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JPH08204527A - Delay reset circuit - Google Patents

Delay reset circuit

Info

Publication number
JPH08204527A
JPH08204527A JP7014109A JP1410995A JPH08204527A JP H08204527 A JPH08204527 A JP H08204527A JP 7014109 A JP7014109 A JP 7014109A JP 1410995 A JP1410995 A JP 1410995A JP H08204527 A JPH08204527 A JP H08204527A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
voltage
circuit
power supply
capacitor
reference voltage
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP7014109A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Yuji Yamanaka
祐司 山中
Yasuhiro Tokumaru
泰博 徳丸
Jun Onosaka
順 小野坂
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsumi Electric Co Ltd
Original Assignee
Mitsumi Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsumi Electric Co Ltd filed Critical Mitsumi Electric Co Ltd
Priority to JP7014109A priority Critical patent/JPH08204527A/en
Publication of JPH08204527A publication Critical patent/JPH08204527A/en
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

PURPOSE: To simplify the circuit while having sufficient accuracy. CONSTITUTION: A reference voltage generating circuit 2 generates a reference voltage V2 depending on a power supply voltage VIN. A charge current generating circuit 3 generates a charge current Id proportional to the reference voltage V2 . A comparator 11 compares the reference voltage V2 with the voltage of a delay time setting capacitor Cd charged by the charge current Id to provide a signal of the comparison result. When the power supply voltage VIN. is smaller than the threshold voltage, a voltage monitor circuit 12 discharges the capacitor Cd and when the power supply voltage VIN is higher than the threshold voltage, the voltage monitor circuit 12 stops discharging the capacitor Cd . An output circuit 13 generates an output voltage VRO commanding reset when the voltage of the capacitor Cd is smaller than the reference voltage V2 , and generates an output voltage VRO to command release of reset when the voltage of the capacitor Cd is more than the reference voltage V2 .

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は遅延リセット回路に係
り、特に、電源電圧が閾値電圧に達した時点から設定時
間遅延して、リセットを指示する信号の生成を解除する
遅延リセット回路に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a delay reset circuit, and more particularly to a delay reset circuit which releases a signal instructing reset by delaying a set time from the time when a power supply voltage reaches a threshold voltage.

【0002】[0002]

【従来の技術】図3は、従来の一例の遅延リセット回路
20の回路図を示す。遅延リセット回路20は、例え
ば、同一半導体チップ上に形成された集積回路として構
成される。遅延リセット回路20は、定電流源21,2
2、基準電圧源23、遅延時間設定用コンデンサCd
ヒステリシス特性を有するコンパレータ11、電圧監視
回路12、出力トランジスタQO 及び出力抵抗RL から
なる出力回路13から構成されている。
2. Description of the Related Art FIG. 3 is a circuit diagram of a conventional delay reset circuit 20. The delay reset circuit 20 is configured as, for example, an integrated circuit formed on the same semiconductor chip. The delay reset circuit 20 includes constant current sources 21 and 2.
2, reference voltage source 23, delay time setting capacitor C d ,
It is composed of a comparator 11 having a hysteresis characteristic, a voltage monitoring circuit 12, an output transistor Q O, and an output circuit 13 including an output resistance R L.

【0003】GND端子は接地されており、電源端子T
VIN には入力電源電圧VINが供給される。負論理のリセ
ット出力端子(RESET*)からは、ローレベル(0
V)でリセットを指示する出力信号(出力電圧VRO)が
出力される。定電流源21は、定電流IZ を基準電圧源
23に供給する。定電流源22は、電源電圧VINに依存
しない定電流Id をコンデンサCd に供給する。
The GND terminal is grounded and the power supply terminal T
The input power supply voltage V IN is supplied to VIN . From the negative logic reset output terminal (RESET *), the low level (0
At V), an output signal (output voltage V RO ) instructing reset is output. The constant current source 21 supplies the constant current I Z to the reference voltage source 23. The constant current source 22 supplies a constant current I d that does not depend on the power supply voltage V IN to the capacitor C d .

【0004】コンパレータ11は、プラス入力端子に供
給される基準電圧VZ とコンデンサCd のプラス電極の
電圧(充電電圧)VCdを比較して、プラス入力端子の電
圧がマイナス入力端子の電圧より大きいとき、プラスの
出力電圧を生成し、プラス入力端子の電圧がマイナス入
力端子の電圧以下のとき、約0Vの出力電圧を生成す
る。
The comparator 11 compares the reference voltage V Z supplied to the plus input terminal with the voltage (charging voltage) V Cd of the plus electrode of the capacitor C d , and the voltage at the plus input terminal is lower than the voltage at the minus input terminal. When it is large, a positive output voltage is generated, and when the voltage at the positive input terminal is less than or equal to the voltage at the negative input terminal, an output voltage of about 0 V is generated.

【0005】電圧監視回路12は、電源電圧VINと設定
されている閾値電圧VTHとを比較して、電源電圧VIN
閾値電圧VTHより小さい場合には、コンデンサCd を放
電させて、コンデンサCd のプラス電極の電圧VCd(即
ち、充電電圧)をVCd=0に保つ。電圧監視回路12
は、電源電圧VINが閾値電圧VTH以上の場合には、コン
デンサCd の放電を停止する。コンデンサCd の放電が
停止された時点から定電流Id によりコンデンサCd
充電が開始される。なお、閾値電圧VTHは、定常時の電
源電圧VINに対応して、電源電圧VINが許容値以下に低
下したと見なされる値に設定される。
The voltage monitoring circuit 12 compares the power supply voltage V IN with the set threshold voltage V TH, and discharges the capacitor C d when the power supply voltage V IN is smaller than the threshold voltage V TH. , The voltage V Cd (that is, the charging voltage) of the positive electrode of the capacitor C d is maintained at V Cd = 0. Voltage monitoring circuit 12
Stops the discharge of the capacitor C d when the power supply voltage V IN is equal to or higher than the threshold voltage V TH . The charging of the capacitor C d is started by the constant current I d from the time when the discharging of the capacitor C d is stopped. The threshold voltage V TH is set to a value that is considered to have lowered the power supply voltage V IN below the allowable value, corresponding to the power supply voltage V IN in the steady state.

