit 1 connected to the gas cup 7 through a gas cup connecting portion 27 having an input end connected to the high frequency power supply 17 and an output end passing through an insulator 28 of the vacuum chamber 2.
In addition to the above, a DC power supply 19 and a low-pass filter 20 having an input end connected to the DC power supply 19 and an output end connected to the gas cup connection portion 27 are provided.
【００１２】またガスノズル８は、高周波電極６の周縁
部から空間１４に反応ガスを導入するが、真空チャンバ
２およびガスカップ７の近傍を貫通しており、その吐出
口はガスカップ７の内側面に向けられている。さらに、
薄膜形成装置の高周波電極６は内部にヒータを実施例と
する加熱手段２１を設けている。また高周波電極６をガ
スカップ７とともに図示しない構成により基板ホルダ４
に対して近接・離反変位が自在となるように構成してお
り、したがってこの高周波電極６をガスカップ７ととも
に変位することにより、隙間２６の大きさを変化させ
て、ガスカップ７により包囲された空間１４の圧力の調
整を行なうことができるとともに、高周波電極６と基板
ホルダ４との間の距離の調整を可能としている。The gas nozzle 8 introduces a reaction gas into the space 14 from the peripheral portion of the high-frequency electrode 6, but penetrates the vicinity of the vacuum chamber 2 and the gas cup 7, and its discharge port is the inner surface of the gas cup 7. Is directed to. further,
The high frequency electrode 6 of the thin film forming apparatus is provided with a heating means 21 such as a heater inside. Further, the high frequency electrode 6 together with the gas cup 7 has a structure (not shown),
It is configured so that it can be moved closer to or away from the gas cup 7 by changing the size of the gap 26 by displacing the high-frequency electrode 6 together with the gas cup 7. The pressure of the space 14 can be adjusted, and the distance between the high frequency electrode 6 and the substrate holder 4 can be adjusted.
【００１３】なお、１は真空チャンバ２を排気する真空
ポンプ、３は基板ホルダ４を加熱するヒータ、２２は真
空チャンバ２と高周波電極６を絶縁する絶縁体、２３は
高周波電極６とガスカップ７を絶縁する絶縁体、２４は
高周波電極６に接続された整合回路、２５は整合回路２
４に接続された高周波電源である。この薄膜形成装置
は、真空ポンプ１によって真空チャンバ２内が排気され
ることにより、隙間２６を通してガスカップ７内が排気
され減圧される。またガスノズル８からガスカップ７の
内側面に向けて吐き出される反応ガスは、空間１４内に
拡散し、隙間２６より排気される。基板ホルダ４と高周
波電極６との間に高周波電源２５から整合回路２４を介
して高周波電圧が印加されると、ガスノズル８の吐出口
から空間１４に導かれた反応ガスの放電が生じ、プラズ
マが生成される。このようにして、励起され、またイオ
ン化された反応ガスの気相化学反応により、基板５の表
面に膜が堆積される。Reference numeral 1 is a vacuum pump for evacuating the vacuum chamber 2, 3 is a heater for heating the substrate holder 4, 22 is an insulator for insulating the vacuum chamber 2 from the high frequency electrode 6, and 23 is a high frequency electrode 6 and the gas cup 7. An insulator that insulates the device, 24 a matching circuit connected to the high-frequency electrode 6, and 25 a matching circuit 2
4 is a high-frequency power source connected to. In this thin film forming apparatus, the inside of the vacuum chamber 2 is evacuated by the vacuum pump 1, so that the inside of the gas cup 7 is evacuated through the gap 26 to reduce the pressure. The reaction gas discharged from the gas nozzle 8 toward the inner surface of the gas cup 7 diffuses into the space 14 and is exhausted through the gap 26. When a high-frequency voltage is applied between the substrate holder 4 and the high-frequency electrode 6 from the high-frequency power supply 25 via the matching circuit 24, discharge of the reaction gas introduced from the discharge port of the gas nozzle 8 to the space 14 occurs and plasma is generated. Is generated. In this way, a film is deposited on the surface of the substrate 5 by the gas phase chemical reaction of the excited and ionized reaction gas.
