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JPH08127769A - Phosphor and display device - Google Patents

Phosphor and display device

Info

Publication number
JPH08127769A
JPH08127769A JP15192795A JP15192795A JPH08127769A JP H08127769 A JPH08127769 A JP H08127769A JP 15192795 A JP15192795 A JP 15192795A JP 15192795 A JP15192795 A JP 15192795A JP H08127769 A JPH08127769 A JP H08127769A
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JP
Japan
Prior art keywords
phosphor
sulfide
display device
ultraviolet light
electron beam
Prior art date
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Granted
Application number
JP15192795A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP3189626B2 (en
Inventor
Hitoshi Toki
均 土岐
Tadashi Mizohata
忠 溝畑
Kazuhiko Itakura
和彦 板倉
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Futaba Corp
Original Assignee
Futaba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
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Priority to JP15192795A priority Critical patent/JP3189626B2/en
Priority to KR1019950029122A priority patent/KR100204253B1/en
Priority to TW084109498A priority patent/TW369662B/en
Publication of JPH08127769A publication Critical patent/JPH08127769A/en
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  • Vessels, Lead-In Wires, Accessory Apparatuses For Cathode-Ray Tubes (AREA)
  • Cathode-Ray Tubes And Fluorescent Screens For Display (AREA)

Abstract

PURPOSE: To heighten the efficiency of high-luminance light emission, prevent an electron source of a display device from causing pollution, and improve the reliability and life of the device by covering a sulfide phosphor with a specific phosphor which emits ultraviolet upon excitation with electron beams. CONSTITUTION: A sulfide phosphor selected among (Zn1-x Cdx ) S:M, N (wherein x is 0-0.8; M is Ag, Cu, or Au; and N is Cl, I, P, Al, or Iu), CaS:Eu, CaS:Ce, CaS:Cu, Na, and Lu2 O2 S:Re (wherein Ln is Y, Gd, or La and Re is Eu or Tb) is covered with a ZnO phosphor which upon excitation with low-speed electron beams, emits light containing ultraviolet having a wavelength shorter than 400nm in an amount of 30-80wt.% based on the sum of the two materials. The resulting phorphor is used in a display device as a phosphor layer formed on the anode conductor of a light-transmitting electrode, in which device the phosphor layer is bombarded with electrons emitted from the electron source of a cathode upon application of an electric field.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、2種類の蛍光体からな
る蛍光体と、係る蛍光体を発光部に有する表示装置に関
する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a phosphor composed of two kinds of phosphors and a display device having such phosphor in a light emitting portion.

【0002】[0002]

【従来の技術】蛍光表示管や、電子源に電界放出形素子
を用いた蛍光表示装置においては、例えば複数種類の発
光色で表示を行う等のためにZnS系、CaS系等の蛍
光体を陽極の発光部分に利用することがある。
2. Description of the Related Art In a fluorescent display tube or a fluorescent display device using a field emission device as an electron source, a ZnS-based or CaS-based phosphor is used for displaying in a plurality of types of emission colors. It may be used for the light emitting part of the anode.

【0003】例えば、赤色発光の蛍光体としては、(Z
x ,Cd1-x )S:Ag,Cl(x=0.22)、Z
nS:Cu,Al、Y2 2 S:Eu等が知られてお
り、また青色発光系の蛍光体としてはZnS:Znが知
られており、また緑色発光系の蛍光体としてはZnS:
Cu,Al、(Znx ,Cd1-x )S:Ag,Cl(x
=0.6)が知られている。
For example, as a red-emitting phosphor, (Z
n x , Cd 1-x ) S: Ag, Cl (x = 0.22), Z
nS: Cu, Al, Y 2 O 2 S: Eu, etc. are known, ZnS: Zn is known as a blue light emitting phosphor, and ZnS: Zn is known as a green light emitting phosphor.
Cu, Al, (Zn x , Cd 1-x ) S: Ag, Cl (x
= 0.6) is known.

【0004】上記硫化物系の蛍光体は、蛍光表示管内で
電子の射突を受けることにより徐々に表面から分解して
いく。分解した蛍光体は周囲に飛散し、電子の放出部分
であるフィラメント状の陰極や電界放出形素子の表面に
被着し、その電子放出能力を低下させてしまう。
The sulfide-based phosphor is gradually decomposed from the surface by being bombarded with electrons in the fluorescent display tube. The decomposed phosphor scatters around and adheres to the surface of the filament cathode or the field emission device, which is an electron emission portion, and reduces the electron emission capability.

【0005】このような問題を回避するために、前記蛍
光体層の上にBaSi2 5 :Pb等の紫外線発光蛍光
体を積層し、下層の被覆された蛍光体を保護するという
手段が提案されている。このような2層構造の蛍光体を
有する蛍光表示管では、電子は上層のBaSi2 5
Pb蛍光体に射突し、電子が直接射突しない下層の硫化
物系蛍光体が分解して飛散することはない。電子が射突
したBaSi2 5 :Pb蛍光体は紫外線を放出し、こ
の紫外線によって下層の硫化物系蛍光体が励起されて発
光する。
In order to avoid such a problem, a means is proposed in which an ultraviolet light emitting phosphor such as BaSi 2 O 5 : Pb is laminated on the phosphor layer to protect the underlying phosphor. Has been done. In a fluorescent display tube having such a two-layer structure phosphor, the electrons are BaSi 2 O 5 in the upper layer:
There is no possibility that the sulfide-based phosphor in the lower layer, which hits the Pb phosphor and does not directly hit the electrons, is decomposed and scattered. The BaSi 2 O 5 : Pb phosphor irradiated with the electrons emits ultraviolet rays, and the ultraviolet rays excite the sulfide-based phosphor in the lower layer to emit light.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】従来の蛍光表示管等で
は、電子の加速電圧は一般に1kV以下であり、この駆
動条件で蛍光体を実用的な輝度で発光させるには蛍光体
層の抵抗がある程度低いことが必要である。前述した従
来の2層構造の蛍光体によれば、BaSi2 5:Pb
蛍光体の抵抗が高く、1kV以下の加速電圧では十分な
輝度が得られなかった。
In a conventional fluorescent display tube or the like, the acceleration voltage of electrons is generally 1 kV or less, and the resistance of the phosphor layer is required to make the phosphor emit light with a practical brightness under this driving condition. It needs to be low to some extent. According to the conventional two-layer structure phosphor described above, BaSi 2 O 5 : Pb
The resistance of the phosphor was high, and sufficient brightness could not be obtained at an acceleration voltage of 1 kV or less.

【0007】また、硫化物系の蛍光体はBaSi
2 5 :Pb蛍光体に保護されるが、電子が直接射突す
るBaSi2 5 :Pb蛍光体の寿命が短いという問題
があった。
The sulfide type phosphor is BaSi.
2 O 5: but it is protected Pb phosphor, BaSi 2 O 5 which electrons impinge directly: Pb phosphor lifetime is disadvantageously short.

【0008】本発明は、前述した従来の2層構造の蛍光
体のような硫化物系の蛍光体と他の蛍光体からなる蛍光
体において、例えば1kV以下の低電圧で加速した電子
の射突によっても十分な輝度で発光し、寿命を長くする
ことを目的としている。
The present invention relates to a phosphor composed of a sulfide-based phosphor such as the above-mentioned conventional two-layer structure phosphor and another phosphor, and the electron bombardment is accelerated at a low voltage of, for example, 1 kV or less. Is intended to emit light with sufficient brightness and prolong life.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】請求項1に記載された蛍
光体は、低速電子線による励起によって400nmより
も波長の短い紫外線を含む光を発する電子線励起紫外線
発光蛍光体によって硫化物系蛍光体を被覆してなる。
The phosphor according to claim 1 is a sulfide-based fluorescent substance obtained by an electron beam-excited ultraviolet light-emitting phosphor that emits light containing ultraviolet rays having a wavelength shorter than 400 nm when excited by a slow electron beam. It covers the body.

【0010】請求項2に記載された蛍光体は、請求項1
記載の蛍光体において、前記電子線励起紫外線発光蛍光
体の粒子が前記硫化物系蛍光体の粒子を被覆しているこ
とを特徴とする。
The phosphor according to claim 2 is the phosphor according to claim 1.
In the phosphor described above, the particles of the electron beam excited ultraviolet light emitting phosphor cover the particles of the sulfide-based phosphor.

【0011】請求項3に記載された蛍光体は、請求項1
記載の蛍光体において、前記電子線励起紫外線発光蛍光
体の層が前記硫化物系蛍光体の層を被覆していることを
特徴とする。
The phosphor according to claim 3 is the phosphor according to claim 1.
The phosphor described above is characterized in that the layer of the electron beam-excited ultraviolet light-emitting phosphor covers the layer of the sulfide-based phosphor.