【0006】出力トランジスタQO は、コンパレータ1
1がプラスの出力電圧を生成する時にオンとなる。この
とき、トランジスタQO のコレクタ電流が出力抵抗RL
に流れて、出力電圧VROはリセットを指示するレベル
(リセットレベル)である0Vとなる。コンパレータ1
1の出力電圧が0VでトランジスタQO がオフの場合
は、出力電圧VROはリセット解除を指示するレベル(リ
セット解除レベル)であるHレベル(=電源電圧VIN
となる。
The output transistor Q O is the comparator 1
It turns on when 1 produces a positive output voltage. At this time, the collector current of the transistor Q O changes to the output resistance R L.
Then, the output voltage V RO becomes 0 V which is a level (reset level) instructing reset. Comparator 1
When the output voltage of 1 is 0 V and the transistor Q O is off, the output voltage V RO is the H level (= power supply voltage V IN ) which is the level (reset release level) for instructing reset release.
Becomes

【0007】この出力電圧VROは、電源電圧VINが閾値
電圧VTH未満に低下した時にリセットを必要とする回路
のリセット用入力端子に供給される。次に、遅延リセッ
ト回路20の詳しい動作について説明する。図4は、電
源投入時における、電源電圧VINと出力電圧VROの関係
の説明図を示す。図4(A)は、電源投入時点からの電
源電圧VINの時間変化を示し、定常時の電源電圧VIN
IN=VINA とVIN=VINB (VINB >VINA であ
る。)の2つの場合について記している。図4(A)で
は、VINA の場合を実線で示し、VINB の場合を破線で
示す。
This output voltage V RO is supplied to the reset input terminal of the circuit that requires resetting when the power supply voltage V IN drops below the threshold voltage V TH . Next, a detailed operation of the delay reset circuit 20 will be described. FIG. 4 is an explanatory diagram of the relationship between the power supply voltage V IN and the output voltage V RO when the power is turned on. FIG. 4 (A) shows a time variation of the supply voltage V IN from the power-on time, the power supply voltage V IN in a steady state is V IN = V INA and V IN = V INB (V INB > V INA. ). In FIG. 4A, the case of V INA is shown by a solid line, and the case of V INB is shown by a broken line.

【0008】図4(B)は、図4(A)に対応して、電
源投入時点からの出力電圧VROの時間変化を示す。図4
(B)では、VIN=VINA の場合の出力電圧VROA を実
線で示し、VIN=VINB の場合の出力電圧VROB を破線
で示す。今、定常時の電源電圧VIN=VINA の場合につ
いて説明する。図4(A)に示すように、時刻t=0で
電源が投入されると、電源電圧VINは、時間とともに直
線的に上昇し、t=tS にて定常状態の電圧VIN=V
INA に達している。
FIG. 4B corresponds to FIG. 4A and shows the time change of the output voltage V RO from the time when the power is turned on. FIG.
In (B), the output voltage V ROA when V IN = V INA is shown by a solid line, and the output voltage V ROB when V IN = V INB is shown by a broken line. Now, the case where the power supply voltage V IN = V INA in the steady state is described. As shown in FIG. 4A, when the power is turned on at time t = 0, the power supply voltage V IN rises linearly with time, and at t = t S, the steady-state voltage V IN = V IN = V IN
Has reached INA .

【0009】時刻tが0〜tLAまでの間は、電源電圧V
INが動作限界電圧VLM(約0.8V)に達しないため遅
延リセット回路20は動作しない。このため、出力電圧
RO A は、図4(B)に示すように電源電圧VINと同様
に上昇する。VINが時刻t=tLAでVIN=VLMに達した
時点から、遅延リセット回路20は、動作可能となる。
定電流源21,22は、定電流IZ ,Id を生成し、基
準電圧源23は、基準電圧VZ の生成を開始する。基準
電圧VZ は、例えば、1V程度に設定されており、定電
流IZ を供給されて、時刻tLAの直後に、定常値の基準
電圧VZ を生成する。コンパレータ11は、プラス入力
端子とマイナス入力端子の電圧の比較動作を正常に行
う。
[0009] between the time t until 0~t LA, the power supply voltage V
The delay reset circuit 20 does not operate because IN does not reach the operation limit voltage V LM (about 0.8 V). Therefore, the output voltage V RO A rises similarly to the power supply voltage V IN as shown in FIG. 4 (B). From the time the V IN reaches V IN = V LM at time t = t LA, delayed reset circuit 20 becomes operable.
The constant current sources 21 and 22 generate constant currents I Z and I d , and the reference voltage source 23 starts generating the reference voltage V Z. The reference voltage V Z is set to, for example, about 1 V, and the constant current I Z is supplied to generate the steady-state reference voltage V Z immediately after the time t LA . The comparator 11 normally performs the operation of comparing the voltages of the positive input terminal and the negative input terminal.

【0010】閾値電圧VTHの値は、VLMに対しては十分
大きな値となる。従って、時刻t=tLAで遅延リセット
回路20が動作を開始した時点では、電源電圧VIN<V
THである。このとき、電圧監視回路12は、コンデンサ
d を放電させて、コンデンサCd のプラス電極の電圧
CdをVCd=0に保つ。一方、基準電圧源23は、ほぼ
正常な値の基準電圧VZ を生成している。このため、コ
ンパレータ11はプラスの出力電圧を生成し、トランジ
スタQO がオンとなり、出力電圧VROA =0V(リセッ
トレベル)となる。
The threshold voltage V TH has a sufficiently large value with respect to V LM . Therefore, when the delay reset circuit 20 starts operating at time t = t LA , the power supply voltage V IN <V
TH . At this time, the voltage monitoring circuit 12, to discharge the capacitor C d, keep the voltage V Cd positive electrode of the capacitor C d in V Cd = 0. On the other hand, the reference voltage source 23 generates the reference voltage V Z having a substantially normal value. Therefore, the comparator 11 generates a positive output voltage, the transistor Q O is turned on, and the output voltage V ROA = 0 V (reset level).

【0011】電源電圧VINが更に上昇して、時刻t=t
TAでVIN=VTHに達すると、電圧監視回路12は、コン
デンサCd の放電を停止させる。この時点からコンデン
サC d の定電流Id による充電が開始される。電源電圧
INが閾値電圧VTHに達した時点から、出力電圧VROA
がリセットレベル(0V)からリセット解除を指示する
Hレベルとなるまでの時間、即ち、遅延時間td は、以
下のようにして求められる。
Power supply voltage VINFurther increases, and time t = t
TAAnd VIN= VTHThe voltage monitoring circuit 12 reaches the
Densa CdTo stop the discharge. Conden from this point
SA C dConstant current IdWill start charging. Power-supply voltage
VINIs the threshold voltage VTHOutput voltage VROA
Indicates reset release from reset level (0V)
Time until reaching H level, that is, delay time tdIs
It is calculated as below.

