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JPH08201481A - Semiconductor integrated circuit - Google Patents

Semiconductor integrated circuit

Info

Publication number
JPH08201481A
JPH08201481A JP7011597A JP1159795A JPH08201481A JP H08201481 A JPH08201481 A JP H08201481A JP 7011597 A JP7011597 A JP 7011597A JP 1159795 A JP1159795 A JP 1159795A JP H08201481 A JPH08201481 A JP H08201481A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
circuit
clock
clock signal
semiconductor integrated
integrated circuit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP7011597A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Shunichi Takagaki
俊一 高垣
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
International Business Machines Corp
Original Assignee
International Business Machines Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by International Business Machines Corp filed Critical International Business Machines Corp
Priority to JP7011597A priority Critical patent/JPH08201481A/en
Publication of JPH08201481A publication Critical patent/JPH08201481A/en
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

PURPOSE: To enable a delay pulse test at a high frequency equivalent to an internal clock by generating a high-frequency clock signal based on an input clock and generating a delay pulse with the same delay width as the period thereof. CONSTITUTION: A PLL circuit 40 converts 33MHz low-frequency clock which is inputted 10 to 100MHz high-frequency clock signal, and supplies it to an additional clock circuit 50. The circuit 50 starts generating a clock (a delay pulse comprising two pulse waves) at the same interval as the high-frequency clock frequency generated internally by the circuit 40. An order circuit block 30 of scan path design successively outputs 12 data every time it receives clocks by inputting 11 data, and forms a shift register on testing. In a delay pulse test mode where a select signal 14 is L, the circuit 50 distributes generated clocks to each latch circuit 31, thus executing the delay pulse test of the block 30 in terms of AC.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、内部に試験回路を含む
半導体集積回路に係り、特に、故障診断のためのスキャ
ン・パス設計になっている順序回路を含む同期型の半導
体集積回路に関する。更に詳しくは、本発明は、スキャ
ン・パス(Scan Path)設計された同期型の半導体集積
回路であって、内部クロックと同等の高周波でディレイ
・パルス(Delay Pulse)試験を行なえる半導体集積回
路に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor integrated circuit including a test circuit therein, and more particularly to a synchronous semiconductor integrated circuit including a sequential circuit having a scan path design for fault diagnosis. More specifically, the present invention relates to a synchronous semiconductor integrated circuit having a scan path design and capable of performing a delay pulse test at a high frequency equivalent to an internal clock. .

【0002】[0002]

【従来の技術】昨今の技術革新に伴い、ゲート・アレイ
(Gate Array)などのASIC(Application Specific
Integrated Circuit:特殊用途IC)を用いた半導体
集積回路が広範に普及してきた。
2. Description of the Related Art With the recent technological innovation, ASIC (Application Specific) such as gate array (Gate Array)
Integrated Circuits: Semiconductor integrated circuits using special purpose ICs) have become widespread.

【0003】半導体集積回路は、通常、多数のプロセス
(露光・成膜工程や、切断,マウンティング,ボンディ
ング(接続),シーリング(封止)などの組立工程な
ど)を経て製造されるゆえ、製造コストは当然高くつ
く。不良や欠陥のあるウェーハやチップを次工程に流し
ていてはコストの浪費になる。したがって、各プロセス
毎にチップが正常に動作するか否かをテストすることに
よって、製造プロセスの早い段階で不良ウェーハ/不良
チップを見つけ出して修正し又は除去する必要がある。
このテストは、一般には、テスト・パターン(検査系
列)を入力するとともに、入力された各テスト・パター
ンに対して正常な出力パターン(すなわち期待値)が得
られたかどうかをチェックすることによって行なう。な
お、テスト・パターンは、外部の試験装置(LSIテス
ター)のプローブをチップ上のI/Oパッドに押し当て
ることによって、チップに供給され且つ読み取られる。
The semiconductor integrated circuit is usually manufactured through a number of processes (exposure / film formation process, assembling process such as cutting, mounting, bonding (connection), sealing (sealing), etc.). Is naturally expensive. The cost is wasted if a defective or defective wafer or chip is sent to the next process. Therefore, it is necessary to find and repair or remove defective wafers / defective chips early in the manufacturing process by testing whether the chips work properly for each process.
This test is generally performed by inputting a test pattern (test sequence) and checking whether or not a normal output pattern (that is, an expected value) is obtained for each input test pattern. The test pattern is supplied to the chip and read by pressing a probe of an external tester (LSI tester) against the I / O pad on the chip.

【0004】半導体集積回路は、組合せ回路(すなわ
ち、OR,AND,NOTゲートなどのように、回路の
出力がその時点の入力のみによって定まる回路)と、順
序回路(すなわち、フリップ・フロップ(ラッチともい
う)などのように、その時点の入力だけでなく過去の入
力(若しくは内部状態)に依存して出力が定まる回路)
とで構成されていると把えることができる。半導体集積
回路のうちの組合せ回路部分の動作確認テストは比較的
容易である。何故ならば、組合せ回路は、入力データと
期待値との因果関係が簡明で解析が容易であるととも
に、入力と同時に出力が得られるので検査サイクルが短
くて済むからである。これに対して、順序回路のテスト
は容易ではない。何故ならば、順序回路は、同じ入力パ
ターンであっても既に保持している内部状態との組合せ
によって出力が変わるため、テスト・パターンは複雑且
つ長大になってしまうからである。また、順序回路は、
通常、クロック周期で入力を受け取るため、その分検査
サイクルも長くかかってしまう。このため、テスト・モ
ードでは内部の各ラッチ回路がシリアル状の接続に切り
換って1つのシフト・レジスタ(「スキャン・パス(Sc
an Path)回路」ともいう)を形成できるように設計す
るようにしている半導体集積回路もある。シフト・レジ
スタであれば、直列接続されたフリップ・フロップの個
数だけクロックを入力することによって全てのフリップ
・フロップの内部状態を自在に設定することができ、し
たがってテスト・パターンの作成も容易となるからであ
る。現在、スキャン・パス設計を取り入れた各種半導体
集積回路が開発され実用化されている。いわゆるLSS
D(Level Sensitive Scan Design)はスキャン・パス
設計の一例である。
A semiconductor integrated circuit is composed of a combinational circuit (that is, a circuit such as an OR, AND, and NOT gate whose output is determined only by the input at that time) and a sequential circuit (that is, a flip-flop (also called a latch). (For example, a circuit whose output is determined not only by the input at that time but also by the past input (or internal state))
It can be understood that it is composed of and. The operation confirmation test of the combinational circuit portion of the semiconductor integrated circuit is relatively easy. This is because the combinational circuit has a simple causal relationship between the input data and the expected value and is easy to analyze, and the output can be obtained at the same time as the input, so that the inspection cycle can be shortened. On the other hand, testing a sequential circuit is not easy. This is because the output of the sequential circuit changes depending on the combination with the internal state already held even with the same input pattern, so that the test pattern becomes complicated and long. Also, the sequential circuit is
Normally, since the input is received in the clock cycle, the inspection cycle also takes a long time accordingly. Therefore, in the test mode, each internal latch circuit is switched to a serial connection and one shift register (“scan path (Sc
There is also a semiconductor integrated circuit designed to be able to form an path) circuit). With a shift register, the internal states of all flip-flops can be set freely by inputting clocks as many as the number of flip-flops connected in series, thus facilitating the creation of test patterns. Because. Currently, various semiconductor integrated circuits incorporating a scan path design have been developed and put into practical use. So-called LSS
D (Level Sensitive Scan Design) is an example of scan path design.