【0012】請求項4に記載された蛍光体は、請求項1
記載の蛍光体において、前記電子線励起紫外線発光蛍光
体がZnOであることを特徴とする。
The phosphor described in claim 4 is the phosphor according to claim 1.
The described phosphor is characterized in that the electron beam excited ultraviolet light emitting phosphor is ZnO.

【0013】請求項5に記載された蛍光体は、請求項1
記載の蛍光体において、前記電子線励起紫外線発光蛍光
体の混合割合が全体の30〜80重量%であることを特
徴とする。
The phosphor described in claim 5 is the phosphor according to claim 1.
The phosphor described above is characterized in that the mixing ratio of the electron beam excited ultraviolet light emitting phosphor is 30 to 80% by weight of the whole.

【0014】請求項6に記載された蛍光体は、請求項1
記載の蛍光体において、前記硫化物系蛍光体が(Zn
1-x Cdx )S:M,N(但しx=0〜0.8、M=A
g,Cu又はAu、N=Cl,I,P,Al又はIn)
で表される蛍光体であることを特徴とする。
The phosphor described in claim 6 is the phosphor according to claim 1.
In the phosphor described above, the sulfide-based phosphor is (Zn
1-x Cd x ) S: M, N (where x = 0 to 0.8, M = A
g, Cu or Au, N = Cl, I, P, Al or In)
The phosphor is represented by

【0015】請求項7に記載された蛍光体は、請求項1
記載の蛍光体において、前記硫化物系蛍光体がCaS:
Eu、CaS:Ce、CaS:Cu,Na、Ln2 2
S:Re(但しLnは、Y,Gd,Laから選ばれた1
種、Re=Eu又はTb)の各蛍光体の中から選ばれた
蛍光体であることを特徴とする。
The phosphor according to claim 7 is the phosphor according to claim 1.
In the phosphor described above, the sulfide-based phosphor is CaS:
Eu, CaS: Ce, CaS: Cu, Na, Ln 2 O 2
S: Re (where Ln is 1 selected from Y, Gd and La)
The phosphor is selected from among the phosphors of the species Re = Eu or Tb).

【0016】請求項8に記載された表示装置は、電子源
から放出される電子を陽極導体上に設けられた蛍光体層
に射突させる表示装置において、前記蛍光体層を構成す
る蛍光体が、低速電子線による励起によって400nm
よりも波長の短い紫外線を含む光を発する電子線励起紫
外線発光蛍光体によって硫化物系蛍光体を被覆してなる
蛍光体であることを特徴とする。
The display device according to claim 8 is a display device in which electrons emitted from an electron source are projected onto a phosphor layer provided on an anode conductor, and the phosphor constituting the phosphor layer is , 400nm by excitation with slow electron beam
It is characterized in that it is a phosphor obtained by coating a sulfide-based phosphor with an electron beam-excited ultraviolet light-emitting phosphor that emits light containing ultraviolet light having a shorter wavelength.

【0017】請求項9に記載された表示装置は、請求項
8記載の表示装置において、前記電子線励起紫外線発光
蛍光体の粒子が前記硫化物系蛍光体の粒子を被覆してい
ることを特徴とする。
A display device according to a ninth aspect is the display device according to the eighth aspect, characterized in that the particles of the electron beam excited ultraviolet light emitting phosphor cover the particles of the sulfide-based phosphor. And

【0018】請求項10に記載された表示装置は、請求
項8記載の表示装置において、前記硫化物系蛍光体が前
記陽極導体上に層状に設けられ、前記電子線励起紫外線
発光蛍光体が前記硫化物系蛍光体の表面に被着されたこ
とを特徴とする。
According to a tenth aspect of the present invention, in the display device according to the eighth aspect, the sulfide-based phosphor is provided on the anode conductor in a layered form, and the electron beam-excited ultraviolet light-emitting phosphor is the above-mentioned. It is characterized in that it is deposited on the surface of a sulfide-based phosphor.

【0019】請求項11に記載された表示装置は、請求
項8記載の表示装置において、前記電子線励起紫外線発
光蛍光体が紫外線および可視光を発光することを特徴と
する。
According to an eleventh aspect of the present invention, in the display device according to the eighth aspect, the electron beam excitation ultraviolet ray emitting phosphor emits ultraviolet ray and visible light.

【0020】請求項12に記載された表示装置は、請求
項8又は11記載の表示装置において、前記電子線励起
紫外線発光蛍光体がZnOであることを特徴とする。
According to a twelfth aspect of the present invention, there is provided the display device according to the eighth or eleventh aspect, wherein the electron beam excited ultraviolet light emitting phosphor is ZnO.

【0021】請求項13に記載された表示装置は、請求
項8記載の表示装置において、前記硫化物系蛍光体が
(Zn1-x Cdx )S:M,N(但しx=0〜0.8、
M=Ag,Cu又はAu、N=Cl,I,P,Al又は
In)で表される蛍光体であることを特徴とする。
A display device according to a thirteenth aspect is the display device according to the eighth aspect, wherein the sulfide-based phosphor is (Zn 1-x Cd x ) S: M, N (where x = 0 to 0). .8,
M = Ag, Cu or Au, N = Cl, I, P, Al or In).

【0022】請求項14に記載された表示装置は、請求
項8記載の表示装置において、前記硫化物系蛍光体がC
aS:Eu、CaS:Ce、CaS:Cu,Na、Ln
2 2 S:Re(但しLnは、Y,Gd,Laから選ば
れた1種、Re=Eu又はTb)の各蛍光体の中から選
ばれた蛍光体であることを特徴とする。
The display device according to claim 14 is a display device.
Item 9. The display device according to Item 8, wherein the sulfide-based phosphor is C
aS: Eu, CaS: Ce, CaS: Cu, Na, Ln
2O 2S: Re (however, Ln is selected from Y, Gd, La)
Selected from among the phosphors of Re = Eu or Tb).
It is characterized by being an exposed phosphor.

【0023】請求項15に記載された表示装置は、請求
項8記載の表示装置において、前記陽極導体が透光性電
極であることを特徴とする。
According to a fifteenth aspect of the present invention, in the display device according to the eighth aspect, the anode conductor is a translucent electrode.

【0024】請求項16に記載された表示装置は、請求
項8記載の表示装置において、前記電子線励起紫外線発
光蛍光体が発生する紫外線と可視光の強度比が、紫外線
成分/可視光成分=100/0〜10/90であること
を特徴とする。
According to a sixteenth aspect of the present invention, in the display device according to the eighth aspect, the intensity ratio of ultraviolet rays and visible light generated by the electron beam excited ultraviolet light emitting phosphor is: ultraviolet component / visible light component = It is characterized by being 100/0 to 10/90.

【0025】請求項17に記載された表示装置は、請求
項8記載の表示装置において、前記電子源が電界放出形
陰極であることを特徴とする。
A display device according to a seventeenth aspect is the display device according to the eighth aspect, wherein the electron source is a field emission type cathode.

【0026】請求項18に記載された表示装置は、請求
項8記載の表示装置において、前記電子源が線状の熱電
子放出形陰極であることを特徴とする。
The display device according to an eighteenth aspect is the display device according to the eighth aspect, wherein the electron source is a linear thermionic emission type cathode.

【0027】請求項19に記載された表示装置は、請求
項8記載の表示装置において、前記蛍光体層の発光をカ
ラーフィルタを通して表示させることを特徴とする。
The display device according to a nineteenth aspect is the display device according to the eighth aspect, wherein the light emission of the phosphor layer is displayed through a color filter.

【0028】[0028]

【作用】電子源から放出された電子は、電子線励起紫外
線発光蛍光体に射突する。電子線励起紫外線発光蛍光体
は、400nmよりも波長の短い紫外線を発生する。電
子線励起紫外線発光蛍光体の下にある硫化物系蛍光体は
電子線励起紫外線発光蛍光体の発生する紫外光によって
励起されて発光する。硫化物系蛍光体は、電子が直接射
突しないので分解飛散しにくい。
The electrons emitted from the electron source impinge on the electron beam excited ultraviolet light emitting phosphor. The electron-beam-excited ultraviolet light-emitting phosphor emits ultraviolet light having a wavelength shorter than 400 nm. The sulfide-based phosphor under the electron-beam-excited ultraviolet light-emitting phosphor is excited by the ultraviolet light generated by the electron-beam-excited ultraviolet light-emitting phosphor to emit light. Electrons do not directly hit the sulfide-based phosphor, so it is difficult to decompose and scatter.

