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JPH08162615A - Semiconductor integrated circuit - Google Patents

Semiconductor integrated circuit

Info

Publication number
JPH08162615A
JPH08162615A JP32955894A JP32955894A JPH08162615A JP H08162615 A JPH08162615 A JP H08162615A JP 32955894 A JP32955894 A JP 32955894A JP 32955894 A JP32955894 A JP 32955894A JP H08162615 A JPH08162615 A JP H08162615A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
test data
data
input terminal
vdd
signal
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP32955894A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Taketoshi Nakamura
猛利 中村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Yamaha Corp
Original Assignee
Yamaha Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Yamaha Corp filed Critical Yamaha Corp
Priority to JP32955894A priority Critical patent/JPH08162615A/en
Publication of JPH08162615A publication Critical patent/JPH08162615A/en
Pending legal-status Critical Current

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  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)

Abstract

PURPOSE: To provide a semiconductor integrated circuit wherein test data can be inputted without installing an input terminal of the test data. CONSTITUTION: A data input terminal DIN is connected with an internal circuit block 2, via a buffer 1. The output terminal of the internal circuit block 2 is connected with an internal circuit block 3, in which a register for setting test data is included. The data input terminal DIN serves as an input terminal of the data for test. The test data are supplied in the form wherein the 'H' level (VDD) of an ordinary data signal is multiplexed by the amplitude of (1/2) VDD. In order to separate the test data from the amplitude modulated signal, a threshold gate 4 which sets (3/4) VDD as the circuit threshold value and executes binary discrimination is installed.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】この発明は、半導体集積回路(例
えばLSI)に係り、所定のテスト用データを入力して
論理動作テストを行えるようにしたテスト容易化LSI
に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor integrated circuit (eg, LSI), and a test facilitation LSI for inputting predetermined test data to perform a logical operation test.
Regarding

【0002】[0002]

【従来の技術】テスト容易化LSIでは一般に、通常の
データ入力端子等とは別に、テスト用データを入力する
ための端子が設けられている。入力されたテスト用デー
タは例えば内部回路のレジスタ等に設定され、このテス
ト用データにより条件設定された回路の動作をチェック
することによって、内部回路が所期の論理動作を行うか
否かのテストが行われる。
2. Description of the Related Art In general, a test facilitation LSI is provided with a terminal for inputting test data in addition to a normal data input terminal and the like. The input test data is set in, for example, the register of the internal circuit, and the operation of the circuit set by the test data is checked to test whether the internal circuit performs the intended logical operation. Is done.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】テスト用データの入力
に特別の端子を必要とすると、LSIのパッケージが大
型化し、LSIのコストアップをもたらす。この発明
は、上記の点に鑑みなされたもので、格別のテスト用デ
ータ入力端子を設けることなくテスト用データの入力を
可能とし、もってパッケージの小型化とコスト低減を図
った半導体集積回路を提供することを目的としている。
If a special terminal is required for inputting test data, the LSI package becomes large and the cost of the LSI increases. The present invention has been made in view of the above points, and provides a semiconductor integrated circuit in which test data can be input without providing a special test data input terminal, thereby reducing the size of the package and reducing the cost. The purpose is to do.

【0004】[0004]

【課題を解決するための手段】この発明は、所定の外部
信号入力端子を通常データ入力端子及びテスト用データ
入力端子として共用する半導体集積回路であって、前記
外部信号入力端子に入力される信号は、通常データがテ
スト用データで振幅変調された信号であるとして、その
入力された信号から前記テスト用データを分離するしき
い値回路を内蔵したことを特徴としている。この発明に
おいて好ましくは、前記振幅変調された信号は、通常デ
ータとしてのVDDの“H”レベル信号に振幅(1/2)
VDDのテスト用データを多重化したものとし、前記しき
い値回路は(3/4)VDDを回路しきい値としてこの振
幅変調された信号の二値判定を行うものとする。
The present invention is a semiconductor integrated circuit in which a predetermined external signal input terminal is shared as a normal data input terminal and a test data input terminal, and a signal input to the external signal input terminal is provided. Is characterized in that the normal data is a signal whose amplitude is modulated with the test data, and a threshold circuit for separating the test data from the input signal is incorporated. In the present invention, preferably, the amplitude-modulated signal has an amplitude (1/2) of a VDD "H" level signal as normal data.
It is assumed that the test data of VDD is multiplexed, and the threshold circuit performs binary determination of this amplitude-modulated signal with (3/4) VDD as the circuit threshold.

