JPH08192361A - 平面研磨装置 - Google Patents
平面研磨装置Info
- Publication number
- JPH08192361A JPH08192361A JP435295A JP435295A JPH08192361A JP H08192361 A JPH08192361 A JP H08192361A JP 435295 A JP435295 A JP 435295A JP 435295 A JP435295 A JP 435295A JP H08192361 A JPH08192361 A JP H08192361A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polishing
- polishing liquid
- tool
- processing surface
- suction mechanism
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims abstract description 316
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 169
- 230000008929 regeneration Effects 0.000 claims description 7
- 238000011069 regeneration method Methods 0.000 claims description 7
- 238000004062 sedimentation Methods 0.000 claims description 5
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 claims description 4
- 238000001914 filtration Methods 0.000 claims description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 3
- 230000001172 regenerating effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000005507 spraying Methods 0.000 abstract description 24
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 4
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 3
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 239000008119 colloidal silica Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 1
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 1
- 230000003134 recirculating effect Effects 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B7/00—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B57/00—Devices for feeding, applying, grading or recovering grinding, polishing or lapping agents
- B24B57/02—Devices for feeding, applying, grading or recovering grinding, polishing or lapping agents for feeding of fluid, sprayed, pulverised, or liquefied grinding, polishing or lapping agents
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Grinding-Machine Dressing And Accessory Apparatuses (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体ウェハ、磁気ディスク等を再現性良
く、低ランニングコストで高平滑平面加工できる平面研
磨装置を得る。 【構成】 円盤状の研磨工具11の加工面に被加工物1
2を加圧接触させて研磨する平面研磨装置において、研
磨工具11の回転方向に対して被加工物12の後方位置
に円板状研磨液吹き付け機構23を加工面と1mmの隙
間で近接配置し、且つ該研磨工具11の回転方向に対し
て被加工物12の前方位置に円板状研磨液吸引機構24
を加工面と1mmの隙間で近接配置する。円板状研磨液
吹き付け機構23はフィルタ16及びポンプ17を介し
て研磨液タンク18にパイプ15で接続し、また、円板
状研磨液吸引機構24はポンプ19を介して研磨液タン
ク18にパイプ15で接続する。
く、低ランニングコストで高平滑平面加工できる平面研
磨装置を得る。 【構成】 円盤状の研磨工具11の加工面に被加工物1
2を加圧接触させて研磨する平面研磨装置において、研
磨工具11の回転方向に対して被加工物12の後方位置
に円板状研磨液吹き付け機構23を加工面と1mmの隙
間で近接配置し、且つ該研磨工具11の回転方向に対し
て被加工物12の前方位置に円板状研磨液吸引機構24
を加工面と1mmの隙間で近接配置する。円板状研磨液
吹き付け機構23はフィルタ16及びポンプ17を介し
て研磨液タンク18にパイプ15で接続し、また、円板
状研磨液吸引機構24はポンプ19を介して研磨液タン
ク18にパイプ15で接続する。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体ウェハ、半導
体回路の絶縁膜付き又は金属配線付きウェハ、磁気ディ
スク、ガラス基板、その他の板状の被加工物を高平滑に
平面研磨加工するための平面研磨装置に関する。
体回路の絶縁膜付き又は金属配線付きウェハ、磁気ディ
スク、ガラス基板、その他の板状の被加工物を高平滑に
平面研磨加工するための平面研磨装置に関する。
【0002】
【従来の技術】近年、半導体ウェハ、磁気ディスク等の
研磨のために、特開平4−33336号公報、特開平5
−69310号公報、特開平5−309559号公報等
に記載の平面研磨装置が利用されている。
研磨のために、特開平4−33336号公報、特開平5
−69310号公報、特開平5−309559号公報等
に記載の平面研磨装置が利用されている。
【0003】図7は、上記公報に記載のものと類似の従
来の平面研磨装置の一例を示している。この平面研磨装
置は、回転駆動される円盤状研磨工具31の上向きの加
工面に、被加工物32を加圧保持板33によって加圧接
触させ、研磨液34を加工面に供給しながら平面研磨す
るものである。
来の平面研磨装置の一例を示している。この平面研磨装
置は、回転駆動される円盤状研磨工具31の上向きの加
工面に、被加工物32を加圧保持板33によって加圧接
触させ、研磨液34を加工面に供給しながら平面研磨す
るものである。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記従来の
平面研磨装置では、図8に示すように、研磨時間が長く
なるに従って、加工面に目詰まりが生じることにより、
研磨レート(研磨量/時間)が低下していく欠点があ
り、被加工物ごとの研磨加工量が変動するという問題点
があった。また、従来では、研磨液は1回の使用で廃棄
しており、研磨液のランニングコストが高いという問題
もあった。