【0029】[0029]

【実施例】本発明者等は上記の目的を達成するために種
々の蛍光体を用いて実験を行った。その結果、抵抗の低
いZnO蛍光体で硫化物系蛍光体を覆えば、1kV以下
の低電圧で加速した電子の射突によっても十分な輝度で
硫化物系蛍光体を発光させられるという認識を得た。
EXAMPLES The present inventors conducted experiments using various phosphors in order to achieve the above object. As a result, it was recognized that if the sulfide-based phosphor is covered with a ZnO phosphor having a low resistance, the sulfide-based phosphor can emit light with sufficient brightness even by electron bombardment accelerated at a low voltage of 1 kV or less. It was

【0030】本発明者等は、抵抗の低い蛍光体であるZ
nO蛍光体で硫化物系蛍光体を被覆した蛍光体について
さらに研究を進めた結果、次のような事実を見いだすに
至った。即ち、通常ZnO蛍光体の発光スペクトルは4
00nm〜700nmの範囲にあるので、この波長領域
に励起のピークを有する硫化物系蛍光体、例えばZnC
dS:Ag蛍光体のような黄〜赤色に発光する蛍光体と
前記ZnO蛍光体とを組み合わせると、上述したように
良好な結果が得られる。
The present inventors have found that Z, which is a phosphor having a low resistance,
As a result of further research on a phosphor in which a sulfide-based phosphor is coated with an nO phosphor, the following facts have been found. That is, the emission spectrum of a ZnO phosphor is usually 4
Since it is in the range of 00 nm to 700 nm, a sulfide-based phosphor having an excitation peak in this wavelength range, for example, ZnC
By combining the phosphor that emits yellow to red light such as the dS: Ag phosphor with the ZnO phosphor, good results can be obtained as described above.

【0031】しかしながら、ZnS:AgやZnS:C
u,Al等のように400nmよりも短い波長領域に励
起のピークを持つ青色発光系の硫化物系蛍光体に関して
は、その上に前記ZnO蛍光体を積層しても、該硫化物
系蛍光体を発光させることはできない。これは、電子が
射突したZnO蛍光体から400nmよりも短い波長の
光が殆ど出ないため、下層の硫化物系蛍光体を励起発光
させることができないからである。
However, ZnS: Ag and ZnS: C
Regarding a blue-light-emitting sulfide-based phosphor having an excitation peak in a wavelength region shorter than 400 nm, such as u and Al, even if the ZnO phosphor is laminated thereon, the sulfide-based phosphor Cannot be emitted. This is because the ZnO phosphor irradiated with electrons hardly emits light having a wavelength shorter than 400 nm, and thus the sulfide-based phosphor in the lower layer cannot be excited to emit light.

【0032】そこで、本発明者等は、硫化物系蛍光体を
ZnO蛍光体で被覆した蛍光体の研究において、黄、赤
色のみならず青色の発光も得られるようにすることを目
的として、ZnO蛍光体の発光スペクトルに注目しなが
らその製造方法を種々試みたところ、次のような事実を
発見した。即ち、通常のZnO蛍光体は505nm付近
に発光のピークを有しているが、ZnO蛍光体の中に
は、特定の製造方法によって385nm付近に発光のピ
ークを有しているものも得られる。
Therefore, the inventors of the present invention, in the study of a phosphor obtained by coating a sulfide-based phosphor with a ZnO phosphor, aim to obtain not only yellow and red but also blue emission. While trying various manufacturing methods while paying attention to the emission spectrum of the phosphor, the following facts were discovered. That is, a normal ZnO phosphor has an emission peak near 505 nm, but among ZnO phosphors, a ZnO phosphor having an emission peak near 385 nm can be obtained by a specific manufacturing method.

【0033】図1は、実施例の方法によって得られたZ
nO蛍光体の発光スペクトルと、ZnS:Ag蛍光体、
ZnS:Cu,Al蛍光体、Zn,CdS:Ag蛍光体
の各励起(吸収)スペクトルを示したものである。この
ようにZnO蛍光体が可視波長の光線と共に400nm
よりも短い波長の紫外線を発生すれば、ZnCdS:A
g蛍光体による赤色発光と共に、ZnS:Ag蛍光体・
ZnS:Cu,Al蛍光体等による青色及び緑色発光も
可能となる。
FIG. 1 shows Z obtained by the method of the embodiment.
emission spectrum of nO phosphor, ZnS: Ag phosphor,
Fig. 3 shows respective excitation (absorption) spectra of ZnS: Cu, Al phosphor and Zn, CdS: Ag phosphor. In this way, the ZnO phosphor and the visible wavelength light are 400 nm.
If UV light of shorter wavelength is generated, ZnCdS: A
ZnS: Ag phosphor with red emission by g phosphor
It is also possible to emit blue and green light with a ZnS: Cu, Al phosphor or the like.

【0034】本発明者等の知見によれば、ZnO蛍光体
の発光スペクトルにおける385nmのピークは、バン
ド間発光によって生じる。そして、このような発光のピ
ークを有するZnO蛍光体は、還元処理で製造される通
常のZnO蛍光体を、O2 雰囲気内で焼成することによ
り得られる。このようにして得られた385nmのピー
クを有するZnO蛍光体は、従来のZnO蛍光体よりも
母体抵抗がやや高いが、蛍光表示管の表示部に用いる蛍
光体としては実用上殆ど問題はない。
According to the knowledge of the present inventors, the peak at 385 nm in the emission spectrum of the ZnO phosphor is caused by the interband emission. A ZnO phosphor having such a light emission peak can be obtained by firing a normal ZnO phosphor produced by a reduction treatment in an O 2 atmosphere. The ZnO phosphor having a peak of 385 nm thus obtained has a slightly higher matrix resistance than the conventional ZnO phosphor, but there is practically no problem as a phosphor used for the display portion of the fluorescent display tube.

【0035】次に、本実施例の表示装置に適用するZn
O蛍光体で硫化物系蛍光体を被覆した2層構造の蛍光体
層とその製造方法について説明する。酸素を有する雰囲
気中(例えば空気中)でZn粉末を焼成してZnOを得
る。この蛍光体をアニール処理し、385nmのみに発
光のピークを有する試料と、385nmと505nmの
2点に発光のピークを有する試料とを作製した。なお、
このアニール処理によって蛍光体自体の抵抗値は減少す
る。
Next, Zn applied to the display device of this embodiment
A phosphor layer having a two-layer structure in which a sulfide-based phosphor is coated with an O phosphor and a manufacturing method thereof will be described. ZnO is obtained by firing Zn powder in an atmosphere containing oxygen (for example, in air). This phosphor was annealed to prepare a sample having an emission peak only at 385 nm and a sample having an emission peak at two points of 385 nm and 505 nm. In addition,
This annealing treatment reduces the resistance value of the phosphor itself.

【0036】ZnOのアニールは、通常の炉を用いて行
ってもよいし、ランプアニールでもよい。ランプアニー
ルの場合、電流はZnO粒子の表面を伝って流れるので
蛍光体粒子の表面層のみが処理される。発光は蛍光体粒
子の表面の他、内部からもでてくるため、ランプアニー
ルによれば紫外線成分を減衰させることなく蛍光体の導
電性を向上させることができる。
The ZnO may be annealed by using an ordinary furnace or lamp annealing. In the case of lamp annealing, the current flows along the surface of the ZnO particles, so that only the surface layer of the phosphor particles is processed. Since the light emission comes from not only the surface of the phosphor particles but also from the inside, the lamp annealing can improve the conductivity of the phosphor without attenuating the ultraviolet component.

【0037】図2に示すように、絶縁性のガラス基板で
ある陽極基板1の上に、陽極導体として透光性電極であ
るITO電極2を形成する。その上に硫化物系の蛍光体
3を被着する。硫化物系の蛍光体3には、抵抗を低下さ
せるためにIn2 3 等の導電性物質を混合してもよ
い。この硫化物系の蛍光体3の表面を覆うように、可視
光線発光蛍光体としてのZnO蛍光体4を被着する。こ
の陽極基板1を400〜500℃で焼成し、蛍光表示管
等の陽極基板1として完成する。
As shown in FIG. 2, an ITO electrode 2 which is a translucent electrode is formed as an anode conductor on an anode substrate 1 which is an insulating glass substrate. A sulfide-based phosphor 3 is deposited thereon. The sulfide-based phosphor 3 may be mixed with a conductive substance such as In 2 O 3 in order to reduce the resistance. A ZnO phosphor 4 as a visible light emitting phosphor is applied so as to cover the surface of the sulfide-based phosphor 3. The anode substrate 1 is baked at 400 to 500 ° C. to complete the anode substrate 1 for a fluorescent display tube or the like.

【0038】なお、図2には単一の硫化物系蛍光体3の
層しか表示されていないが、具体的な硫化物系の蛍光体
としては、青色発光のZnS:Ag蛍光体、緑色発光の
ZnS:Cu,Al蛍光体、赤色発光のZn0.2 Cd
0.8 S:Ag蛍光体をそれぞれ別々に用い、前記陽極基
板上にそれぞれ独立した発光表示部である陽極を構成し
た。
Although only a single layer of sulfide-based phosphor 3 is shown in FIG. 2, specific sulfide-based phosphors include blue-emitting ZnS: Ag phosphor and green-emitting phosphor. ZnS: Cu, Al phosphor, red light emitting Zn 0.2 Cd
The 0.8 S: Ag phosphors were separately used to form the anodes, which are independent light emitting display units, on the anode substrate.

