JPH08167768A - Forming method for circuit pattern, and paste used therefor - Google Patents
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、回路基板を製造する際
の基板に回路パターンを形成する方法及びこのパターン
形成用のペーストに関する。更に詳しくは貴金属酸化物
を加熱分解することによりファインラインでファインピ
ッチの微細な回路パターンを形成するに適した方法及び
そのペーストに関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for forming a circuit pattern on a substrate for manufacturing a circuit board and a paste for forming the pattern. More specifically, the present invention relates to a method suitable for forming a fine circuit pattern having a fine pitch on a fine line by thermally decomposing a noble metal oxide, and a paste thereof.
【0002】[0002]
【従来の技術】近年、電子機器の小型化から回路基板上
のチップ部品の実装密度が高まり、回路パターンもファ
インラインでファインピッチの微細なものが要求され
る。従来、非導電性基板上に導電性の回路パターンを形
成する方法としては、例えば、スクリーン印刷による厚
膜形成方法が知られている。この方法は、基板がセラミ
ックスの場合、有機バインダを有機溶剤に溶かし金属粉
末とガラスフリットを混合して導電性ペーストを調製す
る工程と、この導電性ペーストを非導電性基板上に所定
のパターンでスクリーン印刷法により塗布する工程と、
このスクリーン印刷した導電性ペーストを乾燥後熱処理
して非導電性基板にコーティング膜を接着する工程から
なる。この方法によれば、導電性ペーストを熱処理した
ときに金属粉末同士が接触し、印刷されたコーティング
膜が導電性になり、同時にガラスによりこのコーティン
グ膜が基板に接着する。2. Description of the Related Art In recent years, the mounting density of chip components on a circuit board has increased due to miniaturization of electronic equipment, and circuit patterns are required to be fine lines and fine pitches. Conventionally, as a method of forming a conductive circuit pattern on a non-conductive substrate, for example, a thick film forming method by screen printing is known. In this method, when the substrate is ceramics, a step of preparing a conductive paste by dissolving an organic binder in an organic solvent and mixing metal powder and glass frit, and this conductive paste in a predetermined pattern on a non-conductive substrate. A step of applying by a screen printing method,
This screen-printed conductive paste is dried and then heat-treated to adhere the coating film to the non-conductive substrate. According to this method, when the conductive paste is heat-treated, the metal powders come into contact with each other, and the printed coating film becomes conductive, and at the same time, the glass adheres the coating film to the substrate.
【0003】またこの方法は、基板が樹脂の場合、熱硬
化性樹脂を有機溶剤に溶かし金属粉末を混合して導電性
ペーストを調製する工程と、この導電性ペーストを非導
電性基板上に所定のパターンでスクリーン印刷法により
塗布する工程と、このスクリーン印刷した導電性ペース
トを乾燥して非導電性基板にコーティング膜を樹脂接着
する工程からなる。この方法によれば、導電性ペースト
を乾燥したときに金属粉末同士が接触し、印刷されたコ
ーティング膜が導電性になり、同時に樹脂によりこのコ
ーティング膜が基板に接着する。Further, in this method, when the substrate is a resin, a step of dissolving a thermosetting resin in an organic solvent and mixing a metal powder to prepare a conductive paste, and the conductive paste is predetermined on a non-conductive substrate. And a step of applying the screen-printed conductive paste by drying to bond the coating film to the non-conductive substrate with a resin. According to this method, when the conductive paste is dried, the metal powders come into contact with each other, the printed coating film becomes conductive, and at the same time, the resin causes the coating film to adhere to the substrate.
【0004】しかし、スクリーン印刷で形成するパター
ンがファインラインである場合、乾燥時のペーストの収
縮に起因してパターン切れを発生するおそれがあった。
このため従来の厚膜形成方法では、パターン切れを起こ
さないようにスクリーン印刷するときに、パターン幅を
少なくとも100μm程度にしておく必要があった。ま
た、導電性ペーストでパターンを形成した場合、導電性
ペースト中の金属粉末はその比重が大きいために自重に
より沈降してペースト垂れを生じ易い。このためパター
ン間隔を狭めてファインピッチにすると、垂れによりパ
ターン同士が短絡する危険性があった。このため従来の
厚膜形成方法では、パターン同士が短絡しないようにス
クリーン印刷するときに、パターン間隔を少なくとも1
00μm程度にしておく必要であった。従って、この方
法では、パターン幅及びパターン間隔がそれぞれ100
μm程度以上のパターンしか形成することができず、結
果として回路パターンをファインラインでファインピッ
チの微細なものにすることができなかった。However, when the pattern formed by screen printing is a fine line, there is a risk of pattern breakage due to shrinkage of the paste during drying.
Therefore, in the conventional thick film forming method, it was necessary to set the pattern width to at least about 100 μm when screen printing so as not to cause pattern breakage. Further, when the pattern is formed by the conductive paste, the metal powder in the conductive paste has a large specific gravity, and thus it is apt to settle down due to its own weight to cause sagging of the paste. Therefore, if the pattern interval is narrowed to a fine pitch, there is a risk that the patterns may short-circuit due to sagging. Therefore, in the conventional thick film forming method, when the screen printing is performed so that the patterns are not short-circuited, the pattern interval is at least 1.
