[go: up one dir, main page]

JPH0810188Y2 - Bonding device - Google Patents

Bonding device

Info

Publication number
JPH0810188Y2
JPH0810188Y2 JP1990054556U JP5455690U JPH0810188Y2 JP H0810188 Y2 JPH0810188 Y2 JP H0810188Y2 JP 1990054556 U JP1990054556 U JP 1990054556U JP 5455690 U JP5455690 U JP 5455690U JP H0810188 Y2 JPH0810188 Y2 JP H0810188Y2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
bonding
temporary bonding
temporary
ball
wafer substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP1990054556U
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPH0415238U (en
Inventor
岩実 浦元
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kaijo Corp
Original Assignee
Kaijo Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kaijo Corp filed Critical Kaijo Corp
Priority to JP1990054556U priority Critical patent/JPH0810188Y2/en
Publication of JPH0415238U publication Critical patent/JPH0415238U/ja
Application granted granted Critical
Publication of JPH0810188Y2 publication Critical patent/JPH0810188Y2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/74Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
    • H01L24/78Apparatus for connecting with wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484Connecting portions
    • H01L2224/48463Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/78Apparatus for connecting with wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/78Apparatus for connecting with wire connectors
    • H01L2224/7825Means for applying energy, e.g. heating means
    • H01L2224/783Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
    • H01L2224/78301Capillary
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Description

【考案の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本考案は半導体集積回路(IC)や大規模集積回路(LS
I)の半導体部品の組立を行うボンディング装置に関
し、特にボンディング作業を行う手順として本ボンディ
ングのタイミングを図る仮ボンディング専用のステーシ
ョンを備えてなるボンディング装置に関する。
[Detailed Description of the Invention] [Industrial Application Field] The present invention is applied to a semiconductor integrated circuit (IC) or a large-scale integrated circuit (LS).
The present invention relates to a bonding apparatus for assembling semiconductor parts of I), and more particularly to a bonding apparatus provided with a station dedicated to temporary bonding for timing the main bonding as a procedure for performing the bonding work.

[背景技術] 従来、この種のボンディング装置における仮ボンディ
ングのボール形成はボンディング作業の開始時等に行わ
れるが、この仮ボンディングはウェハー基板上のICチッ
プ(半導体部品)を認識装置により認識させてICチップ
に不良識別マークが付いているか若しくはICチップに欠
損があるかどうかの情報等を知ることができる。この不
良識別マークの付いているICチップ若しくは欠損のよう
に製品として使用できないICチップ等を選別し、これら
のICチップを用いて行われている。この仮ボンディング
は最初のボンディング時にワイヤ先端にボールが形成さ
れていないとき等に本ボンディングを行うタイミングを
図るためにボール形成を行うものであり、この仮ボンデ
ィングはショート、導通等の事故が発生しない不良ICチ
ップを用いて行う。
BACKGROUND ART Conventionally, ball formation for temporary bonding in this type of bonding apparatus is performed at the start of bonding work, etc., but this temporary bonding is performed by recognizing an IC chip (semiconductor component) on a wafer substrate by a recognition device. Information such as whether the IC chip has a defect identification mark or the IC chip is defective can be known. This is done by selecting an IC chip with a defect identification mark or an IC chip that cannot be used as a product such as a defect, and using these IC chips. In this temporary bonding, balls are formed for the purpose of timing the main bonding when the ball is not formed at the wire tip at the time of initial bonding, and this temporary bonding does not cause an accident such as short circuit or conduction. Perform using defective IC chips.

