JPH0793270B2 - 半導体製造装置及びその使用方法 - Google Patents
半導体製造装置及びその使用方法Info
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- JPH0793270B2 JPH0793270B2 JP3022359A JP2235991A JPH0793270B2 JP H0793270 B2 JPH0793270 B2 JP H0793270B2 JP 3022359 A JP3022359 A JP 3022359A JP 2235991 A JP2235991 A JP 2235991A JP H0793270 B2 JPH0793270 B2 JP H0793270B2
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- wafer
- cleaner
- wafer holder
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
- C23C16/4407—Cleaning of reactor or reactor parts by using wet or mechanical methods
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Description
【０００１】（目次） ・産業上の利用分野 ・従来の技術 ・発明が解決しようとする課題 ・課題を解決するための手段 ・作用 ・実施例 （１）第１の実施例（図２〜図４） （２）第２の実施例（図５，図６） ・発明の効果
【０００２】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体製造装置及びそ
の使用方法に関し、より詳しくは、ＣＶＤ法によりウエ
ハ上に膜形成を行うための半導体製造装置及びその使用
方法に関する。
の使用方法に関し、より詳しくは、ＣＶＤ法によりウエ
ハ上に膜形成を行うための半導体製造装置及びその使用
方法に関する。
【０００３】
【従来の技術】従来、ＣＶＤ装置においては、反応ガス
の化学的反応を利用してウエハ上に膜形成を行っている
ので、ガス分散具のガス放出面には副生成物として不要
なパーティクルが付着し、更にこのパーティクルが剥離
してウエハ上に再付着し、ウエハ汚染の原因となる。従
って、所定のサイクルでＣＶＤ装置のガス分散具のガス
放出面を清浄にすることが必要である。
の化学的反応を利用してウエハ上に膜形成を行っている
ので、ガス分散具のガス放出面には副生成物として不要
なパーティクルが付着し、更にこのパーティクルが剥離
してウエハ上に再付着し、ウエハ汚染の原因となる。従
って、所定のサイクルでＣＶＤ装置のガス分散具のガス
放出面を清浄にすることが必要である。
【０００４】プラズマＣＶＤ装置では、副生成物のパー
ティクルがガス分散具のガス放出面等に付着しても、チ
ャンバ内が減圧できるので、膜形成の後、チャンバ内に
エッチングガスを導入してガス放出面のパーティクルを
簡単に除去することができる。このような方法はin-sit
u クリーニングと呼ばれて実用化されている。
ティクルがガス分散具のガス放出面等に付着しても、チ
ャンバ内が減圧できるので、膜形成の後、チャンバ内に
エッチングガスを導入してガス放出面のパーティクルを
簡単に除去することができる。このような方法はin-sit
u クリーニングと呼ばれて実用化されている。
【０００５】一方、常圧ＣＶＤ装置では、ガス分散具か
ら放出される反応ガス、例えばSiH4-O2 混合ガスやTEOS
-O3 混合ガスの反応生成物がガス放出面にパウダー状の
パーティクルとなって付着する。しかしながら、常圧Ｃ
ＶＤ装置では、通常チャンバ内部を減圧するようになっ
ていないので、プラズマＣＶＤ装置のようにin-situク
リーニングを行うことは不可能である。このため、一旦
ＣＶＤ装置の稼働を停止してガス放出面のパーティクル
を掃除機等で物理的に除去するか、フッ化水素酸（Ｈ
Ｆ）等の薬品で化学的に除去している。
ら放出される反応ガス、例えばSiH4-O2 混合ガスやTEOS
-O3 混合ガスの反応生成物がガス放出面にパウダー状の
パーティクルとなって付着する。しかしながら、常圧Ｃ
ＶＤ装置では、通常チャンバ内部を減圧するようになっ
ていないので、プラズマＣＶＤ装置のようにin-situク
リーニングを行うことは不可能である。このため、一旦
ＣＶＤ装置の稼働を停止してガス放出面のパーティクル
を掃除機等で物理的に除去するか、フッ化水素酸（Ｈ
Ｆ）等の薬品で化学的に除去している。
【０００６】
【解決しようとする課題】従って、常圧ＣＶＤ装置で
は、清浄化のための時間や手間がかかり、装置の稼働率
を低下させている。また、堆積したパウダーが著しく増
加した場合には、除去することが困難になるという問題
もある。
は、清浄化のための時間や手間がかかり、装置の稼働率
を低下させている。また、堆積したパウダーが著しく増
加した場合には、除去することが困難になるという問題
もある。
【０００７】本発明は、かかる従来の問題点に鑑みてな
されたもので、装置の稼働率を低下させることなくチャ
ンバ内で発生する塵を容易に除去することが可能な半導
体製造装置及びその使用方法を提供することを目的とす
るものである。
されたもので、装置の稼働率を低下させることなくチャ
ンバ内で発生する塵を容易に除去することが可能な半導
体製造装置及びその使用方法を提供することを目的とす
るものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記課題は、第１に、ウ
エハ上に膜を形成する反応ガスをガス放出面から放出す
るガス分散具と、該ガス放出面を含む平面と対向するウ
エハ載置面を有するウエハ保持具とを具備し、前記ガス
放出面を含む平面に対向するように、吸引口と該吸引口
と接続されたブラシとを有するクリーナが設けられ、前
記クリーナと前記ガス放出面を含む平面とが対向しつつ
前記クリーナ又は前記ガス分散具のいずれかが移動し、
かつ前記ブラシが前記ガス放出面に接触するようになさ