It was necessary to keep the thickness to about 00 μm. Therefore, in this method, the pattern width and the pattern interval are each 100
Only a pattern of about μm or more could be formed, and as a result, the circuit pattern could not be made fine with a fine line and a fine pitch.
【0005】これらの点を改善するために、本出願人は
微細パターンを形成するための「セラミックス基板の回
路形成方法」を特許出願した(特開平4−2499
0)。即ち、この微細パターンの形成方法は、シリコ
ン、鉛、亜鉛、アルミニウム等の金属アルコキシド溶液
中に金、銀、銅、タングステン等の粒径が5μm以下の
金属微粒子を分散し、所定パターンの耐水性又は疎水性
材料からなるマスクを被着したセラミック基板をこの金
属アルコキシド溶液中に浸漬して引上げ、このマスクを
セラミック基板から除去した後、この基板上の非マスク
部に残存したゲルコーティング膜を大気中で800〜9
00℃程度に加熱して焼成する方法である。この方法に
よれば、セラミック基板を金属アルコキシド溶液に浸漬
し引上げると、基板上にゲル酸化物と金属微粒子とから
なるゲルコーティング膜が形成される。次いでマスクを
セラミック基板から除去した後、非マスク部に残存した
ゲルコーティング膜を焼成すると、ゲル状の酸化物は更
に収縮し、通常の酸化物となり、この焼成温度域で軟化
又は溶融し、同時に金属微粒子は焼結される。従って、
パターン幅及びパターン間隔が10〜30μm程度の導
電性の微細パターンをセラミック基板上に強固に形成す
ることができる。In order to improve these points, the present applicant has filed a patent application for "a method for forming a circuit on a ceramic substrate" for forming a fine pattern (Japanese Patent Laid-Open No. 4-2499).
0). That is, this method of forming a fine pattern is performed by dispersing fine metal particles having a particle size of 5 μm or less, such as gold, silver, copper, or tungsten, in a metal alkoxide solution of silicon, lead, zinc, aluminum, etc. Alternatively, a ceramic substrate coated with a mask made of a hydrophobic material is immersed in this metal alkoxide solution and pulled up, and after removing this mask from the ceramic substrate, the gel coating film remaining on the non-masked portion of this substrate is removed by air. 800 to 9 in
This is a method of heating to about 00 ° C. and firing. According to this method, when a ceramic substrate is dipped in a metal alkoxide solution and pulled up, a gel coating film composed of gel oxide and metal fine particles is formed on the substrate. Then, after removing the mask from the ceramic substrate, when the gel coating film remaining on the non-mask portion is baked, the gel oxide further shrinks to become a normal oxide, which softens or melts in this baking temperature range, and at the same time The metal fine particles are sintered. Therefore,
A conductive fine pattern having a pattern width and a pattern interval of about 10 to 30 μm can be firmly formed on a ceramic substrate.
【0006】[0006]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記微
細パターンの形成方法には、5μm以下の金属微粒子を
用意することが困難で、基板を浸漬する際に金属アルコ
キシド溶液中に金属微粒子を均一に分散させておくこと
が難しく、しかも金属微粒子を使用するため製造コスト
が高価となる問題点があった。また上記方法は800〜
900℃の焼成工程を有するため、非導電性基板に耐熱
性に乏しい有機プラスチック系基板を用いることができ
なかった。更に、金属粉末の接触によって導電性を得る
機構であるため、金属の充填量を多く必要としペースト
の塗布膜厚も充分に厚くしなければならないので、これ
以上のファイン化には対応できなかった。また、導電性
が金属粉末の接触によって得られるため、接触抵抗が発
生し高周波化にも限界があった。However, in the above method for forming a fine pattern, it is difficult to prepare metal fine particles of 5 μm or less, and the metal fine particles are uniformly dispersed in the metal alkoxide solution when dipping the substrate. However, it is difficult to keep them in place, and since metal fine particles are used, the manufacturing cost is high. The above method is 800-
Since it has a baking step at 900 ° C., it was not possible to use an organic plastic substrate having poor heat resistance as the non-conductive substrate. Furthermore, since it is a mechanism to obtain conductivity by contact with metal powder, a large amount of metal must be filled and the coating thickness of the paste must be sufficiently thick, so further refinement could not be accommodated. . Further, since the conductivity is obtained by the contact of the metal powder, contact resistance is generated and there is a limit to the high frequency.
【0007】本発明の目的は、回路パターンをファイン
ラインでしかもファインピッチに形成することができ、
しかも強固に基板に接着できる回路パターンの形成方法
及びそのペーストを提供することにある。本発明の別の
目的は、金属微粒子を用いずに容易にかつ安価に回路パ
ターンを形成し得る方法及びそのペーストを提供するこ
とにある。本発明の更に別の目的は、適用可能な基板の
種類が多い回路パターンの形成方法及びそのペーストを
提供することにある。An object of the present invention is to form a circuit pattern on a fine line and at a fine pitch,
Moreover, it is an object of the present invention to provide a method of forming a circuit pattern that can be firmly adhered to a substrate and a paste thereof. Another object of the present invention is to provide a method for forming a circuit pattern easily and inexpensively without using fine metal particles, and a paste thereof. Still another object of the present invention is to provide a method of forming a circuit pattern and a paste thereof which can be applied to many types of substrates.