【0012】この遅延時間td は、コンデンサCd の充
電電圧VCdが基準電圧VZ に一致するまでの充電時間で
ある。従って、下記(1) 式が成立する。なお、コンデン
サC d の容量がCd であるものとする。 VCd=(Id ・td )/Cd =VZ (1) (1) 式より、下記(2) 式のように遅延時間td が求めら
れる。
This delay time tdIs the capacitor CdCharge of
Electric voltage VCdIs the reference voltage VZIn the charging time until it matches
is there. Therefore, the following equation (1) is established. Note that the conden
SA C dCapacity of CdShall be VCd= (Id・ Td) / Cd= VZ (1) From equation (1), delay time tdIs sought
Be done.

【0013】 td =(Cd ・VZ )/Id (2) 図4(B)に示すように、時刻tTAでVIN=VTHに達し
た時点から遅延時間t d 経過した時点で、出力電圧V
ROA が0VからHレベル(リセット解除レベル)の電圧
(=VINA )に変化し、リセット指示が解除される。な
お、電源電圧VINが定常値VINA に達して十分安定な状
態になった後でリセット指示が解除されるように、td
の値が設定される。
Td= (Cd・ VZ) / Id (2) As shown in FIG. 4 (B), time tTAAnd VIN= VTHReached
Delay time t dOutput voltage V
ROAVoltage from 0V to H level (reset release level)
(= VINA), And the reset instruction is released. What
Power supply voltage VINIs a steady value VINAReached stable enough
The reset instruction is released after thed
The value of is set.

【0014】電源電圧VIN=VINB の場合は、VIN=V
INA の場合よりも、電源電圧VINの上昇が急になるた
め、電源電圧VINが動作限界電圧VLMに達する時刻tLB
と、電源電圧VINが閾値電圧VTHに達する時刻tTBは、
IN=VINA の場合よりも、早い時刻となる。即ち、t
LB<tLA、tTB<tTAとなる。遅延時間td の起点は、
時刻tTBである。一方、遅延時間td は、前記(2) 式に
示すように、電源電圧V INの値に依存せず、一定の値と
なる。このため、図4(B)の破線で示すように、出力
電圧VROB が0VからHレベル(リセット解除レベル)
になる時刻は、V IN=VINA の場合よりも早い時刻とな
る。
Power supply voltage VIN= VINBIn case of, VIN= V
INAPower supply voltage VINHas risen sharply
Therefore, the power supply voltage VINIs the operating limit voltage VLMTime tLB
And the power supply voltage VINIs the threshold voltage VTHTime tTBIs
VIN= VINAIt will be earlier than the case of. That is, t
LB<TLA, TTB<TTABecomes Delay time tdThe origin of
Time tTBIs. On the other hand, the delay time tdIn the above equation (2)
As shown, the power supply voltage V INConstant value regardless of the value of
Become. Therefore, as shown by the broken line in FIG.
Voltage VROBIs 0V to H level (reset release level)
Becomes V IN= VINAAnd the time is earlier than
It

【0015】次に、電源電圧VINが定常状態にあるとき
に、何らかの理由で電源電圧VINが閾値電圧VTHを下回
った場合を考える。この場合、電圧監視回路12は、電
源電圧VINが閾値電圧VTHを下回ったことを検出して、
コンデンサCd を放電させる。これにより極短時間で、
Cd=0Vとなる。従って、電源電圧VINが閾値電圧V
THを下回った直後に、出力電圧VROがHレベルから0V
となり、遅延リセット回路20はリセット指示状態とな
る。この後、電源電圧VINが閾値電圧VTH以上に回復す
ると、電圧監視回路12はコンデンサCd の放電を停止
し、コンデンサCd の充電が開始される。これにより、
電源投入時と同様にして、電源電圧VINの回復時点から
遅延時間td の経過後に、出力電圧VROが0VからHレ
ベルになり、遅延リセット回路20はリセット指示解除
状態となる。
Next, consider a case where the power supply voltage V IN is below the threshold voltage V TH for some reason while the power supply voltage V IN is in a steady state. In this case, the voltage monitoring circuit 12 detects that the power supply voltage V IN has dropped below the threshold voltage V TH ,
Discharge the capacitor C d . With this, in an extremely short time,
V Cd = 0V. Therefore, the power supply voltage V IN is equal to the threshold voltage V
Immediately after falling below TH , the output voltage V RO changes from H level to 0 V.
Then, the delay reset circuit 20 enters the reset instruction state. Thereafter, when the power supply voltage V IN is recovered above the threshold voltage V TH, the voltage monitoring circuit 12 stops the discharge of the capacitor C d, the charging of the capacitor C d is started. This allows
In the same manner as when the power is turned on, the output voltage V RO changes from 0 V to the H level after the delay time t d has elapsed from the point of time when the power supply voltage V IN was restored, and the delay reset circuit 20 enters the reset instruction release state.

【0016】[0016]

【発明が解決しようとする課題】従来の遅延リセット回
路20では、電源電圧VINに依存しない基準電圧VZ
生成する基準電圧源23はトランジスタ6個程度を必要
とする複雑な回路となる。また、定電流源21、22も
トランジスタ6個程度の複雑な回路となる。このため、
遅延リセット回路20は回路が複雑となり全体の回路規
模が大きくなるという問題がある。
In the conventional delay reset circuit 20, the reference voltage source 23 for generating the reference voltage V Z which does not depend on the power source voltage V IN is a complicated circuit which requires about 6 transistors. Further, the constant current sources 21 and 22 are also complicated circuits having about 6 transistors. For this reason,
The delay reset circuit 20 has a problem that the circuit becomes complicated and the entire circuit scale becomes large.

【0017】本発明は、上記の点に鑑みて成されたもの
で、十分な精度を持ちつつ回路を簡略化することができ
る遅延リセット回路を提供することを目的とする。
The present invention has been made in view of the above points, and an object of the present invention is to provide a delay reset circuit which has a sufficient accuracy and can be simplified.