れていることを特徴とする半導体製造装置によって達成
され、第２に、前記クリーナがウエハ保持具の側部に一
体的に設けられていることを特徴とする第１の発明に記
載の半導体製造装置によって達成され、第３に、第２の
発明に記載の半導体製造装置が回転軸を有し、前記ウエ
ハ保持具及びクリーナが前記回転軸に固定され、前記ウ
エハ保持具及びクリーナと前記ガス放出面を含む平面と
が対向しつつ前記ウエハ保持具及びクリーナが前記回転
軸を中心として回転移動するようになされていることを
特徴とする半導体製造装置によって達成され、第４に、
第２の発明に記載の半導体製造装置が回転軸を有し、前
記ガス分散具が回転軸に固定され、前記ウエハ保持具及
びクリーナと前記ガス放出面を含む平面とが対向しつつ
前記ガス分散具が前記回転軸を中心として回転移動する
ようになされていることを特徴とする半導体製造装置に
よって達成され、第５に、ガス分散具のガス放出面から
放出される反応ガスによりウエハ保持具に載置されたウ
エハ上に膜形成を行う前、又は膜形成を行った後に、前
記ガス分散具又はウエハ保持具を移動させるとともに、
前記ガス放出面をブラッシングしながら、該ブラッシン
グにより前記ガス放出面から剥離した塵を吸引・除去す
ることを特徴とする半導体製造装置の使用方法によって
達成される。
エハ上に膜を形成する反応ガスをガス放出面から放出す
るガス分散具と、該ガス放出面を含む平面と対向するウ
エハ載置面を有するウエハ保持具とを具備し、前記ガス
放出面を含む平面に対向するように、吸引口と該吸引口
と接続されたブラシとを有するクリーナが設けられ、前
記クリーナと前記ガス放出面を含む平面とが対向しつつ
前記クリーナ又は前記ガス分散具のいずれかが移動し、
かつ前記ブラシが前記ガス放出面に接触するようになさ
れていることを特徴とする半導体製造装置によって達成
され、第２に、前記クリーナがウエハ保持具の側部に一
体的に設けられていることを特徴とする第１の発明に記
載の半導体製造装置によって達成され、第３に、第２の
発明に記載の半導体製造装置が回転軸を有し、前記ウエ
ハ保持具及びクリーナが前記回転軸に固定され、前記ウ
エハ保持具及びクリーナと前記ガス放出面を含む平面と
が対向しつつ前記ウエハ保持具及びクリーナが前記回転
軸を中心として回転移動するようになされていることを
特徴とする半導体製造装置によって達成され、第４に、
第２の発明に記載の半導体製造装置が回転軸を有し、前
記ガス分散具が回転軸に固定され、前記ウエハ保持具及
びクリーナと前記ガス放出面を含む平面とが対向しつつ
前記ガス分散具が前記回転軸を中心として回転移動する
ようになされていることを特徴とする半導体製造装置に
よって達成され、第５に、ガス分散具のガス放出面から
放出される反応ガスによりウエハ保持具に載置されたウ
エハ上に膜形成を行う前、又は膜形成を行った後に、前
記ガス分散具又はウエハ保持具を移動させるとともに、
前記ガス放出面をブラッシングしながら、該ブラッシン
グにより前記ガス放出面から剥離した塵を吸引・除去す
ることを特徴とする半導体製造装置の使用方法によって
達成される。
【０００９】
【作用】本発明の半導体製造装置及びその使用方法によ
れば、吸引口と該吸引口と接続されたブラシとを有する
クリーナと、ガス分散具のガス放出面を含む平面とが対
向しつつクリーナ又はガス分散具のいずれかが移動し、
かつブラシがガス放出面と接触するように設けられてい
るので、膜形成前又は膜形成後にブラシがガス放出面を
ブラッシングしながら、同時にこのブラッシングにより
ガス放出面から剥離した塵を吸引口から吸引・除去する
ことにより、チャンバ内に残存する塵を低減することが
できる。
れば、吸引口と該吸引口と接続されたブラシとを有する
クリーナと、ガス分散具のガス放出面を含む平面とが対
向しつつクリーナ又はガス分散具のいずれかが移動し、
かつブラシがガス放出面と接触するように設けられてい
るので、膜形成前又は膜形成後にブラシがガス放出面を
ブラッシングしながら、同時にこのブラッシングにより
ガス放出面から剥離した塵を吸引口から吸引・除去する
ことにより、チャンバ内に残存する塵を低減することが
できる。
【００１０】また、クリーナがウエハ保持具の側部に一
体的に設けられているので、膜形成の前後にガス分散具
又はウエハ保持具を移動させる際にクリーニングでき
る。このため、チャンバを開放せずにチャンバ内で発生
する塵を容易に除去することができる。従って、従来の
ように装置を停止する必要がないので、従来と比較して
装置の稼働率の低下を防止することができる。
体的に設けられているので、膜形成の前後にガス分散具
又はウエハ保持具を移動させる際にクリーニングでき
る。このため、チャンバを開放せずにチャンバ内で発生
する塵を容易に除去することができる。従って、従来の
ように装置を停止する必要がないので、従来と比較して
装置の稼働率の低下を防止することができる。
【００１１】更に、ガス分散具又はウエハ保持具を移動
させる際に頻繁にクリーニングできるので、より高いチ
ャンバ内の清浄度を確保することができる。
させる際に頻繁にクリーニングできるので、より高いチ
ャンバ内の清浄度を確保することができる。
【００１２】また、回転軸にガス分散具、又はウエハ保
持具及びクリーナを固定して回転させることにより、連
続式の自動化されたＣＶＤ装置等の膜形成装置の提供が
可能となる。
持具及びクリーナを固定して回転させることにより、連
続式の自動化されたＣＶＤ装置等の膜形成装置の提供が
可能となる。
【００１３】
【実施例】以下、図面を参照しながら本発明の実施例に
ついて説明する。
ついて説明する。
【００１４】（１）第１の実施例 図２〜図４は本発明の第１の実施例のＣＶＤ装置につい
て説明する構成図で、図２はＣＶＤ装置の全体の構成を
示す側面図、図３は図２のガス分散具及びウエハ保持具
の部分を示す上面図、図４はウエハ保持具に一体的に設
けられたクリーナの詳細を示す側面図である。
て説明する構成図で、図２はＣＶＤ装置の全体の構成を
示す側面図、図３は図２のガス分散具及びウエハ保持具
の部分を示す上面図、図４はウエハ保持具に一体的に設