【0008】[0008]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の回路パターンの形成方法は、大気中100
〜1200℃の温度で加熱することにより金属に還元さ
れる金属酸化物を均一に分散してなるペーストを塗布し
てコーティング膜を形成する工程と、このコーティング
膜中に含まれる上記金属酸化物を大気中上記温度で熱処
理することにより金属に還元する工程と、この還元され
た金属を核として無電解めっきを析出させる工程とを含
む方法である。また、本発明の回路パターン形成用ペー
ストは大気中100〜1200℃の温度で加熱すること
により金属に還元される金属酸化物10〜80重量%を
少なくとも有機バインダと有機溶剤を含むビークル90
〜20重量%に均一に分散してなるものである。In order to achieve the above object, the method for forming a circuit pattern according to the present invention is performed in the atmosphere at 100%.
A step of forming a coating film by applying a paste obtained by uniformly dispersing a metal oxide that is reduced to a metal by heating at a temperature of ~ 1200 ° C, and the metal oxide contained in the coating film. It is a method including a step of reducing to a metal by heat treatment in the atmosphere at the above temperature, and a step of depositing electroless plating using the reduced metal as a nucleus. The circuit pattern forming paste of the present invention is a vehicle 90 containing at least an organic binder and an organic solvent in an amount of 10 to 80% by weight of a metal oxide which is reduced to a metal by heating at a temperature of 100 to 1200 ° C. in the atmosphere.
It is evenly dispersed to 20% by weight.
【0009】以下、本発明を詳述する。 (a) 回路パターン形成用ペースト 本発明のペーストは大気中100〜1200℃の温度で
加熱することにより金属に還元される金属酸化物をビー
クルに均一に分散させることにより調製される。この金
属酸化物は平均粒径が5μm以下のものが好ましい。金
属酸化物の平均粒径が5μmより大きいとファインライ
ン化、ファインピッチ化への対応が難しくなる。一般に
金属酸化物は水溶液から沈殿法により製造されるので一
次粒子は粒径5μm以下の微粉末であり、凝集しても展
延性がなく脆いので解砕も容易でファインライン化、フ
ァインピッチ化に適している。一方、従来法で用いられ
る金属粉末は一般に水溶液から還元析出法により製造さ
れるが、還元反応をコントロールすることによる粒径制
御が難しく、一次粒子が成長し易く凝集も起こり易い。
更に、展延性があるため解砕も困難となり、5μm以下
の微粉末を得ることが非常に難しい。The present invention will be described in detail below. (a) Circuit Pattern Forming Paste The paste of the present invention is prepared by uniformly dispersing in a vehicle a metal oxide that is reduced to a metal by heating in air at a temperature of 100 to 1200 ° C. The metal oxide preferably has an average particle size of 5 μm or less. When the average particle size of the metal oxide is larger than 5 μm, it becomes difficult to cope with fine line and fine pitch. Generally, metal oxides are produced from an aqueous solution by a precipitation method, so primary particles are fine powders with a particle size of 5 μm or less, and even if they agglomerate, they are not spreadable and brittle, so they can be easily crushed to make fine lines and fine pitches. Is suitable. On the other hand, the metal powder used in the conventional method is generally produced from an aqueous solution by a reduction precipitation method, but it is difficult to control the particle size by controlling the reduction reaction, and primary particles easily grow and aggregation easily occurs.
Further, since it has spreadability, it is difficult to disintegrate, and it is very difficult to obtain fine powder of 5 μm or less.
【0010】金属酸化物の含有量は、ペースト100重
量%に対して10〜80重量%である。含有量が10重
量%より少なくなると連続しためっき皮膜を得ることが
難しく、80重量%を越えるとペーストの流動性が失わ
れファインライン化への対応が難しくなる。ここで金属
酸化物は、大気中で加熱することにより金属に還元され
るものであれば特に限定されないが、金属酸化物の金属
種がAu,Pd又はAgが好ましい。The content of the metal oxide is 10 to 80% by weight based on 100% by weight of the paste. If the content is less than 10% by weight, it is difficult to obtain a continuous plating film, and if it exceeds 80% by weight, the fluidity of the paste is lost and it becomes difficult to adapt to fine lines. Here, the metal oxide is not particularly limited as long as it can be reduced to a metal by heating in the atmosphere, but the metal species of the metal oxide is preferably Au, Pd or Ag.
【0011】ビークルは、熱処理温度によって組成が異
なるが、エチルセルロースなどの有機バインダをターピ
ネオール、プチルカルビトールなどの有機溶剤に溶解さ
せ、必要に応じてシリコンアルコキシド、チタンアルコ
キシド、アルミニウムアルコキシドなどの金属アルコキ
シドを加えたものを用いる。Although the composition of the vehicle varies depending on the heat treatment temperature, an organic binder such as ethyl cellulose is dissolved in an organic solvent such as terpineol and pentyl carbitol, and if necessary, a metal alkoxide such as silicon alkoxide, titanium alkoxide and aluminum alkoxide is added. Use the added one.