【0005】スキャン・パス回路は、上述したようにテ
スト・パターンの作成が容易な反面、クロック・スキュ
ーの問題を包含している。ここで、「クロック・スキュ
ー」とは、配線間の遅延のため、順序回路が正常に動作
しない現象のことをいう。例えば図5(a)に示すスキャ
ン・パス回路において、フリップ・フロップの間に接続
された組合せ回路等の通過による配線遅延のために、先
行するDフリップ・フロップの出力Qが次のクロックま
での間に後続のDフリップ・フロップに届かず、データ
がラッチされない。あるいは、先行するDフリップ・フ
ロップが次の入力をラッチした時点で後続のDフリップ
・フロップが未だ開いたままの状態のため、次のタイミ
ングで取り込むべきデータ(すなわち先行するDフリッ
プ・フロップの出力)を取り込んでしまい、データが突
き抜けてしまう。このため、スキャン・パス設計された
LSIに対しては、内部のフリップ・フロック回路の出
力を所定の状態に設定して、動作クロックと同程度の間
隔をおいた2つのパルス波からなるディレイ・パルス
(図5(b)参照)をクロックとして代用して、連続する
フリップ・フロップ間でクロック時間内に正常にデータ
の伝達がなされていることも併せて検査する必要があ
る。このような検査を「ディレイ・パルス試験」ともい
う。特に、同期式の集積回路の場合、各々の順序回路は
データの伝達を待たず単にクロックに従って同期的に動
作するので、クロック・スキューの問題はより重要であ
る。そして、通常の動作時にもクロック・スキューが起
らないことを確認するためには、集積回路の通常の動作
速度と同じタイミングで(すなわちディレイ・パルス中
のパルス間隔をクロック周期と略同一にして)、スキャ
ン・パス試験を行なうことが好ましい。
Although the scan path circuit is easy to create a test pattern as described above, it has a problem of clock skew. Here, "clock skew" refers to a phenomenon in which a sequential circuit does not operate normally due to a delay between wirings. For example, in the scan path circuit shown in FIG. 5A, the output Q of the preceding D flip-flop is delayed until the next clock due to wiring delay due to passage of a combinational circuit connected between the flip-flops. In the meantime, the subsequent D flip-flop is not reached and the data is not latched. Alternatively, since the succeeding D flip-flop is still open when the preceding D flip-flop latches the next input, the data to be taken in at the next timing (that is, the output of the preceding D flip-flop) ) Is taken in and the data penetrates. Therefore, for an LSI with a scan path design, the output of the internal flip-flop circuit is set to a predetermined state, and a delay pulse consisting of two pulse waves with an interval similar to the operation clock is set. It is also necessary to check that data is normally transmitted between consecutive flip-flops within the clock time by using the pulse (see FIG. 5B) as a clock. Such an inspection is also called a "delay pulse test". In particular, in the case of a synchronous integrated circuit, the problem of clock skew is more important because each sequential circuit operates synchronously according to a clock without waiting for data transmission. Then, in order to confirm that the clock skew does not occur during the normal operation, the same timing as the normal operation speed of the integrated circuit (that is, the pulse interval in the delay pulse is set to be substantially the same as the clock cycle). ), A scan pass test is preferred.

【0006】ところで、半導体集積回路を検査する際の
クロック信号やディレイ・パルスの入力は、従来、プロ
ーブを半導体集積回路上のI/Oパッドに接触させるこ
とによって外部の専用試験装置(いわゆるLSIテスタ
ー)や発振器から与えられていた。プローブを介した入
力は、従来の集積回路の動作周波数(約30MHz)程
度の動作周波数では問題ない。しかしながら、50MH
zや100MHzなどの高速なクロック信号は、プロー
ブによる入力では対処できない。何故ならば、高速な周
波数の信号は、LSIテスター自体や試験台(パフォー
マンス・ボード)上のインダクタンスの影響を受けて、
リンギングを起し易いからである。また、LSIテスタ
ーや試験台(パフォーマンス・ボード)上の浮遊容量の
影響を受けるため、本来デイスクリートな矩形であるは
ずの電圧波形がなまって低周波成分になってしまい、ク
ロック信号として役に立たなくなるからである。高周波
クロックの外部からの入力の問題を回避するためには、
試験時には通常の動作時よりも低周波(例えば5MHz
程度)のクロックを用いることも考えられる。しかし、
低周波クロックを用いた場合、素子の動作速度を全く無
視するものであり、単にハイ・レベル又はロー・レベル
の直流電圧をタイミングとして与えているに過ぎず、D
C的な検査と等価である。当然、集積回路の通常の動作
速度と同じAC的なタイミングで順序回路間のクロック
・スキュー検査を行なったことにはならない。
By the way, in the case of inputting a clock signal or a delay pulse when inspecting a semiconductor integrated circuit, conventionally, a probe is brought into contact with an I / O pad on the semiconductor integrated circuit to provide an external dedicated test apparatus (so-called LSI tester). ) Or an oscillator. The input through the probe has no problem at the operating frequency of the conventional integrated circuit (about 30 MHz). However, 50 MH
High-speed clock signals such as z and 100 MHz cannot be handled by the probe input. Because the high-speed signal is affected by the inductance of the LSI tester itself or the test stand (performance board),
This is because ringing easily occurs. Also, because it is affected by the stray capacitance on the LSI tester or test stand (performance board), the voltage waveform, which should have been a discrete rectangle, is blunted into a low frequency component, which is no longer useful as a clock signal. Is. To avoid the problem of external input of high frequency clock,
At the time of test, lower frequency than normal operation (for example, 5MHz)
It is also possible to use a clock of about (degree). But,
When a low-frequency clock is used, the operating speed of the device is completely ignored, and a high-level or low-level DC voltage is merely given as timing, and D
It is equivalent to a C-like inspection. Of course, this does not mean that the clock skew inspection between the sequential circuits is performed at the same AC-like timing as the normal operating speed of the integrated circuit.

【0007】なお、試験装置(LSIテスター)を改良
して高速の周波数をプローブ入力させる、ということ
も、現在の技術水準を考量すれば、全く不可能という訳
ではない。しかしながら、高速周波数のクロック信号を
急峻な波形のまま外部に出力することは困難であり、高
価な発振器が必要となる。このため、プローブ1本あた
りの単価が100万円程度となり、256ピンの半導体
集積回路を試験するためのLSIテスターは2億円相当
となり、結果的には高いものについてしまう。
It should be noted that improving the test apparatus (LSI tester) to input a high-speed frequency probe is not completely impossible in view of the current technical level. However, it is difficult to output a high-speed clock signal as a steep waveform to the outside, and an expensive oscillator is required. Therefore, the unit price per probe is about 1 million yen, and the LSI tester for testing a 256-pin semiconductor integrated circuit is equivalent to 200 million yen, resulting in a high cost.

【0008】現在、インテル社が市販するDX2,DX
4や、米IBM社と米モトローラ社、米アップル・コン
ピュータ社が共同開発したPowerPC603(Po
werPCは米IBM社の登録商標)のように50MH
z以上で動作するプロセッサが主流になりつつある。こ
の点を考量しても、スキャン・パス回路に正確なディレ
イ・パルスを供給できる装置又は手法が望まれているこ
とが理解できるであろう。
DX2, DX currently marketed by Intel Corporation
4 and PowerPC603 (Po which was jointly developed by IBM Corp., Motorola Corp. and Apple Computer Corp.)
werPC is 50 MH like registered trademark of IBM Corp.
Processors operating above z are becoming mainstream. With this in mind, it will be appreciated that there is a desire for a device or technique that can provide accurate delay pulses to the scan path circuit.

