JPH08236592A

JPH08236592A - 段差測定方法

Info

Publication number: JPH08236592A
Application number: JP7040191A
Authority: JP
Inventors: Masahiko Ouchi; 雅彦大内
Original assignee: NEC Corp
Current assignee: NEC Corp
Priority date: 1995-02-28
Filing date: 1995-02-28
Publication date: 1996-09-13

Abstract

(57)【要約】【目的】震動および観測点・測定点の高さの位置ずれに
測定精度が影響されない段差測定方法を提供する。【構成】基板１０１の表面に、ポリイミド材料またはシ
リカ材料が、膜厚として１μｍ以下程度の透明膜が形成
されるように塗布されて、一様な厚さの粘性透明膜１０
３が形成される。これにより、基板１０１の凹凸が、そ
のまま透明膜１０３の厚さに対応する。即ち、基板１０
１の表面上の任意の点を仮にＸ点とすると、（Ｘ点での
高さ）＋（Ｘ点での膜圧）の値は、当該Ｘ点の位置に関
係なく一定値となる。測定点をａ点とｂ点とすると、ａ
点とｂ点において計測された膜厚Ｄa およびＤb の差分
Ｄa −Ｄb が段差１０２の測定値として得られる。この
段差１０２の測定後においては、溶剤を用いて粘性透明
膜１０３を剥離し、基板１０１を段差測定前の状態に戻
して段差測定の工程を終了する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は段差測定方法に関し、特
に半導体装置の基板上に形成されるエッチング段差を測
定する際に用いられる段差測定方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】一般に、半導体装置の製造工程において
は、単一の物質により形成される基板、例えばシリコン
基板等の表面に、数百オングストロムから数μｍ程度の
微小なエッチング段差を形成する技術は、半導体素子に
おける素子分離および容量膜形成等において利用される
重要な技術である。通常、半導体製造工場内において
は、半導体製造工程において、前記エッチング段差を測
定することによりエッチレートの日常管理が実施されて
いる。このエッチング段差は極めて微小な段差であるた
めに、段差測定方法としては、当該段差を精度よく測定
することが望まれている。

【０００３】従来の、この種の段差測定方法としては、
機械的測定方法と光学的測定方法を含む２つの段差測定
方法が知られている。しかも、前記機械的測定方法にも
２つの測定方法があり、また、光学的測定方法にも２つ
の測定方法が知られている。以下、図５、図６、図７、
図８および図９を参照して、これらの従来例について説
明する。

【０００４】図５は、段差１０２を有する基板１０１、
固定用ステージ１１６および測定針１１７を含む、機械
的測定方法の第１の測定方法を示す概念図であり、図６
は、この第１の機械的測定方法における、測定針１１７
の移動時の基板１０１、測定針１１７の先端部および当
該先端部の移動経路１１８を示す図である。図５におい
て、本測定方法においては、測定対象物である基板１０
１を、固定用ステージ１１６の上に、真空チャック等に
より滑らないように固定し、図６に示されるような先端
形状を有する測定針１１７を、当該基板１０１の表面上
に接触させ、図５に示される移動線１１８に沿って滑ら
せながら移動させる。そして、図６に示されるような測
定針１１７の移動経路１１９を電気信号に変換すること
により、段差１０２（Ｙ1 ）（図６を参照）を測定す
る。この第１の機械的測定方法において、図６に示され
る段差１０２（Ｙ1 ）を測定する場合には、段差１０２
の高さＹ1 の大きさに応じて、基板１０１の表面に接触
している測定針１１７が、当該表面の段差部において跳
ねたりしないように、或はまた基板１０１の表面を傷つ
けたりしないように、ゆっくりと滑らかな表面走査を可
能とするために、測定針１１７の先端形状は、図６に示
されるように、例えば曲率半径ｒを有するような特定の
球形状に形成される。

【０００５】次に、図７は、段差１０２を有する基板１
０１、研磨ステージ１２０および測定針１１７を含む、
機械的測定方法の第２の測定方法を示す概念図である。
図７において、本測定方法においては、測定対象物であ
る基板１０１を、表面が非常に滑らかに研磨された走査
用の研磨ステージ１２０の上に置き、前記第１の機械的
測定方法において用いられている測定針と同一の先端形
状を有する測定針１１７を、研磨ステージ１２０に対し
て垂直方向のみに運動するようにして、その先端が基板
１０１の表面に接触するように設置する。そして、基板
１０１を、移動線１２１に沿って研磨ステージ１２０上
を一定の速度でゆっくりと滑らせて移動させる。この基
板１０１の移動に伴なって生じる測定針１１７の上下動
が電気信号に変換されて、前記第１の機械的測定方法の
場合と同様にして段差１０２が測定される。

