[go: up one dir, main page]

JPH0812967A - 有機電界発光素子 - Google Patents

有機電界発光素子

Info

Publication number
JPH0812967A
JPH0812967A JP6147730A JP14773094A JPH0812967A JP H0812967 A JPH0812967 A JP H0812967A JP 6147730 A JP6147730 A JP 6147730A JP 14773094 A JP14773094 A JP 14773094A JP H0812967 A JPH0812967 A JP H0812967A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
organic
group
light emitting
hole transport
emitting layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP6147730A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3284766B2 (ja
Inventor
Yoshiharu Sato
佳晴 佐藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Chemical Corp
Original Assignee
Mitsubishi Chemical Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Chemical Corp filed Critical Mitsubishi Chemical Corp
Priority to JP14773094A priority Critical patent/JP3284766B2/ja
Publication of JPH0812967A publication Critical patent/JPH0812967A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3284766B2 publication Critical patent/JP3284766B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Luminescent Compositions (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【構成】 基板上に、陽極及び陰極により挟持された正
孔輸送層および有機発光層を少なくとも含む有機電界発
光素子であって、有機発光層が下記一般式(I) 【化1】 (式中、Ar1 からAr4 は、各々独立して置換基を有し
ていてもよいアリール基、ビフェニル基または芳香族複
素環基を示す)で表わされる4,4’−ビス−トリアジ
ニルスチルベン誘導体を含有することを特徴とする有機
電界発光素子。 【効果】 長期に亙り、安定した発光特性を得ることが
できる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は有機電界発光素子に関す
るものであり、詳しくは、有機化合物から成る発光層に
電界をかけて光を放出する薄膜型デバイスに関するもの
である。
【0002】
【従来の技術】従来、薄膜型の電界発光(EL)素子と
しては、無機材料のII−VI族化合物半導体であるZn
S、CaS、SrS等に、発光中心であるMnや希土類
元素(Eu、Ce、Tb、Sm等)をドープしたものが
一般的であるが、上記の無機材料から作製したEL素子
は、 1)交流駆動が必要(50〜1000Hz)、 2)駆動電圧が高い(〜200V)、 3)フルカラー化が困難(特に青色が問題)、 4)周辺駆動回路のコストが高い、 という問題点を有している。
【0003】しかし、近年、上記問題点の改良のため、
有機薄膜を用いたEL素子の開発が行われるようになっ
た。特に、発光効率を高めるために電極からのキャリア
ー注入の効率向上を目的とした電極種類の最適化を行
い、芳香族ジアミンから成る有機正孔輸送層と8−ヒド
ロキシキノリンのアルミニウム錯体から成る有機発光層
を設けた有機電界発光素子の開発(Appl.Phy
