JPH08241418A - Image storage device and image data storing method - Google Patents
Image storage device and image data storing methodInfo
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- JPH08241418A JPH08241418A JP7070526A JP7052695A JPH08241418A JP H08241418 A JPH08241418 A JP H08241418A JP 7070526 A JP7070526 A JP 7070526A JP 7052695 A JP7052695 A JP 7052695A JP H08241418 A JPH08241418 A JP H08241418A
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は画像記憶装置に関し、よ
り詳しくはラスタースキャンを行う画像信号を記憶する
画像記憶装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an image storage device, and more particularly to an image storage device for storing image signals for raster scanning.
【0002】[0002]
【従来の技術】従来より、この種の画像記憶装置は、複
数のメモリブロックに分割して画像データの処理を行っ
ている。2. Description of the Related Art Conventionally, this type of image storage device processes image data by dividing it into a plurality of memory blocks.
【0003】すなわち、図6に示す第1の従来例のよう
に、第1のデータ信号51から送られてきた第1のデー
タを記憶する第1のメモリブロック52及び第2のデー
タ信号53から送られきた第2のデータを記憶する第2
のメモリブロック54をメモリ制御部55により制御し
ている。具体的には、第1及び第2のメモリブロック5
2、54を1個のブロック単位として各メモリブロック
に対し、行アドレスと列アドレスとを多重化したアドレ
ス信号56、列アドレス指定のための入力タイミングを
とる列アドレスストローブ(row address strobe:RA
S)信号57及び行アドレス指定のための入力タイミン
グをとる行アドレスストローブ(colummn address stro
be:CAS)信号58を共通に入力している。That is, like the first conventional example shown in FIG. 6, from the first memory block 52 for storing the first data sent from the first data signal 51 and the second data signal 53. A second that stores the second data that is sent
The memory block 54 is controlled by the memory controller 55. Specifically, the first and second memory blocks 5
An address signal 56 in which a row address and a column address are multiplexed for each memory block in units of 2 and 54, and a row address strobe (RA) that takes an input timing for specifying a column address.
S) A row address strobe (colummn address strobe) that takes input timing for signal 57 and row addressing.
be: CAS) signal 58 is commonly input.
【0004】或いは、図7に示す第2の従来例のよう
に、メモリ制御部59から第1及び第2のメモリブロッ
ク52、54からなる各ブロックに対し、アドレス信号
60、61、RAS信号62、63及びCAS信号6
4、65を夫々独立に入力している。Alternatively, as in the second conventional example shown in FIG. 7, the address signals 60 and 61 and the RAS signal 62 are supplied from the memory control unit 59 to the respective blocks composed of the first and second memory blocks 52 and 54. , 63 and the CAS signal 6
Input 4 and 65 independently.
【0005】[0005]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記第
1の従来例においては、各メモリブロック52、54に
対して共通のアドレス信号56、RAS信号57及びC
AS信号58を入力しているので、全てのメモリブロッ
クが常に同一アドレスをアクセスする場合は好都合であ
るが、リード(読み出し)とライト(書き込み)、又は
リードを行う周期毎に、ブロック毎に異なるアドレス
(例えば、1ラインずれたアドレス)をアクセスするこ
とができないという問題点があった。また、1ラインず
れたアドレスを同時にアクセスし当該2ライン分の画像
データを使用して演算部66で演算する場合において
は、一方のメモリ、すなわち第1のメモリブロック52
又は第2のメモリブロック54のいずれか一方のメモリ
の出力信号をラインメモリ67に接続しなければなら
ず、処理系統の複雑化等を招来するという問題点があっ
た。However, in the first conventional example described above, the address signal 56, the RAS signal 57, and the C signal common to the memory blocks 52 and 54 are common.