けられたクリーナの詳細を示す側面図である。
【００１５】図２〜図４において、８はウエハを半導体
製造装置のローダ／アンローダ部９に搬送したり、ロー
ダ／アンローダ部９から搬出したりするロボット、１０
は半導体製造装置のローダ／アンローダ部９に設置され
ているエレベータで、搬送されたウエハをウエハ保持具
11ａ〜11ｅのウエハ載置面12ａ〜12ｅに載置したり、ウ
エハ載置面12ａ〜12ｅから離脱したりするために上下移
動するようになっている。
製造装置のローダ／アンローダ部９に搬送したり、ロー
ダ／アンローダ部９から搬出したりするロボット、１０
は半導体製造装置のローダ／アンローダ部９に設置され
ているエレベータで、搬送されたウエハをウエハ保持具
11ａ〜11ｅのウエハ載置面12ａ〜12ｅに載置したり、ウ
エハ載置面12ａ〜12ｅから離脱したりするために上下移
動するようになっている。
【００１６】11ａ〜11ｅは、ウエハ表面に膜を形成する
間ウエハを保持するためのウエハ保持具で、不図示の排
気装置と接続されている排気口１３や窒素ガスの導入口
１４とパイプ状のアーム１５を介して導通しているチャ
ックにより、ウエハをウエハ載置面12ａ〜12ｅに固定で
き、更に、固定されたウエハをウエハ載置面12ａ〜12ｅ
から離脱することができるようになっている。また、図
３に示すように、回転軸２２を中心としてその周辺部に
５個設けられている。そして、回転軸２２とアーム１５
及びターンテーブル２１を介して固定され回転軸２２の
回転に従って回転軸２２のまわりを回転するようになっ
ている。更に、16ａ〜16ｄは、ウエハ保持具11ａ〜11ｅ
のウエハ載置面12ａ〜12ｅと対向するようにガス放出面
17ａ〜17ｄが設けられた、ウエハに反応ガスを放出する
ためのガス分散具、18ａ，18ｂはウエハ保持具11ｅの両
側部にウエハ保持具11ｅと一体的に設けられたクリーナ
で、図４にその詳細を示すように、ガス分散具16ａ〜16
ｄのガス放出面17ａ〜17ｄに接触するように吸引ダクト
（吸引口）19ａ，19ｂの先端にブラシ20ａ，20ｂが設け
られている。そして、ガス放出面17ａ〜17ｄを含む平面
とブラシ20ａ，20ｂとが対向しつつクリーナ18ａ，18ｂ
が移動し、ガス放出面17ａ〜17ｄをブラシ20ａ，20ｂに
よりブラッシングしながら、ガス放出面17ａ〜17ｄから
剥離した塵を吸引ダクト１９により吸引・除去できるよ
うになっている。更に、吸引ダクト１９は不図示の排気
装置と接続された排気口２３と導通している。
間ウエハを保持するためのウエハ保持具で、不図示の排
気装置と接続されている排気口１３や窒素ガスの導入口
１４とパイプ状のアーム１５を介して導通しているチャ
ックにより、ウエハをウエハ載置面12ａ〜12ｅに固定で
き、更に、固定されたウエハをウエハ載置面12ａ〜12ｅ
から離脱することができるようになっている。また、図
３に示すように、回転軸２２を中心としてその周辺部に
５個設けられている。そして、回転軸２２とアーム１５
及びターンテーブル２１を介して固定され回転軸２２の
回転に従って回転軸２２のまわりを回転するようになっ
ている。更に、16ａ〜16ｄは、ウエハ保持具11ａ〜11ｅ
のウエハ載置面12ａ〜12ｅと対向するようにガス放出面
17ａ〜17ｄが設けられた、ウエハに反応ガスを放出する
ためのガス分散具、18ａ，18ｂはウエハ保持具11ｅの両
側部にウエハ保持具11ｅと一体的に設けられたクリーナ
で、図４にその詳細を示すように、ガス分散具16ａ〜16
ｄのガス放出面17ａ〜17ｄに接触するように吸引ダクト
（吸引口）19ａ，19ｂの先端にブラシ20ａ，20ｂが設け
られている。そして、ガス放出面17ａ〜17ｄを含む平面
とブラシ20ａ，20ｂとが対向しつつクリーナ18ａ，18ｂ
が移動し、ガス放出面17ａ〜17ｄをブラシ20ａ，20ｂに
よりブラッシングしながら、ガス放出面17ａ〜17ｄから
剥離した塵を吸引ダクト１９により吸引・除去できるよ
うになっている。更に、吸引ダクト１９は不図示の排気
装置と接続された排気口２３と導通している。
【００１７】２２は、ウエハ保持具11ａ〜11ｅと一体化
され、ウエハ載置面12ａ〜12ｅが一平面上を移動するよ
うに回転させる回転軸、２４は回転軸２２をウエハ保持
具11ａ〜11ｅを回転させるモータで、例えばダイレクト
ドライブモータが用いられている。25ａ〜25ｅはウエハ
保持具11ａ〜11ｅを保持されている位置を基準として一
定方向に往復直線運動させるためのオシレーションユニ
ット、２６は周辺部にガス分散具16ａ〜16ｄが載置され
た箱状の基台で、基台２６の中心部には、一端にウエハ
保持具11ａ〜11ｅの保持された回転軸２２が回転可能な
ように、回転軸２２の他端が収納されている。２７は回
転軸２２の他端に設けられたソレノイドバルブを制御す
る信号を送るため、スリップリングで、ロータリコネク
タが用いられている。２８はヒータの温度測定用のサー
モカップルの信号を取り出すためのスリップリング、３
１は回転軸２２と共に回転するウエハ保持具11ａ〜11ｅ
に埋め込まれたヒータに接続しているスリップリング、
２９はスリップリング３１と接触している接触子３２と
接続されたスリップリング、３０は一端がスリップリン
グ２９に接触している集電子で、他端は不図示の電源に
接続され、ウエハ保持具11ａ〜11ｅに埋め込まれたヒー
タに直流又は交流の電力を供給する。
され、ウエハ載置面12ａ〜12ｅが一平面上を移動するよ
うに回転させる回転軸、２４は回転軸２２をウエハ保持
具11ａ〜11ｅを回転させるモータで、例えばダイレクト
ドライブモータが用いられている。25ａ〜25ｅはウエハ
保持具11ａ〜11ｅを保持されている位置を基準として一
定方向に往復直線運動させるためのオシレーションユニ
ット、２６は周辺部にガス分散具16ａ〜16ｄが載置され
た箱状の基台で、基台２６の中心部には、一端にウエハ
保持具11ａ〜11ｅの保持された回転軸２２が回転可能な
ように、回転軸２２の他端が収納されている。２７は回
転軸２２の他端に設けられたソレノイドバルブを制御す
る信号を送るため、スリップリングで、ロータリコネク