【００１４】ガスカップ７により包囲された空間１４の
ガス圧の調整は、高周波電極６とともにガスカップ７を
変位させて隙間２６の大きさを変化させることにより行
なうことができ、これによって成膜速度の調整が行なわ
れる。また、高周波電極６と基板ホルダ４との間の距離
の調整により、基板５の全表面にわたって均一な膜を形
成するための最適な条件を設定することが可能である。The gas pressure in the space 14 surrounded by the gas cup 7 can be adjusted by displacing the gas cup 7 together with the high-frequency electrode 6 to change the size of the gap 26, thereby forming a film. Is adjusted. Further, by adjusting the distance between the high frequency electrode 6 and the substrate holder 4, it is possible to set the optimum conditions for forming a uniform film over the entire surface of the substrate 5.
【００１５】上述のような構成を有する薄膜形成装置
は、高周波電極６の側部にガスノズル８を設けており、
しかもこのガスノズル８の吐出口は高周波電極６と基板
ホルダ４との間のプラズマが生成される空間１４とは反
対側に向けられているので、この吐出口に膜が形成され
ることが防がれ、したがってガスノズル８に目づまりが
発生することはない。In the thin film forming apparatus having the above-mentioned structure, the gas nozzle 8 is provided on the side of the high frequency electrode 6,
Moreover, since the discharge port of the gas nozzle 8 is directed to the side opposite to the space 14 in which plasma is generated between the high frequency electrode 6 and the substrate holder 4, formation of a film at this discharge port is prevented. Therefore, the gas nozzle 8 is not clogged.
【００１６】しかも、成膜対象部分である基板５以外で
プラズマが生成される空間１４に対面するものは高周波
電極６、ガスカップ７および基板ホルダ４であるが、ガ
スカップ７はこれを加熱する加熱手段１５を有するた
め、ガスカップ７の加熱により膜付着を低減できる。ま
たガスカップ７に電圧を印加する電圧印加手段１６を有
しており、ガスカップ７に直流電源１９をローパスフィ
ルタ２０を介して接続することによりガスカップ７に正
バイアスを印加すると、プラズマをガスカップ７から遠
ざけて膜付着を低減でき、またガスカップ７に高周波電
源１７を整合回路１８を介して接続すると、ガスカップ
７に高周波電力が供給されてプラズマクリーニングし、
付着した膜をエッチングガスでエッチングすることがで
きる。その結果、ガスカップ７の内表面の汚れを低減す
ることができる。Moreover, it is the high-frequency electrode 6, the gas cup 7 and the substrate holder 4 that face the space 14 in which plasma is generated outside the substrate 5 which is the film formation target portion. The gas cup 7 heats this. Since the heating means 15 is provided, film adhesion can be reduced by heating the gas cup 7. Further, it has a voltage applying means 16 for applying a voltage to the gas cup 7, and when a direct bias is applied to the gas cup 7 by connecting a DC power source 19 to the gas cup 7 via a low-pass filter 20, plasma is generated. The film adhesion can be reduced by keeping away from the cup 7, and when the high frequency power source 17 is connected to the gas cup 7 through the matching circuit 18, the high frequency power is supplied to the gas cup 7 for plasma cleaning,
The attached film can be etched with an etching gas. As a result, dirt on the inner surface of the gas cup 7 can be reduced.
【００１７】さらに高周波電極６が加熱手段２１により
加熱されるため、高周波電極６の膜付着を低減すること
ができ、汚れを少なくすることができる。なお、この実
施例では、加熱手段２１および電圧印加手段１６を有す
るが、そのいずれか一方のみでもよい。このような薄膜
形成装置を用いて、以下に所定の条件のもとで基板５に
膜を形成するとともにガスカップ７および高周波電極６
の表面に形成された膜の膜厚を測定した。Further, since the high frequency electrode 6 is heated by the heating means 21, it is possible to reduce the film adhesion of the high frequency electrode 6 and to reduce the contamination. Although the heating means 21 and the voltage applying means 16 are provided in this embodiment, only one of them may be provided. Using such a thin film forming apparatus, a film is formed on the substrate 5 under a predetermined condition and the gas cup 7 and the high frequency electrode 6 are formed as follows.
The film thickness of the film formed on the surface of was measured.