Since the AS signal 58 is input, it is convenient when all the memory blocks always access the same address, but it differs for each block in every read (read) and write (write) or every read cycle. There is a problem that an address (for example, an address shifted by one line) cannot be accessed. Further, in the case where the addresses shifted by one line are simultaneously accessed and the image data for the two lines is used for the calculation by the calculation unit 66, one memory, that is, the first memory block 52
Alternatively, the output signal of either one of the second memory blocks 54 must be connected to the line memory 67, which causes a problem that the processing system is complicated.
【0006】また、上記第2の従来例においては、各信
号を第1及び第2のメモリブロック52、54に独立に
入力させているため、メモリ制御部55にはこれら各信
号を発生させるための同様の回路を2個設ける必要があ
り、また、高速にアクセスする場合には複数のRAS信
号、CAS信号間にスキューが発生する虞があるという
問題点があった。Further, in the second conventional example, since each signal is independently input to the first and second memory blocks 52 and 54, the memory controller 55 generates each of these signals. It is necessary to provide two circuits similar to the above, and there is a problem that skew may occur between a plurality of RAS signals and CAS signals when accessing at high speed.
【0007】本発明はこのような問題点に鑑みなされた
ものであって、各信号間のスキュー発生を防止し且つ簡
単に各ラインを同時に読み出すことができるようにして
システム全体の高速化を図ることができる画像記憶装置
と画像データの記憶方法を提供することを目的とする。The present invention has been made in view of the above problems, and aims at speeding up of the entire system by preventing the occurrence of skew between signals and easily reading each line simultaneously. It is an object of the present invention to provide an image storage device and an image data storage method capable of storing the image data.
【0008】[0008]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明は、複数のデータ信号線を介して画像データが
独立に入出力される複数のメモリブロックと、これら複
数のメモリブロックを制御するメモリ制御部とを備えた
画像記憶装置において、前記メモリ制御部が、単一のア
ドレス信号線を介して前記複数の各メモリブロックにア
ドレスを供給するアドレス信号供給手段と、複数のRA
S信号線を介して各メモリブロックの夫々に順次独立し
たRAS信号を供給するRAS信号供給手段と、単一の
CAS信号線を介して前記複数の各メモリブロックに共
通のCAS信号を供給するCAS信号供給手段とを備え
ていることを特徴とし、さらに前記メモリ制御部が、列
アドレスの出力タイミングを遅延させる遅延手段を有し
ていることを特徴としている。In order to achieve the above object, the present invention controls a plurality of memory blocks in which image data is independently input / output via a plurality of data signal lines, and the plurality of memory blocks. In the image storage device including a memory control unit, the memory control unit supplies address signals to the plurality of memory blocks through a single address signal line, and a plurality of RAs.
RAS signal supply means for sequentially supplying independent RAS signals to each of the memory blocks via the S signal line, and CAS for supplying a common CAS signal to each of the plurality of memory blocks via a single CAS signal line. It is characterized in that it is provided with a signal supply means, and further that the memory control section has a delay means for delaying the output timing of the column address.
【0009】また、本発明は、複数のメモリブロックの
夫々に複数のデータ信号線を入出力させて画像データを
処理する画像データの記憶方法において、列アドレスを
前記複数のメモリブロックの夫々に順次供給すると共に
複数のRAS信号を順次複数のメモリブロックに供給
し、行アドレスを前記複数のメモリブロックに供給する
と共にCAS信号を共通に複数のメモリブロックに供給
することを特徴としている。Further, according to the present invention, in a method of storing image data for processing image data by inputting / outputting a plurality of data signal lines to / from each of a plurality of memory blocks, a column address is sequentially assigned to each of the plurality of memory blocks. A plurality of RAS signals are sequentially supplied to a plurality of memory blocks, a row address is supplied to the plurality of memory blocks, and a CAS signal is commonly supplied to a plurality of memory blocks.
