JPH08241917A - 基板の真空処理方法及び基板真空処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】基板の処理過程における歩留まりを向上でき、
基板の処理時間を短縮することにより、スループットを
向上出来る基板処理方法および基板処理装置を提供す
る。 【解決手段】真空搬送空間を介して連結した必要な真空
処理室２０のみを用い、該真空処理室内で基板３０を一
枚毎に真空処理する方法において、カセットから基板を
１枚取り出し、該基板を真空排気される空間に搬入する
工程と、該搬入された基板のオリフラを、前記真空排気
される空間で位置合わせする工程と、前記オリフラを合
わせた基板を、前記真空排気される空間と真空状態で連
通する前記真空処理室内に搬入する工程と、該搬入され
た基板を、前記真空処理室内で一枚毎処理する工程と、
該処理済みの基板を、カセットに回収する工程とを有す
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の利用分野】本発明はエッチング装置，プラズマ
ＣＶＤ装置，スパッタ装置等の半導体製造工程における
真空処理装置に関するものである。

【０００２】

【発明の背景】最近の半導体製造プロセス技術の進歩は
著しく、ドライエッチング装置においても１μｍパター
ンを処理する機種が現われ、注目を浴びている。このよ
うな微細化が進むにつれ、基板は大口径化し、それに伴
って半導体製造装置の占有床面積あたりのスループット
（時間あたりの基板処理枚数）を向上させることおよび
製造プロセス技術の多様化に応えることが大きな課題と
なっている。

【０００３】このような要求を解決するためには装置を
小形化するとともに、複数の真空処理室を用いて多目的
処理を行うことが必要で、しかも、プロセス変更やライ
ン変更に対応して真空処理室数を自由に変えてシステム
が構成あるいは編成できる真空処理モジュールが要求さ
れるようになってきた。これに対して、従来の、例え
ば、特開昭５７−１２８９２８号公報に開示されている
ような真空処理室と大気中での基板搬送ラインを結合し
たモジュールを増設できるタイプでは清浄度の悪い大気
中を経て基板が次の真空処理室に搬送されるので、処理
途中で次の真空処理室に処理を引き継ぐようなプロセス
工程への適用にはむかない。また、実開昭５７−３９４
３０号公報に開示されているようないくつかの真空処理
室と一つのバッファ室との間を基板が搬送されて連続的
に処理されるようなタイプでは真空処理室数が固定さ
れ、プロセス変更やライン変更に対応して真空処理室数
を変更したりする自由度がなく、使用しづらいという問
題点を有している。

【０００４】

【発明の目的】本発明の目的は、基板の処理過程におけ
る歩留まりを向上でき、スループットを向上出来る基板
処理方法および基板処理装置を提供することにある。

【０００５】本発明の他の目的は、基板の処理時間を短
縮でき、スループットを向上出来る基板処理方法および
処理装置を提供することにある。

【０００６】

【発明の概要】本発明は、真空搬送空間を介して連結し
た必要な真空処理室のみを用い、該真空処理室内で前記
基板を一枚毎に真空処理する方法において、カセットか
ら前記基板を１枚取り出し、該基板を真空排気される空
間に搬入する工程と、該搬入された基板のオリフラを、
前記真空排気される空間で位置合わせする工程と、前記
オリフラを合わせた基板を、前記真空排気される空間と
真空状態で連通する前記真空処理室内に搬入する工程
と、該搬入された基板を、前記真空処理室内で一枚毎処
理する工程と、該処理済みの基板を、カセットに回収す
る工程とを有することを特徴とする。

【０００７】本発明の他の特徴は、カセットテーブルを
１ピッチ分下降させ供給カセットから基板を１枚毎取り
出し、基板テーブル上に搬送してオリフラ合わせを行
い、前記オリフラ合わせ後の基板を真空処理室の基板電
極上方へ搬送し、前記基板電極下方から爪を上昇させ引
き続き下降させて前記基板電極に前記基板を載置し、
その後、真空処理室を仕切り、所定のプラズマ処理を行
い、この間、前記基板テーブル上で次の基板のオリフラ
合わせを行い、前記プラズマ処理が終了した基板は前記
真空処理室から搬出し、カセットテーブルを１ピッチ分
上昇させて回収カセットに前記基板を１枚毎回収するこ
とである。