[考案が解決しようとする課題] しかしながら、従来のボンディング装置により仮ボン
ディングを行う場合には、第1に、カメラ(図示せず)
等よりなる認識装置によりウェハー基板上のICチップの
不良識別マーク等を認識させた後に所定の位置に位置合
わせして仮ボンディングを行わなければならない欠点が
ある。第2に、不良のICチップは良品のICチップと混在
しているためにウェハー基板により夫々位置が異なり、
ウェハー基板を交換する毎に仮ボンディング用の不良IC
チップを選別して仮ボンディングを行わなければならな
い欠点がある。第3に、上記のようにウェハー基板毎に
ICチップの仮ボンディング位置が異なるので、所定の条
件設定等を行うセルフティーチ等により予めマイクロコ
ンピュータ等の制御手段に不良ICチップの条件を記憶設
定しておいてもウェハー交換毎に設定し直さなければな
らないので全自動により仮ボンディングを行うことが困
難であるという欠点がある。第4に、上記のような仮ボ
ンディングのための条件設定等をウェハー基板毎に行わ
なければならないので、作業時間が係り作業効率が低下
する欠点がある。
[Problems to be Solved by the Invention] However, when performing temporary bonding with a conventional bonding apparatus, firstly, a camera (not shown)
However, there is a drawback in that the defective identification mark or the like of the IC chip on the wafer substrate must be recognized by the recognition device including the above, and the temporary bonding must be performed after aligning it with a predetermined position. Second, since defective IC chips are mixed with non-defective IC chips, their positions differ depending on the wafer substrate.
Bad IC for temporary bonding every time the wafer substrate is replaced
There is a drawback in that chips must be selected and temporary bonding must be performed. Third, as described above, for each wafer substrate
Since the temporary bonding position of the IC chip is different, even if the condition of the defective IC chip is stored in advance in the control means such as a microcomputer by self-teaching, etc. which sets the predetermined condition, it must be reset every time the wafer is replaced. Since it has to be done, it is difficult to carry out temporary bonding fully automatically. Fourthly, since the condition setting for temporary bonding and the like as described above have to be performed for each wafer substrate, there is a drawback that the work time is involved and the work efficiency is reduced.

そこで、本考案は上記従来技術の欠点に鑑みなされた
もので、仮ボンディング用の専用のステーションを備え
かつ自動化にも対応可能なボンディング装置を提供する
ことを目的とする。
Therefore, the present invention has been made in view of the above-mentioned drawbacks of the prior art, and an object of the present invention is to provide a bonding apparatus that is provided with a dedicated station for temporary bonding and is also compatible with automation.

[課題を解決するための手段] 本考案は、被ボンディング部品が載置され位置決めさ
れる載置手段と、該載置手段の上方に配置され先端にキ
ャピラリが設けられボンディング接続を行うボンディン
グアームと、該ボンディングアームを上下に揺動させる
揺動手段と、前記キャピラリに挿通されたワイヤ先端に
ボールを形成するボール形成手段とを備えたボンディン
グ装置において、前記載置手段に載置される被ボンディ
ング部品近傍に1以上の仮ボンディング用のステージを
設けるように構成されたものである。
[Means for Solving the Problem] The present invention provides a mounting means on which a component to be bonded is mounted and positioned, and a bonding arm disposed above the mounting means and provided with a capillary at its tip to perform bonding connection. A bonding device equipped with a rocking means for rocking the bonding arm up and down, and a ball forming means for forming a ball at the tip of a wire inserted through the capillary, which is placed on the placing means. It is configured to provide one or more stages for temporary bonding in the vicinity of the component.

[実施例] 次に、本考案の実施例について図面を用いて詳細に説
明する。
Embodiment Next, an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

第1図は本考案に係るボンディング装置の構成を示す
図、第2図は第1図の側面からみた一部断面図である。
FIG. 1 is a diagram showing a structure of a bonding apparatus according to the present invention, and FIG. 2 is a partial cross-sectional view of the side view of FIG.