平面研磨装置では、図8に示すように、研磨時間が長く
なるに従って、加工面に目詰まりが生じることにより、
研磨レート(研磨量/時間)が低下していく欠点があ
り、被加工物ごとの研磨加工量が変動するという問題点
があった。また、従来では、研磨液は1回の使用で廃棄
しており、研磨液のランニングコストが高いという問題
もあった。
【0005】この発明は、上述の事情に鑑みてなされた
もので、研磨レートの低下を防止して被加工物ごとの加
工量を一定にすることのできる平面研磨装置を提供する
ことを目的としている。また、高価な研磨液の無駄を排
して、ランニングコストの低減を図ることのできる平面
研磨装置を提供することを目的としている。
もので、研磨レートの低下を防止して被加工物ごとの加
工量を一定にすることのできる平面研磨装置を提供する
ことを目的としている。また、高価な研磨液の無駄を排
して、ランニングコストの低減を図ることのできる平面
研磨装置を提供することを目的としている。
【0006】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、請求項1記載の発明は、回転駆動される円盤状研磨
工具の加工面に被加工物を加圧接触させ、研磨液を加工
面に供給しながら平面研磨する平面研磨装置において、
上記研磨工具の回転方向に対して、被加工物の後方位置
に上記加工面に研磨液を供給する研磨液供給機構を配置
すると共に、被加工物の前方位置に上記加工面上の研磨
液を吸引回収する研磨液吸引機構を配置したことを特徴
としている。
に、請求項1記載の発明は、回転駆動される円盤状研磨
工具の加工面に被加工物を加圧接触させ、研磨液を加工
面に供給しながら平面研磨する平面研磨装置において、
上記研磨工具の回転方向に対して、被加工物の後方位置
に上記加工面に研磨液を供給する研磨液供給機構を配置
すると共に、被加工物の前方位置に上記加工面上の研磨
液を吸引回収する研磨液吸引機構を配置したことを特徴
としている。
【0007】また、請求項2記載の発明は、請求項1記
載の平面研磨装置において、上記研磨液吸引機構と研磨
液供給機構が、上記研磨液吸引機構で回収した研磨液を
再生して上記研磨液供給機構に送給する再生循環回路を
介して接続されていることを特徴としている。
載の平面研磨装置において、上記研磨液吸引機構と研磨
液供給機構が、上記研磨液吸引機構で回収した研磨液を
再生して上記研磨液供給機構に送給する再生循環回路を
介して接続されていることを特徴としている。
【0008】また、請求項3記載の発明は、請求項2記
載の平面研磨装置において、上記再生循環回路が、上記
研磨液吸引機構で回収した研磨液を貯留して沈降濾過作
用により異物を除去すると共にオーバーフロー分を順次
下流側へ流出させる複数段の沈澱槽と、該複数段の沈澱
槽よりも下流側で且つ上記研磨液供給機構の前段に介在
された研磨屑除去用フィルタとを備えていることを特徴
としている。
載の平面研磨装置において、上記再生循環回路が、上記
研磨液吸引機構で回収した研磨液を貯留して沈降濾過作
用により異物を除去すると共にオーバーフロー分を順次
下流側へ流出させる複数段の沈澱槽と、該複数段の沈澱
槽よりも下流側で且つ上記研磨液供給機構の前段に介在
された研磨屑除去用フィルタとを備えていることを特徴
としている。
【0009】また、請求項4記載の発明は、請求項1,
2又は3記載の平面研磨装置において、上記研磨液供給
機構及び上記研磨液吸引機構が、上記研磨工具の工具半
径の全幅を供給対象領域及び吸引対象領域としているこ
とを特徴としている。
2又は3記載の平面研磨装置において、上記研磨液供給
機構及び上記研磨液吸引機構が、上記研磨工具の工具半
径の全幅を供給対象領域及び吸引対象領域としているこ
とを特徴としている。
【0010】また、請求項5記載の発明は、請求項1,
2,3又は4記載の平面研磨装置において、上記研磨液
供給機構及び上記研磨液吸引機構が、共に円形をなし、
上記研磨工具の加工面上で回転可能に支持されているこ
とを特徴としている。
2,3又は4記載の平面研磨装置において、上記研磨液
供給機構及び上記研磨液吸引機構が、共に円形をなし、
上記研磨工具の加工面上で回転可能に支持されているこ
とを特徴としている。
【0011】また、請求項6記載の発明は、請求項1,
2,3,4又は5記載の平面研磨装置において、上記研
磨工具の加工面の周縁部に研磨液の流出を防ぐ起立壁が
設けられていることを特徴としている。
2,3,4又は5記載の平面研磨装置において、上記研
磨工具の加工面の周縁部に研磨液の流出を防ぐ起立壁が
設けられていることを特徴としている。
【0012】また、請求項7記載の発明は、請求項1,
2又は4記載の平面研磨装置において、上記研磨液供給
機構が上記研磨工具の加工面に工具半径の略全幅にわた
り接触するブラシを備えていることを特徴としている。
2又は4記載の平面研磨装置において、上記研磨液供給
機構が上記研磨工具の加工面に工具半径の略全幅にわた
り接触するブラシを備えていることを特徴としている。
【0013】
【作用】請求項1記載の発明では、研磨液供給機構によ
って加工面に供給された研磨液は、被加工物の研磨に用
いられた後、直ちに研磨液吸引機構で吸引される。した
がって、研磨液と共に研磨工具表面の研磨屑や研磨工具
屑等がインプロセスで除去され、常に加工面がクリーン
な状態に保たれる。
って加工面に供給された研磨液は、被加工物の研磨に用
いられた後、直ちに研磨液吸引機構で吸引される。した
がって、研磨液と共に研磨工具表面の研磨屑や研磨工具
屑等がインプロセスで除去され、常に加工面がクリーン
な状態に保たれる。
【0014】また、請求項2の発明では、研磨液吸引機
構によって研磨工具の加工面から吸引回収した研磨液
を、再生循環回路を経由することで再生し、研磨液供給
機構で再び研磨工具の加工面に供給する。
構によって研磨工具の加工面から吸引回収した研磨液
を、再生循環回路を経由することで再生し、研磨液供給
機構で再び研磨工具の加工面に供給する。
【0015】また、請求項3記載の発明では、回収した
研磨液を複数段の沈澱槽に導き、更にフィルタを通して
研磨液吸引機構に導くので、研磨液中に混入している研
磨屑等の異物を効率良く除去し、研磨液を再生すること
ができる。
研磨液を複数段の沈澱槽に導き、更にフィルタを通して
研磨液吸引機構に導くので、研磨液中に混入している研
磨屑等の異物を効率良く除去し、研磨液を再生すること
ができる。
【0016】また、請求項4記載の発明では、研磨工具
の加工面の全幅に研磨液を供給し、加工面の全幅から研
磨液を回収するので、被加工物の大きさによらず、同じ
条件で研磨加工することができる。
の加工面の全幅に研磨液を供給し、加工面の全幅から研
磨液を回収するので、被加工物の大きさによらず、同じ
条件で研磨加工することができる。
【0017】また、請求項5記載の発明では、研磨液供
給機構及び研磨液吸引機構が回転することにより、加工
面に対してむら無く研磨液の供給及び吸引を行うことが
できる。
給機構及び研磨液吸引機構が回転することにより、加工
面に対してむら無く研磨液の供給及び吸引を行うことが
できる。
【0018】また、請求項6記載の発明では、加工面に
供給された研磨液は加工面外に流出しなくなる。
供給された研磨液は加工面外に流出しなくなる。
【0019】また、請求項7記載の発明では、ブラッシ
が研磨工具の加工面の凹部にある研磨屑や研磨工具屑等
を掃き出すので、吸引効率が一段と向上する。
が研磨工具の加工面の凹部にある研磨屑や研磨工具屑等
を掃き出すので、吸引効率が一段と向上する。
【0020】
【実施例】以下、図面を参照してこの発明の実施例につ
いて説明する。 ◇第1実施例 図1は、この発明の第1実施例である平面研磨装置の構
成を示す平面図、図2は側面図である。図1及び図2に
おいて、平面研磨装置の架台1の上部フレーム2には、
加工面を上向きにして回転自在に円盤状の研磨工具11
が装備され、モータ20によって矢印イ方向(上から見