【００１８】反応ガスとしてＴＥＯＳおよびＯ2 を用
い、基板５にＳｉＯ2 の膜を形成した。成膜条件は、成
膜温度３７５℃、成膜真空度０．４Ｔｏｒｒであり、ガ
ス流量はＴＥＯＳが３０ＳＣＣＭ、Ｏ2 が７０ＳＣＣ
Ｍ、高周波電力１５０Ｗ（１３．５６ＭＨｚ）、成膜時
間３０ｍｉｎであった。A film of SiO 2 was formed on the substrate 5 using TEOS and O 2 as reaction gases. The film forming conditions are a film forming temperature of 375 ° C., a film forming vacuum degree of 0.4 Torr, and a gas flow rate of 30 SCCM for TEOS and 70 SCC for O 2 .
M, high frequency power 150 W (13.56 MHz), and film formation time 30 min.
【００１９】また実施例１ではガスカップ７を温度１８
０℃に加熱し、実施例２ではガスカップ７にバイアス電
圧＋２５Ｖの正バイアスを印加し、実施例３は実施例
１，２を組み合わせで行い、実施例４はガスカップ７に
高周波電力を供給してプラズマクリーニングを行い、エ
ッチングガスでエッチングした。エッチングガスＣＦ4
／Ｏ2 、真空度０．４Ｔｏｒｒ、高周波電力１５０Ｗ
（１３．５６ＭＨｚ）、成膜時間３０ｍｉｎであった。
実施例５では高周波電極を１５０℃に加熱した。In the first embodiment, the gas cup 7 is heated to a temperature of 18
The sample is heated to 0 ° C., a positive bias of +25 V is applied to the gas cup 7 in Example 2, Example 3 is performed by combining Examples 1 and 2, and Example 4 supplies high frequency power to the gas cup 7. Then, plasma cleaning was performed and etching was performed with an etching gas. Etching gas CF 4
/ O 2 , vacuum degree 0.4 Torr, high frequency power 150W
(13.56 MHz), film formation time was 30 min.
In Example 5, the high frequency electrode was heated to 150 ° C.
【００２０】なお、実施例１〜３，５は成膜中に実施
し、実施例４は成膜後に処理した。ガスカップ７の内表
面のＳｉＯ2 の膜厚は従来例および実施例１〜４につい
て、つぎのとおりである。 従来例 ５μｍ 実施例１ ０．５μｍ 実施例２ １μｍ 実施例３ ０．３μｍ 実施例４ ０μｍ つぎに、実施例５の場合、高周波電極６の表面の膜厚が
１μｍであったのに対して従来例は３μｍであった。Note that Examples 1 to 3 and 5 were carried out during film formation, and Example 4 was processed after film formation. The SiO 2 film thickness on the inner surface of the gas cup 7 is as follows for the conventional example and Examples 1 to 4. Conventional Example 5 μm Example 1 0.5 μm Example 2 1 μm Example 3 0.3 μm Example 4 0 μm Next, in the case of Example 5, the film thickness on the surface of the high-frequency electrode 6 was 1 μm. The example was 3 μm.
【００２１】以上の測定結果から、この薄膜形成装置に
よれば、従来例よりもガスカップ７および高周波電極６
の表面の汚れが少ないことがわかる。From the above measurement results, according to this thin film forming apparatus, the gas cup 7 and the high frequency electrode 6 are more than those of the conventional example.
It can be seen that there is little dirt on the surface of.
【００２２】[0022]
【発明の効果】請求項１の薄膜形成装置によれば、ガス
カップを加熱する加熱手段を有するとき、ガスカップの
加熱によりガスカップの表面に付着する膜を低減でき
る。またガスカップに電圧を印加する電圧印加手段を有
するとき、ガスカップに正バイアスを印加することによ
りプラズマをガスカップから遠ざけて膜付着を低減で
き、また高周波電力を供給してプラズマクリーニング
し、付着した膜をエッチングガスでエッチングすること
ができる。さらに加熱手段および電圧印加手段を有する
とき前記各作用がある。その結果、ガスカップの内表面
の汚れを低減することができるという効果がある。According to the thin film forming apparatus of the first aspect, when the heating means for heating the gas cup is provided, the film attached to the surface of the gas cup can be reduced by heating the gas cup. Further, when the gas cup has a voltage applying means for applying a voltage, by applying a positive bias to the gas cup, the plasma can be moved away from the gas cup to reduce film adhesion, and high frequency power can be supplied to perform plasma cleaning and adhesion. The formed film can be etched with an etching gas. Further, when the heating means and the voltage applying means are provided, the above-mentioned respective functions are obtained. As a result, there is an effect that the dirt on the inner surface of the gas cup can be reduced.