タが用いられている。２８はヒータの温度測定用のサー
モカップルの信号を取り出すためのスリップリング、３
１は回転軸２２と共に回転するウエハ保持具11ａ〜11ｅ
に埋め込まれたヒータに接続しているスリップリング、
２９はスリップリング３１と接触している接触子３２と
接続されたスリップリング、３０は一端がスリップリン
グ２９に接触している集電子で、他端は不図示の電源に
接続され、ウエハ保持具11ａ〜11ｅに埋め込まれたヒー
タに直流又は交流の電力を供給する。
【００１８】以上のような本発明のＣＶＤ装置によれ
ば、ブラシ20ａ，20ｂと吸引ダクト19ａ，19ｂとを有す
るクリーナ18ａ，18ｂと、ガス分散具16ａ〜16ｄのガス
放出面17ａ〜17ｄを含む平面とが対向しつつクリーナ１
８が移動し、かつブラシ20ａ，20ｂがガス放出面17ａ〜
17ｄと接触するように設けられているので、膜形成前又
は膜形成後にウエハ保持具11ｅを移動する際、ブラシ20
ａ，20ｂがガス放出面17ａ〜17ｄを物理的にこすりなが
ら、同時にこのブラッシングによりガス放出面17ａ〜17
ｄから剥離した塵を吸引ダクト19ａ，19ｂにより吸引・
除去することができる。これにより、チャンバ内に残存
する塵を低減することができる。
ば、ブラシ20ａ，20ｂと吸引ダクト19ａ，19ｂとを有す
るクリーナ18ａ，18ｂと、ガス分散具16ａ〜16ｄのガス
放出面17ａ〜17ｄを含む平面とが対向しつつクリーナ１
８が移動し、かつブラシ20ａ，20ｂがガス放出面17ａ〜
17ｄと接触するように設けられているので、膜形成前又
は膜形成後にウエハ保持具11ｅを移動する際、ブラシ20
ａ，20ｂがガス放出面17ａ〜17ｄを物理的にこすりなが
ら、同時にこのブラッシングによりガス放出面17ａ〜17
ｄから剥離した塵を吸引ダクト19ａ，19ｂにより吸引・
除去することができる。これにより、チャンバ内に残存
する塵を低減することができる。
【００１９】また、クリーナ18ａ，18ｂがウエハ保持具
11ｅの両側部に一体的に設けられているので、膜形成の
前後にウエハ保持具11ｅを移動させる際にクリーニング
できる。このため、チャンバを開放せずにチャンバ内で
発生する塵を容易に除去することができる。従って、従
来のように装置を停止する必要がないので、従来と比較
して装置の稼働率の低下を防止することができる。
11ｅの両側部に一体的に設けられているので、膜形成の
前後にウエハ保持具11ｅを移動させる際にクリーニング
できる。このため、チャンバを開放せずにチャンバ内で
発生する塵を容易に除去することができる。従って、従
来のように装置を停止する必要がないので、従来と比較
して装置の稼働率の低下を防止することができる。
【００２０】更に、ウエハ保持具11ｅを移動させる際に
頻繁にクリーニングできるので、より高いチャンバ内の
清浄度を保持することができる。
頻繁にクリーニングできるので、より高いチャンバ内の
清浄度を保持することができる。
【００２１】また、回転軸２２にウエハ保持具11ａ〜11
ｅ及びクリーナ18ａ，18ｂを固定して回転させることに
より、連続式の自動化されたＣＶＤ装置等の膜形成装置
の提供が可能となる。 なお、第１の実施例では、ウエ
ハ保持具11ｅの両側部にクリーナ18ａ，18ｂが設けられ
ているが、片側のみに設けられていてもよい。また、１
つのウエハ保持具11ｅにのみクリーナ18ａ，18ｂが設け
られているが、全部のウエハ保持具11ａ〜11ｅにクリー
ナ18ａ，18ｂが設けられることもできる。
ｅ及びクリーナ18ａ，18ｂを固定して回転させることに
より、連続式の自動化されたＣＶＤ装置等の膜形成装置
の提供が可能となる。 なお、第１の実施例では、ウエ
ハ保持具11ｅの両側部にクリーナ18ａ，18ｂが設けられ
ているが、片側のみに設けられていてもよい。また、１
つのウエハ保持具11ｅにのみクリーナ18ａ，18ｂが設け
られているが、全部のウエハ保持具11ａ〜11ｅにクリー
ナ18ａ，18ｂが設けられることもできる。
【００２２】更に、ウエハがフェースダウンの状態で膜
形成が行われる場合に適用しているが、フエースアップ
の場合にも適用することができる。
形成が行われる場合に適用しているが、フエースアップ
の場合にも適用することができる。
【００２３】また、クリーナ18ａ，18ｂがウエハ保持具
11ｅと一体的に設けられているが、ウエハ保持具11ｅと
分離して、例えばウエハ保持具11ｅとウエハ保持具11
ａ，又はウエハ保持具11ｅとウエハ保持具11ｄとの間に
位置するようにクリーナ18ａ又は18ｂが単独に回転軸２
２に固定して設けられていてもよい。
11ｅと一体的に設けられているが、ウエハ保持具11ｅと
分離して、例えばウエハ保持具11ｅとウエハ保持具11
ａ，又はウエハ保持具11ｅとウエハ保持具11ｄとの間に
位置するようにクリーナ18ａ又は18ｂが単独に回転軸２
２に固定して設けられていてもよい。
【００２４】更に、ウエハ保持具11ａ〜11ｅ及びクリー
ナ18ａ，18ｂを移動させているが、場合によりウエハ保
持具11ａ〜11ｅ及びクリーナ18ａ，18ｂを固定し、ガス
分散具16ａ〜16ｄを移動させることもできる。
ナ18ａ，18ｂを移動させているが、場合によりウエハ保
持具11ａ〜11ｅ及びクリーナ18ａ，18ｂを固定し、ガス
分散具16ａ〜16ｄを移動させることもできる。
【００２５】（２）第２の実施例 次に、第２の実施例の、図２〜図４に示すＣＶＤ装置を
用いてウエハ上に単一の絶縁膜を形成する方法について
図２〜図６を参照しながら説明する。この場合、ウエハ
保持具が回転軸の回りを一回りする間に所定膜厚のＣＶ
ＤSiO2膜が形成されるようになっている。 まず、図２
に示すように、カセットステーションからロボット８に
より第１のウエハをローダ／アンローダ部９に搬送し、
エレベータ１０に載置する。
用いてウエハ上に単一の絶縁膜を形成する方法について
図２〜図６を参照しながら説明する。この場合、ウエハ
保持具が回転軸の回りを一回りする間に所定膜厚のＣＶ
ＤSiO2膜が形成されるようになっている。 まず、図２
に示すように、カセットステーションからロボット８に
より第１のウエハをローダ／アンローダ部９に搬送し、
