JPH0812353B2 - Liquid crystal display manufacturing method - Google Patents
Liquid crystal display manufacturing methodInfo
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Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ この発明は液晶表示装置の製造方法に関するものでと
りわけ、TFT（薄膜トランジスタ）用いたマトリックス
タイプの液晶表示装置の製造方法に関するものである。The present invention relates to a method for manufacturing a liquid crystal display device, and more particularly to a method for manufacturing a matrix type liquid crystal display device using a TFT (thin film transistor).
［従来の技術］ 従来のTFTを用いた液晶表示装置の例を第４、５、６
図により説明する。二枚の対向して設けた透明基板１、
２の間に液晶３が封入され、TFTは透明基板１の上に形
成されている。TFTはゲート電極４、ゲート絶縁膜５、
半導体層６、ITOなどの透明材よりなるソース電極７お
よびドレイン電極８を含む。上記ゲート電極４は横方向
に連続して形成されゲートライン4Aをなし、ソース電極
７は縦方向に連続して形成されソースライン7Aをなして
いる（第５図）。ドレイン電極８は透明画素電極９に接
続されている。このドレイン電極８と画素電極９とは一
体に形成してもよい。10は半導体層の保護膜で、さらに
その上に光遮蔽膜11、配向膜12が順次形成されている。
対向する透明基板２には透明電極13が形成され、その上
にカラーフィルタ層14が設けられ、赤Ｒ、緑Ｇ、青Ｂの
三色が交互に配置されている。これらカラーフィルタ
Ｒ、Ｇ、Ｂは上記画素電極９に対向する位置に形成され
ている。光を制御できるのは画素電極の部分だけであ
り、それ以外の部分は光を制御できず、とくにソース電
極７は直接液晶の駆動電極ではないのでドレイン電極８
による液晶の、ON、OFFとは関係なく動作してしまい、
光の洩れによりコントラストの低下、黒色の不鮮明さ、
隣接する画素との混色などの悪影響がある。そこでカラ
ーフィルタ層14の画素電極９に対向するＲ、Ｇ、Ｂ部分
以外の部分に、第６図示のようにブラックストライプ15
が形成されている。これはカラーフィルタ層14を黒色に
染めたものにより格子状に形成されている。その他のブ
ラックストライプの形成方法としては、光遮蔽金属膜に
て形成してもよい。そして最表部に配向膜16が形成され
ている。[Prior Art] Examples of a liquid crystal display device using a conventional TFT are described in Examples 4, 5, and 6.
It will be described with reference to the drawings. Two transparent substrates 1 facing each other,
A liquid crystal 3 is sealed between the two and the TFT is formed on the transparent substrate 1. The TFT has a gate electrode 4, a gate insulating film 5,
The semiconductor layer 6 includes a source electrode 7 and a drain electrode 8 made of a transparent material such as ITO. The gate electrode 4 is continuously formed in the horizontal direction to form a gate line 4A, and the source electrode 7 is continuously formed in the vertical direction to form a source line 7A (FIG. 5). The drain electrode 8 is connected to the transparent pixel electrode 9. The drain electrode 8 and the pixel electrode 9 may be integrally formed. Reference numeral 10 denotes a semiconductor layer protective film, on which a light shielding film 11 and an alignment film 12 are sequentially formed.
A transparent electrode 13 is formed on the opposing transparent substrate 2, a color filter layer 14 is provided thereon, and three colors of red R, green G, and blue B are alternately arranged. These color filters R, G, B are formed at positions facing the pixel electrode 9. The light can be controlled only in the pixel electrode portion, and the light cannot be controlled in the other portions. Particularly, since the source electrode 7 is not a direct liquid crystal driving electrode, the drain electrode 8
The liquid crystal will operate regardless of whether it is ON or OFF.
Decrease in contrast due to light leakage, black blur,
There is an adverse effect such as color mixing with adjacent pixels. Therefore, as shown in FIG. 6, black stripes 15 are formed on portions of the color filter layer 14 other than the R, G, and B portions facing the pixel electrodes 9.
Are formed. This is formed in a lattice shape by dyeing the color filter layer 14 in black. As another method for forming the black stripe, a light shielding metal film may be used. The alignment film 16 is formed on the outermost surface.
［発明が解決しようとする問題点］ 上記従来例においてブラックストライプ15はTFTとは
反対側の基板２に設けられているので、両透明基板１、
２の合わせ精度や、光の回り込みを考慮して、ブラック
ストライプ15の幅は画素電極９間の間隔よりも広めに設
計する必要があり、ブラックストライプの幅を広くする
と有効画素の面積割合が低下し、光の利用効率が低下す
るという欠点があった。また、ブラックストライプを形
成するための工程が必要となるため、その分製造工程が
増加するという欠点もあった。[Problems to be Solved by the Invention] In the above-mentioned conventional example, since the black stripe 15 is provided on the substrate 2 on the side opposite to the TFT, the both transparent substrates 1,
It is necessary to design the width of the black stripes 15 to be wider than the space between the pixel electrodes 9 in consideration of the alignment accuracy of 2 and the wraparound of light. If the width of the black stripes is widened, the area ratio of effective pixels decreases. However, there is a drawback that the utilization efficiency of light is reduced. Further, there is a drawback that the manufacturing process is increased by that amount because a process for forming the black stripe is required.