【0010】[0010]
【作用】上記画像記憶装置及び画像データの記憶方法に
よれば、単一のアドレス信号線を介して行アドレス及び
列アドレスを多重化したアドレス信号が複数のメモリブ
ロックに供給され、複数のRAS信号線を介して複数の
メモリブロックの夫々に順次RAS信号が供給され、単
一のCAS信号線を介して複数のメモリブロックに共通
にCAS信号が供給される。According to the above image storage device and image data storage method, an address signal in which a row address and a column address are multiplexed is supplied to a plurality of memory blocks via a single address signal line, and a plurality of RAS signals are supplied. The RAS signal is sequentially supplied to each of the plurality of memory blocks via the line, and the CAS signal is commonly supplied to the plurality of memory blocks via the single CAS signal line.
【0011】[0011]
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて詳説
する。Embodiments of the present invention will now be described in detail with reference to the drawings.
【0012】図1は本発明に係る画像記憶装置の一実施
例を示すブロック構成図である。FIG. 1 is a block diagram showing an embodiment of an image storage device according to the present invention.
【0013】同図において、画像データとしての第1及
び第2の入力信号(アナログ信号)1、2が第1及び第
2のA/D変換器3、4に入力される。次いで、前記画
像データは、メモリ制御部5からのA/D変換用クロッ
ク6に基づきA/D変換器3、4でデジタル信号に変換
された後、第1及び第2のトライステートゲート7、8
を通過し、第1及び第2のデータ信号9、10を介して
後述する前記メモリ制御部5の制御下、第1及び第2の
メモリブロック11、12に夫々記憶される。そして、
これら第1及び第2のメモリブロック11、12に記憶
された画像データは後述する前記メモリ制御部5の制御
下、該第1及び第2のメモリブロック11、12から読
み出され、メモリ制御部3から出力されるD/A変換用
クロック13に基づいて第1及び第2のD/A変換器1
4、15でアナログ信号に変換されて第1及び第2の出
力信号16、17として出力される。さらに、第1及び
第2のメモリブロック11、12から読み出された画像
データは、演算部18に入力されて演算され、第3のD
/A変換器19でD/A変換用クロック13によりアナ
ログ信号に変換され、第3の出力信号20として出力さ
れる。In the figure, first and second input signals (analog signals) 1 and 2 as image data are input to the first and second A / D converters 3 and 4. Next, the image data is converted into digital signals by the A / D converters 3 and 4 based on the A / D conversion clock 6 from the memory control unit 5, and then the first and second tri-state gates 7, 8
And is stored in the first and second memory blocks 11 and 12, respectively, under the control of the memory control unit 5 described later via the first and second data signals 9 and 10. And
The image data stored in the first and second memory blocks 11 and 12 is read from the first and second memory blocks 11 and 12 under the control of the memory control unit 5 described later, and the memory control unit The first and second D / A converters 1 based on the D / A conversion clock 13 output from
The signals are converted into analog signals at 4 and 15 and output as first and second output signals 16 and 17. Further, the image data read from the first and second memory blocks 11 and 12 is input to the arithmetic unit 18 and arithmetically operated to generate the third D
The A / A converter 19 converts the analog signal by the D / A conversion clock 13 and outputs the analog signal as the third output signal 20.
【0014】しかして、メモリ制御部5は、第1及び第
2のメモリブロック11、12に対する画像データの入
出力及びリフレッシュの制御を行う。このため、メモリ
制御部5は、第1及び第2のメモリブロック11、12
のアドレス信号、第1及び第2のRAS信号22、2
3、CAS信号24、書込制御信号25及び出力制御信
号26を発生する。Thus, the memory control unit 5 controls the input / output of image data and the refresh of the first and second memory blocks 11 and 12. For this reason, the memory control unit 5 uses the first and second memory blocks 11 and 12
Address signal, first and second RAS signals 22, 2
3, a CAS signal 24, a write control signal 25 and an output control signal 26 are generated.
【0015】図2は通常のアクセスを行う場合の第1及
び第2のRAS信号22、23並びにCAS信号24の
発生タイミングを示すタイムチャートである。FIG. 2 is a time chart showing the generation timings of the first and second RAS signals 22 and 23 and the CAS signal 24 when performing a normal access.
