JPH0822614B2 - 光記録媒体 - Google Patents
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- JPH0822614B2 JPH0822614B2 JP61183772A JP18377286A JPH0822614B2 JP H0822614 B2 JPH0822614 B2 JP H0822614B2 JP 61183772 A JP61183772 A JP 61183772A JP 18377286 A JP18377286 A JP 18377286A JP H0822614 B2 JPH0822614 B2 JP H0822614B2
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- Inorganic Chemistry (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、光によって情報の記録を行なう光ディス
ク、レーザCOMなどの光記録媒体に関する。さらに詳し
くは、記録膜の相転移を利用して情報を記録再生する光
記録媒体に関する。
ク、レーザCOMなどの光記録媒体に関する。さらに詳し
くは、記録膜の相転移を利用して情報を記録再生する光
記録媒体に関する。
［従来の技術］ 従来、相転移を利用した光学的記録媒体におけるTe−
Se系の記録層としては、Sn−Te−Se系（第46回応用物理
学会学術講演会講演予稿集13P−Ｅ−2,E−３）、Ga−Te
−Se系（特開昭60−251534号公報）等のアモルファス相
と結晶相との間で記録層の反射率が異なることを利用し
たものが知られている。
Se系の記録層としては、Sn−Te−Se系（第46回応用物理
学会学術講演会講演予稿集13P−Ｅ−2,E−３）、Ga−Te
−Se系（特開昭60−251534号公報）等のアモルファス相
と結晶相との間で記録層の反射率が異なることを利用し
たものが知られている。
［発明が解決しようとする問題点］ しかしながら、このような記録層は、記録時の照射光
により記録部の変形、開口もしくは凹部形成等が起りや
すいため記録時の光エネルギーの制約が大きい。またこ
の欠点に鑑み、Te−Se系記録層には一般的にSiO2等の酸
化物、Si3N3などの窒化物を保護層として設けることが
行なわれているが、保護層形成時にピンホールを生じる
など製造上の問題点があり、さらに製造費が高くなると
いう欠点もある。
により記録部の変形、開口もしくは凹部形成等が起りや
すいため記録時の光エネルギーの制約が大きい。またこ
の欠点に鑑み、Te−Se系記録層には一般的にSiO2等の酸
化物、Si3N3などの窒化物を保護層として設けることが
行なわれているが、保護層形成時にピンホールを生じる
など製造上の問題点があり、さらに製造費が高くなると
いう欠点もある。
本発明の目的は、記録時の照射エネルギーの広い範囲
で安定な相転移で記録が行なわれ、比較的製造コストが
安価な光記録媒体を提供することにある。
で安定な相転移で記録が行なわれ、比較的製造コストが
安価な光記録媒体を提供することにある。
［問題点を解決するための手段］ かかる本発明の目的は、基板上に形成された記録層に
光を照射することにより、熱的にアモルファス質と結晶
質の相転移を行ない、情報を記録するようにした光学的
記録媒体において、前記記録層が次の一般式で表わされ
る組成であることを特等とする光記録媒体。
光を照射することにより、熱的にアモルファス質と結晶
質の相転移を行ない、情報を記録するようにした光学的
記録媒体において、前記記録層が次の一般式で表わされ
る組成であることを特等とする光記録媒体。
Te(100-a-b)ZnaSeb （ここで、数字の100は合金の原子％、ａは合金中のZn
の原子％、ｂは合金中のSeの原子％を示し、５≦ａ≦4
0、2.5≦ｂ≦30である。）により達成される。
の原子％、ｂは合金中のSeの原子％を示し、５≦ａ≦4
0、2.5≦ｂ≦30である。）により達成される。
本発明における記録層とは、Te（テルル）、Zn（亜
鉛）およびSe（セレン）を主要構成元素として含有する
合金薄膜をいう。その組成は次の一般式で表わされる。
鉛）およびSe（セレン）を主要構成元素として含有する
合金薄膜をいう。その組成は次の一般式で表わされる。
Te(100-a-b)ZnaSeb （ここで、数字の100は合金の原子％、ａは合金中のZn
の原子％、ｂは合金中のSeの原子％を示し、５≦ａ≦4
0、2.5≦ｂ≦30である。）ａが５未満では、記録光の照
射により、非照射部が変形、開口もしくは凹部の形成を