【０００８】本発明によれば、基板のオリフラ合わせを
真空排気される空間で実施するので、大気中でのオリフ
ラ合わせに比較して基板の被処理面への塵埃の滞積・付
着が抑制される。このため、半導体製造における歩留ま
りを向上出来る。

【０００９】また、本発明の他の特徴によれば、真空処
理室内で前記基板が処理されている間に、前記空間での
前記基板のオリフラ合わせを実施するので、処理時間を
短縮でき、スループットを向上出来る。

【００１０】

【発明の実施例】本発明の一実施例を図１〜図５で説明
する。図１で、真空処理装置は、真空排気可能なバッフ
ァ室１０と、バッファ室１０に設けられた真空処理室２
０と、基板３０を矢印Ａ方向に搬送可能なバッファ室１
０に内設された第１の基板搬送手段（図示省略）と、第
１の基板搬送手段の両端に対応してバッファ室１０の側
壁に設けられたゲート弁，仕切具等の真空開閉手段４
０，４１と、この場合、真空開閉手段４０，４１が設け
られた側壁と直角をなし第１の基板搬送手段をはさんで
真空処理室２０と対応する側壁に設けられたゲート弁等
の他の真空開閉手段５０，５１を介してバッファ室１０
に具設された真空予備室６０と、第１の基板搬送手段と
の間で他の真空開閉手段５０，５１を介して基板３０を
矢印Ｂ，Ｃ方向に搬送する第２の基板搬送手段（図示省
略）と、第１の基板搬送手段の基板搬送経路上で、か
つ、真空処理室２０に対応して設けられた基板受渡手段
（図示省略）と、基板受渡手段と真空処理室２０との間
で基板３０を矢印Ｄ方向に搬送する第３の基板搬送手段
（図示省略）とを有している。なお、この場合、真空予
備室６０には、基板カセット７０，７１を昇降駆動する
カセット昇降装置（図示省略）のカセットテーブル（図
示省略）が昇降可能に他の真空開閉手段５０，５１と対
応して内設されている。第１〜第３の基板搬送手段，基
板受渡手段等を図２で更に詳細に説明する。

【００１１】図２において、第１の基板搬送手段は、ベ
ルト搬送装置８０であり、ベルト搬送装置８０は、その
全体を昇降装置、例えば、シリンダ８１で昇降駆動され
ると共に、モータ８２でベルト８３を回転駆動される。

【００１２】第２の基板搬送手段は、他の真空開閉手段
５０，５１をはさんで真空予備室６０に設けられたベル
ト搬送装置９０，１００とバッファ室１０に設けられた
ベルト搬送装置１１０，１２０である。ベルト搬送装置
９０のプーリ９１，９２とプーリ９１，９２に無端に巻
掛けられたベルト９３とは、カセット昇降装置１３０の
カセットテーブル１３１に対応し、かつ、カセットテー
ブル１３１が最高位置まで上昇させられた時点でもその
上方に位置するように配設されている。ベルト９３はモ
ータ９４で回転駆動される。ベルト搬送装置１１０はモ
ータ１１１でベルト１１２を回転駆動され、ベルト搬送
装置１１０のベルト搬送装置８０側端部は、ベルト搬送
装置８０のベルト８３の一方の昇降動を阻害しないよう
に、この場合、Ｖ字形に折曲され最終端のプーリ１１３
は、ベルト搬送装置８０のベルト８３間に位置するよう
に設けられている。

