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JPH08114655A - Method and device for inspecting electrical characteristics of semiconductor device - Google Patents

Method and device for inspecting electrical characteristics of semiconductor device

Info

Publication number
JPH08114655A
JPH08114655A JP6275941A JP27594194A JPH08114655A JP H08114655 A JPH08114655 A JP H08114655A JP 6275941 A JP6275941 A JP 6275941A JP 27594194 A JP27594194 A JP 27594194A JP H08114655 A JPH08114655 A JP H08114655A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
response signal
memory
inspection
dut
response
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP6275941A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Susumu Takagi
進 高木
Keiji Tomita
恵次 富田
Hideaki Mayuzumi
英明 黛
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Renesas Eastern Japan Semiconductor Inc
Original Assignee
Hitachi Tokyo Electronics Co Ltd
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Tokyo Electronics Co Ltd, Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Tokyo Electronics Co Ltd
Priority to JP6275941A priority Critical patent/JPH08114655A/en
Publication of JPH08114655A publication Critical patent/JPH08114655A/en
Pending legal-status Critical Current

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  • Tests Of Electronic Circuits (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 検査時間、不良率の増加を抑制しつつパラレ
ル検査を実現する。 【構成】 ICカードの応答信号出力タイミングを検査
する検査装置20において、各DUT1からの応答信号
を記憶する応答信号メモリー35と、そのメモリーに記
憶された各応答信号を呼び出して期待値メモリー35に
予め設定された期待値と比較する比較部36とを設け
る。各DUT1、1・・・の応答信号がパラレルに測定
され、各DUTにつき測定された応答信号はメモリー3
3に記憶されて行く。設定時間経過後、メモリー33に
記憶された各応答信号が呼び出されてメモリー35の期
待値と比較される。これにより、各応答信号の出力タイ
ミングの良否が判定される。 【効果】 応答信号の測定時間の許容範囲を大きく設定
でき、不良率低下を回避できる。判定作業が後で実行さ
れるため、検査時間の延長が防止できる。複数のDUT
の応答信号出力タイミングをパラレルに検査できるた
め、シリアルに実行される場合に比べて検査時間を短縮
できる。
(57) [Summary] [Purpose] To realize parallel inspection while suppressing increase in inspection time and defect rate. In an inspection device 20 for inspecting a response signal output timing of an IC card, a response signal memory 35 for storing response signals from each DUT 1 and an expected value memory 35 by calling each response signal stored in the memory. A comparison unit 36 for comparing with a preset expected value is provided. The response signal of each DUT 1, 1 ... Is measured in parallel, and the response signal measured for each DUT is stored in the memory 3
It will be remembered in 3. After the elapse of the set time, each response signal stored in the memory 33 is called and compared with the expected value of the memory 35. As a result, the quality of the output timing of each response signal is determined. [Effect] The allowable range of the response signal measurement time can be set to a large range, and a decrease in the defective rate can be avoided. Since the determination work is performed later, the extension of the inspection time can be prevented. Multiple DUTs
Since the response signal output timing can be inspected in parallel, the inspection time can be shortened as compared with the case of serial execution.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の電気的特
性検査技術、特に、半導体装置の応答信号を検査する技
術に関し、例えば、ICカードやASIC等の非同期応
答タイミングデバイスを検査するのに利用して有効なも
のに関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a technique for inspecting electrical characteristics of a semiconductor device, and more particularly to a technique for inspecting a response signal of the semiconductor device, for example, for inspecting an asynchronous response timing device such as an IC card or an ASIC. Regarding what is valid to use.

【0002】[0002]

【従来の技術】例えば、半導体装置の論理素子(ロジカ
ルデバイス。以下、ロジックという。)製品のうちIC
カードやASIC等(以下、非同期応答タイミングデバ
イスということがある。)においては、応答信号の出力
タイミングが各デバイス間で大きく異なってしまうこと
が多く発生する傾向にある。
2. Description of the Related Art For example, an IC of a logic device (logical device; hereinafter referred to as logic) product of a semiconductor device.
In cards, ASICs, and the like (hereinafter sometimes referred to as asynchronous response timing devices), the output timing of the response signal tends to differ greatly among the devices in many cases.

【0003】そこで、従来は、このような非同期応答タ
イミングデバイスについての電気的特性検査が汎用のロ
ジックICテスタによって実施されるに際して、応答信
号の出力タイミングの検査はデバイス個々にそれぞれ
(シリアルに)実行されている。これは、デバイス個々
に応答信号の出力タイミングが大きく異なると、同一の
ストローブ信号によっては各応答信号の出力タイミング
を同時に(パラレルに)比較判定することができないた
めである。また、個々の非同期応答タイミングデバイス
内における出力ピン個々についての応答信号出力タイミ
ングの検査も、ピン個々にそれぞれ(シリアルに)実行
されている。これは、複数本の出力ピンの応答信号出力
タイミングを同時に(パラレルに)検査しようとする
と、テストパターンが複雑になってアプリケーション・
プログラムの開発に長期間が消費されてしまうためであ
る。
Therefore, conventionally, when the electrical characteristic inspection of such an asynchronous response timing device is carried out by a general-purpose logic IC tester, the inspection of the output timing of the response signal is executed for each device (serially). Has been done. This is because if the output timings of the response signals greatly differ from device to device, the output timings of the response signals cannot be simultaneously (parallelly) compared and determined depending on the same strobe signal. The inspection of the response signal output timing for each output pin in each asynchronous response timing device is also performed for each pin (serially). This is because when the response signal output timing of multiple output pins is tried to be inspected at the same time (in parallel), the test pattern becomes complicated and the application
This is because it takes a long time to develop the program.