s.Lett.,51巻,913頁,1987年)によ
り、従来のアントラセン等の単結晶を用いた電界発光素
子と比較して発光効率の大幅な改善がなされ、実用特性
に近づいている。
【0004】上記の様な低分子材料の他にも、有機発光
層の材料として、ポリ(p−フェニレンビニレン)(N
ature,347巻,539頁,1990年;App
l.Phys.Lett.,61巻,2793頁,19
92年)、ポリ[2−メトキシ,5−(2’−エチルヘ
キソキシ)−1,4−フェニレンビニレン](App
l.Phys.Lett.,58巻,1982頁,19
91年;ThinSolid Films,216巻,
96頁,1992年;Nature,357巻,477
頁,1992年)、ポリ(3−アルキルチオフェン)
(Jpn.J.Appl.Phys,30巻,L193
8頁,1991年;J.Appl.Phys.,72
巻,564頁,1992年)等の高分子材料の開発や、
ポリビニルカルバゾール等の高分子に低分子の発光材料
と電子移動材料を混合した素子(応用物理,61巻,1
044頁,1992年)の開発も行われている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】低分子材料を用いた有
機電界発光素子では、低分子薄膜層が経時的にあるいは
熱的に結晶化して、結果として薄膜形状の一様性が失わ
れ、最終的にはダークスポットと呼ばれる非発光部分が
発生したり、素子の短絡を招いたりすることが大きな問
題である。この結晶化問題の解決方法として、前述の高
分子を用いた有機電界発光素子が検討されているが、ス
ピンコート等の湿式法で発光層を形成するために、膜厚
の精密な制御が困難であり、また不純物の制御もむずか
しく、そのために発光効率が低分子型と比較して低く、
また駆動時の寿命も短い。
【0006】上述の理由から、実用化の上で、有機電界
発光素子は、薄膜形状に起因する不安定性の問題を抱え
ているのが実状である。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明者等は上記実状に
鑑み、長期間に亙って安定な発光特性を維持できる有機
電界発光素子を提供することを目的として鋭意検討した
結果、有機発光層が4,4’−ビス−トリアジニルスチ
ルベン誘導体を含有することが好適であることを見い出
し、本発明を完成するに至った。
【0008】すなわち、本発明の要旨は、基板上に、陽
極及び陰極により挟持された正孔輸送層および有機発光
層を少なくとも含む有機電界発光素子であって、有機発
光層が下記一般式(I)
【0009】
【化2】
【0010】(式中、Ar1 からAr4 は、各々独立して
置換基を有していてもよいアリール基、ビフェニル基ま
たは芳香族複素環基を示す)で表わされる4,4’−ビ
ス−トリアジニルスチルベン誘導体を含有することを特
徴とする有機電界発光素子に存する。以下、本発明の有
機電界発光素子について添付図面に従い説明する。
【0011】図1は本発明の有機電界発光素子の構造例
を模式的に示す断面図であり、1は基板、2は陽極、3
は正孔輸送層、4は有機発光層、5は陰極を各々表わ
す。基板1は本発明の有機電界発光素子の支持体となる
ものであり、石英やガラスの板、金属板や金属箔、プラ
スチックフィルムやシートなどが用いられるが、ガラス
板や、ポリエステル、ポリメタアクリレート、ポリカー
ボネート、ポリサルホンなどの透明な合成樹脂基板が好
ましい。
【0012】基板1上には陽極2が設けられるが、この
陽極としては通常、アルミニウム、金、銀、ニッケル、
パラジウム、テルル等の金属、インジウム及び/または
スズの酸化物などの金属酸化物やヨウ化銅、カーボンブ
ラック、あるいは、ポリ(3−メチルチオフェン)等の
導電性高分子などにより構成される。陽極の形成は通
常、スパッタリング法、真空蒸着法などにより行われる
ことが多いが、銀などの金属微粒子あるいはヨウ化銅、
カーボンブラック、導電性の金属酸化物微粒子、導電性
高分子微粉末などの場合には、適当なバインダー樹脂溶
液に分散し、基板上に塗布することにより形成すること
もできる。さらに、導電性高分子の場合は電解重合によ
り直接基板上に薄膜を形成したり、基板上に塗布して形
成することもできる(Appl.Phys.Let
t.,60巻,2711頁,1992年)。上記の陽極
は異なる物質で積層することも可能である。陽極2の厚