エレベータ１０に載置する。
【００２６】次いで、エレベータ１０を上昇させて、第
１のウエハ３３をウエハ保持具11ｅに載置するととも
に、排気口１３から排気し、ウエハ保持具11ｅのチャッ
クと対応するスリップリング２７に信号を送り、ソレノ
イドバルブを開いてチャックにより第１のウエハをウエ
ハ載置面12ｅに固定する。このとき、ウエハ保持具11ａ
〜11ｅと対応するスリップリング３１／接触子３２／ス
リップリング２９／集電子３０を介してすべてのウエハ
保持具11ａ〜11ｅのヒータに電力を供給し、すべてのウ
エハ保持具11ａ〜11ｅのウエハ載置面12ａ〜12ｅの温度
を約350 ℃に保持する。
１のウエハ３３をウエハ保持具11ｅに載置するととも
に、排気口１３から排気し、ウエハ保持具11ｅのチャッ
クと対応するスリップリング２７に信号を送り、ソレノ
イドバルブを開いてチャックにより第１のウエハをウエ
ハ載置面12ｅに固定する。このとき、ウエハ保持具11ａ
〜11ｅと対応するスリップリング３１／接触子３２／ス
リップリング２９／集電子３０を介してすべてのウエハ
保持具11ａ〜11ｅのヒータに電力を供給し、すべてのウ
エハ保持具11ａ〜11ｅのウエハ載置面12ａ〜12ｅの温度
を約350 ℃に保持する。
【００２７】次に、第１のウエハ３３の温度が約350 ℃
に達した後、ガス分散具16ａの直上の位置にウエハ保持
具11ｅを移動させるため回転軸２２を回転する。このと
き、図５（ａ）に示すように、クリーナ18ａのブラシ20
ａがガス分散具16ａのガス放出面17ａをブラッシング
し、前に行われた反応によりガス放出面17ａに付着して
いる塵３４を剥離させるとともに、ブラシ20ａと接続さ
れた吸引ダクト19ａにより剥離した塵３４を吸引し、図
２の排気口２３を通過して装置の外部に除去する。
に達した後、ガス分散具16ａの直上の位置にウエハ保持
具11ｅを移動させるため回転軸２２を回転する。このと
き、図５（ａ）に示すように、クリーナ18ａのブラシ20
ａがガス分散具16ａのガス放出面17ａをブラッシング
し、前に行われた反応によりガス放出面17ａに付着して
いる塵３４を剥離させるとともに、ブラシ20ａと接続さ
れた吸引ダクト19ａにより剥離した塵３４を吸引し、図
２の排気口２３を通過して装置の外部に除去する。
【００２８】次に、図５（ｂ）に示すように、ガス分散
具16ａの直上の位置でウエハ保持具11ｅを停止すると同
時に、ガス分散具16ａのガス放出面17ａから反応ガスと
してＴＥＯＳ−Ｏ3 の混合ガスを放出する。このとき、
SiO2膜の成長レートは約2000Åとなるように調整されて
おり、約１分間この状態を保持することにより、目標と
する膜厚の約１／５の膜厚の約2000ÅのSiO2膜が第１の
ウエハ３３上に形成される。このようにして形成された
SiO2膜は、ガス放出面17ａの塵３４が除去され、このた
め膜形成の間ウエハ３３表面が清浄に保たれているの
で、欠陥等のない良質な膜になる。更に、膜形成の間
中、オシレーションユニット25ｅによりウエハ保持具11
ｅが、保持された位置を中心として放射方向に往復直線
運動を行うことにより、ウエハ３３上への反応ガスの供
給が均一化され、形成されたSiO2膜の膜厚や膜質が均一
になる。なお、この間、上記と同様にして第２のウエハ
をローダ／アンローダ部９に位置するウエハ保持具11ｄ
に載置し、第２のウエハの温度を約350 ℃に加熱してお
く。
具16ａの直上の位置でウエハ保持具11ｅを停止すると同
時に、ガス分散具16ａのガス放出面17ａから反応ガスと
してＴＥＯＳ−Ｏ3 の混合ガスを放出する。このとき、
SiO2膜の成長レートは約2000Åとなるように調整されて
おり、約１分間この状態を保持することにより、目標と
する膜厚の約１／５の膜厚の約2000ÅのSiO2膜が第１の
ウエハ３３上に形成される。このようにして形成された
SiO2膜は、ガス放出面17ａの塵３４が除去され、このた
め膜形成の間ウエハ３３表面が清浄に保たれているの
で、欠陥等のない良質な膜になる。更に、膜形成の間
中、オシレーションユニット25ｅによりウエハ保持具11
ｅが、保持された位置を中心として放射方向に往復直線
運動を行うことにより、ウエハ３３上への反応ガスの供
給が均一化され、形成されたSiO2膜の膜厚や膜質が均一
になる。なお、この間、上記と同様にして第２のウエハ
をローダ／アンローダ部９に位置するウエハ保持具11ｄ
に載置し、第２のウエハの温度を約350 ℃に加熱してお
く。
【００２９】次いで、ガス分散具11ａ，11ｂの直上の位
置にウエハ保持具11ｅ，11ｄを移動させるため、回転軸
２２を回転する。このとき、図５（ｃ）に示すように、
クリーナ18ｂのブラシ20ｂがガス分散具16ａのガス放出
面17ａをブラッシングし、直前に行われた反応により付
着した塵３４を剥離させるとともに、ブラシ20ｂと接続
された吸引ダクト19ｂにより剥離した塵３４を吸引し、
図２の排気口２３を通過して装置の外部に除去する。こ
れにより、続くウエハ上に形成されるSiO2膜について良
好な膜質を維持することができる。
置にウエハ保持具11ｅ，11ｄを移動させるため、回転軸
２２を回転する。このとき、図５（ｃ）に示すように、
クリーナ18ｂのブラシ20ｂがガス分散具16ａのガス放出
面17ａをブラッシングし、直前に行われた反応により付
着した塵３４を剥離させるとともに、ブラシ20ｂと接続
された吸引ダクト19ｂにより剥離した塵３４を吸引し、
図２の排気口２３を通過して装置の外部に除去する。こ
れにより、続くウエハ上に形成されるSiO2膜について良
好な膜質を維持することができる。
【００３０】次に、更に回転軸２２を回転させてガス分
散具11ａ，11ｂの直上の位置にウエハ保持具11ｅ，11ｄ
を停止する。このとき、第２のウエハは既に約350 ℃の
温度に達しているため、直ちに膜形成を開始することが
できる。従って、直ちに、ガス分散具11ａ，11ｂから反
応ガスとしてＴＥＯＳ−Ｏ3 の混合ガスを放出し、約１
分間この状態を保持すると、第１のウエハ３３上には目
標とする膜厚の約１／５の膜厚の約4000ÅのSiO2膜が形
成され、また、第２のウエハ上には目標とする膜厚の約
１／５の膜厚の約2000ÅのSiO2膜が形成される。
散具11ａ，11ｂの直上の位置にウエハ保持具11ｅ，11ｄ
を停止する。このとき、第２のウエハは既に約350 ℃の
温度に達しているため、直ちに膜形成を開始することが
できる。従って、直ちに、ガス分散具11ａ，11ｂから反
応ガスとしてＴＥＯＳ−Ｏ3 の混合ガスを放出し、約１
分間この状態を保持すると、第１のウエハ３３上には目
標とする膜厚の約１／５の膜厚の約4000ÅのSiO2膜が形
成され、また、第２のウエハ上には目標とする膜厚の約
１／５の膜厚の約2000ÅのSiO2膜が形成される。
【００３１】このようにしてウエハをウエハ保持具11
ｃ，11ｂ，11ａにセットして次々にウエハを送り、ウエ
ハ上にSiO2膜を形成していく。そして、再び第１のウエ
ハ３３が回転軸２２の回りを一回りしてローダ／アンロ
ーダ部９に帰ってきたときに第１のウエハ３３上には目
標とする膜厚のSiO2膜が形成されている。
ｃ，11ｂ，11ａにセットして次々にウエハを送り、ウエ
ハ上にSiO2膜を形成していく。そして、再び第１のウエ
ハ３３が回転軸２２の回りを一回りしてローダ／アンロ
ーダ部９に帰ってきたときに第１のウエハ３３上には目
標とする膜厚のSiO2膜が形成されている。
【００３２】次いで、エレベータ１０を上昇し、ウエハ
保持具11ｅのウエハ載置面12ｅのチャックと対応するス
リップリング２７に信号を送って、排気口１３のソレノ
イドバルブを閉じるとともに、窒素ガスの導入口１４の
ソレノイドバルブを開けて窒素ガスをチャックに送ると
第１のウエハ３３がウエハ載置面から離脱して、エレベ
ータ１０上に載置される。次に、ロボット８により第１
のウエハ３３をカセットステーションに搬出する。この
ようにして、次々に所定膜厚のSiO2膜がウエハ上に形成
されてカセットステーションに蓄積されていく。
保持具11ｅのウエハ載置面12ｅのチャックと対応するス
リップリング２７に信号を送って、排気口１３のソレノ
イドバルブを閉じるとともに、窒素ガスの導入口１４の
ソレノイドバルブを開けて窒素ガスをチャックに送ると
第１のウエハ３３がウエハ載置面から離脱して、エレベ
ータ１０上に載置される。次に、ロボット８により第１
のウエハ３３をカセットステーションに搬出する。この
ようにして、次々に所定膜厚のSiO2膜がウエハ上に形成
されてカセットステーションに蓄積されていく。
【００３３】以上のように、第２の実施例のＣＶＤ装置
の使用方法を用いたSiO2膜の作成方法によれば、膜形成
前又は膜形成後にブラシ20ａ，20ｂがガス放出面17ａを
物理的にこすりながら、同時にこのブラッシングにより
ガス放出面17ａから剥離した塵３４を吸引ダクト19ａ，
19ｂにより吸引・除去しているので、チャンバ内に残存
する塵を低減することができる。 また、膜形成の前後
にウエハ保持具11ｅを移動させる際にクリーニングして
いるので、チャンバを開放せずにチャンバ内で発生する
塵を容易に除去することができる。従って、従来のよう
に装置を停止する必要がないので、従来と比較して装置
の稼働率の低下を防止することができる。更に、ウエハ
保持具11ｅを移動させる際に頻繁にクリーニングできる
ので、より高いチャンバ内の清浄度を保持することがで
きる。
の使用方法を用いたSiO2膜の作成方法によれば、膜形成
前又は膜形成後にブラシ20ａ，20ｂがガス放出面17ａを
物理的にこすりながら、同時にこのブラッシングにより
ガス放出面17ａから剥離した塵３４を吸引ダクト19ａ，
19ｂにより吸引・除去しているので、チャンバ内に残存
する塵を低減することができる。 また、膜形成の前後
にウエハ保持具11ｅを移動させる際にクリーニングして
いるので、チャンバを開放せずにチャンバ内で発生する
塵を容易に除去することができる。従って、従来のよう
に装置を停止する必要がないので、従来と比較して装置
の稼働率の低下を防止することができる。更に、ウエハ
保持具11ｅを移動させる際に頻繁にクリーニングできる
ので、より高いチャンバ内の清浄度を保持することがで
きる。
【００３４】更に、回転軸２２にウエハ保持具11ｅ及び
クリーナ18ａ，18ｂを固定して回転させることにより、
連続的にSiO2膜等の形成を行うことができ、スループッ
トの向上を図ることができる。
クリーナ18ａ，18ｂを固定して回転させることにより、
連続的にSiO2膜等の形成を行うことができ、スループッ
トの向上を図ることができる。
【００３５】なお、第２の実施例では、回転軸２２が一
回りする間に膜形成の前後２回のみクリーニングを行っ
ており、実用上これで十分であるが、場合により、更に
他のウエハ保持具の側部にもクリーナを取り付けて、回
転軸が一回りする間に更に多数回のクリーニングを行う
ことにより、チャンバ内を更に清浄に維持することがで
きる。
回りする間に膜形成の前後２回のみクリーニングを行っ
ており、実用上これで十分であるが、場合により、更に
他のウエハ保持具の側部にもクリーナを取り付けて、回
転軸が一回りする間に更に多数回のクリーニングを行う
ことにより、チャンバ内を更に清浄に維持することがで
きる。
【００３６】
【発明の効果】以上のように、本発明の半導体製造装置
及びその使用方法によれば、ブラシと吸引口とを有する
クリーナと、ガス分散具のガス放出面を含む平面とが対
向しつつクリーナ又はガス分散具のいずれかが移動し、
かつブラシがガス放出面と接触するように設けられてい
るので、反応ガスのガス放出面を清浄に維持でき、ウエ
ハ等の上に良質な膜の形成を行うことができる。
及びその使用方法によれば、ブラシと吸引口とを有する
クリーナと、ガス分散具のガス放出面を含む平面とが対
向しつつクリーナ又はガス分散具のいずれかが移動し、
かつブラシがガス放出面と接触するように設けられてい
るので、反応ガスのガス放出面を清浄に維持でき、ウエ
ハ等の上に良質な膜の形成を行うことができる。
【００３７】また、前記クリーナがウエハ保持具の側部
に一体的に設けられているので、膜形成の前後に前記ガ
ス分散具又はウエハ保持具を移動させる際にクリーニン
グできる。このため、従来のように装置を停止する必要