【0016】すなわち、第1のメモリブロック11をア
クセスするためのYアドレスである第1の列アドレス
(row 1)をアドレス信号21に出力し、第1のRAS信
号(RAS(1))22を低レベルにする。次いで、第
2のメモリブロック12をアクセスするためのYアドレ
スである第2の列アドレス(row 2)をアドレス信号21
に出力し、第2のRAS信号(RAS(2))23を低
レベルにする。次に、Xアドレスである行アドレス(co
l.0) をアドレス信号21に出力し、CAS信号24を
低レベルにする。さらに、Xアドレスを順次更新しなが
らCAS信号24は低レベル、高レベルを繰り返し、第
1及び第2のメモリブロック11、12をアクセスす
る。That is, the first column address (row 1) which is the Y address for accessing the first memory block 11 is output to the address signal 21 and the first RAS signal (RAS (1)) 22 is output. Set to low level. Then, the second column address (row 2) which is the Y address for accessing the second memory block 12 is set to the address signal 21.
To the low level of the second RAS signal (RAS (2)) 23. Next, the row address (co
(1.0) is output to the address signal 21, and the CAS signal 24 is set to low level. Further, the CAS signal 24 repeats the low level and the high level while sequentially updating the X address to access the first and second memory blocks 11 and 12.
【0017】図3はリフレッシュサイクルのタイミング
を示すタイムチャートである。この図3から解るよう
に、1個のCAS信号24に対し、第1のRAS信号2
2と第2のRAS信号23を順番に入力することによ
り、第1のメモリブロック11及び第2のメモリブロッ
ク12を順次リフレッシュすることができる。FIG. 3 is a time chart showing the timing of the refresh cycle. As can be seen from this FIG. 3, one CAS signal 24 corresponds to the first RAS signal 2
By sequentially inputting 2 and the second RAS signal 23, the first memory block 11 and the second memory block 12 can be sequentially refreshed.
【0018】図4はメモリ制御部5の要部詳細を示すブ
ロック図であって、該メモリ制御部5は、行アドレス
(Xアドレス)を発生させるXカウンタ27と、列アド
レス(Yアドレス)を発生させるYカウンタ28と、Y
アドレスの出力を一定時間遅延させるラッチ29と、Y
カウンタ28から直接入力されるYアドレスとラッチ2
9を介して入力されるYアドレスとを切り換える第1の
マルチプレクサ30と、第1のマルチプレクサ30から
入力されるYアドレスとXカウンタ27から入力される
Xアドレスとを切り換える第2のマルチプレクサ31
と、これら第1及び第2のマルチプレクサ30、31を
制御するアドレス選択制御部32と、第1及び第2のR
AS信号22、23並びにCAS信号24を発生するR
AS・CAS発生部33とを備えている。FIG. 4 is a block diagram showing the details of the main part of the memory control unit 5. The memory control unit 5 has an X counter 27 for generating a row address (X address) and a column address (Y address). Y counter 28 to generate and Y
A latch 29 for delaying the output of the address for a predetermined time, and Y
Y address and latch 2 directly input from the counter 28
A first multiplexer 30 for switching the Y address input via 9 and a second multiplexer 31 for switching the Y address input from the first multiplexer 30 and the X address input from the X counter 27.
An address selection control section 32 for controlling the first and second multiplexers 30 and 31, and a first and second R
R for generating AS signals 22 and 23 and CAS signal 24
The AS / CAS generation unit 33 is provided.
【0019】このように構成されたメモリ制御部5にお
いて、Xカウンタ27はクロック信号線34からのクロ
ック信号をカウントし、Xアドレスを発生する。また、
Yカウンタ28は水平同期信号線35からの水平同期信
号をカウントし、Yアドレスを発生する。In the memory controller 5 thus constructed, the X counter 27 counts the clock signal from the clock signal line 34 and generates the X address. Also,
The Y counter 28 counts the horizontal sync signal from the horizontal sync signal line 35 and generates a Y address.
