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JPH08201777A - Liquid crystal display - Google Patents

Liquid crystal display

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Publication number
JPH08201777A
JPH08201777A JP7012138A JP1213895A JPH08201777A JP H08201777 A JPH08201777 A JP H08201777A JP 7012138 A JP7012138 A JP 7012138A JP 1213895 A JP1213895 A JP 1213895A JP H08201777 A JPH08201777 A JP H08201777A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
liquid crystal
sub
pixel
pixels
display device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP7012138A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP3311184B2 (en
Inventor
Mitsuhiro Uno
光宏 宇野
Yoneji Takubo
米治 田窪
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP01213895A priority Critical patent/JP3311184B2/en
Priority to US08/450,622 priority patent/US5610739A/en
Priority to EP95108260A priority patent/EP0685756A3/en
Priority to KR1019950014034A priority patent/KR100196202B1/en
Publication of JPH08201777A publication Critical patent/JPH08201777A/en
Priority to US08/762,419 priority patent/US5748276A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP3311184B2 publication Critical patent/JP3311184B2/en
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  • Liquid Crystal (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】アクティブマトリクス型液晶表示装置におい
て、特に主視角方向から観測した階調表示性能を改善す
ることを目的とする。 【構成】液晶が2枚の基板に挟持され、画素が該基板の
平面上にマトリックス状に配列され、前記画素が複数の
副画素で形成され、前記複数の副画素を構成する各々の
液晶層に互いに異なる大きさの電圧を印加する手段を有
し、電圧無印加時の液晶層の中間に位置する液晶分子の
長軸方向に沿った、前記基板の垂線からの傾き角0°〜
40°における光量−信号電圧特性が単調減少するよう
に、前記画素の複数の副画素の表示面積比、および各副
画素の光量−信号電圧特性の駆動電圧差を設定する。
(57) [Abstract] [Purpose] It is an object of the present invention to improve the gray scale display performance of an active matrix liquid crystal display device, particularly when observed from the main viewing angle direction. A liquid crystal is sandwiched between two substrates, pixels are arranged in a matrix on a plane of the substrates, the pixels are formed by a plurality of sub-pixels, and each liquid crystal layer constituting the plurality of sub-pixels. And a means for applying different voltages to each other, and an inclination angle of 0 ° from the vertical line of the substrate along the long axis direction of the liquid crystal molecules positioned in the middle of the liquid crystal layer when no voltage is applied.
The display area ratio of the plurality of sub-pixels of the pixel and the driving voltage difference of the light amount-signal voltage characteristic of each sub-pixel are set so that the light amount-signal voltage characteristic at 40 ° monotonically decreases.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、液晶表示装置において
その視角特性を改善する構成に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a structure for improving the viewing angle characteristics of a liquid crystal display device.

【0002】[0002]

【従来の技術】まず、図11、図12を用いて従来の薄
膜トランジスタ(TFTと呼ぶ)アレイ基板で駆動され
る液晶表示装置の構成を示す。図11(a)は、TFT
液晶表示装置の平面構成図、図11(b)は、図11
(a)においてa−a′、およびb−b′で切断し横方
向から見た断面図、図12は、本TFT液晶表示装置の
1画素の等価回路図である。
2. Description of the Related Art First, the structure of a liquid crystal display device driven by a conventional thin film transistor (called TFT) array substrate will be described with reference to FIGS. FIG. 11A shows a TFT
FIG. 11B is a plan configuration diagram of the liquid crystal display device.
FIG. 12A is a sectional view taken along the line aa ′ and bb ′ in FIG. 12A and seen from the lateral direction. FIG. 12 is an equivalent circuit diagram of one pixel of the TFT liquid crystal display device.

【0003】作製方法は、まず透明ガラス基板1a上
に、画素12の液晶を駆動する透明電極2を形成する。
次に、絶縁体としてシリコン酸化膜3を堆積させる。そ
して、クロムなどの金属でゲート電極4を形成する。そ
して、TFT15のゲート絶縁膜として働くシリコン窒
化膜5をその上に堆積させる。次に、TFT15を構成
する半導体層6を形成する。半導体層6は、ゲート電極
4に印加される電圧によってその抵抗値が変化し、スイ
ッチ素子としての機能を与える。次に、透明電極2の上
のシリコン酸化膜3とシリコン窒化膜5の絶縁膜層にコ
ンタクトホール7a、7bを開け、透明電極2の一部を
露出させる。次に、アルミニウムなどの金属を用いて、
ソース電極8a、ドレイン電極8b、付加容量電極8c
を同時に形成する。このとき、ドレイン電極8bは、透
明電極2の上に開けたコンタクトホール7aを介して、
ドレイン電極8bと透明電極2が接続するように形成
し、同様にコンタクトホール7bを介して、付加容量電
極8cと透明電極2が接続するように形成する。また、
付加容量電極8cと前段のゲート電極4′との間で付加
容量14が形成され、この付加容量14は画素12と並
列に配置された構成となる。以上の工程によって、TF
Tアレイ基板が完成する。その後本基板を、一部にブラ
ックストライプ9が形成されかつ透明電極10が一面に
堆積されたもう一つの基板1bと、約5μmのギャップ
を形成して張り合わせ、間に液晶11を注入する。そし
て、2枚の基板の各々外側に偏光板を配置する。
In the manufacturing method, first, the transparent electrode 2 for driving the liquid crystal of the pixel 12 is formed on the transparent glass substrate 1a.
Next, a silicon oxide film 3 is deposited as an insulator. Then, the gate electrode 4 is formed of a metal such as chromium. Then, a silicon nitride film 5 that functions as a gate insulating film of the TFT 15 is deposited thereon. Next, the semiconductor layer 6 forming the TFT 15 is formed. The resistance value of the semiconductor layer 6 changes according to the voltage applied to the gate electrode 4, and provides the function as a switch element. Next, contact holes 7a and 7b are opened in the insulating film layers of the silicon oxide film 3 and the silicon nitride film 5 on the transparent electrode 2 to expose a part of the transparent electrode 2. Next, using a metal such as aluminum,
Source electrode 8a, drain electrode 8b, additional capacitance electrode 8c
Are formed at the same time. At this time, the drain electrode 8b passes through the contact hole 7a opened on the transparent electrode 2,
The drain electrode 8b and the transparent electrode 2 are formed so as to be connected, and similarly, the additional capacitance electrode 8c and the transparent electrode 2 are formed so as to be connected through the contact hole 7b. Also,
An additional capacitance 14 is formed between the additional capacitance electrode 8c and the preceding gate electrode 4 ', and the additional capacitance 14 is arranged in parallel with the pixel 12. Through the above steps, TF
The T array substrate is completed. After that, this substrate is bonded to another substrate 1b on which a black stripe 9 is partially formed and a transparent electrode 10 is deposited on one surface with a gap of about 5 μm formed, and a liquid crystal 11 is injected therebetween. Then, a polarizing plate is arranged on the outer side of each of the two substrates.