起しやすくなり、相転移モード記録が難しく、また40を
越えた場合には、相転移現象が起りにくくなる。
の原子％、ｂは合金中のSeの原子％を示し、５≦ａ≦4
0、2.5≦ｂ≦30である。）ａが５未満では、記録光の照
射により、非照射部が変形、開口もしくは凹部の形成を
起しやすくなり、相転移モード記録が難しく、また40を
越えた場合には、相転移現象が起りにくくなる。
ｂが2.5未満では記録層が酸化などの経時劣化を起し
やすく、30を越えると、記録層の光吸収が小さくなり、
記録時に大出力の光源が必要となって用途が限定され
る。
やすく、30を越えると、記録層の光吸収が小さくなり、
記録時に大出力の光源が必要となって用途が限定され
る。
相転移型の光記録媒体においては、情報の記録部と非
記録部との光学特性の差が大きいことが望ましく、ａは
およそ10〜30原子％、ｂはおよそ５〜25原子％であるの
が好ましく、さらにこの範囲において、ａとｂの比（b/
a）がおよそ0.25〜1.5でかつ、ａとｂの和（ａ＋ｂ）が
およそ20〜45原子％であるのがより好ましい。
記録部との光学特性の差が大きいことが望ましく、ａは
およそ10〜30原子％、ｂはおよそ５〜25原子％であるの
が好ましく、さらにこの範囲において、ａとｂの比（b/
a）がおよそ0.25〜1.5でかつ、ａとｂの和（ａ＋ｂ）が
およそ20〜45原子％であるのがより好ましい。
本発明において記録層を形成するTeZnSe合金膜は、光
照射により光反射率が高くなり、同時に光透過率が低下
する。同様の変化が加熱により生じることから、上記の
変化は熱的に生じたものと考えられる。
照射により光反射率が高くなり、同時に光透過率が低下
する。同様の変化が加熱により生じることから、上記の
変化は熱的に生じたものと考えられる。
第１図は、ガラス基板上に形成したTeZnSe膜の分光特
性の熱的変化を示すものである。曲線（１）および
（３）はそれぞれ加熱前の反射率、透過率を示し、
（２）および（４）は300℃、10分間の加熱後の反射
率、透過率を示す。反射率が曲線（１）の900nm、曲線
（２）の1100nm付近で極小を示しているのは干渉による
ものである。
性の熱的変化を示すものである。曲線（１）および
（３）はそれぞれ加熱前の反射率、透過率を示し、
（２）および（４）は300℃、10分間の加熱後の反射
率、透過率を示す。反射率が曲線（１）の900nm、曲線
（２）の1100nm付近で極小を示しているのは干渉による
ものである。
加熱により透過率は減少し、反射率は干渉による低下
を差し引くと、増加している。また反射率の干渉の谷
が、加熱により長波長側にシフトし、加熱前の干渉の谷
付近では反射率の差が助長されている。またこの干渉の
谷のシフトはTeZnSe膜の屈折率の増加を意味している。
を差し引くと、増加している。また反射率の干渉の谷
が、加熱により長波長側にシフトし、加熱前の干渉の谷
付近では反射率の差が助長されている。またこの干渉の
谷のシフトはTeZnSe膜の屈折率の増加を意味している。
さらに、TeZnSe膜の抵抗値は加熱前ほぼ無限大から加
熱後数ＫΩまで低下する。これらの現象を総合して勘案
すると、この記録層の変化は、アモルファス−結晶転移
によるものと考えられる。
熱後数ＫΩまで低下する。これらの現象を総合して勘案
すると、この記録層の変化は、アモルファス−結晶転移
によるものと考えられる。
本発明の記録層の膜厚は、およそ100Å〜10000Å程度
である。特に光ディスクとして高い記録感度を得るため
には、100Å以上2000Å以下とすることが好ましい。さ
らに光の干渉効果を利用することにより、記録層のアモ
ルファス相と結晶相の反射率の差を助長することができ
るので、合金の組成および使用する光源の波長によって
も異なるが、干渉効果を発現しやすいことから、およそ
500Å〜1500Åが好ましい。
である。特に光ディスクとして高い記録感度を得るため
には、100Å以上2000Å以下とすることが好ましい。さ
らに光の干渉効果を利用することにより、記録層のアモ
ルファス相と結晶相の反射率の差を助長することができ
るので、合金の組成および使用する光源の波長によって
も異なるが、干渉効果を発現しやすいことから、およそ
500Å〜1500Åが好ましい。
本発明における光記録媒体は、基板上に前記記録層を
隣接して設け単層構造として用いることができる。さら
に必要に応じて誘電体層、反射層を積層して設けた多層
構造として用いることもできる。また、TeGe,SbSe等の
他のアモルファス相と結晶相間の相転移を起す記録層と
積層して用いることができるのは当然のことである。ま