【0020】しかして、画像データを書き込む場合にお
いては、水平同期信号、垂直同期信号及びクロック信号
に基づきアドレス選択制御部32により、第1のマルチ
プレクサ30はYカウンタ28の出力をYアドレスとし
て選択して該Yアドレスを第2のマルチプレクサ31に
入力する。次いで、第2のマルチプレクサ31では、前
記Yアドレスを列アドレスとし、Xカウンタ27からの
入力を行アドレスとして出力する。この場合、RAS・
CAS発生部33では列アドレスを出力しているときに
第1のRAS信号22及び第2のRAS信号23を発生
させ、行アドレスを出力しているときにCAS信号24
を発生させる。この場合、第1のメモリブロック11及
び第2のメモリブロック12は、同一のYアドレスをア
クセスして夫々のメモリに書き込むため、第1のRAS
信号22を低レベルにする場合の第1の列アドレス(ro
w 1)と第2のRAS信号23を低レベルにする場合の第
2の列アドレス(row 2)とは同一のアドレス信号とな
る。When writing image data, however, the first multiplexer 30 selects the output of the Y counter 28 as the Y address by the address selection control section 32 based on the horizontal synchronizing signal, the vertical synchronizing signal and the clock signal. Then, the Y address is input to the second multiplexer 31. Then, the second multiplexer 31 outputs the Y address as a column address and the input from the X counter 27 as a row address. In this case, RAS
The CAS generating unit 33 generates the first RAS signal 22 and the second RAS signal 23 when outputting the column address, and the CAS signal 24 when outputting the row address.
Generate. In this case, the first memory block 11 and the second memory block 12 access the same Y address and write in the respective memories, so that the first RAS
The first column address (ro when the signal 22 is set to low level)
w 1) and the second column address (row 2) when making the second RAS signal 23 low are the same address signal.
【0021】また、画像データを読み出す場合において
は、 第1及び第2のメモリブロック11、12の同一ライ
ンデータを読み出し演算部18で演算を行う場合 第1のメモリブロック11と第2のメモリブロックと
を例えば1ライン分ずらして読み出し演算を行う場合 がある。When the image data is read, the same line data in the first and second memory blocks 11 and 12 is read out and the calculation is performed by the calculation unit 18. The first memory block 11 and the second memory block. There is a case in which the read operation is performed by shifting, for example, by one line.
【0022】上記においては、上述した画像データを
書き込む場合と同様、第1のメモリブロック11から出
力される第1の列アドレス(row 1)及び第2のメモリブ
ロック12から出力される第2の列アドレス(row 2)は
同一のアドレス信号として出力される。In the above, similar to the case of writing the above-mentioned image data, the first column address (row 1) output from the first memory block 11 and the second column address output from the second memory block 12 are output. The column address (row 2) is output as the same address signal.
【0023】一方、上記においては、第1のメモリブ
ロック11に対する第1の列アドレス(row 1)は、第1
のマルチプレクサ30によりYカウンタ28からのYア
ドレスが出力され、第2のメモリブロック12に対する
第2の列アドレス(row 2)は、第1のマルチプレクサ3
0によりYカウンタ28の1ライン前のアドレス値を記
憶しているラッチ29からのYアドレスが第2のマルチ
プレクサ31から第1及び第2の列アドレスとして第1
及び第2のメモリブロック11、12に入力される。
尚、1ライン分ずれたラインを読み出してもXアドレス
は共通であるので、CAS信号24及び行アドレスは同
一の信号が第2のマルチプレクサ31及びRAS・CA
S発生部33から出力される。On the other hand, in the above, the first column address (row 1) for the first memory block 11 is the first
The Y address from the Y counter 28 is output by the multiplexer 30 of the first multiplexer 3 and the second column address (row 2) for the second memory block 12 is the first multiplexer 3
When 0, the Y address from the latch 29 that stores the address value of the Y counter 28 one line before is stored as the first and second column addresses by the second multiplexer 31.
And to the second memory blocks 11 and 12.
Since the X address is common even when the lines shifted by one line are read, the same CAS signal 24 and the same row address are output by the second multiplexer 31 and the RAS / CA.