【0004】次に、図13を用いて、従来のTFT液晶
表示装置の駆動方法を説明する。TFT15は、スイッ
チ素子として働き、ゲート電極4に入力されたパルス信
号V(G)によってこのゲート電極4上のTFT15は
オン状態となる。そして、ソース電極8aに供給された
信号V(S)が、このオン状態となったTFT15を介
して、画素12に供給される。もう一方の基板1bの透
明電極10には、一定電圧V(Com)が印加されてい
る。その結果、画素12と透明電極10の間に任意の電
圧Vlcが印加され、その電圧の大きさによって、介在
する液晶分子11の配列状態が変化し、この液晶層を通
過する光の偏光方向が変化する。2枚の基板の外側には
各々偏光板が配置されている。ここでは、2枚の偏光板
の偏光軸は、その成す角がほぼ90度となるように設定
されている場合について説明する。これにより、液晶層
に電圧が印加されないとき明状態の表示となり、電圧が
印加されたとき暗状態の表示となる(このような、偏光
板の配置にる表示モードを、ノーマリーホワイトモード
と呼ぶ)。
Next, a driving method of a conventional TFT liquid crystal display device will be described with reference to FIG. The TFT 15 functions as a switch element, and the pulse signal V (G) input to the gate electrode 4 turns on the TFT 15 on the gate electrode 4. Then, the signal V (S) supplied to the source electrode 8a is supplied to the pixel 12 via the TFT 15 in the ON state. A constant voltage V (Com) is applied to the transparent electrode 10 on the other substrate 1b. As a result, an arbitrary voltage Vlc is applied between the pixel 12 and the transparent electrode 10, the arrangement state of the intervening liquid crystal molecules 11 is changed depending on the magnitude of the voltage, and the polarization direction of light passing through this liquid crystal layer is changed. Change. Polarizing plates are arranged on the outer sides of the two substrates. Here, a case will be described in which the polarization axes of the two polarizing plates are set so that the angle formed between them is approximately 90 degrees. As a result, when a voltage is not applied to the liquid crystal layer, a bright state is displayed, and when a voltage is applied, a dark state is displayed (the display mode with such a polarizing plate layout is called a normally white mode). ).

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】まず、従来におけるT
FT−LCDの視角特性について説明する。図14は、
従来のノーマリーホワイトモードのTFT液晶表示装置
において、液晶表示装置の駆動電圧に対する輝度特性を
示している。図14(a)は、液晶表示装置の真正面
(θ=0°)から見たときの駆動電圧に対する輝度特性
を示し、図14(b)は、液晶表示装置の下方向(θ>
0°、主視角方向と呼ぶ)に視点を傾けて見たときの駆
動電圧に対する輝度特性を示す。
First, the conventional T
The viewing angle characteristics of the FT-LCD will be described. Figure 14
In the conventional normally white mode TFT liquid crystal display device, the luminance characteristics with respect to the drive voltage of the liquid crystal display device are shown. FIG. 14A shows the luminance characteristics with respect to the driving voltage when viewed from the front (θ = 0 °) of the liquid crystal display device, and FIG. 14B shows the liquid crystal display device in the downward direction (θ>
The luminance characteristics with respect to the drive voltage when the viewpoint is tilted at 0 °, which is referred to as the main viewing angle direction) are shown.

【0006】ここで下方向とは、図15の下図に示すよ
うに、液晶が2枚の透明ガラス基板1a、1bの間に挟
持され、基板の垂直方向から見た各基板の液晶分子の配
向方向21a、21bが矢印の方向としたとき、下図を
a−a′面で割断して横方向から見た上図(2枚の基板
間に電圧が印加され、液晶分子が立ち上がったときのも
のを示したもの)において、右方向に視点を傾けたとき
と定義する。また、本発明における視角は、基板の垂線
からの視点の傾き角度を示す。
As used herein, "downward" means that liquid crystal is sandwiched between two transparent glass substrates 1a and 1b as shown in the lower diagram of FIG. When the directions 21a and 21b are in the directions of the arrows, the following figure is cut along the aa 'plane and seen from the lateral direction (when a voltage is applied between two substrates and liquid crystal molecules rise). , Which is defined as when the viewpoint is tilted to the right. Further, the visual angle in the present invention indicates the angle of inclination of the viewpoint from the vertical line of the substrate.

【0007】図14(a)に示すように、従来の液晶表
示装置において8階調表示をさせるとき、まず真正面
(0°)から見て輝度を8等分割(B1,B2,…,B
8)とし、各々の輝度レベルに対して、電圧レベル(V
1,V2,…,V8)を設定する。一方、視点を主視角
方向に傾けた場合、図14(b)に示すように、輝度−
駆動電圧カーブは、θ=0°のときに比べて低駆動電圧
側にシフトするとともに、高駆動電圧側に新たなピーク
が現れる。この状態で各電圧レベルに対する輝度レベル
(B1′,B2′,…,B8′)を見てみると、B6′
とB7′の輝度レベルは、高電圧側に現れた新たなピー
クによって逆転している。これは階調反転現象と呼ば
れ、目視では写真のネガのような画像として見える。さ
らに、高輝度部分(B1′とB2′間など)では、輝度
レベル間の差が大きくなり、一方低輝度部分では輝度レ
ベル間の差が小さくなる。これは目視では、正面から見
た画像に比べて非常に暗い画像として見える(黒つぶれ
現象と呼ぶ)。以上のように、従来の液晶表示装置で
は、視点を主視角方向に傾けると、階調表示がかなり悪
化するという問題があった。
As shown in FIG. 14 (a), when displaying 8 gradations in a conventional liquid crystal display device, first, the luminance is divided into eight equal parts (B1, B2, ..., B) when viewed from the front (0 °).
8) and the voltage level (V
1, V2, ..., V8) are set. On the other hand, when the viewpoint is tilted in the main viewing angle direction, as shown in FIG.
The drive voltage curve shifts to the low drive voltage side as compared with the case of θ = 0 °, and a new peak appears on the high drive voltage side. Looking at the brightness levels (B1 ', B2', ..., B8 ') for each voltage level in this state, B6'
The brightness levels of B7 'and B7' are reversed by a new peak appearing on the high voltage side. This is called a gradation inversion phenomenon, and it looks like a negative image of a photograph by visual observation. Further, in the high brightness portion (between B1 'and B2', etc.), the difference between the brightness levels becomes large, while in the low brightness portion, the difference between the brightness levels becomes small. This is visually seen as a very dark image compared to the image seen from the front (called a blackout phenomenon). As described above, in the conventional liquid crystal display device, there is a problem that gradation display is considerably deteriorated when the viewpoint is tilted in the main viewing angle direction.