て時計回り)に回転駆動されるようになっている。研磨
工具11の加工面には、加圧保持板21によって被加工
物12が加圧接触させられている。加圧保持板21及び
被加工物12は、研磨工具11の加工面に乗っており、
研磨工具11の回転方向に対して、被加工物11の前方
に位置する水平フレーム3の一対の支持ローラ4、4に
より、定位置にて自転可能に止められている。
いて説明する。 ◇第1実施例 図1は、この発明の第1実施例である平面研磨装置の構
成を示す平面図、図2は側面図である。図1及び図2に
おいて、平面研磨装置の架台1の上部フレーム2には、
加工面を上向きにして回転自在に円盤状の研磨工具11
が装備され、モータ20によって矢印イ方向(上から見
て時計回り)に回転駆動されるようになっている。研磨
工具11の加工面には、加圧保持板21によって被加工
物12が加圧接触させられている。加圧保持板21及び
被加工物12は、研磨工具11の加工面に乗っており、
研磨工具11の回転方向に対して、被加工物11の前方
に位置する水平フレーム3の一対の支持ローラ4、4に
より、定位置にて自転可能に止められている。
【0021】また、研磨工具11の加工面の上方には、
加工面との間に僅かの隙間(1mm程度)を保持して、
直方体状研磨液吹き付け機構(研磨液供給機構)13と
直方体状研磨液吸引機構14とが配設されている。直方
体状研磨液吹き付け機構13は、直方体形の箱の底面の
小径孔から研磨工具11の加工面に対して研磨液を吹き
付けるものであり、直方体状研磨液吸引機構14は、直
方体形の箱の底面の小径孔から研磨工具11の加工面の
研磨液を吸引回収するものである。
加工面との間に僅かの隙間(1mm程度)を保持して、
直方体状研磨液吹き付け機構(研磨液供給機構)13と
直方体状研磨液吸引機構14とが配設されている。直方
体状研磨液吹き付け機構13は、直方体形の箱の底面の
小径孔から研磨工具11の加工面に対して研磨液を吹き
付けるものであり、直方体状研磨液吸引機構14は、直
方体形の箱の底面の小径孔から研磨工具11の加工面の
研磨液を吸引回収するものである。
【0022】直方体状研磨液吹き付け機構13は、研磨
工具11の回転方向に対して被加工物12の後方位置に
配設され、直方体状研磨液吸引機構14は、研磨工具1
1の回転方向に対して被加工物12の前方位置に配設さ
れ、共に研磨工具11の半径方向の全幅をカバーするよ
うな形態で、架台1によって支持されている。なお、直
方体状研磨液吹き付け機構13及び直方体状研磨液吸引
機構14の底面の小径孔は、それぞれの直径が約1mm
であって、3mmピッチで多数配列されている。
工具11の回転方向に対して被加工物12の後方位置に
配設され、直方体状研磨液吸引機構14は、研磨工具1
1の回転方向に対して被加工物12の前方位置に配設さ
れ、共に研磨工具11の半径方向の全幅をカバーするよ
うな形態で、架台1によって支持されている。なお、直
方体状研磨液吹き付け機構13及び直方体状研磨液吸引
機構14の底面の小径孔は、それぞれの直径が約1mm
であって、3mmピッチで多数配列されている。
【0023】架台1の上部フレーム2の下方には、直方
体状研磨液吸引機構14で吸引回収した研磨液を再生し
て、直方体状研磨液吹き付け機構13に送給する再生循
環回路5が装備されている。この再生循環回路5は、研
磨液タンク18と、研磨屑除去用のフィルタ16とを備
えている。研磨液タンク18は、回収した研磨液を貯留
して、沈降濾過作用により異物を除去すると共に、オー
バーフロー分を順次下流側へ流出させる複数段(この例
では3段)の沈澱槽18A、18B、18Cを備えてい
る。各沈澱槽18A、18B、18Cは、仕切壁の高さ
を順々に違えることで、オーバーフロー分を上流段の沈
澱槽から下流段の沈澱槽へ順次流下させるようになって
いる。
体状研磨液吸引機構14で吸引回収した研磨液を再生し
て、直方体状研磨液吹き付け機構13に送給する再生循
環回路5が装備されている。この再生循環回路5は、研
磨液タンク18と、研磨屑除去用のフィルタ16とを備
えている。研磨液タンク18は、回収した研磨液を貯留
して、沈降濾過作用により異物を除去すると共に、オー
バーフロー分を順次下流側へ流出させる複数段(この例
では3段)の沈澱槽18A、18B、18Cを備えてい
る。各沈澱槽18A、18B、18Cは、仕切壁の高さ
を順々に違えることで、オーバーフロー分を上流段の沈
澱槽から下流段の沈澱槽へ順次流下させるようになって
いる。
【0024】そして、上流側の沈澱槽18Aに直方体状
研磨液吸引機構14がポンプ19を介してパイプ15で
接続され、下流側の沈澱槽18Cに直方体状研磨液吹き
付け機構13がポンプ17とフィルタ16を介してパイ
プ15で接続されている。吸引側のポンプ19は、直方
体状研磨液吸引機構14から空気もろとも研磨液を吸い
込める強力なものであり、一緒に吸い込んだエアは、図
示しない機構により、研磨液タンク18内へあまり入り
込まないように処理される。また、供給側のポンプ17
は、供給量100cc/min程度の能力で研磨液を吐
出できるものである。また、フィルタ16は、研磨液1
8内の沈澱槽18A、18B、18Cで除去できなかっ
た異物を除去するためのもので、3μmと0.2μm程
度の2段のメッシュを備えている。
研磨液吸引機構14がポンプ19を介してパイプ15で
接続され、下流側の沈澱槽18Cに直方体状研磨液吹き
付け機構13がポンプ17とフィルタ16を介してパイ
プ15で接続されている。吸引側のポンプ19は、直方
体状研磨液吸引機構14から空気もろとも研磨液を吸い
込める強力なものであり、一緒に吸い込んだエアは、図
示しない機構により、研磨液タンク18内へあまり入り
込まないように処理される。また、供給側のポンプ17
は、供給量100cc/min程度の能力で研磨液を吐
出できるものである。また、フィルタ16は、研磨液1
8内の沈澱槽18A、18B、18Cで除去できなかっ
た異物を除去するためのもので、3μmと0.2μm程
度の2段のメッシュを備えている。
【0025】次に作用を説明する。研磨工具11で加工
を開始するのに伴い、直方体状研磨液吹き付け機構13
から研磨液を加工面に供給する。被加工物12の手前で
加工面に供給された研磨液は、研磨工具11の回転によ
り被加工物12の加工箇所に到達し、研磨工具11の回
転と被加工物12の回転(図1のロ方向の回転)により
生じる研磨工具11と被加工物12の間の摩擦により、
被加工物12を研磨する。
を開始するのに伴い、直方体状研磨液吹き付け機構13
から研磨液を加工面に供給する。被加工物12の手前で
加工面に供給された研磨液は、研磨工具11の回転によ
り被加工物12の加工箇所に到達し、研磨工具11の回
転と被加工物12の回転(図1のロ方向の回転)により
生じる研磨工具11と被加工物12の間の摩擦により、
被加工物12を研磨する。
【0026】研磨に使用された研磨液は、被加工物12
を通過した後、直ちに流れの下流側に位置する直方体状
研磨液吸引機構14によって吸引される。したがって、
研磨液と共に研磨工具11表面の研磨屑や研磨工具屑等
がインプロセスで除去され、常に加工面がクリーンな状
態に保たれる。
を通過した後、直ちに流れの下流側に位置する直方体状
研磨液吸引機構14によって吸引される。したがって、
研磨液と共に研磨工具11表面の研磨屑や研磨工具屑等
がインプロセスで除去され、常に加工面がクリーンな状
態に保たれる。
【0027】よって、研磨レートの低下を来さずに、長
時間にわたって、効率良く研磨することができる。この
場合、研磨工具11の加工面の全幅に研磨液が供給さ
れ、加工面の全幅から研磨液が回収されるので、被加工
物12の大きさによらず、同じ条件で研磨加工すること
ができる。
時間にわたって、効率良く研磨することができる。この
場合、研磨工具11の加工面の全幅に研磨液が供給さ
れ、加工面の全幅から研磨液が回収されるので、被加工
物12の大きさによらず、同じ条件で研磨加工すること
ができる。