【0004】なお、ランダムロジック用テスタを述べて
ある例としては、株式会社工業調査会発行「電子材料1
984年11月号別冊」昭和59年11月20日発行
P157〜P164、がある。
An example of a tester for random logic is "Electronic Material 1" issued by Kogyo Kogyo Kenkyukai Co., Ltd.
November, 984 issue, separate volume, issued November 20, 1984
There are P157 to P164.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記し
たように応答信号出力タイミングの検査がデバイス個々
にシリアルに、かつ、ピン個々にもシリアルに実行され
ていたのでは、応答信号出力タイミング検査時間が大幅
に延長されてしまうばかりでなく、その検査時間が延長
された分だけ他の重要な電気的特性項目の検査について
ロジック用ICテスタを使用することができなくなるた
め、きわめて高価なロジック用ICテスタを充分に活用
することができないという問題点がある。
However, if the inspection of the response signal output timing is performed serially for each device and also for each pin as described above, the response signal output timing inspection time The IC tester for logic cannot be used for the inspection of other important electrical characteristic items due to the extension of the inspection time, so that the IC tester for logic is extremely expensive. There is a problem in that it cannot be fully utilized.

【0006】そこで、非同期応答タイミングデバイスに
おける応答信号出力タイミングの検査についても、所謂
パラレル検査を実行することが考えられる。しかし、こ
れを実現するためには、各応答信号タイミング間相互の
ばらつきを解消するのに、次のような問題点がある。 (1) 応答信号タイミングを非同期応答タイミングデ
バイス側で解消するのは、本質的に不能である。 (2) 応答信号タイミングのばらつきを最大遅延時間
によって吸収するように制御信号を設定した場合には、
パラレル検査が実行されても検査時間が結局長くなって
しまう。 (3) 応答信号タイミングのばらつきを最小遅延時間
によって吸収するように制御信号を設定した場合には、
不良率が高くなり不当に歩留りが低下してしまうことに
なる。
Therefore, it is conceivable to execute a so-called parallel inspection also for the inspection of the response signal output timing in the asynchronous response timing device. However, in order to realize this, there are the following problems in eliminating the mutual variation between the response signal timings. (1) It is essentially impossible to cancel the response signal timing on the asynchronous response timing device side. (2) When the control signal is set so as to absorb the variation in response signal timing by the maximum delay time,
Even if the parallel inspection is executed, the inspection time will be long after all. (3) When the control signal is set so that the variation in response signal timing is absorbed by the minimum delay time,
The defective rate becomes high and the yield is unduly reduced.

【0007】本発明の目的は、検査時間および不良率の
増加を抑制しつつ、パラレル検査を実現可能な半導体装
置の電気的特性検査技術を提供することにある。
An object of the present invention is to provide a technique for inspecting electrical characteristics of a semiconductor device which can realize parallel inspection while suppressing an increase in inspection time and defective rate.

【0008】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
The above and other objects and novel features of the present invention will become apparent from the description of the present specification and the accompanying drawings.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち代表的なものの概要を説明すれば、次の通り
である。
The typical ones of the inventions disclosed in the present application will be outlined below.

【0010】すなわち、半導体装置の応答信号を検査す
る半導体装置の電気的特性検査装置において、半導体装
置からの応答信号を記憶するメモリーと、そのメモリー
に記憶された応答信号を呼び出して予め設定されている
期待値と比較することによって検査を実行する比較手段
とを設けることを特徴とする。
That is, in a semiconductor device electrical characteristic inspection apparatus for inspecting a response signal of a semiconductor device, a memory for storing a response signal from the semiconductor device and a response signal stored in the memory are called and preset. And a comparison means for performing the inspection by comparing with the expected value.

【0011】[0011]

【作用】前記した手段において、例えば、複数台の半導
体装置について同種の応答信号がパラレルに測定される
と、各半導体装置について測定された応答信号はメモリ
ーにそれぞれ随時記憶されて行く。そして、例えば、予
め設定された許容遅延時間経過後に、メモリーに記憶さ
れた各応答信号がそれぞれ呼び出されて予め設定されて
いる期待値とそれぞれ比較される。この比較により、例
えば、各応答信号の出力タイミングの時期の良否が判定
される。
In the above-mentioned means, for example, when response signals of the same kind are measured in parallel for a plurality of semiconductor devices, the response signals measured for each semiconductor device are stored in the memory at any time. Then, for example, after a preset allowable delay time has elapsed, each response signal stored in the memory is called and compared with a preset expected value. By this comparison, for example, the quality of the output timing of each response signal is determined.

【0012】前記した手段によれば、半導体装置からの
応答信号がメモリーに一時的に記憶されるため、応答信
号の測定時間についての許容範囲を大きく設定すること
ができる。したがって、その許容範囲を狭く設定するこ
とによって不良率が低下してしまう事態の発生を未然に
回避することができる。他方、実際の判定作業は測定後
に実行されるため、測定時間の許容範囲が比較的に広く
設定されても、検査作業全体としての時間には影響が及
ばない。
According to the above-mentioned means, since the response signal from the semiconductor device is temporarily stored in the memory, it is possible to set a large allowable range for the response signal measurement time. Therefore, it is possible to avoid the occurrence of a situation in which the defective rate is lowered by setting the allowable range narrow. On the other hand, since the actual determination work is executed after the measurement, even if the allowable range of the measurement time is set relatively wide, the time of the entire inspection work is not affected.