【0039】また、電子線励起紫外線発光蛍光体である
ZnO蛍光体は、波長385nmをピークとする紫外線
成分と、波長505nmをピークとする可視光線成分の
強度比が、紫外線成分/可視光線成分=100/0〜0
/100であるような多種類の試料を用意した。なお、
上記紫外線成分と可視光線成分の強度比を、本説明では
単に波長成分強度比と称する。
The ZnO phosphor, which is an electron-beam-excited ultraviolet light-emitting phosphor, has an intensity ratio of an ultraviolet ray component having a peak at a wavelength of 385 nm and a visible light ray component having a peak at a wavelength of 505 nm, that is, ultraviolet ray component / visible ray component = 100 / 0-0
Various kinds of samples, such as / 100, were prepared. In addition,
In the present description, the intensity ratio of the ultraviolet ray component and the visible ray component is simply referred to as the wavelength component intensity ratio.

【0040】前記陽極基板を用いて蛍光表示管を構成す
る。該蛍光表示管の陽極基板のITO電極に、100〜
1000Vの電圧を印加して10〜100mA/cm2
の電流を流す。その時の各陽極の蛍光体層の発光輝度及
び寿命特性を測定し、その結果を用いて評価を行った。
各発光色の前記硫化物系蛍光体毎の評価を図3〜図5を
参照して以下に説明する。
A fluorescent display tube is constructed using the anode substrate. In the ITO electrode of the anode substrate of the fluorescent display tube, 100 to
10 to 100 mA / cm 2 by applying a voltage of 1000 V
The electric current of. At that time, the emission luminance and life characteristics of the phosphor layer of each anode were measured, and the results were used for evaluation.
The evaluation of each luminescent phosphor of each emission color will be described below with reference to FIGS.

【0041】なお、比較のために、上記赤・青・緑の各
色に発光する硫化物系蛍光体のみを蛍光体として有する
試料と、波長505nmのみに発光のピークを有するZ
nO蛍光体のみを蛍光体として有する試料も作製した。
For comparison, a sample having only a sulfide-based phosphor that emits each of the above-mentioned red, blue, and green colors as a phosphor, and Z having an emission peak only at a wavelength of 505 nm.
A sample having only the nO phosphor as a phosphor was also prepared.

【0042】(1) 青色発光のZnS:Ag蛍光体の場合 ZnS:Ag蛍光体上に設けたZnO蛍光体の波長成分
強度比と、蛍光体層全体の相対輝度との関係を図3に示
す。評価は陽極電圧200Vにおいて行った。ZnO蛍
光体において505nmの成分が多い場合には、ZnO
蛍光体において青色成分以外の割合が増えて青色の色純
度が悪くなるため、青色のフィルタを通して評価した。
比較例として、発光スペクトルのピークが505nmの
みのZnO蛍光体にフィルタを併用した場合の輝度を同
図中に示す。
(1) In the case of ZnS: Ag phosphor emitting blue light The relationship between the wavelength component intensity ratio of the ZnO phosphor provided on the ZnS: Ag phosphor and the relative brightness of the entire phosphor layer is shown in FIG. . The evaluation was performed at an anode voltage of 200V. When the component of 505 nm is abundant in the ZnO phosphor, ZnO
Since the ratio of components other than the blue component in the phosphor increases and the color purity of blue deteriorates, evaluation was performed using a blue filter.
As a comparative example, the brightness of a ZnO phosphor having an emission spectrum peak of only 505 nm in combination with a filter is shown in FIG.

【0043】本例では、波長成分強度比が、385nm
/505nn=100/0〜10/90の範囲において
相対輝度が50を越え、比較例よりも良好な実用に耐え
る結果が得られた。この範囲内において、波長成分強度
比が97/3〜40/60であればさらに好ましい結果
が得られる。この範囲内において、波長成分強度比が9
0/10〜75/25であればさらに一層好ましい結果
が得られる。
In this example, the wavelength component intensity ratio is 385 nm.
In the range of / 505nn = 100/0 to 10/90, the relative luminance exceeded 50, and the result was obtained that was better for practical use than the comparative example. Within this range, more preferable results can be obtained if the wavelength component intensity ratio is 97/3 to 40/60. Within this range, the wavelength component intensity ratio is 9
If it is 0/10 to 75/25, an even more preferable result is obtained.

【0044】なお、波長成分強度比が5/95よりも小
さい範囲では、ZnO蛍光体の505nm成分の青色成
分が下層のZnS:Ag蛍光体層で乱反射されて減衰す
るため、ZnOとフィルタを組み合わせた試料よりも特
性が劣るようになる。また、波長成分強度比が99/1
より大きいとZnO蛍光体の母体抵抗が高くなり、輝度
の低下を生じる。
When the wavelength component intensity ratio is smaller than 5/95, the blue component of the 505 nm component of the ZnO phosphor is diffusely reflected and attenuated by the lower ZnS: Ag phosphor layer, so that the combination of ZnO and the filter is used. The characteristics are inferior to those of the sample. In addition, the wavelength component intensity ratio is 99/1
If it is larger, the matrix resistance of the ZnO phosphor becomes higher, resulting in a decrease in brightness.

【0045】(2) 緑色発光のZnS:Cu,Al蛍光体
の場合 前記ZnS:Ag蛍光体の場合と同様に行った実験の結
果を図4に示す。本例においては、ZnO蛍光体が発生
する光の内、青色成分乃至波長385nmを中心とする
紫外線の他、波長505nmを中心とする成分の一部も
硫化物系蛍光体の励起に利用されるので、好ましい波長
成分強度比は100/0〜7/93に拡大した。この範
囲内において、波長成分強度比が90/10〜40/6
0であればさらに好ましい結果が得られる。この範囲内
において、波長成分強度比が75/25〜55/45で
あればさらに一層好ましい結果が得られる。CaS:C
e蛍光体についても同様な結果が得られた。
(2) Case of green-emitting ZnS: Cu, Al phosphor FIG. 4 shows the result of an experiment carried out in the same manner as in the case of the ZnS: Ag phosphor. In this example, in the light generated by the ZnO phosphor, not only the blue component or ultraviolet rays having a wavelength of 385 nm as a center but also a part of the component having a wavelength of 505 nm as a center is used for exciting the sulfide-based phosphor. Therefore, the preferable wavelength component intensity ratio is expanded to 100/0 to 7/93. Within this range, the wavelength component intensity ratio is 90/10 to 40/6.
If 0, a more preferable result is obtained. Within this range, even more preferable results can be obtained if the wavelength component intensity ratio is 75/25 to 55/45. CaS: C
Similar results were obtained for the e phosphor.

【0046】(3) 赤色発光のZn0.2 Cd0.8 S:Ag
蛍光体の場合 前記ZnS:Ag蛍光体の場合と同様に行った実験の結
果を図5に示す。本例においては、好ましい波長成分強
度比は100/0〜0/100となった。これは、図1
に示すように、赤色発光の蛍光体の励起帯が、ZnO蛍
光体の発光スペクトルの505nm成分である可視域に
まで及んでいるためである。なお、本例の上記硫化物系
蛍光体ではCdを80%としたが、Cd量が80%以下
であるとバンドギャップの構造がZnS蛍光体の構造に
近づくため、ZnO蛍光体が出す紫外線による効果はよ
り大きくなる。逆にCdが80%より大きいと、主とし
て可視領域の光線によって励起されるようになる。
(3) Red light-emitting Zn 0.2 Cd 0.8 S: Ag
Case of Phosphor FIG. 5 shows the result of an experiment conducted in the same manner as the case of the ZnS: Ag phosphor. In this example, the preferable wavelength component intensity ratio was 100/0 to 0/100. This is
This is because the excitation band of the red light emitting phosphor extends to the visible region, which is the 505 nm component of the emission spectrum of the ZnO phosphor, as shown in FIG. In the above-mentioned sulfide-based phosphor of this example, the Cd was set to 80%, but if the Cd amount is 80% or less, the band gap structure approaches the structure of the ZnS phosphor, so that the ZnO phosphor emits ultraviolet rays. The effect will be greater. On the other hand, when Cd is larger than 80%, it is mainly excited by light rays in the visible region.