た、これらの層の表面あるいは基板と記録層の間、多層
構造とする場合は層間に、保護層もしくは拡散防止層を
必要に応じて設けてもよい。
隣接して設け単層構造として用いることができる。さら
に必要に応じて誘電体層、反射層を積層して設けた多層
構造として用いることもできる。また、TeGe,SbSe等の
他のアモルファス相と結晶相間の相転移を起す記録層と
積層して用いることができるのは当然のことである。ま
た、これらの層の表面あるいは基板と記録層の間、多層
構造とする場合は層間に、保護層もしくは拡散防止層を
必要に応じて設けてもよい。
本発明における基板としては、プラスチック、ガラ
ス、アルミニウムなど従来の記録媒体と同様なものでよ
い。収束光により基板側から記録することによって、ご
みの影響を避ける目的からは、基板として透明材料を用
いることが好ましい。上記のような材料としては、ポリ
エステル樹脂、アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、
エポキシ樹脂、ポリオレフィン樹脂、スチレン系樹脂な
どが挙げられる。好ましくは、複屈折が小さいこと、形
成が容易であることから、ポリメチルメタクリレート、
ポリカーボネート、エポキシ樹脂である。基板の厚さ
は、特に限定するものではないか、10ミクロン以上、５
ミリメートル以下が実用的である。10ミクロン未満では
基板側から収束光で記録する場合でもごみの影響を受け
やすくなり、５ミリメートルを越える場合は、収束光で
記録する場合、対物レンズの開口数を大きくすることが
できなくなり、ピットサイズが大きくなるため記録密度
を上げることが困難になる。
ス、アルミニウムなど従来の記録媒体と同様なものでよ
い。収束光により基板側から記録することによって、ご
みの影響を避ける目的からは、基板として透明材料を用
いることが好ましい。上記のような材料としては、ポリ
エステル樹脂、アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、
エポキシ樹脂、ポリオレフィン樹脂、スチレン系樹脂な
どが挙げられる。好ましくは、複屈折が小さいこと、形
成が容易であることから、ポリメチルメタクリレート、
ポリカーボネート、エポキシ樹脂である。基板の厚さ
は、特に限定するものではないか、10ミクロン以上、５
ミリメートル以下が実用的である。10ミクロン未満では
基板側から収束光で記録する場合でもごみの影響を受け
やすくなり、５ミリメートルを越える場合は、収束光で
記録する場合、対物レンズの開口数を大きくすることが
できなくなり、ピットサイズが大きくなるため記録密度
を上げることが困難になる。
基板はフレキシブルなものであっても良いし、リジッ
ドなものであってもよい。フレキシブルな基板は、テー
プ状、あるいはシート状で用いることができる。リジッ
ドな基板は、カード状あるいは円形ディスク状で用いる
ことができる。
ドなものであってもよい。フレキシブルな基板は、テー
プ状、あるいはシート状で用いることができる。リジッ
ドな基板は、カード状あるいは円形ディスク状で用いる
ことができる。
記録層は、公知のように基板の片面もしくは、両面に
設けることができる。また、必要に応じて、２枚の基板
を用いてエアーサンドイッチ構造、エアーインシデント
構造、密着張り合せ構造などとすることもできる。
設けることができる。また、必要に応じて、２枚の基板
を用いてエアーサンドイッチ構造、エアーインシデント
構造、密着張り合せ構造などとすることもできる。
本発明の光記録媒体の記録に用いる光としては、レー
ザ光やストロボ光の如き光であり、とりわけ、半導体レ
ーザを用いることは、光源が小型でかつ、消費電力が小
さく、変調が容易であることから好ましい。
ザ光やストロボ光の如き光であり、とりわけ、半導体レ
ーザを用いることは、光源が小型でかつ、消費電力が小
さく、変調が容易であることから好ましい。
製造方法 本発明の光学的記録媒体の記録膜を形成するに際して
は、複数の蒸発源による真空蒸着、合金または複数のタ
ーゲットを用いたスパッタリングさらにイオンプレーテ
ィングなどの慣用の手段を用いることができる。以下に
本発明の記録膜を形成する方法の一例を示す。
は、複数の蒸発源による真空蒸着、合金または複数のタ
ーゲットを用いたスパッタリングさらにイオンプレーテ
ィングなどの慣用の手段を用いることができる。以下に
本発明の記録膜を形成する方法の一例を示す。
第２図に示したように、円板状基板５にTeとZn、およ
びSeを入れた３つの蒸発源6,7,8を加熱し、蒸着を行な
う。加熱、蒸発源としては特に限定するものではなく、