【０００６】前記第１および第２の従来の機械的測定方
法においては、外部からの震動による測定精度に対する
影響を低減するために、何れの場合においても、測定装
置全体を除震台上に載置するという対策が採られてい
る。しかしながら、これらの第１および第２の機械的測
定方法においては、測定針１１７を基板１０１の表面に
物理的に接触させているために、基板１０１の表面上に
引掻き傷を作る惧れがある。これにより、測定対象の半
導体基板を破損するのみならず、半導体装置の製造工程
における微細加工での歩留りを低下させる要因となる。
また、前記引掻き傷に伴なってパーティクル（ごみ）の
発生を引起す可能性もあり、更に金属膜からのパーティ
クルが発生する場合には、当該パーティクルが、測定針
１１７を媒介として、それ以降において測定されるシリ
コンなどの半導体基板上に付着するようなことがあれ
ば、その後の処理工程次第によっては、半導体装置の電
気的特性に悪影響を与える重金属汚染の原因ともなる可
能性がある。

【０００７】また、上記の機械的測定方法においては、
原理的に、測定針１１７の先端形状により、測定可能な
溝のアスペクト比が制限されてしまうという問題が存在
している。例えば、図６において、測定針１１７の先端
の曲率半径ｒの値がＸ1 およびＹ1 の数値よりも十分に
小さい値に設定されている場合に、深さがＹ1 、幅がＸ
1 の溝に対応する段差１０２（Ｙ1 ）を測定する際に
は、曲率半径ｒの張る角度をθとして、アスペクト比Ｙ
1 ／Ｘ1 が略々０．５ｔａｎ（θ／２）以上の溝に対応
する段差１０２（Ｙ1 ）については、当該段差測定は原
理的に不可能である（一般に、θの値は９０度以上であ
る）。即ち、溝の深さＹ1 の値と溝の幅の値が同程度の
値を有する場合には、当該溝に対応する段差測定は不可
能ということである。

【０００８】このような機械的な段差測定方法における
問題点を改善する従来の段差測定方法としては、以下に
示す光学的段差測定方法がある。この光学的測定方法に
も、前述のように２つの測定方法があり、以下、図５、
図６、図７、図８および図９を参照して、これらの従来
例について説明する。

【０００９】図８は、段差１０２を有する基板１０１、
レーザ源１２２、強度センサ１２３、反射板１２４、ハ
ーフミラー１２５、研磨ステージ１２６を含む、第１の
光学的測定方法を示す概念図である。図８において、本
測定方法においては、まずレーザ源１２２より出力され
る、波長がλでビームが段差１０２の幅Ｘ1 よりも細く
絞られたレーザ光を、測定対象物である基板１０１上に
対して照射する。この照射されたレーザー光は、ハーフ
ミラー１２５において測定光１２７と参照光１２８に分
解される。測定光１２７は基板１０１の表面上において
反射され、また参照光１２８は反射板１２４により反射
されて、両反射光は合成されて強度センサ１２３に入力
される。強度センサ１２３においては、測定光１２７と
参照光１２８との位相差ξの変化に対応して変化する合
成光の強度変化が観測されており、当該合成光の強度の
変化より、測定光１２７と参照光１２８との位相差ξが
置換されて検出される。このような観測体制において、
基板１０１を、研磨ステージ１２６上において移動線１
２９に沿って平行移動させることにより、段差１０２の
高さＹ1 に対応して、測定光１２７の入射に対する基板
１０１の表面による反射光に光路差が生じ、この光路差
により、強度センサ１２３に入力される前記合成光の強
度に変化が生じる。強度センサ１２３において観測され
る光強度の変化は、前述のように、測定光１２７と参照
光１２８との位相差ξに対応しており、この位相差ξに
より、基板１０１の表面における段差１０２が単純に算
出される。なお、この第１の光学的測定方法において
も、外部からの振動の影響を低減させるために、測定装
置全体が除震台の上に載置されている。しかしながら、
この第１の光学的測定方法においても、光路の略々全体
が空気中に存在しているために、温度および圧力等の変
化により屈折率が微妙に変化し、これにより、参照光と
反射光の光路差が変動する状態となって、段差の測定精
度が低下するという問題がある。