【0047】電子が蛍光体に射突してこれを励起発光さ
せる場合、電子のエネルギの大半は熱になり、蛍光体を
発熱させて蛍光体の発光輝度を低下させる。このような
蛍光体の温度と発光輝度の関係を温度消光特性と呼ぶ。
以上説明した各例において、ZnO蛍光体の385nm
をピークとする発光は、温度消光特性が良好である。従
来のZnO蛍光体における波長505nmを中心とした
発光のように温度消光特性の劣る発光を利用し、これに
フィルタを併用して赤青緑の各色を得る場合に比べ、図
6に示すように本実施例の蛍光体は温度消光特性が優れ
ている。
When the electrons impinge on the phosphor and excite it to emit light, most of the energy of the electrons becomes heat, causing the phosphor to generate heat and lowering the emission brightness of the phosphor. The relationship between the temperature of the phosphor and the emission brightness is called temperature extinction characteristic.
In each of the examples described above, 385 nm of ZnO phosphor is used.
The light emission having a peak is excellent in temperature quenching characteristics. As shown in FIG. 6, as compared with the case where the light emission with inferior temperature quenching characteristics such as the light emission centered around the wavelength of 505 nm in the conventional ZnO phosphor is used and the red, blue and green colors are obtained by using this together with the filter, The phosphor of this example has excellent temperature quenching characteristics.

【0048】以上説明した実験結果から見て、本実施例
の表示装置の蛍光体におけるZnOは、その波長成分強
度比を、385nm/505nn=100/0〜10/
90の範囲で選択することが実用上有効であると考えら
れる。
From the experimental results described above, ZnO in the phosphor of the display device of this embodiment has a wavelength component intensity ratio of 385 nm / 505 nn = 100/0 to 10 /.
It is considered that the selection within the range of 90 is practically effective.

【0049】以上説明したZnO蛍光体によって下層の
硫化物系蛍光体の分解劣化が抑制されることを確認する
ために寿命試験を行った。図7(a)はZnS:Agの
みの場合、図7(b)はZnS:Agの表面をZnOで
被覆した前記例(1) の場合である。これらの図に示すグ
ラフにおいて、横軸は時間、縦軸はアノード電流の残存
率である。硫化物系蛍光体層の上層をZnOで覆った場
合にはアノード電流の減少が認められず、カソード乃至
エミッタの汚染を防止するエミッション対策として効果
があることが確認された。
A life test was conducted to confirm that the above-described ZnO phosphor suppresses decomposition and deterioration of the sulfide-based phosphor of the lower layer. FIG. 7A shows the case of only ZnS: Ag, and FIG. 7B shows the case of the above example (1) in which the surface of ZnS: Ag is coated with ZnO. In the graphs shown in these figures, the horizontal axis represents time and the vertical axis represents the residual rate of the anode current. When the upper layer of the sulfide-based phosphor layer was covered with ZnO, no reduction in the anode current was observed, and it was confirmed that it is effective as an emission measure for preventing contamination of the cathode or the emitter.

【0050】以上説明した蛍光体の他、CaS:Cu,
Na(青色発光)、Ln2 2 S:Eu(赤色発光、L
n=Y,La,Gdの少なくとも一つ)、CaS:Eu
系(赤色発光)等においても同様に効果が認められる。
In addition to the phosphors described above, CaS: Cu,
Na (blue emission), Ln 2 O 2 S: Eu (red emission, L
n = at least one of Y, La, and Gd), CaS: Eu
The same effect is observed in the system (red emission) and the like.

【0051】以上説明した実施例によれば、可視光線と
共に400nmよりも波長の短い紫外線を発する蛍光体
によって硫化物系の蛍光体を覆ったので、例えば1kV
以下といった比較的低い電圧で加速された電子の射突に
よって、赤青緑のいずれの発光色の硫化物系蛍光体でも
効率よく高輝度で発光させることができる。また、硫化
物系蛍光体は他の蛍光体に被覆され、電子の直接の射突
による硫化物系蛍光体の分解飛散が防止できるので、表
示装置の電子源を汚染するおそれがなく、表示装置とし
ての信頼性及び寿命が向上する。
According to the embodiment described above, since the sulfide-based phosphor is covered with the phosphor that emits visible light and ultraviolet rays having a wavelength shorter than 400 nm, for example, 1 kV
By the collision of electrons accelerated with a relatively low voltage as described below, it is possible to efficiently emit light with high brightness even with a sulfide-based phosphor having any emission color of red, blue, and green. In addition, since the sulfide-based phosphor is covered with another phosphor and decomposition and scattering of the sulfide-based phosphor due to direct bombardment of electrons can be prevented, there is no risk of contaminating the electron source of the display device, and the display device Reliability and life are improved.

【0052】前記実施例で説明した蛍光体は、陽極導体
上に硫化物系蛍光体を層状に形成し、その表面を層状の
ZnO蛍光体で被覆した構成であった。しかしながら、
ZnO蛍光体で硫化物系蛍光体を被覆した本発明の蛍光
体の構造は、必ずしも上記のような積層した2種類の蛍
光体の構造のみを指すものではない。例えば、微視的に
観察すると、電子線励起紫外線発光蛍光体の粒子が硫化
物系蛍光体の粒子を被覆している構造の蛍光体も本発明
の範囲に入り、係る蛍光体を表示装置の発光部に用いた
場合にも、先に説明した実施例と略同様の効果が得られ
る。
The phosphors described in the above examples had a structure in which a sulfide-based phosphor was formed in layers on the anode conductor and the surface thereof was covered with a layered ZnO phosphor. However,
The structure of the phosphor of the present invention in which the sulfide-based phosphor is coated with the ZnO phosphor does not necessarily indicate only the structure of the two kinds of laminated phosphors as described above. For example, when observed microscopically, a phosphor having a structure in which particles of an electron beam-excited ultraviolet light-emitting phosphor coat particles of a sulfide-based phosphor also falls within the scope of the present invention, and such a phosphor of a display device is used. Even when it is used for the light emitting portion, the same effect as that of the above-described embodiment can be obtained.

【0053】そこで、次にZnO蛍光体の粒子が硫化物
系蛍光体の粒子を被覆している構造の蛍光体と、係る蛍
光体を利用した表示装置の実施例について説明する。本
実施例で用いる硫化物系蛍光体は、(Zn0.22,Cd
0.78)S:Ag,Cl蛍光体である。この蛍光体は赤色
発光の蛍光体であり、電気抵抗を小さくするためにIn
2 3 が添加されている。本実施例で用いる電子線励起
紫外線発光蛍光体は、ZnO蛍光体である。図8に示す
ように、従来の通常のZnO蛍光体は505nm付近に
ピークのある発光スペクトルを有しているが、本実施例
で用いられるZnO蛍光体は、前記実施例で説明したも
のと異なり、可視光線の強度は抑えられ、385nmに
顕著なピークがあって効率よく紫外線を放出することが
できる。ZnO蛍光体をこのような発光スペクトルとす
るには、前記実施例におけるZnO蛍光体の製造工程に
おいて、還元されたZnの量が少なくなるようにすれば
よい。
Therefore, next, the particles of the ZnO phosphor are sulfides.
Of a structure in which particles of a system phosphor are covered, and
An example of a display device using an optical body will be described. Book
The sulfide-based phosphor used in the examples is (Zn0.22, Cd
0.78) S: Ag, Cl phosphor. This phosphor is red
In order to reduce electric resistance, it is In
2O3Has been added. Electron beam excitation used in this example
The ultraviolet light emitting phosphor is a ZnO phosphor. Shown in FIG.
Thus, the conventional ordinary ZnO phosphor has a wavelength of around 505 nm.
Although it has an emission spectrum with a peak, this Example
The ZnO phosphor used in Example 1 is the same as that described in the above embodiment.
, The visible light intensity is suppressed to 385 nm.
It has a remarkable peak and can emit UV light efficiently.
it can. The ZnO phosphor has such an emission spectrum.
In the process of manufacturing the ZnO phosphor in the above embodiment,
If the amount of reduced Zn is reduced,
Good.

【0054】(Zn0.22,Cd0.78)S:Ag,Cl蛍
光体の平均粒径は5〜10μm、ZnO蛍光体の平均粒
径は0.1〜2μm(より好ましくは0.1〜1μm)
とする。両蛍光体と他の添加剤を加えてペーストとす
る。本実施例では、ZnO蛍光体の混合量を変えた複数
の試料を用意して実験を行った。例えば、0、30、5
0、80重量%のZnO蛍光体を加えた試料を作成して
実験を行った。
(Zn 0.22 , Cd 0.78 ) S: Ag, Cl phosphor has an average particle size of 5 to 10 μm, and ZnO phosphor has an average particle size of 0.1 to 2 μm (more preferably 0.1 to 1 μm).
And Both phosphors and other additives are added to form a paste. In this example, a plurality of samples with different amounts of ZnO phosphor mixed were prepared and tested. For example, 0, 30, 5
An experiment was conducted by preparing a sample to which a ZnO phosphor of 0.8 wt% was added.