【００１３】なお、ベルト搬送装置９０のベルト９３と
ベルト搬送装置１１０のベルト１１２とは同一レベルで
あり、ベルト搬送装置９０とベルト搬送装置１１０との
他の真空開閉手段５０側端の間隔は、基板３０の受渡し
に支障のない大きさとなっている。ベルト搬送装置１０
０のプーリ１０１,１０２とプーリ１０１,１０２に無端
に巻掛けられたベルト１０３とは、ベルト搬送装置９０
と同様に配設され、ベルト１０３はモータ１０４で回動
駆動される。ベルト搬送装置１２０はモータ１２１でベ
ルト１２２を回転駆動され、ベルト搬送装置１２０のベ
ルト搬送装置８０側端部は、ベルト搬送装置１１０の場
合と同様にベルト搬送装置８０のベルト８３の一方の昇
降動を阻害しないようにＶ字形に折曲され最終端のプー
リ１２３は、ベルト搬送装置８０のベルト８３間に位置
するように設けられている。なお、ベルト搬送装置１０
０のベルト１０３とベルト搬送装置１２０のベルト１２
２とは同一レベルであり、ベルト搬送装置１００とベル
ト搬送装置１２０との他の真空開閉手段５１側端の間隔
は、基板３０の受渡しに支障のない大きさとなってい
る。

【００１４】また、ベルト搬送装置１１０のプーリ１１
３とプーリ１１３に対応するプーリ１１４との間隔は、
基板３０の落下を防止して良好に受渡し可能な大きさで
あり、ベルト搬送装置１２０のプーリ１２３に対応する
プーリ１２４との間隔も同様の大きさである。なお、ベ
ルト搬送装置８０は、ベルト８３のレベルがベルト搬送
装置１１０，１２０のベルト１１２，１２２のレベル以
下並びに以上になるように昇降駆動される。

【００１５】基板受渡手段１４０は、ベルト搬送装置８
０のベルト８３間の寸法より小さい基板テーブル１４１
と昇降装置、例えば、シリンダ１４２とで構成されてい
る。基板テーブル１４１は真空処理室２０と対応する位
置で、この場合は、ベルト搬送装置１１０，１２０の間
の位置で、ベルト搬送装置８０のベルト８３間を通過し
シリンダ１４２で昇降可能に設けられている。

【００１６】第３の基板搬送手段は、アーム搬送装置１
５０，１６０である。アーム搬送装置１５０は、基板す
くい具１５１とアーム１５２と回動装置、例えば、パル
スモータ１５３とで構成されている。パルスモータ１５
３は、ベルト搬送装置８０と真空処理室２０との間で、
かつ、基板受渡手段１４０の基板テーブル１４１の中心
と真空処理室２０の基板電極２１の中心とを結ぶ線の一
方の側（図２では左側）に設けられ、パルスモータ１５
３には、アーム１５２の一端が設けられている。アーム
１５２の他端には基板すくい具１５１が設けられてい
る。

【００１７】また、アーム搬送装置１６０は、基板すく
い具１６１とアーム１６２と回動装置、例えば、パルス
モータ１６３とで構成されている。パルスモータ１６３
は、ベルト搬送装置８０と真空処理室２０との間で、か
つ、基板受渡手段１４０の基板テーブル141の中心と真
空処理室２０の基板電極２１の中心とを結ぶ線の他方の
側（図２では右側）に設けられ、パルスモータ１６３に
は、アーム１６２の一端が設けられている。アーム１６
２の他端には、基板すくい具１６１が設けられている。
この場合、基板すくい具１５１，１６１，アーム１５
２，１６２の寸法は、基板テーブル１４１並びに基板電
極２１に基板３０が載置されている場合、この基板３０
を基板すくい具１５１，１６１ですくい可能な寸法であ
る。また、アーム１５２，１６２は、基板すくい具１５
１，１６１で基板３０を基板テーブル１４１と基板電極
２１との間で搬送可能にパルスモータ１５３，１６３で
それぞれ部分回動される。なお、この場合、アーム１５
２，１６２の動作平面はアーム１５２が上面、アーム１
６２で下面と異なり、例えば、アーム搬送装置１５０で
基板３０を基板テーブル１４１から基板電極２１へ搬送
する際に、アーム搬送装置１６０で基板３０を基板電極
２１から基板テーブル１４１へ搬送するのを阻害しない
ようになっている。

【００１８】カセット昇降装置１３０は、カセットテー
ブル１３１と、カセットテーブル１３１に垂設され下端
部にネジが形成された昇降ロッド１３２と、モータ１３
３で回動駆動される歯車１３４と、歯車１３４と噛合し
設けられると共に昇降ロッド１３２の下端部が螺合され
た歯車１３５とで構成されている。