【0013】例えば、複数台の半導体装置について同種
の応答信号がパラレルに測定される場合には、複数台の
半導体装置についての応答信号の出力タイミングを同時
に検査することができるため、複数台の半導体装置につ
いての応答信号検査作業がシリアルに実行される場合に
比べて、全体としての検査時間を大幅に短縮することが
できる。
For example, when response signals of the same kind are measured in parallel for a plurality of semiconductor devices, the output timings of the response signals for the plurality of semiconductor devices can be inspected at the same time. Compared with the case where the response signal inspection work for the device is performed serially, the inspection time as a whole can be significantly shortened.

【0014】[0014]

【実施例】図1は本発明の一実施例であるICカードの
応答信号検査装置を示すブロック図である。図2はその
作用を説明するための説明図である。
1 is a block diagram showing a response signal inspection apparatus for an IC card according to an embodiment of the present invention. FIG. 2 is an explanatory diagram for explaining the operation.

【0015】本実施例において、本発明に係る半導体装
置の電気的特性検査装置は、ICカードの応答信号の出
力タイミングを検査するICカードの応答信号検査装置
として構成されている。検査対象物としてのICカード
(以下、DUTということがある。)は、ロジックを備
えているマイクロ・コンピュータの一種であり、非同期
応答タイミングデバイスの一例である。
In this embodiment, the semiconductor device electrical characteristic inspection apparatus according to the present invention is configured as an IC card response signal inspection apparatus for inspecting the output timing of the response signal of the IC card. An IC card (hereinafter also referred to as a DUT) as an inspection target is a kind of microcomputer equipped with logic and is an example of an asynchronous response timing device.

【0016】そして、本実施例において、ICカードの
応答信号検査方法は、DUTであるICカードについて
ロジックの応答信号の出力タイミングを検査するものと
して使用されている。まず、ICカードの電気的特性検
査方法の実施に際して、被検査物としてのICカード
(DUT)1が多数個、テスティングボード(図示せ
ず)に各接触子を介して着脱自在に装着される。テステ
ィングボードに装着された各DUT1はICカードの応
答信号検査装置20にコネクタ群を介して互いに並列に
電気的に接続される。
In this embodiment, the IC card response signal inspection method is used to inspect the output timing of the logic response signal for the IC card which is the DUT. First, when the method for inspecting the electrical characteristics of an IC card is carried out, a large number of IC cards (DUT) 1 to be inspected are removably attached to a testing board (not shown) via each contact. . The DUTs 1 mounted on the testing board are electrically connected to the response signal inspection device 20 of the IC card in parallel via the connector group.

【0017】一方、本実施例に係るICカードの応答信
号検査装置20は、実体的にはロジックICテスタ(図
示せず)の一部として構成されており、中央処理ユニッ
ト(CPU)21、メインメモリー22、ロジックパタ
ーンジェネレータ23、タイミングジェネレータ24、
パターンフォマッタ25、ドライバ26、サンプリング
信号ジェネレータ27、始期設定部28、終期設定部2
9、Hコンパレータ30、Lコンパレータ31、ラッチ
回路32、応答信号メモリー33、アドレスコントロー
ラ34、期待値メモリー35、比較部36を備えてい
る。
On the other hand, the response signal inspection device 20 for an IC card according to the present embodiment is substantially configured as a part of a logic IC tester (not shown), and includes a central processing unit (CPU) 21 and a main unit. Memory 22, logic pattern generator 23, timing generator 24,
Pattern formatter 25, driver 26, sampling signal generator 27, start setting section 28, end setting section 2
9, an H comparator 30, an L comparator 31, a latch circuit 32, a response signal memory 33, an address controller 34, an expected value memory 35, and a comparison unit 36.

【0018】CPU21はロジックICテスタのCPU
であり、コンピュータのハードウエアおよびソトフウエ
アによって構築されており、テスタの各構成部(図示せ
ず)の動作と共に、ICカードの応答信号検査装置20
の各構成部の動作を統括して制御し得るようになってい
る。メインメモリー22はロジックICテスタのメモリ
ーであり、CPU21のアルゴリズムやテスティング情
報等が記憶されており、その記憶データがCPU21に
よって任意かつ高速に呼び出されるように構成されてい
る。
The CPU 21 is a CPU of a logic IC tester
It is constructed by computer hardware and software, and together with the operation of each component (not shown) of the tester, the response signal inspection device 20 for the IC card
The operation of each of the components can be centrally controlled. The main memory 22 is a memory of the logic IC tester, stores an algorithm of the CPU 21, testing information, and the like, and the stored data is configured to be called by the CPU 21 at an arbitrary and high speed.

【0019】ロジックパターンジェネレータ23はCP
U21のメインメモリー22に予め記憶されたテスティ
ング情報に基づいて実際に使用されるテスティング信号
を生成し、パターンフォマッタ25に送信するように構
成されている。タイミングジェネレータ24はロジック
パターンジェネレータ23からのパルス信号を、パター
ンフォマッタ25でパルス幅を持つパターン信号に生成
するために、波形の立ち上がり、立ち下がりのタイミン
グを指定するジェネレータである。パターンフォマッタ
25はDUT1の機能試験をするために必要なもので、
DUT1の各入力ピンに供給するパターン信号を生成さ
せる回路である。本実施例においては、パターンフォマ
ッタ25はDUT1から所望の応答信号を得るためのパ
ターン信号を生成することになる。
The logic pattern generator 23 is CP
It is configured to generate a testing signal to be actually used based on the testing information stored in advance in the main memory 22 of the U21 and send it to the pattern formatter 25. The timing generator 24 is a generator that specifies the rising and falling timings of the waveform in order to generate the pulse signal from the logic pattern generator 23 into a pattern signal having a pulse width by the pattern formatter 25. The pattern formatter 25 is necessary to test the function of the DUT 1,
It is a circuit that generates a pattern signal to be supplied to each input pin of the DUT 1. In the present embodiment, the pattern formatter 25 will generate a pattern signal for obtaining a desired response signal from the DUT 1.