みは、必要とする透明性により異なるが、透明性が必要
とされる場合は、可視光の透過率が60%以上、好まし
くは80%以上透過することが望ましく、この場合、厚
みは、通常、5〜1000nm、好ましくは10〜50
0nm程度である。
【0013】不透明でよい場合は陽極2は基板1と同一
でもよい。また、さらには上記の陽極を異なる物質で積
層することも可能である。図1の例では、陽極2は正孔
注入の役割を果たすものである。一方、陰極5は有機発
光層4に電子を注入する役割を果たす。陰極5として用
いられる材料は、前記陽極用の材料を用いることが可能
であるが、効率よく電子注入を行なうには、仕事関数の
低い金属が好ましく、スズ、マグネシウム、インジウ
ム、アルミニウム、銀等の適当な金属またはそれらの合
金が用いられる。陰極5の膜厚は通常、陽極2と同様で
ある。また、図1には示してはいないが、陰極5の上に
さらに基板1と同様の基板を設けることもできる。但
し、陽極2と陰極5の少なくとも一方は透明性の良いこ
とが有機電界発光素子としては必要である。このことか
ら、陽極2と陰極5の一方は、10〜500nmの膜厚
であることが好ましく、透明性の良いことが望まれる。
【0014】陽極2の上には正孔輸送層3が設けられる
が、正孔輸送層としては、電界を与えられた電極間にお
いて陽極からの正孔を効率よく有機発光層の方向に輸送
することができる材料より形成される。通常、正孔輸送
層には有機正孔輸送材料が用いられる。有機正孔輸送材
料としては、陽極2からの正孔注入効率が高く、かつ、
注入された正孔を効率よく輸送することができる材料で
あることが必要である。そのためには、イオン化ポテン
シャルが小さく、しかも正孔移動度が大きく、さらに安
定性にすぐれ、トラップとなる不純物が製造時や使用時
に発生しにくいことが要求される。このような有機正孔
輸送化合物としては、例えば、1,1−ビス(4−ジ−
p−トリルアミノフェニル)シクロヘキサン等の3級芳
香族アミンユニットを連結した芳香族ジアミン化合物
(特開昭59−194393号公報)、4,4’−ビス
[(N−1−ナフチル)−N−フェニルアミノ]ビフェ
ニルで代表される2個以上の3級アミンを含み2個以上
の縮合芳香族環が窒素原子に置換した芳香族アミン(特
開平5−234681号公報)、トリフェニルベンゼン
の誘導体でスターバースト構造を有する芳香族トリアミ
ン(米国特許第4,923,774号)、N,N’−ジ
フェニル−N,N’−ビス(3−メチルフェニル)−
(1,1’−ビフェニル)−4,4’−ジアミン等の芳
香族ジアミン(米国特許第4,764,625号)、
α,α,α’,α’−テトラメチル−α,α’−ビス
(4−ジ−p−トリルアミノフェニル)−p−キシレン
(特開平3−269084号公報)、分子全体として立
体的に非対称なトリフェニルアミン誘導体(特開平4−
129271号公報)、ピレニル基に芳香族ジアミノ基
が複数個置換した化合物(特開平4−175395号公
報)、エチレン基で3級芳香族アミンユニットを連結し
た芳香族ジアミン(特開平4−264189号公報)、
スチリル構造を有する芳香族ジアミン(特開平4−29
0851号公報)、チオフェン基で芳香族3級アミンユ
ニットを連結したもの(特開平4−304466号公
報)、スターバースト型芳香族トリアミン(特開平4−
308688号公報)、ベンジルフェニル化合物(特開
平4−364153号公報)、フルオレン基で3級アミ
ンを連結したもの(特開平5−25473号公報)、ト
リアミン化合物(特開平5−239455号公報)、ビ
スジピリジルアミノビフェニル(特開平5−32063
4号公報)、N,N,N−トリフェニルアミン誘導体
(特開平6−1972号公報)、フェノキサジン構造を
有する芳香族ジアミン(特願平5−290728号)、
ジアミノフェニルフェナントリジン誘導体(特願平6−
45669号)に示される芳香族アミン系化合物、ヒド
ラゾン化合物(特開平2−311591号公報)、シラ
ザン化合物(米国特許第4,950,950号公報)、
シラナミン誘導体(特開平6−49079号公報)、ホ
スファミン誘導体(特開平6−25659号公報)、キ
ナクリドン化合物等が挙げられる。これらの化合物は、
単独で用いるか、必要に応じて、各々、混合して用いて
もよい。
【0015】上記の化合物以外に、正孔輸送性の高分子
である、ポリビニルカルバゾールやポリシラン(App