【0012】(b) 所定のパターンのコーティング膜の形
成 本発明の回路パターンを形成するための非導電性基板
は、後工程の100〜1200℃の熱処理で変質又は変
形しないことが必要である。この非導電性基板として
は、有機プラスチック系材料、無機セラミック系材料又
は無機・有機複合系材料がある。有機プラスチック系材
料としては、紙フェノール、ガラスエポキシ、ポリイミ
ド、フッ素樹脂、ポリサルフォナイド等が例示され、無
機セラミック系材料としては、アルミナ、炭化ケイ素、
窒化ホウ素、窒化ケイ素、結晶化ガラス等が例示され、
更に無機・有機複合系材料としては、石英−エポキシ等
が例示される。また、上記基板に所定のパターンでコー
ティング膜を形成する方法としては、スクリーン印刷
法により基板に直接パターンを描き熱処理後に無電解め
っきを行う方法(フルアディティブ法)、スピンコー
ターやディッピングにより基板全面にペーストを塗布、
熱処理後、エッチングによりパターンを形成し、無電解
めっきを行う方法(セミアディティブ法)、スピンコ
ーターやディッピングにより基板全面にペーストを塗
布、熱処理後、無電解めっき、必要に応じて更に電気め
っきを行い、エッチングによりパターンを形成する方法
(サブトラクト法)のいずれかを用いる。(B) Formation of coating film of predetermined pattern It is necessary that the non-conductive substrate for forming the circuit pattern of the present invention is not deteriorated or deformed by the subsequent heat treatment at 100 to 1200 ° C. The non-conductive substrate may be an organic plastic material, an inorganic ceramic material, or an inorganic / organic composite material. Examples of the organic plastic material include paper phenol, glass epoxy, polyimide, fluororesin, polysulfonide, and the like, and examples of the inorganic ceramic material include alumina, silicon carbide,
Examples of boron nitride, silicon nitride, crystallized glass,
Further, examples of the inorganic / organic composite material include quartz-epoxy. As a method of forming a coating film on the substrate in a predetermined pattern, a method of directly drawing a pattern on the substrate by a screen printing method and performing electroless plating after heat treatment (full additive method), a spin coater or dipping on the entire surface of the substrate Apply paste,
After heat treatment, a pattern is formed by etching and electroless plating is performed (semi-additive method), paste is applied to the entire surface of the substrate by spin coater or dipping, heat treatment is performed, then electroless plating is performed, and electroplating is further performed if necessary. , A method of forming a pattern by etching (subtract method) is used.
【0013】(c) コーティング膜中の金属酸化物の還元 コーティング膜中に含まれる金属酸化物は大気中100
〜1200℃の温度で熱処理を行うことにより金属酸化
物から金属に還元される。例えば、酸化Ag(II)(A
gO)は100℃以上、酸化Ag(I)(Ag2O)は1
60℃以上、酸化Au(III)(Au2O3)は250℃
以上、酸化Pd(II)(PdO)は700℃以上でそれ
ぞれ徐々に分解して金属であるAg、Au又はPdに還
元される。従って、酸化Ag(I)(II)を用いて低温
で還元することにより有機プラスチック系材料の基板の
使用が可能となる。無機セラミック系材料を基板とする
場合はいずれの金属酸化物でも使用可能である。(C) Reduction of Metal Oxide in Coating Film The metal oxide contained in the coating film is 100
The metal oxide is reduced to a metal by heat treatment at a temperature of up to 1200 ° C. For example, oxidized Ag (II) (A
gO) is 100 ° C or higher, and oxidized Ag (I) (Ag 2 O) is 1
60 ℃ or higher, 250 ℃ for Au (III) oxide (Au 2 O 3 )
As described above, the oxidized Pd (II) (PdO) is gradually decomposed at 700 ° C. or higher and reduced to Ag, Au or Pd which is a metal. Therefore, by using Ag (I) (II) oxide for reduction at a low temperature, it becomes possible to use a substrate made of an organic plastic material. When an inorganic ceramic material is used as the substrate, any metal oxide can be used.