【0020】ドライバ26はDUT1との入力側のイン
タフェース部分であり、パターンフォマッタ25からの
信号をDUT1の入力ピンに供給するものである。本実
施例において、ドライバ26は複数(一部のみが図示さ
れている。)装備されており、複数台のDUT1の指定
された入力ピンにパターンフォマッタ25からの指令信
号をそれぞれ供給するようになっている。
The driver 26 is an interface portion on the input side with the DUT 1 and supplies the signal from the pattern formatter 25 to the input pin of the DUT 1. In this embodiment, a plurality of drivers 26 (only a part of which are shown) are provided, and the command signals from the pattern formatter 25 are respectively supplied to designated input pins of a plurality of DUTs 1. Has become.

【0021】サンプリング信号ジェネレータ27はDU
T1からの応答信号をメモリー33に格納するのに必要
なサンプリング信号を生成するためのものであり、タイ
ミングジェネレータ24からのタイミング信号に基づい
て、図2(d)に示されているように一定のパルス幅を
持つサンプリング信号を生成するように構成されてい
る。始期設定部28はサンプリング信号の発生開始時期
を指令するための設定部であり、終期設定部29はサン
プリング信号の発生終了時期を指令するための設定部で
ある。この始期設定部28の開始指令と終期設定部29
の終了指令とによって、応答信号のサンプリング期間が
規定されることになる。このサンプリング期間は、応答
信号の出力タイミング検査に際して、DUT1からの応
答信号の出力タイミングのばらつきを複数台のDUT1
の全体にわたって吸収し得る最短の期間内であって、テ
スティング時間を過度に長期化させなく済み、かつ、テ
スティングの不良率の増加を最も効率的に抑制し得る期
間に設定される。例えば、開始時期は、同種のDUTに
関する過去のデータのうちで応答信号の出力タイミング
が最も速かった時期とし、終了時期は同様に応答信号の
出力タイミングが最も遅かった時期とする。なお、サン
プリング期間は後述する許容時間Tとは異なる。
The sampling signal generator 27 is a DU
It is for generating a sampling signal necessary for storing the response signal from T1 in the memory 33, and based on the timing signal from the timing generator 24, it is constant as shown in FIG. Is configured to generate a sampling signal having a pulse width of. The start period setting unit 28 is a setting unit for instructing the generation start time of the sampling signal, and the end period setting unit 29 is a setting unit for instructing the generation end time of the sampling signal. The start command of the start setting unit 28 and the end setting unit 29
And the end command of (3) define the sampling period of the response signal. During this sampling period, when the output timing of the response signal is inspected, variations in the output timing of the response signal from the DUT1 are detected by a plurality of DUT1s.
Is set within the shortest period that can be absorbed over the entire period, without increasing the testing time excessively and capable of suppressing the increase of the defective rate of testing most efficiently. For example, the start time is the time when the response signal output timing is the earliest among the past data regarding the same type of DUT, and the end time is the time when the response signal output timing is the latest. The sampling period is different from the permissible time T described later.

【0022】Hコンパレータ30およびLコンパレータ
31はDUT1との出力側のインタフェースであって、
指定されたDUT1の出力ピンからの応答信号を受ける
ものである。Hコンパレータ30およびLコンパレータ
31は一対で組を構成し、本実施例においては複数組が
装備され、各組が各DUT1の指定された出力ピンにそ
れぞれ電気的に接続されている。各DUT1内におい
て、一組のコンパレータ30、31が接続された出力ピ
ンはドライバ26が接続された入力ピンに対応されてお
り、入力信号に対応した応答信号を出力するようになっ
ている。
The H-comparator 30 and the L-comparator 31 are interfaces on the output side with the DUT 1.
It receives a response signal from the output pin of the designated DUT 1. The H-comparator 30 and the L-comparator 31 form a pair, and a plurality of pairs are provided in the present embodiment, and each pair is electrically connected to a designated output pin of each DUT 1. In each DUT 1, the output pin to which the pair of comparators 30 and 31 is connected corresponds to the input pin to which the driver 26 is connected, and outputs a response signal corresponding to the input signal.

【0023】ラッチ回路32は一組のHコンパレータ3
0およびLコンパレータ31に対応して一対で組を構成
し、コンパレータの組に対応して複数組が装備されてい
る。各組において、一方のラッチ回路32のD端子には
Hコンパレータ30の出力端子が接続され、他方のラッ
チ回路32のD端子にはLコンパレータ31の出力端子
が接続されている。また、両ラッチ回路32、32のク
ロック(C)端子にはサンプリング信号ジェネレータ2
7の出力端子がそれぞれ接続されて、サンプリング信号
が供給されるようになっている。両ラッチ回路32、3
2のQ端子は各組毎に応答信号メモリー33にそれぞれ
接続されている。
The latch circuit 32 is a set of H comparators 3.
A pair is formed corresponding to the 0 and L comparators 31, and a plurality of sets are provided corresponding to the pair of comparators. In each set, the output terminal of the H comparator 30 is connected to the D terminal of one latch circuit 32, and the output terminal of the L comparator 31 is connected to the D terminal of the other latch circuit 32. Further, the sampling signal generator 2 is connected to the clock (C) terminals of both latch circuits 32, 32.
The seven output terminals are connected to each other to supply the sampling signal. Both latch circuits 32, 3
The Q terminals of 2 are connected to the response signal memory 33 for each set.