l.Phys.Lett.,59巻,2760頁,19
9等が挙げられる年)、ポリフォスファゼン(特開平5
−310949号公報)、ポリアミド(特開平5−31
0949号公報)、ポリビニルトリフェニルアミン(特
願平5−205377)、トリフェニルアミン骨格を有
する高分子(特開平4−133065号公報)、トリフ
ェニルアミン単位をメチレン基等で連結した高分子(S
ynthetic Metals,55−57巻,41
63頁,1993年)、芳香族アミンを含有するポリメ
タクリレート(J.Polym.Sci.,Poly
m.Chem.Ed.,21巻,969頁,1983
年)等の高分子材料が挙げられる。
【0016】上記の有機正孔輸送材料は塗布法あるいは
真空蒸着法により前記陽極2上に積層することにより正
孔輸送層3を形成する。塗布の場合は、有機正孔輸送化
合物を1種または2種以上と必要により正孔のトラップ
にならないバインダー樹脂や、レベリング剤等の塗布性
改良剤などの添加剤を添加し溶解した塗布溶液を調整
し、スピンコート法などの方法により陽極2上に塗布
し、乾燥して正孔輸送層3を形成する。バインダー樹脂
としては、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエ
ステル等が挙げられる。バインダー樹脂は添加量が多い
と正孔移動度を低下させるので、少ない方が望ましく、
50重量%以下が好ましい。
【0017】真空蒸着法の場合には、有機正孔輸送材料
を真空容器内に設置されたルツボに入れ、真空容器内を
適当な真空ポンプで10-6Torrにまで排気した後、
ルツボを加熱して、正孔輸送材料を蒸発させ、ルツボと
向き合って置かれた基板上に層を形成する。上記有機正
孔輸送層を形成する場合、さらに、アクセプタとして、
芳香族カルボン酸の金属錯体及び/または金属塩(特開
平4−320484号公報)、ベンゾフェノン誘導体お
よびチオベンゾフェノン誘導体(特開平5−29536
1号公報)、フラーレン類(特開平5−331458号
公報)を10-3から10重量%の濃度でドープして、フ
リーキャリアとしての正孔を生成させ、低電圧駆動とす
ることが可能である。
【0018】正孔輸送層3の膜厚は、通常、10〜30
0nm、好ましくは30〜100nmである。この様に
薄い膜を一様に形成するためには、真空蒸着法がよく用
いられる。正孔輸送層3の材料としてはの有機化合物の
代わりに無機材料を使用することも可能である。無機材
料に要求される条件は、有機正孔輸送材料と同じであ
る。正孔輸送層3に用いられる無機材料としては、p型
水素化非晶質シリコン、p型水素化非晶質炭化シリコ
ン、p型水素化微結晶性炭化シリコン、あるいは、p型
硫化亜鉛、p型セレン化亜鉛等が挙げられる。これらの
無機正孔輸送層はCVD法、プラズマCVD法、真空蒸
着法、スパッタ法等により形成される。
【0019】無機正孔輸送層の膜厚も有機正孔輸送層と
同様に、通常、10〜300nm、好ましくは30〜1
00nmである。正孔輸送層3の上には有機発光層4が
設けられるが、有機発光層4は、電界を与えられた電極
間において陰極からの電子を効率よく正孔輸送層の方向
に輸送することができる化合物より形成される。
【0020】有機発光層4に用いられる化合物は、陰極
5からの電子注入効率が高く、かつ、注入された電子を
効率よく輸送することができることが必要である。その
ためには、電子親和力が大きく、しかも電子移動度が大
きく、さらに安定性にすぐれトラップとなる不純物が製
造時や使用時に発生しにくい化合物であることが要求さ
れる。また、正孔と電子の再結合の際に青色発光をもた
らす役割も求られる。
【0021】有機発光層に用いられる化合物に要求され
る、さらに重要な条件として、安定な非晶質薄膜を形成
することが挙げられる。このことは、有機電界発光素子
における膜欠陥の発生を抑制するために、さらには、有
機電界発光素子が長期にわたって安定に動作するために
必要な条件である。本発明者が有機電界発光素子の劣化
について検討した結果、一つの大きな原因として、有機
発光層が時間とともに均一な膜状態から島状の不均一な
状態に変化していることを見い出した。
【0022】上記の例の様に、多くの有機化合物は固体
状態では分子性結晶であるために、薄膜化した直後は非
晶質状態であったとしても、時間の経過とともに結晶化
していくことはよくみられる現象である。この様な結晶