第1図において、ボンディングヘッド1はX方向及び
Y方向に移動可能なXYテーブル2上に載置されており、
上下方向に揺動可能に支持されている。このボンディン
グヘッド1が下方向に揺動してウェハ基板4上に図示せ
ぬカメラ等よりなる認識装置により認識し、この認識さ
れている条件に従って所望のICチップ上に位置決めされ
てボールバンプ方式によるボンディングを行うように構
成されている。このボンディングヘッド1にはボンディ
ング接続を行うキャピラリ1aが取付けられたボンディン
グアーム1bが設けられている。このキャピラリ1aの中心
の開口部には第3図(a)に示すようにワイヤ8が挿通
して繰出されており、このワイヤ8は図示せぬテンショ
ンクランプにより所定のテンションが加えられている。
また、ワイヤ8の先端に形成されるボール8aは図示せぬ
キャピラリ1aの下方に回動可能なトーチにより形成され
る構成となっている。このボール8aを形成するときはキ
ャピラリ1aの上方に位置する開閉機構を有するカットク
ランプ(図示せず)により握持して、ワイヤ8のテンシ
ョンに抗してワイヤ8の先端とトーチとの間に所定の距
離に設定して行う構成となっている。
In FIG. 1, the bonding head 1 is placed on an XY table 2 which is movable in the X and Y directions.
It is swingably supported in the vertical direction. The bonding head 1 swings downward and is recognized on the wafer substrate 4 by a recognition device such as a camera (not shown), and is positioned on a desired IC chip according to the recognized conditions, and a ball bump method is used. It is configured to perform bonding. The bonding head 1 is provided with a bonding arm 1b to which a capillary 1a for bonding connection is attached. As shown in FIG. 3 (a), a wire 8 is inserted and drawn out through the opening at the center of the capillary 1a, and a predetermined tension is applied to the wire 8 by a tension clamp (not shown).
The ball 8a formed at the tip of the wire 8 is formed by a rotatable torch below the capillary 1a (not shown). When forming the ball 8a, the ball 8a is grasped by a cut clamp (not shown) having an opening / closing mechanism located above the capillary 1a and resisted against the tension of the wire 8 between the tip of the wire 8 and the torch. It is configured to be set at a predetermined distance.

一方、キャピラリ1aの下方に配置されたボンディング
ステージ3は角度θ方向に回動可能なθテーブル7上に
載置されており、このθテーブル7はX方向及びY方向
に移動可能なXYテーブル2′上に載置されている。
On the other hand, the bonding stage 3 arranged below the capillary 1a is placed on a θ table 7 which is rotatable in an angle θ direction, and the θ table 7 is an XY table 2 which is movable in the X and Y directions. 'Is placed on.

上記ボンディングステージ3は第2図に示すような構
成となっており、ウェハー基板4を載置する凹部で形成
されたウェハー基板載置面3aが設けられている。このウ
ェハー基板載置面3aの両端のボンディングステージ3上
面外周部の所定位置2カ所に所定の大きさで形成された
凹部よりなる仮ボンディング用ステージ5a及び5bが設け
られている。この仮ボンディング用ステージ5a及び5bは
仮ボンディングを複数回繰返して使用可能な大きさであ
ればよい。この仮ボンディング用ステージ5a及び5bは2
カ所である必要はなく少なくとも1カ所以上設ければよ
い。また、θテーブル7が設けられていない場合には所
定方向に回動できないので複数個設けるようにすれば作
業効率を向上させることができる。この仮ボンディング
用ステージ5a及び5bには仮ボンディング用板10が載置さ
れる。この仮ボンディング用の板10は仮ボンディング可
能なものであれば使用可能であるが、例えば不良ウェハ
ー基板等を所定の大きさに形成して用いることができ
る。この仮ボンディング用ステージ5a及び5bの下面には
ウェハー基板4が載置されるウェハー基板載置面3aの下
面に形成された真空吸着等により吸引する吸着手段6の
吸着孔3b1及び3b2と連通する吸着孔3c1及び3c2が設けら
れている。この吸着孔3c1及び3c2により仮ボンディング
用板10を吸着でき、交換可能な構成となっている。この
吸着孔3b1,3b2及び3c1,3c2の下方にはウェハ基板4及び
仮ボンディング用板10を過熱するヒーターブロック3dが
配設されている。このヒータブロック3dによりボンディ
ング時にウェハ基板4等を過熱してボンディングする。
The bonding stage 3 has a structure as shown in FIG. 2, and is provided with a wafer substrate mounting surface 3a formed by a recess for mounting the wafer substrate 4. Temporary bonding stages 5a and 5b, which are recesses of a predetermined size, are provided at two predetermined positions on the outer periphery of the upper surface of the bonding stage 3 on both ends of the wafer substrate mounting surface 3a. The temporary bonding stages 5a and 5b may be of a size that allows temporary bonding to be repeated a plurality of times. This temporary bonding stage 5a and 5b has two
It does not have to be provided at one place, and at least one place may be provided. Further, if the θ table 7 is not provided, the table cannot be rotated in the predetermined direction. A temporary bonding plate 10 is placed on the temporary bonding stages 5a and 5b. The temporary bonding plate 10 can be used as long as it can be temporarily bonded. For example, a defective wafer substrate or the like can be formed into a predetermined size and used. On the lower surfaces of the temporary bonding stages 5a and 5b, there are suction holes 3b 1 and 3b 2 of suction means 6 for sucking by vacuum suction or the like formed on the lower surface of the wafer substrate mounting surface 3a on which the wafer substrate 4 is mounted. Adsorption holes 3c 1 and 3c 2 that communicate with each other are provided. The temporary bonding plate 10 can be sucked by the suction holes 3c 1 and 3c 2, and the structure is replaceable. Below the suction holes 3b 1 , 3b 2 and 3c 1 , 3c 2 , a heater block 3d for overheating the wafer substrate 4 and the temporary bonding plate 10 is arranged. By the heater block 3d, the wafer substrate 4 and the like are overheated and bonded at the time of bonding.