【0024】応答信号メモリー33は各組のラッチ回路
32、32から送信されて来る応答信号を、アドレスコ
ントローラ34のアドレス制御によって各組毎に逐次記
憶して行くようにされている。すなわち、応答信号メモ
リー33は各DUT1からの応答信号を区分けしてそれ
ぞれ記憶するように構成されている。
The response signal memory 33 is adapted to sequentially store the response signals transmitted from the latch circuits 32, 32 of each set, for each set under the address control of the address controller 34. That is, the response signal memory 33 is configured to store the response signals from each DUT 1 separately.

【0025】期待値メモリー35は、パターンフォマッ
タ25によって生成されてDUT1に入力された指令信
号に応答してDUT1自身が出力すべき信号(期待値)
が記憶されているものである。この期待値である信号
は、CPU21のメインメモリー22に予め記憶された
テスティング情報に基づいて、ロジックパターンジェネ
レータ23への信号に対応されて予め生成され、期待値
メモリー35に記憶される。ちなみに、期待値メモリー
35および応答信号メモリー33はメインメモリー22
を共用して構築することもできる。
The expected value memory 35 is a signal (expected value) that the DUT 1 itself should output in response to a command signal generated by the pattern formatter 25 and input to the DUT 1.
Is memorized. The expected value signal is generated in advance in response to the signal to the logic pattern generator 23 based on the testing information stored in the main memory 22 of the CPU 21, and stored in the expected value memory 35. By the way, the expected value memory 35 and the response signal memory 33 are the main memory 22.
Can also be shared.

【0026】比較部36は応答信号メモリー33に記憶
された各応答信号を順次呼び出して、期待値メモリー3
5に記憶された期待値と比較することによって、その出
力タイミングの誤差を各応答信号毎にそれぞれ求め、各
誤差が公差(許容時間T、図2(a)参照)の範囲内に
入っている否かをそれぞれ判定するように構成されてい
る。すなわち、比較部36は誤差が公差(許容時間T)
の範囲内である場合には良と判定し、その範囲外である
場合には不良と判定する。ちなみに、比較部36はCP
U21の論理回路を共用して構築することもできるし、
ソフトウエアとしてプログラミングすることもできる。
The comparison unit 36 sequentially calls each response signal stored in the response signal memory 33 to obtain the expected value memory 3
By comparing with the expected value stored in 5, the output timing error is obtained for each response signal, and each error is within the range of the tolerance (allowable time T, see FIG. 2A). It is configured to respectively determine whether or not. That is, the comparison unit 36 has an error tolerance (allowable time T).
If it is within the range, it is determined to be good, and if it is out of the range, it is determined to be defective. By the way, the comparison unit 36 is a CP
It can be built by sharing the U21 logic circuit,
It can also be programmed as software.

【0027】次に、前記構成に係るICカードの応答信
号検査装置の作用を説明することにより、本発明の一実
施例であるICカードの応答信号検査方法を図2に基づ
き説明する。
Next, the operation of the response signal inspection device for an IC card according to the above configuration will be described, and the response signal inspection method for an IC card according to one embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.

【0028】ICカードの応答信号検査方法の実施に際
して、テスティングボードにはDUTとしてのICカー
ドが多数個、各接触子を介して電気的に接続される。テ
スティングボードに装着された各DUT1、1・・・は
ICカードの応答信号検査装置20に互いに並列に接続
された状態になる。
When the response signal inspection method for an IC card is carried out, a large number of IC cards as DUTs are electrically connected to the testing board via each contact. The DUTs 1 mounted on the testing board are connected to the response signal inspection device 20 of the IC card in parallel with each other.

【0029】DUT1群の接続後に、CPU21の指令
によってパターンフォマッタ25で生成されたテスティ
ング信号がドライバ26を経由して各DUT1にパラレ
ルに入力される。
After the DUT 1 group is connected, the testing signal generated by the pattern formatter 25 according to the instruction of the CPU 21 is input to each DUT 1 in parallel via the driver 26.

【0030】各DUT1、1・・は入力された信号に対
応してそれぞれ動作し、所定の応答信号をパラレルに出
力する。例えば、入力信号が「RAMの動作は正常か
?」であると、DUT1は「RAMの動作は正常であ
る。」の応答信号をそれぞれ出力する。各DUT1、1
・・・からパラレルに出力された応答信号は、各DUT
1に対応する各組のHコンパレータ30およびLコンパ
レータ31によってそれぞれ波形整形されて、各組のコ
ンパレータ30、31に対応する各組のラッチ回路3
2、32のD端子にそれぞれ印加される。
Each of the DUTs 1, 1 ... Operates in response to the input signal and outputs a predetermined response signal in parallel. For example, if the input signal is "Is the RAM operation normal?", The DUT 1 outputs a response signal of "RAM operation is normal." Each DUT 1, 1
The response signals output in parallel from ...
The waveforms are respectively shaped by the H comparator 30 and the L comparator 31 of each set corresponding to 1, and the latch circuit 3 of each set corresponding to the comparators 30 and 31 of each set.
It is applied to the D terminals of 2, 32, respectively.