【0018】[0018]

【課題を解決するための手段】本発明の遅延リセット回
路は、入力電源電圧に依存した基準電圧を生成する基準
電圧生成回路と、前記基準電圧に比例した充電電流を生
成する充電電流生成回路と、前記充電電流により充電さ
れる遅延時間設定用コンデンサの充電電圧と前記基準電
圧とを比較して、比較結果の信号を出力する比較回路
と、前記入力電源電圧と閾値電圧とを比較して、前記入
力電源電圧が前記閾値電圧より小さい場合に前記遅延時
間設定用コンデンサを放電させ、前記入力電源電圧が前
記閾値電圧以上の場合に前記遅延時間設定用コンデンサ
の放電を停止する電圧監視回路と、前記比較回路から比
較結果の信号を供給されて、前記遅延時間設定用コンデ
ンサの充電電圧が前記基準電圧より小さい場合には、リ
セットを指示する出力信号を生成し、前記遅延時間設定
用コンデンサの充電電圧が前記基準電圧以上の場合に
は、リセット解除を指示する出力信号を生成する出力回
路とを有する構成とする。
A delay reset circuit of the present invention comprises a reference voltage generating circuit for generating a reference voltage dependent on an input power supply voltage, and a charging current generating circuit for generating a charging current proportional to the reference voltage. Comparing the charging voltage of the delay time setting capacitor charged by the charging current and the reference voltage, comparing circuit for outputting a signal of a comparison result, and comparing the input power supply voltage and the threshold voltage, A voltage monitoring circuit that discharges the delay time setting capacitor when the input power supply voltage is lower than the threshold voltage, and stops discharging the delay time setting capacitor when the input power supply voltage is equal to or higher than the threshold voltage. When the comparison result signal is supplied from the comparison circuit and the charging voltage of the delay time setting capacitor is lower than the reference voltage, an instruction to reset is output. It generates a signal, if the charging voltage setting capacitor said delay time is equal to or greater than the reference voltage, a structure and an output circuit for generating an output signal indicative of the reset release.

【0019】[0019]

【作用】本発明の遅延リセット回路では、入力電源電圧
が閾値電圧以上に達した時点から、出力信号がリセット
を指示する信号からリセット解除を指示する信号に変化
するまでの遅延時間は、遅延時間設定用コンデンサを基
準電圧まで充電する充電時間により決まる。
In the delay reset circuit of the present invention, the delay time from when the input power supply voltage reaches the threshold voltage or more to when the output signal changes from the signal instructing reset to the signal instructing reset release is the delay time. It depends on the charging time to charge the setting capacitor to the reference voltage.

【0020】本発明では、入力電源電圧により変化する
基準電圧に比例して充電電流が変化する構成とすること
により、入力電源電圧の値に依存しない遅延時間を得る
ことができる。これにより、基準電圧を定電圧とする必
要がなく、充電電流を定電流とする必要がないため、基
準電圧を生成する基準電圧生成回路と充電電流を生成す
る充電電流生成回路を、簡略な回路で構成することがで
きる。
According to the present invention, since the charging current changes in proportion to the reference voltage which changes according to the input power supply voltage, the delay time which does not depend on the value of the input power supply voltage can be obtained. As a result, the reference voltage does not need to be a constant voltage and the charging current does not need to be a constant current. Therefore, the reference voltage generation circuit that generates the reference voltage and the charging current generation circuit that generates the charging current are simplified circuits. Can be composed of

【0021】このため、入力電源電圧に依存しない基準
電圧源と定電流源を必要とする従来の遅延リセット回路
に比べて、大幅に回路を簡略化することを可能とする。
Therefore, the circuit can be greatly simplified as compared with the conventional delay reset circuit which requires the reference voltage source and the constant current source which do not depend on the input power source voltage.

【0022】[0022]

【実施例】図1は本発明の一実施例の遅延リセット回路
1の回路図を示す。図1において、図3と同一構成部分
には、同一符号を付し、適宜説明を省略する。遅延リセ
ット回路1は、例えば、同一半導体チップ上に形成され
た集積回路として構成される。
1 is a circuit diagram of a delay reset circuit 1 according to an embodiment of the present invention. In FIG. 1, the same components as those in FIG. 3 are designated by the same reference numerals and the description thereof will be omitted as appropriate. The delay reset circuit 1 is configured as, for example, an integrated circuit formed on the same semiconductor chip.

【0023】遅延リセット回路20は、基準電圧生成回
路2、充電電流生成回路3、遅延時間設定用コンデンサ
d 、ヒステリシス特性を有するコンパレータ(比較回
路)11、電圧監視回路12、出力トランジスタQO
び出力抵抗RL からなる出力回路13から構成されてい
る。
The delay reset circuit 20 includes a reference voltage generation circuit 2, a charging current generation circuit 3, a delay time setting capacitor C d , a comparator (comparison circuit) 11 having a hysteresis characteristic, a voltage monitoring circuit 12, an output transistor Q O, and The output circuit 13 is composed of an output resistor R L.

【0024】GND端子は接地されており、電源端子T
VIN には電源電圧VINが供給される。負論理のリセット
出力端子(RESET*)からは、ローレベル(0V)
でリセットを指示する出力信号(出力電圧VRO)が出力
される。基準電圧生成回路2は、ダイオード接続のNP
N型トランジスタQ1 ,抵抗R 1 ,R2 、カレントミラ
ー回路を構成するNPN型トランジスタQ2 ,Q3 、エ
ミッタから基準電圧V2 を出力するNPN型トランジス
タQ5 から構成される。
The GND terminal is grounded and the power supply terminal T
VINPower supply voltage VINIs supplied. Negative logic reset
Low level (0V) from the output terminal (RESET *)
Output signal (output voltage VRO) Is output
Is done. The reference voltage generation circuit 2 is a diode-connected NP.
N-type transistor Q1, Resistance R 1, R2, Current Mira
-NPN type transistor Q that constitutes a circuit2, Q3, D
Mitter to reference voltage V2Output NPN type transistor
QFiveConsists of

【0025】ダイオード接続のトランジスタQ1 ,抵抗
1 ,R2 ,ダイオード接続のトランジスタQ2 は、電
源電圧VINが供給される電源端子TVIN とGND端子間
に直列に接続されている。カレントミラー回路を構成す
るトランジスタQ2 ,Q3 の共通エミッタは接地されて
いる。トランジスタQ2 ,Q3 のエミッタ面積比は1対
1に設定されている。トランジスタQ5 のベースは抵抗
1 とR2 の接続点に接続され、コレクタは電源端子T
VIN に接続され、エミッタはトランジスタQ3のコレク
タ及びコンパレータ11のプラス入力端子に接続されて
いる。トランジスタQ5 のエミッタから基準電圧V2
生成されて、コンパレータ11のプラス入力端子に供給
される。
The diode-connected transistor Q 1 , the resistors R 1 and R 2 , and the diode-connected transistor Q 2 are connected in series between the power supply terminal T VIN and the GND terminal to which the power supply voltage V IN is supplied. The common emitters of the transistors Q 2 and Q 3 forming the current mirror circuit are grounded. The emitter area ratio of the transistors Q 2 and Q 3 is set to 1: 1. The base of the transistor Q 5 is connected to the connection point of the resistors R 1 and R 2 , and the collector is the power supply terminal T
It is connected to VIN , and the emitter is connected to the collector of the transistor Q 3 and the positive input terminal of the comparator 11. The reference voltage V 2 is generated from the emitter of the transistor Q 5 and is supplied to the plus input terminal of the comparator 11.