【0008】本発明は上記問題を解決するもので、アク
ティブマトリックス型液晶表示装置において、特に主視
角方向から観測した階調表示性能を改善することを目的
としたものである。
The present invention has been made to solve the above problems, and an object of the present invention is to improve the gradation display performance of an active matrix type liquid crystal display device, particularly when observed from the main viewing angle direction.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明は、ノーマリーホワイトモードの液晶表示装
置において、液晶が2枚の基板に挟持され、画素が前記
基板の平面上にマトリックス状に配列され、前記画素が
複数の副画素で形成され、前記複数の副画素を構成する
各々の液晶層に互いに異なる大きさの電圧を印加する手
段を有し、前記基板の断面において液晶層中の中間に位
置する液晶分子の長軸方向に沿った、前記基板の垂線か
らの傾き角0°〜40°における輝度−電圧特性が単調
減少または、単調増加するように、各副画素の表示面積
比、および各副画素の駆動電圧差を最適化することを特
徴とするものである。
In order to solve the above problems, the present invention provides a normally white mode liquid crystal display device in which liquid crystal is sandwiched between two substrates and pixels are arranged on a plane of the substrates. Arranged in a line, the pixels are formed of a plurality of sub-pixels, and means for applying different voltages to the respective liquid crystal layers forming the plurality of sub-pixels are provided. Display of each sub-pixel so that the luminance-voltage characteristic along the long axis direction of the liquid crystal molecule positioned in the middle of the substrate at a tilt angle of 0 ° to 40 ° from the vertical line of the substrate monotonically decreases or monotonically increases. It is characterized by optimizing the area ratio and the drive voltage difference of each sub-pixel.

【0010】[0010]

【作用】上記構成により、視点を主視角方向から観測し
た画素の光量−信号電圧特性を示す図2のように、副画
素1は従来と同じ特性であるが、副画素2は、任意の手
段を用いて、液晶層に低い電圧が印加されることによ
り、副画素1に対して任意の電圧だけ高信号電圧(高駆
動電圧)側にシフトした特性とする。また各副画素の表
示面積比を任意の値にすることによって、各々の副画素
の光量を制御する。そして1つの画素の光量は、この2
つの副画素の光量を足し合わせたものである。ここで、
各副画素においては、、高信号電圧側に階調反転現象の
要因となるピークが存在する。しかしながら、これらを
足し合わせた1画素の特性は、各々の副画素のピークが
互いに打ち消し合うため、たとえば単調減少する滑らか
なカーブとなる。これによって、従来観測された階調反
転現象はなくなる。また、1画素の光量−信号電圧カー
ブは、従来に比べて傾きが緩くなる。先に述べたよう
に、視点を主視角方向に傾けることによって、光量−信
号電圧カーブは低信号電圧(低駆動電圧)側へシフトす
る。この電圧のシフト量は従来の構成と変わらないた
め、階調表示させた場合において、本発明の各レベル間
の光量差は、従来の構成の各レベルの光量の差に比べて
均一になる。これによって、従来観測された黒つぶれ現
象は緩和される。以上のように本発明においては、主視
角方向の視角において、従来に比べてかなり表示性能が
改善される。
With the above structure, the sub-pixel 1 has the same characteristic as the conventional one, but the sub-pixel 2 has an arbitrary means as shown in FIG. By applying a low voltage to the liquid crystal layer by using, the characteristics are shifted to the high signal voltage (high drive voltage) side with respect to the sub-pixel 1 by an arbitrary voltage. Further, the light amount of each sub-pixel is controlled by setting the display area ratio of each sub-pixel to an arbitrary value. And the light quantity of one pixel is
It is the sum of the light amounts of two sub-pixels. here,
In each sub-pixel, there is a peak that causes a gradation inversion phenomenon on the high signal voltage side. However, the characteristic of one pixel obtained by adding these is a smooth curve that monotonically decreases because the peaks of the sub-pixels cancel each other. This eliminates the conventionally observed gradation inversion phenomenon. Further, the light amount-signal voltage curve for one pixel has a gentler slope than the conventional one. As described above, the light amount-signal voltage curve is shifted to the low signal voltage (low drive voltage) side by inclining the viewpoint in the main viewing angle direction. Since this voltage shift amount is the same as that in the conventional configuration, the difference in the light amount between the levels of the present invention is more uniform than that in the conventional configuration when gradation display is performed. This alleviates the blackout phenomenon conventionally observed. As described above, in the present invention, the display performance is significantly improved in the viewing angle in the main viewing angle direction as compared with the conventional one.

【0011】ところで、特開平2−12号公報に記載の
ものは、視角に依存しない白と黒のレベルを利用して、
画素を構成する複数の副画素を白と黒の2つのレベルで
駆動し、白または黒表示を行う副画素の数によって、視
角に依存しない階調表示(グレーレベルの表示)を行う
ものである。一方、本発明のものは、画素を構成する2
つ以上の副画素を、適当な駆動電圧差、表示面積比に設
定することによって、主に下視角方向の光強度−信号電
圧特性を改善し階調表示性能を向上させるものであっ
て、上記公報の構成とは異なるものである。
By the way, the one disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2-12 utilizes white and black levels independent of the viewing angle.
A plurality of sub-pixels forming a pixel are driven at two levels of white and black, and gradation display (gray level display) independent of the viewing angle is performed depending on the number of sub-pixels displaying white or black. . On the other hand, according to the present invention, 2
By setting one or more sub-pixels to have appropriate drive voltage differences and display area ratios, mainly the light intensity-signal voltage characteristics in the lower viewing angle direction are improved and the gradation display performance is improved. The configuration is different from that of the publication.