【0009】[0009]

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、故障
診断のためのスキャン・パス設計を有する同期型の、優
れた半導体集積回路を提供することにある。
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide an excellent synchronous semiconductor integrated circuit having a scan path design for fault diagnosis.

【0010】本発明の更なる目的は、故障診断のための
スキャン・パス設計を有する同期型の半導体集積回路で
あって、内部クロックと同等の高周波でディレイ・パル
ス試験を行なえる半導体集積回路を提供することにあ
る。
A further object of the present invention is to provide a synchronous semiconductor integrated circuit having a scan path design for fault diagnosis, which is capable of performing a delay pulse test at a high frequency equivalent to an internal clock. To provide.

【0011】[0011]

【課題を解決するための手段及び作用】本発明は、上記
課題を参酌してなされたものであり、その第1の側面
は、スキャン・パス設計された複数の順序回路を含む回
路ブロックで構成され、且つ同期的に動作する半導体集
積回路において、内部回路の動作を検査するためのテス
ト・パターンを外部から受け取るためのテスト・パター
ン入力部と、第1の周期をもつ第1のクロック信号を外
部から受け取るためのクロック入力部と、第1のクロッ
ク信号に基づいて第1の周期よりも短い第2の周期をも
つ第2のクロック信号を発生するクロック発生部と、第
2のクロック信号に基づいて第2の周期だけ間隔をおい
た2つのパルス波からなるディレイ・パルスを発生する
ディレイ・パルス発生部とを含み、該ディレイ・パルス
をクロックに用いてスキャン・パス回路を試験可能なこ
とを特徴とする半導体集積回路である。
The present invention has been made in consideration of the above problems, and a first aspect thereof is configured by a circuit block including a plurality of scan path designed sequential circuits. In a semiconductor integrated circuit that operates synchronously, a test pattern input section for receiving a test pattern for inspecting the operation of an internal circuit from the outside, and a first clock signal having a first cycle are provided. A clock input section for receiving from the outside, a clock generation section for generating a second clock signal having a second cycle shorter than the first cycle based on the first clock signal, and a second clock signal A delay pulse generating section for generating a delay pulse composed of two pulse waves spaced by a second period based on the delay pulse as a clock. A semiconductor integrated circuit, wherein the testable the can path circuit.

【0012】また、本発明の第2の側面は、スキャン・
パス設計された複数の順序回路を含む回路ブロックで構
成され、且つ同期的に動作する半導体集積回路におい
て、内部回路の動作を検査するためのテスト・パターン
を外部から受け取るためのテスト・パターン入力部と、
第1の周期をもつ第1のクロック信号を外部から受け取
るためのクロック入力部と、第1のクロック信号に基づ
いて第1の周期よりも短い第2の周期をもつ第2のクロ
ック信号を発生するクロック発生部と、第2のクロック
信号に基づいて第2の周期だけ遅延時間をおいてパルス
波を順次出力する発生するディレイ・パルス発生部とを
含み、該パルス波をクロックに用いてスキャン・パス回
路を試験可能なことを特徴とする半導体集積回路であ
る。
The second aspect of the present invention is to
A test pattern input unit for receiving a test pattern for inspecting the operation of an internal circuit from the outside in a semiconductor integrated circuit which is composed of a circuit block including a plurality of sequential circuits whose paths are designed and which operates synchronously. When,
A clock input section for receiving a first clock signal having a first cycle from the outside, and generating a second clock signal having a second cycle shorter than the first cycle based on the first clock signal. And a delay pulse generator that sequentially outputs pulse waves with a delay time of a second period based on a second clock signal, and scans using the pulse waves as a clock. -A semiconductor integrated circuit characterized by being able to test a pass circuit.

【0013】また、本発明の第3の側面は、スキャン・
パス設計された複数の順序回路と、内部回路の動作を検
査するためのテスト・パターンを外部から受け取るため
のテスト・パターン入力部と、第1の周期をもつ第1の
クロック信号を外部から受け取るためのクロック入力部
と、第1のクロック信号に基づいて第1の周期よりも短
い第2の周期をもつ第2のクロック信号を発生するクロ
ック発生部とを含み、且つ同期的に動作する半導体集積
回路において、さらに、第2のクロック信号を入力して
第2のクロック信号又は第2の周期だけ遅延時間をおい
た2つのパルス波からなるディレイ・パルスのいずれか
一方を出力する付加的クロック供給部を具備したことを
特徴とする半導体集積回路である。
A third aspect of the present invention is a scan /
A plurality of path-designed sequential circuits, a test pattern input section for receiving a test pattern for inspecting the operation of the internal circuit from the outside, and a first clock signal having a first cycle from the outside And a clock input section for generating a second clock signal having a second cycle shorter than the first cycle based on the first clock signal, and operating synchronously. In the integrated circuit, an additional clock for further inputting the second clock signal and outputting either the second clock signal or the delay pulse composed of two pulse waves having a delay time of the second period. A semiconductor integrated circuit comprising a supply unit.

【0014】また、本発明の第4の側面は、複数の順序
回路を含む回路ブロックで構成される半導体集積回路に
おいて、第1の周期をもつ第1のクロック信号を外部か
ら受け取るためのクロック入力部と、第1のクロック信
号に基づいて第1の周期よりも短い第2の周期をもつ第
2のクロック信号を発生するクロック発生部と、第2の
クロック信号を入力して前記順序回路のタイミングをと
るための第3のクロック信号を生成するためのクロック
信号変換処理部と、を含むことを特徴とする半導体集積
回路である。
Further, a fourth aspect of the present invention is, in a semiconductor integrated circuit composed of a circuit block including a plurality of sequential circuits, a clock input for externally receiving a first clock signal having a first cycle. A clock generator for generating a second clock signal having a second cycle shorter than the first cycle based on the first clock signal, and a second clock signal input to the sequential circuit. And a clock signal conversion processing unit for generating a third clock signal for timing the semiconductor integrated circuit.

【0015】しかして、本発明によれば、比較的低周波
のクロック信号を外部から入力して、入力クロックに基
づいて半導体集積回路の通常動作時と同じ比較的高周波
のクロック信号を内部のクロック発生部(例えばPLL
回路)で発生して、内部クロック信号の周期と同じ遅延
幅をもつディレイ・パルスを生成するようにした。した
がって、該ディレイ・パルスをタイミングとしてスキャ
ン・パス試験すれば、半導体集積回路の通常の動作と同
じAC的な試験を行なえるので、クロック・スキューの
問題も充分検証することができる。
According to the present invention, however, a relatively low frequency clock signal is input from the outside, and the same relatively high frequency clock signal as that during normal operation of the semiconductor integrated circuit is supplied to the internal clock based on the input clock. Generator (eg PLL
Circuit) to generate a delay pulse having the same delay width as the cycle of the internal clock signal. Therefore, if a scan path test is performed using the delay pulse as a timing, the same AC test as the normal operation of the semiconductor integrated circuit can be performed, so that the problem of clock skew can be sufficiently verified.

【0016】本発明のさらに他の目的、特徴や利点は、
後述する本発明の実施例や添付する図面に基づくより詳
細な説明によって明らかになるであろう。
Still other objects, features and advantages of the present invention are as follows.
It will become apparent from the following more detailed description based on the embodiments of the present invention and the accompanying drawings.

