JPH08114818A - 薄膜トランジスタ型液晶表示装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 所定の視角方向で対称性のある広い高コント
ラスト比視認範囲を有し、所定の視角，電圧における階
調反転現象をなくし、広視野角，高品位な液晶画像表示
を得る。 【構成】 薄膜トランジスタ型液晶表示装置の画素部の
有効表示領域において画素電極基板(ＴＦＴ基板)(1)も
しくは対向電極基板(2)のガラス基板７Ａ，７Ｂの少な
くとも一方が異なる高さを有する画素電極１もしくは対
向電極17が形成され、画素の所定領域内に電気光学特性
の異なる液晶ドメインを発生させるようにした。このよ
うにすると、液晶表示装置の全体の表示画像は画素内に
発生する異種の液晶ドメインの視角−透過率曲線の平均
を表すことになるので、上下，左右の視角方向で対称性
のある広い高コントラスト比視認範囲を得、所定の視
角，電圧における階調反転現象が現れなくなる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、薄膜トランジスタ(以
下、ＴＦＴという)を用いた薄膜トランジスタ型液晶表
示装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】図９は従来の薄膜トランジスタ型液晶表
示装置におけるＴＦＴのチャネル部の一部断面図を示
す。図９において、ＴＦＴ基板(1)では、ガラス基板７
Ａ上に画素電極１、第１絶縁膜８、ゲート電極２，５
(ＴＦＴ部，前段ゲート部)の順に形成され、さらにその
上にゲート酸化膜９、半導体層10、オーミックコンタク
ト層12が順次形成される。そして、その上にドレイン電
極４，６(ＴＦＴ部，前段ゲート部)、ソース電極３が形
成され、その上に第２絶縁膜11が形成されている。

【０００３】図10は従来の薄膜トランジスタ型液晶表示
装置の一部断面図を示す。図10において、ＴＦＴ基板
(1)と液晶20を挟んで相対する対向電極基板(2)は、ガラ
ス基板７Ｂ上(図面上では下方)にブラックマトリクス層
14，カラーフィルタ層15が形成され、その上に保護膜16
が形成されている。そして、その上に対向電極17が形成
されており、ＴＦＴ基板(1)および対向電極基板(2)の両
方に配向膜18Ａ，18Ｂが形成され、両電極基板の配向膜
18Ａ，18Ｂ間でセル厚ｄが保たれ、そこに液晶20が注入
される。また、ＴＦＴ基板(1)と対向電極基板(2)の外面
には偏光板19Ａ，19Ｂが設けられている。ＴＦＴ基板
(1)の構成については、前記図９と同様である。

【０００４】図11は従来の薄膜トランジスタ型液晶表示
装置のＴＦＴ基板(1)と対向電極基板(2)との間に挟持さ
れる液晶分子の配向規制状態図である。図10に示すＴＦ
Ｔ基板(1)の配向膜18Ａは、トランジスタ配線または画
素電極１に対し、45度傾斜した方向23a，24a，25a，26a
に表面処理(ＡＲ側ラビング)され、対向電極基板(2)上
の配向膜18Ｂには前記配向膜18Ａを配向処理した方向に
対し、90度傾斜させた方向23b，24b，25b，26bに表面処
理(ＣＦ側ラビング)されている。ただし、両基板(1)，
(2)間の配向方向の組み合わせはネマチック液晶中に微
少量含有される光学活性化合物によって液晶分子のねじ
れ旋回方向が決定されるため、例えば液晶分子が右旋回
ねじれ配向を有するならば、両基板(1)，(2)間の配向膜
の配向方向の組み合わせは(23a，23b)，(24a，24b)とな
る。

【０００５】一方、液晶分子が左旋回ねじれ配向を有す
るならば、両基板(1)，(2)間の配向膜の配向方向の組み
合わせは(25a，25b)，(26a，26b)となる。その結果、前
記配向膜18Ａ，18Ｂの液晶分子配向規制方向と液晶分子
のねじれ旋回方向を組み合わせることにより、液晶表示
セル中で安定なモノドメインが形成されることになる。

