JPH08193882A - Optical signal detector - Google Patents
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、安定した動作状態で微
弱な光の変化を検出することができる光信号検出装置に
関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an optical signal detecting device capable of detecting a weak light change in a stable operating state.
【0002】[0002]
【従来の技術】従来、コンパクトディスク装置、ミニデ
ィスク装置等といった光記録媒体を処理する装置(以
下、「光応用装置」という)においては、光を光記録媒
体に照射することによって得られた光信号を電気信号に
変換し、この電気信号によって光応用装置自体の制御、
あるいは光記録媒体に記録された情報の記録・再生等を
行う。また、かかる光応用装置においては、光記録媒体
に光を照射することにより得られる反射光あるいは透過
光の強弱の変化、光スポットの形状の変化、光スポット
の相対的位置の変化等を検出することによって各種情報
を得ている。2. Description of the Related Art Conventionally, in a device for processing an optical recording medium such as a compact disc device or a mini disc device (hereinafter referred to as "optical application device"), the light obtained by irradiating the optical recording medium with light is obtained. The signal is converted into an electric signal, and the optical application device itself is controlled by this electric signal.
Alternatively, recording / reproduction of information recorded on the optical recording medium is performed. Further, in such an optical application device, a change in intensity of reflected light or transmitted light obtained by irradiating an optical recording medium with light, a change in shape of a light spot, a change in relative position of a light spot, etc. are detected. Various information is obtained by this.
【0003】従来の光応用装置に用いられる光ピックア
ップの一般的な光信号検出回路の一部を図8の(A)に
示す。図8の(A)に示した構成においてトラッキング
エラー信号を検出する場合を例にとり、光応用装置の動
作を以下に説明する。光記録媒体から反射された光又は
光記録媒体を透過した光は、図示しない光学系によって
半導体受光素子(例えばフォトダイオードやフォトトラ
ンジスタ)から構成された光検出器E及び光検出器Fの
上に結像される。これにより光検出器E,Fでは、照射
された光量に応じた電流が生成し、電流信号として出力
される。この光検出器E,Fから出力された各電流信号
は、電流−電圧変換器(I−V変換器)で電圧信号に変
換された後、演算増幅器OP1に供給される。そして、
演算増幅器OP1において両電圧信号の差がとられ、ト
ラッキングエラー信号として図示しない次段の回路へ供
給される。尚、トラッキングエラー信号は、図8の
(B)に示すようにオフセット値を有しているので、次
段の回路においてオフセット値の処理を必要とする。FIG. 8A shows a part of a general optical signal detection circuit of an optical pickup used in a conventional optical application apparatus. The operation of the optical application apparatus will be described below by taking as an example the case where the tracking error signal is detected in the configuration shown in FIG. The light reflected from the optical recording medium or the light transmitted through the optical recording medium is transferred onto a photodetector E and a photodetector F formed of semiconductor light receiving elements (for example, photodiodes and phototransistors) by an optical system (not shown). It is imaged. As a result, in the photodetectors E and F, a current according to the amount of light emitted is generated and output as a current signal. The current signals output from the photodetectors E and F are converted into voltage signals by a current-voltage converter (IV converter) and then supplied to the operational amplifier OP 1 . And
The difference between the two voltage signals is taken in the operational amplifier OP 1 and is supplied to the circuit of the next stage (not shown) as a tracking error signal. Since the tracking error signal has an offset value as shown in FIG. 8B, it is necessary to process the offset value in the circuit at the next stage.
【0004】[0004]
【発明が解決しようとする課題】ところで、近年の光記
録媒体における記録密度は飛躍的に増大し、これに伴い
光検出器から出力される電流信号も微弱になってきてい
る。電流信号が微弱になると、周囲の環境からのノイズ
によって電流信号は大きな影響を受ける。例えば、光検
出器からI−V変換器までの配線に流れる電流信号は周
辺回路の信号によって影響を受け易くなり、S/N比が
悪化する。同様のことが、I−V変換器から演算増幅器
までの配線についてもいえる。By the way, the recording density of optical recording media in recent years has dramatically increased, and along with this, the current signal output from the photodetector has become weak. When the current signal becomes weak, noise from the surrounding environment greatly affects the current signal. For example, the current signal flowing in the wiring from the photodetector to the IV converter is easily affected by the signal of the peripheral circuit, and the S / N ratio deteriorates. The same applies to the wiring from the IV converter to the operational amplifier.
【0005】また、I−V変換器や演算増幅器自体も、
或る程度の電気特性ばらつきを有するので、光検出器か
ら得られる電流信号が微弱になると、その感度の相違に
起因して正常な信号が得られなくなるという不都合が生
じる。特に、光磁気効果(Magnetic Kerr Effect)を用
いたシステムでは、光学系から得られる光信号の変化が
微弱なため、光検出器から出力される電流信号も微小と
なり、後段の回路における信号の処理が難しいという問
題がある。Also, the IV converter and the operational amplifier itself are
Since there is a certain degree of variation in electrical characteristics, when the current signal obtained from the photodetector becomes weak, there arises the disadvantage that a normal signal cannot be obtained due to the difference in sensitivity. In particular, in a system using the magneto-optical effect (Magnetic Kerr Effect), since the change in the optical signal obtained from the optical system is weak, the current signal output from the photodetector is also small, and the signal processing in the circuit in the subsequent stage is small. There is a problem that it is difficult.
【0006】従って、本発明の目的は、微弱な光信号の
変化を安定した動作状態で確実に検出することができる
光信号検出装置を提供することにある。SUMMARY OF THE INVENTION Therefore, an object of the present invention is to provide an optical signal detecting device capable of surely detecting a weak change in an optical signal in a stable operating state.
【0007】[0007]
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに本発明の光信号検出装置は、基本構成のブロック図
を図1に示すように、第1の受光素子と、第2の受光素
子と、電流源とを備え、第1の受光素子及び第2の受光
素子の一端部は電流源に接続されており、第1の受光素
子の他端部に第1の出力端子が設けられ、第2の受光素
子の他端部に第2の出力端子が設けられていることを特
徴とする。In order to achieve the above object, the optical signal detecting device of the present invention has a first light receiving element and a second light receiving device, as shown in the block diagram of the basic structure of FIG. An element and a current source, one end of each of the first light receiving element and the second light receiving element is connected to the current source, and a first output terminal is provided at the other end of the first light receiving element. A second output terminal is provided at the other end of the second light receiving element.