上記構成よりなる装置により仮ボンディングを行う手
順について説明する。
A procedure for performing temporary bonding with the apparatus having the above configuration will be described.

今、第3図(a)に示すようにキャピラリ1aの下部に
はワイヤ8の先端に形成されたボール8aがテンションク
ランプにより所定のテンションがかけられて係止されて
いる。この状態で仮ボンディング用ステージ5a若しくは
5bのいずれか一方の上方にボンディングアーム1bをXYテ
ーブル2′により移動させ位置決めさせる。この状態で
ボンディングアーム1bは下方向に等速円運動により移動
してICチップ4nの上面にボール8aを衝突させ所定の加圧
及び過熱が加えられて第2図(b)に示すようにボール
8aを押し潰す。その後、カットクランプによりワイヤ8
を握持してボンディングアーム1bを上方に移動させてA
点でワイヤ8を切断して仮ボンディングを終了する。
Now, as shown in FIG. 3 (a), a ball 8a formed at the tip of the wire 8 is locked to the lower portion of the capillary 1a by a predetermined tension applied by a tension clamp. In this state, the temporary bonding stage 5a or
The bonding arm 1b is moved and positioned by the XY table 2'above either one of the 5b. In this state, the bonding arm 1b moves downward by a uniform circular motion to collide the ball 8a with the upper surface of the IC chip 4n, and a predetermined pressure and overheat are applied to the ball 8a, as shown in FIG. 2 (b).
Crush 8a. Then, cut the wire to wire 8.
Grasp and move the bonding arm 1b upward to move A
The wire 8 is cut at the point to complete the temporary bonding.

次に、本考案の第2の実施例を第4図を用いて説明す
る。
Next, a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.

この第4図はワイヤボンディング装置の平面からみた
概略構成を示している。
FIG. 4 shows a schematic configuration of the wire bonding apparatus as seen from a plane.

図において、このワイヤボンディング装置はローダ15
と、アンローダー15′と、搬送装置16とで構成されてい
る。
In the figure, this wire bonding apparatus is shown as a loader 15
And an unloader 15 'and a transfer device 16.