化が起きるかどうかはガラス転移温度に大きく依存して
おり、ガラス転移温度が高い材料から成る薄膜は結晶化
しにくい傾向がある。一般に、ガラス転移温度と融点の
間にはよい相関関係が成立するので、高い融点を有する
有機化合物はは高いガラス転移温度を示すと考えてよ
い。本発明者が、この薄膜の結晶化を防ぐために鋭意検
討した結果、4,4’−ビス−トリアジニルスチルベン
誘導体が300℃以上と非常に高い融点を示し、均一な
非晶質薄膜を与え、結晶化しにくく熱的にも安定で、素
子の安定性にも好影響を与えることを見い出した。
【0023】本発明においては、有機電界発光素子の有
機発光層として、前記一般式(I)で表される4,4’
−ビス−トリアジニルスチルベン誘導体を用いることに
より長期にわたって安定した素子特性が得られる。前記
一般式(I)において、好ましくは、Ar1 、Ar2 、A
r3 およびAr4 は、各々独立して、置換基を有していて
もよいフェニル基、ナフチル基、アントリル基、ビフェ
ニル基、ピリジル基、チエニル基を示し、前記置換基と
してはハロゲン原子;メチル基、エチル基等の炭素数1
〜6のアルキル基;ビニル基等のアルケニル基;メトキ
シカルボニル基、エトキシカルボニル基等の炭素数1〜
6のアルコキシカルボニル基;メトキシ基、エトキシ基
等の炭素数1〜6のアルコキシ基;フェノキシ基、ベン
ジルオキシ基などのアリールオキシ基;アミノ基、ジメ
チルアミノ基、ジイソプロピルアミノ基等のジアルキル
アミノ基、シアノ基、水酸基である。
【0024】特に好ましくは、Ar1 、Ar2 、Ar3
よびAr4 は、各々独立に、フェニル基、p−メチルフ
ェニル基、m−メチルフェニル基、p−クロロフェニル
基、m−クロロフェニル基、p−メトキシフェニル基、
p−t−ブチルフェニル基から選ばれる。前記一般式
(I)で表される4,4’−ビス−トリアジニルスチル
ベン誘導体は、例えば、スイス特許第472,416号
に開示される方法により合成することができる。
【0025】前記一般式(I)で表される4,4’−ビ
ス−トリアジニルスチルベン誘導体の好ましい具体例を
下記の表1に示すが、これらに限定されるものではな
い。
【0026】
【表1】
【0027】
【表2】
【0028】
【表3】
【0029】上記の表1〜3に示した例示化合物はいず
れも高融点化合物であり、例えば、化合物(1)は39
0℃以上、化合物(2)は373℃、化合物(3)は3
85℃、化合物(8)は375℃、化合物(9)は42
0℃以上、化合物(12)は306℃である。有機発光層
4の膜厚は、通常、10〜200nm、好ましくは30
〜100nmである。
【0030】有機発光層も有機正孔輸送層と同様の方法
で形成することができるが、通常は真空蒸着法が用いら
れる。素子の発光効率を向上させるとともに発光色を変
える目的で、例えば、8−ヒドロキシキノリンのアルミ
ニウム錯体をホスト材料として、クマリン等のレーザ用
蛍光色素をドープすること(J.Appl.Phy
s.,65巻,3610頁,1989年)も行われてい
る。本発明においても上記の4,4’−ビス−トリアジ
ニルスチルベン誘導体をホスト材料として、レーザー用
の蛍光色素等を10 -3〜10モル%ドープすることによ
り、素子の発光特性をさらに向上させることができる。
【0031】本発明の有機電界発光素子の構造として
は、以下に示すような層構成のものが挙げられる:
【0032】
【表4】陽極/有機正孔輸送層/有機発光層/陰極、 陽極/有機正孔輸送層/有機発光層/電子輸送層/陰
極、 陽極/有機正孔輸送層/有機発光層/界面層/陰極、 陽極/有機正孔輸送層/有機発光層/電子輸送層/界面
層/陰極。
【0033】上記の層構成で、電子輸送層は素子の効率
をさらに向上するためのものであり、有機発光層の上に
積層される。この電子輸送層に用いられる化合物には、
陰極からの電子注入が容易で、電子の輸送能力がさらに
大きいことが要求される。この様な電子輸送材料として
は、
【0034】
【化3】
【0035】
【化4】
【0036】などのオキサジアゾール誘導体(App
l.Phys.Lett.,55巻,1489頁,19
89年;Jpn.J.Appl.Phys.,31巻,
1812頁,1992年)やそれらをPMMA等の樹脂
に分散した系(Appl.Phys.Lett.,61
巻,2793頁,1992年)、または、n型水素化非