がないので、従来と比較して装置の稼働率の低下を防止
することができる。
に一体的に設けられているので、膜形成の前後に前記ガ
ス分散具又はウエハ保持具を移動させる際にクリーニン
グできる。このため、従来のように装置を停止する必要
がないので、従来と比較して装置の稼働率の低下を防止
することができる。
【００３８】更に、前記ガス分散具又はウエハ保持具を
移動させる際に頻繁にクリーニングできるので、より高
いチャンバ内の清浄度を保持することができる。
移動させる際に頻繁にクリーニングできるので、より高
いチャンバ内の清浄度を保持することができる。
【００３９】また、回転軸にガス分散具、又はウエハ保
持具及びクリーナを固定して回転させることにより、連
続式の自動化されたＣＶＤ装置等の膜形成装置の提供が
可能となり、製造のスループットの向上を図ることがで
きる。
持具及びクリーナを固定して回転させることにより、連
続式の自動化されたＣＶＤ装置等の膜形成装置の提供が
可能となり、製造のスループットの向上を図ることがで
きる。
【図１】本発明の半導体製造装置の原理構成図である。
【図２】本発明の第１の実施例のＣＶＤ装置について説
明する側面構成図である。
明する側面構成図である。
【図３】本発明の第１の実施例のＣＶＤ装置のウエハ保
持具及びガス分散具の詳細について説明する上面構成図
である。
持具及びガス分散具の詳細について説明する上面構成図
である。
【図４】本発明の第１の実施例のＣＶＤ装置のクリーナ
の詳細について説明する側面構成図である。
の詳細について説明する側面構成図である。
【図５】本発明の第２の実施例のＣＶＤ装置の使用方法
について説明する断面図（その１）である。
について説明する断面図（その１）である。
【図６】本発明の第２の実施例のＣＶＤ装置の使用方法
について説明する断面図（その２）である。
について説明する断面図（その２）である。
１，16ａ〜16ｄ ガス分散具、 ２，17ａ，17ｄ ガス放出面、 ３，11ａ〜11ｅ ウエハ保持具、 ４，12ａ〜12ｅ ウエハ載置面、 ５ 吸引口、 ６，19ａ，19ｂ ブラシ、 ７，18ａ，18ｂ クリーナ、 ８ ロボット、 ９ ローダ／アンローダ部、 １０ エレベータ、 １３，２３ 排気口、 １４ 導入口、 １５ アーム、 20ａ，20ｂ 吸引ダクト（吸引口）、 ２１ ターンテーブル、 ２２ 回転軸、 ２４ モータ、 25ａ〜25ｅ オシレーションユニット、 ２６ 基台、 ２７，２８，２９，３１ スリップリング、 ３０ 集電子、 ３２ 接触子、 ３３ ウエハ、 ３４ 塵。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 大平 浩一 東京都港区港南２ー13ー29 株式会社半導 体プロセス研究所内 (72)発明者 広瀬 光雄 東京都港区港南２ー13ー29 キャノン販売 株式会社内
Claims (5)
- 【請求項１】 ウエハ上に膜を形成する反応ガスをガス
放出面から放出するガス分散具と、前記ガス放出面を含
む平面と対向するウエハ載置面を有するウエハ保持具と
を具備し、 前記ガス放出面を含む平面に対向するように、吸引口と
該吸引口と接続されたブラシとを有するクリーナが設け
られ、前記クリーナと前記ガス放出面を含む平面とが対
向しつつ前記クリーナ又は前記ガス分散具のいずれかが
移動し、かつ前記ブラシが前記ガス放出面に接触するよ
うになされていることを特徴とする半導体製造装置。 - 【請求項２】 前記クリーナが前記ウエハ保持具の側部
に一体的に設けられていることを特徴とする請求項１記
載の半導体製造装置。 - 【請求項３】 請求項２記載の半導体製造装置が回転軸
を有し、前記ウエハ保持具及びクリーナが前記回転軸に
固定され、前記ウエハ保持具及びクリーナと前記ガス放
出面を含む平面とが対向しつつ前記ウエハ保持具及びク
リーナが前記回転軸を中心として回転移動するようにな
されていることを特徴とする半導体製造装置。 - 【請求項４】 請求項２記載の半導体製造装置が回転軸
を有し、前記ガス分散具が回転軸に固定され、前記ウエ
ハ保持具及びクリーナと前記ガス放出面を含む平面とが
対向しつつ前記ガス分散具が前記回転軸を中心として回
転移動するようになされていることを特徴とする半導体
製造装置。 - 【請求項５】 ガス分散具のガス放出面から放出される
反応ガスによりウエハ保持具に載置されたウエハ上に膜
形成を行う前、又は膜形成を行った後に、前記ガス分散
具又はウエハ保持具を移動させるとともに、前記ガス放
出面をブラッシングしながら、該ブラッシングにより前
記ガス放出面から剥離した塵を吸引・除去することを特
徴とする半導体製造装置の使用方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3022359A JPH0793270B2 (ja) | 1991-02-15 | 1991-02-15 | 半導体製造装置及びその使用方法 |
| PCT/JP1992/000136 WO1992015115A1 (en) | 1991-02-15 | 1992-02-12 | Semiconductor manufacturing equipment |
| EP92904981A EP0526644B1 (en) | 1991-02-15 | 1992-02-12 | Semiconductor manufacturing equipment |
| DE69203669T DE69203669T2 (de) | 1991-02-15 | 1992-02-12 | Vorrichtung zum herstellen von halbleitern. |
| US07/934,759 US5330577A (en) | 1991-02-15 | 1992-02-12 | Semiconductor fabrication equipment |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3022359A JPH0793270B2 (ja) | 1991-02-15 | 1991-02-15 | 半導体製造装置及びその使用方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06124891A JPH06124891A (ja) | 1994-05-06 |