【００１９】基板電極２１は、ラック・ピニオン機構２
２を介しモータ２３の回動により昇降駆動される。ま
た、基板電極２１の中心部には、基板支持用の爪２４が
昇降装置、例えば、シリンダ２５で昇降可能に設けられ
ている。爪２４は、その表面が基板電極２１の表面以下
になる位置と、アーム搬送装置１５０，１６０の基板す
くい具１５１，１６１と基板３０を受渡し可能な位置と
の間で昇降駆動される。

【００２０】図１，図２で示される真空処理装置では、
次のような基板処理を行うことができる。

【００２１】まず、他の真空開閉手段５０に対応するカ
セットテーブル１３１は、最下部に下降させられ、他の
真空開閉手段５１に対応するカセットテーブル（図示省
略）は最上部に上昇させられる。他の真空開閉手段５
０，５１が、例えば、シリンダ５２，５３の駆動により
閉止されバッファ室１０と真空予備室６０との連通は気
密に遮断されると共に、真空開閉手段４０，４１が閉止
又は仕切られてバッファ室１０と外部との連通も気密に
遮断される。この状態でバッファ室１０は真空排気装置
（図示省略）を作動させることで所定圧力に減圧排気さ
れる。

【００２２】一方、真空予備室６０には、外部が大気側
である場合は、真空予備室６０に設けられた扉等の大気
真空開閉手段（図示省略）を開放することで所定枚数の
基板３０が装填された基板カセット（以下、供給カセッ
トと略）７０と基板回収用の空の基板カセット（以下、
回収カセットと略）７１とが搬入されて、供給カセット
７０は他の真空開閉手段５０に対応するカセットテーブ
ル１３１に、回収カセット７１は他の真空開閉手段５１
に対応するカセットテーブルにそれぞれ載置される。そ
の後、大気真空開閉手段は閉止され真空予備室６０は、
真空排気装置（図示省略）でバッファ室１０の圧力と同
程度の圧力まで減圧排気される。その後、シリンダ５２
の駆動により他の真空開閉手段５０が開放され、これに
よりバッファ室１０と真空予備室６０とは連通状態とな
る。

【００２３】この状態下で、モータ１３３を駆動しカセ
ットテーブル１３１を１ピッチ分下降させることで供給
カセット７０の、この場合、最下部に装填された基板３
０はベルト９３に載置される。その後、モータ９４によ
りベルト９３を回転駆動することで載置された基板３０
は他の真空開閉手段５０側へ搬送され、モータ１１１に
より回転駆動されているベルト１１２に他の真空開閉手
段５０を介して渡される。ベルト１１２に渡された基板
３０はベルト搬送装置８０側へ搬送される。なお、この
ときベルト８３のレベルがベルト１１２のレベル以下と
なるようにベルト搬送装置８０全体はシリンダ８１によ
り降下させられている。

【００２４】その後、基板３０がプーリ１１３，１１４
にかかる程度に搬送されてきた時点でベルト８３のレベ
ルがベルト１１２のレベル以上となるようにベルト搬送
装置８０全体はシリンダ８１により上昇させられ、これ
により基板３０はベルト１１２からベルト８３へ渡され
る。ベルト８３に渡された基板３０は、モータ８２の駆
動により基板テーブル１４１に対応する位置まで搬送さ
れた後に、基板テーブル１４１をシリンダ１４２で上昇
させることで基板テーブル１４１に受取られる。基板テ
ーブル１４１に受取られた基板３０は、例えば、オリフ
ラ合せ装置１７０でオリフラを合わされる。

【００２５】その後、基板３０は、例えば、基板のせ具
１５１に渡されアーム１５２をパルスモータ１５３で真
空処理室２０側へ回転駆動することで、バッファ室１０
を経て真空処理室２０の基板電極２１の上方へ搬送され
る。その後、爪２４をシリンダ２５で上昇させること
で、基板のせ具１５１の基板３０は、爪２４に受取られ
る。その後、基板３０を爪２４に渡した基板のせ具１５
１は、真空処理室２０外のバッファ室１０に退避させら
れる。その後、爪２４を、その表面が基板電極２１の表
面以下となるようにシリンダ２５で下降させることで、
基板３０は爪２４から基板電極２１に渡されて載置され
る。