晶質炭化シリコン、n型硫化亜鉛、n型セレン化亜鉛等
が挙げられる。電子輸送層の膜厚は、通常、5〜200
nm、好ましくは10〜100nmである。
【0037】また、同じく、上述の層構成で、界面層は
陰極と有機層とのコンタクトを向上させるためのもの
で、芳香族ジアミン化合物(特願平5−48075
号)、キナクリドン化合物(特願平5−116204
号)、ナフタセン誘導体(特願平5−116205
号)、有機シリコン化合物(特願平5−116206
号)、有機リン化合物(特願平5−116207号)等
が挙げられる。界面層の膜厚は、通常、2〜100n
m、好ましくは5〜30nmである。界面層を設ける代
わりに、有機発光層及び電子輸送層の陰極界面近傍に上
記界面層材料を50重量%以上含む領域を設けてもよ
い。
【0038】尚、図1とは逆の構造、すなわち、基板上
に陰極5、有機発光層4、正孔輸送層3、陽極2の順に
積層することも可能であり、既述した様に少なくとも一
方が透明性の高い2枚の基板の間に本発明の有機電界発
光素子を設けることも可能である。同様に、前記各層構
成とは逆の構造に積層することも可能である。
【0039】
【実施例】次に、本発明を合成例および実施例によって
更に具体的に説明するが、本発明はその要旨を越えない
限り、以下の実施例の記載に限定されるものではない。 実施例1 図1に示す構造を有する有機電界発光素子を以下の方法
で作製した。
【0040】ガラス基板上にインジウム・スズ酸化物
(ITO)透明導電膜を120nm堆積したものをアセ
トンで超音波洗浄、純水で水洗、イソプロピルアルコー
ルで超音波洗浄、乾燥窒素で乾燥、UV/オゾン洗浄を
行った後、真空蒸着装置内に設置して、装置内の真空度
が2×10-6Torr以下になるまで油拡散ポンプを用
いて排気した。
【0041】有機正孔輸送層材料として、以下に示す
4,4’−ビス[(N−1−ナフチル)−N−フェニル
アミノ]ビフェニル(H1)
【0042】
【化5】
【0043】を予めセラミックるつぼに入れ、るつぼの
周囲のタンタル線ヒーターで加熱して蒸着を行った。こ
の時のるつぼの温度は、150〜180℃の範囲で制御
した。蒸着時の真空度は1.1〜0.9×10-6Tor
rで、蒸着時間2分30秒で膜厚60nmの有機正孔輸
送層3を得た。次に、有機発光層4の材料として、表1
に示した4,4’−ビス−トリアジニルスチルベン誘導
体(1)を、上記有機正孔輸送層3の上に同様にして蒸
着を行なった。この時のるつぼの温度は300〜350
℃の範囲で制御した。蒸着時の真空度は3.7〜1.1
×10-6Torr、蒸着時間は4分10秒、膜厚は60
nmであった。
【0044】最後に陰極として、マグネシウムと銀の合
金電極を2元同時蒸着法によって膜厚150nmで蒸着
した。蒸着はモリブデンボートを用いて、真空度は4×
10 -6Torr、蒸着時間は2分40秒で光沢のある膜
が得られた。マグネシウムと銀の原子比は10:1.5
であった。この様にして作製した有機電界発光素子のI
TO電極(陽極)にプラス、マグネシウム・銀合金電極
(陰極)にマイナスの直流電圧を印加してすると、この
素子は一様な黄緑色の発光を示し、発光のピーク波長は
560nmであった。
【0045】上記の素子の作製直後及び乾燥窒素中で5
2日間保存した後の発光特性の結果を下記の表に示す。
駆動電圧の顕著な上昇はみられず、発光効率の低下もな
く、安定した素子の保存安定性が得られた。
【0046】
【表5】
【0047】
【発明の効果】本発明の有機電界発光素子によれば、陽
極、正孔輸送層、有機発光層、陰極が基板上に順次設け
られ、しかも、有機発光層に特定の化合物を使用してい
るため、両導電層を電極として電圧を印加した場合、長
期に亙り、安定した発光特性を得ることができる。
【0048】従って、本発明のEL素子はフラットパネ
ル・ディスプレイ(例えばOAコンピュータ用や壁掛け
テレビ)の分野や面発光体としての特徴を生かした光源
(例えば、複写機の光源、液晶ディスプレイや計器類の
バックライト光源)、表示板、標識灯への応用が考えら
れ、その技術的価値は大きいものである。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の有機電界発光素子の一例を示した模式
断面図。
【符号の説明】
1 基板 2 陽極 3 正孔輸送層 4 有機発光層 5 陰極