It is output from the S generation unit 33.
【0024】また、上記実施例において、第1のマルチ
プレクサ30で第1及び第2の列アドレスの選択を変
え、第2の列アドレスとして1ライン前のラッチ29の
出力を選択し、第2のメモリブロック12から読み出し
た画像データを基準として第1のメモリブロック11よ
り1ライン前の画像データを読み出して演算部18で演
算を行ってもよいことはいうまでもない。In the above embodiment, the selection of the first and second column addresses is changed by the first multiplexer 30, and the output of the latch 29 one line before is selected as the second column address, and the second multiplexer is selected. It goes without saying that the image data read out from the memory block 12 may be used as a reference to read the image data of one line before from the first memory block 11 and the arithmetic unit 18 may perform the arithmetic operation.
【0025】図5はメモリ制御部5の他の実施例を示す
要部詳細のブロック図であって、ず4のラッチ29に代
えて第2のYカウンタ36が設けられている。FIG. 5 is a block diagram showing the details of the essential parts of another embodiment of the memory controller 5, in which a second Y counter 36 is provided in place of the latch 29 of FIG.
【0026】すなわち、本他の実施例においては、第1
のメモリブロック11に供給される第1の列アドレス
(row 1)、及び第2のメモリブロック12に供給される
第2の列アドレス(row 2)を発生させるYカウンタ2
8、36を夫々設け、初期値を別々に設定することによ
り、任意のライン数だけ離れた2つのラインを同時に読
み出すことができる。That is, in the other embodiments, the first
Of the Y-counter 2 for generating the first column address (row 1) supplied to the second memory block 11 and the second column address (row 2) supplied to the second memory block 12.
By providing 8 and 36 respectively and setting the initial values separately, it is possible to simultaneously read two lines separated by an arbitrary number of lines.
【0027】尚、本発明は上記実施例に限定されるもの
ではなく、要旨を逸脱しない範囲で種々変形例が考えら
れる。すなわち、入力信号及び出力信号を1個とし、内
部信号を2個の独立信号としてもよい。また、メモリブ
ロックの個数は2個に限定されるものではなく、2個以
上のメモリブロックに対しても適用可能なことはいうま
でもない。The present invention is not limited to the above embodiment, and various modifications can be considered without departing from the scope of the invention. That is, the input signal and the output signal may be one, and the internal signal may be two independent signals. Further, it is needless to say that the number of memory blocks is not limited to two and can be applied to two or more memory blocks.
【0028】[0028]
【発明の効果】以上詳述したように本発明に係る画像記
憶装置及び画像データの記憶方法によれば、任意のライ
ンを選択して各ラインを同時に読み出すことが可能とな
り、異なるラインを読み出して演算することが容易とな
る。As described in detail above, according to the image storage device and the image data storage method of the present invention, it is possible to select any line and read each line simultaneously, and read different lines. It becomes easy to calculate.
【0029】また、各メモリブロックのRAS信号を独
立にして順次当該RAS信号を入力することでメモリブ
ロックの最大消費電力を抑制することが可能となる。Further, the maximum power consumption of the memory block can be suppressed by inputting the RAS signal of each memory block independently and sequentially inputting the RAS signal.
【0030】さらに、CAS信号を共通にしているの
で、複数のCAS信号間のスキューが発生することもな
くなり、システム全体の高速化を容易になる。Further, since the CAS signals are made common, skew between a plurality of CAS signals does not occur, and the speedup of the entire system is facilitated.
【図1】本発明に係る画像記憶装置の一実施例を示すブ
ロック構成図である。FIG. 1 is a block diagram showing an embodiment of an image storage device according to the present invention.
【図2】通常のアクセスを行う場合のRAS信号及びC
AS信号の発生タイミングを示すタイムチャートであ
る。FIG. 2 is a RAS signal and C for normal access
7 is a time chart showing the generation timing of an AS signal.