【００２６】その後、仕切り用のフランジ１８０と、フ
ランジ１８０の裏面とバッファ室１０の底壁とに跨設さ
れたベローズ１８１と、フランジ１８０を昇降駆動する
昇降装置、例えば、シリンダ１８２とで構成される仕切
り手段１８３によりバッファ室１０と真空処理室２０と
は仕切られる。この状態で、まず、基板電極２０と、基
板電極３０の上方に対向して真空処理室２０に設けられ
た対向電極（図示省略）との電極間隔は、モータ２３を
駆動することにより適正間隔に調節される。その後、真
空処理室２０には、流量を調節されてプロセスガスが導
入されると共に、真空排気装置（図示省略）の駆動によ
り真空処理室２０の圧力は処理圧力に調整される。

【００２７】その後、例えば、基板電極２１に接続され
た電源、例えば、高周波電源（図示省略）より基板電極
２１に高周波電力を印加することで、対向電極と基板電
極２１との間には、グロー放電が生じ、該放電によりプ
ロセスガスはプラズマ化される。このプラズマにより基
板電極２１に載置された基板３０は、エッチング処理等
所定処理される。この間、供給カセット７０からは、上
記した操作により基板３０が取り出されベルト搬送装置
１１０，８０で搬送されて基板テーブル１４１に渡され
オリフラが合わされた後に基板のせ具１５１に渡され
る。

【００２８】真空処理室２０での処理が終了した後に仕
切り手段１８３によるバッファ室１０と真空処理室２０
の仕切りは解除され、真空処理室２０はバッファ室１０
と再び連通させられる。その後、基板電極２１は、所定
位置まで降下させられ、爪２４をシリンダ２５で上昇さ
せることで、処理済みの基板３０は、基板電極２１から
除去され爪２４に渡される。その後、基板のせ具１６１
を爪２４に渡された基板３０の裏面に対応する位置まで
回転させた後に、爪２４をシリンダ２５で下降させるこ
とで、処理済みの基板３０は基板のせ具１６１に渡され
る。

【００２９】その後、基板のせ具１５１に渡された基板
３０は、基板テーブル１４１から基板電極２１へ、ま
た、基板のせ具１６１に渡された処理済みの基板３０は
基板電極２１から基板テーブル１４１へそれぞれ搬送さ
れる。基板電極２１へ搬送された基板３０は、上記した
操作により所定処理される。

【００３０】この間、基板テーブル１４１に搬送された
処理済みの基板３０は、基板テーブル１４１をシリンダ
１４２で下降させることでベルト搬送装置８０のベルト
８３に渡され、その後、ベルト８３，１２２のモータ８
２，１２１による回転駆動で他の真空開閉手段５１側へ
搬送される。なお、ベルト８３からベルト１２２への処
理済みの基板３０の受渡しは、ベルト１１２からベルト
８３への基板３０の受渡しと逆操作により行われる。シ
リンダ５３の駆動により他の真空開閉手段５１が開放さ
れ、モータ１０４によりベルト１０３を回転駆動するこ
とで、他の真空開閉手段５１側へ搬送されてきた処理済
みの基板３０は他の真空開閉手段５１を介して真空予備
室６０に搬入され、その後、カセットテーブルを１ピッ
チ分上昇させることで回収カセット７１に回収される。

【００３１】また、供給カセット７０からは上記した操
作により基板３０が取り出されベルト搬送装置１１０，
８０で搬送されて基板テーブル１４１に渡されオリフラ
が合わされた後に基板のせ具１５１に渡される。

【００３２】以上のような操作を繰り返し実施すること
で、供給カセット７０からは基板３０が１枚毎取り出さ
れ、真空予備室６０からバッファ室１０を経て真空処理
室２０に搬送され、真空処理室２０で１枚毎処理され、
処理済みの基板３０は、真空処理室２０からバッファ室
１０を経て真空予備室６０に搬送されて１枚毎回収カセ
ット７１に回収される。