【0014】(d) コーティング膜の基板への接着 コーティング膜と基板との接着メカニズムは、ペースト
の組成と用いる基板材料により異なる。例えば、ビー
クルに金属アルコキシドを含まず、無機セラミックス系
材料を基板とする場合には、高温で熱処理を行うことに
より有機バインダが分解し還元された金属のみが基板に
残留して無電解めっきの核となり、還元された金属がめ
っき膜をアンカー(投錨)効果により基板に密着させ
る。密着力が不足する場合には、ビークルに金属アル
コキシドを含有させ、大気中で熱処理を行い加水分解又
は重縮合させ、その反応物を金属酸化物に変えることに
よりコーティング膜を基板に接着する。また、有機プ
ラスチック系材料を基板とする場合には、低温で熱処理
を行うため有機バインダは接着剤の役割を果たしてコー
ティング膜を基板に接着する。更に、金属アルコキシ
ドを含有させる場合には、有機バインダは粘度調整とし
て機能し、接着は主に金属アルコキシドの加水分解又は
重縮合により行われる。(D) Adhesion of Coating Film to Substrate The adhesion mechanism between the coating film and the substrate differs depending on the composition of the paste and the substrate material used. For example, when the vehicle does not contain metal alkoxide and the substrate is an inorganic ceramic material, the organic binder is decomposed by heat treatment at high temperature and only the reduced metal remains on the substrate and the core of the electroless plating is Then, the reduced metal adheres the plating film to the substrate by the anchor effect. When the adhesion is insufficient, the vehicle is made to contain a metal alkoxide, and heat treatment is performed in the atmosphere to cause hydrolysis or polycondensation, and the reaction product is changed to a metal oxide to adhere the coating film to the substrate. When an organic plastic material is used as the substrate, heat treatment is performed at a low temperature, so that the organic binder serves as an adhesive to bond the coating film to the substrate. Furthermore, when a metal alkoxide is contained, the organic binder functions as a viscosity adjuster, and the adhesion is mainly performed by hydrolysis or polycondensation of the metal alkoxide.
【0015】(e) コーティング膜への無電解めっき このようにして形成されたコーティング膜に無電解めっ
きを行うことにより、金属層を析出させる。還元された
Au、Pd、Ag等の金属を核として無電解めっきを行
うが、無電解めっき反応を開始させ得る触媒性が不足し
ている場合は、必要によりPd置換又はガルバニックイ
ニシエーション等により初期駆動力を付与することによ
り無電解めっき反応を開始させる。例えば、還元された
金属がAgの場合には、この金属をPdで置換する。無
電解めっきの金属種としてはAu、Pd、Ag、Cu、
Ni等が挙げられるが、析出速度、コスト、ハンドリン
グの面から特にCu又はNiが好ましい。無電解めっき
により析出された金属層は下層のコーティング膜と強く
密着して積層される。(E) Electroless Plating on Coating Film The coating film thus formed is subjected to electroless plating to deposit a metal layer. Electroless plating is performed using reduced metals such as Au, Pd, and Ag as nuclei, but if the catalytic property that can start the electroless plating reaction is insufficient, initial drive is performed by Pd substitution or galvanic initiation if necessary. The electroless plating reaction is started by applying a force. For example, if the reduced metal is Ag, replace this metal with Pd. The electroless plating metal species include Au, Pd, Ag, Cu,
Although Ni and the like can be mentioned, Cu or Ni is particularly preferable in terms of precipitation rate, cost, and handling. The metal layer deposited by electroless plating is strongly adhered to the lower coating film and laminated.
【0016】[0016]
【作用】従来法で用いられる金属粉末は一般に水溶液か
ら還元析出法により製造されるが、還元反応をコントロ
ールすることによる粒径制御が難しく、一次粒子が成長
し易く凝集も起こり易い。更に、展延性があるため解砕
も困難となり、5μm以下の微粉末を得ることが非常に
難しい。一方、本発明の方法で用いられる金属酸化物は
水溶液から沈殿法により製造されるので一次粒子は基本
的に粒径5μm以下の微粉末であり、凝集しても展延性
がなく脆いので解砕も容易でファインライン化、ファイ
ンピッチ化に対応することができる。The metal powder used in the conventional method is generally produced from an aqueous solution by the reduction precipitation method, but it is difficult to control the particle size by controlling the reduction reaction, and primary particles easily grow and agglomerate easily. Further, since it has spreadability, it is difficult to disintegrate, and it is very difficult to obtain fine powder of 5 μm or less. On the other hand, since the metal oxide used in the method of the present invention is produced from an aqueous solution by a precipitation method, the primary particles are basically fine powder having a particle size of 5 μm or less, and even if they are aggregated, they are fragile because they are not spreadable and brittle. It is also easy to handle fine lines and fine pitches.
【0017】また、金属酸化物は比重も小さいので均一
なペーストとなり、例えばスクリーン印刷などによりフ
ァインラインを描いても固形分の沈殿によるペースト垂
れが発生せずフルアディティブ法によりファインライン
化及びファインピッチ化を図ることができる。或いは、
エッチングを利用したサブトラクト法、セミアディティ
ブ法にも対応可能である。いずれの場合も、金属酸化物
は大気中100〜1200℃の温度で熱処理を行うこと
により、金属に還元され次工程の無電解めっきの核とな
る。更に、無電解めっきを行うことにより一体化した導
電層が得られ、基板との密着性にも優れている。Further, since the metal oxide has a small specific gravity, it becomes a uniform paste, and even if a fine line is drawn by screen printing or the like, the sagging of the paste does not occur due to the precipitation of the solid content, and the fine line is formed and the fine pitch is obtained by the full additive method. Can be realized. Alternatively,
It is also applicable to the subtractive method and semi-additive method using etching. In either case, the metal oxide is reduced to a metal by performing a heat treatment at a temperature of 100 to 1200 ° C. in the atmosphere, and becomes a nucleus of the electroless plating in the next step. Furthermore, an electroconductive plating is performed to obtain an integrated conductive layer, which has excellent adhesion to the substrate.