【0028】直方体状研磨液吸引機構14によって研磨
工具の加工面から吸引回収された研磨液は、再生循環回
路5の研磨液タンク18に回収され、ここで沈澱槽18
A、18B、18Cを順次経由することにより、大きい
異物から小さい異物まで順々に除去されて、最終段の沈
澱槽18Cから、フィルタ16を介して直方体状研磨液
吹き付け機構13により、再び研磨工具11の加工面に
送られる。このため、研磨液が何度も循環使用されるこ
とにより、研磨液の無駄がなくなる。
工具の加工面から吸引回収された研磨液は、再生循環回
路5の研磨液タンク18に回収され、ここで沈澱槽18
A、18B、18Cを順次経由することにより、大きい
異物から小さい異物まで順々に除去されて、最終段の沈
澱槽18Cから、フィルタ16を介して直方体状研磨液
吹き付け機構13により、再び研磨工具11の加工面に
送られる。このため、研磨液が何度も循環使用されるこ
とにより、研磨液の無駄がなくなる。
【0029】次に具体的なテスト結果について述べる。
このテストでは、円盤状の研磨工具11としてポリウレ
タン(直径25インチ)製のものを用い、研磨液として
コロイダルシリカ(粒径100オングストローム)を用
い、二酸化シリコン膜付きウェハ(被加工物)を研磨し
た。
このテストでは、円盤状の研磨工具11としてポリウレ
タン(直径25インチ)製のものを用い、研磨液として
コロイダルシリカ(粒径100オングストローム)を用
い、二酸化シリコン膜付きウェハ(被加工物)を研磨し
た。
【0030】研磨工具回転数は24rpm、加工圧力は
400g/平方センチメートルでテストしたところ、研
磨レートは、研磨累計時間10時間以内で1500±5
0オングストローム/minとなり、従来の平面研磨装
置のように、加工時間が長くなると研磨レートが低下す
るという問題点が解消された。
400g/平方センチメートルでテストしたところ、研
磨レートは、研磨累計時間10時間以内で1500±5
0オングストローム/minとなり、従来の平面研磨装
置のように、加工時間が長くなると研磨レートが低下す
るという問題点が解消された。
【0031】これは、直方体状研磨液吹き付け機構13
及び直方体状研磨液吸引機構14によって、研磨加工
中、研磨工具11の加工面に供給された研磨液が被加工
物12の研磨に用いられた後、直ちに吸引され、研磨液
と共に研磨工具11の加工面の研磨屑、研磨工具屑等が
インプロセスで除去され、かつフィルタ16を通過した
クリーンな研磨液が加工面に供給されたためであると考
えられる。
及び直方体状研磨液吸引機構14によって、研磨加工
中、研磨工具11の加工面に供給された研磨液が被加工
物12の研磨に用いられた後、直ちに吸引され、研磨液
と共に研磨工具11の加工面の研磨屑、研磨工具屑等が
インプロセスで除去され、かつフィルタ16を通過した
クリーンな研磨液が加工面に供給されたためであると考
えられる。
【0032】◇第2実施例 次に、この発明の第2実施例を説明する。図3は、この
発明の第2実施例である平面研磨装置の構成を示す平面
図、図4は側面図である。この第2実施例の平面研磨装
置では、研磨液供給機構として円板状研磨液吹き付け機
構23を用い、研磨液吸引機構として円板状研磨液吸引
機構24を用いている。それ以外は第1実施例と同様で
ある。
発明の第2実施例である平面研磨装置の構成を示す平面
図、図4は側面図である。この第2実施例の平面研磨装
置では、研磨液供給機構として円板状研磨液吹き付け機
構23を用い、研磨液吸引機構として円板状研磨液吸引
機構24を用いている。それ以外は第1実施例と同様で
ある。
【0033】円板状研磨液吹き付け機構23及び円板状
研磨液吸引機構24は、上から見た場合、被加工物12
の径より大きい円形のドラム状のものであり、円板状研
磨液吹き付け機構23は、研磨工具11の回転方向に対
して被加工物12の後方位置に配設され、円板状研磨液
吸引機構24は、研磨工具11の回転方向に対して被加
工物12の前方位置に配設されている。
研磨液吸引機構24は、上から見た場合、被加工物12
の径より大きい円形のドラム状のものであり、円板状研
磨液吹き付け機構23は、研磨工具11の回転方向に対
して被加工物12の後方位置に配設され、円板状研磨液
吸引機構24は、研磨工具11の回転方向に対して被加
工物12の前方位置に配設されている。
【0034】円板状研磨液吹き付け機構23及び円板状
研磨液吸引機構24は、それぞれの底面に該底面の直径
より小径のリング(厚さ1mm)25、26を有し、該
リング25、26により、研磨工具11の加工面に乗っ
ている。そして、前述した加圧保持板21の支持と同じ
ように、研磨工具11の回転方向に対して、それぞれ前
方に位置する水平フレーム3の一対の支持ローラ4、4
により、定位置にて自転可能に止められている。
研磨液吸引機構24は、それぞれの底面に該底面の直径
より小径のリング(厚さ1mm)25、26を有し、該
リング25、26により、研磨工具11の加工面に乗っ
ている。そして、前述した加圧保持板21の支持と同じ
ように、研磨工具11の回転方向に対して、それぞれ前
方に位置する水平フレーム3の一対の支持ローラ4、4
により、定位置にて自転可能に止められている。
【0035】円板状研磨液吹き付け機構23及び円板状
研磨液吸引機構24の底面のリング25、26より外側
には、小径孔(直径約1mmの孔で、かつピッチ約3m
mで配列されている)が多数設けてあり、これらの小径
孔を通して、それぞれが研磨液の吹き付け及び吸引作用
を行うようになっている。
研磨液吸引機構24の底面のリング25、26より外側
には、小径孔(直径約1mmの孔で、かつピッチ約3m
mで配列されている)が多数設けてあり、これらの小径
孔を通して、それぞれが研磨液の吹き付け及び吸引作用
を行うようになっている。
【0036】また、円板状研磨液吹き付け機構23及び
円板状研磨液吸引機構24は、第1実施例と同様に再生
循環回路5に接続されている。すなわち、研磨液タンク
18の上流側の沈澱槽18Aに、円板状研磨液吸引機構
24がポンプ19を介してパイプ15で接続され、下流
側の沈澱槽18Cに円板状研磨液吹き付け機構23がポ
ンプ17とフィルタ16を介してパイプ15で接続され
ている。なお、パイプ15と円板状研磨液吹き付け機構
23及び円板状研磨液吸引機構24の連結部には、回転
許容式のジョイントが用いられている。
円板状研磨液吸引機構24は、第1実施例と同様に再生
循環回路5に接続されている。すなわち、研磨液タンク
18の上流側の沈澱槽18Aに、円板状研磨液吸引機構
24がポンプ19を介してパイプ15で接続され、下流
側の沈澱槽18Cに円板状研磨液吹き付け機構23がポ
ンプ17とフィルタ16を介してパイプ15で接続され
ている。なお、パイプ15と円板状研磨液吹き付け機構
23及び円板状研磨液吸引機構24の連結部には、回転
許容式のジョイントが用いられている。
【0037】次に作用を説明する。研磨工具11で加工
を開始するのに伴い、円板状研磨液吹き付け機構23か
ら研磨液を加工面に供給する。被加工物12の手前で加
工面に供給された研磨液は研磨工具11の回転により被
加工物12の加工箇所に到達し、研磨工具11の回転と
被加工物12の回転(図1のロ方向の回転)により生じ
る研磨工具11と被加工物12の間の摩擦により、被加
工物12を研磨する。この際、円板状研磨液吹き付け機
構23も自転することになり、底面の小径孔から回転し
ながら周囲に万遍なく研磨液を供給する。
を開始するのに伴い、円板状研磨液吹き付け機構23か
ら研磨液を加工面に供給する。被加工物12の手前で加
工面に供給された研磨液は研磨工具11の回転により被
加工物12の加工箇所に到達し、研磨工具11の回転と
被加工物12の回転(図1のロ方向の回転)により生じ
る研磨工具11と被加工物12の間の摩擦により、被加
工物12を研磨する。この際、円板状研磨液吹き付け機
構23も自転することになり、底面の小径孔から回転し