【0026】充電電流生成回路3は、NPN型トランジ
スタQ1 ,抵抗R1 ,R2 、カレントミラー回路を構成
するNPN型トランジスタQ2 ,Q4 、トランジスタQ
4 のコレクタから電流を供給されカレントミラー回路を
構成するPNP型トランジスタQ6 ,Q7 から構成され
る。
The charging current generating circuit 3 includes an NPN type transistor Q 1 , resistors R 1 and R 2 , NPN type transistors Q 2 and Q 4 forming a current mirror circuit, and a transistor Q.
It is composed of PNP type transistors Q 6 and Q 7 which are supplied with current from the collector of 4 and constitute a current mirror circuit.

【0027】トランジスタQ2 とカレントミラー回路を
構成するトランジスタQ4 のエミッタは、接地されてい
る。トランジスタQ2 ,Q4 のエミッタ面積比は1対1
に設定されている。カレントミラー回路を構成するトラ
ンジスタQ6 ,Q7 の共通エミッタは電源端子TVIN
接続されている。トランジスタQ6 のコレクタはトラン
ジスタQ4 のコレクタに接続されている。トランジスタ
7 のエミッタ面積は、トランジスタQ6 のN倍に設定
されている。トランジスタQ7 のコレクタがコンデンサ
d のプラス側電極及びコンパレータ11のマイナス入
力端子に接続されている。トランジスタQ7 のコレクタ
電流が、コンデンサCd の充電電流Idとして生成され
る。
The emitter of the transistor Q 4 forming a current mirror circuit with the transistor Q 2 is grounded. The emitter area ratio of the transistors Q 2 and Q 4 is 1: 1.
Is set to The common emitters of the transistors Q 6 and Q 7 forming the current mirror circuit are connected to the power supply terminal T VIN . The collector of the transistor Q 6 is connected to the collector of the transistor Q 4 . The emitter area of the transistor Q 7 is set to N times that of the transistor Q 6 . The collector of the transistor Q 7 is connected to the positive electrode of the capacitor C d and the negative input terminal of the comparator 11. The collector current of the transistor Q 7 is generated as the charging current I d of the capacitor C d .

【0028】電源電圧VINが閾値電圧VTH以上となり、
電圧監視回路12によるコンデンサCd の放電が停止さ
れた時点から、充電電流Id によりコンデンサCd の充
電が開始される。V2 >VCdの場合、コンパレータ11
がプラスの出力電圧を生成してトランジスタQO がオン
となり、出力電圧VROはリセットを指示するレベル(リ
セットレベル)である0Vとなる。V2 ≦VCdの場合、
コンパレータ11の出力電圧が0VでトランジスタQO
がオフとなり、出力電圧VROはリセット解除を指示する
レベル(リセット解除レベル)であるHレベル(=電源
電圧VIN)となる。
The power supply voltage V IN becomes higher than the threshold voltage V TH ,
When the voltage monitoring circuit 12 stops discharging the capacitor C d , the charging current I d starts charging the capacitor C d . When V 2 > V Cd , the comparator 11
Generates a positive output voltage to turn on the transistor Q O , and the output voltage V RO becomes 0 V which is a level (reset level) instructing reset. When V 2 ≦ V Cd ,
When the output voltage of the comparator 11 is 0V, the transistor Q O
Is turned off, and the output voltage V RO becomes H level (= power supply voltage V IN ) which is a level (reset cancellation level) instructing reset cancellation.

【0029】次に、遅延リセット回路1の詳しい動作に
ついて説明する。ここで、電源電圧VINが定常値である
場合で説明する。抵抗R2 の電流をI1 とすると、抵抗
1と抵抗R2 の接続点の電圧V1 は、下記(3) 式で表
せる。 V1 =VBE2 +I1 ・R2 (3) また、電流I1 は、下記(4) 式で表せる。
Next, the detailed operation of the delay reset circuit 1 will be described. Here, a case where the power supply voltage V IN is a steady value will be described. When the current of the resistor R 2 is I 1 , the voltage V 1 at the connection point between the resistor R 1 and the resistor R 2 can be expressed by the following equation (3). V 1 = V BE2 + I 1 · R 2 (3) Further, the current I 1 can be expressed by the following equation (4).

【0030】 I1 =(VIN−VBE1 −VBE1 )/(R1 +R2 ) (4) ここで、VBE1 ,VBE2 は、夫々、トランジスタQ1
2 のベース・エミッタ間電圧である。また、トランジ
スタQ5 のエミッタの電圧,即ち、基準電圧V2 は、前
記(3)式を用いて、下記(5) 式で表せる。ここで、V
BE5 は、トランジスタQ5 のベース・エミッタ間電圧で
ある。
I 1 = (V IN −V BE1 −V BE1 ) / (R 1 + R 2 ) (4) where V BE1 and V BE2 are the transistors Q 1 and
It is the base-emitter voltage of Q 2 . Further, the voltage of the emitter of the transistor Q 5 , that is, the reference voltage V 2 can be expressed by the following formula (5) using the formula (3). Where V
BE5 is the base-emitter voltage of the transistor Q 5.