【0018】[0018]
【実施例】次に本発明の実施例を比較例とともに説明す
る。 <実施例1>エチルセルロース15gを35%エチルシ
リケートエタノール溶液85gに溶解し、この溶液に平
均粒径0.3μmのAg2O20gを3本ロールを用い
て均一に分散させ、ペーストを調製した。このペースト
をパターン幅50μm、パターン間100μmとなるよ
うにスクリーン印刷法によりAl2O3基板の表面に塗布
した。スクリーン印刷した後、基板を125℃で10分
乾燥し、次いで850℃で10分熱処理することにより
Ag2OをAgに還元した。これを200ppmのPd
Cl2水溶液に浸漬してAgとPdを置換させた後、無
電解Cuめっきを行い5μmの膜厚のパターンを得た。EXAMPLES Next, examples of the present invention will be described together with comparative examples. <Example 1> 15 g of ethyl cellulose was dissolved in 85 g of a 35% ethyl silicate ethanol solution, and 20 g of Ag 2 O having an average particle size of 0.3 µm was uniformly dispersed in the solution to prepare a paste. This paste was applied to the surface of an Al 2 O 3 substrate by a screen printing method so that the pattern width was 50 μm and the space between patterns was 100 μm. After screen printing, the substrate was dried at 125 ° C. for 10 minutes and then heat-treated at 850 ° C. for 10 minutes to reduce Ag 2 O to Ag. This is 200ppm Pd
After substituting Ag and Pd by immersing in a Cl 2 aqueous solution, electroless Cu plating was performed to obtain a pattern having a film thickness of 5 μm.
【0019】<実施例2>エチルセルロース10gをタ
ーピネオール90gに溶解し、この溶液に平均粒径0.
1μmのAg2O80gをビーズミルを用いて均一に分
散させ、ペーストを調製した。このペーストをスピンコ
ータでAl2O3基板の表面に塗布した。この基板を15
0℃で10分乾燥し、次いで850℃で10分熱処理す
ることによりAg2OをAgに還元した。この基板にレ
ジストをパターン幅50μm、パターン間100μmと
なるようにスクリーン印刷法により基板表面に塗布し、
レジストが塗布されていない部分のAgをエッチングに
より除去した。レジストを除去後、200ppmのPd
Cl2水溶液に浸漬してAgとPdを置換させた後、無
電解Cuめっきを行い5μmの膜厚のパターンを得た。<Example 2> 10 g of ethyl cellulose was dissolved in 90 g of terpineol, and this solution had an average particle size of 0.
80 g of 1 μm Ag 2 O was uniformly dispersed using a bead mill to prepare a paste. This paste was applied to the surface of the Al 2 O 3 substrate with a spin coater. This board 15
Ag 2 O was reduced to Ag by drying at 0 ° C. for 10 minutes and then heat-treating at 850 ° C. for 10 minutes. A resist is applied to the surface of the substrate by screen printing so that the pattern width is 50 μm and the distance between the patterns is 100 μm.
The Ag in the portion not coated with the resist was removed by etching. After removing the resist, 200ppm Pd
After substituting Ag and Pd by immersing in a Cl 2 aqueous solution, electroless Cu plating was performed to obtain a pattern having a film thickness of 5 μm.
【0020】<実施例3>エチルセルロース10gをタ
ーピネオール90gに溶解し、この溶液に平均粒径0.
1μmのAg2O80gをビーズミルを用いて均一に分
散させ、ペーストを調製した。このペーストをスピンコ
ータでAl2O3基板の表面に塗布した。この基板を15
0℃で10分乾燥し、次いで850℃で10分熱処理す
ることによりAg2OをAgに還元した。この基板を2
00ppmのPdCl2水溶液に浸漬してAgとPdを
置換させた後、無電解Cuめっきを行い、続いて電気C
uめっきを行い基板全面に膜厚5μmのCu膜を形成し
た。この基板にレジストをパターン幅50μm、パター
ン間100μmとなるようにポジ型レジストでパターン
を形成し、レジストが塗布されていない部分のCuをエ
ッチングにより除去した。レジストを除去して膜厚5μ
mのCuのパターンを得た。Example 3 10 g of ethyl cellulose was dissolved in 90 g of terpineol, and this solution had an average particle size of 0.
80 g of 1 μm Ag 2 O was uniformly dispersed using a bead mill to prepare a paste. This paste was applied to the surface of the Al 2 O 3 substrate with a spin coater. This board 15
Ag 2 O was reduced to Ag by drying at 0 ° C. for 10 minutes and then heat-treating at 850 ° C. for 10 minutes. 2 this board
After substituting Ag and Pd by immersing in a PdCl 2 aqueous solution of 00 ppm, electroless Cu plating is performed, and then electric C
u plating was performed to form a Cu film having a film thickness of 5 μm on the entire surface of the substrate. A pattern was formed on this substrate with a positive resist so that the pattern width was 50 μm and the pattern interval was 100 μm, and Cu in the portion where the resist was not applied was removed by etching. 5μ film thickness after removing resist
A Cu pattern of m was obtained.