【0008】本発明の光信号検出装置においては、第1
又は第2の受光素子の何れか一方の他端部に負荷が接続
されており、第1又は第2の受光素子と負荷との間に第
1又は第2の出力端子が設けられていることが好まし
い。In the optical signal detecting device of the present invention, the first
Alternatively, the load is connected to the other end of either one of the second light receiving elements, and the first or second output terminal is provided between the first or second light receiving element and the load. Is preferred.
【0009】あるいは又、図1に示すように、第1及び
第2の受光素子の双方の他端部のそれぞれに第1及び第
2の負荷が接続されており、第1及び第2の受光素子と
第1及び第2の負荷との間のそれぞれに第1及び第2の
出力端子が設けられていることが好ましい。即ち、第1
の負荷と第1の受光素子とが直列に接続された回路と、
第2の負荷と第2の受光素子とが直列に接続され回路と
が並列に接続され、この2つの回路の受光素子側の接続
点に電流源を接続し、第1の負荷と第1の受光素子との
接続点に第1の電圧出力端子を、第2の負荷と第2の受
光素子との接続点に第2の電圧出力端子をそれぞれ設け
ることが好ましい。Alternatively, as shown in FIG. 1, first and second loads are connected to the other end portions of both the first and second light receiving elements, respectively, and the first and second light receiving elements are connected. It is preferable that first and second output terminals are provided between the element and the first and second loads, respectively. That is, the first
A circuit in which the load and the first light receiving element are connected in series,
The second load and the second light receiving element are connected in series and the circuit is connected in parallel. A current source is connected to a connection point on the light receiving element side of these two circuits, and the first load and the first load are connected. It is preferable to provide a first voltage output terminal at a connection point with the light receiving element and a second voltage output terminal at a connection point with the second load and the second light receiving element.
【0010】第1の受光素子又は第2の受光素子は、単
一の受光素子から構成することができる他、複数の受光
素子を直列に接続して構成することもできる。あるいは
又、第1の受光素子又は第2の受光素子は、複数の受光
素子を並列に接続して構成することもできる。受光素子
は、CdSセル、Geセル、Siセル、PbSセル、P
bSeセル、InAsセル、InSbセル、HgCdT
eセル等の光導電型受光素子、あるいは、光起電力型素
子であるフォトダイオード又はフォトトランジスタから
成ることが好ましい。フォトダイオードとして、例えば
pn接合フォトダイオード、pin接合フォトダイオー
ド、アバランシェ・フォトダイオード等を挙げることが
できる。The first light receiving element or the second light receiving element can be composed of a single light receiving element or a plurality of light receiving elements connected in series. Alternatively, the first light receiving element or the second light receiving element can be configured by connecting a plurality of light receiving elements in parallel. The light receiving element is a CdS cell, Ge cell, Si cell, PbS cell, P
bSe cell, InAs cell, InSb cell, HgCdT
It is preferably composed of a photoconductive type light receiving element such as an e-cell, or a photodiode or phototransistor which is a photovoltaic element. Examples of the photodiode include a pn junction photodiode, a pin junction photodiode, and an avalanche photodiode.
【0011】[0011]
【作用】本発明の光信号検出装置においては、第1の受
光素子と第2の受光素子とを差動動作させ、照射された
光量に応じて第1の受光素子で発生した電流と、第2の
受光素子で発生した電流との差を電圧信号として取り出
す。しかも、第1の受光素子及び第2の受光素子はそれ
ぞれ照射された光量に応じた電流を発生する。そして、
これら第1の受光素子及び第2の受光素子で発生した各
電流は、電流源で規制されて差動で流れる。In the optical signal detecting device of the present invention, the first light receiving element and the second light receiving element are differentially operated, and the current generated in the first light receiving element is adjusted in accordance with the amount of light emitted, The difference from the current generated by the second light receiving element is extracted as a voltage signal. Moreover, each of the first light receiving element and the second light receiving element generates a current according to the amount of light emitted. And
The respective currents generated in the first light receiving element and the second light receiving element are regulated by the current source and flow differentially.
【0012】第1の受光素子で発生した電流が例えば第
1の負荷を流れることによって、第1の負荷の両端には
第1の受光素子に照射された光量に応じた電圧が発生
し、これが第1の出力端子に現れる。同様に、第2の受
光素子で発生し電流が例えば第2の負荷を流れることに
よって、第2の負荷の両端には第2の受光素子に照射さ
れた光量に応じた電圧が発生し、これが第2の出力端子
に現れる。従って、これら第1及び第2の出力端子の間
に現れる電圧は、第1の受光素子に照射された光量と第
2の受光素子に照射された光量との差を反映した電圧と
なる。これら第1及び第2の出力端子の間に現れる電圧
は、図8の(A)に示した従来の演算増幅器OP1の出
力と同等のものである。尚、少なくとも一方の受光素子
に負荷を設ければ、第1及び第2の出力端子の間に現れ
る電圧は、第1の受光素子に照射された光量と第2の受
光素子に照射された光量との差を反映した電圧となる。When the current generated in the first light receiving element flows through the first load, for example, a voltage corresponding to the amount of light applied to the first light receiving element is generated across the first load, and this voltage is generated. Appears at the first output terminal. Similarly, when the current generated in the second light receiving element flows through the second load, for example, a voltage corresponding to the amount of light emitted to the second light receiving element is generated across the second load, and this voltage is generated. Appears at the second output terminal. Therefore, the voltage appearing between the first and second output terminals is a voltage that reflects the difference between the amount of light applied to the first light receiving element and the amount of light applied to the second light receiving element. The voltage appearing between the first and second output terminals is equivalent to the output of the conventional operational amplifier OP 1 shown in FIG. If a load is provided on at least one of the light receiving elements, the voltage appearing between the first and second output terminals is equal to the amount of light applied to the first light receiving element and the amount of light applied to the second light receiving element. The voltage reflects the difference between
【0013】本発明の光信号検出装置によれば、第1及
び第2の受光素子に照射された光量の差を差動電圧出力
として得ることができるので、電流の絶対値に左右され
ることなく、たとえ第1及び第2の受光素子で発生する
電流が小さくても、外乱の影響を除去でき、確実に且つ
安定した動作状態で微弱な光信号の差を検出することが
可能になる。According to the optical signal detecting device of the present invention, the difference between the amounts of light emitted to the first and second light receiving elements can be obtained as a differential voltage output, so that it depends on the absolute value of the current. Even if the currents generated in the first and second light receiving elements are small, the influence of disturbance can be removed, and the weak optical signal difference can be reliably detected in a stable operation state.