【0012】[0012]

【実施例】第1の実施例を図1〜5とともに説明する。
図1は、第1の実施例において正面から観測したTFT
液晶表示装置の各画素の光量−信号電圧特性である。図
2は、下視角θ=40°から観測したTFT液晶表示装
置の各画素の光量−信号電圧特性である。図3(a)
は、TFT液晶表示装置の平面構成図、図3(b)は、
図3(a)において、a−a′で切断し横方向からみた
断面構成図、図4は、同TFT液晶表示装置の1画素の
等価回路図である。図5は、下視角θ=0〜60°の範
囲で観測したTFT液晶表示装置の光量−信号電圧特性
で、図5(a)は、本実施例の特性、図5(b)は従来
のTFT液晶表示装置の特性である。
EXAMPLE A first example will be described with reference to FIGS.
FIG. 1 shows a TFT observed from the front in the first embodiment.
5 is a light amount-signal voltage characteristic of each pixel of the liquid crystal display device. FIG. 2 shows the light amount-signal voltage characteristics of each pixel of the TFT liquid crystal display device observed from the lower viewing angle θ = 40 °. FIG. 3 (a)
Is a plan view of a TFT liquid crystal display device, and FIG.
In FIG. 3A, a cross-sectional configuration view taken along the line aa ′ and viewed from the lateral direction, and FIG. 4 are equivalent circuit diagrams of one pixel of the TFT liquid crystal display device. FIG. 5 shows the light quantity-signal voltage characteristics of the TFT liquid crystal display device observed in the range of the lower viewing angle θ = 0 to 60 °. FIG. 5 (a) is the characteristics of this embodiment, and FIG. 5 (b) is the conventional one. This is the characteristic of the TFT liquid crystal display device.

【0013】まず図3、図4を参照させながらこのTF
T液晶表示装置の作製工程を説明する。まず、透明ガラ
ス基板1a上に、副画素12a、12bの液晶を駆動す
る透明電極2a、2bを形成する。次に、絶縁膜として
シリコン酸化膜3を堆積させる。そして、クロムなどの
金属でTFTのゲート電極4を形成する。そして、TF
T15のゲート絶縁膜として働くシリコン窒化膜5をそ
の上に堆積させる。次に、TFT15を構成する半導体
層6を形成する。半導体層6は、ゲート電極4に印加さ
れる電圧によってその抵抗値が変化し、スイッチ素子と
しての機能を与える。次に、透明電極2aの上のシリコ
ン酸化膜3とシリコン窒化膜5の絶縁膜層にコンタクト
ホール7a、7bを開け、透明電極2aの一部を露出さ
せる。次に、アルミニウムなどの金属を用いて、ソース
電極8a、ドレイン電極8b、付加容量および制御容量
電極8dを同時に形成する。このとき、透明電極2a上
のドレイン電極8bは、透明電極2aの上に開けたコン
タクトホール7aを介して、ドレイン電極8bと透明電
極2aが接続するように形成する。また、透明電極2a
上の付加容量および制御容量電極8dは、透明電極2a
の上に開けたコンタクトホール7bを介して、付加容量
および制御容量電極8dと透明電極2aが接続するよう
に形成する。付加容量および制御電極8dと、透明電極
2bとの間で、制御容量13が形成され、この制御容量
13は副画素12bと直列に接続された構成となる。ま
た、付加容量および制御容量電極8dと前段のゲート電
極4′との間で、付加容量14が形成され、この付加容
量14は副画素12a、および副画素12bと並列に配
置された構成となる。以上の工程によって、TFTアレ
イ基板が完了する。その後本基板を、一部にブラックス
トライプ9が形成されかつ透明電極10が一面に堆積さ
れたもう一つの基板1bと、約5μmのギャップを形成
して張り合わせ、間に液晶10を注入する。そして、2
枚の基板の各々外側に、2枚の偏光板の偏光軸の成す角
が90度となるように、偏光板を配置する。
First, referring to FIGS. 3 and 4, this TF
A manufacturing process of the T liquid crystal display device will be described. First, the transparent electrodes 2a and 2b for driving the liquid crystal of the sub-pixels 12a and 12b are formed on the transparent glass substrate 1a. Next, a silicon oxide film 3 is deposited as an insulating film. Then, the gate electrode 4 of the TFT is formed with a metal such as chromium. And TF
A silicon nitride film 5 serving as a gate insulating film of T15 is deposited thereon. Next, the semiconductor layer 6 forming the TFT 15 is formed. The resistance value of the semiconductor layer 6 changes according to the voltage applied to the gate electrode 4, and provides the function as a switch element. Next, contact holes 7a and 7b are opened in the insulating film layers of the silicon oxide film 3 and the silicon nitride film 5 on the transparent electrode 2a to expose a part of the transparent electrode 2a. Next, the source electrode 8a, the drain electrode 8b, the additional capacitance, and the control capacitance electrode 8d are simultaneously formed using a metal such as aluminum. At this time, the drain electrode 8b on the transparent electrode 2a is formed so that the drain electrode 8b and the transparent electrode 2a are connected through the contact hole 7a opened on the transparent electrode 2a. In addition, the transparent electrode 2a
The additional capacitance and control capacitance electrode 8d above is the transparent electrode 2a.
It is formed so that the additional capacitance and control capacitance electrode 8d and the transparent electrode 2a are connected through the contact hole 7b opened above. A control capacitor 13 is formed between the additional capacitor / control electrode 8d and the transparent electrode 2b, and the control capacitor 13 is connected in series with the sub-pixel 12b. Further, an additional capacitance 14 is formed between the additional capacitance / control capacitance electrode 8d and the gate electrode 4'of the preceding stage, and the additional capacitance 14 is arranged in parallel with the sub-pixel 12a and the sub-pixel 12b. . Through the above steps, the TFT array substrate is completed. After that, this substrate is bonded to another substrate 1b having a black stripe 9 formed in one part and a transparent electrode 10 deposited on one surface with a gap of about 5 μm formed, and a liquid crystal 10 is injected therebetween. And 2
Polarizing plates are arranged outside each of the substrates so that the angle formed by the polarization axes of the two polarizing plates is 90 degrees.

