JPH08144083A - 電子部品のメッキ後処理方法 - Google Patents
電子部品のメッキ後処理方法Info
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- JPH08144083A JPH08144083A JP6308142A JP30814294A JPH08144083A JP H08144083 A JPH08144083 A JP H08144083A JP 6308142 A JP6308142 A JP 6308142A JP 30814294 A JP30814294 A JP 30814294A JP H08144083 A JPH08144083 A JP H08144083A
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- 238000007747 plating Methods 0.000 title claims abstract description 36
- 239000002216 antistatic agent Substances 0.000 claims abstract description 29
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims abstract description 16
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 10
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 claims abstract description 8
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims abstract description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 claims abstract description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 19
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract description 4
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 13
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 9
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 5
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 4
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 4
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 4
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 3
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- -1 fatty acid ester Chemical class 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 2
- 239000000047 product Substances 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 2
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 235000014113 dietary fatty acids Nutrition 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 229930195729 fatty acid Natural products 0.000 description 1
- 239000000194 fatty acid Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002365 multiple layer Substances 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 150000005846 sugar alcohols Polymers 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 電子部品の外部電極の最外層に形成されたメ
ッキ層の密着性を良くすることを第一の目的とし、更
に、電子部品ができるだけ帯電しないようにすることを
第２の目的とするメッキ後処理方法を提供することを目
的とする。 【構成】 電子部品をバレル研磨し、該電子部品の外部
電極の表面の半田濡れ性の良い金属又は合金の粒子から
なるメッキ層を潰して平滑にすることにより第一の目的
を達成する。ここで、メッキ層の表面荒さＲa は、Ｒa
≦０．６μｍ、特に、Ｒa ≦０．５μｍが好ましい。金
属又は合金はＳｎ又はＳｎ／Ｐｂからなる。バレル研磨
は乾式でも湿式でもよい。バレル研磨した電子部品に帯
電防止剤を被覆して第二の目的を達成する。帯電防止剤
はシロキサン系の帯電防止剤でも界面活性剤系の帯電防
止剤でもよい。
ッキ層の密着性を良くすることを第一の目的とし、更
に、電子部品ができるだけ帯電しないようにすることを
第２の目的とするメッキ後処理方法を提供することを目
的とする。 【構成】 電子部品をバレル研磨し、該電子部品の外部
電極の表面の半田濡れ性の良い金属又は合金の粒子から
なるメッキ層を潰して平滑にすることにより第一の目的
を達成する。ここで、メッキ層の表面荒さＲa は、Ｒa
≦０．６μｍ、特に、Ｒa ≦０．５μｍが好ましい。金
属又は合金はＳｎ又はＳｎ／Ｐｂからなる。バレル研磨
は乾式でも湿式でもよい。バレル研磨した電子部品に帯
電防止剤を被覆して第二の目的を達成する。帯電防止剤
はシロキサン系の帯電防止剤でも界面活性剤系の帯電防
止剤でもよい。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明はチップコンデンサ、チ
ップインダクタ、チップ抵抗器、チップ形サーミスタ等
の電子部品（チップ部品）の外部電極の表面を処理する
電子部品のメッキ後処理方法に関するものである。
ップインダクタ、チップ抵抗器、チップ形サーミスタ等
の電子部品（チップ部品）の外部電極の表面を処理する
電子部品のメッキ後処理方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】一般に、チップ部品の外部電極は、Ａ
ｕ，Ａｇ，Ｃｕ，Ｎｉ，Ｚｎ等からなる単層あるいは複
数層の下地層と、これらの下地層の上に形成されたＳｎ
又はＳｎ／Ｐｂ（半田）層とから形成されている。ここ
で、Ｓｎ又はＳｎ／Ｐｂ（半田）層は実装の際の半田濡
れ性を向上させるためのものであり、メッキにより析出
形成されている。
ｕ，Ａｇ，Ｃｕ，Ｎｉ，Ｚｎ等からなる単層あるいは複
数層の下地層と、これらの下地層の上に形成されたＳｎ
又はＳｎ／Ｐｂ（半田）層とから形成されている。ここ
で、Ｓｎ又はＳｎ／Ｐｂ（半田）層は実装の際の半田濡
れ性を向上させるためのものであり、メッキにより析出
形成されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、Ｓｎ又はＳ
ｎ／Ｐｂメッキは析出粒子が大きくて、粗いので、析出
粒子同士の密着性や下地（Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕ，Ｎｉ，Ｚ
ｎ等のメッキ層）との密着性が悪く、チップ部品を取り
扱っている際に、この密着性の悪いＳｎ又はＳｎ／Ｐｂ
が剥落し、他の電子部品やマウント機を汚すという問題
があった。
ｎ／Ｐｂメッキは析出粒子が大きくて、粗いので、析出
粒子同士の密着性や下地（Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕ，Ｎｉ，Ｚ
ｎ等のメッキ層）との密着性が悪く、チップ部品を取り
扱っている際に、この密着性の悪いＳｎ又はＳｎ／Ｐｂ
が剥落し、他の電子部品やマウント機を汚すという問題
があった。
【０００４】また、Ｓｎ又はＳｎ／Ｐｂメッキの析出粒
子は大きくて、粗いので、ゴミ・異物を吸着させ易く、
メッキ膜中にゴミ・異物が吸着すると半田濡れ性が悪化
するとともに、帯電量が高い方に変化し、また、測定ピ
ンにメッキ膜が付着し、これが酸化すると、ピンに付着
して酸化したものの抵抗値＋製品の抵抗値が測定値とな
り、電気特性測定時に測定誤差を増加させるという問題
があった。
子は大きくて、粗いので、ゴミ・異物を吸着させ易く、
メッキ膜中にゴミ・異物が吸着すると半田濡れ性が悪化
するとともに、帯電量が高い方に変化し、また、測定ピ
ンにメッキ膜が付着し、これが酸化すると、ピンに付着
して酸化したものの抵抗値＋製品の抵抗値が測定値とな
り、電気特性測定時に測定誤差を増加させるという問題
があった。
【０００５】また、チップ部品は小さくて軽いので、マ
ウント機内において摩擦により静電気を帯びた場合、相
互に集合したり、マウント機に貼り付いたりして、マウ
ント機内に詰まりを生じさせることがあるという問題が
あった。
ウント機内において摩擦により静電気を帯びた場合、相
互に集合したり、マウント機に貼り付いたりして、マウ
ント機内に詰まりを生じさせることがあるという問題が