【0031】 V2 =V1 −VBE5 =VBE2 −VBE5 +I1 ・R2 (5) カレントミラー回路のトランジスタQ2 ,Q3 はエミッ
タ面積が1対1でありコレクタ電流が等しくなる。トラ
ンジスタQ2 のコレクタ電流は、I1 にほぼ等しい。ま
た、トランジスタQ5 のコレクタ電流I5 は、トランジ
スタQ3 のコレクタ電流とほぼ等しい。このため、トラ
ンジスタQ5 のコレクタ電流I5 は、トランジスタQ2
のコレクタ電流とほぼ等しくなり、I5 ≒I1 となる。
また、トランジスタQ2 とトランジスタQ5 は、同一半
導体チップ上に形成された特性の等しいトランジスタで
ある。このため、VBE2 ≒VBE5 となる。従って、前記
(5) 式より、V2 は、下記(6) 式で表せる。
V 2 = V 1 -V BE5 = V BE2- V BE5 + I 1 · R 2 (5) The transistors Q 2 and Q 3 of the current mirror circuit have the emitter areas of 1: 1 and the collector currents are equal. The collector current of transistor Q 2 is approximately equal to I 1 . The collector current I 5 of the transistor Q 5 is substantially equal to the collector current of the transistor Q 3. For this reason, the collector current I 5 of the transistor Q 5, the transistor Q 2
Is almost equal to the collector current of, and I 5 ≈I 1 .
The transistors Q 2 and Q 5 are transistors formed on the same semiconductor chip and having the same characteristics. Therefore, V BE2 ≈V BE5 . Therefore,
From the equation (5), V 2 can be expressed by the following equation (6).

【0032】 V2 =I1 ・R2 (6) また、カレントミラー回路のトランジスタQ2 ,Q4
エミッタ面積が1対1でありコレクタ電流が等しくな
る。トランジスタQ6 のコレクタ電流は、トランジスタ
4 のコレクタ電流にほぼ等しい。トランジスタQ6
7 のエミッタ面積比はNであるため、トランジスタQ
7 のコレクタ電流,即ち、充電電流Id は、下記(7) 式
となる。
V 2 = I 1 · R 2 (6) Further, the transistors Q 2 and Q 4 of the current mirror circuit have an emitter area of 1: 1 and have equal collector currents. The collector current of transistor Q 6 is approximately equal to the collector current of transistor Q 4 . Transistor Q 6 ,
Since the emitter area ratio of Q 7 is N, the transistor Q
The collector current of 7 , that is, the charging current I d is given by the following equation (7).

【0033】 Id =N・I6 =N・I1 (7) 遅延時間td は、前記(2) 式と同様に、下記(8) 式で表
せる。 td =(Cd ・V2 )/Id (8) (8) 式に、(6) 式,(7) 式を代入して、下記(9) 式とな
る。
I d = N · I 6 = N · I 1 (7) The delay time t d can be expressed by the following formula (8) as in the formula (2). t d = (C d · V 2 ) / Id (8) By substituting the expressions (6) and (7) into the expression (8), the following expression (9) is obtained.

【0034】 td =(Cd ・I1 ・R2 )/N・I1 =(Cd ・R2 )/N (9) (9) 式で示されるように、遅延時間td は、コンデンサ
d の容量Cd ,抵抗R2 、エミッタ面積比Nのみで決
まり、電源電圧VINに依存しない。
T d = (C d · I 1 · R 2 ) / N · I 1 = (C d · R 2 ) / N (9) As shown by the equation (9), the delay time t d is It is determined only by the capacitance C d of the capacitor C d , the resistance R 2 , and the emitter area ratio N, and does not depend on the power supply voltage V IN .

【0035】今、電源電圧VINが定常状態にあるとき
に、何らかの理由で電源電圧VINが閾値電圧VTHを下回
った場合を考える。この場合、電圧監視回路12は、電
源電圧VINが閾値電圧VTHを下回ったことを検出して、
コンデンサCd を放電させる。これにより極短時間で、
Cd=0Vとなる。従って、電源電圧VINが閾値電圧V
THを下回った直後に、出力電圧VROがHレベルから0V
(リセット指示レベル)となり、遅延リセット回路1は
リセット指示状態となる。
Now, the power supply voltage VINIs in a steady state
For some reason, the power supply voltage VINIs the threshold voltage VTHBelow
Think about the case. In this case, the voltage monitoring circuit 12
Source voltage VINIs the threshold voltage VTHIs detected below
Capacitor CdTo discharge. With this, in an extremely short time,
VCd= 0V. Therefore, the power supply voltage VINIs the threshold voltage V
THImmediately below the output voltage VROIs from H level to 0V
(Reset instruction level), and the delay reset circuit 1
The reset instruction state is entered.

【0036】この後、電源電圧VINが閾値電圧VTH以上
に回復すると、電圧監視回路12はコンデンサCd の放
電を停止し、(7) 式で決まる充電電流Id でコンデンサ
dの充電が開始される。これにより、電源電圧VIN
回復時点から(9) 式で決まる遅延時間td の経過後に、
出力電圧VROが0VからHレベルになり、遅延リセット
回路1はリセット指示解除状態となる。前記のように、
電源電圧VINの値に依存しない遅延時間td を得ること
ができる。
[0036] Thereafter, when the power supply voltage V IN is recovered above the threshold voltage V TH, the voltage monitoring circuit 12 stops the discharge of the capacitor C d, the charging of the capacitor C d in the charging current I d which is determined by the equation (7) Is started. As a result, after the delay time t d determined by the equation (9) elapses from the recovery of the power supply voltage V IN ,
The output voltage V RO changes from 0 V to the H level, and the delay reset circuit 1 enters the reset instruction release state. As mentioned above,
It is possible to obtain the delay time t d that does not depend on the value of the power supply voltage V IN .

【0037】また、遅延リセット回路1の、電源投入時
における動作は、図3の回路と同様であり、電源投入時
点からの電源電圧VINの時間変化と、出力電圧VROの時
間変化は、夫々、図4(A),図4(B)と同様であ
る。即ち、電源電圧VINが閾値電圧VTHに達した時点か
らtd 経過した時点で、出力電圧VROが0VからHレベ
ルに変化して、リセット指示解除状態となる。
The operation of the delay reset circuit 1 when the power is turned on is the same as that of the circuit of FIG. 3, and the time change of the power supply voltage V IN and the time change of the output voltage V RO from the time of turning on the power are as follows. It is similar to FIG. 4 (A) and FIG. 4 (B), respectively. That is, the output voltage V RO changes from 0 V to the H level at the time point when t d elapses from the time point when the power source voltage V IN reaches the threshold voltage V TH , and the reset instruction is released.

【0038】但し、電源電圧VINが定常値に達する前
は、充電電流Id は定常値よりも少し小さくなるが、電
源電圧VINが閾値電圧VTHから定常値に達するまでの時
間に比べて遅延時間td が十分大きい場合、遅延時間t
d の値への影響はほとんどない。
However, before the power supply voltage V IN reaches the steady value, the charging current I d becomes slightly smaller than the steady value, but compared with the time until the power supply voltage V IN reaches the steady value from the threshold voltage V TH. And the delay time t d is sufficiently large, the delay time t
There is almost no effect on the value of d .