【0017】[0017]

【実施例】【Example】

【0018】A.半導体集積回路チップの構成 図1は、本発明を具現した半導体集積回路チップ100
のうち、本発明の要旨に特に関連する構成要素のみを抽
出して示した概観図である。該半導体集積回路チップ1
00は、入出力(I/O)パッド10…と、組合せ回路
ブロック20と、順序回路ブロック30と、PLL回路
40と、付加的クロック回路50とで構成される。
A. Configuration of Semiconductor Integrated Circuit Chip FIG. 1 shows a semiconductor integrated circuit chip 100 embodying the present invention.
FIG. 3 is an overview diagram showing only the components that are particularly relevant to the gist of the present invention. The semiconductor integrated circuit chip 1
00 is composed of input / output (I / O) pads 10, ..., Combination circuit block 20, sequential circuit block 30, PLL circuit 40, and additional clock circuit 50.

【0019】I/Oパッド10は、外囲器端子(図示し
ない)とのボンディング等の便宜のため、チップ100
上の周辺部分に配設されている。I/Oパッドには、外
部からデータを入力するための入力用のパッド、演算処
理結果を外部に出力するための出力用のパッド、外部か
ら同期用のクロック信号を受け取るためのパッドの他
に、スキャン・イン(SI)・パッド11、スキャン・
アウト(SO)・パッド12、TEST_ONパッド13、SEL
ECTパッド14がある。SIパッド11は、順序回路ブ
ロック30の内部状態設定用のシリアル・データを、外
部のLSIテスターから順次入力するためのものであ
る。また、SOパッド12は、順序回路ブロック30内
で形成されたシフト・レジスタの出力を読み取るための
ものである。また、TEST_ONパッド13とSELECTパッド
14は、付加的クロック回路50の動作制御用の信号を
入力するためのものである(後述)。
The I / O pad 10 is provided on the chip 100 for convenience such as bonding with an envelope terminal (not shown).
It is arranged in the upper peripheral portion. The I / O pad includes an input pad for inputting data from the outside, an output pad for outputting the arithmetic processing result to the outside, and a pad for receiving a clock signal for synchronization from the outside. , Scan in (SI) pad 11, scan
Out (SO) pad 12, TEST_ON pad 13, SEL
There is an ECT pad 14. The SI pad 11 is for sequentially inputting serial data for setting the internal state of the sequential circuit block 30 from an external LSI tester. The SO pad 12 is for reading the output of the shift register formed in the sequential circuit block 30. The TEST_ON pad 13 and the SELECT pad 14 are for inputting signals for controlling the operation of the additional clock circuit 50 (described later).

【0020】組合せ回路ブロック20と順序回路ブロッ
ク30は、半導体集積回路チップ100のうちで、実質
的な論理演算を行なう回路部分である。各素子間の配線
は、チップ100の用途に依存する問題であり、本発明
の要旨とは関係ないので詳細な説明は省略する。
The combinational circuit block 20 and the sequential circuit block 30 are circuit portions of the semiconductor integrated circuit chip 100 that perform substantial logical operations. The wiring between the elements is a problem that depends on the application of the chip 100, and is not related to the gist of the present invention, so a detailed description thereof will be omitted.

【0021】順序回路ブロック30は、複数のラッチ回
路(以下、SRL(Shift RegisterLatch)ともいう)
31…で構成されている。一群のSRL31…は、スキ
ャン・パス設計になっており、テスト実行時にはシリア
ル状の接続に切り換わってシフト・レジスタを形成でき
るようになっている。そして、順序回路プロック30全
体としては、SIパッド11を介してシリアル状のデー
タを受け取るとともに、クロックを受け取る毎にSOパ
ッド12からデータを順次出力するようになっている。
The sequential circuit block 30 includes a plurality of latch circuits (hereinafter, also referred to as SRL (Shift Register Latch)).
31 ... The group of SRLs 31 ... Has a scan path design, and can switch to a serial connection to form a shift register at the time of test execution. The sequential circuit block 30 as a whole receives serial data via the SI pad 11 and sequentially outputs data from the SO pad 12 each time a clock is received.

【0022】PLL(Phase Lock Loop)回路40は、
既に周知なように、入力した発振周波数を所定の基準周
波数に一致させることができる回路であり、本実施例で
は、I/Oパッド10から入力した周波数の逓倍のクロ
ック信号を後続の付加的クロック回路50に供給する目
的で、PLL回路40を用いている。すなわち、I/O
パッド10からはなまりを生じない程度の低周波数であ
る33MHzのクロックを入力しておき、PLL回路4
0によって約3倍の100MHzの周波数にロックし
て、後続の付加的クロック回路50にCLK_inとして供給
する訳である。100MHzという周波数は、外部から
は与えにくい程度の高周波であるが、チップ100で内
部的に発生させているので、信号のなまりの問題はな
い。PLL回路40の内部構成は図2に例示してある
(後述)。
A PLL (Phase Lock Loop) circuit 40 is
As is well known, this is a circuit that can match the input oscillation frequency with a predetermined reference frequency. In this embodiment, the clock signal of the frequency multiplied from the I / O pad 10 is added to the subsequent additional clock. The PLL circuit 40 is used for the purpose of supplying the circuit 50. That is, I / O
A clock of 33 MHz, which is a low frequency that does not cause dullness, is input from the pad 10, and the PLL circuit 4
It is locked to a frequency of 100 MHz, which is about three times as high as 0, and is supplied to the subsequent additional clock circuit 50 as CLK_in. The frequency of 100 MHz is a high frequency that is difficult to apply from the outside, but since it is internally generated in the chip 100, there is no problem of signal rounding. The internal structure of the PLL circuit 40 is illustrated in FIG. 2 (described later).

【0023】付加的クロック回路50は、順序回路ブロ
ック30に対して同期用のクロック信号(CLK-out)を
供給するための回路であり、より具体的には、PLL回
路40から内部的に発生したクロック信号(CLK_in)を
受け取って、このクロック周波数と同じ間隔(100M
Hzなら2×10-8秒間)で2発のパルス波を生成し
て、各SRL31…にクロック信号CLK-outとして分配
できるようになっている。これによって、順序回路ブロ
ック30のディレイ・パルス試験をAC的に行なえる訳
である。
The additional clock circuit 50 is a circuit for supplying a clock signal (CLK-out) for synchronization to the sequential circuit block 30, and more specifically, it is internally generated from the PLL circuit 40. Received clock signal (CLK_in), and the same frequency as this clock frequency (100M
In the case of Hz, two pulse waves are generated at 2 × 10 −8 seconds) and can be distributed to each SRL 31 ... As a clock signal CLK-out. As a result, the delay pulse test of the sequential circuit block 30 can be performed in an AC manner.