蒸着用ボート等による抵抗加熱、電子ビーム加熱や、高
周波誘導加熱等の慣用手段を用いることができる。ま
た、特に限定されるものではないが、基板上のTe,Znお
よびSeの組成比を均一化するため基板を回転させること
は有効であり、さらに３つの蒸発源を互いに近接して配
するか、基板回転の中心から放射状に配するか、又は同
一円周上に配することが有効であり、さらに基板回転の
中心から放射状の同一円周上に配することもできる。記
録層の組成比は、TeとZnおよびSeの蒸発量により決めら
れ、蒸発量の制御は蒸発源へ供給する電力により行なう
ことができる。具体的には、前もって計算された蒸発量
に対する電力を供給しても良く、又は、蒸発量をたとえ
ば水晶式膜厚モニタ9,10,11でモニタしながら供給する
電力を制御しても良い。さらに基板上の組成の均一化と
膜厚の均一化のため必要に応じてシャッタ12,13,14や扇
形のスリット15,16,17をもつマスク板18を蒸発源と基板
との間に配置しても良い。記録層の膜厚は、TeとZnおよ
びSeの単位時間の蒸発量と時間の積の和、又は、TeとZn
およびSeのモニタ値の和で知ることができる。
びSeを入れた３つの蒸発源6,7,8を加熱し、蒸着を行な
う。加熱、蒸発源としては特に限定するものではなく、
蒸着用ボート等による抵抗加熱、電子ビーム加熱や、高
周波誘導加熱等の慣用手段を用いることができる。ま
た、特に限定されるものではないが、基板上のTe,Znお
よびSeの組成比を均一化するため基板を回転させること
は有効であり、さらに３つの蒸発源を互いに近接して配
するか、基板回転の中心から放射状に配するか、又は同
一円周上に配することが有効であり、さらに基板回転の
中心から放射状の同一円周上に配することもできる。記
録層の組成比は、TeとZnおよびSeの蒸発量により決めら
れ、蒸発量の制御は蒸発源へ供給する電力により行なう
ことができる。具体的には、前もって計算された蒸発量
に対する電力を供給しても良く、又は、蒸発量をたとえ
ば水晶式膜厚モニタ9,10,11でモニタしながら供給する
電力を制御しても良い。さらに基板上の組成の均一化と
膜厚の均一化のため必要に応じてシャッタ12,13,14や扇
形のスリット15,16,17をもつマスク板18を蒸発源と基板
との間に配置しても良い。記録層の膜厚は、TeとZnおよ
びSeの単位時間の蒸発量と時間の積の和、又は、TeとZn
およびSeのモニタ値の和で知ることができる。
真空度は特に限定されるものではないが、たとえば１
×10-6Torrから５×10-3Torr程度である。
×10-6Torrから５×10-3Torr程度である。
用途 かくして製造された本発明の光記録媒体は、光ディス
ク、光テープ、光カード、光フロッピーディスク、マイ
クロフィシュ、レーザ・コム（COM）の媒体などに有効
に使用される。
ク、光テープ、光カード、光フロッピーディスク、マイ
クロフィシュ、レーザ・コム（COM）の媒体などに有効
に使用される。
以下実施例に基づいて説明する。
特性の評価方法ならびに効果の評価 評価用試料 直径12cm、厚さ1.2mm、1.6μｍピッチのグルーブ付き
ポリカーボネート製ディスク基板に記録層を形成して光
記録媒体を作成し評価を行なった。記録層の形成は、第
２図に示した蒸着装置において、蒸発源として蒸着用ボ
ートを使用し、基板を300rpmで回転させながら、TeとZn
およびSeの蒸発量をモニタし、記録層の組成比に応じた
蒸発量として、真空度はおよそ２×10-5Torrで800Å〜9
00Åの膜厚に蒸着を行なった。
ポリカーボネート製ディスク基板に記録層を形成して光
記録媒体を作成し評価を行なった。記録層の形成は、第
２図に示した蒸着装置において、蒸発源として蒸着用ボ
ートを使用し、基板を300rpmで回転させながら、TeとZn
およびSeの蒸発量をモニタし、記録層の組成比に応じた
蒸発量として、真空度はおよそ２×10-5Torrで800Å〜9
00Åの膜厚に蒸着を行なった。
記録特性の評価法 前記の光ディスクを線速度4.0m/秒から線速度9.0m/秒
のレーザ走査速度となるように回転し、スポット径２μ
ｍに収束した波長830nmの半導体レーザ光を1MHz〜2MHz
のパルスで変調して、基板を通して記録層に照射し記録
を行なった。しかる後、レーザの出力を膜面0.7mwとし
て記録信号を再生し、再生信号のキャリア対ノイズ（C/
N）を測定した。
のレーザ走査速度となるように回転し、スポット径２μ
ｍに収束した波長830nmの半導体レーザ光を1MHz〜2MHz
のパルスで変調して、基板を通して記録層に照射し記録