【0014】[0014]
【実施例】以下、本発明の光信号検出装置を、図面を参
照しながら実施例に基づき、詳細に説明する。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The optical signal detecting device of the present invention will be described in detail below based on embodiments with reference to the drawings.
【0015】(実施例1)図2の(A)は、実施例1の
光信号検出装置の構成を示す回路図である。実施例1に
おいては、第1の受光素子は第1のフォトダイオードP
D1から構成され、第2の受光素子は第2のフォトダイ
オードPD2から構成されている。更に、第1及び第2
のフォトダイオードPD1,PD2の他端部のそれぞれに
第1及び第2の負荷が接続されている。第1の負荷は第
1の抵抗R1から構成され、第2の負荷は第2の抵抗R2
から構成されている。第1及び第2のフォトダイオード
PD1,PD2と第1及び第2の抵抗R1,R2との間のそ
れぞれに、第1及び第2の出力端子OUT1,OUT2が
設けられている。電流源CS1は、例えば図3に示すよ
うに、ダイオードDO、抵抗R3、抵抗R4及び電源Eか
ら構成することができる。この電流源CS1の詳細につ
いては後述する。(Embodiment 1) FIG. 2A is a circuit diagram showing a configuration of an optical signal detection device of Embodiment 1. In the first embodiment, the first light receiving element is the first photodiode P.
D 1 and the second light receiving element is a second photodiode PD 2 . Furthermore, the first and second
The first and second loads are connected to the other ends of the photodiodes PD 1 and PD 2 , respectively. The first load is composed of the first resistor R 1 and the second load is the second resistor R 2
It consists of First and second output terminals OUT 1 and OUT 2 are provided between the first and second photodiodes PD 1 and PD 2 and the first and second resistors R 1 and R 2 , respectively. There is. The current source CS 1 can be composed of a diode DO, a resistor R 3 , a resistor R 4 and a power source E as shown in FIG. 3, for example. The details of the current source CS 1 will be described later.
【0016】第1及び第2のフォトダイオードPD1,
PD2は、同一の電気特性を有することが望ましい。第
1及び第2のフォトダイオードPD1,PD2は、例えば
図2の(B)に示すように、物理的に2分割された受光
面を有し、かかる受光面には、図示しない光学系から導
かれた光スポットが照射される。第1のフォトダイオー
ドPD1に光が照射されると、光起電力効果によって光
量に応じた起電力が発生し、第1のフォトダイオードP
D1のカソードからアノードに向かって電流I1が流れ
る。同様に、第2のフォトダイオードPD2に光が照射
されると、第2のフォトダイオードPD2のカソードか
らアノードに向かって電流I2が流れる。以下において
は、説明を簡単にするために、第1及び第2の抵抗
R1,R2は同一の抵抗値を有するとして説明するが、こ
れらは同一抵抗値である必要はない。The first and second photodiodes PD 1 ,
It is desirable that PD 2 have the same electrical characteristics. The first and second photodiodes PD 1 and PD 2 each have a light-receiving surface that is physically divided into two, as shown in FIG. 2B, and such a light-receiving surface has an optical system (not shown). A light spot guided from is emitted. When the first photodiode PD 1 is irradiated with light, an electromotive force corresponding to the amount of light is generated by the photovoltaic effect, and the first photodiode P 1
A current I 1 flows from the cathode of D 1 to the anode. Similarly, when the second photodiode PD 2 is irradiated with light, a current I 2 flows from the cathode to the anode of the second photodiode PD 2 . In the following, for simplification of description, the first and second resistors R 1 and R 2 are described as having the same resistance value, but they do not have to have the same resistance value.
【0017】第1及び第2の抵抗R1,R2のそれぞれの
一端部(図中上側)は共通に接続されている。第1の抵
抗R1の他端部は第1のフォトダイオードPD1のカソー
ドに接続され、第2の抵抗R2の他端部は第2のフォト
ダイオードPD2のカソードに接続されている。そし
て、第1及び第2のフォトダイオードPD1,PD2の各
アノードは共通に接続され、更に電流源CS1に接続さ
れている。そして、第1の抵抗R1と第1のフォトダイ
オードPD1の接続点から第1の出力端子OUT1が、第
2の抵抗R2と第2のフォトダイオードPD2の接続点か
ら第2の出力端子OUT2が、それぞれ引き出されてい
る。即ち、第1及び第2の出力端子OUT1,OUT2の
それぞれは、第1及び第2のフォトダイオードPD1,
PD2を挟んで、電流源CS1とは反対側に設けられてい
る。One ends (upper side in the figure) of the first and second resistors R 1 and R 2 are commonly connected. The other end of the first resistor R 1 is connected to the cathode of the first photodiode PD 1 , and the other end of the second resistor R 2 is connected to the cathode of the second photodiode PD 2 . Then, the anodes of the first and second photodiodes PD 1 and PD 2 are commonly connected and further connected to the current source CS 1 . The first resistor R 1 and the first photodiode PD first output terminal OUT 1 from the connection point of 1, the second resistor R 2 and a second connection point of the photodiode PD 2 of the second The output terminals OUT 2 are drawn out, respectively. That is, the first and second output terminals OUT 1 and OUT 2 are respectively connected to the first and second photodiodes PD 1 and PD 1 .
It is provided on the opposite side of the current source CS 1 with the PD 2 in between.