【0039】上記のように、本実施例の遅延リセット回
路1では、電源電圧VINにより変化する基準電圧V2
比例して充電電流Id が変化する構成とすることによ
り、電源電圧VINの値に依存しない遅延時間td を得る
ことができる。基準電圧V2 を定電圧とする必要がな
く、充電電流Id を定電流とする必要がないため、基準
電圧V2 を生成する基準電圧生成回路2と充電電流Id
を生成する充電電流生成回路3を合わせた回路を、トラ
ンジスタ7個と抵抗2個の簡略な回路で構成することが
できる。
[0039] As described above, the delayed reset circuit 1 of this embodiment has the structure in which a change in the charging current I d in proportion to the reference voltage V 2 which changes the power supply voltage V IN, the power supply voltage V IN It is possible to obtain a delay time t d that does not depend on the value of. The reference voltage V 2 is not necessary to the constant voltage, the charging current I is not necessary to the constant current d, the reference voltage generating circuit 2 and the charging current for generating the reference voltage V 2 I d
The circuit including the charging current generation circuit 3 for generating the voltage can be configured with a simple circuit including seven transistors and two resistors.

【0040】このため、基準電圧源23、定電流源2
1,22夫々にトランジスタ6個程度を必要とする従来
の遅延リセット回路20に比べて、大幅に回路を簡略化
することができる。なお、トランジスタQ2 とトランジ
スタQ4 のエミッタ面積比をNに設定し、トランジスタ
6 とトランジスタQ7 のエミッタ面積比を1対1に設
定した構成とすることもできる。また、トランジスタQ
1 には、PNP型トランジスタ又はダイオードを用いて
もよい。
Therefore, the reference voltage source 23 and the constant current source 2
The circuit can be significantly simplified as compared with the conventional delay reset circuit 20 which requires about 6 transistors for each of 1 and 22. The emitter area ratio of the transistors Q 2 and Q 4 may be set to N, and the emitter area ratio of the transistors Q 6 and Q 7 may be set to 1: 1. Also, the transistor Q
A PNP transistor or a diode may be used for 1 .

【0041】図2は、本発明の一実施例の遅延リセット
回路1の変形例としての遅延リセット回路1M の回路図
を示す。図2において、図1と同一構成部分には、同一
符号を付し、適宜説明を省略する。図2の遅延リセット
回路1M では、基準電圧生成回路2と充電電流生成回路
3の代わりに、基準電圧生成回路2M と充電電流生成回
路3M が設けられている。
FIG. 2 shows a circuit diagram of a delay reset circuit 1 M as a modification of the delay reset circuit 1 according to the embodiment of the present invention. 2, the same components as those in FIG. 1 are designated by the same reference numerals and the description thereof will be omitted as appropriate. In the delay reset circuit 1 M of FIG. 2, a reference voltage generation circuit 2 M and a charging current generation circuit 3 M are provided instead of the reference voltage generation circuit 2 and the charging current generation circuit 3.

【0042】遅延時間設定用コンデンサCd を電源端子
VIN とコンパレータ11M のプラス入力端子間に配置
し、充電電流生成回路3M で生成した充電電流Id をコ
ンデンサCd のマイナス側電極から流し出す。また、基
準電圧生成回路2M は、基準電圧V2Mを電源端子TVIN
とコンパレータ11M のマイナス入力端子間に供給する
構成である。
The delay time setting capacitor C d is arranged between the power supply terminal T VIN and the positive input terminal of the comparator 11 M , and the charging current I d generated by the charging current generation circuit 3 M is supplied from the negative electrode of the capacitor C d. Pour out. Further, the reference voltage generation circuit 2 M supplies the reference voltage V 2M to the power supply terminal T VIN.
And the negative input terminal of the comparator 11 M.

【0043】トランジスタQ1M〜Q7Mは、図1の回路の
トランジスタQ1 〜Q7 に対応し、かつ、極性が反対の
関係(NPN型とPNP型の関係)となっている。ま
た、抵抗R1M,R2Mは、抵抗R1 ,R2 に対応する。抵
抗R2Mの電流I1Mは電流I1 に対応する。
The transistors Q 1M to Q 7M correspond to the transistors Q 1 to Q 7 in the circuit of FIG. 1 and have the opposite polarities (relationship between NPN type and PNP type). The resistors R 1M and R 2M correspond to the resistors R 1 and R 2 . The current I 1M of the resistor R 2M corresponds to the current I 1 .

【0044】基準電圧生成回路2M は、基準電圧生成回
路2と同様にして、電源端子TVINとコンパレータ11
M のマイナス入力端子間に基準電圧V2Mを生成する。前
記(6) 式と同様に、基準電圧V2Mは、下記(10)式で表せ
る。 V2M=I1M・R2M (10) 充電電流生成回路3M は、充電電流生成回路3と同様に
して、コンデンサCdのマイナス電極から引き込む向き
の充電電流Id を生成する。充電電流Id により、コン
デンサCd の両端に充電電圧VCdが発生する。
The reference voltage generation circuit 2 M is similar to the reference voltage generation circuit 2 in that the power supply terminal T VIN and the comparator 11
A reference voltage V 2M is generated between the negative input terminals of M. Similar to the equation (6), the reference voltage V 2M can be expressed by the following equation (10). V 2M = I 1M · R 2M (10) The charging current generation circuit 3 M generates the charging current I d in the direction of drawing from the negative electrode of the capacitor C d in the same manner as the charging current generation circuit 3. Due to the charging current I d , a charging voltage V Cd is generated across the capacitor C d .

【0045】前記(7) 式と同様に、充電電流Id は、下
記(11)式で表せる。 Id =N・I1M (11) コンパレータ11M のマイナス入力端子の電圧(GND
端子を基準として)は、VIN−V2Mとなり、コンパレー
タ11M のプラス入力端子の電圧(GND端子を基準と
して)は、VIN−VCdとなる。
Similar to the equation (7), the charging current I d can be expressed by the following equation (11). I d = N · I 1M (11) Voltage at the negative input terminal of comparator 11 M (GND
(Based on the terminal) becomes V IN -V 2M , and the voltage at the positive input terminal of the comparator 11 M (based on the GND terminal) becomes V IN -V Cd .

【0046】V2M>VCdのとき、コンパレータ11M
プラスの出力電圧を出力し、出力電圧VROはリセットレ
ベルの0Vとなる。V2M≦VCdのとき、コンパレータ1
Mの出力電圧は0Vとなり、出力電圧VROはリセット
解除レベルのHレベル(電源電圧VIN)となる。
When V 2M > V Cd , the comparator 11 M outputs a positive output voltage, and the output voltage V RO becomes the reset level of 0V. When V 2M ≦ V Cd , comparator 1
The output voltage of 1 M becomes 0 V, and the output voltage V RO becomes the H level of the reset release level (power supply voltage V IN ).