ながら周囲に万遍なく研磨液を供給する。
【0038】研磨に使用された研磨液は、被加工物12
を通過した後、直ちに流れの下流側に位置する円板状研
磨液吸引機構24によって吸引される。この際も、円板
状研磨液吸引機構24は、自転しながら研磨液を吸引す
ることになるため、平均して研磨液を吸引回収すること
ができる。したがって、研磨液と共に研磨工具11表面
の研磨屑や研磨工具屑等がインプロセスで除去され、常
に加工面がクリーンな状態に保たれる。
を通過した後、直ちに流れの下流側に位置する円板状研
磨液吸引機構24によって吸引される。この際も、円板
状研磨液吸引機構24は、自転しながら研磨液を吸引す
ることになるため、平均して研磨液を吸引回収すること
ができる。したがって、研磨液と共に研磨工具11表面
の研磨屑や研磨工具屑等がインプロセスで除去され、常
に加工面がクリーンな状態に保たれる。
【0039】それゆえ、研磨レートの低下を来さずに、
長時間にわたって、効率良く研磨することができる。こ
の場合、研磨工具11の加工面の広い範囲に平均して研
磨液を供給することができ、また加工面の広い範囲から
平均して研磨液を回収することができるので、加工面を
平均して良好な状態に保つことができる。
長時間にわたって、効率良く研磨することができる。こ
の場合、研磨工具11の加工面の広い範囲に平均して研
磨液を供給することができ、また加工面の広い範囲から
平均して研磨液を回収することができるので、加工面を
平均して良好な状態に保つことができる。
【0040】円板状研磨液吸引機構24によって研磨工
具の加工面から吸引回収された研磨液は、第1実施例と
同等に、再生循環回路5によって再生され、円板状研磨
液吹き付け機構23によって、再び研磨工具11の加工
面に送られる。このため、研磨液が何度も循環使用され
ることにより、研磨液の無駄がなくなる。
具の加工面から吸引回収された研磨液は、第1実施例と
同等に、再生循環回路5によって再生され、円板状研磨
液吹き付け機構23によって、再び研磨工具11の加工
面に送られる。このため、研磨液が何度も循環使用され
ることにより、研磨液の無駄がなくなる。
【0041】次に具体的なテスト結果について述べる。
このテストも上記第1実施例の場合と同じ条件で行っ
た。その結果、研磨累計時間10時間以内で研磨レート
は1500±45オングストローム/minとなり、従
来の平面研磨装置のように、加工時間が長くなると研磨
レートが低下するという問題点が解消された。
このテストも上記第1実施例の場合と同じ条件で行っ
た。その結果、研磨累計時間10時間以内で研磨レート
は1500±45オングストローム/minとなり、従
来の平面研磨装置のように、加工時間が長くなると研磨
レートが低下するという問題点が解消された。
【0042】以上、この発明の実施例を図面により詳述
してきたが、具体的な構成はこの実施例に限られるもの
ではなく、この発明の要旨を逸脱しない範囲の設計の変
更等があってもこの発明に含まれる。例えば、図5に示
すように、研磨工具11の加工面の周縁部に研磨液の流
出を防ぐ起立壁11aを設ければ、加工面に供給される
研磨液が加工面外に流出しなくなるので、より研磨液の
回収効率が良くなり、ランニングコスト低減に寄与す
る。また、図6に示すように、研磨工具11の回転方向
に対して、直方体状研磨液吸引機構14の後方に、すな
わち、直方体状研磨液吸引機構14と被加工物12との
間に、ブラシ27を研磨工具11の加工面に、かつ、工
具半径の略全幅にわたり接触するように設ければ、研磨
工具11の加工面の凹部にある研磨屑や研磨工具屑等が
掃き出されるので、吸引効率が一段と向上する。また、
被加工物は、二酸化シリコン膜付きウェハに限定される
ものではなく、例えば、金属配線付きウェハ、磁気ディ
スク、ガラス基板、その他の板状のものも含まれる。
してきたが、具体的な構成はこの実施例に限られるもの
ではなく、この発明の要旨を逸脱しない範囲の設計の変
更等があってもこの発明に含まれる。例えば、図5に示
すように、研磨工具11の加工面の周縁部に研磨液の流
出を防ぐ起立壁11aを設ければ、加工面に供給される
研磨液が加工面外に流出しなくなるので、より研磨液の
回収効率が良くなり、ランニングコスト低減に寄与す
る。また、図6に示すように、研磨工具11の回転方向
に対して、直方体状研磨液吸引機構14の後方に、すな
わち、直方体状研磨液吸引機構14と被加工物12との
間に、ブラシ27を研磨工具11の加工面に、かつ、工
具半径の略全幅にわたり接触するように設ければ、研磨
工具11の加工面の凹部にある研磨屑や研磨工具屑等が
掃き出されるので、吸引効率が一段と向上する。また、
被加工物は、二酸化シリコン膜付きウェハに限定される
ものではなく、例えば、金属配線付きウェハ、磁気ディ
スク、ガラス基板、その他の板状のものも含まれる。
【0043】
【発明の効果】以上説明したように、請求項1記載の発
明によれば、使用済みの研磨液を直ちに加工面から除去
し、同時に研磨屑や研磨工具屑を加工面から取り除くの
で、研磨工具面の目詰まりを防止して、常に加工面をク
リーンな状態に保つことができる。よって、研磨時間が
長くなっても、研磨レートが低下することがなく、被加
工物ごとの研磨加工量の変動を無くすことができる。
明によれば、使用済みの研磨液を直ちに加工面から除去
し、同時に研磨屑や研磨工具屑を加工面から取り除くの
で、研磨工具面の目詰まりを防止して、常に加工面をク
リーンな状態に保つことができる。よって、研磨時間が
長くなっても、研磨レートが低下することがなく、被加
工物ごとの研磨加工量の変動を無くすことができる。
【0044】また、請求項2の発明によれば、研磨液を
再生循環回路を経由して何回も使用することができるの
で、ランニングコストの低減が図れる。
再生循環回路を経由して何回も使用することができるの
で、ランニングコストの低減が図れる。
【0045】また、請求項3記載の発明によれば、複数
段の沈澱槽とフィルタを経由して研磨液を再生するの
で、クリーンな研磨液を循環使用することができる。
段の沈澱槽とフィルタを経由して研磨液を再生するの
で、クリーンな研磨液を循環使用することができる。
【0046】また、請求項4記載の発明によれば、被加
工物の大きさによらず、同じ条件で加工精度、加工効率
を向上させることができる。
工物の大きさによらず、同じ条件で加工精度、加工効率
を向上させることができる。
【0047】また、請求項5記載の発明によれば、研磨
液の供給及び吸引のむらを無くすことができ、加工面全
域を平均して良好な状態に保つことができる。
液の供給及び吸引のむらを無くすことができ、加工面全
域を平均して良好な状態に保つことができる。
【0048】また、請求項6記載の発明によれば、加工
面上に供給された研磨液が加工面外に流出しなくなるの
で、回収効率が上がり、ランニングコストが一段と低減
される。
面上に供給された研磨液が加工面外に流出しなくなるの
で、回収効率が上がり、ランニングコストが一段と低減
される。
【0049】また、請求項7記載の発明によれば、ブラ
ッシが研磨工具の加工面の凹部にある研磨屑や研磨工具
屑等を掃き出すので、吸引効率が一段と向上する。
ッシが研磨工具の加工面の凹部にある研磨屑や研磨工具
屑等を掃き出すので、吸引効率が一段と向上する。
【図1】この発明の第1実施例である平面研磨装置の構
成を示す平面図である。
成を示す平面図である。
【図2】同平面研磨装置の構成を示す側面図である。
【図3】この発明の第2実施例である平面研磨装置の構
成を示す平面図である。
成を示す平面図である。
【図4】同平面研磨装置の側面図である。
【図5】この発明の各実施例に用いる研磨工具の他の例
を示す側断面図である。
を示す側断面図である。
【図6】この発明の各実施例にの用いる直方体状研磨液
吸引機構の他の例を示す側断面図である。
吸引機構の他の例を示す側断面図である。
【図7】従来の平面研磨装置の側面図である。
【図8】従来の平面研磨装置における研磨レートを説明