【図3】リフレッシュサイクルのタイミングを示すタイ
ムチャートである。FIG. 3 is a time chart showing the timing of a refresh cycle.
【図4】メモリ制御部の要部詳細を示すブロック図であ
る。FIG. 4 is a block diagram showing details of a main part of a memory control unit.
【図5】メモリ制御部の他の実施例を示す要部詳細のブ
ロック図である。FIG. 5 is a block diagram of details of a main part of another embodiment of the memory control unit.
【図6】第1の従来例を示すブロック構成図である。FIG. 6 is a block diagram showing a first conventional example.
【図7】第2の従来例を示すブロック構成図である。FIG. 7 is a block diagram showing a second conventional example.
5 メモリ制御部 9 第1のデータ信号 10 第2のデータ信号 11 第1のメモリブロック 12 第2のメモリブロック 21 アドレス信号 22 第1のRAS信号 23 第2のRAS信号 24 CAS信号 5 memory control section 9 first data signal 10 second data signal 11 first memory block 12 second memory block 21 address signal 22 first RAS signal 23 second RAS signal 24 CAS signal
Claims (3)
が独立に入出力される複数のメモリブロックと、これら
複数のメモリブロックを制御するメモリ制御部とを備え
た画像記憶装置において、 前記メモリ制御部が、単一のアドレス信号線を介して前
記複数の各メモリブロックにアドレスを供給するアドレ
ス信号供給手段と、複数の列アドレスストローブ信号線
を介して各メモリブロックの夫々に順次独立した列アド
レスストローブ信号を供給する列アドレスストローブ信
号供給手段と、単一の行アドレスストローブ信号線を介
して前記複数の各メモリブロックに共通の行アドレスス
トローブ信号を供給する行アドレスストローブ信号供給
手段とを備えていることを特徴とする画像記憶装置。1. An image storage device, comprising: a plurality of memory blocks into which image data is independently input / output via a plurality of data signal lines; and a memory control unit for controlling the plurality of memory blocks. The control section supplies address signal supply means for supplying an address to each of the plurality of memory blocks through a single address signal line, and sequentially separate columns for each memory block through a plurality of column address strobe signal lines. A column address strobe signal supplying means for supplying an address strobe signal and a row address strobe signal supplying means for supplying a common row address strobe signal to each of the plurality of memory blocks via a single row address strobe signal line are provided. An image storage device characterized in that.
タイミングを遅延させる遅延手段を有していることを特
徴とする請求項1記載の画像記憶装置。2. The image storage device according to claim 1, wherein the memory control unit has a delay unit that delays the output timing of the column address.
ータ信号線を入出力させて画像データを処理する画像デ
ータの記憶方法において、 列アドレスを前記複数のメモリブロックの夫々に順次供
給すると共に複数の列アドレスストローブ信号を順次複
数のメモリブロックに供給し、行アドレスを前記複数の
メモリブロックに供給すると共に行アドレスストローブ
信号を共通に複数のメモリブロックに供給することを特
徴とする画像データの記憶方法。3. A method of storing image data, wherein a plurality of data signal lines are input to and output from each of a plurality of memory blocks to process image data, wherein a column address is sequentially supplied to each of the plurality of memory blocks and a plurality of column addresses are supplied. The column address strobe signal of is sequentially supplied to a plurality of memory blocks, the row address is supplied to the plurality of memory blocks, and the row address strobe signal is commonly supplied to the plurality of memory blocks. Method.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7070526A JPH08241418A (en) | 1995-03-03 | 1995-03-03 | Image storage device and image data storing method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7070526A JPH08241418A (en) | 1995-03-03 | 1995-03-03 | Image storage device and image data storing method |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH08241418A true JPH08241418A (en) | 1996-09-17 |
Family
ID=13434070
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7070526A Pending JPH08241418A (en) | 1995-03-03 | 1995-03-03 | Image storage device and image data storing method |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH08241418A (en) |
-
1995
- 1995-03-03 JP JP7070526A patent/JPH08241418A/en active Pending
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