あった。
【０００６】この発明は上記問題を解決するためになさ
れたもので、外部電極の最外層に形成されたメッキ層の
密着性を良くし、更に静電気が帯びないようにした電子
部品のメッキ後処理方法を提供することを目的とする。
れたもので、外部電極の最外層に形成されたメッキ層の
密着性を良くし、更に静電気が帯びないようにした電子
部品のメッキ後処理方法を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の電子部品
のメッキ後処理方法は、外部電極の最外層に半田濡れ性
の良い金属又は合金をメッキした電子部品をバレル研磨
することにより上記課題を解決した。
のメッキ後処理方法は、外部電極の最外層に半田濡れ性
の良い金属又は合金をメッキした電子部品をバレル研磨
することにより上記課題を解決した。
【０００８】ここで、メッキ後処理したメッキ層の表面
荒さＲa は、Ｒa ≦０．６μｍ、特にＲa ≦０．５μｍ
が好ましい。外部電極の最外層の金属又は合金として
は、例えばＳｎ又はＳｎ／Ｐｂを挙げることができる。
バレル研磨は乾式でも湿式でも良い。
荒さＲa は、Ｒa ≦０．６μｍ、特にＲa ≦０．５μｍ
が好ましい。外部電極の最外層の金属又は合金として
は、例えばＳｎ又はＳｎ／Ｐｂを挙げることができる。
バレル研磨は乾式でも湿式でも良い。
【０００９】請求項６記載の電子部品のメッキ後処理方
法は、バレル研磨した電子部品に帯電防止剤を被覆する
ことにより上記課題を解決した。ここで、帯電防止剤の
厚さは０．０１〜１．０μｍ、特に０．０３〜０．５μ
ｍが好ましい。帯電防止剤としてはシロキサン系の帯電
防止剤又は界面活性剤系の帯電防止剤を挙げることがで
きる。
法は、バレル研磨した電子部品に帯電防止剤を被覆する
ことにより上記課題を解決した。ここで、帯電防止剤の
厚さは０．０１〜１．０μｍ、特に０．０３〜０．５μ
ｍが好ましい。帯電防止剤としてはシロキサン系の帯電
防止剤又は界面活性剤系の帯電防止剤を挙げることがで
きる。
【００１０】なお、前記電子部品としてはチップコンデ
ンサ、チップインダクタ、チップ抵抗器又はチップ形サ
ーミスタ等のチップ部品を挙げることができるが、これ
ら以外のチップ部品にもこの発明を適用できることはも
ちろんである。
ンサ、チップインダクタ、チップ抵抗器又はチップ形サ
ーミスタ等のチップ部品を挙げることができるが、これ
ら以外のチップ部品にもこの発明を適用できることはも
ちろんである。
【００１１】
【作用】請求項１〜３記載の電子部品のメッキ後処理方
法によれば、バレル研磨により、電子部品の外部電極の
表面に弱く結合していた粒子は除去され、その他の粒子
は押し潰されて一体化する。
法によれば、バレル研磨により、電子部品の外部電極の
表面に弱く結合していた粒子は除去され、その他の粒子
は押し潰されて一体化する。
【００１２】また、請求項４〜６記載の電子部品のメッ
キ後処理方法によれば、電子部品に帯電防止剤を被覆し
たので、外部電極の表面に吸湿性とイオン性が付加さ
れ、電子部品に帯電した電気は直ちに放電する。
キ後処理方法によれば、電子部品に帯電防止剤を被覆し
たので、外部電極の表面に吸湿性とイオン性が付加さ
れ、電子部品に帯電した電気は直ちに放電する。
【００１３】
実験例１ 積層チップコンデンサ（商品番号２１２Ｆ１０４Ｚ：寸
法２．０×１．２５×１．２５）を直径１φのアルミナ
ビーズとともにバレル研磨装置内に入れ、３０ｒｐｍの
回転数で撹拌研磨した。
法２．０×１．２５×１．２５）を直径１φのアルミナ
ビーズとともにバレル研磨装置内に入れ、３０ｒｐｍの
回転数で撹拌研磨した。
【００１４】ここで、バレル研磨装置内の積層チップコ
ンデンサの容積率は４０％、アルミナビーズの容積率は
２０％、残りの空間の容積率は４０％とした。また、研
磨時間は１２〜２４時間とした。更に、積層チップコン
デンサとしては、外部電極の最外層にＳｎ／Ｐｂ電解メ
ッキを施したものを使用した。
ンデンサの容積率は４０％、アルミナビーズの容積率は
２０％、残りの空間の容積率は４０％とした。また、研
磨時間は１２〜２４時間とした。更に、積層チップコン
デンサとしては、外部電極の最外層にＳｎ／Ｐｂ電解メ
ッキを施したものを使用した。
【００１５】次に、研磨後の積層チップコンデンサを各
研磨時間ごとに評価（他の部品に対する汚染等の評価）
したところ、表１に示す通りとなった。
研磨時間ごとに評価（他の部品に対する汚染等の評価）
したところ、表１に示す通りとなった。
【００１６】更に、研磨後の積層チップコンデンサの外
部電極の表面荒さＲa を各研磨時間ごとに測定したとこ
ろ、表１に示す通りとなった。ここで、表面荒さの指標
ＲaはＪＩＳ Ｂ ０６０１に定義するものを使用し
た。
部電極の表面荒さＲa を各研磨時間ごとに測定したとこ
ろ、表１に示す通りとなった。ここで、表面荒さの指標
ＲaはＪＩＳ Ｂ ０６０１に定義するものを使用し
た。