するための図である。
するための図である。
5 再生循環回路 11 研磨工具 11a 起立壁 12 被加工物 13 直方体状研磨液吹き付け機構(研磨液供給機
構) 14 直方体状研磨液吸引機構 16 フィルタ 18 研磨液タンク 18A,18B,18C 沈澱槽 21 加圧保持板 23 円板状研磨液吹き付け機構(研磨液供給機
構) 24 円板状研磨液吸引機構 27 ブラシ
構) 14 直方体状研磨液吸引機構 16 フィルタ 18 研磨液タンク 18A,18B,18C 沈澱槽 21 加圧保持板 23 円板状研磨液吹き付け機構(研磨液供給機
構) 24 円板状研磨液吸引機構 27 ブラシ
Claims (7)
- 【請求項1】 回転駆動される円盤状研磨工具の加工面
に被加工物を加圧接触させ、研磨液を加工面に供給しな
がら平面研磨する平面研磨装置において、 前記研磨工具の回転方向に対して、被加工物の後方位置
に、前記加工面に研磨液を供給する研磨液供給機構を配
置すると共に、 被加工物の前方位置に、前記加工面上の研磨液を吸引回
収する研磨液吸引機構を配置したことを特徴とする平面
研磨装置。 - 【請求項2】 前記研磨液吸引機構と研磨液供給機構
が、前記研磨液吸引機構で回収した研磨液を再生して前
記研磨液供給機構に送給する再生循環回路を介して接続
されていることを特徴とする請求項1記載の平面研磨装
置。 - 【請求項3】 前記再生循環回路が、 前記研磨液吸引機構で回収した研磨液を貯留して沈降濾
過作用により異物を除去すると共にオーバーフロー分を
順次下流側へ流出させる複数段の沈澱槽と、 該複数段の沈澱槽よりも下流側で且つ前記研磨液供給機
構の前段に介在された研磨屑除去用フィルタとを備えて
いることを特徴とする請求項2記載の平面研磨装置。 - 【請求項4】 前記研磨液供給機構及び前記研磨液吸引
機構が、前記研磨工具の工具半径の全幅を供給対象領域
及び吸引対象領域としていることを特徴とする請求項
1,2又は3記載の平面研磨装置。 - 【請求項5】 前記研磨液供給機構及び前記研磨液吸引
機構が、共に円形をなし、前記研磨工具の加工面上で回
転可能に支持されていることを特徴とする請求項1,
2,3又は4記載の平面研磨装置。 - 【請求項6】 前記研磨工具の加工面の周縁部に研磨液
の流出を防ぐ起立壁が設けられていることを特徴とする
請求項1,2,3,4又は5記載の平面研磨装置。 - 【請求項7】 前記研磨液供給機構が前記研磨工具の加
工面に工具半径の略全幅にわたり接触するブラシを備え
ていることを特徴とする1,2又は4記載の平面研磨装
置。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP435295A JP2581478B2 (ja) | 1995-01-13 | 1995-01-13 | 平面研磨装置 |
US08/581,997 US5584749A (en) | 1995-01-13 | 1996-01-02 | Surface polishing apparatus |
KR1019960000403A KR0184991B1 (ko) | 1995-01-13 | 1996-01-11 | 평면 연마장치 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP435295A JP2581478B2 (ja) | 1995-01-13 | 1995-01-13 | 平面研磨装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH08192361A true JPH08192361A (ja) | 1996-07-30 |
JP2581478B2 JP2581478B2 (ja) | 1997-02-12 |
Family
ID=11582030
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP435295A Expired - Fee Related JP2581478B2 (ja) | 1995-01-13 | 1995-01-13 | 平面研磨装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5584749A (ja) |
JP (1) | JP2581478B2 (ja) |
KR (1) | KR0184991B1 (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6039635A (en) * | 1997-08-29 | 2000-03-21 | Nec Corporation | Surface polishing apparatus including a dresser |
KR100566787B1 (ko) * | 1997-05-30 | 2006-07-03 | 가부시끼가이샤 히다치 세이사꾸쇼 | 반도체의연마방법및장치 |
JP2008279539A (ja) * | 2007-05-10 | 2008-11-20 | Nomura Micro Sci Co Ltd | 研磨液の回収方法、及び研磨液の回収装置 |
JP2009050999A (ja) * | 2007-07-30 | 2009-03-12 | Takeshi Kato | 平面研磨装置 |
JP2011073076A (ja) * | 2009-09-29 | 2011-04-14 | Ntn Corp | グリーンボールの研磨装置 |
US9032626B2 (en) | 2009-09-29 | 2015-05-19 | Ntn Corporation | Green ball grinding method, ceramic sphere fabrication method, and grinding apparatus |
Families Citing this family (36)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5554064A (en) * | 1993-08-06 | 1996-09-10 | Intel Corporation | Orbital motion chemical-mechanical polishing apparatus and method of fabrication |
US5876271A (en) * | 1993-08-06 | 1999-03-02 | Intel Corporation | Slurry injection and recovery method and apparatus for chemical-mechanical polishing process |
JP3734289B2 (ja) * | 1995-01-24 | 2006-01-11 | 株式会社荏原製作所 | ポリッシング装置 |
JP2862073B2 (ja) * | 1995-12-08 | 1999-02-24 | 日本電気株式会社 | ウェハー研磨方法 |
US5868608A (en) * | 1996-08-13 | 1999-02-09 | Lsi Logic Corporation | Subsonic to supersonic and ultrasonic conditioning of a polishing pad in a chemical mechanical polishing apparatus |
JP2800802B2 (ja) * | 1996-09-20 | 1998-09-21 | 日本電気株式会社 | 半導体ウェハーのcmp装置 |
US6190236B1 (en) * | 1996-10-16 | 2001-02-20 | Vlsi Technology, Inc. | Method and system for vacuum removal of chemical mechanical polishing by-products |