【0055】図9に示すように、基板10の上に陽極導
体11と該陽極導体11を囲むクロス層12を形成す
る。この陽極導体11の上に前記ペーストを所定のパタ
ーンで印刷して被着した後、該基板10を焼成する。塗
布膜厚は10〜20μmである。この基板10を陽極基
板に用いて表示装置を構成する。
As shown in FIG. 9, the anode conductor 11 and the cross layer 12 surrounding the anode conductor 11 are formed on the substrate 10. The paste is printed and applied in a predetermined pattern on the anode conductor 11, and then the substrate 10 is fired. The coating film thickness is 10 to 20 μm. A display device is constructed by using the substrate 10 as an anode substrate.

【0056】上記のようにして得られた蛍光体13を微
視的にみると、図10に示すように(Zn0.22,Cd
0.78)S:Ag,Cl蛍光体20の粒子の表面に、Zn
O蛍光体21の粒子が被着した構造となっている。この
ような蛍光体13を表示部に有する表示装置を駆動し、
前記蛍光体13に電子を射突させれば、まず外側のZn
O蛍光体21が電子の射突を受けて紫外線22を放出す
る。紫外線22は内部の(Zn0.22,Cd0.78)S:A
g,Cl蛍光体20を励起し、該蛍光体20の粒子は赤
色の光23を放出する。
Microscopically looking at the phosphor 13 obtained as described above, as shown in FIG. 10, (Zn 0.22 , Cd
0.78 ) S: Ag, Cl
It has a structure in which particles of the O phosphor 21 are adhered. Driving a display device having such a phosphor 13 in the display section,
When the phosphor 13 is bombarded with electrons, Zn
The O phosphor 21 receives the electron bombardment and emits ultraviolet rays 22. Ultraviolet rays 22 are internally (Zn 0.22 , Cd 0.78 ) S: A
The g, Cl phosphor 20 is excited, and the particles of the phosphor 20 emit red light 23.

【0057】図11は、本実施例の蛍光体の発光スペク
トルを示す。比較例である0%混合(即ち(Zn0.22
Cd0.78)S:Ag,Cl蛍光体のみの場合)の場合
と、ZnO蛍光体を50%混合した場合及び80%混合
した場合とを比べると、色度値x,y及びピーク値はほ
とんど同じである。即ち、ZnO蛍光体を加えても、蛍
光体全体としての発光の色彩は(Zn0.22,Cd0.78
S:Ag,Cl蛍光体単独の場合に比べてほとんど変化
しない。これは、本実施例のZnO蛍光体が可視光線を
ほとんど出さず、紫外線である385nmにピークを有
しているからである。従って、本実施例のZnO蛍光体
で硫化物系蛍光体を覆った場合、その硫化物系蛍光体の
発光色に影響を与えることがない。
FIG. 11 shows the emission spectrum of the phosphor of this example. As a comparative example, 0% mixture (ie (Zn 0.22 ,
Cd 0.78 ) S: Ag, Cl phosphor alone) and the ZnO phosphor mixed with 50% and 80% were compared, the chromaticity values x, y and peak values were almost the same. Is. That is, even if the ZnO phosphor is added, the emission color of the phosphor as a whole is (Zn 0.22 , Cd 0.78 ).
There is almost no change as compared with the case of the S: Ag, Cl phosphor alone. This is because the ZnO phosphor of this example emits almost no visible light and has a peak at 385 nm which is ultraviolet light. Therefore, when the ZnO phosphor of the present example covers the sulfide-based phosphor, it does not affect the emission color of the sulfide-based phosphor.

【0058】図12は、前記ZnO蛍光体(図中ではU
V−ZnOと表示)の混合量と、表示装置において発光
させた場合の相対輝度との関係を示す。この実験結果か
ら、前記ZnO蛍光体の混合量が80%以下であれば、
相対輝度が0%の場合の50%以上になる。これは、
(Zn0.22,Cd0.78)S:Ag,Cl蛍光体粒子の表
面の全面をZnO蛍光体が隙間なく覆ったり、また(Z
0.22,Cd0.78)S:Ag,Cl蛍光体粒子の表面を
ZnO蛍光体が何層にも覆ったりすると、(Zn 0.22
Cd0.78)S:Ag,Cl蛍光体の発光が外部に出にく
くなるので輝度が低下するからであると考えられる。従
って、(Zn0.22,Cd0.78)S:Ag,Cl蛍光体の
表面に、ZnO蛍光体が覆っていない部分があり、(Z
0.22,Cd0.78)S:Ag,Cl蛍光体が一部露出し
ていると、この部分には表示装置の電子放出部からの電
子と、まわりのZnO蛍光体から来る紫外線の両方が当
たるので、蛍光体全体としてはより明るく発光する。ま
た、ZnO蛍光体の粒径が1μm以下ならば、(Zn
0.22,Cd0.78)S:Ag,Cl蛍光体の発光が外部か
らより明るく観察される。
FIG. 12 shows the ZnO phosphor (U in the figure).
V-ZnO) and the amount of light emitted from the display device.
The relationship between the relative brightness and the relative brightness is shown. This experiment result
If the amount of the ZnO phosphor mixed is 80% or less,
The relative brightness is 50% or more of 0%. this is,
(Zn0.22, Cd0.78) S: Ag, Cl Phosphor particle table
ZnO phosphor covers the entire surface without gaps, or (Z
n0.22, Cd0.78) S: Ag, Cl
If the ZnO phosphor covers several layers, (Zn 0.22,
Cd0.78) S: Ag, Cl phosphor emission does not go out
It is considered that this is because the brightness decreases and the brightness decreases. Obedience
(Zn0.22, Cd0.78) S: Ag, Cl phosphor
There is a portion of the surface not covered by the ZnO phosphor, and (Z
n0.22, Cd0.78) S: Ag, Cl phosphor is partially exposed
The electron emission section of the display device,
Both the child and the ultraviolet rays coming from the surrounding ZnO phosphor are
Since it is a barrel, the phosphor as a whole emits light brighter. Well
If the particle size of the ZnO phosphor is 1 μm or less, (Zn
0.22, Cd0.78) Is S: Ag, Cl phosphor emission external?
It is observed brighter.

【0059】図13は、本実施例の蛍光体を用いた表示
装置の寿命試験の結果を示す。本実施例の蛍光体は、硫
化物系蛍光体である(Zn0.22,Cd0.78)S:Ag,
Cl蛍光体の粒子の表面の少なくとも一部をZnO蛍光
体で覆っているので、電子の射突によって硫化物系蛍光
体が分解するおそれは単体で硫化物系蛍光体を使用する
場合に比べて少ない。図13に示すように、ZnO蛍光
体を混合しない場合(0%混合)には点灯時間(ライフ
時間)200時間経過後にアノード電流残存率が急激に
減少している。これは、電子の射突によって硫化物系蛍
光体が分解し、分解物が表示装置の電子放出部を汚染し
てその電子放出能力を低下させるためである。しかしな
がら、ZnO蛍光体を混合した場合(30、50、80
%混合)には、硫化物系蛍光体に電子が直接射突する確
率が低くなるので、表示装置の電子放出部の電子放出能
力が低下せず、アノード電流残存率が安定して長いライ
フ時間が得られる。
FIG. 13 shows the result of the life test of the display device using the phosphor of this example. The phosphor of this example is a sulfide-based phosphor (Zn 0.22 , Cd 0.78 ) S: Ag,
Since at least a part of the surface of the Cl phosphor particles is covered with the ZnO phosphor, the risk that the sulfide-based phosphor will be decomposed by the electron bombardment is higher than that when the sulfide-based phosphor is used alone. Few. As shown in FIG. 13, when the ZnO phosphor was not mixed (0% mixture), the anode current residual rate sharply decreased after 200 hours of lighting time (life time). This is because the sulfide-based phosphor is decomposed by the bombardment of electrons, and the decomposed product contaminates the electron emission portion of the display device to reduce its electron emission ability. However, when a ZnO phosphor is mixed (30, 50, 80
%), The probability of electrons directly hitting the sulfide-based phosphor decreases, so the electron emission capability of the electron emission part of the display device does not decrease, and the anode current remaining rate is stable and the life time is long. Is obtained.

【0060】以上の実験結果から、ZnO蛍光体の混合
量が多いと、蛍光体全体としての輝度が低下する傾向が
あるが寿命特性は良くなる。またZnO蛍光体の混合量
が少ないと、蛍光体全体としての輝度は高くなる傾向が
あるが寿命特性はやや劣る。ZnO蛍光体の添加量が3
0%以下だと硫化物系蛍光体の分解が激しく表示装置の
電子放出部のエミッションが低下する。ZnO蛍光体の
添加量が80%以上だと硫化物系蛍光体から出て観察者
に到達する光が少なくなり、相対輝度はZnO蛍光体を
添加しない場合の50%以下になる。以上の傾向を勘案
すると、ZnO蛍光体は30〜80重量%の範囲で添加
することができ、さらに50〜80重量%の範囲が好ま
しい使用範囲となる。
From the above experimental results, when the amount of ZnO phosphor mixed is large, the brightness of the phosphor as a whole tends to decrease, but the life characteristics are improved. When the amount of the ZnO phosphor mixed is small, the brightness of the phosphor as a whole tends to be high, but the life characteristics are slightly inferior. Addition amount of ZnO phosphor is 3
If it is 0% or less, the decomposition of the sulfide-based phosphor is severe and the emission of the electron emission part of the display device is reduced. When the addition amount of the ZnO phosphor is 80% or more, less light is emitted from the sulfide-based phosphor and reaches the observer, and the relative brightness is 50% or less of that when the ZnO phosphor is not added. Considering the above tendency, the ZnO phosphor can be added in the range of 30 to 80% by weight, and the range of 50 to 80% by weight is the preferred range of use.