【0047】電源電圧監視回路12M は、電源電圧VIN
が閾値電圧VTH未満のとき、コンデンサCd を放電させ
て、VCd=0Vとし、電源電圧VINが閾値電圧VTH以上
のとき、コンデンサCd の放電を停止する。遅延時間t
d の値は、図1の遅延リセット回路1と同様に、下記(1
2)式で表せ、電源電圧VINに依存しない。
The power supply voltage monitoring circuit 12 M has a power supply voltage V IN
Is less than the threshold voltage V TH , the capacitor C d is discharged to V Cd = 0 V, and when the power supply voltage V IN is equal to or higher than the threshold voltage V TH , the discharge of the capacitor C d is stopped. Delay time t
The value of d is the same as the delay reset circuit 1 of FIG.
It can be expressed by equation (2) and does not depend on the power supply voltage V IN .

【0048】 td =(Cd ・R2M)/N (12) 遅延リセット回路1M は、図1の遅延リセット回路1と
同様に動作する。即ち、電源電圧VINが閾値電圧VTH
達しないときに出力電圧VROが0Vでリセット指示状態
となり、電源電圧VINが閾値電圧VTHに達した時点から
遅延時間td 遅延した時点で電圧VROが0VからHレベ
ルに変化してリセット指示解除状態となる。
T d = (C d · R 2M ) / N (12) The delay reset circuit 1 M operates in the same manner as the delay reset circuit 1 of FIG. That is, when the power supply voltage V IN does not reach the threshold voltage V TH , the output voltage V RO is 0 V, which is in the reset instruction state, and when the power supply voltage V IN reaches the threshold voltage V TH , a delay time t d is delayed. The voltage V RO changes from 0 V to the H level, and the reset instruction is released.

【0049】[0049]

【発明の効果】上述の如く、本発明によれば、入力電源
電圧により変化する基準電圧に比例して充電電流が変化
する構成により、入力電源電圧の値に依存しない遅延時
間を得ることができ、基準電圧と充電電流を入力電源電
圧に対して安定化する必要がないため、基準電圧生成回
路と充電電流生成回路を簡略な回路で構成することがで
きる。このため、入力電源電圧に依存しない基準電圧源
と定電流源を必要とする従来の遅延リセット回路に比べ
て、大幅に回路を簡略化することができる。
As described above, according to the present invention, the delay time which does not depend on the value of the input power supply voltage can be obtained by the configuration in which the charging current changes in proportion to the reference voltage which changes according to the input power supply voltage. Since it is not necessary to stabilize the reference voltage and the charging current with respect to the input power supply voltage, the reference voltage generating circuit and the charging current generating circuit can be configured by simple circuits. Therefore, the circuit can be greatly simplified as compared with the conventional delay reset circuit that requires the reference voltage source and the constant current source that do not depend on the input power supply voltage.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の一実施例の遅延リセット回路の回路図
である。
FIG. 1 is a circuit diagram of a delay reset circuit according to an embodiment of the present invention.

【図2】本発明の一実施例の変形例としての遅延リセッ
ト回路の回路図である。
FIG. 2 is a circuit diagram of a delay reset circuit as a modified example of the exemplary embodiment of the present invention.

【図3】従来の一例の遅延リセット回路の回路図であ
る。
FIG. 3 is a circuit diagram of a conventional delay reset circuit.

【図4】電源投入時における、電源電圧と出力電圧の関
係の説明図である。
FIG. 4 is an explanatory diagram of a relationship between a power supply voltage and an output voltage when the power is turned on.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1,1M 遅延リセット回路 2,2M 基準電圧生成回路 3,3M 充電電流生成回路 11,11M コンパレータ 12 電圧監視回路 13 出力回路 Cd 遅延時間設定用コンデンサ TVIN 電源端子 RESET* リセット出力端子 VIN 電源電圧 VRO 出力電圧1,1 M delay reset circuit 2,2 M reference voltage generation circuit 3,3 M charging current generation circuit 11,11 M comparator 12 voltage monitoring circuit 13 output circuit C d delay time setting capacitor T VIN power supply terminal RESET * reset output Terminal V IN Power supply voltage V RO Output voltage

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 入力電源電圧に依存した基準電圧を生成
する基準電圧生成回路と、 前記基準電圧に比例した充電電流を生成する充電電流生
成回路と、 前記充電電流により充電される遅延時間設定用コンデン
サの充電電圧と前記基準電圧とを比較して、比較結果の
信号を出力する比較回路と、 前記入力電源電圧と閾値電圧とを比較して、前記入力電
源電圧が前記閾値電圧より小さい場合に前記遅延時間設
定用コンデンサを放電させ、前記入力電源電圧が前記閾
値電圧以上の場合に前記遅延時間設定用コンデンサの放
電を停止する電圧監視回路と、 前記比較回路から比較結果の信号を供給されて、前記遅
延時間設定用コンデンサの充電電圧が前記基準電圧より
小さい場合には、リセットを指示する出力信号を生成
し、前記遅延時間設定用コンデンサの充電電圧が前記基
準電圧以上の場合には、リセット解除を指示する出力信
号を生成する出力回路とを有することを特徴とする遅延
リセット回路。
1. A reference voltage generation circuit for generating a reference voltage depending on an input power supply voltage, a charging current generation circuit for generating a charging current proportional to the reference voltage, and a delay time setting for charging by the charging current. If the input power supply voltage is smaller than the threshold voltage by comparing the input power supply voltage and the threshold voltage with a comparison circuit that compares the charging voltage of the capacitor with the reference voltage and outputs a signal of the comparison result. A voltage monitoring circuit that discharges the delay time setting capacitor and stops discharge of the delay time setting capacitor when the input power supply voltage is equal to or higher than the threshold voltage, and a comparison result signal is supplied from the comparison circuit. When the charging voltage of the delay time setting capacitor is lower than the reference voltage, an output signal instructing reset is generated and the delay time setting capacitor is generated. When the charging voltage of the difference is equal to or more than the reference voltage, a delay reset circuit and having an output circuit for generating an output signal indicative of the reset release.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006166305A (en) * 2004-12-10 2006-06-22 Mitsubishi Electric Corp Semiconductor circuit

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