【0018】図2の(B)において、第1のフォトダイ
オードPD1の受光面の光量をP01、第2のフォトダイ
オードPD2の受光面の光量をP02とする。いま、図2
(B)の(a)に示すように、第1及び第2のフォトダ
イオードPD1,PD2に均等に光が照射されている場合
(P01=P02)、第1及び第2のフォトダイオードPD
1,PD2には、I1=I2なる電流が発生する。従って、
第1及び第2の抵抗R1,R2による電圧降下は等しくな
り、第1の出力端子OUT1に現れる電圧V1及び第2の
出力端子OUT2に現れる電圧V2は等しくなる。従っ
て、第1の出力端子OUT1と第2の出力端子OUT2と
の間に現れる電圧の差は、V1−V2=0(V)となる。
この際、第1及び第2のフォトダイオードPD1,PD2
の有する暗電流は相互に打ち消される。In FIG. 2B, it is assumed that the light amount on the light receiving surface of the first photodiode PD 1 is P 01 and the light amount on the light receiving surface of the second photodiode PD 2 is P 02 . Figure 2 now
As shown in (a) of (B), when the first and second photodiodes PD 1 and PD 2 are uniformly irradiated with light (P 01 = P 02 ), the first and second photodiodes Diode PD
A current of I 1 = I 2 is generated in 1 and PD 2 . Therefore,
The voltage drops due to the first and second resistors R 1 and R 2 become equal, and the voltage V 1 appearing at the first output terminal OUT 1 becomes equal to the voltage V 2 appearing at the second output terminal OUT 2 . Therefore, the difference between the voltages appearing between the first output terminal OUT 1 and the second output terminal OUT 2 is V 1 −V 2 = 0 (V).
At this time, the first and second photodiodes PD 1 , PD 2
The dark currents of the two cancel each other out.
【0019】図2の(B)の(b)に示すように、第1
及び第2のフォトダイオードPD1,PD2の受光面にP
01>P02なる光が照射された場合、第1及び第2のフォ
トダイオードPD1,PD2には、I1>I2なる電流が発
生する。これらの電流I1及びI2により、第1の出力端
子OUT1及び第2の出力端子OUT2には、それぞれV
1<V2なる関係を有する電圧が現れる。As shown in (b) of FIG. 2 (B), the first
And P on the light receiving surfaces of the second photodiodes PD 1 and PD 2.
When the light of 01 > P 02 is applied, a current of I 1 > I 2 is generated in the first and second photodiodes PD 1 and PD 2 . Due to these currents I 1 and I 2 , V 1 is applied to the first output terminal OUT 1 and the second output terminal OUT 2 , respectively.
A voltage having a relationship of 1 <V 2 appears.
【0020】同様に、図2の(B)の(c)に示すよう
に、第1及び第2のフォトダイオードPD1,PD2の受
光面にP01<P02なる光が照射された場合、第1及び第
2のフォトダイオードPD1,PD2には、I1<I2なる
電流が発生される。これらの電流I1及びI2により、第
1の出力端子OUT1及び第2の出力端子OUT2には、
それぞれV1>V2なる関係を有する電圧が現れる。Similarly, as shown in (c) of FIG. 2B, when the light receiving surfaces of the first and second photodiodes PD 1 and PD 2 are irradiated with light of P 01 <P 02 A current of I 1 <I 2 is generated in the first and second photodiodes PD 1 and PD 2 . Due to these currents I 1 and I 2 , the first output terminal OUT 1 and the second output terminal OUT 2 are
Voltages having a relationship of V 1 > V 2 respectively appear.
【0021】第1及び第2のフォトダイオードPD1,
PD2に照射される光量差と、第1の出力端子OUT1及
び第2の出力端子OUT2との間に現れる電圧の差V1−
V2の関係を、図2の(C)に示す。First and second photodiodes PD 1 ,
A difference V 1 − between the amount of light emitted to PD 2 and the voltage appearing between the first output terminal OUT 1 and the second output terminal OUT 2.
The relationship of V 2 is shown in FIG.
【0022】電流源CS1は、例えば図3に示す回路に
よって実現することができる。即ち、フォトダイオード
PD1及びPD2の各アノードの接続点にダイオードDO
のアノードを接続する。そして、このダイオードDO
を、電源Eからの電圧を抵抗R3及びR4で分割した電圧
によって順方向にバイアスする。これにより、ダイオー
ドDOは常に順方向バイアスで一定電流を流すことにな
るので、第1のフォトダイオードPD1と第2のフォト
ダイオードPD2とは差動動作することになる。例え
ば、第1のフォトダイオードPD1及び第2のPD2にそ
れぞれ5mAの電流が流れている状態において、第1の
フォトダイオードPD1への照射光量が増加してI1=7
mAになったとすると、第2のフォトダイオードPD2
の電流はI2=3mAに変化する。尚、電流源CS1とし
ては、このような回路に限定されず、周知の種々の回路
を用いることができる。The current source CS 1 can be realized by the circuit shown in FIG. 3, for example. That is, the diode DO is connected to the connection point of the anodes of the photodiodes PD 1 and PD 2.
Connect the anode of. And this diode DO
Is forward biased by the voltage from power supply E divided by resistors R 3 and R 4 . As a result, the diode DO always flows a constant current with forward bias, and thus the first photodiode PD 1 and the second photodiode PD 2 operate differentially. For example, in a state where current is flowing in the first photodiode PD 1 and the second respectively 5mA to PD 2, I 1 = 7 by the first irradiation light amount to the photodiode PD 1 increases
If it becomes mA, the second photodiode PD 2
Current changes to I 2 = 3 mA. The current source CS 1 is not limited to such a circuit, and various known circuits can be used.
【0023】以上のように、実施例1によれば、第1の
フォトダイオードPD1及び第2のPD2に照射された光
量の差を差動電圧出力電圧として取り出すことができる
ので、第1及び第2のフォトダイオードPD1,PD2で
発生した電流の絶対値に左右されず、たとえ電流値が小
さくとも確実に微弱な光信号を検出することができる。
また、抵抗R1,R2の値を調整することでゲインの調整
を行うことができる。抵抗を例えば厚膜若しくは薄膜抵
抗体から作製すれば、かかる抵抗体をトリミングするこ
とによって、ゲインの調整を容易に且つ正確に行うこと
ができる。As described above, according to the first embodiment, the difference between the amounts of light emitted to the first photodiode PD 1 and the second photodiode PD 2 can be extracted as the differential voltage output voltage. Further, even if the current value is small, a weak optical signal can be reliably detected regardless of the absolute value of the current generated in the second photodiodes PD 1 and PD 2 .