【0061】以上説明した実施例では、硫化物系蛍光体
として(Zn0.22,Cd0.78)S:Ag,Cl蛍光体を
挙げたが、これは例示にすぎない。前記ZnO蛍光体と
組み合わせて前述のような効果が得られる硫化物系蛍光
体としては、(Zn1-x Cd x )S:M,N(但しx=
0〜0.8、M=Ag,Cu又はAu、N=Cl,I,
P,Al又はIn)、CaS:Eu、CaS:Ce、C
aS:Cu,Na、Ln2 2 S:Re(但しLnは、
Y,Gd,Laから選ばれた1種、Re=Eu又はT
b)等の蛍光体を挙げることができる。
In the embodiment described above, the sulfide type phosphor is used.
As (Zn0.22, Cd0.78) S: Ag, Cl phosphor
Although listed, this is merely an example. With the ZnO phosphor
Sulfide-based fluorescence that can be combined to obtain the effects described above
As the body, (Zn1-xCd x) S: M, N (however, x =
0-0.8, M = Ag, Cu or Au, N = Cl, I,
P, Al or In), CaS: Eu, CaS: Ce, C
aS: Cu, Na, Ln2O2S: Re (however, Ln is
One kind selected from Y, Gd and La, Re = Eu or T
Examples thereof include phosphors such as b).

【0062】[0062]

【発明の効果】本発明によれば、400nmよりも波長
の短い紫外線を発する電子線励起紫外線発光蛍光体によ
って硫化物系の蛍光体を覆ったので、例えば1kV以下
といった比較的低い電圧で加速された電子の射突によっ
て、赤青緑のいずれの発光色の硫化物系蛍光体でも効率
よく高輝度で発光させることができる。また、硫化物系
蛍光体は電子線励起紫外線発光蛍光体に被覆され、電子
の直接の射突による硫化物系蛍光体の分解飛散が防止で
きるので、表示装置の電子源を汚染するおそれがなく、
表示装置としての信頼性及び寿命が向上する。このため
高電圧駆動のカラーグラフィック表示管や電界放出素子
等に硫化物系蛍光体を使用することができるようになっ
た。
According to the present invention, the sulfide-based phosphor is covered with the electron-beam-excited UV-emitting phosphor that emits UV light having a wavelength shorter than 400 nm, so that it can be accelerated at a relatively low voltage of, for example, 1 kV or less. With the electron bombardment, sulfide-based phosphors of any emission color of red, blue, and green can be efficiently emitted with high brightness. Further, since the sulfide-based phosphor is covered with the electron-beam-excited ultraviolet light-emitting phosphor, decomposition and scattering of the sulfide-based phosphor due to direct bombardment of electrons can be prevented, so that there is no risk of contaminating the electron source of the display device. ,
The reliability and life of the display device are improved. For this reason, it has become possible to use sulfide-based phosphors in high-voltage driven color graphic display tubes, field emission devices, and the like.

【0063】また、硫化物系蛍光体の内、特に(Zn,
Cd)S系の蛍光体の場合には、電子線励起紫外線発光
蛍光体を混合して使用するので硫化物系蛍光体中に含ま
れるCdの量を減らすことができる。
Among the sulfide-based phosphors, especially (Zn,
In the case of the Cd) S-based phosphor, an electron beam-excited ultraviolet light-emitting phosphor is mixed and used, so that the amount of Cd contained in the sulfide-based phosphor can be reduced.

【0064】また、硫化物系蛍光体の内、特にY
2 2 :S、CaTiO3 :Pr等は、従来電子線によ
って輝度劣化が早い起こるとされていたが、本発明では
紫外線で発光させるのでこれら蛍光体の輝度劣化を防止
し長寿命化が可能となった。
Among the sulfide type phosphors, especially Y
2 O 2 : S, CaTiO 3 : Pr, etc. were conventionally said to have a rapid deterioration in brightness due to the electron beam, but in the present invention, since they are made to emit light by ultraviolet rays, the deterioration in brightness of these phosphors can be prevented and a long life can be achieved. Became.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の一実施例において用いられる各蛍光体
の発光スペクトルを示す図である。
FIG. 1 is a diagram showing an emission spectrum of each phosphor used in an example of the present invention.

【図2】本発明の一実施例における陽極基板の断面図で
ある。
FIG. 2 is a sectional view of an anode substrate according to an embodiment of the present invention.

【図3】ZnS:Ag蛍光体をZnO蛍光体で被覆した
本発明の一実施例において、波長385nmをピークと
する紫外線成分及び波長505nmをピークとする可視
光線成分の強度比と、蛍光体層全体の相対輝度との関係
を示したグラフである。
FIG. 3 is a diagram showing an embodiment of the present invention in which a ZnS: Ag phosphor is coated with a ZnO phosphor. 6 is a graph showing the relationship with the overall relative luminance.

【図4】ZnS:Cu,Al蛍光体をZnO蛍光体で被
覆した本発明の一実施例において、波長385nmをピ
ークとする紫外線成分及び波長505nmをピークとす
る可視光線成分の強度比と、蛍光体層全体の相対輝度と
の関係を示したグラフである。
FIG. 4 is a graph showing an intensity ratio of an ultraviolet ray component having a peak wavelength of 385 nm and a visible light ray component having a peak wavelength of 505 nm in an embodiment of the present invention in which a ZnS: Cu, Al phosphor is coated with a ZnO phosphor; It is a graph which showed the relation with the relative brightness of the whole body layer.

【図5】Zn0.2 Cd0.8 S:Ag蛍光体をZnO蛍光
体で被覆した本発明の一実施例において、波長385n
mをピークとする紫外線成分及び波長505nmをピー
クとする可視光線成分の強度比と、蛍光体層全体の相対
輝度との関係を示したグラフである。
FIG. 5 shows a wavelength of 385n in an embodiment of the present invention in which a Zn 0.2 Cd 0.8 S: Ag phosphor is coated with a ZnO phosphor.
6 is a graph showing a relationship between an intensity ratio of an ultraviolet ray component having a peak of m and a visible light ray component having a wavelength of 505 nm and a relative luminance of the entire phosphor layer.

【図6】本発明の一実施例と比較例の温度消光特性を比
較して示すグラフである。
FIG. 6 is a graph showing a comparison between temperature extinction characteristics of an example of the present invention and a comparative example.

【図7】(a)は比較例の寿命試験におけるアノード電
流の残存率と連続点灯時間との関係を示すグラフ、
(b)は本発明の一実施例の寿命試験におけるアノード
電流の残存率と連続点灯時間との関係を示すグラフであ
る。
FIG. 7A is a graph showing the relationship between the remaining rate of the anode current and the continuous lighting time in a life test of a comparative example,
(B) is a graph showing the relationship between the remaining rate of the anode current and the continuous lighting time in the life test of one example of the present invention.

【図8】従来のZnO蛍光体と、他の実施例における紫
外線を出すZnO蛍光体のスペクトルを示す図である。
FIG. 8 is a diagram showing spectra of a conventional ZnO phosphor and a ZnO phosphor emitting ultraviolet light in another example.

【図9】他の実施例の表示装置の陽極基板の断面図であ
る。
FIG. 9 is a cross-sectional view of an anode substrate of a display device of another embodiment.

【図10】他の実施例の蛍光体粒子の拡大図である。FIG. 10 is an enlarged view of phosphor particles of another example.

【図11】他の実施例における蛍光体(ZnO蛍光体含
有量50%、80%)と比較例である硫化物系蛍光体
(ZnO蛍光体含有量0%)の発光スペクトルを示す図
である。
FIG. 11 is a diagram showing emission spectra of a phosphor in another example (ZnO phosphor content of 50% and 80%) and a sulfide-based phosphor (ZnO phosphor content of 0%) which is a comparative example. .

【図12】他の実施例の蛍光体におけるZnO蛍光体の
含有量と相対輝度の関係を示す図である。
FIG. 12 is a diagram showing the relationship between the content of ZnO phosphor and the relative luminance in the phosphors of other examples.