【0005】[0005]

【作用】この発明によると、通常のデータ入力端子やイ
ニシャルクリア端子等を利用して、これらの端子に入る
“H”レベル信号に重畳させた形でテスト用データを入
力することができる。従って、LSIのパッケージの小
型化やコスト低減が図られる。
According to the present invention, the test data can be input by using the normal data input terminal, the initial clear terminal, etc. in the form of being superimposed on the "H" level signal input to these terminals. Therefore, miniaturization of the LSI package and cost reduction can be achieved.

【0006】[0006]

【実施例】以下、図面を参照して、この発明の実施例を
説明する。図1は、この発明の一実施例のLSIの等価
回路である。データ入力端子DINは、バッファ1を介し
て、第1の内部回路ブロック2につながり、更にこの回
路ブロック2の出力端子は第2の内部回路ブロック3に
つながる。第2の回路ブロック3にはテスト用データを
設定するレジスタ(図示せず)が含まれる。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is an equivalent circuit of an LSI according to an embodiment of the present invention. The data input terminal DIN is connected to the first internal circuit block 2 via the buffer 1, and the output terminal of this circuit block 2 is connected to the second internal circuit block 3. The second circuit block 3 includes a register (not shown) for setting test data.

【0007】データ入力端子DINは、テスト用データ入
力端子を兼ねている。テスト用データは、後述するよう
に、通常のデータ信号の“H”レベル(VDD)に多重化
した形、具体的には“H”レベル信号を振幅(1/2)
VDDのテスト用データで振幅変調した振幅変調信号とし
て供給される。この振幅変調信号からテスト用データを
分離するために、(3/4)VDDを回路しきい値として
二値判定を行うしきい値回路4が設けられている。
The data input terminal DIN also serves as a test data input terminal. As will be described later, the test data has a form in which it is multiplexed with the "H" level (VDD) of a normal data signal, specifically, the "H" level signal has an amplitude (1/2).
It is supplied as an amplitude-modulated signal that is amplitude-modulated with VDD test data. In order to separate the test data from the amplitude modulation signal, a threshold circuit 4 for making a binary decision using (3/4) VDD as a circuit threshold value is provided.

【0008】しきい値回路4の出力には、分離されたテ
スト用データを選択的に内部回路に供給するために、A
NDゲート5が設けられている。ANDゲート5の一つ
の入力端子は外部にテストモード設定端子TESTとし
て導出されている。即ちテストモード設定端子TEST
に“H”レベル信号が入り、同時にデータ入力端子DIN
にテスト用データで振幅変調されタ入力データが入る
と、テスト用データはしきい値回路4で分離され、AN
Dゲート5を通って第2の内部回路ブロック3に供給さ
れる。
The output of the threshold circuit 4 is A in order to selectively supply the separated test data to the internal circuit.
An ND gate 5 is provided. One input terminal of the AND gate 5 is led to the outside as a test mode setting terminal TEST. That is, the test mode setting terminal TEST
"H" level signal is input to the data input terminal DIN
When the input data is amplitude-modulated with the test data, the test data is separated by the threshold circuit 4,
It is supplied to the second internal circuit block 3 through the D gate 5.

【0009】図2は、しきい回路4の構成例である。図
示のように、PMOSトランジスタQP1とNMOSトラ
ンジスタQN1からなる初段CMOSインバータと、PM
OSトランジスタQP2とNMOSトランジスタQN2から
なる2段目CMOSインバータとから構成されている。
初段インバータにおいて、PMOSトランジスタQP1の
ゲート幅Wとゲート長Lの比W/Lを、NMOSトラン
ジスタQN1のW/Lの2倍程度に設計することにより、
約(3/4)VDDの回路しきい値が得られる。2段目イ
ンバータの回路しきい値は任意であり、例えば(1/
2)VDDとする。
FIG. 2 shows a configuration example of the threshold circuit 4. As shown in the figure, a first-stage CMOS inverter composed of a PMOS transistor QP1 and an NMOS transistor QN1, and a PM
It is composed of a second stage CMOS inverter composed of an OS transistor QP2 and an NMOS transistor QN2.
In the first-stage inverter, by designing the ratio W / L of the gate width W and the gate length L of the PMOS transistor QP1 to about twice the W / L of the NMOS transistor QN1,
A circuit threshold of about (3/4) VDD is obtained. The circuit threshold of the second-stage inverter is arbitrary, for example (1 /
2) Set to VDD.