【００１７】
【表１】
【００１８】表１に示された結果から、外部電極の表面
荒さＲa は、０．９μｍ以上では他の部品に対する汚染
等の評価が悪く、０．６μｍ以下では他の部品に対する
汚染等の評価が許容でき、０．５μｍ以下では他の部品
に対する汚染等の評価が良好になることがわかる。
荒さＲa は、０．９μｍ以上では他の部品に対する汚染
等の評価が悪く、０．６μｍ以下では他の部品に対する
汚染等の評価が許容でき、０．５μｍ以下では他の部品
に対する汚染等の評価が良好になることがわかる。
【００１９】実験例２ バレル研磨装置内に水を入れ、積層チップコンデンサの
容積率を２０％、アルミナビーズの容積率を１０％、水
の容積率を７０％とした他は実験例１と同様の条件で実
験をしたところ、実験例１とほゞ同様の結果が得られ
た。
容積率を２０％、アルミナビーズの容積率を１０％、水
の容積率を７０％とした他は実験例１と同様の条件で実
験をしたところ、実験例１とほゞ同様の結果が得られ
た。
【００２０】実験例１，２の結果から、外部電極の表面
荒さＲa はＲa ≦０．６μｍが良く、特にＲa ≦０．５
μｍが好ましいことがわかる。
荒さＲa はＲa ≦０．６μｍが良く、特にＲa ≦０．５
μｍが好ましいことがわかる。
【００２１】図１は外部電極表面のバレル研磨前後の状
態と外部電極表面に帯電防止剤を被覆した状態を示す説
明図である。実験例１，２において、外部電極表面のバ
レル研磨前後の状態と外部電極表面に帯電防止剤を被覆
した状態は同図に示すようになると考えられる。なお、
同図において、１０は電子部品の外部電極、１２は外部
電極１０の表面にメッキされたＳｎ／Ｐｂの粒子、１４
は潰されたＳｎ／Ｐｂの粒子の表面に被覆された帯電防
止剤である。
態と外部電極表面に帯電防止剤を被覆した状態を示す説
明図である。実験例１，２において、外部電極表面のバ
レル研磨前後の状態と外部電極表面に帯電防止剤を被覆
した状態は同図に示すようになると考えられる。なお、
同図において、１０は電子部品の外部電極、１２は外部
電極１０の表面にメッキされたＳｎ／Ｐｂの粒子、１４
は潰されたＳｎ／Ｐｂの粒子の表面に被覆された帯電防
止剤である。
【００２２】実験例３ 次に、界面活性剤系の帯電防止剤を水で５００〜１００
０倍に希釈した水溶液を準備し、この水溶液中に積層チ
ップコンデンサを１分間浸漬し、取り出して乾燥させ
た。ここで、帯電防止剤は非イオン性多価アルコール脂
肪酸エステルを使用した。また、積層チップコンデンサ
は実験例１で外部電極の表面を２４時間バレル研磨した
ものを使用した。
０倍に希釈した水溶液を準備し、この水溶液中に積層チ
ップコンデンサを１分間浸漬し、取り出して乾燥させ
た。ここで、帯電防止剤は非イオン性多価アルコール脂
肪酸エステルを使用した。また、積層チップコンデンサ
は実験例１で外部電極の表面を２４時間バレル研磨した
ものを使用した。
【００２３】次に、この積層チップコンデンサ２０個を
ポリプロピレン製ビーカーに入れ、２０回振動させて、
積層チップコンデンサを相互に摩擦させた。なお、この
時の実験環境は２７℃で４５％ＲＨであった。
ポリプロピレン製ビーカーに入れ、２０回振動させて、
積層チップコンデンサを相互に摩擦させた。なお、この
時の実験環境は２７℃で４５％ＲＨであった。
【００２４】次に、この積層チップコンデンサの帯電状
態を帯電防止剤の厚さごとに評価したところ、表２に示
す通りとなった。
態を帯電防止剤の厚さごとに評価したところ、表２に示
す通りとなった。
【００２５】
【表２】
【００２６】表２に示された結果から、帯電防止剤の厚
さは、０．０１μｍ未満では、帯電による不都合を生
じ、０．０１〜１．０μｍ、特に０．０３〜０．５μｍ
では帯電による不都合がないことが分かる。
さは、０．０１μｍ未満では、帯電による不都合を生
じ、０．０１〜１．０μｍ、特に０．０３〜０．５μｍ
では帯電による不都合がないことが分かる。
【００２７】なお、実験例３の帯電防止剤の厚さが０．
５μｍのものについて、帯電防止剤を被覆させる前と後
で帯電量を測定したところ、表３に示す通りとなった。
５μｍのものについて、帯電防止剤を被覆させる前と後
で帯電量を測定したところ、表３に示す通りとなった。
【００２８】
【表３】
【００２９】実験例４ 帯電防止剤としてシロキサン系のものを用いた他は実験
例３と同様の条件で実験をしたところ、実験例３とほゞ
同様の結果が得られた。
例３と同様の条件で実験をしたところ、実験例３とほゞ
同様の結果が得られた。
【００３０】実験例３，４の結果から、帯電防止剤の厚
さは、０．０１〜１．０μｍが良く、特に０．０３〜
０．５μｍが好ましいことがわかる。
さは、０．０１〜１．０μｍが良く、特に０．０３〜
０．５μｍが好ましいことがわかる。
【００３１】
【発明の効果】請求項１〜６記載の発明によれば、電子
部品の外部電極の表面に弱く結合していた金属粒子は除
去され、その他の金属粒子は押し潰されて一体化するの