【0031】各ラッチ回路32はサンプリング信号ジェ
ネレータ27からのサンプリング信号に対応して、図2
(e)に示されているように、各組のコンパレータ3
0、31からの信号をポイント毎にサンプリングし、各
ポイント毎の状態を応答信号メモリー33にパラレルに
入力する。この応答信号メモリー33への入力は各組の
ラッチ回路32が同時に実行することができるため、並
行(パラレル)処理が実行された状態になる。
Each latch circuit 32 corresponds to the sampling signal from the sampling signal generator 27 and corresponds to FIG.
As shown in (e), each set of comparators 3
The signals from 0 and 31 are sampled for each point, and the state for each point is input to the response signal memory 33 in parallel. The inputs to the response signal memory 33 can be simultaneously executed by the latch circuits 32 of each set, so that the parallel processing is executed.

【0032】応答信号メモリー33は各組のラッチ回路
32からパラレルに送信されて来る各ポイント毎の状態
を順次記憶して行く。このとき、応答信号メモリー33
はアドレスコントローラ34のアドレス制御によって、
1組のラッチ回路32からのポイントの状態を時系列の
連続(信号波形)として区分けして記憶して行く。ここ
で、各組のラッチ回路32は各DUT1、1・・・に対
応しているため、応答信号メモリー33の各区分に記憶
された信号波形(サンプリングポイントが連続した時系
列)は、各DUT1の応答信号にそれぞれ相当すること
になる。つまり、応答信号メモリー33は各DUT1、
1・・・からの応答信号を後で識別し得るように記憶す
る。
The response signal memory 33 sequentially stores the state of each point transmitted in parallel from each set of latch circuits 32. At this time, the response signal memory 33
Is controlled by the address controller 34,
The state of the points from one set of the latch circuits 32 is divided and stored as continuous time series (signal waveform). Here, since each set of latch circuits 32 corresponds to each DUT 1, 1 ..., The signal waveforms (time series in which sampling points are continuous) stored in each section of the response signal memory 33 are each DUT 1 Of the response signal. That is, the response signal memory 33 stores each DUT 1,
The response signals from 1 ... are stored for later identification.

【0033】そして、始期設定部28と終期設定部29
とによって予め規定されたサンプリング期間が経過する
と、応答信号メモリー33への各DUT1の応答信号の
記憶動作は打ち切られる。この状態において、応答信号
の記憶は全てのDUT1について完了している。万一、
応答信号の記憶が終了していないDUT1は、応答タイ
ミングの遅延度が大き過ぎるため、不良と判定されるこ
とになる。しかし、サンプリング期間は充分に長く確保
されているため、不良率が不当に高くなることは未然に
回避されている。
Then, the start setting unit 28 and the end setting unit 29
When the sampling period preliminarily defined by and has elapsed, the operation of storing the response signal of each DUT 1 in the response signal memory 33 is terminated. In this state, the storage of the response signal is completed for all DUT1s. By any chance
The DUT 1 in which the storage of the response signal has not been completed is determined to be defective because the delay degree of the response timing is too large. However, since the sampling period is sufficiently long, it is possible to prevent the defect rate from becoming unreasonably high.

【0034】サンプリング期間が経過した後または予め
設定された期間が経過した後に、比較部36は応答信号
メモリー33に記憶された各応答信号を順次呼び出し
て、期待値メモリー35に記憶された期待値とを比較す
る。この比較によって、各応答信号の出力タイミングの
誤差をそれぞれ求め、各誤差が許容時間(公差)内に入
っている否かを判定する。すなわち、比較部36は誤差
が許容時間内である場合には良と判定し、その時間外で
ある場合には不良と判定する。
After the sampling period has elapsed or a preset period has elapsed, the comparison unit 36 sequentially calls each response signal stored in the response signal memory 33 to obtain the expected value stored in the expected value memory 35. Compare with. By this comparison, the output timing error of each response signal is obtained, and it is determined whether or not each error is within the allowable time (tolerance). That is, the comparison unit 36 determines that the error is good when the error is within the allowable time, and determines that the error is outside the error time.

【0035】例えば、図2に示されているように、
(a)が期待値信号で出力タイミングの許容時間(公
差)がTであり、(b)が第1DUTから送られて来た
応答信号、(c)が第2DUTから送られて来た応答信
号である仮定とする。(b)の信号の応答タイミングは
(a)の許容時間Tの範囲内に入っているので、第1D
UTは比較部36によって「良」と判定される。これに
対して、(c)の信号の応答タイミングは(a)の許容
時間Tの範囲内に入っていないので、第2DUTは比較
部36によって「不良」と判定される。
For example, as shown in FIG.
(A) is an expected value signal, the allowable time (tolerance) of output timing is T, (b) is a response signal sent from the first DUT, (c) is a response signal sent from the second DUT Is assumed. Since the response timing of the signal in (b) is within the range of the allowable time T in (a), the first D
The comparison unit 36 determines that the UT is “good”. On the other hand, since the response timing of the signal of (c) is not within the range of the allowable time T of (a), the comparison unit 36 determines the second DUT to be “defective”.