本発明の目的は、光の利用効率の低下を防止すること
が可能で、しかも製造工程の低減が可能な液晶表示装置
の製造方法を得ることがである。An object of the present invention is to obtain a method for manufacturing a liquid crystal display device, which can prevent a decrease in light utilization efficiency and can reduce manufacturing steps.
［問題点を解決するための手段］ 本発明における液晶表示装置の製造方法は、ゲートラ
インを光に遮蔽する導電材料にて形成し、ソースライン
に沿ってかつソースラインと離間して上記導電材料にて
光遮蔽膜を形成し、ゲートラインおよび光遮蔽膜を同一
工程で形成したことを特徴とする。[Means for Solving Problems] In the method for manufacturing a liquid crystal display device according to the present invention, the conductive material is used to form the gate line with a light-shielding material, and the conductive material is provided along the source line and apart from the source line. The light shielding film is formed by, and the gate line and the light shielding film are formed in the same step.
［実施例］ この発明の実施例の液晶表示装置のTFTを設けた部分
における断面図、第２図が従来例について示した第４図
と異る点は、従来例におけるブラックストライプ15が設
けられていないことである。またこの実施例ではゲート
電極４はメモリブデン、クロム、アルミニゥムなどの光
を遮蔽する金属で形成する。その他の構成は第４図と同
様であり、同じ符号を付した個所は同じものを示す。こ
の発明の特徴は第１図においてよく表される。すなわ
ち、ゲートライン4Aと連続してゲートラインと同じ金属
材料にて光遮蔽膜4Bが形成されている。光遮蔽膜4Bはソ
ースライン7A方向にソースラインよりもやや幅広に形成
され、隣接するTFT、図面では下側のTFTの手前まで伸び
ている。したがって画素電極９は光遮蔽作用をするゲー
トライン4Aおよび光遮蔽膜4Bでほぼ囲まれる構成とな
る。もちろんこの光遮蔽膜4Bの形成はゲートライン４と
一緒にパターン形成することができる。マスク合せの精
度は２μｍ程度であり、２枚の基板１、２の合せ精度10
μｍ程度に比べてはるかに小さいので、精度よく形成す
ることができる。[Embodiment] A cross-sectional view of a portion provided with a TFT of a liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is different from FIG. 4 showing a conventional example in that a black stripe 15 in the conventional example is provided. Is not. In addition, in this embodiment, the gate electrode 4 is formed of a metal that blocks light, such as memolybdenum, chromium, or aluminum. The other configurations are the same as those in FIG. 4, and the parts denoted by the same reference numerals indicate the same parts. The features of the present invention are well represented in FIG. That is, the light shielding film 4B is formed continuously from the gate line 4A with the same metal material as that of the gate line. The light shielding film 4B is formed to be slightly wider than the source line in the direction of the source line 7A and extends to the adjacent TFT, that is, in front of the lower TFT in the drawing. Therefore, the pixel electrode 9 is substantially surrounded by the gate line 4A and the light shielding film 4B which have a light shielding function. Of course, the formation of the light shielding film 4B can be patterned together with the gate line 4. The mask alignment accuracy is about 2 μm, and the alignment accuracy of the two substrates 1 and 2 is 10
Since it is much smaller than about μm, it can be formed with high accuracy.
第３図は光遮蔽膜4Cがゲートライン４から切り離して
形成された例で、この場合でもゲートライン4Aと光遮蔽
膜4Cとは一緒にパターン形成できることはいうまでもな
い。FIG. 3 shows an example in which the light shielding film 4C is formed separately from the gate line 4, and it goes without saying that the gate line 4A and the light shielding film 4C can also be patterned together in this case.
上記実施例においてはカラーフイルタ層14にブラック
ストライプを設けていないが、光遮蔽効果を高めるため
にブラックストライプを設けておいて、光遮蔽膜とブラ
ックストライプの両方で光の洩れを防止するようにして
もよい。In the above embodiment, the color filter layer 14 is not provided with a black stripe, but a black stripe is provided in order to enhance the light shielding effect, so that light leakage is prevented by both the light shielding film and the black stripe. May be.
また上記実施例においてはカラー液晶表示装置につい
て述べたが、白黒表示の液晶表示装置において、とりわ
け透過型の表示装置の場合にはソースラインの部分など
からの光の洩れによるコントラストの低下を防ぐため
に、光遮蔽性のゲート電極材料にてソースライン沿いに
光遮蔽膜を形成することができる。Further, although the color liquid crystal display device is described in the above embodiment, in the case of a black and white liquid crystal display device, especially in the case of a transmissive display device, in order to prevent a decrease in contrast due to leakage of light from a source line portion or the like The light shielding film can be formed along the source line with the light shielding gate electrode material.