【0024】また、付加クロック回路50は、I/Oパ
ッド13,14の各々から入力されるTEST_ON信号及びS
ELECT信号によって外部から動作モードを制御できるよ
うになっている。このうち、SELECT信号は、ディレイ・
パルス試験モードか通常のオペレーションかを選択する
ための信号である。すなわち、SELECT信号がハイ(Hig
h)・レベルの間はチップ100は通常のオペレーショ
ン時であり、付加的クロック回路50はPLL回路40
から入力した(例えば100MHzの)クロック信号
(CLK_in)をそのまま各SRL31…に分配する。逆
に、SELECT信号がロー(Low)・レベルの間は、ディレ
イ・パルス試験モード時であり、付加的クロック回路5
0内で発生したクロック(すなわち2発のパルス波から
なるディレイ・パルス)を各SRL31…に分配する。
一方、TEST_ON信号は、付加的クロック回路50に対し
てディレイ・パルス試験の開始を告げるための信号であ
り、付加的クロック回路50はTEST_ON信号がハイ・レ
ベルに遷移したのに応答してディレイ・パルスの生成を
開始するようになっている。付加クロック回路50の内
部構成は図3に例示してある(後述)。
Further, the additional clock circuit 50 has a TEST_ON signal input from each of the I / O pads 13 and 14 and an S signal.
The operation mode can be controlled externally by the ELECT signal. Of these, the SELECT signal is
This is a signal for selecting the pulse test mode or the normal operation. That is, the SELECT signal is high (Hig
h) level, the chip 100 is in normal operation, and the additional clock circuit 50 is the PLL circuit 40.
The clock signal (CLK_in) (for example, 100 MHz) input from the above is directly distributed to each SRL 31 ... On the contrary, when the SELECT signal is at the low level, it is in the delay pulse test mode, and the additional clock circuit 5
A clock generated within 0 (that is, a delay pulse composed of two pulse waves) is distributed to each SRL 31.
On the other hand, the TEST_ON signal is a signal for informing the additional clock circuit 50 of the start of the delay pulse test, and the additional clock circuit 50 delays the delay test in response to the transition of the TEST_ON signal to the high level. It is designed to start pulse generation. The internal configuration of the additional clock circuit 50 is illustrated in FIG. 3 (described later).

【0025】B.PLL回路 図2には、本実施例に利用可能なPLL回路40の構成
を例示している。同図において、PLL回路40は、1
/n分周回路41と、位相比較回路42と、低域フィル
タ43と、アンプ44と、電圧制御発振回路(VCO)
45と、1/m分周回路46とで構成される。
B. PLL Circuit FIG. 2 illustrates the configuration of a PLL circuit 40 that can be used in this embodiment. In the figure, the PLL circuit 40 is
/ N frequency dividing circuit 41, phase comparison circuit 42, low-pass filter 43, amplifier 44, voltage controlled oscillation circuit (VCO)
45 and a 1 / m frequency dividing circuit 46.

【0026】分周回路41,46は周波数を整数分の一
倍にする回路であり、1/n分周回路41はI/Oパッ
ド10を介して外部から入力したクロックの周波数fi
を1/nにし、また、1/m分周回路46はVCO45
が出力した周波数foを1/mにするようになってい
る。位相比較回路42は、各分周回路41,46の出力
周波数fi/n,fo/mを入力し、両者を比較してその
位相差fi/n−fo/mに比例した誤差信号を出力する
ようになっている。この誤差信号は、低域フィルタ43
で低周波のノイズ部分が除去され、アンプ44で増幅さ
れてから、VCO45に制御電圧Vcとして入力される
ようになっている。VCO45は、基準信号のない場合
は固有の発振周波数foを出力するとともに、制御電圧
cに応じて周波数foを変化させるようになっている。
したがって、回路42,43,44,45,46で構成
されるループは、制御電圧Vcが小さくなる方向に出力
周波数foを変化させて、fi/nとfo/mの位相を一
致させるようになっている。そして、fi/n,fo/m
の位相が一致すると、この状態をロックするように作用
し、入力周波数fiの変化に追従して動作するようにな
っている。
The frequency dividing circuits 41 and 46 are circuits for multiplying the frequency by an integer, and the 1 / n frequency dividing circuit 41 has a frequency f i of a clock input from the outside via the I / O pad 10.
To 1 / n, and the 1 / m frequency divider circuit 46 sets the VCO 45
There has been a frequency f o which is output so that the 1 / m. The phase comparison circuit 42 inputs the output frequencies f i / n and f o / m of the frequency dividing circuits 41 and 46, compares them, and outputs an error proportional to the phase difference f i / n−f o / m. It is designed to output a signal. This error signal is a low-pass filter 43.
The low-frequency noise portion is removed by the input signal, is amplified by the amplifier 44, and is then input to the VCO 45 as the control voltage V c . VCO45, together with the absence of the reference signal and outputs the inherent oscillation frequency f o, and is adapted to change the frequency f o in accordance with the control voltage V c.
Therefore, the loop formed by the circuits 42, 43, 44, 45, and 46 changes the output frequency f o in the direction in which the control voltage V c decreases, and the phases of f i / n and f o / m match. It is designed to let you. And f i / n, f o / m
When the phases of the two coincide with each other, they act to lock this state, and operate by following changes in the input frequency f i .

【0027】PLL回路40がロック状態では、入力周
波数fiと出力周波数foとの間には下式(1) fi/n = fo/m … (1) が成立するので、VCO45の出力周波数foは、下式
(2)の値にロックされることになる。 fo = m・fi/n … (2)
When the PLL circuit 40 is in the locked state, the following equation (1) f i / n = f o / m (1) is established between the input frequency f i and the output frequency f o . the output frequency f o is, the following formula
It will be locked to the value of (2). f o = m · f i / n ... (2)

【0028】本実施例では、外部からの入力クロックf
iは33MHzなので、m/n=3となるように各分周
回路41,46のパラメータを設定することによって、
チップ100の内部クロック100MHzのクロック信
号CLK_inを生成することができる訳である。
In this embodiment, an external input clock f
Since i is 33 MHz, by setting the parameters of the frequency dividing circuits 41 and 46 so that m / n = 3,
That is, the clock signal CLK_in having an internal clock of the chip 100 of 100 MHz can be generated.

【0029】なお、PLL回路自体は、前述したように
既に周知であり、図2に示す構成に限定されるものでは
ない。
The PLL circuit itself is already well known as described above, and is not limited to the configuration shown in FIG.

【0030】C.付加的クロック回路 図3には、本実施例に利用可能な付加的クロック回路5
0の詳細な構成を例示している。同図において、付加的
クロック回路50は、6個のDフリップ・フロップ(D
FF)51,52,53,54,55,56と、NOT
ゲート61と、4個のANDゲート62,63,64,
65と、ORゲート66と、セレクタ回路67とで構成
される。
C. Additional Clock Circuit FIG. 3 shows an additional clock circuit 5 usable in this embodiment.
0 illustrates a detailed configuration of 0. In the figure, the additional clock circuit 50 includes six D flip-flops (D
FF) 51, 52, 53, 54, 55, 56 and NOT
Gate 61 and four AND gates 62, 63, 64,
65, an OR gate 66, and a selector circuit 67.

【0031】各DFF51…は、入力信号を次のクロッ
ク・パルスまで遅らせて出力する遅延回路である(周
知)。DFF51,52,55はPLL回路40の出力
(CLK_in)をそのままCLK端子に入れ、その他のDF
F53,54,56はNOTゲート61を介してCKL_in
をCLK端子に反転入力している。DFF51は、外部
からのTEST_ON信号を入力して、その出力QをANDゲ
ート62の一方の入力端子とDFF52とに与えるてい
る。DFF52は、その反転出力NQをANDゲート6
2の他方の入力端子に与えている。ANDゲート62
は、DFF51の出力Q(DFF51_Q)とDFF5
2の反転出力NQ(DFF52_NQ)の論理積を、D
FF55とANDゲート64の双方に入れている。DF
F55は、その出力QをANDゲート65の入力端子の
一方に与えている。DFF53は、DFF51同様にTE
ST_ON信号を入力して、その出力QをANDゲート63
の一方の入力端子とDFF54とに与えている。DFF
54は、その反転出力NQをANDゲート63の他方の
入力端子に与えている。ANDゲート63は、DFF5
3の出力Q(DFF53_Q)とDFF54の反転出力
NQ(DFF54_NQ)の論理積を、DFF56とA
NDゲート64の双方に入れている。ANDゲート64
は、ANDゲート62の出力とANDゲート63の出力
の論理積をORゲート66の一方の入力端子に入れてい
る。DFF56は、その出力QをANDゲート65の他
方の入力端子に与えている。ANDゲート65は、DF
F55の出力Q(DFF55_Q)とDFF56の出力
Q(DFF56_Q)の論理積をORゲート66の他方
の入力端子に入れている。ORゲート66は、ANDゲ
ート64,65の各出力の論理和をとってセレクタ回路
67の入力端子Aに入れている。セレクタ回路67は、
さらに、入力端子BにPLL回路40の出力CLK_inを入
れるとともに、S入力端子に外部からのSELECT信号を入
れており、入力Sのレベルに応じて入力A,Bのいずれ
か一方のみを選択的に出力するようになっている。より
具体的には、SELECT信号がハイ・レベルの間(すなわち
通常のオペレーション時)は入力Bをそのまま出力し、
逆にSELECT信号がロー・レベルの間(すなわちディレイ
・パルス試験時)は入力A(すなわちORゲート67の
出力)を出力するようになっている。そして、セレクタ
回路67の出力は、チップ100内の同期用クロック信
号(CLK_out)として、順序回路ブロック30の各ラツ
チ回路31…に分配されるようになっている。
Each of the DFFs 51 ... Is a delay circuit which delays the input signal until the next clock pulse and outputs it (well known). The DFFs 51, 52 and 55 put the output (CLK_in) of the PLL circuit 40 into the CLK terminal as it is, and other DF
F53, 54, and 56 are CKL_in via the NOT gate 61.
Is inverted to the CLK terminal. The DFF 51 receives a TEST_ON signal from the outside and supplies its output Q to one input terminal of the AND gate 62 and the DFF 52. The DFF 52 outputs the inverted output NQ to the AND gate 6
2 is applied to the other input terminal. AND gate 62
Is the output Q (DFF51_Q) of DFF51 and DFF5
The logical product of the inverted output NQ (DFF52_NQ) of 2 is D
It is put in both the FF 55 and the AND gate 64. DF
The F55 gives its output Q to one of the input terminals of the AND gate 65. The DFF53 is a TE like the DFF51.
Input ST_ON signal and output Q to AND gate 63
It is given to one of the input terminals and the DFF 54. DFF
54 applies the inverted output NQ to the other input terminal of the AND gate 63. The AND gate 63 has a DFF5
The logical product of the output Q (DFF53_Q) of 3 and the inverted output NQ (DFF54_NQ) of the DFF54 is calculated as DFF56 and A
It is put in both of the ND gates 64. AND gate 64
Inputs the logical product of the output of the AND gate 62 and the output of the AND gate 63 into one input terminal of the OR gate 66. The DFF 56 gives its output Q to the other input terminal of the AND gate 65. AND gate 65 is DF
The logical product of the output Q (DFF55_Q) of the F55 and the output Q (DFF56_Q) of the DFF 56 is input to the other input terminal of the OR gate 66. The OR gate 66 takes the logical sum of the outputs of the AND gates 64 and 65 and puts it in the input terminal A of the selector circuit 67. The selector circuit 67 is
Furthermore, the output CLK_in of the PLL circuit 40 is input to the input terminal B, and the SELECT signal from the outside is input to the S input terminal, and only one of the inputs A and B is selectively selected according to the level of the input S. It is designed to output. More specifically, while the SELECT signal is at a high level (that is, during normal operation), the input B is directly output,
Conversely, the input A (that is, the output of the OR gate 67) is output while the SELECT signal is at the low level (that is, during the delay pulse test). The output of the selector circuit 67 is distributed as a synchronizing clock signal (CLK_out) in the chip 100 to each latch circuit 31 ... Of the sequential circuit block 30.

【0032】図4には、付加的クロック回路50内の各
DFF51…等のタイミング・チャートを、ディレイ・
パルス試験時(図4(a))と通常のオペレーション時
(図4(b))とに分けて示している。
FIG. 4 shows a timing chart of the DFFs 51 ... In the additional clock circuit 50.
The pulse test (Fig. 4 (a)) and the normal operation (Fig. 4 (b)) are shown separately.

【0033】ディレイ・パルス試験を行なう場合、図4
(a)に示すように、ロー・レベルのSELECT信号が入力さ
れている。TEST_ON信号がハイ・レベルに遷移すると、
DFF51は次のクロックの立ち上がり(T1)に同期
してその出力Qをハイ・レベルに転じる。DFF52
は、DFF51_Qを受け取って、その次のクロックの
立ち上がり(T3)に同期してその反転出力NQをロー
・レベルに転じる。そして、ANDゲート62は、DF
F51_QとDFF52_NQの論理積をとって、T1
〜T3の間だけハイ・レベルを出力する。一方、DFF
53は、クロックCLK_inを反転入力しているので、TEST
_ON信号がハイ・レベルに遷移した後最初のクロックの
立ち下がり(T2)に同期してその出力Qをハイ・レベ
ルに転じる。DFF54は、DFF53_Qを受け取っ
て、次のクロックの立ち下がり(T4)に同期してその
反転出力NQをロー・レベルに転じる。そして、AND
ゲート63は、DFF53_QとDFF54_NQの論
理積をとって、T2〜T4の間だけハイ・レベルを出力す
る。さらに、ANDゲート64は、ANDゲート62,
63の論理積をとって、時刻T2〜T3の間だけハイ・レ
ベルを出力する。DFF55は、ANDゲート62の出
力がハイ・レベルに転じた後最初のクロックの立ち上が
り(T3)に同期してその出力Qをハイ・レベルに転
じ、さらにその次のクロックの立ち上がり(T5)に同
期してその出力Qをロー・レベルに戻す。また、DFF
56は、ANDゲート63の出力がハイ・レベルに転じ
た後最初のクロックの立ち下がり(T4)に同期してそ
の出力Qをハイ・レベルに転じ、さらにその次のクロッ
クの立ち下がり(T6)に同期してその出力Qをロー・
レベルに戻す。ANDゲート65は、DFF55_Qと
DFF56_Qの論理積をとって、時刻T4〜T5の間だ
けハイ・レベルを出力する。そして、ORゲート66
は、ANDゲート64,65の論理和をとって、時刻T
2〜T3及びT4〜T5の間にハイ・レベルを出力する。こ
の場合、SELECT信号はロー・レベルなので、セレクタ回
路67はORゲート66の出力を選択的してCLK_outと
して出力する。したがって、付加的クロック回路50の
出力CLK_outは、通常のクロック信号CLK-inと同じ間隔
をおいた2発のパルス波となるのである。
When performing the delay / pulse test, FIG.
As shown in (a), a low-level SELECT signal is input. When the TEST_ON signal goes high,
The DFF 51 turns its output Q to a high level in synchronization with the next rising edge (T 1 ) of the clock. DFF52
Receives the DFF 51_Q and turns its inverted output NQ to a low level in synchronization with the next rising edge (T 3 ) of the clock. Then, the AND gate 62 outputs the DF
The logical product of F51_Q and DFF52_NQ is calculated to obtain T 1
Outputs high level only during ~ T 3 . On the other hand, DFF
Since 53 is inverting the clock CLK_in, TEST
After the _ON signal transits to the high level, its output Q is switched to the high level in synchronization with the first falling edge (T 2 ) of the clock. The DFF 54 receives the DFF 53_Q and turns its inverted output NQ to a low level in synchronization with the next falling edge (T 4 ) of the clock. And AND
The gate 63 takes the logical product of DFF53_Q and DFF54_NQ, outputs only high for the T 2 through T 4. Further, the AND gate 64 includes the AND gate 62,
The logical product of 63 is taken and the high level is output only during the time T 2 to T 3 . The DFF 55 turns its output Q to a high level in synchronization with the rising edge (T 3 ) of the first clock after the output of the AND gate 62 has turned to a high level, and further rises the next clock (T 5 ). The output Q is returned to the low level in synchronization with. Also, DFF
The reference numeral 56 changes its output Q to a high level in synchronization with the falling edge (T 4 ) of the first clock after the output of the AND gate 63 has changed to a high level, and the falling edge of the next clock (T 4 ). 6 ) its output Q goes low
Return to level. AND gate 65 takes the logical product of DFF55_Q and DFF56_Q, only during the time T 4 through T 5 outputs a high level. Then, the OR gate 66
Takes the logical sum of the AND gates 64 and 65 to obtain the time T
Outputs a high level between 2 through T 3 and T 4 through T 5. In this case, since the SELECT signal is at the low level, the selector circuit 67 selectively outputs the output of the OR gate 66 as CLK_out. Therefore, the output CLK_out of the additional clock circuit 50 becomes two pulse waves with the same interval as the normal clock signal CLK-in.