【０００６】図12は従来の薄膜トランジスタ型液晶表示
装置の上下視角方向での入射角に対するコントラスト比
依存特性図である。ただし、液晶表示セルの法線方向の
入射角を０度とし、上方向をプラス、下方向をマイナス
の角度で示している。コントラスト比10対１の範囲の視
角特性は上25度、下60度となり、上下方向に対するコン
トラスト比分布曲線27は非対称な形状となる。ちなみに
左右視角範囲では、左右方向に対するコントラスト比分
布曲線は対称な形状となり、例えばコントラスト比10対
１の範囲の視角特性は右50度、左50度となる。

【０００７】図13は従来の薄膜トランジスタ型液晶表示
装置での上下視角方向に対する８階調表示の透過率依存
特性図(正面方向のときのＶ−Ｔ曲線)を示す。ただし、
液晶表示セルの法線方向の入射角度を０度とし、上方向
をプラス、下方向をマイナスの角度で示している。な
お、ここで透過率Ｔ(％)は無印加電圧時を100％として
いる。階調レベル(液晶に印加される電圧レベル)は、図
14に示すように正面方向における印加電圧(Ｖ)−透過率
Ｔ(％)曲線の印加電圧範囲(０〜５Ｖ)の最大透過率(Ｔ
８)と最小透過率(Ｔ１)間を７等分し、それぞれの透過
率Ｔに対応する電圧値Ｖ(Ｖ８〜Ｖ１)を用いている。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】例えば、Ｔ１は電圧値
Ｖ１に相当し、Ｔ２は電圧値Ｖ２に相当する。また、そ
の他の透過率Ｔと電圧値Ｖの相関性も以下同様である。
この特性図から、下視角方向において、例えば印加電圧
値がＶ１のときは、およそ15度で最も透過率が低く、印
加電圧値がＶ２のときは、およそ20度で最低透過率を示
すことがわかる。その結果、８階調表示時では、約17度
以内でしか階調間の大小関係が保証されず、それ以上の
下視角範囲では透過率の逆転化、すなわち階調反転現象
が生じてしまい、そのときの画像表示状態は不自然で、
事実上、画像の認識が不可能となる。このような現象は
他の隣り合う印加電圧値の場合でも同様に説明される。
さらに、この階調反転現象が起こらない視角範囲は、よ
り高い階調表示時で一層狭くなることがわかる。ちなみ
に左右視角方向における入射角に対する８階調表示の透
過率依存性は各階調レベルで液晶表示セルの法線方向を
中心に左右対称な透過率曲線を示し、前記下視角方向で
発生するような階調反転現象は約40度で見られる。

【０００９】したがって、従来の薄膜トランジスタ型液
晶表示装置では、上下視角方向では高いコントラスト比
を上下バランス良く維持する視角範囲は狭く、また特に
下，左右方向で所定の電圧，視角において発生する階調
反転現象は防ぐことはできず、角度依存性の問題のない
広視野角化設計の薄膜トランジスタ型液晶表示装置が要
求されていた。

【００１０】本発明は、このような上下および左右の視
角方向において、対称な高コントラスト比を達成し、特
定視角方向における階調反転または異常な高遮光現象を
防止することで、階調表示の広視野角化および高表示品
質を実現することができる薄膜トランジスタ型液晶表示
装置の提供を目的とするものである。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本発明は、上記の目的を
達成するため、請求項１記載の薄膜トランジスタ型液晶
表示装置は、マトリクス状に配置されたゲート電極とソ
ース電極の交差部に薄膜トランジスタを形成するととも
に前記薄膜トランジスタのドレイン電極に接続された状
態に画素電極を形成した画素電極基板と、共通の対向電
極が形成され液晶を挟んで前記画素電極基板に対向する
ように配置された対向電極基板とを備え、かつ画素単位
の有効表示領域において、前記画素電極基板もしくは対
向電極基板の少なくとも一方が異なる高さを有する画素
電極もしくは対向電極を形成したことを特徴とする。

【００１２】請求項２記載の薄膜トランジスタ型液晶表
示装置は、請求項１記載の薄膜トランジスタ型液晶表示
装置において、導電性薄膜が、前記画素電極上に設けら
れ、導電性薄膜を所定の膜厚および面積に調整されてな
る。

【００１３】請求項３記載の薄膜トランジスタ型液晶表
示装置は、請求項１記載の薄膜トランジスタ型液晶表示
装置において、導電性薄膜が、前記対向電極上に設けら
れ、導電性薄膜を所定の膜厚および面積に調整されてな
る。

【００１４】請求項４記載の薄膜トランジスタ型液晶表
示装置は、請求項２，３記載の薄膜トランジスタ型液晶
表示装置において、導電性薄膜の膜厚および面積の少な
くとも一方が隣接した２つの画素どうしで異なる。

【００１５】請求項５記載の薄膜トランジスタ型液晶表
示装置は、請求項１記載の薄膜トランジスタ型液晶表示
装置において、導電性薄膜が、前記画素電極上の所定領
域に設けられ、かつ前記所定領域以外の領域の前記対向
電極上に形成されてなる。

【００１６】請求項６記載の薄膜トランジスタ型液晶表
示装置は、請求項１記載の薄膜トランジスタ型液晶表示
装置において、導電性薄膜が、前記画素電極もしくは対
向電極の少なくとも一方に形成され、かつ導電性薄膜が
0.1μm以上の膜厚で形成されてなる。

【００１７】

【作用】請求項１記載の構成によれば、画素部の有効表
示領域において、画素電極基板もしくは対向電極基板の
少なくとも一方が異なる高さを有する画素電極もしくは
対向電極を形成されるようにしたので、画素内所定領域
に電気光学特性を異ならせる分割された液晶分子配列領
域が形成され、薄膜トランジスタ型液晶表示装置の視野
角特性はそれぞれの分割された液晶分子配列領域の電気
光学特性を平均化したものとなり、所定の視角方向で対
称性のある高コントラスト比視認範囲が得られ、特定の
視角，電圧での階調反転現象が回避される。

【００１８】請求項２記載の構成によれば、導電性薄膜
が、画素電極上に設けられ、所定の膜厚および面積に調
整されてなるようにしたので、薄膜トランジスタ型液晶
表示装置の視野角特性は、それぞれの分割された液晶分
子配列領域の電気光学特性を平均化したものとなり、所
定の視角方向で対称性のある高コントラスト比視認範囲
が得られ、特定の視角，電圧での階調反転現象が回避さ
れる。

【００１９】請求項３記載の構成によれば、導電性薄膜
が、対向電極上に設けられ、所定の膜厚および面積に調
整されてなるようにしたので、薄膜トランジスタ型液晶
表示装置の視野角特性は、それぞれの分割された液晶分
子配列領域の電気光学特性を平均化したものとなり、所
定の視角方向で対称性のある高コントラスト比視認範囲
が得られ、特定の視角，電圧での階調反転現象が回避さ
れる。

【００２０】請求項４記載の構成によれば、導電性薄膜
の膜厚および面積の少なくとも一方が隣接した２つの画
素どうしで異なるようにしたので、請求項２，３と同様
の作用を奏する。

【００２１】請求項５記載の構成によれば、導電性薄膜
が、画素電極上の所定領域に設けられ、かつ前記所定領
域以外の領域の対向電極上に同時に形成されてなるよう
にしたので、薄膜トランジスタ型液晶表示装置の視野角
特性はそれぞれの分割された液晶分子配列領域の電気光
学特性を平均化したものとなり、所定の視角方向で対称
性のある高コントラスト比視認範囲が得られ、特定の視
角，電圧での階調反転現象が回避される。

【００２２】請求項６記載の構成によれば、0.1μm以上
の導電性薄膜が画素電極もしくは対向電極の少なくとも
一方に形成されているので、請求項２，３と同様の作用
を有する。

【００２３】

【実施例】以下、本発明の各実施例を図面を参照しなが
ら説明する。

【００２４】図１は本発明の第１の実施例における薄膜
トランジスタ型液晶表示装置のＴＦＴ基板(1)の平面
図、図２は図１の一画素部の断面図である。図１におい
て、ＴＦＴ基板(1)の構成は、ソース電極３とドレイン
電極４との間にゲート電極２と半導体層10が形成され、
画素電極１上に導電性薄膜13がパターニングされ、ドレ
イン電極４から画素電極１に画像信号が書き込まれる。
なお、図中、６は後述する前段ゲート部のドレイン電
極、21，22はそれぞれＴＦＴ部，前段ゲート部のコンタ
クトウィンドウである。

【００２５】また図２において、ＴＦＴ基板(1)のＴＦ
Ｔ部の構成は、ガラス基板７Ａ上に画素電極１と第１絶
縁膜８が形成された後、その上にゲート電極２，５(Ｔ
ＦＴ部，前段ゲート部)、ドレイン電極４，６(ＴＦＴ
部，前段ゲート部)、ソース電極３とゲート電極２，５
の間のショートを防ぐためのゲート酸化膜９が形成され
ている。さらに、ゲート酸化膜９の上に、半導体層10，
オーミックコンタクト層12、その上にソース電極３、ド
レイン電極４，６が形成されている。そして、その上に
第２絶縁膜11が形成されている。さらに画素電極１上に
導電性薄膜13が形成されている。そして、ＴＦＴ基板
(1)の表面に配向膜18Ａが形成される。

【００２６】一方、対向電極基板(2)の膜構成は、前記
図10で説明した従来の膜構成と同様であり、ＴＦＴ基板
(1)と対向電極基板(2)との間にスペーサ(図示せず)を介
することで両基板間距離を保ちながら液晶20が挟持され
ている。そして、両電極基板(1)，(2)の外面には偏光板
19Ａ，19Ｂが設けられている。

【００２７】なお、本第１実施例および後述する第２，
第３実施例で、前記画素電極１もしくは対向電極17の少
なくとも一方に形成される導電性薄膜13は0.1μm以上の
膜厚である。

【００２８】図３は図１および図２に示す薄膜トランジ
スタ型液晶表示装置のＴＦＴ基板(1)と対向電極基板(2)
との間に挟持される液晶分子の配向規制状態図である。
ＴＦＴ基板(1)上の配向膜18Ａは、ＴＦＴ配線または画
素電極１に対し、45度傾斜した方向28a，29a，30a，31a
に表面処理(ＡＲ側ラビング)され、対向電極基板(2)上
の配向膜18Ｂには前記配向膜18Ａを配向処理した方向に
対し、90度傾斜させた方向28b，29b，30b，31bに表面処
理(ＣＦ側ラビング)されている。上記に示す両電極基板
(1)，(2)の配向膜(18Ａ，18Ｂ)表面の配向処理方法は、
前記図11で説明した従来の薄膜トランジスタ型液晶表示
装置の配向膜表面の配向処理方法と同様である。

【００２９】本発明の第１実施例における配向膜表面の
配向規制方向と液晶分子のねじれ旋回方向の組み合わせ
は、液晶分子が右旋回ねじれ配向性を有するならば、両
電極基板(1)，(2)間の配向膜の配向方向の組み合わせは
(28a，28b)，(29a，29b)とする。一方、液晶分子が左旋
回ねじれ配向性を有するならば、両電極基板(1)，(2)間
の配向膜の配向方向の組み合わせは(30a，30b)，(31a，
31b)とする。

【００３０】図４は図１および図２に示す薄膜トランジ
スタ型液晶表示装置の一画素部の液晶配向断面図であ
る。ＴＦＴ基板(1)上の画素電極１と対向電極基板(2)上
の対向電極17との間に電圧を印加させると、液晶表示セ
ル中の液晶分子は印加電圧に追随する形で立ち上がる。
そのとき、画素電極１上の導電性薄膜13を形成させてい
る位置の液晶の等電位面が導電性薄膜13のない位置の等
電位面に対して歪んだ突起形状をとり、一方、ＴＦＴ部
(左側)および前段ゲート部(右側)付近の画素電極上の液
晶の等電位面は通常の等電位面に対し、第２絶縁膜11の
効果によってポテンシャルは小さくなる。その結果、液
晶分子は、導電性薄膜13のエッジ界面および画素電極１
のエッジ界面上の等電位面に対し垂直方向に配向し、か
つ液晶の弾性的な歪みにより、上下左右方向に連続的に
拡散しようとする。そのため、液晶分子は導電性薄膜13
の中央付近の法線方向に対し、左右対称な液晶配向性を
保持することになる。

【００３１】一方、隣接する画素間で導電性薄膜13の面
積もしくは膜厚を異ならせるパターン配置、例えば膜厚
でいえば、厚い導電性薄膜13と薄い導電性薄膜13とをゲ
ートライン上の画素列について交互に配置するパターン
構成、またソースライン上の画素列についても、厚い導
電性薄膜13と薄い導電性薄膜13とを交互に配置するパタ
ーン構成を形成させても液晶分子は一画素中で配向対称
性を失わないが、隣接画素間で微妙に異なった配向形態
を持たせることができる。その結果、隣接する画素間で
異なった電気光学特性が生じることになる。なお、導電
性薄膜13の面積を隣接画素間で異ならせる方法において
も同様なパターン配置をとることができ、そのときの液
晶挙動および配向形態は上記に示したものと同様の傾向
を示す。

【００３２】図５は本発明の第２の実施例における薄膜
トランジスタ型液晶表示装置の一画素部の断面図であ
る。対向電極基板(2)の構成は、ガラス基板７Ｂ上(図面
上では下方)にＴＦＴ基板(1)のゲート電極２，５、ソー
ス電極３、ＴＦＴ基板(1)の配線からの光漏れを防ぐた
めにブラックマトリクス層14が形成され、その上にカラ
ーフィルタ層15，保護膜16が形成されている。そして、
その上に対向電極17が形成されている。さらに、この対
向電極17上に導電性薄膜13が形成されている。そして、
配向膜18Ｂが形成される。

【００３３】一方、ＴＦＴ基板(1)の膜構成は前記図10
で説明した従来の膜構成と同様である。

【００３４】本発明の第２の実施例における配向膜表面
の配向規制方向と液晶分子のねじれ旋回方向の組み合わ
せも、前記第１の実施例で説明した図３と同様である。

【００３５】また、本発明の第２の実施例における薄膜
トランジスタ型液晶表示装置で隣接する画素間で導電性
薄膜13の面積もしくは膜厚を異ならせるパターン配置構
成でも、液晶表示セル中の液晶分子の配向性は図４で説
明した前記第１の実施例の場合と同様な傾向を示すこと
になる。

【００３６】図６は本発明の第３の実施例における薄膜
トランジスタ型液晶表示装置の一画素部の断面図であ
る。図６に示すように、導電性薄膜13がＴＦＴ基板(1)
の画素電極１上の所定の位置に形成され、同時に対向電
極基板(2)の対向電極17上に導電性薄膜13を、ＴＦＴ基
板(1)の画素電極１上に形成された導電性薄膜13以外の
領域にパターニング形成させるものである。また、両電
極基板(1)，(2)に形成させる導電性薄膜13は、それぞれ
所定の膜厚および面積にパターン構築することも可能で
ある。その結果、両電極基板(1)，(2)の対向する導電性
薄膜13のエッジ付近の液晶分子は同じ配向規制方向を持
つことになり、より一層強固に同配向方向に制御された
安定した液晶ドメインを形成させることができる。

【００３７】図７は本発明の第１の実施例における薄膜
トランジスタ型液晶表示装置の上下視角方向の入射角に
対するコントラスト比依存特性図である。ただし、液晶
表示セルの法線方向の入射角を０度とし、上方向をプラ
ス、下方向をマイナスの角度で示している。上下方向の
視角−コントラスト分布曲線27は、前記図12で説明した
従来例のような上下方向で非対称ではなく、対称なコン
トラスト曲線となり、かつ所定の視角範囲で、より高い
コントラスト比を得ることができる。また、本発明の第
２，第３の実施例における薄膜トランジスタ型液晶表示
装置でも上記に示した本発明の第１の実施例と同様な視
角−コントラスト分布特性図を得ることができる。

【００３８】図８は本発明の第１の実施例における薄膜
トランジスタ型液晶表示装置での上下視角方向に対する
８階調表示の透過率依存特性図を示す。ただし、液晶表
示セルの法線方向の入射角を０度とし、上方向をプラ
ス、下方向をマイナスの角度で示している。各印加電圧
値は前記図14に示した方法と同様な方法で求めた。この
図８に示す特性図から、各階調レベルにおいて対称な透
過率曲線が上下の視角方向で描かれ、いずれの視角−透
過率曲線も隣り合う曲線間で交差することはない。その
結果、従来、観察されたような特定の視角・印加電圧で
発生する階調反転現象の出現は回避されることになる。
ちなみに、左右の視角方向においても略同様な傾向を示
す。また、本発明の第２および第３の実施例における階
調反転視角方向の印加電圧をパラメータとしたときの視
角−透過率特性図も上記したような本発明の第１の実施
例と同様な傾向を示す。

【００３９】したがって、本発明の第１，第２，第３の
実施例における薄膜トランジスタ型液晶表示装置は、上
下および左右の視角方向で対称性のある広い高コントラ
スト比視認範囲を示し、従来例で見られたような特定の
電圧，視角で発生する階調反転現象は発生せず、任意の
電圧値でも、どの視角方向から見ても自然な画像が得ら
れることになる。

【００４０】

【発明の効果】以上説明したように、本発明の請求項１
記載の薄膜トランジスタ型液晶表示装置によれば、画素
単位の有効表示領域において、画素電極基板もしくは対
向電極基板の少なくとも一方が異なる高さを有する画素
電極もしくは対向電極を形成されるようにしたので、画
素内所定領域に電気光学特性を異ならせる分割された液
晶分子配列領域が形成され、薄膜トランジスタ型液晶表
示装置の電気光学特性はそれぞれの分割された液晶分子
配列領域の電気光学特性を平均化したものとなり、所定
の視角方向で対称性のある高コントラスト比視認範囲が
得られ、特定の視角，電圧での階調反転現象が回避さ
れ、視角依存性，電圧依存性のない自然な画像表示を実
現でき、階調表示の広視野角化および高表示品質を実現
することができる。

【００４１】請求項２記載の薄膜トランジスタ型液晶表
示装置によれば、導電性薄膜が、画素電極上に設けら
れ、所定の膜厚および面積に調整されてなるようにした
ので、薄膜トランジスタ型液晶表示装置の電気光学特性
は、それぞれの分割された液晶分子配列領域の光学特性
を平均化したものとなり、所定の視角方向で対称性のあ
る広い高コントラスト比視認範囲が得られ、特定の視
角，電圧での階調反転現象が回避され、視角依存性，電
圧依存性のない自然な画像表示を実現でき、階調表示の
広視野角化および高表示品質を実現することができる。

【００４２】請求項３記載の薄膜トランジスタ型液晶表
示装置によれば、導電性薄膜が、対向電極上に設けら
れ、所定の膜厚および面積に調整されてなるようにした
ので、薄膜トランジスタ型液晶表示装置の電気光学特性
は、それぞれの分割された液晶分子配列領域の光学特性
を平均化したものとなり、所定の視角方向で対称性のあ
る広い高コントラスト比視認範囲が得られ、特定の視
角，電圧での階調反転現象が回避され、視角依存性，電
圧依存性のない自然な画像表示を実現でき、階調表示の
広視野角化および高表示品質を実現することができる。

【００４３】請求項４記載の薄膜トランジスタ型液晶表
示装置によれば、導電性薄膜の膜厚および面積の少なく
とも一方が隣接した２つの画素どうしで異なるようにし
たので、請求項２，３と同様の効果を奏する。

【００４４】請求項５記載の薄膜トランジスタ型液晶表
示装置によれば、導電性薄膜が、画素電極上の所定領域
に設けられ、この所定領域以外の領域の対向電極上に同
時に形成されているので、薄膜トランジスタ型液晶表示
装置の電気光学特性はそれぞれの分割された液晶分子配
列領域の光学特性を平均化したものとなり、所定の視角
方向で対称性のある広い高コントラスト比視認範囲が得
られ、特定の視角，電圧での階調反転現象が回避され、
視角依存性，電圧依存性のない自然な画像表示を実現で
き、階調表示の広視野角化および高表示品質を実現する
ことができる。

【００４５】請求項６記載の薄膜トランジスタ型液晶表
示装置によれば、導電性薄膜が画素電極もしくは対向電
極の少なくとも一方に形成され、かつ導電性薄膜が0.1
μm以上の膜厚で形成されてなるようにしたので、請求
項２，３と同様の効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施例における薄膜トランジス
タ型液晶表示装置のＴＦＴ基板の平面図である。

【図２】図１の薄膜トランジスタ型液晶表示装置の一画
素部の断面図である。

【図３】図１および図２に示す薄膜トランジスタ型液晶
表示装置のＴＦＴ基板と対向電極基板との間に挟持され
る液晶分子の配向規制状態図である。

【図４】図１および図２に示す薄膜トランジスタ型液晶
表示装置の一画素部の液晶配向断面図である。

【図５】本発明の第２の実施例における薄膜トランジス
タ型液晶表示装置の一画素部の断面図である。

【図６】本発明の第３の実施例における薄膜トランジス
タ型液晶表示装置の一画素部の断面図である。

【図７】本発明の第１の実施例における薄膜トランジス
タ型液晶表示装置の上下視角方向の入射角に対するコン
トラスト比依存特性図である。

【図８】本発明の第１の実施例における薄膜トランジス
タ型液晶表示装置の上下視角方向の入射角に対する８階
調表示の透過率依存特性図である。

【図９】従来の薄膜トランジスタ型液晶表示装置におけ
る薄膜トランジスタのチャネル部の一部断面図である。

【図１０】従来の薄膜トランジスタ型液晶表示装置の一
部断面図である。

【図１１】従来の薄膜トランジスタ型液晶表示装置のＴ
ＦＴ基板と対向電極基板との間に挟持される液晶分子の
配向規制状態図である。

【図１２】従来の薄膜トランジスタ型液晶表示装置の上
下視角方向での入射角に対するコントラスト比依存特性
図である。

【図１３】従来の薄膜トランジスタ型液晶表示装置での
上下視角方向に対する８階調表示の透過率依存特性図で
ある。

【図１４】従来の薄膜トランジスタ型液晶表示装置での
正面視角方向に対する印加電圧−透過率特性図である。

【符号の説明】

１…画素電極、 ２…ゲート電極(ＴＦＴ部)、 ３…ソ
ース電極、 ４…ドレイン電極(ＴＦＴ部)、 ５…ゲー
ト電極(前段ゲート部)、 ６…ドレイン電極(前段ゲー
ト部)、 ７Ａ，７Ｂ…ガラス基板、 ８…第１絶縁
膜、 ９…ゲート酸化膜、 10…半導体層、 11…第２
絶縁膜、 12…オーミックコンタクト層、13…導電性薄
膜、 14…ブラックマトリクス層、 15…カラーフィル
タ層、 16…保護膜、 17…対向電極、 18Ａ，18Ｂ…
配向膜、 19Ａ，19Ｂ…偏光板、20…液晶、 21…コン
タクトウィンドウ(ＴＦＴ部)、 22…コンタクトウィン
ドウ(前段ゲート部)。

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 マトリクス状に配置されたゲート電極と
   ソース電極の交差部に薄膜トランジスタを形成するとと
   もに前記薄膜トランジスタのドレイン電極に接続された
   状態に画素電極を形成した画素電極基板と、共通の対向
   電極が形成され液晶を挟んで前記画素電極基板に対向す
   るように配置された対向電極基板とを備え、かつ画素単
   位の有効表示領域において、前記画素電極基板もしくは
   対向電極基板の少なくとも一方が異なる高さを有する画
   素電極もしくは対向電極を形成したことを特徴とする薄
   膜トランジスタ型液晶表示装置。
2. 【請求項２】 導電性薄膜が、前記画素電極上に設けら
   れ、導電性薄膜を所定の膜厚および面積に調整されてな
   ることを特徴とする請求項１記載の薄膜トランジスタ型
   液晶表示装置。
3. 【請求項３】 導電性薄膜が、前記対向電極上に設けら
   れ、導電性薄膜を所定の膜厚および面積に調整されてな
   ることを特徴とする請求項１記載の薄膜トランジスタ型
   液晶表示装置。
4. 【請求項４】 導電性薄膜の膜厚および面積の少なくと
   も一方が隣接した２つの画素どうしで異なることを特徴
   とする請求項２または３記載の薄膜トランジスタ型液晶
   表示装置。
5. 【請求項５】 導電性薄膜が、前記画素電極上の所定領
   域に設けられ、かつ前記所定領域以外の領域の前記対向
   電極上に形成されてなることを特徴とする請求項１記載
   の薄膜トランジスタ型液晶表示装置。
6. 【請求項６】 導電性薄膜が、前記画素電極もしくは対
   向電極の少なくとも一方に形成され、かつ導電性薄膜が
   0.1μm以上の膜厚で形成されてなることを特徴とする請
   求項１記載の薄膜トランジスタ型液晶表示装置。