【0021】<実施例4>ノボラック系フェノール樹脂
20gをエタノール80gに溶解し、この溶液に平均粒
径0.2μmのAgO20gを3本ロールを用いて均一
に分散させ、ペーストを調製した。このペーストをパタ
ーン幅50μm、パターン間100μmとなるようにス
クリーン印刷によりガラスエポキシ基板の表面に塗布し
た。スクリーン印刷した後、基板を150℃で2時間熱
処理することによりAgOをAgに還元した。これを2
00ppmのPdCl2水溶液に浸漬してAgとPdを
置換させた後、無電解Cuめっきを行い5μmの膜厚の
パターンを得た。 <比較例1>エチルセルロース15gを35%エチルシ
リケートエタノール溶液85gに溶解し、この溶液に平
均粒径8μmのCu粉末20gをビーズミルを用いて均
一に分散させ、ペーストを調製した。このペーストをパ
ターン幅50μm、パターン間100μmとなるように
スクリーン印刷によりAl2O3基板の表面に塗布した
が、パターン切れが観察された。Example 4 20 g of a novolac phenolic resin was dissolved in 80 g of ethanol, and 20 g of AgO having an average particle size of 0.2 μm was uniformly dispersed in this solution using a triple roll to prepare a paste. This paste was applied to the surface of a glass epoxy substrate by screen printing so that the pattern width was 50 μm and the distance between patterns was 100 μm. After screen printing, the substrate was heat-treated at 150 ° C. for 2 hours to reduce AgO to Ag. This is 2
After substituting Ag with Pd by immersing in a PdCl 2 aqueous solution of 00 ppm, electroless Cu plating was performed to obtain a pattern having a film thickness of 5 μm. Comparative Example 1 15 g of ethyl cellulose was dissolved in 85 g of a 35% ethyl silicate ethanol solution, and 20 g of Cu powder having an average particle size of 8 μm was uniformly dispersed in this solution using a bead mill to prepare a paste. This paste was applied to the surface of the Al 2 O 3 substrate by screen printing so that the pattern width was 50 μm and the space between patterns was 100 μm, but pattern breakage was observed.
【0022】<比較例2>比較例1で作成した導電性ペ
ーストをパターン幅100μm、パターン間100μm
となるようにスクリーン印刷によりAl2O3基板の表面
に塗布したが、パターン切れが観察された。<Comparative Example 2> The conductive paste prepared in Comparative Example 1 has a pattern width of 100 μm and a pattern interval of 100 μm.
The resulting pattern was applied to the surface of the Al 2 O 3 substrate by screen printing so that a pattern break was observed.
【0023】<比較例3>比較例1で作成した導電性ペ
ーストをパターン幅200μm、パターン間200μm
となるようにスクリーン印刷によりAl2O3基板の表面
に塗布した。スクリーン印刷した後、基板を還元雰囲気
中125℃で10分乾燥し、次いで還元雰囲気中850
℃で10分熱処理を行った。これを200ppmのPd
Cl2水溶液に浸漬してCuとPdを置換させた後、無
電解Cuめっきを行い5μmの膜厚のパターンを得た。<Comparative Example 3> The conductive paste prepared in Comparative Example 1 has a pattern width of 200 μm and a pattern interval of 200 μm.
Was applied to the surface of the Al 2 O 3 substrate by screen printing. After screen printing, the substrate is dried in a reducing atmosphere at 125 ° C. for 10 minutes and then in a reducing atmosphere at 850.
Heat treatment was performed at 10 ° C. for 10 minutes. This is 200ppm Pd
After substituting Cu and Pd by immersing in a Cl 2 aqueous solution, electroless Cu plating was performed to obtain a pattern having a film thickness of 5 μm.
【0024】実施例1〜4及び比較例1〜3の回路パタ
ーンのパターン切れ、パターン短絡の有無、パターン
幅、パターン間隔の測定、及びピーリング試験による密
着強度の測定を行った。これらの結果を表1に示す。The circuit patterns of Examples 1 to 4 and Comparative Examples 1 to 3 were measured for pattern breakage, presence or absence of pattern short circuit, pattern width, pattern spacing, and adhesion strength by peeling test. Table 1 shows the results.
【0025】[0025]
【表1】 [Table 1]
【0026】実施例1〜4は、ペーストに分散した金属
酸化物粉末の粒径が小さく比重も小さいのでパターン切
れ及びパターン短絡が全くなかったのに対して、比較例
1〜3では金属粉末の粒径が大きいのでライン幅100
μmまではパターン切れが発生し、200μmのライン
幅ではパターン切れはなかったが金属粉末の充填量が多
く比重も大きいためペースト垂れによるパターンの広が
りが発生した。また、密着強度も実施例ではいずれも実
用強度の2kg/2mm□を越えているが、比較例3で
は1.3kg/2mm□と実用強度に達しなかった。In Examples 1 to 4, since the particle size of the metal oxide powder dispersed in the paste was small and the specific gravity was also small, there was no pattern breakage or pattern short circuit, whereas in Comparative Examples 1 to 3, Line width 100 due to large particle size
Pattern breaks occurred up to μm, and there were no pattern breaks at a line width of 200 μm, but since the filling amount of the metal powder was large and the specific gravity was large, spread of the pattern occurred due to sagging paste. Further, the adhesion strengths in all of the examples exceeded the practical strength of 2 kg / 2 mm □, but in Comparative Example 3, the practical strength of 1.3 kg / 2 mm □ was not reached.