Further, the gain can be adjusted by adjusting the values of the resistors R 1 and R 2 . If the resistor is made of, for example, a thick film or thin film resistor, the gain can be adjusted easily and accurately by trimming the resistor.
【0024】尚、図2の(A)又は図4に示した回路の
各回路要素を同一の半導体チップ上に形成することで光
信号検出装置を構成することもできる。このような構成
にすることによって、各回路要素の電気特性のばらつき
を抑えることが可能になると共に、配線長を短くするこ
とができるので、外部からのノイズの影響を小さくする
ことができ、より微弱な光信号を処理することができる
光信号検出装置を実現できる。The optical signal detecting device can be constructed by forming each circuit element of the circuit shown in FIG. 2A or FIG. 4 on the same semiconductor chip. With such a configuration, it is possible to suppress variations in the electrical characteristics of each circuit element and to shorten the wiring length, so that it is possible to reduce the influence of external noise, and An optical signal detecting device capable of processing a weak optical signal can be realized.
【0025】(実施例2)実施例1では、第1及び第2
の抵抗R1,R2をそれぞれ第1及び第2のフォトダイオ
ードPD1,PD2の上流側に配置することにより、ロー
レベルで有意の信号(アクティブロー)を取り出す構成
とした。一方、実施例2においては、図4に示すよう
に、第1及び第2の抵抗R1,R2をそれぞれ第1及び第
2のフォトダイオードPD1,PD2の下流側に配置し、
電流源CS1を第1及び第2のフォトダイオードPD1,
PD2の上流側に配置することにより、ハイレベルで有
意の信号(アクティブハイ)を取り出す構成とすること
もできる。このような構成によっても、上記と同様の作
用効果を奏する。(Second Embodiment) In the first embodiment, the first and second
The resistors R 1 and R 2 are placed upstream of the first and second photodiodes PD 1 and PD 2 , respectively, so that a significant signal (active low) is taken out at a low level. On the other hand, in the second embodiment, as shown in FIG. 4, the first and second resistors R 1 and R 2 are arranged downstream of the first and second photodiodes PD 1 and PD 2 , respectively,
The current source CS 1 is connected to the first and second photodiodes PD 1 ,
By arranging on the upstream side of PD 2 , a significant signal (active high) at a high level can be taken out. Even with such a configuration, the same effects as the above can be obtained.
【0026】更に、実施例1及び実施例2では、第1の
受光素子及び第2の受光素子のそれぞれは、1つのフォ
トダイオードから構成したが、直列又は並列に接続され
た複数のフォトダイオードを用いて構成することもでき
る。例えば、第1の受光素子を構成するフォトダイオー
ドの数と第1の受光素子を構成するフォトダイオードの
数を変えれば、第1の受光素子に入射する光の強度と第
2の受光素子に入射する光の強度が大きく相違した場合
でも、これらの受光素子からの適切な出力電圧に基づ
き、差動出力を得ることができる。場合によっては、第
1の負荷あるいは第2の負荷を省略してもよい。実施例
1若しくは実施例2にて説明した光信号検出装置は、例
えば、先に説明したトラッキングエラー信号の検出に適
用することができる。Further, in the first and second embodiments, each of the first light receiving element and the second light receiving element is composed of one photodiode, but a plurality of photodiodes connected in series or in parallel are used. It can also be configured using. For example, if the number of photodiodes forming the first light receiving element and the number of photodiodes forming the first light receiving element are changed, the intensity of light incident on the first light receiving element and the light incident on the second light receiving element are changed. Even when the intensities of the generated light greatly differ, a differential output can be obtained based on the appropriate output voltage from these light receiving elements. In some cases, the first load or the second load may be omitted. The optical signal detection device described in the first or second embodiment can be applied to, for example, the tracking error signal detection described above.
【0027】(実施例3)図5の(A)は、実施例3の
光信号検出装置の構成を示す回路図である。実施例3に
おいては、第1の受光素子として第1のフォトトランジ
スタPT1を、第2の受光素子として第2のフォトトラ
ンジスタPT2をそれぞれ用いた。その他の構成要素は
実施例1と同じであり、詳細な説明は省略する。(Third Embodiment) FIG. 5A is a circuit diagram showing a configuration of an optical signal detecting device according to a third embodiment. In the third embodiment, the first phototransistor PT 1 is used as the first light receiving element and the second phototransistor PT 2 is used as the second light receiving element. Other components are the same as those in the first embodiment, and detailed description thereof will be omitted.
【0028】フォトトランジスタPT1,PT2は増幅作
用を有する受光素子である。フォトトランジスタP
T1,PT2は、例えばフォトダイオードのように増幅作
用を有しない受光素子に比べ、同一光量に対して大きい
電流を発生することができる。The phototransistors PT 1 and PT 2 are light receiving elements having an amplifying function. Phototransistor P
T 1 and PT 2 can generate a large current with respect to the same light amount as compared with a light receiving element having no amplifying action such as a photodiode.
【0029】実施例3の光信号検出装置の回路の動作
は、第1及び第2のフォトトランジスタPT1,PT2で
発生する電流I3、I4の値が、フォトダイオードを用い
た場合と比較して大きいことを除き、実施例1にて説明
した光信号検出装置の回路の動作と同じである。電流I
3、I4が大きければ、抵抗R1,R2による電圧降下が大
きくなる。従って、第1の出力端子OUT1及び第2の
出力端子OUT2から、十分な大きさの差動出力(V3−
V4)を得ることができる。図5の(B)には、光量差
に対する差動出力の特性を示す。即ち、増幅作用を有し
ない受光素子(例えばフォトダイオード)と増幅作用を
有する受光素子(例えばフォトトランジスタ)との差異
を示す。尚、各特性線の傾きは回路定数によって若干変
化する。The operation of the circuit of the optical signal detecting device of the third embodiment is the same as that when the photodiodes are used as the values of the currents I 3 and I 4 generated in the first and second phototransistors PT 1 and PT 2. The operation is the same as that of the circuit of the optical signal detection device described in the first embodiment, except that it is large in comparison. Current I
If 3 and I 4 are large, the voltage drop due to the resistors R 1 and R 2 is large. Therefore, a sufficiently large differential output (V 3 −) is output from the first output terminal OUT 1 and the second output terminal OUT 2.