| JPH0793270B2 true JPH0793270B2 (ja) | 1995-10-09 |
Family
ID=12080441
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3022359A Expired - Lifetime JPH0793270B2 (ja) | 1991-02-15 | 1991-02-15 | 半導体製造装置及びその使用方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5330577A (ja) |
| EP (1) | EP0526644B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0793270B2 (ja) |
| DE (1) | DE69203669T2 (ja) |
| WO (1) | WO1992015115A1 (ja) |
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|---|---|---|---|---|
| JPH0828334B2 (ja) * | 1992-11-30 | 1996-03-21 | 株式会社半導体プロセス研究所 | 半導体装置の製造装置及びその使用方法 |
| US5531861A (en) * | 1993-09-29 | 1996-07-02 | Motorola, Inc. | Chemical-mechanical-polishing pad cleaning process for use during the fabrication of semiconductor devices |
| DE19523442A1 (de) * | 1995-06-28 | 1997-01-02 | Antec Angewandte Neue Technolo | Verfahren zur Beschichtung von Gegenständen aus Metall oder Metall-Legierungen oder entsprechenden Oberflächen |
| US6239038B1 (en) | 1995-10-13 | 2001-05-29 | Ziying Wen | Method for chemical processing semiconductor wafers |
| KR100228141B1 (ko) * | 1997-03-14 | 1999-11-01 | 윤종용 | 웨이퍼 이송 방법 |
| US5932013A (en) * | 1997-04-23 | 1999-08-03 | Advanced Micro Devices, Inc. | Apparatus for cleaning a semiconductor processing tool |
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| US6817057B2 (en) * | 2001-08-30 | 2004-11-16 | Micron Technology, Inc. | Spindle chuck cleaner |
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| JP4884180B2 (ja) * | 2006-11-21 | 2012-02-29 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
| CN102251228B (zh) * | 2011-03-25 | 2015-12-16 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 清洁气体输送装置的方法、生长薄膜的方法及反应装置 |
| CN102181844B (zh) * | 2011-04-07 | 2015-04-22 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 清洁装置及清洁方法、薄膜生长反应装置及生长方法 |
| CN103374711B (zh) * | 2012-04-26 | 2017-08-15 | 塔工程有限公司 | 用于清洁反应室的设备 |
| DE102014109349A1 (de) * | 2014-07-04 | 2016-01-21 | Aixtron Se | Vorrichtung zum Reinigen einer Gasaustrittsfläche eines Gaseinlassorgans eines CVD-Reaktors |
| US11699609B2 (en) * | 2018-09-28 | 2023-07-11 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Automated nozzle cleaning system |
| JP7261675B2 (ja) * | 2019-07-01 | 2023-04-20 | 東京エレクトロン株式会社 | 加熱処理装置及び加熱処理方法 |
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|---|---|---|---|---|
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| JPH04180226A (ja) * | 1990-11-15 | 1992-06-26 | Handotai Process Kenkyusho:Kk | 半導体製造装置及び半導体装置の製造方法 |
-
1991
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