【００１０】この第１の光学的測定方法の問題を解決す
るために、特開平３−２５５９０２号公報において、前
記第１の光学的測定方法に対比する段差測定方法とし
て、第２の光学的測定方法が提案されている。図９は、
段差１０２を有する基板１０１、レーザ源１２２、強度
センサ１２３、反射板１２４、ハーフミラー１２５、研
磨ステージ１２６、アサーマル・ガラス１３０および１
３１を含む、特開平３−２５５９０２号公報による第２
の光学的測定方法を示す概念図である。この段差測定方
法による測定方法自体は、前述の第１の光学的測定方法
の場合と同様であるが、本提案においては、図９に示さ
れるように、レーザー光としての使用波長λに対して透
明な固体物質より成るアサーマル・ガラス１３０および
１３１が、それぞれ測定光１２７および参照光１２８の
光路内に挿入されている点に特徴がある。この第２の光
学的測定方法においては、測定光１２７および参照光１
２８の光路内に直接温度の異なる空気が介入する状態を
防止することにより、空気の揺らぎによる測定精度に対
する影響を除去するものとしており、また、測定光１２
７と参照光１２８が通過する媒質が固体物質であるため
に、圧力変動および温度変動等の影響を受けることがな
く、固体物質の温度が一定であれば、或はまた図９に示
されるように、固体物質として温度変化により光路長が
殆ど変化しないアサーマル・ガラス（Ａｔｈｅｒｍａｌ
Ｇｌａｓｓ）を用いれば、測定誤差の発生を最小限に
抑制することができるとしている。しかしながら、外部
からの振動に対する対応策については、新たな提案が為
されていない。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】上述した従来の段差測
定方法においては、前記第１および第２の機械的測定方
法の場合、ならびに前記第１および第２の光学的測定方
法の場合を含む何れの段差測定方法においても、機械的
測定方法においては測定針により、また光学的測定方法
においてはレーザー光によって、それぞれ観測点から基
板の表面上の観測点に至るまでの距離を測定し、当該基
板の表面上の段差による距離測定値の変化を検出するこ
とにより段差を測定している。しかしながら、これらの
段差測定方法においては、半導体装置の基板上の極めて
微小な段差を測定する方法としては、外部の震動による
精度低下および走査時における観測点と測定点との相対
的な高さの偏移による精度低下に対する対応策がとして
は、震動に対しては除震設備を設ける程度であり、また
高さの位置ずれに対してはスムージングなどの計算補正
を行う程度の対策しか行われておらず、段差測定精度
が、半導体製造工程におけるエッチレート管理上不十分
であるという欠点がある。

【００１２】本発明の目的は、上記の欠点を解決して、
従来の段差測定方法よりも、外部の震動、および観測点
と測定点の高さとの位置ずれの影響を受けることなく、
また、大気の温度変動および圧力変動の影響を受けずに
段差をより精度よく測定することのできる段差測定方法
を提供することにある。

【００１３】

【課題を解決するための手段】本発明の段差測定方法
は、単一物質により形成される基板、もしくは膜状の測
定サンプルの表面に存在する微小な段差を光学的に測定
する段差測定方法において、前記基板もしくは前記測定
サンプルの表面に透明な粘性物質を塗布して、当該基板
もしくは前記測定サンプルの表面に、表面が平坦な透明
膜を形成する第１の工程と、前記基板もしくは前記測定
サンプルの表面に存在する段差の凹凸に対応する前記透
明膜の膜厚Ｄ1 およびＤ2 （Ｄ1 ＞Ｄ2 ）を光学的に測
定し、前記膜厚Ｄ1 およびＤ2 の差分（Ｄ1 −Ｄ2 ）に
より前記段差を求める第２の工程と、前記第２の工程に
続いて、所定の溶剤により前記透明膜を前記基板もしく
は前記測定サンプルの表面より剥離する第３の工程と、
を少なくとも有することを特徴としている。

【００１４】なお、前記透明膜を形成する透明な粘性物
質としては、ポリイミド材料またはシリカ材料を用いて
もよく、またはＢＰＳＧ膜を膜成長させた後に、当該Ｂ
ＰＳＧ膜を加熱リフローして透明膜を形成してもよい。