【００２３】請求項２の薄膜形成装置によれば、請求項
１において、前記高周波電極が加熱手段を有するため、
請求項１の効果のほか、高周波電極を加熱することによ
り、高周波電極の表面に付着する膜を低減することがで
き、汚れを少なくすることができる。According to the thin film forming apparatus of the second aspect, in the first aspect, since the high frequency electrode has a heating means,
In addition to the effect of the first aspect, by heating the high frequency electrode, it is possible to reduce the film attached to the surface of the high frequency electrode and reduce the contamination.
【図１】この発明の一実施例の説明図である。FIG. 1 is an explanatory diagram of an embodiment of the present invention.
【図２】従来例の説明図である。FIG. 2 is an explanatory diagram of a conventional example.
２ 真空チャンバ ４ 基板ホルダ ５ 基板 ６ 高周波電極 ７ ガスカップ ８ ガスノズル １５，２１ 加熱手段 １６ 電圧印加手段 2 vacuum chamber 4 substrate holder 5 substrate 6 high-frequency electrode 7 gas cup 8 gas nozzle 15, 21 heating means 16 voltage application means
Claims (2)
いに平行に配置した基板ホルダと高周波電極との間に高
周波電圧を印加して、前記反応ガスを放電させてプラズ
マを生成し、前記基板ホルダの表面に配置した基板に対
して成膜を施す薄膜形成装置において、 前記基板ホルダおよび前記高周波電極の各周縁部間に配
置されて前記基板ホルダおよび前記高周波電極の間の空
間の周囲を仕切る周壁を形成するリング状のガスカップ
と、 前記高周波電極の前記周縁部から前記空間に前記反応ガ
スを導入するガスノズルと、 前記ガスカップを加熱する加熱手段および前記ガスカッ
プに電圧を印加する電圧印加手段の少なくともいずれか
一方と、を備えたことを特徴とする薄膜形成装置。1. A reaction gas is introduced into a vacuum chamber, and a high-frequency voltage is applied between a substrate holder and a high-frequency electrode that are arranged in parallel with each other to discharge the reaction gas and generate plasma to generate the plasma. In a thin film forming apparatus for forming a film on a substrate arranged on the surface of a holder, the thin film forming apparatus is arranged between peripheral portions of the substrate holder and the high-frequency electrode, and partitions a space around the substrate holder and the high-frequency electrode. A ring-shaped gas cup that forms a peripheral wall, a gas nozzle that introduces the reaction gas from the peripheral portion of the high-frequency electrode into the space, a heating unit that heats the gas cup, and a voltage application that applies a voltage to the gas cup. At least one of the means and a thin film forming apparatus.
項１記載の薄膜形成装置。2. The thin film forming apparatus according to claim 1, wherein the high frequency electrode has a heating means.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5715695A JPH08253866A (en) | 1995-03-16 | 1995-03-16 | Thin film forming device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5715695A JPH08253866A (en) | 1995-03-16 | 1995-03-16 | Thin film forming device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08253866A true JPH08253866A (en) | 1996-10-01 |
Family
ID=13047714
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5715695A Pending JPH08253866A (en) | 1995-03-16 | 1995-03-16 | Thin film forming device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08253866A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100470986B1 (en) * | 2000-03-14 | 2005-03-07 | 주성엔지니어링(주) | High vacuum apparatus for use in semiconductor device fabrication and method of forming an epitaxial layer using the same |
-
1995
- 1995-03-16 JP JP5715695A patent/JPH08253866A/en active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100470986B1 (en) * | 2000-03-14 | 2005-03-07 | 주성엔지니어링(주) | High vacuum apparatus for use in semiconductor device fabrication and method of forming an epitaxial layer using the same |
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