【0014】本実施例においては、図4の等価回路に示
すように、副画素12aには、TFT15から供給され
るソース電極からの信号電圧(Vs)がそのまま液晶層
に供給される。一方、副画素12bは、付加容量および
制御容量電極8dと透明電極2bの間で形成された制御
容量13(Cc)が、画素容量12b(Clc2)と直
列に接続された構成となるため、TFT15から供給さ
れた信号電圧(Vs)は、制御容量13と画素容量12
bに分割され、画素12bには画素12aに比較して低
い電圧が印加される。これを式で表すと、 Vlc1=Vs Vlc2=Vs×(Cc/(Clc2+Cc)) となり、その結果、 Vlc2<Vlc1 となる。したがって、低いVlc2の電圧が印加される
副画素2の光量−信号電圧特性が高信号電圧側にシフト
する。
In this embodiment, as shown in the equivalent circuit of FIG. 4, the signal voltage (Vs) from the source electrode supplied from the TFT 15 is directly supplied to the liquid crystal layer in the sub-pixel 12a. On the other hand, the sub-pixel 12b has a configuration in which the additional capacitance and the control capacitance 13 (Cc) formed between the control capacitance electrode 8d and the transparent electrode 2b are connected in series with the pixel capacitance 12b (Clc2). The signal voltage (Vs) supplied from the control capacitor 13 and the pixel capacitor 12
The voltage is applied to the pixel 12b at a lower voltage than that of the pixel 12a. When this is expressed by an equation, Vlc1 = Vs Vlc2 = Vs × (Cc / (Clc2 + Cc)), and as a result, Vlc2 <Vlc1. Therefore, the light amount-signal voltage characteristic of the sub-pixel 2 to which the low voltage Vlc2 is applied shifts to the high signal voltage side.

【0015】ここで、Ccは、Cc:Clc2(V5
0)の比が、9:5となるように設定した。この液晶容
量Clc2は、印加電圧値、つまり液晶分子の配列の方
向によってその容量値が変化する。ここでClc2(V
50)は、副画素12bからの光量が、電圧無印加時の
最大光量(液晶分子は基板にほぼ並行に配列)に対し
て、50%となるときの容量値である。その結果、図1
で示される正面方向から観測した光量−信号電圧特性に
おいて、副画素1の光量−信号電圧の傾きγ、副画素1
と副画素2の駆動電圧差ΔVは以下のように設定され
た。
Here, Cc is Cc: Clc2 (V5
The ratio of 0) was set to be 9: 5. The liquid crystal capacitance Clc2 changes its capacitance value depending on the applied voltage value, that is, the direction of arrangement of liquid crystal molecules. Where Clc2 (V
50) is the capacitance value when the amount of light from the sub-pixel 12b is 50% of the maximum amount of light when no voltage is applied (the liquid crystal molecules are arranged substantially parallel to the substrate). As a result,
In the light quantity-signal voltage characteristics observed from the front direction shown by, the light quantity-signal voltage gradient γ of the sub-pixel 1 and the sub-pixel 1
And the drive voltage difference ΔV of the sub-pixel 2 is set as follows.

【0016】γ=V10−V90=1.3V ΔV=V50′−V50=1.0V γ−ΔV=0.3V ここで、V10、V50、およびV90は、副画素1の
正面の光量−信号電圧特性において、電圧無印加時の最
大光量に対して10%、50%および90%となる信号
電圧、同様にV50′は、副画素2の正面の光量−信号
電圧特性において、電圧無印加時の最大光量に対して5
0%となる信号電圧である。
[Gamma] = V10-V90 = 1.3V [Delta] V = V50'-V50 = 1.0V [gamma]-[Delta] V = 0.3V where V10, V50, and V90 are the light amount in front of the sub-pixel 1-the signal voltage. In the characteristics, the signal voltages which are 10%, 50%, and 90% with respect to the maximum light quantity when no voltage is applied, similarly V50 ′, are the light quantity-signal voltage characteristics of the front surface of the sub-pixel 2 when no voltage is applied. 5 for maximum light intensity
The signal voltage is 0%.

【0017】また、図3(a)で示す副画素1と副画素
2の各々の表示面積20a、20bの比率は、7:3と
した。その結果、図2の下視角θ=40°の光量−信号
電圧特性に示すように、副画素1と副画素2を合わせた
1画素の光量−信号電圧特性は、単調減少した滑らかな
特性が得られる。また図5に示すように、図5(b)の
従来のTFT液晶表示装置の特性において、下視角0〜
60°の範囲で観測された階調反転現象は、本実施例を
行うことによって、図5(a)に示すように全ての角度
において解消されていることがわかる。
Further, the ratio of the display areas 20a and 20b of the sub-pixel 1 and the sub-pixel 2 shown in FIG. 3A is set to 7: 3. As a result, as shown in the light amount-signal voltage characteristic of the lower viewing angle θ = 40 ° in FIG. 2, the light amount-signal voltage characteristic of one pixel including the sub-pixel 1 and the sub-pixel 2 has a monotonically decreasing smooth characteristic. can get. Further, as shown in FIG. 5, in the characteristics of the conventional TFT liquid crystal display device of FIG.
It can be seen that the gradation inversion phenomenon observed in the range of 60 ° is eliminated at all angles by performing the present example, as shown in FIG.

【0018】なお、本γ−ΔVは、−0.2V<γ−Δ
V<0.8V、また、副画素1と副画素2の表示面積の
比率は、8:2から6:4の範囲においても、1画素の
光量−信号電圧特性は、同様に単調減少した滑らかな特
性が得られる。
It should be noted that this γ-ΔV is -0.2V <γ-Δ
V <0.8V, and even when the display area ratio of the sub-pixel 1 and the sub-pixel 2 is in the range of 8: 2 to 6: 4, the light amount-signal voltage characteristic of one pixel is similarly monotonically reduced and smooth. Various characteristics can be obtained.