【0034】一方、通常のオペレーション時には、図4
(b)に示すように、ハイ・レベルのSELECT信号が入力さ
れている。この場合も、付加的クロック回路50内のD
FF51…等は、図4(a)と同様に動作するが、セレク
タ回路67は入力B、すなわち通常のクロック信号CLK-
inをそのままCLK-outとして出力する。
On the other hand, during normal operation, FIG.
As shown in (b), the high level SELECT signal is input. Also in this case, D in the additional clock circuit 50
The FFs 51 ... Operate in the same manner as in FIG. 4A, but the selector circuit 67 uses the input B, that is, the normal clock signal CLK-.
Output in as it is as CLK-out.

【0035】なお、入力クロックと同じ周期のパルス波
を生成すること自体は当業者には容易に設計・製作でき
る事柄であり、付加的クロック回路50は図3に示した
構成に限定されるものではない。
The generation of the pulse wave having the same period as the input clock is a matter which can be easily designed and manufactured by those skilled in the art, and the additional clock circuit 50 is limited to the configuration shown in FIG. is not.

【0036】本実施例に係る半導体集積回路100は、
PLL回路40や付加的クロック回路50を1チップ内
に含むものである。すなわち、LSI本来の論理回路以
外の回路部分のために貴重な実装面積を割くことにな
り、その分材料費等のコスト・アップにつながる。しか
しながら、PLL回路40や付加的クロック回路50を
内部に備えることによって、実際の動作と同じ速度でA
C的なディレイ・パルス試験を行なうことができ、不良
ウェーハ/不良チップを回路製造プロセスの早期段階で
見つけ出し除去できる。したがって、不良品のための余
分な製造コストを省くことができるので、本発明のメリ
ットは実装面積上のデメリットに対しては余りがあると
言えよう。
The semiconductor integrated circuit 100 according to this embodiment is
The PLL circuit 40 and the additional clock circuit 50 are included in one chip. That is, a valuable mounting area is occupied for a circuit portion other than the original logic circuit of the LSI, which leads to an increase in cost such as material cost. However, by providing the PLL circuit 40 and the additional clock circuit 50 in the inside, the A speed is the same as the actual operation.
A C-like delay pulse test can be performed, and a defective wafer / chip can be found and removed at an early stage of the circuit manufacturing process. Therefore, it is possible to omit an extra manufacturing cost for defective products, so that it can be said that the merit of the present invention is more than the demerit in mounting area.

【0037】以上、特定の実施例を参照しながら、本発
明について詳解してきた。しかしながら、本発明の要旨
を逸脱しない範囲で当業者が該実施例の修正や代用を成
し得ることは自明である。すなわち、例示という形態で
本発明を開示してきたのであり、限定的に解釈されるべ
きではない。本発明の要旨を判断するためには、冒頭に
記載した特許請求の範囲の欄を参酌すべきである。
The present invention has been described in detail above with reference to the specific embodiments. However, it is obvious that those skilled in the art can modify or substitute the embodiments without departing from the scope of the present invention. That is, the present invention has been disclosed in the form of exemplification, and should not be limitedly interpreted. In order to determine the gist of the present invention, the section of the claims described at the beginning should be taken into consideration.

【0038】[0038]

【発明の効果】以上詳記したように、本発明によれば、
内部クロックと同等の高周波でディレイ・パルス試験を
行なえるスキャン・パス設計の同期式半導体集積回路を
提供することができる。
As described above in detail, according to the present invention,
It is possible to provide a synchronous semiconductor integrated circuit with a scan path design that can perform a delay pulse test at a high frequency equivalent to an internal clock.

【0039】したがって、本発明に係る半導体集積装置
は、比較的低周波のクロック信号を外部から入力して、
入力クロックに基づいて通常動作時と同じ比較的高周波
のクロック信号を内部のクロック発生部(例えばPLL
回路)で発生して、内部クロック信号の周期と同じ遅延
幅をもつディレイ・パルスを生成するようにした。した
がって、該ディレイ・パルスをタイミングとしてスキャ
ン・パス試験すれば、半導体集積回路の通常の動作と同
じAC的な試験を行なえるので、クロック・スキューの
問題も充分検証することができるのである。
Therefore, in the semiconductor integrated device according to the present invention, a relatively low frequency clock signal is input from the outside,
Based on the input clock, a relatively high frequency clock signal, which is the same as that during normal operation, is supplied to the internal clock generator (eg PLL
Circuit) to generate a delay pulse having the same delay width as the cycle of the internal clock signal. Therefore, if a scan path test is performed using the delay pulse as a timing, the same AC test as the normal operation of the semiconductor integrated circuit can be performed, so that the problem of clock skew can be sufficiently verified.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】図1は、本発明を具現した半導体集積回路のう
ち、本発明の要旨に特に関連する構成要素のみを抽出し
て示した概観図である。
FIG. 1 is a schematic view showing, of a semiconductor integrated circuit embodying the present invention, only constituent elements particularly relevant to the gist of the present invention.

【図2】図2は、半導体集積回路100に利用可能なP
LL回路の構成を例示した図である。
FIG. 2 is a diagram illustrating a P that can be used in a semiconductor integrated circuit 100.
It is the figure which illustrated the structure of the LL circuit.

【図3】図3は、付加的クロック回路50の構成を示し
た図である。
FIG. 3 is a diagram showing a configuration of an additional clock circuit 50.

【図4】図4は、付加的クロック回路50内の各フリッ
プ・フロップのタイミング・チャートを示した図であ
り、より具体的には、図4(a)はディレイ・パルス試験
時のタイミング・チャートを示す図、図4(b)は通常の
オペレーション時のタイミング・チャートを示す図であ
る。
FIG. 4 is a diagram showing a timing chart of each flip-flop in the additional clock circuit 50. More specifically, FIG. 4 (a) shows a timing chart in the delay pulse test. FIG. 4B is a diagram showing a chart, and FIG. 4B is a diagram showing a timing chart during normal operation.