US5702292A (en) * | 1996-10-31 | 1997-12-30 | Micron Technology, Inc. | Apparatus and method for loading and unloading substrates to a chemical-mechanical planarization machine |
US5993298A (en) * | 1997-03-06 | 1999-11-30 | Keltech Engineering | Lapping apparatus and process with controlled liquid flow across the lapping surface |
US5967882A (en) * | 1997-03-06 | 1999-10-19 | Keltech Engineering | Lapping apparatus and process with two opposed lapping platens |
US6048254A (en) * | 1997-03-06 | 2000-04-11 | Keltech Engineering | Lapping apparatus and process with annular abrasive area |
US6120352A (en) * | 1997-03-06 | 2000-09-19 | Keltech Engineering | Lapping apparatus and lapping method using abrasive sheets |
US6149506A (en) * | 1998-10-07 | 2000-11-21 | Keltech Engineering | Lapping apparatus and method for high speed lapping with a rotatable abrasive platen |
US5997392A (en) * | 1997-07-22 | 1999-12-07 | International Business Machines Corporation | Slurry injection technique for chemical-mechanical polishing |
US5913715A (en) * | 1997-08-27 | 1999-06-22 | Lsi Logic Corporation | Use of hydrofluoric acid for effective pad conditioning |
JPH11114811A (ja) * | 1997-10-15 | 1999-04-27 | Ebara Corp | ポリッシング装置のスラリ供給装置 |
US5957757A (en) * | 1997-10-30 | 1999-09-28 | Lsi Logic Corporation | Conditioning CMP polishing pad using a high pressure fluid |
US6102777A (en) * | 1998-03-06 | 2000-08-15 | Keltech Engineering | Lapping apparatus and method for high speed lapping with a rotatable abrasive platen |
US5944588A (en) * | 1998-06-25 | 1999-08-31 | International Business Machines Corporation | Chemical mechanical polisher |
US6093088A (en) * | 1998-06-30 | 2000-07-25 | Nec Corporation | Surface polishing machine |
US6250994B1 (en) * | 1998-10-01 | 2001-06-26 | Micron Technology, Inc. | Methods and apparatuses for mechanical and chemical-mechanical planarization of microelectronic-device substrate assemblies on planarizing pads |
JP2001191246A (ja) * | 2000-01-06 | 2001-07-17 | Nec Corp | 平面研磨装置および平面研磨方法 |
KR100401093B1 (ko) * | 2001-02-26 | 2003-10-17 | 김용범 | 안경렌즈 연마수의 재생장치 |
US7086933B2 (en) * | 2002-04-22 | 2006-08-08 | Applied Materials, Inc. | Flexible polishing fluid delivery system |
KR100419351B1 (ko) * | 2001-09-26 | 2004-02-19 | 최명희 | 렌즈 연마수의 재생방법 및 재생장치 |
JP4322464B2 (ja) * | 2002-03-28 | 2009-09-02 | 株式会社ニデック | 研削水タンク装置及びこれを備える眼鏡レンズ加工装置。 |
US6939210B2 (en) * | 2003-05-02 | 2005-09-06 | Applied Materials, Inc. | Slurry delivery arm |
JP2005271151A (ja) * | 2004-03-25 | 2005-10-06 | Toshiba Corp | 研磨装置及び研磨方法 |
KR100680653B1 (ko) * | 2005-09-23 | 2007-02-08 | 이종배 | 렌즈 연마수 재생장치 |
US20070131562A1 (en) * | 2005-12-08 | 2007-06-14 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for planarizing a substrate with low fluid consumption |
US7452264B2 (en) * | 2006-06-27 | 2008-11-18 | Applied Materials, Inc. | Pad cleaning method |
US20080305725A1 (en) * | 2006-07-26 | 2008-12-11 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Chemical mechanical polish system having multiple slurry-dispensing systems |
CN104400587A (zh) * | 2014-10-16 | 2015-03-11 | 中山市吉尔科研技术服务有限公司 | 一种旋流式光学镜片抛光设备 |
JP7083722B2 (ja) * | 2018-08-06 | 2022-06-13 | 株式会社荏原製作所 | 研磨装置、及び、研磨方法 |
JP7162465B2 (ja) | 2018-08-06 | 2022-10-28 | 株式会社荏原製作所 | 研磨装置、及び、研磨方法 |
CN111805412A (zh) * | 2020-07-17 | 2020-10-23 | 中国科学院微电子研究所 | 一种抛光液施配器及抛光装置 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5234867A (en) * | 1992-05-27 | 1993-08-10 | Micron Technology, Inc. | Method for planarizing semiconductor wafers with a non-circular polishing pad |