このように、光遮蔽膜をゲートラインを構成する材料
で、ゲートラインとともにパターン形成することができ
るので製造プロセスが増えることなく、またTFTを設け
る側の基板に光遮蔽膜を形成するので画素電極に対して
精度よく形成することができるので、光の洩れの少ない
コントラストのよい表示装置を得ることができる。In this way, the light shielding film can be patterned together with the gate line by using the material forming the gate line, so that the manufacturing process does not increase and the light shielding film is formed on the substrate on which the TFT is provided. Since it can be formed with high precision, it is possible to obtain a display device with little contrast and good contrast.
［発明の効果］ 本発明では、光の利用効率の低下を防止することが可
能で、しかも製造工程の低減が可能な液晶表示装置の製
造方法を得ることができる。また、光遮蔽膜をソースラ
インに沿ってかつソースラインと離間して形成するた
め、光遮蔽膜をゲートラインと連続的に形成することが
でき、より効果的に光を遮蔽することが可能となる。[Effects of the Invention] According to the present invention, it is possible to obtain a method for manufacturing a liquid crystal display device that can prevent a decrease in light utilization efficiency and can reduce the number of manufacturing steps. Further, since the light shielding film is formed along the source line and apart from the source line, the light shielding film can be formed continuously with the gate line, and the light can be shielded more effectively. Become.
第１、２、３図はこの発明の実施例を示し、第１図は１
実施例のゲートラインおよび光遮蔽膜のパターン説明
図、第２図は第１図の実施例のTFTを設けた部分の断面
図、第３図は他の実施例におけるゲートラインおよび光
遮蔽膜のパターン説明図であり、第４、５、６図は従来
例を示し、４図は従来例におけるTFTを設けた部分の断
面図、第５図はゲートライン、ソースライン、ドレイン
電極および画素電極のパターン説明図、第６図はブラッ
クストライプのパターン説明図である。 １……基板 ２……基板 ３……液晶 ４……ゲート電極 4A……ゲートライン 4B……光遮蔽膜 4C……光遮蔽膜 ７……ソース電極 7A……ソースライン ８……ドレイン電極 TFT……薄膜トランジスタ ９……画素電極FIGS. 1, 2, and 3 show an embodiment of the present invention, and FIG.
FIG. 2 is a cross-sectional view of a portion provided with the TFT of the embodiment of FIG. 1, and FIG. 3 is a cross-sectional view of a gate line and a light shielding film of another embodiment. FIG. 4 is a pattern explanatory view, FIGS. 4, 5 and 6 show a conventional example, FIG. 4 is a cross-sectional view of a portion provided with a TFT in the conventional example, and FIG. FIG. 6 is a pattern explanatory diagram, and FIG. 6 is a pattern explanatory diagram of a black stripe. 1 ... Substrate 2 ... Substrate 3 ... Liquid crystal 4 ... Gate electrode 4A ... Gate line 4B ... Light shielding film 4C ... Light shielding film 7 ... Source electrode 7A ... Source line 8 ... Drain electrode TFT ...... Thin film transistor 9 …… Pixel electrode
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 金沢 由理 栃木県那須郡塩原町大字下田野531−１ 日本プレシジョン・サーキッツ株式会社内 (56)参考文献 特開 昭59−5228（ＪＰ，Ａ) 特開 昭56−69683（ＪＰ，Ａ) ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Yuri Kanazawa 531-1 Shimodano, Shiobara-cho, Nasu-gun, Tochigi Prefecture Within Japan Precision Circuits Co., Ltd. (56) Reference JP-A-59-5228 (JP, A) Special Kaisho 56-69683 (JP, A)
Claims (1)
記複数の薄膜トランジスタの各ドレイン電極に接続され
た複数の画素電極、上記複数の薄膜トランジスタのゲー
ト電極どうしを接続するゲートラインおよび上記複数の
薄膜トランジスタのソース電極どうしを接続するソース
ラインを設け、上記一方の基板と上記一方の基板に対向
する他方の基板との間に液晶を封入してなるマトリック
スタイプの液晶表示装置の製造方法において、 上記ゲートラインを光を遮蔽する導電材料にて形成し、
上記一方の基板に上記ソースラインに沿ってかつ上記ソ
ースラインと離間して上記導電材料にて光遮蔽膜を形成
し、上記ゲートラインおよび上記光遮蔽膜を同一工程で
形成した液晶表示装置の製造方法。1. A plurality of thin film transistors on one substrate, a plurality of pixel electrodes connected to drain electrodes of the plurality of thin film transistors, a gate line connecting gate electrodes of the plurality of thin film transistors, and sources of the plurality of thin film transistors. In a method for manufacturing a matrix type liquid crystal display device, in which a source line connecting electrodes is provided, and liquid crystal is sealed between the one substrate and the other substrate facing the one substrate, the gate line is Made of a conductive material that blocks light,
A liquid crystal display device in which a light shielding film is formed on the one substrate along the source line and apart from the source line with the conductive material, and the gate line and the light shielding film are formed in the same step. Method.
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