【図13】他の実施例の蛍光体(ZnO蛍光体含有量3
0%、50%、80%)を用いた表示装置と、比較例で
ある硫化物系蛍光体(ZnO蛍光体含有量0%)を用い
た表示装置の寿命試験の結果を示す図である。
FIG. 13 shows a phosphor of another example (ZnO phosphor content 3
It is a figure which shows the result of the life test of the display apparatus using 0%, 50%, 80%) and the display apparatus which used the sulfide type fluorescent substance (ZnO fluorescent substance content 0%) which is a comparative example.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

2 透光性電極である陽極導体としてのITO電極 3 硫化物系蛍光体 4 電子線励起紫外線発光蛍光体としてのZnO蛍光体 13 蛍光体 20 硫化物系蛍光体としての(Zn0.22,Cd0.78
S:Ag,Cl蛍光体 21 電子線励起紫外線発光蛍光体としてのZnO蛍光
2 ITO electrode as an anode conductor which is a translucent electrode 3 Sulfide-based phosphor 4 ZnO phosphor as an electron-beam-excited ultraviolet light-emitting phosphor 13 Phosphor 20 As a sulfide-based phosphor (Zn 0.22 , Cd 0.78 )
S: Ag, Cl phosphor 21 ZnO phosphor as an electron beam excited ultraviolet light emitting phosphor

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H01J 29/20 29/89 31/12 B 31/15 E ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (51) Int.Cl. 6 Identification code Internal reference number FI Technical indication H01J 29/20 29/89 31/12 B 31/15 E

Claims (19)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 低速電子線による励起によって400n
mよりも波長の短い紫外線を含む光を発する電子線励起
紫外線発光蛍光体によって硫化物系蛍光体を被覆してな
る蛍光体。
1. An excitation of 400 n by a slow electron beam
A phosphor obtained by coating a sulfide-based phosphor with an electron beam-excited ultraviolet light-emitting phosphor that emits light containing ultraviolet light having a wavelength shorter than m.
【請求項2】 前記電子線励起紫外線発光蛍光体の粒子
が前記硫化物系蛍光体の粒子を被覆していることを特徴
とする請求項1記載の蛍光体。
2. The phosphor according to claim 1, wherein the particles of the electron beam excited ultraviolet light emitting phosphor coat the particles of the sulfide-based phosphor.
【請求項3】 前記電子線励起紫外線発光蛍光体の層が
前記硫化物系蛍光体の層を被覆していることを特徴とす
る請求項1記載の蛍光体。
3. The phosphor according to claim 1, wherein the layer of the electron beam excited ultraviolet light emitting phosphor covers the layer of the sulfide-based phosphor.
【請求項4】 前記電子線励起紫外線発光蛍光体がZn
Oであることを特徴とする請求項1記載の蛍光体。
4. The electron beam excited ultraviolet light emitting phosphor is Zn.
It is O, The fluorescent substance of Claim 1 characterized by the above-mentioned.
【請求項5】 前記電子線励起紫外線発光蛍光体の混合
割合が全体の30〜80重量%であることを特徴とする
請求項1記載の蛍光体。
5. The phosphor according to claim 1, wherein the mixing ratio of the electron beam excited ultraviolet light emitting phosphor is 30 to 80% by weight of the whole.
【請求項6】 前記硫化物系蛍光体が(Zn1-x
x )S:M,N(但しx=0〜0.8、M=Ag,C
u又はAu、N=Cl,I,P,Al又はIn)で表さ
れる蛍光体であることを特徴とする請求項1記載の蛍光
体。
6. The sulfide-based phosphor is (Zn 1-x C
d x ) S: M, N (where x = 0 to 0.8, M = Ag, C
The phosphor according to claim 1, which is a phosphor represented by u or Au, N = Cl, I, P, Al or In).
【請求項7】 前記硫化物系蛍光体がCaS:Eu、C
aS:Ce、CaS:Cu,Na、Ln2 2 S:Re
(但しLnは、Y,Gd,Laから選ばれた1種、Re
=Eu又はTb)の各蛍光体の中から選ばれた蛍光体で
あることを特徴とする請求項1記載の蛍光体。
7. The sulfide-based phosphor is CaS: Eu, C
aS: Ce, CaS: Cu, Na, Ln 2 O 2 S: Re
(However, Ln is one kind selected from Y, Gd, and La, Re
= Eu or Tb), the phosphor selected from the phosphors according to claim 1.
【請求項8】 電子源から放出される電子を陽極導体上
に設けられた蛍光体層に射突させる表示装置において、
前記蛍光体層を構成する蛍光体が、低速電子線による励
起によって400nmよりも波長の短い紫外線を含む光
を発する電子線励起紫外線発光蛍光体によって硫化物系
蛍光体を被覆してなる蛍光体であることを特徴とする表
示装置。
8. A display device in which electrons emitted from an electron source are projected onto a phosphor layer provided on an anode conductor,
The phosphor constituting the phosphor layer is a phosphor obtained by coating a sulfide-based phosphor with an electron beam-excited ultraviolet light-emitting phosphor that emits light containing ultraviolet rays having a wavelength shorter than 400 nm when excited by a low-speed electron beam. A display device characterized by being.
【請求項9】 前記電子線励起紫外線発光蛍光体の粒子
が前記硫化物系蛍光体の粒子を被覆していることを特徴
とする請求項8記載の表示装置。
9. The display device according to claim 8, wherein the particles of the electron beam excited ultraviolet light emitting phosphor cover the particles of the sulfide-based phosphor.
【請求項10】 前記硫化物系蛍光体が前記陽極導体上
に層状に設けられ、前記電子線励起紫外線発光蛍光体が
前記硫化物系蛍光体の表面に被着されたことを特徴とす
る請求項8記載の表示装置。
10. The sulfide-based phosphor is provided in layers on the anode conductor, and the electron-beam-excited ultraviolet light-emitting phosphor is deposited on the surface of the sulfide-based phosphor. Item 8. A display device according to item 8.
【請求項11】 前記電子線励起紫外線発光蛍光体が紫
外線および可視光を発光することを特徴とする請求項8
記載の表示装置。
11. The electron-beam-excited ultraviolet-emitting phosphor emits ultraviolet light and visible light.
Display device described.
【請求項12】 前記電子線励起紫外線発光蛍光体がZ
nOであることを特徴とする請求項8又は11記載の表
示装置。
12. The electron beam excited ultraviolet light emitting phosphor is Z.
It is nO, The display apparatus of Claim 8 or 11 characterized by the above-mentioned.
【請求項13】 前記硫化物系蛍光体が(Zn1-x Cd
x )S:M,N(但しx=0〜0.8、M=Ag,Cu
又はAu、N=Cl,I,P,Al又はIn)で表され
る蛍光体であることを特徴とする請求項8記載の表示装
置。
13. The sulfide-based phosphor is (Zn 1-x Cd
x ) S: M, N (where x = 0 to 0.8, M = Ag, Cu
9. The display device according to claim 8, which is a phosphor represented by Au, N = Cl, I, P, Al or In).
【請求項14】 前記硫化物系蛍光体がCaS:Eu、
CaS:Ce、CaS:Cu,Na、Ln2 2 S:R
e(但しLnは、Y,Gd,Laから選ばれた1種、R
e=Eu又はTb)の各蛍光体の中から選ばれた蛍光体
であることを特徴とする請求項8記載の表示装置。
14. The sulfide-based phosphor is CaS: Eu,
CaS: Ce, CaS: Cu, Na, Ln 2 O 2 S: R
e (however, Ln is one kind selected from Y, Gd and La, R
9. The display device according to claim 8, wherein the display device is a phosphor selected from phosphors of e = Eu or Tb).
【請求項15】 前記陽極導体が透光性電極であること
を特徴とする請求項8記載の表示装置。
15. The display device according to claim 8, wherein the anode conductor is a translucent electrode.
【請求項16】 前記電子線励起紫外線発光蛍光体が発
生する紫外線と可視光の強度比が、紫外線成分/可視光
成分=100/0〜10/90であることを特徴とする
請求項8記載の表示装置。
16. The intensity ratio of ultraviolet light and visible light generated by the electron beam excited ultraviolet light emitting phosphor is ultraviolet light component / visible light component = 100/0 to 10/90. Display device.
【請求項17】 前記電子源が電界放出形陰極であるこ
とを特徴とする請求項8記載の表示装置。
17. The display device according to claim 8, wherein the electron source is a field emission type cathode.
【請求項18】 前記電子源が線状の熱電子放出形陰極
であることを特徴とする請求項8記載の表示装置。
18. The display device according to claim 8, wherein the electron source is a linear thermionic emission type cathode.
【請求項19】 前記蛍光体層の発光をカラーフィルタ
を通して表示させることを特徴とする請求項8記載の表
示装置。
19. The display device according to claim 8, wherein the light emission of the phosphor layer is displayed through a color filter.
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