V 4 ) can be obtained. FIG. 5B shows the characteristic of the differential output with respect to the light amount difference. That is, the difference between a light receiving element that does not have an amplifying action (for example, a photodiode) and a light receiving element that has an amplifying action (for example, a phototransistor) is shown. The slope of each characteristic line changes slightly depending on the circuit constant.
【0030】このように、受光素子としてフォトトラン
ジスタを用いれば、各フォトトランジスタPT1,PT2
で受光された光量の差が小さくても十分な大きさの差動
出力が得られるので、光信号の差を正確に検出できると
共にノイズに強くなるという利点がある。また、受光素
子としてフォトトランジスタを用いれば、微弱な光量で
あっても適切な大きさの電流I3、I4を得ることができ
る。それ故、光記録媒体を照射する光を生成するための
発光素子、例えばレーザダイオードとして低出力のもの
を用いることができるという利点がある。As described above, when the phototransistor is used as the light receiving element, the phototransistors PT 1 and PT 2
Since a sufficiently large differential output can be obtained even if the difference in the amount of light received at is small, there is an advantage that the difference between the optical signals can be accurately detected and the signal is resistant to noise. Further, by using a phototransistor as the light receiving element, it is possible to obtain the currents I 3 and I 4 of appropriate magnitudes even with a weak light amount. Therefore, there is an advantage that a light emitting element for generating light for irradiating the optical recording medium, for example, a laser diode having a low output can be used.
【0031】(実施例4)実施例3の回路は、一般的に
知られている差動増幅回路と同様に、図6の(A)に示
す実施例4のように変形することもできる。図6の
(A)に示す実施例4においては、第1の受光素子は、
2つのフォトトランジスタPT11,PT12が並列に接続
されて成る。同様に、第2の受光素子は、2つのフォト
トランジスタPT21,PT22が並列に接続されて成る。
その他の構成は実施例3と同様であり、詳細な説明は省
略する。(Fourth Embodiment) The circuit of the third embodiment can be modified as in the fourth embodiment shown in FIG. 6A, similarly to the generally known differential amplifier circuit. In Example 4 shown in FIG. 6A, the first light receiving element is
Two phototransistors PT 11 and PT 12 are connected in parallel. Similarly, the second light receiving element is composed of two phototransistors PT 21 and PT 22 connected in parallel.
Other configurations are similar to those of the third embodiment, and detailed description thereof will be omitted.
【0032】実施例4の回路構成においては、第1の抵
抗R1を流れる電流I5はフォトトランジスタPT11,P
T12で発生した電流の合計値であり、第2の抵抗R2を
流れる電流I6はフォトトランジスタPT21,PT22で
発生した電流の合計値である。従って、各フォトトラン
ジスタPT11〜PT22に微弱な光が照射された場合であ
っても、大きな電流I5,I6を得ることができる。尚、
並列に接続されるフォトトランジスタの数はそれぞれ2
個に限定されず、任意の数とすることができる。また、
図6の(A)に示したフォトトランジスタをそれぞれ2
個並列に接続した実施例4の光信号検出装置は、詳細は
後述するが、非点収差法によるフォーカスエラー信号の
検出に適用することができる。In the circuit configuration of the fourth embodiment, the current I 5 flowing through the first resistor R 1 is the phototransistors PT 11 and P.
This is the total value of the currents generated at T 12 , and the current I 6 flowing through the second resistor R 2 is the total value of the currents generated at the phototransistors PT 21 and PT 22 . Therefore, even when the phototransistors PT 11 to PT 22 are irradiated with weak light, large currents I 5 and I 6 can be obtained. still,
The number of phototransistors connected in parallel is 2 each
The number is not limited to one and can be any number. Also,
Each of the phototransistors shown in FIG.
The optical signal detection device of the fourth embodiment, which is connected in parallel, can be applied to the detection of the focus error signal by the astigmatism method, the details of which will be described later.
【0033】(実施例5)図6の(B)に示す実施例5
は、対数変換回路(ログアンプ)を構成する場合の例で
ある。実施例5においては、第1のフォトトランジスタ
PT1と第2のフォトトランジスタPT2の各エミッタ間
に抵抗R5とコンデンサCとで構成された時定数回路が
設けられている。また、第1のフォトトランジスタPT
1のエミッタに電流源CS2が、第2のフォトトランジス
タPT2のエミッタに電流源CS3が、それぞれ設けられ
ている。このような構成とすることによって、差動出力
として対数出力を得ることができる。また、このような
構成にすることで、例えば、蛍光灯のような点滅する光
といったノイズが各フォトトランジスタに入射したとき
のノイズの影響を無くすことができる。(Embodiment 5) Embodiment 5 shown in FIG. 6 (B)
Is an example of configuring a logarithmic conversion circuit (log amplifier). In the fifth embodiment, a time constant circuit composed of a resistor R 5 and a capacitor C is provided between the emitters of the first phototransistor PT 1 and the second phototransistor PT 2 . In addition, the first phototransistor PT
The current source CS 2 is provided at the emitter of 1, and the current source CS 3 is provided at the emitter of the second phototransistor PT 2 . With such a configuration, a logarithmic output can be obtained as a differential output. Further, with such a configuration, it is possible to eliminate the influence of noise such as blinking light such as a fluorescent lamp entering each phototransistor.
【0034】(実施例6)次に、図6の(A)に示した
実施例4の光信号検出装置を非点収差法によるフォーカ
スエラー信号の検出回路に応用した実施例6を、図7を
参照しながら説明する。図7の(A)は、フォーカスエ
ラー信号検出回路の構成を示す回路図である。フォトト
ランジスタA,B,C,Dは同一の電気特性を有し、図
7の(B)に示すように、受光面が4分割されるように
配置されている。尚、図7の(A)に示した実施例6に
おけるフォトトランジスタA,C,B,Dのそれぞれ
は、図6の(A)に示した実施例4におけるフォトトラ
ンジスタPT11,PT12,PT21,PT22に相当する。
そして、受光面には、例えば図示しない光学系から導か
れた光スポットが照射される。光スポットは、合焦点で
あれば略真円(P03)となる。この場合、各フォトトラ
ンジスタA,B,C,Dには均等に光が照射されてい
る。従って、第1の出力端子OUT1と第2の出力端子
OUT2との間に現れる電圧差はゼロとなる。(Sixth Embodiment) Next, a sixth embodiment in which the optical signal detection device of the fourth embodiment shown in FIG. 6A is applied to a focus error signal detection circuit by the astigmatism method will be described with reference to FIG. Will be described with reference to. FIG. 7A is a circuit diagram showing the configuration of the focus error signal detection circuit. The phototransistors A, B, C and D have the same electrical characteristics, and are arranged so that the light receiving surface is divided into four, as shown in FIG. 7B. The phototransistors A, C, B, and D in the sixth embodiment shown in FIG. 7A are the same as the phototransistors PT 11 , PT 12 , and PT in the fourth embodiment shown in FIG. Equivalent to 21 , PT 22 .