【0019】以上の構成にすることによって、従来観測
された階調反転現象は解消される。また、1画素の光量
−信号電圧カーブは、従来に比べて傾きが緩くなる。先
に述べたように、階調表示させた場合において、主視角
方向の視角における各階調レベル間の光量差は、従来に
比べて均一になる。これによって、従来観測された黒つ
ぶれ現象は緩和される。以上本実施例を行うことによっ
て、主視角方向の視角において、従来に比べてかなり表
示性能が改善される。
With the above configuration, the conventionally observed gradation inversion phenomenon is eliminated. Further, the light amount-signal voltage curve for one pixel has a gentler slope than the conventional one. As described above, when gradation display is performed, the light amount difference between the gradation levels at the viewing angle in the main viewing angle direction becomes more uniform than in the conventional case. This alleviates the blackout phenomenon conventionally observed. By performing the present embodiment as described above, the display performance at the viewing angle in the main viewing angle direction is considerably improved as compared with the conventional one.

【0020】次に、第2の実施例を図6〜10とともに
説明する。図6は、第2の実施例の正面から観測したT
FT液晶表示装置の各画素の光量−信号電圧特性であ
る。図7は、θ=40°から観測した光量−信号電圧特
性である。図8は、TFT液晶表示装置の平面構成図、
図9は、同TFT液晶表示装置の1画素の等価回路図で
ある。図10は、本TFT液晶表示装置を駆動する信号
波形図を示す。
Next, a second embodiment will be described with reference to FIGS. FIG. 6 shows T observed from the front of the second embodiment.
It is a light amount-signal voltage characteristic of each pixel of the FT liquid crystal display device. FIG. 7 shows the light amount-signal voltage characteristics observed from θ = 40 °. FIG. 8 is a plan view of a TFT liquid crystal display device,
FIG. 9 is an equivalent circuit diagram of one pixel of the TFT liquid crystal display device. FIG. 10 shows a signal waveform diagram for driving the present TFT liquid crystal display device.

【0021】まず図8、図9を参照させながらこのTF
T液晶表示装置の構成を説明する。作製工程は、第1の
実施例と同じである。第2の実施例においては、1つの
画素に2つのTFT15a、15bが形成されている。
そして、各々のTFT15a、15bに接続した副画素
12a、12bが形成されている。そしてさらに、各々
の副画素12a、12bに各々付加容量14a、14b
が形成されている。付加容量14a、14bは、付加容
量電極8c、8c′と前段のゲート電極4′との間で形
成される。
First, referring to FIGS. 8 and 9, this TF
The configuration of the T liquid crystal display device will be described. The manufacturing process is the same as in the first embodiment. In the second embodiment, two TFTs 15a and 15b are formed in one pixel.
Then, sub-pixels 12a and 12b connected to the respective TFTs 15a and 15b are formed. Further, the additional capacitances 14a and 14b are provided to the sub-pixels 12a and 12b, respectively.
Are formed. The additional capacitors 14a and 14b are formed between the additional capacitor electrodes 8c and 8c 'and the preceding gate electrode 4'.

【0022】次に、本TFT液晶表示装置の駆動方法を
図10とともに説明する。ここで、V(Gn)は、ゲー
ト電極4に供給される信号、V(Gn−1)は、前段の
ゲート電極4′に供給される信号、V(S)は、ソース
電極8aに供給される信号、V(lc)は、各副画素に
印加される信号波形を示す。TFT15a、15bはス
イッチ素子として働き、ゲート電極4のT2の期間に供
給されたパルス信号V(Gn)によって、このゲート電
極上のTFT15a、15bはオン状態となる。そし
て、ソース電極8aに供給された信号V(S)が、この
オン状態となったTFT15a、15bを介して、画素
12a、12bに各々同様に供給される。次に、T3の
期間の終わりにおいて、前段のゲート電極4′に供給さ
れた信号V(Gn−1)の変調信号によってV(lc)
は変化する。そして、この変化量は、各副画素の付加容
量Cst1、Cst2、液晶容量Clc1、Clc2、
ゲート−ドレイン間容量Cgd1、Cgd2の大きさに
依存する。副画素1と2でこれらのいずれかの値を変化
させることによって、各副画素の液晶に印加される電圧
値をVlc1とVlc2のように変化させることができ
る。各副画素に印加される電圧Vlc1,Vlc2は、
以下の式で表せる。
Next, a driving method of the present TFT liquid crystal display device will be described with reference to FIG. Here, V (Gn) is a signal supplied to the gate electrode 4, V (Gn-1) is a signal supplied to the preceding gate electrode 4 ', and V (S) is supplied to the source electrode 8a. Signal V (lc) indicates a signal waveform applied to each sub-pixel. The TFTs 15a and 15b function as switching elements, and the pulse signal V (Gn) supplied during the period T2 of the gate electrode 4 turns on the TFTs 15a and 15b on the gate electrode. Then, the signal V (S) supplied to the source electrode 8a is similarly supplied to the pixels 12a and 12b via the TFTs 15a and 15b in the ON state. Next, at the end of the period T3, V (lc) is generated by the modulation signal of the signal V (Gn-1) supplied to the gate electrode 4'of the previous stage.
Changes. The amount of change is determined by the additional capacitances Cst1 and Cst2 of the sub-pixels, the liquid crystal capacitances Clc1 and Clc2,
It depends on the sizes of the gate-drain capacitances Cgd1 and Cgd2. By changing any of these values in the sub-pixels 1 and 2, the voltage value applied to the liquid crystal of each sub-pixel can be changed to Vlc1 and Vlc2. The voltages Vlc1 and Vlc2 applied to each subpixel are
It can be expressed by the following formula.

【0023】 Vlc1=Vs+(Cst1/Ctotal1)×Vge Ctotal1=Cst1+Clc1+Cgd1 Vlc2=Vs+(Cst2/Ctotal2)×Vge Ctotal2=Cst2+Clc2+Cgd2 ここでは、Vge=12V、(Cst1/Ctotal
1)=0.53、(Cst2/Ctotal2)=0.
29に設定した。その結果、図6で示される正面から観
測した副画素1の光量−信号電圧の傾きγ、副画素1と
副画素2の駆動電圧差ΔVは以下のように設定された。
Vlc1 = Vs + (Cst1 / Ctotal1) × Vge Ctotal1 = Cst1 + Clc1 + Cgd1 Vlc2 = Vs + (Cst2 / Ctotal2) × Vge Ctotal2 = Cst2 + Clc2 + Cgd2 Here, Vge1 / Cto (Cto = 12V).
1) = 0.53, (Cst2 / Ctotal2) = 0.
It was set to 29. As a result, the light amount-signal voltage gradient γ of the sub-pixel 1 and the driving voltage difference ΔV between the sub-pixel 1 and the sub-pixel 2 observed from the front shown in FIG. 6 were set as follows.