【００３３】図３は、図１，図２で示される真空処理装
置を１モジュールとして真空開閉手段４０，４１を介し
て２モジュール連設した場合の例を示すものである。な
お、図３での構成部品は、図２のそれと全て同一であ
り、したがって、構成，作用等の説明は省略する。図３
で示される真空処理装置では、図４（ａ）〜図４（ｃ）
に示すような基板処理を行うことができる。

【００３４】即ち、図４（ａ）に示すように基板３０を
連設された真空処理装置の二つの真空処理室２０でシリ
ーズ処理することも、図４（ｂ）に示すように、基板３
０を連設された真空処理装置の二つの真空処理室２０で
パラレル処理することも、図４（ｃ）に示すように、基
板３０を、連設された真空処理装置毎の真空処理室２０
でパラレル処理することもできる。

【００３５】なおこのような基板処理モードで図４
（ａ),（ｂ）に示される基板処理モードの場合、前段の
真空処理装置の真空予備室６０に供給カセット（図示省
略）を少なくとも１個セットし、後段の真空処理装置の
真空予備室６０に回収カセット（図示省略）を少なくと
も１個セットするようにする。また、図４（ｃ）に示さ
れる基板処理モードの場合、各真空処理装置の真空予備
室６０に供給カセット（図示省略），回収カセット（図
示省略）を各１個セットするようにする。また、図１，
図２で示される真空処理装置を１モジュールとして真空
開閉手段４０，４１を介して２モジュール連設した場
合、各真空処理装置における基板３０の搬送はバッファ
室１０を経ることで行われる。

【００３６】更に、図１，図２で示される真空処理装置
を１モジュールとして真空開閉手段４０，４１を介して
３モジュール以上連設した場合は、図４に示すような基
板処理モードに加えて図５（ａ),（ｂ）に示すような基
板処理を行うことができる。

【００３７】即ち、図５（ａ）に示すように、基板３０
を連設された真空処理装置の前段の真空処理装置の真空
処理室２０と、この場合は、中段の真空処理装置の真空
処理室２０とで、まず、パラレル処理し、引続き後段の
真空処理装置の真空処理室２０でシリーズ処理すること
も、図５（ｂ）に示すように、基板３０を連設された真
空処理装置の前段と中段の真空処理装置の真空処理室２
０でシリーズ処理すると共に、前段と後段の真空処理装
置の真空処理室２０でシリーズ処理することもできる。
なお、このような基板処理モードの場合、前段の真空処
理装置の真空予備室６０に供給カセット（図示省略）を
２個セットし、後段の真空処理装置の真空予備室６０に
回収カセット（図示省略）を２個セットするようにす
る。

【００３８】また、各真空処理装置の真空処理室２０で
基板３０をシリーズ処理する場合は、前段の真空処理装
置の真空予備室６０に供給カセットを１個セットし、後
段の真空処理装置の真空予備室に回収カセットを１個セ
ットするようにする。また、各真空処理装置の真空処理
室で基板３０をパラレル処理する場合は、前段の真空処
理装置の真空予備室に供給カセットを少なくとも１個セ
ットし後段の真空処理装置の真空予備室に回収カセット
を少なくとも１個セットするようにする。

【００３９】また、各真空処理装置を独立させそれぞれ
の真空処理室で基板をパラレル処理する場合は、各真空
処理装置の真空予備室に供給カセットと回収カセットと
を各１個セットするようにする。また、図１，図２で示
される真空処理装置を１モジュールとして真空開閉手段
４０，４１を介して３モジュール以上連設した場合で
も、各真空処理装置における基板３０の搬送は、バッフ
ァ室１０を経ることで行われる。

【００４０】本実施例のような真空処理装置では、次の
ような効果が得られる。 (1）プロセス変更やライン変更に対応して真空処理室数
を自由に変えてシステム構成あるいは編成ができる。

【００４１】(2）基板は真空排気されているバッファ室
を経て次の真空処理室に搬送されるため、処理途中で次
の真空処理室へ処理を引継ぐようなプロセス工程にも問
題なく適用できる。