【0027】[0027]
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、大
気中で加熱することにより金属に還元される金属酸化物
微粉末を均一に分散させたペーストで形成したコーティ
ング膜を熱処理した後に無電解めっきを行うことによ
り、ペースト切れ、ペースト垂れを起こすことなく、回
路パターンをファインラインでしかもファインピッチに
形成することができる。また無電解めっきのアンカー効
果及び金属アルコキシドなどの接着成分の効果によりコ
ーティング膜を基板に強固に接着できる。特に、従来の
微細パターンの形成方法に比して金属微粒子を用いない
ため、容易にかつ安価に回路パターンを形成することが
でき、しかも大気中で比較的低温からの熱処理が可能で
あるため、適用可能な基板の種類が多い利点もある。As described above, according to the present invention, after heat-treating a coating film formed by a paste in which fine powder of metal oxide which is reduced to a metal by heating in air is uniformly dispersed, By performing the electroless plating, it is possible to form a circuit pattern on a fine line and at a fine pitch without causing a paste break or a paste sag. Further, the coating film can be firmly adhered to the substrate by the anchor effect of electroless plating and the effect of the adhesive component such as metal alkoxide. In particular, since the metal fine particles are not used as compared with the conventional method of forming a fine pattern, the circuit pattern can be formed easily and inexpensively, and further, the heat treatment from a relatively low temperature in the atmosphere is possible, There is also an advantage that there are many types of applicable substrates.
Claims (5)
することにより金属に還元される金属酸化物を均一に分
散してなるペーストを塗布してコーティング膜を形成す
る工程と、 前記コーティング膜中に含まれる前記金属酸化物を大気
中前記温度で熱処理することにより金属に還元する工程
と、 還元された前記金属を核として無電解めっきを析出させ
る工程とを含む回路パターンの形成方法。1. A step of forming a coating film by applying a paste obtained by uniformly dispersing a metal oxide that is reduced to a metal by heating at a temperature of 100 to 1200 ° C. in the atmosphere, A method of forming a circuit pattern, comprising: a step of reducing the metal oxide contained in to a metal by heat treatment in the atmosphere at the temperature; and a step of depositing electroless plating using the reduced metal as a nucleus.
gのいずれかである請求項1記載の回路パターンの形成
方法。2. The metal species of the metal oxide is Au, Pd or A.
The method for forming a circuit pattern according to claim 1, wherein the method is g.
させる無電解めっきの金属種がCu又はNiのいずれか
である請求項1記載の回路パターンの形成方法。3. The method for forming a circuit pattern according to claim 1, wherein the metal species of the electroless plating for depositing the reduced metal on the nucleus as a metal layer is either Cu or Ni.
ためのペーストにおいて、大気中100〜1200℃の
温度で加熱することにより金属に還元される金属酸化物
10〜80重量%を少なくとも有機バインダと有機溶剤
を含むビークル90〜20重量%に均一に分散させてな
ることを特徴とするペースト。4. A paste for forming a circuit pattern on a non-conductive substrate, wherein at least 10 to 80% by weight of a metal oxide reduced to a metal by heating at a temperature of 100 to 1200 ° C. in the atmosphere is used as an organic binder. A paste characterized by being uniformly dispersed in a vehicle containing 20 to 20% by weight of an organic solvent.
る請求項4記載のペースト。5. The paste according to claim 4, wherein the average particle size of the metal oxide is 5 μm or less.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP30724094A JPH08167768A (en) | 1994-12-12 | 1994-12-12 | Forming method for circuit pattern, and paste used therefor |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP30724094A JPH08167768A (en) | 1994-12-12 | 1994-12-12 | Forming method for circuit pattern, and paste used therefor |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH08167768A true JPH08167768A (en) | 1996-06-25 |
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JP30724094A Pending JPH08167768A (en) | 1994-12-12 | 1994-12-12 | Forming method for circuit pattern, and paste used therefor |
Country Status (1)
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JP (1) | JPH08167768A (en) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001119128A (en) * | 1999-08-11 | 2001-04-27 | Mitsuboshi Belting Ltd | Method of making ceramics circuit board |
JP2002134879A (en) * | 2000-10-27 | 2002-05-10 | Nec Toyama Ltd | Pattern forming method, metal pattern member |
JP2014187403A (en) * | 2009-04-24 | 2014-10-02 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Substrate for printed wiring board and manufacturing method of the same |
US10076028B2 (en) | 2015-01-22 | 2018-09-11 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Substrate for printed circuit board, printed circuit board, and method for producing printed circuit board |
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US10237976B2 (en) | 2014-03-27 | 2019-03-19 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Substrate for printed circuit board, printed circuit board, and method for producing substrate for printed circuit board |
-
1994
- 1994-12-12 JP JP30724094A patent/JPH08167768A/en active Pending
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