このローダ15はマガジン内に収納されたリードフレー
ムを順次搬送装置16上に供給する装置であり、アンロー
ダ15′は搬送装置16のボンディングステージ16cでボン
ディングされたリードフレームをマガジン内に収納する
装置である。搬送装置16はリードフレームに配設された
ICチップ上のパッドとリードとをワイヤによりボンディ
ング接続を行うボンディングヘッド16fと、前記リード
フレームをガイドして搬送する第1及び第2のガイドレ
ール16a及び16bと、ボンディングステージ16c上に位置
決めされたリードフレームを過熱するヒータブロック16
d等で構成されている。また、仮ボンディング用ステー
ジ16e1及び16e2は第1及び第2のガイドレール16a及び1
6bの上面に設けられている。この仮ボンディング用ステ
ージ16e1及び16e2の構成は第1図及び第2図に示す仮ボ
ンディング用板を吸着する吸着孔及び吸着手段が設けら
れており、これらの構成は第1の実施例と同じである。
なお、本実施例では第1及び第2のガイドレール16a及
び16bに仮ボンディング用ステージ16e1及び16e2を設け
たのでヒータブロックは配設されていないが、他の公知
の過熱手段を用いて過熱する構成となっている。
The loader 15 is a device that sequentially supplies the lead frames housed in the magazine onto the carrier device 16, and the unloader 15 'is a device that houses the lead frames bonded by the bonding stage 16c of the carrier device 16 into the magazine. is there. The carrier device 16 is mounted on the lead frame.
Positioned on the bonding stage 16c, the bonding head 16f for bonding and connecting the pad and the lead on the IC chip with the wire, the first and second guide rails 16a and 16b for guiding and transporting the lead frame. Heater block 16 that overheats the lead frame
It is composed of d etc. In addition, the temporary bonding stages 16e 1 and 16e 2 are connected to the first and second guide rails 16a and 1e.
It is provided on the upper surface of 6b. The structure of the temporary bonding stages 16e 1 and 16e 2 is provided with a suction hole and a suction means for sucking the temporary bonding plate shown in FIGS. 1 and 2, and these structures are the same as those of the first embodiment. Is the same.
In this embodiment, since the temporary bonding stages 16e 1 and 16e 2 are provided on the first and second guide rails 16a and 16b, the heater block is not provided, but other known heating means are used. It is designed to overheat.

また、仮ボンディング用ステージ16e1及び16e2はボン
ディングヘッド16fの移動範囲内であれば第1及び第2
のガイドレール16a及び16b上に設ける必要はなく、1カ
所以上の箇所に設ければよい。
If the temporary bonding stages 16e 1 and 16e 2 are within the movement range of the bonding head 16f, the first and second
It is not necessary to provide it on the guide rails 16a and 16b, and it may be provided at one or more places.

上記構成よりなる装置により仮ボンディングを行う手
順は第1の実施例と同じであるので説明を省略する。
The procedure for performing the temporary bonding with the device having the above-mentioned configuration is the same as that of the first embodiment, and therefore the description thereof is omitted.

[考案の効果] 以上説明したように本考案によれば、仮ボンディング
用のステージが設けられているので被ボンディング部品
の良・不良の判別をする必要がなく、ウェハー基板を交
換する毎に仮ボンディング用の不良ICチップを選別する
必要がないという効果がある。また、本考案によれば仮
ボンディング用ステージが設けられているので、所定の
条件設定等を制御手段に記憶させることができるので全
自動化が容易となり作業効率が向上する効果がある。
[Advantages of the Invention] As described above, according to the present invention, since the stage for temporary bonding is provided, it is not necessary to determine whether the component to be bonded is good or defective, and the temporary bonding stage is changed every time the wafer substrate is replaced. The effect is that it is not necessary to sort out defective IC chips for bonding. Further, according to the present invention, since the provisional bonding stage is provided, predetermined condition settings and the like can be stored in the control means, and thus there is an effect that full automation is facilitated and work efficiency is improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

第1図は本考案に係るボンディング装置の構成を示す
図、第2図は第1図の一部側面を示す図、第3図(a)
及び第3図(b)は仮ボンディングを行う工程を説明す
る説明図、第4図はワイヤボンディング装置の構成の概
略を説明する図である。 1……ボンディングヘッド、1a……キャピラリ、1b……
ボンディングアーム、2,2′……XYテーブル、3……ボ
ンディングステージ、3a……ウェハ基板載置面、3b1,3b
2,3c1,3c2……吸着孔、3d……ヒーターブロック、4…
…ウェハ基板、5a,5b……仮ボンディング用ステージ、
6……吸着手段、7……θテーブル、8……ワイヤ、8a
……ボール、10……仮ボンディング用板、15……ロー
ダ、15′……アンローダー、16……搬送装置、16e1,16e
2……仮ボンディング用ステージ。
FIG. 1 is a diagram showing a structure of a bonding apparatus according to the present invention, FIG. 2 is a diagram showing a partial side surface of FIG. 1, and FIG. 3 (a).
3 and FIG. 3 (b) are explanatory views for explaining the step of performing temporary bonding, and FIG. 4 is a view for explaining the outline of the configuration of the wire bonding apparatus. 1-bonding head, 1a-capillary, 1b-
Bonding arm, 2, 2 '... XY table, 3 ... Bonding stage, 3a ... Wafer substrate mounting surface, 3b 1 , 3b
2 , 3c 1 , 3c 2 …… Suction hole, 3d …… Heater block, 4…
... Wafer substrate, 5a, 5b ... Temporary bonding stage,
6 ... Suction means, 7 ... θ table, 8 ... Wire, 8a
…… Ball, 10 …… Temporary bonding plate, 15 …… Loader, 15 ′ …… Unloader, 16 …… Transfer device, 16e 1 , 16e
2 …… Temporary bonding stage.

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】[Scope of utility model registration request] 【請求項1】被ボンディング部品が載置され位置決めさ
れる載置手段と、該載置手段の上方に配置され先端にキ
ャピラリが設けられボンディング接続を行うボンディン
グアームと、該ボンディングアームを上下に揺動させる
揺動手段と、前記キャピラリに挿通されたワイヤ先端に
ボールを形成するボール形成手段とを備えたボンディン
グ装置において、前記載置手段に載置される被ボンディ
ング部品近傍に1以上の仮ボンディング用のステージを
設けるようにしたことを特徴とするボンディング装置。
1. A mounting means on which a component to be bonded is mounted and positioned, a bonding arm disposed above the mounting means and provided with a capillary at its tip to perform bonding connection, and the bonding arm is rocked up and down. In a bonding apparatus provided with a swinging means for moving and a ball forming means for forming a ball at a tip of a wire inserted through the capillary, one or more temporary bondings are provided near a bonding target component mounted on the mounting means. A bonding apparatus characterized in that a stage for use is provided.
JP1990054556U 1990-05-28 1990-05-28 Bonding device Expired - Fee Related JPH0810188Y2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1990054556U JPH0810188Y2 (en) 1990-05-28 1990-05-28 Bonding device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1990054556U JPH0810188Y2 (en) 1990-05-28 1990-05-28 Bonding device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH0415238U JPH0415238U (en) 1992-02-06
JPH0810188Y2 true JPH0810188Y2 (en) 1996-03-27

Family

ID=31576723

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP1990054556U Expired - Fee Related JPH0810188Y2 (en) 1990-05-28 1990-05-28 Bonding device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0810188Y2 (en)

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0415238U (en) 1992-02-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0297244A2 (en) Single lead automatic clamping and bonding system
JPH0845994A (en) Bonding method to flip chip substrate
CN107305916A (en) A kind of CSP encapsulation LED chip mounter and its processing technology
US20010013532A1 (en) Apparatus for positioning a thin plate
JP2009200203A (en) Die bonder and die-bonding method
JPH0810188Y2 (en) Bonding device
JP4780858B2 (en) Manufacturing method of semiconductor device
JPH0793305B2 (en) Bump forming method and bump forming apparatus
JP3747054B2 (en) Bonding apparatus and bonding method
CN110750179A (en) Fixing and aligning device for binding flexible panel
US7264994B2 (en) Method of fabricating a semiconductor device
JP4390365B2 (en) Bonding method and apparatus
JPS59186334A (en) Bonding apparatus
JP2746989B2 (en) Chip positioning method and device, inner lead bonding apparatus, and inner lead bonding method
KR0155774B1 (en) Method and device for die bonding
JPH06310569A (en) Face-down bonding method of semiconductor element
JPS6224635A (en) Flip chip bonder
KR102220338B1 (en) Apparatus and method of bonding chips
JPH03206636A (en) Bonding apparatus
JP3253761B2 (en) Outer bonding apparatus and method
KR100295673B1 (en) Lead bonding apparatus for tcp
JP3211801B2 (en) Extra ball detection method
JPS59186333A (en) Bonding apparatus
JP2712592B2 (en) Bonding tool and fixing method
JPH06283894A (en) Device for mounting electronic part

Legal Events

Date Code Title Description
LAPS Cancellation because of no payment of annual fees