【００４２】(3）第２の基板搬送手段と第３の基板搬送
手段とを平行とし真空処理装置の前面横幅を小さくする
ことができ、多モジュール構成がし易くなっている。

【００４３】(4）真空予備室を真空排気可能なカセット
室としているので、真空処理装置の奥行寸法を小さくす
ることができ、多モジュールシステムでは、１モジュー
ルに２個のカセットをセットすることも可能でスループ
ット向上時のカセットセット時間間隔を長くすることが
できる。

【００４４】(5）第３の基板搬送手段として動作平面の
異なるアーム搬送装置を用いているので、真空処理室へ
の基板の搬入，搬出を同時に行うことができるので、ス
ループットを向上できる。

【００４５】(6）多モジュールによるシリーズ処理ある
いはパラレル処理が可能となるため、真空処理装置の小
形化と合わせ床面積当りのスループットを向上させるこ
とができる。

【００４６】(7）バッファ室に設けられる真空開閉手段
の開口面積は、基板が１枚通過可能な面積であればよ
く、したがって、多モジュールの場合、真空処理装置間
での残留プロセスガスの混入がほとんど生じないため、
各真空処理装置でのプロセスガスに対する独立性を確保
できる。

【００４７】なお、真空処理装置の奥行寸法を小さくし
て、しかも他の装置との連続一貫処理を目指す場合は、
図６に示すように、真空予備室６０′を例えば、真空開
閉手段４０を介してバッファ室１０に具設すると共に、
矢印Ａ方向に基板３０を搬送する第１の基板搬送手段で
あるベルト搬送装置（図示省略）との間で真空開閉手段
４０を介して矢印Ｅ方向に基板３０を受渡し可能に第２
の基板搬送手段であるベルト搬送装置（図示省略）を真
空予備室６０′に設けるようにする。この場合、他の真
空開閉手段は不用である。

【００４８】以上、説明した実施例では、真空予備室を
供給カセット，回収カセットが外部より搬入されてセッ
トされるような真空予備室としているが、特に、このよ
うな真空予備室に限定する必要はない。例えば、供給カ
セット，回収カセットを真空予備室に固定してセット
し、供給カセットに外部から所定枚数基板を装填すると
共に、回収カセットに回収された基板を回収カセットか
ら取り出して外部へ搬出するようにしても良い。

【００４９】また、第１の基板搬送手段は、ベルト搬送
装置の他に基板をバッファ室に設けられた真空開閉手段
との間で搬送するようなものであれば良い。また、第２
の基板搬送手段は、ベルト搬送装置の他に、例えば、ア
ームが直進するアーム搬送装置，アームが回動するアー
ム搬送装置等を用いても良い。

【００５０】

【発明の効果】本発明によれば、基板のオリフラ合わせ
を真空排気される空間で実施するので、大気中でのオリ
フラ合わせに比較して基板の被処理面への塵埃の滞積・
付着が抑制される。このため、半導体製造における歩留
まりを向上出来る。

【００５１】また、本発明の他の特徴によれば、真空処
理室内で前記基板が処理されている間に、前記空間での
前記基板のオリフラ合わせを実施するので、処理時間を
短縮でき、スループットを向上出来る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明による真空処理装置の一実施例を示す平
面図。

【図２】図１の真空処理装置の基板搬送手段の斜視構成
図。

【図３】図１の真空処理装置を２モジュール連設した真
空処理装置の基板搬送手段の斜視構成図。

【図４】（ａ）ないし（ｃ）は、２モジュール真空処理
装置での基板処理モード図。

【図５】（ａ),（ｂ）は、３モジュール真空処理装置で
の他の基板処理モード図。

【図６】本発明による真空処理装置の他の実施例を示す
平面図。

【符号の説明】

１０…バッファ室、２０…真空処理室、３０…基板、４
０，４１…真空開閉手段、５０，５１…他の真空開閉手
段、６０，６０′…真空予備室、８０ないし１２０…ベ
ルト搬送装置、１４０…基板受渡手段、１５０，１６０
…アーム搬送装置。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 柴田 史雄 山口県下松市大字東豊井794番地 株式会 社日立製作所笠戸工場内 (72)発明者 坪根 恒彦 山口県下松市大字東豊井794番地 株式会 社日立製作所笠戸工場内 (72)発明者 金井 謙雄 山口県下松市大字東豊井794番地 株式会 社日立製作所笠戸工場内