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 基板上に、陽極及び陰極により挟持され
    た正孔輸送層および有機発光層を少なくとも含む有機電
    界発光素子であって、有機発光層が下記一般式(I) 【化1】 (式中、Ar1 からAr4 は、各々独立して置換基を有し
    ていてもよいアリール基、ビフェニル基または芳香族複
    素環基を示す)で表わされる4,4’−ビス−トリアジ
    ニルスチルベン誘導体を含有することを特徴とする有機
    電界発光素子。
JP14773094A 1994-06-29 1994-06-29 有機電界発光素子 Expired - Lifetime JP3284766B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP14773094A JP3284766B2 (ja) 1994-06-29 1994-06-29 有機電界発光素子

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP14773094A JP3284766B2 (ja) 1994-06-29 1994-06-29 有機電界発光素子

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH0812967A true JPH0812967A (ja) 1996-01-16
JP3284766B2 JP3284766B2 (ja) 2002-05-20

Family

ID=15436861

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP14773094A Expired - Lifetime JP3284766B2 (ja) 1994-06-29 1994-06-29 有機電界発光素子

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3284766B2 (ja)

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19628719A1 (de) * 1996-07-17 1998-01-29 Bosch Gmbh Robert Elektronenleitende Schicht in organischen, elektrolumineszierenden Anordnungen
JP2004063465A (ja) * 2002-07-26 2004-02-26 Xerox Corp アントラセン誘導体及びトリアジン誘導体を含むディスプレイ装置
US6824891B2 (en) * 2000-08-24 2004-11-30 Fuji Photo Film Co., Ltd. Light-emitting device and material therefor
US6942916B2 (en) 2001-01-11 2005-09-13 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Inkjet printable electroluminescent media
JP2006225321A (ja) * 2005-02-17 2006-08-31 Tosoh Corp 1,3,5−トリアジン誘導体からなる薄膜及び製造方法
JP2006225320A (ja) * 2005-02-17 2006-08-31 Tosoh Corp 1,3,5−トリアジン誘導体
JP2006225322A (ja) * 2005-02-17 2006-08-31 Tosoh Corp 1,3,5−トリアジン誘導体,その製法およびそれから成る薄膜
US7537842B2 (en) 2001-02-20 2009-05-26 Isis Innovation Limited Asymmetric dendrimers
US7592074B2 (en) 2001-02-20 2009-09-22 Isis Innovation Limited Metal-containing dendrimers
US7632576B2 (en) 2001-02-20 2009-12-15 Isis Innovation Limited Aryl-aryl dendrimers