Then, the light receiving surface is irradiated with, for example, a light spot guided from an optical system (not shown). The light spot is a substantially perfect circle (P 03 ) if it is in focus. In this case, the phototransistors A, B, C and D are uniformly irradiated with light. Therefore, the voltage difference appearing between the first output terminal OUT 1 and the second output terminal OUT 2 becomes zero.
【0035】一方、焦点が近すぎると所定方向に傾いた
楕円(例えばP04)となり、フォトトランジスタA,C
で発生する電流I5が大きくなり、フォトトランジスタ
B,Dで発生する電流I6が小さくなる。従って、第1
の出力端子OUT1と第2の出力端子OUT2との間に現
れる電圧は負となる。また、焦点が遠すぎると上記所定
方向と直交する方向に傾いた楕円(例えばP05)とな
り、フォトトランジスタA,Cで発生する電流I5が小
さくなり、フォトトランジスタB,Dで発生する電流I
6が大きくなる。従って、第1の出力端子OUT1と第2
の出力端子OUT2との間に現れる電圧は正となる。即
ち、焦点位置に応じて図7の(C)に示すような特性の
差動電圧出力が得られ、これがフォーカスエラー信号と
して使用される。このフォーカスエラー信号は光学系の
アクチュエータに供給され、その値がゼロ、つまり受光
面での光スポットが略真円になるようにフィードバック
制御される。On the other hand, if the focal point is too close, an ellipse (for example, P 04 ) inclined in a predetermined direction is formed, and phototransistors A and C
The current I 5 generated in 1 increases and the current I 6 generated in the phototransistors B and D decreases. Therefore, the first
The voltage appearing between the output terminal OUT 1 and the second output terminal OUT 2 becomes negative. On the other hand, if the focal point is too far away, an ellipse (for example, P 05 ) inclined in the direction orthogonal to the above predetermined direction is generated, the current I 5 generated in the phototransistors A and C becomes small, and the current I generated in the phototransistors B and D decreases.
6 increases. Therefore, the first output terminal OUT 1 and the second output terminal OUT 1
The voltage appearing between the output terminal OUT 2 and the output terminal OUT 2 becomes positive. That is, a differential voltage output having the characteristic shown in FIG. 7C is obtained according to the focus position, and this is used as the focus error signal. This focus error signal is supplied to the actuator of the optical system and is feedback-controlled so that its value is zero, that is, the light spot on the light receiving surface becomes a substantially perfect circle.
【0036】以上、本発明の光信号検出装置を好ましい
実施例に基づき説明したが、本発明はこれらの実施例に
限定されるものではない。実施例2にて説明した電流
源、第1及び第2の受光素子、並びに第1及び第2の負
荷の配置を、実施例3〜実施例6にて説明した光信号検
出装置に適用することができる。本発明の光信号検出装
置は、光応用装置におけるトラッキングエラー信号の検
出や非点収差法によるフォーカスエラー信号の検出だけ
でなく、ナイフ・エッジ法によるフォーカスエラー信号
の検出への適用の他、2つの場所における光量の差を検
出する必要がある場合ならば如何なる分野に対しても適
用することができる。Although the optical signal detecting device of the present invention has been described based on the preferred embodiments, the present invention is not limited to these embodiments. Applying the arrangement of the current source, the first and second light receiving elements, and the first and second loads described in the second embodiment to the optical signal detection device described in the third to sixth embodiments. You can The optical signal detection device of the present invention is applied not only to detection of a tracking error signal in an optical application device and detection of a focus error signal by an astigmatism method, but also to detection of a focus error signal by a knife-edge method. It can be applied to any field if it is necessary to detect the difference in the amount of light at one place.
【0037】[0037]
【発明の効果】以上詳述したように、本発明の光信号検
出装置によれば、第1及び第2の受光素子に照射された
光量の差を電圧の差動出力として得ることができるの
で、電流の絶対値に左右されることなく、たとえ第1及
び第2の受光素子で発生する電流値が小さくても、確実
に微弱な光信号の変化を検出することができる。また、
差動動作させることにより外部から照射される不必要な
均一な光を相殺することができるので対環境性が向上す
る。また、差動動作させることにより暗電流を相殺する
ことができるので安定した動作が可能となる。As described above in detail, according to the optical signal detecting device of the present invention, the difference between the amounts of light emitted to the first and second light receiving elements can be obtained as the differential output of the voltage. Even if the current values generated in the first and second light receiving elements are small, a weak change in the optical signal can be reliably detected without being influenced by the absolute value of the current. Also,
By performing the differential operation, unnecessary uniform light emitted from the outside can be canceled out, so that the environment resistance is improved. Further, since the dark current can be canceled by the differential operation, stable operation becomes possible.
【0038】更に、従来のように、I−V変換器や演算
増幅器が不要となるので、光信号検出装置あるいは光応
用装置を構成する部品点数を減らすことができ、光ピッ
クアップの小型化及びコストダウンを実現できる。ま
た、部品点数の減少により、各部品の電気特性のばらつ
きに起因したS/N比の劣化を防止することができ、光
信号検出装置の信頼性を向上させることができる。更に
は、本発明の光信号検出装置における出力信号には、図
8の(B)に示した従来の技術における出力信号のよう
にオフセット値を含んでいない。従って、出力信号の処
理が従来の装置と比較して容易になる。Further, unlike the conventional case, the IV converter and the operational amplifier are not required, so that the number of parts constituting the optical signal detection device or the optical application device can be reduced, and the size and cost of the optical pickup can be reduced. Can achieve down. Further, since the number of parts is reduced, it is possible to prevent the deterioration of the S / N ratio due to the variation in the electrical characteristics of each part, and it is possible to improve the reliability of the optical signal detection device. Furthermore, the output signal in the optical signal detecting device of the present invention does not include an offset value like the output signal in the conventional technique shown in FIG. 8B. Therefore, the processing of the output signal becomes easier as compared with the conventional device.