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】真空搬送空間を介して連結した必要な真空
   処理室のみを用い、該真空処理室内で前記基板を一枚毎
   に真空処理する方法において、 カセットから前記基板を１枚取り出し、該基板を真空排
   気される空間に搬入する工程と、 該搬入された基板のオリフラを、前記真空排気される空
   間で位置合わせする工程と、 前記オリフラを合わせた基板を、前記真空排気される空
   間と真空状態で連通する前記真空処理室内に搬入する工
   程と、 該搬入された基板を、前記真空処理室内で一枚毎処理す
   る工程と、 該処理済みの基板を、カセットに回収する工程とを有す
   る基板の真空処理方法。
2. 【請求項２】真空搬送空間を介して連結した必要な真空
   処理室のみを用い、該真空処理室内で前記基板を一枚毎
   に真空処理する方法において、 カセットから前記基板を１枚取り出し、該基板を真空排
   気される空間に搬入する工程と、 該搬入された基板のオリフラを、前記真空排気される空
   間で位置合わせする工程と、 前記オリフラを合わせた基板を、前記真空排気される空
   間と真空状態で連通する前記真空処理室内に搬入する工
   程と、 該搬入された基板を、前記真空処理室内で一枚毎処理す
   る工程と、 該処理済みの基板を、カセットに回収する工程とを有
   し、 前記真空処理室内で前記基板が処理されている間に、前
   記真空排気される空間での前記基板のオリフラ合わせを
   実施する、ことを特徴とする基板の真空処理方法。
3. 【請求項３】真空搬送空間と、該真空搬送空間を介して
   必要な室のみ連結され基板に対して所定の処理を行う真
   空処理室と、真空排気される空間と、 前記真空排気される空間に前記基板を一枚毎搬入する手
   段と、 前記真空排気される空間に搬入された基板のオリフラ
   を、該真空排気される空間で位置合わせする手段と、 前記オリフラを合わせられた基板を、前記基板処理モー
   ドに応じて、前記基板を単一に処理する場合は、前記真
   空搬送空間を介して前記真空処理室のそれぞれへ前記基
   板を直接に搬送し、 前記基板を連続的に処理する場合は、前記真空搬送空間
   を介して前記真空処理室内に搬送する手段と、 該搬送されてきた基板を、前記真空処理室内で一枚毎処
   理する手段、 とを具備したことを特徴とする真空処理装置。
4. 【請求項４】カセットテーブルを１ピッチ分下降させ供
   給カセットから基板を１枚毎取り出し、基板テーブル上
   に搬送してオリフラ合わせを行い、 前記オリフラ合わせ後の基板を真空処理室の基板電極上
   方へ搬送し、前記基板電極下方から爪を上昇させ引き続
   き下降させて前記基板電極に前記基板を載置し、 その
   後、真空処理室を仕切り、所定のプラズマ処理を行い、 この間、前記基板テーブル上で次の基板のオリフラ合わ
   せを行い、 前記プラズマ処理が終了した基板は前記真空処理室から
   搬出し、カセットテーブルを１ピッチ分上昇させて回収
   カセットに前記基板を１枚毎回収することを特徴とする
   半導体基板処理方法。
5. 【請求項５】カセットから基板を取り出し、該取り出さ
   れた基板を真空下で搬送する空間に搬送する工程と、 該搬送された基板のオリフラを前記空間で合わせる工程
   と、 該オリフラを合わせられた基板を、前記空間と真空状態
   で連通する真空処理室内に搬送する工程と、 該搬送された基板を前記真空処理室内で処理する工程
   と、 該処理工程で発生したガスを前記空間を介さずに前記真
   空処理室外へ排気する工程と、 前記処理済みの基板を、前記空間を介してカセットに回
   収する工程とを有する、ことを特徴とする半導体基板処
   理方法。