で、電子部品の外部電極の表面の金属粒子脱落による他
電子部品への汚染を防止することができるという効果が
ある。
部品の外部電極の表面に弱く結合していた金属粒子は除
去され、その他の金属粒子は押し潰されて一体化するの
で、電子部品の外部電極の表面の金属粒子脱落による他
電子部品への汚染を防止することができるという効果が
ある。
【００３２】また、請求項１〜６記載の発明によれば、
電子部品の外部電極の表面に弱く結合していた金属粒子
は除去され、その他の金属粒子は押し潰されて一体化す
るので、外部電極の表面にゴミ・異物を吸着させること
がなくなり、測定ピンにメッキ膜が付着しなくなり、電
気特性測定時における測定誤差を防止することができる
という効果がある。
電子部品の外部電極の表面に弱く結合していた金属粒子
は除去され、その他の金属粒子は押し潰されて一体化す
るので、外部電極の表面にゴミ・異物を吸着させること
がなくなり、測定ピンにメッキ膜が付着しなくなり、電
気特性測定時における測定誤差を防止することができる
という効果がある。
【００３３】また、請求項４〜６記載の発明によれば、
電子部品に帯電した電気は直ちに放電するので、電子部
品同士の集合、電子部品のマウント機への貼り付は生じ
なくなり、マウント機内における電子部品の詰まり等に
よる不具合が低減するという効果がある。
電子部品に帯電した電気は直ちに放電するので、電子部
品同士の集合、電子部品のマウント機への貼り付は生じ
なくなり、マウント機内における電子部品の詰まり等に
よる不具合が低減するという効果がある。
【図１】図１は外部電極表面のバレル研磨の状態と外部
電極表面に帯電防止剤を被覆した状態を示す説明図であ
る。
電極表面に帯電防止剤を被覆した状態を示す説明図であ
る。
１０ 外部電極 １２ Ｓｎ／Ｐｂの粒子 １４ 帯電防止剤
Claims (10)
- 【請求項１】 電子部品をバレル研磨して、該電子部品
の外部電極の表面の半田濡れ性の良い金属又は合金の粒
子からなるメッキ層を潰して平滑にすることを特徴とす
る電子部品のメッキ後処理方法。 - 【請求項２】 前記メッキ層の表面荒さＲa が、Ｒa ≦
０．６μｍであることを特徴とする請求項１記載の電子
部品のメッキ後処理方法。 - 【請求項３】 前記メッキ層の表面荒さＲa が、Ｒa ≦
０．５μｍであることを特徴とする請求項１記載の電子
部品のメッキ後処理方法。 - 【請求項４】 前記金属又は合金がＳｎ又はＳｎ／Ｐｂ
からなることを特徴とする請求項１〜３記載の電子部品
のメッキ後処理方法。 - 【請求項５】 前記バレル研磨が乾式又は湿式であるこ
とを特徴とする請求項１〜４記載の電子部品のメッキ後
処理方法。 - 【請求項６】 前記バレル研磨した電子部品に帯電防止
剤を被覆したことを特徴とする請求項１〜５記載の電子
部品のメッキ後処理方法。 - 【請求項７】 前記帯電防止剤の厚さが０．０１〜１．
０μｍであることを特徴とする請求項６記載の電子部品
のメッキ後処理方法。 - 【請求項８】 前記帯電防止剤の厚さが０．０３〜０．
５μｍであることを特徴とする請求項６記載の電子部品
のメッキ後処理方法。 - 【請求項９】 前記帯電防止剤がシロキサン系の帯電防
止剤又は界面活性剤系の帯電防止剤であることを特徴と
する請求項６〜８記載の電子部品のメッキ後処理方法。 - 【請求項１０】 前記電子部品がチップ部品であること
を特徴とする請求項１〜９記載の電子部品のメッキ後処
理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6308142A JPH08144083A (ja) | 1994-11-17 | 1994-11-17 | 電子部品のメッキ後処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6308142A JPH08144083A (ja) | 1994-11-17 | 1994-11-17 | 電子部品のメッキ後処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08144083A true JPH08144083A (ja) | 1996-06-04 |
Family
ID=17977402
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6308142A Pending JPH08144083A (ja) | 1994-11-17 | 1994-11-17 | 電子部品のメッキ後処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08144083A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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