Cited By (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19628719B4 (de) * 1996-07-17 2006-10-05 Hans-Werner Prof. Dr. Schmidt Elektronenleitende Schicht in organischen, elektrolumineszierenden Anordnungen
DE19628719A1 (de) * 1996-07-17 1998-01-29 Bosch Gmbh Robert Elektronenleitende Schicht in organischen, elektrolumineszierenden Anordnungen
US6824891B2 (en) * 2000-08-24 2004-11-30 Fuji Photo Film Co., Ltd. Light-emitting device and material therefor
US6942916B2 (en) 2001-01-11 2005-09-13 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Inkjet printable electroluminescent media
US7960725B2 (en) 2001-02-20 2011-06-14 Isis Innovation Limited Aryl-aryl dendrimers
US7537842B2 (en) 2001-02-20 2009-05-26 Isis Innovation Limited Asymmetric dendrimers
US7592074B2 (en) 2001-02-20 2009-09-22 Isis Innovation Limited Metal-containing dendrimers
US7632576B2 (en) 2001-02-20 2009-12-15 Isis Innovation Limited Aryl-aryl dendrimers
US7906902B2 (en) 2001-02-20 2011-03-15 Isis Innovation Limited Metal-containing dendrimers
US7960557B2 (en) 2001-02-20 2011-06-14 Isis Innovation Limited Asymmetric dendrimers
US8314549B2 (en) 2001-02-20 2012-11-20 Isis Innovation Limited Metal-containing dendrimers
US8319213B2 (en) 2001-02-20 2012-11-27 Isis Innovation Limited Aryl-aryl dendrimers
JP2004063465A (ja) * 2002-07-26 2004-02-26 Xerox Corp アントラセン誘導体及びトリアジン誘導体を含むディスプレイ装置
JP2006225320A (ja) * 2005-02-17 2006-08-31 Tosoh Corp 1,3,5−トリアジン誘導体
JP2006225322A (ja) * 2005-02-17 2006-08-31 Tosoh Corp 1,3,5−トリアジン誘導体,その製法およびそれから成る薄膜
JP2006225321A (ja) * 2005-02-17 2006-08-31 Tosoh Corp 1,3,5−トリアジン誘導体からなる薄膜及び製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP3284766B2 (ja) 2002-05-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4058842B2 (ja) 有機電界発光素子
JP3855675B2 (ja) 有機電界発光素子
JPH0753953A (ja) 有機電界発光素子
JPH06325871A (ja) 有機電界発光素子
JPH08245955A (ja) 有機el素子
JPH06267658A (ja) 有機el素子
JP3845941B2 (ja) イミダゾール金属錯体及びそれを用いた有機電界発光素子
JPH09289081A (ja) 有機電界発光素子
JPH07312289A (ja) 有機電界発光素子
JP2000150169A (ja) 有機電界発光素子
JP3552317B2 (ja) 有機電界発光素子の製造方法
JP4030608B2 (ja) 有機電界発光素子及びその製造方法
JPH08199161A (ja) 有機電界発光素子
JP3284766B2 (ja) 有機電界発光素子
JP3463364B2 (ja) 有機電界発光素子
JPH0888083A (ja) 有機電界発光素子
JP3279014B2 (ja) 有機電界発光素子
JPH11135262A (ja) 有機電界発光素子
JP3284737B2 (ja) 有機電界発光素子
JP3807018B2 (ja) 有機電界発光素子及び蛍光材料
JPH06330032A (ja) 有機電界発光素子
JPH0790255A (ja) 有機電界発光素子
JPH0762526A (ja) 有機電界発光素子の製造方法
JP3189376B2 (ja) 有機電界発光素子
JP3208833B2 (ja) 有機電界発光素子

Legal Events

Date Code Title Description
FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090308

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090308

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100308

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110308

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120308

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130308

Year of fee payment: 11