【0036】第2DUTのように「不良」と判定された
場合には、その旨が比較部36によってCPU21に送
信される。CPU21は第2DUTを検査対象から除外
する。この除外によって、例えば、他の検査項目につい
ての検査の作業時間が短縮されることになる。
When it is determined as "defective" as in the second DUT, the fact is transmitted to the CPU 21 by the comparison unit 36. The CPU 21 excludes the second DUT from the inspection target. By this exclusion, for example, the work time of the inspection for other inspection items is shortened.

【0037】一方、比較部36において、応答信号の出
力タイミングについての検査作業が実行されている間
に、CPU21は各DUT1に対して他の検査項目につ
いての検査作業を同時に進行させる。他の検査項目には
各DUT1の検査済のピンとは別のピンに対する応答信
号の出力タイミングについての検査も含まれる。
On the other hand, in the comparison unit 36, while the inspection work for the output timing of the response signal is being executed, the CPU 21 causes each DUT 1 to simultaneously perform the inspection work for the other inspection items. The other inspection items also include the inspection of the output timing of the response signal to the pin different from the inspected pin of each DUT 1.

【0038】以上説明した前記実施例によれば次の効果
が得られる。 (1) 複数個のDUTに対して応答信号検査を同時
(パラレル)に実行することができるため、応答信号検
査の作業性を大幅に高めることができる。
According to the above-mentioned embodiment, the following effects can be obtained. (1) Since the response signal inspection can be simultaneously (parallel) performed on a plurality of DUTs, the workability of the response signal inspection can be significantly improved.

【0039】(2) DUTからの応答信号が応答信号
メモリーに一時的に記憶されることにより、応答信号の
測定時間についての許容範囲を大きく設定することがで
きるため、その許容範囲を狭く設定することによって不
良率が低下してしまう事態の発生を未然に回避すること
ができ、他方、実際の比較判定作業は測定後に実行され
るため、測定時間の許容範囲が比較的に広く設定されて
も、検査作業全体としての時間には影響が及ばない。
(2) Since the response signal from the DUT is temporarily stored in the response signal memory, the allowable range for the response signal measurement time can be set large, so that the allowable range is set narrow. By doing so, it is possible to avoid the occurrence of a situation in which the defective rate decreases, and on the other hand, since the actual comparison and determination work is performed after measurement, even if the allowable range of measurement time is set relatively wide. , The time of the inspection work as a whole is not affected.

【0040】以上本発明者によってなされた発明を実施
例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例に
限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で
種々変更可能であることはいうまでもない。
Although the invention made by the present inventor has been specifically described based on the embodiments, the invention is not limited to the embodiments and various modifications can be made without departing from the scope of the invention. Needless to say.

【0041】例えば、サンプリング信号はタイミングジ
ェネレータを利用して生成するに限らず、専用の発振器
やクロック回路を使用してもよい。
For example, the sampling signal is not limited to being generated by using the timing generator, but a dedicated oscillator or clock circuit may be used.

【0042】また、応答信号メモリーへ各DUTからの
応答信号を記憶させるための手段としては、Hコンパレ
ータ、Lコンパレータ、ラッチ回路、アドレスコントロ
ーラによる構成を使用するに限らず、他の構成を使用し
てもよい。
The means for storing the response signal from each DUT in the response signal memory is not limited to the configuration using the H comparator, the L comparator, the latch circuit, and the address controller, but other configurations may be used. May be.

【0043】ICカードの応答信号検査装置は、ロジッ
クICテスタに組み込むに限らず、ウエハプローバーや
オートハンドラに組み込むこともできる。
The response signal inspection device for an IC card is not limited to being incorporated in a logic IC tester, but can be incorporated in a wafer prober or an auto handler.

【0044】以上の説明では主として本発明者によって
なされた発明をその背景となった利用分野であるICカ
ードの応答信号検査技術に適用した場合について説明し
たが、それに限定されるものではなく、ASIC等のロ
ジック全般に適用することができる。特に、本発明は、
応答信号の出力タイミングが個々のデバイス(個々の製
品)相互間で大きなばらつきがある非同期応答タイミン
グデバイスの応答信号の出力タイミング検査に使用して
優れた効果が得られる。
In the above description, the case where the invention made by the present inventor is mainly applied to the response signal inspection technology of the IC card which is the field of application which is the background has been described, but the invention is not limited thereto and the ASIC is not limited thereto. It can be applied to general logic such as. In particular, the invention is
Asynchronous response timing, in which the output timing of the response signal greatly varies between individual devices (individual products). It is possible to obtain excellent effects when used for the output timing inspection of the response signal of a device.

【0045】前記実施例では、応答信号の出力タイミン
グの検査の場合について説明したが、それに限らず、応
答信号自体の良否判定、さらには、半導体装置に関する
その他の電気的特性検査全般に適用することができる。
In the above-described embodiment, the case of inspecting the output timing of the response signal has been described, but the present invention is not limited to this, and it can be applied to the pass / fail judgment of the response signal itself, and other general electrical characteristic inspections for semiconductor devices. You can

【0046】前記実施例では、複数のDUTに対するパ
ラレル検査の場合について説明したが、本発明は、個々
のDUT内の各ピンに対するパラレル検査の場合につい
ても適用することができる。さらに、本発明は、個々の
DUTの個々のピンに対するシリアル検査についても適
用することができることはいうまでもない。
In the above embodiment, the case of parallel inspection for a plurality of DUTs has been described, but the present invention can be applied to the case of parallel inspection for each pin in each DUT. Further, it goes without saying that the present invention can be applied to serial inspection for individual pins of individual DUTs.