【0024】γ=V10−V90=1.7V ΔV=V50′−V50=1.5V γ−ΔV=0.2V また、図8で示す副画素1と副画素2の各々の表示面積
20a、20bの比率は、8:2とした。
Γ = V10-V90 = 1.7V ΔV = V50'-V50 = 1.5V γ-ΔV = 0.2V Further, the display areas 20a and 20b of the sub-pixel 1 and the sub-pixel 2 shown in FIG. The ratio was 8: 2.

【0025】なお、本γ−ΔVは、−0.4V<γ−Δ
V<0.6V、また、表示面積20a、20bの比率
は、9:1から7:3の範囲においても、1画素の光量
−信号電圧特性は、同様に単調減少した滑らかな特性が
得られる。
Note that this γ-ΔV is -0.4V <γ-Δ
V <0.6V, and even when the ratio of the display areas 20a and 20b is in the range of 9: 1 to 7: 3, the light amount-signal voltage characteristic of one pixel is similarly monotonically reduced and a smooth characteristic is obtained. .

【0026】以上の構成にすることによって、従来観測
された階調反転現象はなくなる。また、1画素の光量−
信号電圧カーブは、従来に比べて傾きが緩くなる。先に
述べたように、階調表示させた場合において、各レベル
間の光量差は、従来の構成の各レベルの光量の差に比べ
て均一になる。これによって、従来観測された黒つぶれ
現象は緩和される。以上本実施例を行うことによって、
主視角方向の視角において、従来に比べてかなり表示性
能が改善される。
With the above structure, the gradation inversion phenomenon observed conventionally is eliminated. Also, the light amount of one pixel −
The signal voltage curve has a gentler slope than the conventional one. As described above, in the case of gradation display, the difference in the light amount between the levels becomes more uniform than the difference in the light amount between the levels in the conventional configuration. This alleviates the blackout phenomenon conventionally observed. By performing the present embodiment as described above,
At the viewing angle in the main viewing angle direction, the display performance is significantly improved compared to the conventional one.

【0027】[0027]

【発明の効果】以上のように、本発明によれば、画素を
構成する2つ以上の副画素を適当な駆動電圧差、表示面
積比に設定することによって、主視角方向の視角におい
て、光強度−信号電圧特性は改善され、従来に比べてか
なり表示性能を向上でき、従来観測された階調反転現象
はなくなる。また、1画素の光量−信号電圧カーブは、
従来に比べて傾きが緩くなり、階調表示させた場合にお
いて、各レベル間の光量差は、従来の構成の各レベルの
光量の差に比べて均一になる。これによって、従来観測
された黒つぶれ現象は緩和される。また本発明の液晶表
示装置は、従来のほとんど同じ方法で作製することが可
能であり、本液晶表示装置を実現するために、コストの
増加はほとんどない。
As described above, according to the present invention, two or more sub-pixels forming a pixel are set to have appropriate driving voltage differences and display area ratios, so that the light is observed at the viewing angle in the main viewing angle direction. The intensity-signal voltage characteristic is improved, the display performance can be improved considerably as compared with the conventional case, and the gradation inversion phenomenon observed in the past disappears. Also, the light amount-signal voltage curve for one pixel is
The inclination is gentler than in the conventional case, and when gradation display is performed, the difference in the light amount between the levels becomes more uniform than the difference in the light amount between the levels in the conventional configuration. This alleviates the blackout phenomenon conventionally observed. Further, the liquid crystal display device of the present invention can be manufactured by almost the same method as the conventional one, and the cost is hardly increased in order to realize the present liquid crystal display device.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の第1の実施例で、正面から観測したT
FT液晶表示装置の各画素からの光量−信号電圧特性図
FIG. 1 shows T observed from the front in the first embodiment of the present invention.
Light quantity-signal voltage characteristic diagram from each pixel of FT liquid crystal display device

【図2】本発明の第1の実施例で、下視角θ=40°か
ら観測したTFT液晶表示装置の各画素の光量−信号電
圧特性図
FIG. 2 is a light amount-signal voltage characteristic diagram of each pixel of the TFT liquid crystal display device observed from a lower viewing angle θ = 40 ° in the first embodiment of the present invention.

【図3】本発明の第1の実施例で、(a)は、TFT液
晶表示装置の平面構成図、(b)は、(a)において、
a−a′で切断し横方向からみた断面構成図
FIG. 3A is a plan view of a TFT liquid crystal display device according to the first embodiment of the present invention, and FIG.
Cross-sectional configuration view taken along the line aa 'and seen from the lateral direction

【図4】本発明の第1の実施例で、TFT液晶表示装置
の1画素の等価回路図
FIG. 4 is an equivalent circuit diagram of one pixel of the TFT liquid crystal display device according to the first embodiment of the present invention.

【図5】下視角θ=0〜60°の範囲で観測した光量−
信号電圧特性(縦軸のスケールを拡大し、階調反転部を
拡大したもの)で、(a)は、本発明の第1の実施例、
(b)は、従来のTFT液晶表示装置の特性図
FIG. 5: Light intensity observed in the range of downward viewing angle θ = 0 to 60 °
In the signal voltage characteristics (the scale of the vertical axis is enlarged and the gradation inversion unit is enlarged), (a) is the first embodiment of the present invention,
(B) is a characteristic diagram of a conventional TFT liquid crystal display device

【図6】本発明の第2の実施例で、正面から観測したT
FT液晶表示装置の各画素の光量−信号電圧特性図
FIG. 6 shows T observed from the front in the second embodiment of the present invention.
Light amount-signal voltage characteristic diagram of each pixel of FT liquid crystal display device

【図7】本発明の第2の実施例で、下視角θ=40°か
ら観測したTFT液晶表示装置の各画素の光量−信号電
圧特性図
FIG. 7 is a light amount-signal voltage characteristic diagram of each pixel of the TFT liquid crystal display device observed from a lower viewing angle θ = 40 ° in the second embodiment of the present invention.

【図8】本発明の第2の実施例で、TFT液晶表示装置
の平面構成図
FIG. 8 is a plan configuration diagram of a TFT liquid crystal display device according to a second embodiment of the present invention.