を行なった。しかる後、レーザの出力を膜面0.7mwとし
て記録信号を再生し、再生信号のキャリア対ノイズ（C/
N）を測定した。
［実施例］ 実施例１ ポリカーボネート製ディスク基板上に、記録層の原子
数組成比Te75Zn13Se12で膜厚を800Åに形成した。この
光学的記録媒体を移動速度4m/secで回転させ、周波数1M
Hzに変調した波長830nmの半導体レーザ光を２μｍのス
ポット径に収束し、基板側から5mwのパワーで記録し、
0.7mwのパワーで再生を行なった。この結果、光記録媒
体の反射率に比例する信号電圧は、記録前および非記録
部が0.2Vであったが、記録部は0.3Vに上昇した。これは
レーザ光により記録部がアモルファス相より結晶相への
相転移であり、記録層に変形、開口、もしくは凹部形成
のないことを示している。この条件におけるC/Nとして
は40dbが得られた。この光記録媒体を移動速度、変調周
波数、記録パワーを変えたときのC/Nを表１に示す。こ
の結果から明らかなように、保護膜のない状態での光学
的記録媒体において移動速度4m/secから9m/sec、記録周
波数1MHzから2MHz、記録パワー3mwから8mwと広い条件で
相転移型記録ができ、かつ実用可能なC/Nが得られた。
数組成比Te75Zn13Se12で膜厚を800Åに形成した。この
光学的記録媒体を移動速度4m/secで回転させ、周波数1M
Hzに変調した波長830nmの半導体レーザ光を２μｍのス
ポット径に収束し、基板側から5mwのパワーで記録し、
0.7mwのパワーで再生を行なった。この結果、光記録媒
体の反射率に比例する信号電圧は、記録前および非記録
部が0.2Vであったが、記録部は0.3Vに上昇した。これは
レーザ光により記録部がアモルファス相より結晶相への
相転移であり、記録層に変形、開口、もしくは凹部形成
のないことを示している。この条件におけるC/Nとして
は40dbが得られた。この光記録媒体を移動速度、変調周
波数、記録パワーを変えたときのC/Nを表１に示す。こ
の結果から明らかなように、保護膜のない状態での光学
的記録媒体において移動速度4m/secから9m/sec、記録周
波数1MHzから2MHz、記録パワー3mwから8mwと広い条件で
相転移型記録ができ、かつ実用可能なC/Nが得られた。
実施例２ ポリカーボネート製ディスク基板上に表２に示すごと
く記録層の組成比を変えて形成した光記録媒体のC/Nを
実施例１と同様に測定した結果を表２に示す。
く記録層の組成比を変えて形成した光記録媒体のC/Nを
実施例１と同様に測定した結果を表２に示す。
比較例１ ポリカーボネート製ディスク基板上にZnの代りにSnを
用いて、記録層の原子数組成比をTe75Sn13Se12で膜厚を
800Åに形成した。
用いて、記録層の原子数組成比をTe75Sn13Se12で膜厚を
800Åに形成した。
この光学的記録媒体を実施例１と同様の方法で評価し
たところ、記録パワー3mW、記録周波数1MHz、移動速度4
m/secのときは相転移するが、記録による信号電圧の変
化が小さく、C/Nは35db程度であり実用的でない。ま
た、記録パワーが4mWから6mWで、記録周波数1MHz、移動
速度4m/secのときは記録部の信号電圧が相転移を示す非
記録部より高くなる部分と、変形、開口、もしくは凹部
形成を示す低くなる部分が混在し、安定な記録モードが
得られなかった。
たところ、記録パワー3mW、記録周波数1MHz、移動速度4
m/secのときは相転移するが、記録による信号電圧の変
化が小さく、C/Nは35db程度であり実用的でない。ま
た、記録パワーが4mWから6mWで、記録周波数1MHz、移動
速度4m/secのときは記録部の信号電圧が相転移を示す非
記録部より高くなる部分と、変形、開口、もしくは凹部
形成を示す低くなる部分が混在し、安定な記録モードが
得られなかった。
比較例２ 記録層の原子組成比を In20（Te60Zn30Se10）80 とした以外は比較例１と同様の光学的記録媒体を作成
し、実施例１と同様の方法で評価した。
し、実施例１と同様の方法で評価した。
記録パワー3mW,記録周波数1MHz,移動速度4m/secで記
録したところ、記録のC/Nは35dB以上は実現できず、実
用的ではなかった。
録したところ、記録のC/Nは35dB以上は実現できず、実
用的ではなかった。
［発明の効果］ 本発明は、TeZnSeからなる光学的記録媒体の記録層と
したので、次のごとき優れた効果を奏するものである。
したので、次のごとき優れた効果を奏するものである。
安定な相転移であるので、保護層を必要とせず、し
たがって構成が単純化し量産性に優れ、安価に製造でき