【0047】[0047]

【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、次
の通りである。
The effects obtained by the typical ones of the inventions disclosed in the present application will be briefly described as follows.

【0048】半導体装置からの応答信号をメモリーに一
時的に記憶した後に、記憶された応答信号を呼び出して
実質的な検査作業を実行することにより、応答信号の測
定時間についての許容範囲を大きく設定することができ
る。その結果、応答信号の測定時間についての許容範囲
を狭く設定することによって不良率が低下してしまう事
態の発生を未然に回避することができる。他方、実質的
な検査作業は測定後に実行されるため、測定時間の許容
範囲が比較的に広く設定されても、検査作業全体として
の時間には影響が及ばない。
After the response signal from the semiconductor device is temporarily stored in the memory, the stored response signal is called to perform a substantial inspection work, thereby setting a large allowable range for the measurement time of the response signal. can do. As a result, it is possible to avoid the occurrence of a situation in which the defective rate is lowered by setting the allowable range of the response signal measurement time narrow. On the other hand, since the substantial inspection work is executed after the measurement, even if the allowable range of the measurement time is set relatively wide, the time of the entire inspection work is not affected.

【0049】その結果、複数台の半導体装置や個々の半
導体装置内の複数本のピンについて同種の応答信号をパ
ラレルに測定することにより、複数台の半導体装置や複
数本のピンについての応答信号をパラレルに検査するこ
とができるため、複数台の半導体装置や複数本のピンに
ついて応答信号検査作業がシリアルに実行される場合に
比べて、検査作業全体としての時間を大幅に短縮するこ
とができる。
As a result, the response signals of a plurality of semiconductor devices or a plurality of pins can be obtained by measuring the response signals of the same kind in parallel for a plurality of semiconductor devices or a plurality of pins in each semiconductor device. Since the inspection can be performed in parallel, the time required for the entire inspection operation can be significantly reduced as compared with the case where the response signal inspection operation is serially performed on a plurality of semiconductor devices or a plurality of pins.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の一実施例であるICカードの応答信号
検査装置を示すブロック図である。
FIG. 1 is a block diagram showing an IC card response signal inspection apparatus according to an embodiment of the present invention.

【図2】その作用を説明するための説明図である。FIG. 2 is an explanatory diagram for explaining its operation.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…DUT(半導体装置)、20…ICカード応答信号
検査装置、21…CPU、22…メインメモリー、23
…ロジックパターンジェネレータ、24…タイミングジ
ェネレータ、25…パターンフォマッタ、26…ドライ
バ、27…サンプリング信号ジェネレータ、28…始期
設定部、29…終期設定部、30…Hコンパレータ、3
1…Lコンパレータ、32…ラッチ回路、33…応答信
号メモリー、34…アドレスコントローラ、35…期待
値メモリー、36…比較部。
1 ... DUT (semiconductor device), 20 ... IC card response signal inspection device, 21 ... CPU, 22 ... Main memory, 23
... logic pattern generator, 24 ... timing generator, 25 ... pattern formatter, 26 ... driver, 27 ... sampling signal generator, 28 ... start setting section, 29 ... end setting section, 30 ... H comparator, 3
1 ... L comparator, 32 ... Latch circuit, 33 ... Response signal memory, 34 ... Address controller, 35 ... Expected value memory, 36 ... Comparison section.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 黛 英明 東京都青梅市藤橋3丁目3番地2 日立東 京エレクトロニクス株式会社内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Hideaki Mayuzumi 3-3, Fujihashi, Ome-shi, Tokyo 2 Hitachi Hitachi Electronics Co., Ltd.

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 半導体装置の応答信号を検査する半導体
装置の電気的特性検査方法において、 前記半導体装置からの応答信号がメモリーに記憶され、
その後、メモリーに記憶された応答信号が呼び出されて
予め設定されている期待値と比較されることにより検査
が実行されることを特徴とする半導体装置の電気的特性
検査方法。
1. A method of inspecting an electrical characteristic of a semiconductor device for inspecting a response signal of the semiconductor device, wherein a response signal from the semiconductor device is stored in a memory.
After that, the response signal stored in the memory is called and compared with a preset expected value, and the inspection is executed.
【請求項2】 複数の同種の応答信号がパラレルに測定
され、その測定された各応答信号がメモリーにそれぞれ
随時記憶されて行くことを特徴とする請求項1に記載の
半導体装置の電気的特性検査方法。
2. The electrical characteristic of the semiconductor device according to claim 1, wherein a plurality of response signals of the same type are measured in parallel, and the measured response signals are respectively stored in a memory at any time. Inspection methods.
【請求項3】 半導体装置の応答信号を検査する半導体
装置の電気的特性検査装置において、 前記半導体装置からの応答信号を記憶するメモリーと、 そのメモリーに記憶された応答信号を呼び出して予め設
定されている期待値と比較することによって検査を実行
する比較手段と、 を備えていることを特徴とする半導体装置の電気的特性
検査装置。
3. An electrical characteristic inspection device for a semiconductor device, which inspects a response signal of a semiconductor device, wherein a memory for storing a response signal from the semiconductor device and a response signal stored in the memory are called and preset. An electrical characteristic inspection apparatus for a semiconductor device, comprising: a comparison unit that executes an inspection by comparing with an expected value.
JP6275941A 1994-10-14 1994-10-14 Method and device for inspecting electrical characteristics of semiconductor device Pending JPH08114655A (en)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100950510B1 (en) * 2007-05-29 2010-03-30 요코가와 덴키 가부시키가이샤 Semiconductor test system

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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