【図5】図5(a)はスキャン・パス設計された回路の一
部を模式的に描いた図であり、図5(b)はディレイ・パ
ルス試験する際にクロックに入力する信号(ディレイ・
パルス)のチャートを示した図である。
FIG. 5 (a) is a diagram schematically illustrating a part of a circuit having a scan path design, and FIG. 5 (b) is a signal (delay) input to a clock when a delay pulse test is performed.・
It is the figure which showed the chart of (pulse).

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10…I/Oパッド、11…SIパッド、12…SOパ
ッド、13…TEST_ONパッド、14…SELECTパッド、2
0…組合せ回路ブロック、30…順序回路ブロック、4
0…PLL回路、41…1/n分周回路、42…位相比
較回路、43…低域フィルタ、44…アンプ、45…電
圧制御発振回路、46…1/m分周回路、50…付加的
クロック回路、51,52,53,54,55,56…
Dフリップ・フロップ、61…NOTゲート、62,6
3,64,65…ANDゲート、66…ORゲート、6
7…セレクタ回路、100…半導体集積回路。
10 ... I / O pad, 11 ... SI pad, 12 ... SO pad, 13 ... TEST_ON pad, 14 ... SELECT pad, 2
0 ... Combination circuit block, 30 ... Sequential circuit block, 4
0 ... PLL circuit, 41 ... 1 / n frequency divider circuit, 42 ... Phase comparator circuit, 43 ... Low-pass filter, 44 ... Amplifier, 45 ... Voltage controlled oscillator circuit, 46 ... 1 / m frequency divider circuit, 50 ... Additional Clock circuit, 51, 52, 53, 54, 55, 56 ...
D flip-flop, 61 ... NOT gate, 62, 6
3, 64, 65 ... AND gate, 66 ... OR gate, 6
7 ... Selector circuit, 100 ... Semiconductor integrated circuit.

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】スキャン・パス設計された複数の順序回路
を含む回路ブロックで構成され、且つ同期的に動作する
半導体集積回路において、内部回路の動作を検査するた
めのテスト・パターンを外部から受け取るためのテスト
・パターン入力部と、第1の周期をもつ第1のクロック
信号を外部から受け取るためのクロック入力部と、第1
のクロック信号に基づいて第1の周期よりも短い第2の
周期をもつ第2のクロック信号を発生するクロック発生
部と、第2のクロック信号に基づいて第2の周期だけ間
隔をおいた2つのパルス波からなるディレイ・パルスを
発生するディレイ・パルス発生部とを含み、該ディレイ
・パルスをクロックに用いてスキャン・パス回路を試験
可能なことを特徴とする半導体集積回路。
1. A semiconductor integrated circuit which is composed of a circuit block including a plurality of sequential circuits having a scan path design and which operates synchronously receives a test pattern for inspecting the operation of an internal circuit from the outside. A test pattern input section for receiving a first clock signal having a first period from the outside, and a first pattern
A clock generator that generates a second clock signal having a second cycle shorter than the first cycle based on the second clock signal, and a second cycle spaced based on the second clock signal. A semiconductor integrated circuit, comprising: a delay pulse generator that generates a delay pulse composed of two pulse waves, and a test of a scan path circuit using the delay pulse as a clock.
【請求項2】スキャン・パス設計された複数の順序回路
を含む回路ブロックで構成され、且つ同期的に動作する
半導体集積回路において、内部回路の動作を検査するた
めのテスト・パターンを外部から受け取るためのテスト
・パターン入力部と、第1の周期をもつ第1のクロック
信号を外部から受け取るためのクロック入力部と、第1
のクロック信号に基づいて第1の周期よりも短い第2の
周期をもつ第2のクロック信号を発生するクロック発生
部と、第2のクロック信号に基づいて第2の周期だけ遅
延時間をおいてパルス波を順次出力する発生するディレ
イ・パルス発生部とを含み、該パルス波をクロックに用
いてスキャン・パス回路を試験可能なことを特徴とする
半導体集積回路。
2. A semiconductor integrated circuit which is composed of circuit blocks including a plurality of sequential circuits having a scan path design and which operates synchronously, receives a test pattern for inspecting the operation of an internal circuit from the outside. A test pattern input section for receiving a first clock signal having a first period from the outside, and a first pattern
A clock generator that generates a second clock signal having a second cycle shorter than the first cycle based on the second clock signal, and a delay time of a second cycle based on the second clock signal. A semiconductor integrated circuit comprising: a delay pulse generator that sequentially outputs pulse waves, and a test of a scan path circuit using the pulse waves as a clock.
【請求項3】スキャン・パス設計された複数の順序回路
と、内部回路の動作を検査するためのテスト・パターン
を外部から受け取るためのテスト・パターン入力部と、
第1の周期をもつ第1のクロック信号を外部から受け取
るためのクロック入力部と、第1のクロック信号に基づ
いて第1の周期よりも短い第2の周期をもつ第2のクロ
ック信号を発生するクロック発生部とを含み、且つ同期
的に動作する半導体集積回路において、さらに、第2の
クロック信号を入力して第2のクロック信号又は第2の
周期だけ遅延時間をおいた2つのパルス波からなるディ
レイ・パルスのいずれか一方を出力する付加的クロック
供給部を具備したことを特徴とする半導体集積回路。
3. A plurality of scan path designed sequential circuits, and a test pattern input section for receiving a test pattern for inspecting the operation of an internal circuit from the outside.
A clock input section for receiving a first clock signal having a first cycle from the outside, and generating a second clock signal having a second cycle shorter than the first cycle based on the first clock signal. And a pulse generator having a delay time of the second clock signal or the second period, the semiconductor integrated circuit including a clock generating section for operating in synchronization with the second clock signal. 2. A semiconductor integrated circuit comprising an additional clock supply unit for outputting either one of the delay pulses consisting of
【請求項4】前記付加的クロック供給部は、スキャン・
パス・テストを行なうときのみディレイ・パルスを出力
し、それ以外の期間は第2のクロック信号をそのまま出
力することを特徴とする請求項3に記載の半導体集積回
路。
4. The additional clock supply unit comprises a scan
4. The semiconductor integrated circuit according to claim 3, wherein the delay pulse is output only when performing the path test, and the second clock signal is output as it is during the other period.
【請求項5】複数の順序回路を含む回路ブロックで構成
される半導体集積回路において、第1の周期をもつ第1
のクロック信号を外部から受け取るためのクロック入力
部と、第1のクロック信号に基づいて第1の周期よりも
短い第2の周期をもつ第2のクロック信号を発生するク
ロック発生部と、第2のクロック信号を入力して前記順
序回路のタイミングをとるための第3のクロック信号を
生成するためのクロック信号変換処理部と、を含むこと
を特徴とする半導体集積回路。
5. A semiconductor integrated circuit comprising a circuit block including a plurality of sequential circuits, wherein the first integrated circuit has a first cycle.
A clock input section for receiving the second clock signal from the outside, a clock generating section for generating a second clock signal having a second cycle shorter than the first cycle based on the first clock signal, and a second And a clock signal conversion processing unit for generating a third clock signal for timing the sequential circuit by inputting the clock signal.
【請求項6】前記クロック信号変換処理部は、第2の周
期だけ間隔をおいた2つのパルス波からなるディレイ・
パルスを生成することを特徴とする請求項5に記載の半
導体集積回路。
6. The clock signal conversion processing unit comprises a delay circuit composed of two pulse waves spaced by a second period.
The semiconductor integrated circuit according to claim 5, wherein a pulse is generated.
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