【0010】通常データにテスト用データを多重化した
信号を生成するために、図3に示すようにLSI8とは
別に、多重化回路7が外部に必要になる。この多重化回
路7では、図4に示すように、通常データの“H”レベ
ルのタイミングでテスト用データが重畳されて、振幅変
調された信号とされる。
In order to generate a signal in which the test data is multiplexed with the normal data, a multiplexing circuit 7 is required outside the LSI 8 as shown in FIG. In the multiplexing circuit 7, as shown in FIG. 4, the test data is superposed at the timing of the "H" level of the normal data to form an amplitude-modulated signal.

【0011】この実施例でのテスト用データ入力の動作
を図5を用いて説明する。図示のようにデータ入力端子
DINには、図4で説明したように、データ信号の“H”
レベル(VDD)が入力されるタイミングで、その“H”
レベルに振幅(1/2)VDDのテスト用データが多重化
された信号が供給される。テスト用データを“H”レベ
ルが“1”、“L”レベルが“0”とすれば、通常デー
タの“H”レベルは、“1”データが重畳された部分が
VDDレベルで、“0”データが重畳された部分が約(1
/2)VDDとなる。
The operation of inputting test data in this embodiment will be described with reference to FIG. As shown in FIG. 4, the data input terminal DIN has a data signal of "H", as described in FIG.
"H" at the timing when the level (VDD) is input
A signal in which test data of amplitude (1/2) VDD is multiplexed to the level is supplied. If the test data is "1" at "H" level and "0" at "L" level, the normal data at "H" level is VDD level at the portion where "1" data is superposed, and "0" level. "The area where the data is superimposed is about (1
/ 2) It becomes VDD.

【0012】この振幅変調信号はしきい値回路4によ
り、しきい値(3/4)VDDで二値判定がなされて、テ
スト用データBが取り出される。またバッファ1の回路
しきい値を(1/2)VDDより僅かに低い値に設定して
おけば、このバッファ1により通常データAが分離され
る。取り出されたテスト用データBは、テストモード設
定端子TESTにテスト用データと同期して入力される
モード設定信号により選択されて、第2の内部回路ブロ
ック3に供給される。
The threshold value circuit 4 makes a binary decision on the amplitude modulated signal with a threshold value (3/4) VDD, and the test data B is taken out. If the circuit threshold of the buffer 1 is set to a value slightly lower than (1/2) VDD, the buffer 1 separates the normal data A. The extracted test data B is selected by a mode setting signal input to the test mode setting terminal TEST in synchronization with the test data, and is supplied to the second internal circuit block 3.

【0013】図6は、この発明の別の実施例のLSI等
価回路である。この実施例では、内部回路6を初期化す
るためのイニシャルクリア端子ICをテスト用データ入
力端子として共用している。従って、イニシャルクリア
端子ICに、先の実施例と同様にしきい値回路4が設け
られ、その出力を内部回路6に供給するANDゲート5
が設けられる。
FIG. 6 shows an LSI equivalent circuit of another embodiment of the present invention. In this embodiment, the initial clear terminal IC for initializing the internal circuit 6 is shared as a test data input terminal. Therefore, the threshold circuit 4 is provided in the initial clear terminal IC as in the previous embodiment, and the AND gate 5 that supplies the output thereof to the internal circuit 6 is provided.
Is provided.

【0014】この実施例の場合も、図7に示すように、
所定タイミングt0で“H”レベルとなるイニシャルク
リア信号に、テスト用データが多重化される。ただしこ
の実施例の場合、イニシャルクリアを確実にするため
に、テスト用データはイニシャルクリア信号の入力タイ
ミングt0から少し遅れたタイミングt1で、イニシャ
ルクリア信号に多重化する。多重化のレベルを先の実施
例と同様とすれば、(3/4)VDDに回路しきい値を設
定したしきい値回路4により、図示のようにテスト用デ
ータCを分離して取り出すことができる。
Also in the case of this embodiment, as shown in FIG.
The test data is multiplexed with the initial clear signal which becomes "H" level at a predetermined timing t0. However, in the case of this embodiment, in order to ensure the initial clear, the test data is multiplexed with the initial clear signal at the timing t1 slightly delayed from the input timing t0 of the initial clear signal. Assuming that the level of multiplexing is the same as in the previous embodiment, the test data C is separated and taken out by the threshold value circuit 4 in which the circuit threshold value is set to (3/4) VDD. You can