た。
たがって構成が単純化し量産性に優れ、安価に製造でき
た。
光照射エネルギーの広い範囲において安定な相転移
であるため、記録速度や記録パワー等の異なる用途にも
適用できる。
であるため、記録速度や記録パワー等の異なる用途にも
適用できる。
第１図は本発明の記録層の分光特性の熱的変化を説明す
る図、第２図は記録層形成の一方法を示す装置の概略平
面図である。 1:加熱前の反射率 2:加熱後の反射率 3:加熱前の透過率 4:加熱後の透過率 6,7,8:蒸発源 9,10,11:モニタ 12,13,14:シャッタ 15,16,17:スリット 18:マスク板
る図、第２図は記録層形成の一方法を示す装置の概略平
面図である。 1:加熱前の反射率 2:加熱後の反射率 3:加熱前の透過率 4:加熱後の透過率 6,7,8:蒸発源 9,10,11:モニタ 12,13,14:シャッタ 15,16,17:スリット 18:マスク板
Claims (1)
- 【請求項１】基板上に形成された記録層に光を照射する
ことにより、熱的にアモルファス質と結晶質の相転移を
行ない、情報を記録するようにした光学的記録媒体にお
いて、前記記録層が次の一般式で表わされる組成である
ことを特徴とする光記録媒体。 Te(100-a-b)ZnaSeb （ここで、数字の100は合金の原子％、ａは合金中のZn
の原子％、ｂは合金中のSeの原子％を示し、５≦ａ≦4
0、2.5≦ｂ≦30である。）
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61183772A JPH0822614B2 (ja) | 1986-08-05 | 1986-08-05 | 光記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61183772A JPH0822614B2 (ja) | 1986-08-05 | 1986-08-05 | 光記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6339387A JPS6339387A (ja) | 1988-02-19 |
| JPH0822614B2 true JPH0822614B2 (ja) | 1996-03-06 |
Family
ID=16141682
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61183772A Expired - Lifetime JPH0822614B2 (ja) | 1986-08-05 | 1986-08-05 | 光記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0822614B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0825337B2 (ja) * | 1988-04-28 | 1996-03-13 | 松下電器産業株式会社 | 光学情報記録再生消去部材と光ディスク |
| JPH0825338B2 (ja) * | 1988-06-22 | 1996-03-13 | 松下電器産業株式会社 | 光学情報記録再生消去部材の記録再生消去方法 |
| FR2848014A1 (fr) | 2002-12-03 | 2004-06-04 | Commissariat Energie Atomique | Support d'enregistrement optique irreversible inorganique comportant une couche de dissipation thermique |
| JP2008194484A (ja) * | 2008-03-07 | 2008-08-28 | Tadayoshi Watanabe | ドラム式洗濯機の振動を軽減し、且つ高洗浄力を生むバッフル |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0829616B2 (ja) * | 1984-10-05 | 1996-03-27 | 株式会社日立製作所 | 情報の記録用部材 |
-
1986
- 1986-08-05 JP JP61183772A patent/JPH0822614B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6339387A (ja) | 1988-02-19 |
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