【００１５】

【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明す
る。

【００１６】図１は、本発明の第１および第２の実施例
による段差測定方法の手順を示す測定サンプル基板を含
む概念図である。まず図１の評価サンプルを参照して、
本実施例の段差測定方法について説明する。図１（ａ）
において、評価サンプルとしての基板１０１は、パター
ニングされたフォトレジストを上に載置したシリコン基
板を、５００オングストロム程度にドライエッチングし
た後に、前記フォトレジストを剥離して形成される。次
に、図１（ｂ）に示されるように、基板１０１は水平台
１０４の上に載置されて、固化後においては粘性透明膜
１０３として機能する透明な粘性物質として、ポリイミ
ド材料またはシリカ材料が基板１０１上に塗布される。
この粘性物質を塗布する工程においては、液体状の透明
粘性物質をゆっくりと、気泡が入らないように基板１０
１上に滴らす。その際に、基板１０１のエッチングされ
ていない水平表面に対して、粘性透明膜１０３が一様な
厚さを持つように膜形成を行う必要がある。この実施例
においては、粘性透明膜１０３形成用の粘性物質が液体
であるが故に、その表面は表面張力により図１（ｂ）に
示されるように平坦になる。また、液体であるが故に微
細な段差部の溝の中にも入っていくので、基板１０１の
凹凸が、そのまま透明膜１０３の厚さに対応する状態と
なる。即ち、基板１０１の表面上の任意の点をＸ点とす
ると、（Ｘ点での高さ）＋（Ｘ点での膜圧）の値は、当
該Ｘ点の位置に関係なく一定値となる。なお、前記粘性
物質が液体である場合には、その溶剤が抜けて固化する
と、形成される粘性透明膜１０３の屈折率が変動してし
まうので、成るべく固化するまでの時間が長時間を要す
るものを選択し、膜厚としては１μｍ以下程度の透明膜
が形成されるように基板１０１の表面に塗布する。以下
に、図１（ｃ）を参照して、本実施例において光学的に
段差を測定する工程について説明する。

【００１７】図１（ｃ）において、段差測定は、上述の
ように基板１０１の表面に粘性物質を塗布した直後に、
当該粘性物質が流動しないように塗布工程が行われた場
所において、傾きのない平坦な台上にて行われる。図１
（ｃ）に示されるように、測定点をａ点とｂ点とする場
合には、移動線１０６に沿って基板１０１の表面に平行
に移動する膜厚測定器１０５により、それぞれの各点に
おける膜厚が計測される。このａ点とｂ点において計測
された膜厚Ｄa およびＤb に対して、その膜厚の差分Ｄ
a −Ｄb が段差１０２の測定値として得られる。この段
差１０２の測定後においては、図１（ｄ）に示されるよ
うに、溶剤を用いて粘性透明膜１０３を剥離し、基板１
０１を段差測定前の状態に戻して段差測定の工程を終了
する。

【００１８】次に、本発明の第２の実施例による段差測
定方法について、図１および図２を参照して説明する。
図１は、前記第１の実施例の場合と同様に、第２の実施
例による段差測定方法の手順を示す測定サンプル基板を
含む概念図である。以下に、図１の評価サンプルを参照
して、本実施例の段差測定方法について説明する。図１
（ａ）において、評価サンプルとしての基板１０１は、
パターニングされたフォトレジストを上に載置したシリ
コン基板を１μｍ程度にドライエッチングした後に、前
記フォトレジストを剥離して形成される。次に、図２
（ａ）に示されるように、透明な粘性物質としてＢＰＳ
Ｇを用い、ＣＶＤ法によりＢＰＳＧ膜１０７を基板１０
１の表面上に膜成長させ、更に図２（ｂ）に示されるよ
うに、加熱リフローすることにより、基板１０１の表面
に膜成長されたＢＰＳＧ膜１０７の表面を平坦化して、
粘性透明膜１０３を形成する工程について説明する。