【図9】本発明の第2の実施例で、TFT液晶表示装置
の1画素の等価回路図
FIG. 9 is an equivalent circuit diagram of one pixel of the TFT liquid crystal display device according to the second embodiment of the present invention.

【図10】本発明の第2の実施例で、TFT液晶表示装置
を駆動する各信号波形図
FIG. 10 is a signal waveform diagram for driving a TFT liquid crystal display device according to a second embodiment of the present invention.

【図11】従来例で、(a)は、TFT液晶表示装置の平
面構成図、(b)は、(a)において、a−a′、およ
びb−b′で切断し横方向からみた断面構成図
11A is a plan view of a TFT liquid crystal display device in the conventional example, and FIG. 11B is a cross-sectional view taken along the line aa ′ and bb ′ in FIG. Diagram

【図12】本発明の第2の実施例で、TFT液晶表示装置
の1画素の等価回路図
FIG. 12 is an equivalent circuit diagram of one pixel of the TFT liquid crystal display device according to the second embodiment of the present invention.

【図13】従来例で、TFT液晶表示装置を駆動する各信
号波形図
FIG. 13 is a signal waveform diagram for driving a TFT liquid crystal display device in a conventional example.

【図14】従来例で、θ=0°、θ>0°の各角度で観察
したところの液晶表示装置の輝度−駆動電圧特性の模式
FIG. 14 is a schematic diagram of luminance-driving voltage characteristics of a liquid crystal display device when observed at angles of θ = 0 ° and θ> 0 ° in a conventional example.

【図15】液晶表示装置の視角特性を測定するときの視点
を示す模式図
FIG. 15 is a schematic diagram showing a viewpoint when measuring a viewing angle characteristic of a liquid crystal display device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1a、1b ガラス基板 2a、2b 透明電極 3 シリコン酸化膜 4、4′ ゲート電極 5 シリコン窒化膜 6 半導体膜 7a、7b コンタクトホール 8a ソース電極 8b、8b′ ドレイン電極 8c、8c′ 付加容量電極 8d 付加容量および制御容量電極 9 ブラックマトリクス 10 透明電極 11 液晶 12a、12b 画素(または、画素容量) 13 制御容量 14、14a、14b 付加容量 15、15a、15b 薄膜トランジスタ(TFT) 20a 副画素1の表示部 20b 副画素2の表示部 21a、21b 液晶分子の配向処理の方向 1a, 1b Glass substrate 2a, 2b Transparent electrode 3 Silicon oxide film 4, 4'Gate electrode 5 Silicon nitride film 6 Semiconductor film 7a, 7b Contact hole 8a Source electrode 8b, 8b 'Drain electrode 8c, 8c' Additional capacitance electrode 8d Additional Capacitance and control capacitance electrode 9 Black matrix 10 Transparent electrode 11 Liquid crystal 12a, 12b Pixel (or pixel capacitance) 13 Control capacitance 14, 14a, 14b Additional capacitance 15, 15a, 15b Thin film transistor (TFT) 20a Sub-pixel 1 display portion 20b Display parts 21a, 21b of sub-pixel 2 Direction of alignment treatment of liquid crystal molecules

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 液晶が2枚の基板に挟持され、画素が前
記基板の平面上にマトリックス状に配列され、前記画素
が複数の副画素で形成され、前記複数の副画素を構成す
る各々の液晶層に互いに異なる大きさの電圧を印加する
手段を有し、電圧無印加時の液晶層の中間に位置する液
晶分子の長軸方向に沿った前記基板の垂線からの傾き角
が0°〜40°の位置から観測した光量−信号電圧特性
が単調減少または、単調増加するように、前記画素の複
数の副画素の表示面積比、および各副画素の光量−信号
電圧特性の駆動電圧差が設定されていることを特徴とす
る液晶表示装置。
1. A liquid crystal is sandwiched between two substrates, pixels are arranged in a matrix on a plane of the substrate, the pixels are formed by a plurality of sub-pixels, and each of the plurality of sub-pixels constitutes the plurality of sub-pixels. The liquid crystal layer has means for applying voltages of different magnitudes, and the inclination angle from the vertical line of the substrate along the long axis direction of the liquid crystal molecules positioned in the middle of the liquid crystal layer when no voltage is applied is 0 ° to The display area ratio of the plurality of sub-pixels of the pixel and the driving voltage difference of the light amount-signal voltage characteristic of each sub-pixel are set so that the light amount-signal voltage characteristic observed from the position of 40 ° monotonously decreases or monotonically increases. A liquid crystal display device characterized by being set.
【請求項2】 画素が、2つの副画素で構成されている
ことを特徴とする請求項1記載の液晶表示装置。
2. The liquid crystal display device according to claim 1, wherein the pixel is composed of two sub-pixels.
【請求項3】 2つの副画素の装置正面から観察した光
量−信号電圧特性の駆動電圧差ΔVが、 −0.5V<γ−ΔV<1.0 γ=|V10−V90| ΔV=V50′−V50 (ここで、V10、V50、およびV90は、液晶層に
高い電圧が印加される方の副画素の光量−信号電圧特性
において、最大光量に対して10%、50%、および9
0%となる信号電圧であり、同様にV50′は、液晶層
に低い電圧が印加される方の副画素の光量−信号電圧特
性において、最大光量に対して50%となる信号電圧で
ある)の範囲に設定されていることを特徴とする請求項
2記載の液晶表示装置。
3. The drive voltage difference ΔV of the light amount-signal voltage characteristics observed from the front of the device of the two sub-pixels is −0.5 V <γ-ΔV <1.0 γ = | V10-V90 | ΔV = V50 '. -V50 (Here, V10, V50, and V90 are 10%, 50%, and 9% with respect to the maximum light amount in the light amount-signal voltage characteristics of the subpixel to which a high voltage is applied to the liquid crystal layer.
The signal voltage is 0%, and similarly, V50 'is a signal voltage that is 50% with respect to the maximum light amount in the light amount-signal voltage characteristics of the sub-pixel to which the low voltage is applied to the liquid crystal layer.) 3. The liquid crystal display device according to claim 2, wherein the liquid crystal display device is set in the range.
【請求項4】 2つの副画素の表示面積比が、9:1か
ら6:4の範囲であることを特徴とする請求項3記載の
液晶表示装置。
4. The liquid crystal display device according to claim 3, wherein the display area ratio of the two sub-pixels is in the range of 9: 1 to 6: 4.
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