【0039】受光素子としてフォトトランジスタを用い
れば、微弱な光量であっても適切な大きさの電流が得ら
れるので、光記録媒体を照射する光を生成するための発
光素子、例えばレーザダイオードとして低出力のものを
用いることができ、低消費電力化を図ることができる。If a phototransistor is used as the light receiving element, an electric current of an appropriate amount can be obtained even with a weak light quantity, so that it can be used as a light emitting element for generating light for irradiating an optical recording medium, for example, as a laser diode. An output type can be used, and low power consumption can be achieved.
【図1】本発明の光信号検出装置の基本構成を示すブロ
ック図である。FIG. 1 is a block diagram showing a basic configuration of an optical signal detection device of the present invention.
【図2】実施例1の光信号検出装置の構成及び動作を説
明するための図である。FIG. 2 is a diagram for explaining the configuration and operation of the optical signal detection device according to the first embodiment.
【図3】各実施例における電流源の構成の一例を示す図
である。FIG. 3 is a diagram showing an example of a configuration of a current source in each example.
【図4】実施例2の光信号検出装置の構成を示す図であ
る。FIG. 4 is a diagram showing a configuration of an optical signal detection device according to a second embodiment.
【図5】実施例3の光信号検出装置の構成及び動作を説
明するための図である。FIG. 5 is a diagram for explaining the configuration and operation of the optical signal detection device according to the third embodiment.
【図6】実施例4及び実施例5の光信号検出装置の構成
を示す図である。FIG. 6 is a diagram showing a configuration of an optical signal detection device according to a fourth embodiment and a fifth embodiment.
【図7】実施例4をフォーカスエラー信号検出回路に適
用した実施例6の光信号検出装置の構成及び動作を説明
するための図である。FIG. 7 is a diagram for explaining the configuration and operation of an optical signal detection device according to a sixth embodiment in which the fourth embodiment is applied to a focus error signal detection circuit.
【図8】従来の光応用装置に用いられる光ピックアップ
の一般的な光信号検出回路の一部を示す図である。FIG. 8 is a diagram showing a part of a general optical signal detection circuit of an optical pickup used in a conventional optical application device.
PD1,PD2 フォトダイオード PT1,PT11,PT12,PT2,PT21,PT22,A,
B,C,D フォトトランジスタ R1,R2 抵抗(負荷) OUT1 第1の出力端子 OUT2 第2の出力端子 CS1,CS2,CS3 電流源 R3,R4,R5 抵抗 DO ダイオード E 電源 C コンデンサPD 1 , PD 2 photodiodes PT 1 , PT 11 , PT 12 , PT 2 , PT 21 , PT 22 , A,
B, C, D Phototransistor R 1 , R 2 Resistance (load) OUT 1 First output terminal OUT 2 Second output terminal CS 1 , CS 2 , CS 3 Current source R 3 , R 4 , R 5 resistance DO Diode E Power supply C Capacitor
Claims (6)
光素子と、(ハ)電流源とを備え、 第1の受光素子及び第2の受光素子の一端部は、電流源
に接続されており、 第1の受光素子の他端部に第1の出力端子が設けられ、
第2の受光素子の他端部に第2の出力端子が設けられて
いることを特徴とする光信号検出装置。(1) A first light receiving element, (b) a second light receiving element, and (c) a current source are provided, and one ends of the first light receiving element and the second light receiving element are Is connected to a current source, and a first output terminal is provided at the other end of the first light receiving element,
An optical signal detection device, wherein a second output terminal is provided at the other end of the second light receiving element.
の他端部に負荷が接続されており、該第1又は第2の受
光素子と負荷との間に第1又は第2の出力端子が設けら
れていることを特徴とする請求項1に記載の光信号検出
装置。2. A load is connected to the other end of either one of the first or second light receiving element, and the load is connected between the first or second light receiving element and the load. The optical signal detecting device according to claim 1, wherein the output terminal is provided.
部のそれぞれに第1及び第2の負荷が接続されており、
該第1及び第2の受光素子と第1及び第2の負荷との間
のそれぞれに第1及び第2の出力端子が設けられている
ことを特徴とする請求項1に記載の光信号検出装置。3. A first load and a second load are connected to the other ends of both of the first and second light receiving elements, respectively.
The optical signal detection according to claim 1, wherein first and second output terminals are provided between the first and second light receiving elements and the first and second loads, respectively. apparatus.
又は双方は、直列に接続された複数の受光素子から成る
ことを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか1項
に記載の光信号検出装置。4. The one or both of the first and second light receiving elements are composed of a plurality of light receiving elements connected in series. The optical signal detection device described in 1.
又は双方は、並列に接続された複数の受光素子から成る
ことを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか1項
に記載の光信号検出装置。5. The one or both of the first or second light receiving element is composed of a plurality of light receiving elements connected in parallel. The optical signal detection device described in 1.
トランジスタから成ることを特徴とする請求項1乃至請
求項5のいずれか1項に記載の光信号検出装置。6. The optical signal detection device according to claim 1, wherein the light receiving element comprises a photodiode or a phototransistor.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1875695A JPH08193882A (en) | 1995-01-11 | 1995-01-11 | Optical signal detector |
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1875695A JPH08193882A (en) | 1995-01-11 | 1995-01-11 | Optical signal detector |
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JPH08193882A true JPH08193882A (en) | 1996-07-30 |
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JP1875695A Pending JPH08193882A (en) | 1995-01-11 | 1995-01-11 | Optical signal detector |
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JP (1) | JPH08193882A (en) |
Cited By (1)
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JP2012145420A (en) * | 2011-01-11 | 2012-08-02 | Ricoh Co Ltd | Semiconductor integrated circuit |
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1995
- 1995-01-11 JP JP1875695A patent/JPH08193882A/en active Pending
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012145420A (en) * | 2011-01-11 | 2012-08-02 | Ricoh Co Ltd | Semiconductor integrated circuit |
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