【００１９】まず基板１０１をＣＶＤ成長用チャンバー
内において、テトラエトキシシランのガスを原料とし
て、ＢＰＳＧ膜１０７を、均一にカバレッジよく基板１
０１の表面上に成長させる。その際に、基板１０１のエ
ッチングされていない水平表面に対して、粘性透明膜１
０３が一様な厚さを持つように、ＢＰＳＧ成長後におい
て、９００〜１０００°Ｃの窒素ガス雰囲気により、基
板１０１を、３０分程度加熱リフローすることが必要と
なる。この加熱リフローにより、図２（ａ）に示される
基板１０１上のＢＰＳＧ膜１０７の表面が平坦化され
て、図２（ｂ）に締されるように、表面が平坦化された
粘性透明膜１０３が形成される。なお、本工程は、上述
のようにＣＶＤ法を用いることにより行われるため、Ｂ
ＰＳＧ膜１０７の形成時に、基板１０１の上面の微細な
段差部の溝の内部にも、カバレッジよくＢＰＳＧが浸透
している。従って、加熱リフローにより、基板１０１上
に粘性透明膜１０３が形成された状態においては、基板
１０１の表面の凹凸は、平坦化された粘性透明膜１０３
の厚さに対応している。本工程においては、粘性透明膜
１０３の膜厚は１μｍ以下程度まで成長させる。

【００２０】本実施例においても、粘性透明膜１０３の
形成後に、図１（ｃ）に示されるように、測定点をａ点
とｂ点とする場合には、移動線１０６に沿って基板１０
１の表面に平行に移動する膜厚測定器１０５により、そ
れぞれの各点における膜厚が計測され、膜厚の差分Ｄa
−Ｄb が段差１０２の測定値として得られる。この段差
１０２の測定後においては、図１（ｄ）に示されるよう
に、溶剤を用いて粘性透明膜１０３を剥離し、基板１０
１を段差測定前の状態に戻して段差測定の工程を終了す
る。

【００２１】なお、本発明において、基板１０１の上に
形成される粘性透明膜の素材例としては、ポリイミド材
料、シリカ材料またはＢＰＳＧ膜を加熱リフローして表
面を平坦にしたものなどが用いられる。

【００２２】上述のように、本発明による段差測定方法
は、段差測定上の測定光路内にある基板１０１の表面上
に透明な薄い粘性透明膜１０３を平坦に形成した後に、
その粘性透明膜１０３の膜厚を光学的に測定することに
より、当該膜厚の変化に対応した段差を求めるという手
法を特徴としている。次に、図３および図４を参照し
て、上記の第１および第２の実施例において、基板１０
１上の透明膜の膜厚を光学的に測定する方法について説
明する。なお、図３および図４においては、基板１０１
上の透明膜は、透明膜１０８として示されている。

【００２３】図３において、レーザ源１０９より発振出
力され、分光フィルタ１１０を通して出力される波長λ
のレーザ光１１３は、ハーフミラー１１１を通して基板
１０１の透明膜１０８のＡ点に垂直に入射される。この
レーザ光の入射に対して、図４（ａ）および（ｂ）に示
されるように、Ａ点においては一部のレーザ光が反射さ
れて反射光１１４となり、また、一部のレーザ光は、透
過光としてＡ点より透明膜１０８の内部に進入し、基板
１０１と透明膜１０８の境界面の点Ｂにおいて反射され
て反射光１１５となり、透明膜１０８の表面において両
反射光が合成される。この合成光は反射光１１４と反射
光１１５との干渉波であり、透明膜１０８の屈折率をｎ
とすると、透明膜１０８の膜厚Ｄが次式の条件を満たす
場合に、当該合成光の強度が最大値となる。

【００２４】２Ｄ＝ｍλ／ｎ（ｍ＝１、２、３、…………）従って、図３において、分光フィルタ１１０を用いて、
レーザ光の波長を変化させてゆくことにより、上記条件
式に適合する２Ｄ＝λ₁／ｎとなるような、合成光の強
度が最大となるレーザ光の波長λ₁を求めることができ
る。この時のレーザ光の波長λ₁と透明膜１０８の屈折
率ｎの値より、Ｄ＝λ₁／２ｎとして透明膜１０８の膜
厚が求められる。

【００２５】即ち、前述の図８および図９の従来例に見
られるように、従来においては、基板１０１の表面上の
段差を光学的に測定する際に、ハーフミラー１２４、基
板１０１の表面上の段差観測点および強度センサ１２４
の受光点との間に存在するレーザ光の空間伝播経路を段
差測定上の光路長に組入れて、当該光路長の変動を測定
することにより段差を求めていたのに対比して、本発明
の基板１０１上の透明膜１０８の膜厚測定による光学的
な段差測定方法においては、ハーフミラー１１１、基板
１０１の表面上の段差観測点および強度センサ１１２の
受光点との間に存在する空間伝播経路の光路長の変動等
は、前記膜厚測定精度に対して、原理的に全く影響を与
えることがない。従って、外部の震動および測定時の観
測点ならびに測定点の高さの位置ずれ等による段差測定
精度に対する影響は皆無である。

【００２６】以上、第１および第２の実施例において
は、基板１０１の表面に平坦な粘性透明膜１０３を形成
して、当該粘性透明膜１０３の膜厚を計測することによ
って基板１０１の表面の段差を測定する手法を用いるこ
とにより、外部の震動および測定時の観測点および測定
点の高さの位置ずれ等による測定精度の低下を抑制する
ことができるとともに、空気の温度変動および圧力変動
等による影響をも回避することが可能となる。

【００２７】

【発明の効果】以上説明したように、本発明は、測定対
象の基板の表面上に表面が平坦に形成される透明膜を密
着成膜し、前記基板の段差測定を、当該透明膜の膜厚を
光学的に計測する手法に置換えて実施することにより、
外界からの震動および基板上の測定点を移動する際の高
さの位置ずれによって生じる測定精度低下を抑制するこ
とが可能となり、且つまた、空気の温度変動および圧力
変動等による影響をも防止することができるという効果
がある。

【００２８】また、上記の効果に敷延されて、本発明の
適用により、日常一般の震動の存在する作業現場等にお
いても、通常使用される膜厚計の除震設備程度の環境下
において、半導体基板のＳi エッチング深さのモニター
等の作業を実施することが可能になるという効果があ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施例の測定手順を示す基板の
概念図である。

【図２】本発明の第２の実施例の基板透明膜形成手順を
示す基板の概念図である。

【図３】本発明による光学的膜厚測定方法を示すシステ
ム構成図である。

【図４】本発明による膜厚測定原理を示す基板の概念図
ある。

【図５】従来例の段差測定方法を示す基板の概念図であ
る。

【図６】前記従来例の段差測定方法における測定針と段
差との関係を示す図である。

【図７】他の従来例の段差測定方法を示す基板の概念図
である。

【図８】従来例による光学的段差測定方法を示すシステ
ム構成図である。

【図９】他の従来例による光学的段差測定方法を示すシ
ステム構成図である。

【符号の説明】

１０１基板１０２段差１０３粘性透明膜１０４水平台１０５膜厚測定器１０６、１１８、１１９、１２１、１２９移動線１０７ＢＰＳＧ膜１０８透明膜１０９、１２２レーザ源１１０分光フィルタ１１１、１２５ハーフミラー１１２、１２３強度センサ１１３レーザ光１１４、１１５反射光１１６固定用ステージ１１７測定針１２０、１２６研磨ステージ１２４反射板１２７測定光１２８参照光１３０、１３１アサーマル・ステージ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】単一物質により形成される基板、もしく
は膜状の測定サンプルの表面に存在する微小な段差を光
学的に測定する段差測定方法において、前記基板もしくは前記測定サンプルの表面に透明な粘性
物質を塗布して、当該基板もしくは前記測定サンプルの
表面に、表面が平坦な透明膜を形成する第１の工程と、前記基板もしくは前記測定サンプルの表面に存在する段
差の凹凸に対応する前記透明膜の膜厚Ｄ1 およびＤ2
（Ｄ1 ＞Ｄ2 ）を光学的に測定し、前記膜厚Ｄ1および
Ｄ2 の差分（Ｄ1 −Ｄ2 ）により前記段差を求める第２
の工程と、前記第２の工程に続いて、所定の溶剤により前記透明膜
を前記基板もしくは前記測定サンプルの表面より剥離す
る第３の工程と、を少なくとも有することを特徴とする段差測定方法。
【請求項２】前記透明膜を形成する透明な粘性物質と
して、ポリイミド材料を用いることを特徴とする請求項
１記載の段差測定方法。
【請求項３】前記透明膜を形成する透明な粘性物質と
して、シリカ材料を用いることを特徴とする請求項１記
載の段差測定方法。
【請求項４】前記透明膜を形成する透明な粘性物質と
して、ＢＰＳＧ膜を膜成長させた後に、当該ＢＰＳＧ膜
を加熱リフローして前記透明膜を形成することを特徴と
する請求項１記載の段差測定方法。