【0015】[0015]

【発明の効果】以上述べたようにこの発明によれば、格
別のテスト用データ入力端子を設けることなく、通常の
データ入力端子やイニシャルクリア端子等を利用して、
これらの端子に入る“H”レベル信号に重畳させた形で
テスト用データを入力することができ、従って、LSI
のパッケージの小型化やコスト低減が図られる。
As described above, according to the present invention, a normal data input terminal, an initial clear terminal or the like can be used without providing a special test data input terminal.
The test data can be input in the form of being superimposed on the "H" level signals entering these terminals.
The package can be downsized and the cost can be reduced.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】 この発明の一実施例に係るLSIの等価回路
である。
FIG. 1 is an equivalent circuit of an LSI according to an embodiment of the present invention.

【図2】 同実施例のしきい値回路の構成例である。FIG. 2 is a configuration example of a threshold circuit of the same embodiment.

【図3】 同実施例の外部多重化回路を示す。FIG. 3 shows an external multiplexing circuit of the same embodiment.

【図4】 同実施例の多重化の動作を説明するための図
である。
FIG. 4 is a diagram for explaining a multiplexing operation of the embodiment.

【図5】 同実施例の動作タイミング図である。FIG. 5 is an operation timing chart of the embodiment.

【図6】 この発明の別の実施例に係るLSIの等価回
路である。
FIG. 6 is an equivalent circuit of an LSI according to another embodiment of the present invention.

【図7】 同実施例の動作タイミング図である。FIG. 7 is an operation timing chart of the embodiment.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…バッファ、2…第1の内部回路ブロック、3…第2
の内部回路ブロック、4…しきい値回路、5…ANDゲ
ート、6…内部回路、7…多重化回路。
1 ... buffer, 2 ... first internal circuit block, 3 ... second
Internal circuit block, 4 ... Threshold circuit, 5 ... AND gate, 6 ... Internal circuit, 7 ... Multiplexing circuit.

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 所定の外部信号入力端子を通常データ入
力端子及びテスト用データ入力端子として共用する半導
体集積回路であって、 前記外部信号入力端子に入力される信号は、通常データ
がテスト用データで振幅変調された信号であるとして、
その入力された信号から前記テスト用データを分離する
しきい値回路を内蔵したことを特徴とする半導体集積回
路。
1. A semiconductor integrated circuit that shares a predetermined external signal input terminal as a normal data input terminal and a test data input terminal, wherein the signal input to the external signal input terminal is normal data. Assuming that the signal is amplitude-modulated by
A semiconductor integrated circuit having a built-in threshold circuit for separating the test data from the input signal.
【請求項2】 前記振幅変調された信号は、通常データ
としてのVDDの“H”レベル信号に振幅(1/2)VDD
のテスト用データを多重化したものであり、前記しきい
値回路は(3/4)VDDを回路しきい値としてこの振幅
変調された信号の二値判定を行うものであることを特徴
とする請求項1記載の半導体集積回路。
2. The amplitude-modulated signal has an amplitude (1/2) VDD as an "H" level signal of VDD as normal data.
Of the test data is multiplexed, and the threshold value circuit performs binary determination of the amplitude-modulated signal using (3/4) VDD as a circuit threshold value. The semiconductor integrated circuit according to claim 1.
JP32955894A 1994-12-02 1994-12-02 Semiconductor integrated circuit Pending JPH08162615A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP32955894A JPH08162615A (en) 1994-12-02 1994-12-02 Semiconductor integrated circuit

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP32955894A JPH08162615A (en) 1994-12-02 1994-12-02 Semiconductor integrated circuit

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JPH08162615A true JPH08162615A (en) 1996-06-21

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ID=18222705

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JP32955894A Pending JPH08162615A (en) 1994-12-02 1994-12-02 Semiconductor integrated circuit

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JP (1) JPH08162615A (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006338565A (en) * 2005-06-06 2006-12-14 Fujitsu Ltd Magnetic disk device, preventive maintenance detection method thereof, and preventive maintenance detection program

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JP2006338565A (en) * 2005-06-06 2006-12-14 Fujitsu Ltd Magnetic disk device, preventive maintenance detection method thereof, and preventive maintenance detection program

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