US5157876A (en) * | 1990-04-10 | 1992-10-27 | Rockwell International Corporation | Stress-free chemo-mechanical polishing agent for II-VI compound semiconductor single crystals and method of polishing |
JPH07105369B2 (ja) * | 1990-05-29 | 1995-11-13 | 松下電器産業株式会社 | ウェハーの研磨方法及び研磨装置 |
US5036015A (en) * | 1990-09-24 | 1991-07-30 | Micron Technology, Inc. | Method of endpoint detection during chemical/mechanical planarization of semiconductor wafers |
JPH0569310A (ja) * | 1991-04-23 | 1993-03-23 | Mitsubishi Materials Corp | ウエーハの鏡面研磨装置 |
US5308438A (en) * | 1992-01-30 | 1994-05-03 | International Business Machines Corporation | Endpoint detection apparatus and method for chemical/mechanical polishing |
JPH05309559A (ja) * | 1992-05-12 | 1993-11-22 | Speedfam Co Ltd | 平面研磨方法及び装置 |
US5291693A (en) * | 1992-08-20 | 1994-03-08 | Texas Instruments Incorporated | Semiconductors structure precision lapping method and system |
-
1995
- 1995-01-13 JP JP435295A patent/JP2581478B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1996
- 1996-01-02 US US08/581,997 patent/US5584749A/en not_active Expired - Fee Related
- 1996-01-11 KR KR1019960000403A patent/KR0184991B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100566787B1 (ko) * | 1997-05-30 | 2006-07-03 | 가부시끼가이샤 히다치 세이사꾸쇼 | 반도체의연마방법및장치 |
US6039635A (en) * | 1997-08-29 | 2000-03-21 | Nec Corporation | Surface polishing apparatus including a dresser |
JP2008279539A (ja) * | 2007-05-10 | 2008-11-20 | Nomura Micro Sci Co Ltd | 研磨液の回収方法、及び研磨液の回収装置 |
JP2009050999A (ja) * | 2007-07-30 | 2009-03-12 | Takeshi Kato | 平面研磨装置 |
JP4715880B2 (ja) * | 2007-07-30 | 2011-07-06 | 剛 加藤 | 平面研磨装置 |
JP2011073076A (ja) * | 2009-09-29 | 2011-04-14 | Ntn Corp | グリーンボールの研磨装置 |
US9032626B2 (en) | 2009-09-29 | 2015-05-19 | Ntn Corporation | Green ball grinding method, ceramic sphere fabrication method, and grinding apparatus |
US9452503B2 (en) | 2009-09-29 | 2016-09-27 | Ntn Corporation | Green ball grinding method, ceramic sphere fabrication method, and grinding apparatus |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2581478B2 (ja) | 1997-02-12 |
US5584749A (en) | 1996-12-17 |
KR0184991B1 (ko) | 1999-05-01 |
KR960029025A (ko) | 1996-08-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2581478B2 (ja) | 平面研磨装置 | |
KR100336933B1 (ko) | 표면 연마기 | |
JP2845238B1 (ja) | 平面研磨装置 | |
CN1240111C (zh) | 消除机加工应变的设备 | |
JP2001191246A (ja) | 平面研磨装置および平面研磨方法 | |
JP4790322B2 (ja) | 加工装置および加工方法 | |
JP2008155292A (ja) | 基板の加工方法および加工装置 | |
US6319098B1 (en) | Method of post CMP defect stability improvement | |
JP2018086692A (ja) | 研削装置 | |
JP4808278B2 (ja) | 平面加工装置及び方法 | |
WO2016143273A1 (ja) | ウェーハの面取り加工装置及びウェーハの面取り加工方法 | |
JP4553868B2 (ja) | 平面加工装置 | |
JP3058274B1 (ja) | 平面研磨装置 | |
US5897425A (en) | Vertical polishing tool and method | |
JP2001121407A (ja) | 研磨装置 | |
JP2008028232A (ja) | 半導体基板研磨装置および半導体基板研磨方法、半導体装置の製造方法 | |
JP4715880B2 (ja) | 平面研磨装置 | |
JP2011066198A (ja) | 研削加工装置 | |
CN111037457B (zh) | 晶圆的研磨装置及研磨方法 | |
JP3159177B2 (ja) | 平面研磨装置 | |
JP2000326209A (ja) | 平面研磨装置 | |
JP7118558B2 (ja) | 被加工物の加工方法 | |
JP2023028360A (ja) | 加工装置、及びチャックテーブルの保持面の洗浄方法 | |
JP3955424B2 (ja) | ワーク保持盤の洗浄方法並びに研磨装置と研磨方法 | |
JPH03294160A (ja) | 研削砥石および研削装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071121 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081121 Year of fee payment: 12 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |