JPH0787129B2 - 基板型抵抗・温度ヒユ−ズ合成体 - Google Patents
基板型抵抗・温度ヒユ−ズ合成体Info
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- JPH0787129B2 JPH0787129B2 JP62017616A JP1761687A JPH0787129B2 JP H0787129 B2 JPH0787129 B2 JP H0787129B2 JP 62017616 A JP62017616 A JP 62017616A JP 1761687 A JP1761687 A JP 1761687A JP H0787129 B2 JPH0787129 B2 JP H0787129B2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01H—ELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
- H01H85/00—Protective devices in which the current flows through a part of fusible material and this current is interrupted by displacement of the fusible material when this current becomes excessive
- H01H85/02—Details
- H01H85/04—Fuses, i.e. expendable parts of the protective device, e.g. cartridges
Landscapes
- Fuses (AREA)
- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
- Structure Of Printed Boards (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は基板型抵抗・温度ヒューズ合成体の改良に関す
るものである。
るものである。
（従来の技術） 回路の抵抗体が過電流により異常発熱すると、その抵抗
体近傍の他の回路部分までもが熱的に損傷するので、低
抗体近傍に温度ヒューズを設け、抵抗体が異常発熱する
以前の所定の発熱温度で温度ヒューズを溶断作動させ
て、回路の通電を遮断することが知られており、かかる
機能を営む回路部品として、本出願人においては、絶縁
基板の片面に所定パターンの膜導体を設け、温度ヒュー
ズエレメントとしてのフラックス塗布低融点金属体の膜
抵抗とをこの膜導体の途中に設け、同絶縁基板の片面に
絶縁層を被覆したものを提案した（実開昭63−97207号
公報参照）。
体近傍の他の回路部分までもが熱的に損傷するので、低
抗体近傍に温度ヒューズを設け、抵抗体が異常発熱する
以前の所定の発熱温度で温度ヒューズを溶断作動させ
て、回路の通電を遮断することが知られており、かかる
機能を営む回路部品として、本出願人においては、絶縁
基板の片面に所定パターンの膜導体を設け、温度ヒュー
ズエレメントとしてのフラックス塗布低融点金属体の膜
抵抗とをこの膜導体の途中に設け、同絶縁基板の片面に
絶縁層を被覆したものを提案した（実開昭63−97207号
公報参照）。
この基板型抵抗・温度ヒューズ合成体においては、過電
流に基づく膜抵抗の発生熱で低融点金属体を溶融させ、
既に溶融しているフラックスで溶融低融点金属体の酸化
物を溶解・洗浄し、このフラックス共存下で溶融金属の
表面張力による球状化を促し、この球状化の進行により
溶融金属を分断させて、通電を遮断している。
流に基づく膜抵抗の発生熱で低融点金属体を溶融させ、
既に溶融しているフラックスで溶融低融点金属体の酸化
物を溶解・洗浄し、このフラックス共存下で溶融金属の
表面張力による球状化を促し、この球状化の進行により
溶融金属を分断させて、通電を遮断している。
＜発明が解決しようとする課題＞ この従来の基板型抵抗・温度ヒューズ合成体において
は、１箇の膜抵抗に対し１箇の温度ヒューズエレメント
を設けているが、温度ヒューズエレメントは、回路の使
用期間中のごく短時間、即ち、膜抵抗の異常発熱時のみ
に必要とされるものであり、１箇の膜抵抗に対し１箇の
温度ヒューズエレメントを設けることは、回路構成の複
雑化を招来することになる。
は、１箇の膜抵抗に対し１箇の温度ヒューズエレメント
を設けているが、温度ヒューズエレメントは、回路の使
用期間中のごく短時間、即ち、膜抵抗の異常発熱時のみ
に必要とされるものであり、１箇の膜抵抗に対し１箇の
温度ヒューズエレメントを設けることは、回路構成の複
雑化を招来することになる。
また、基板型抵抗・温度ヒューズ合成体においては、溶
融低融点金属体の迅速・スムーズな球状化分断のため
に、低融点金属体へのフラックスの塗着が不可欠であ
り、このフラックスにおいては、金属酸化物を溶解する
強い活性力を有するが、従来の基板型抵抗・温度ヒュー
ズ合成体においては、フラックス塗着低融点金属体と膜
抵抗とを絶縁基板の同一両側に設けているので、フラッ
クスが膜抵抗に付着して膜抵抗の抵抗値がフラックスの
活性力のために変化する畏れがある。
融低融点金属体の迅速・スムーズな球状化分断のため
に、低融点金属体へのフラックスの塗着が不可欠であ
り、このフラックスにおいては、金属酸化物を溶解する
強い活性力を有するが、従来の基板型抵抗・温度ヒュー
ズ合成体においては、フラックス塗着低融点金属体と膜
抵抗とを絶縁基板の同一両側に設けているので、フラッ
クスが膜抵抗に付着して膜抵抗の抵抗値がフラックスの
活性力のために変化する畏れがある。
尤も、上記実開昭63−97207号公報記載の基板型抵抗・
温度ヒューズ合成体では、膜抵抗上にガラス層を塗布・
焼き付けているが、ガラスの塗布時に低融点金属体取付
部分（電極）にガラスが付着し、低融点金属体の取付に
支障が生じる畏れがある。
温度ヒューズ合成体では、膜抵抗上にガラス層を塗布・
焼き付けているが、ガラスの塗布時に低融点金属体取付
部分（電極）にガラスが付着し、低融点金属体の取付に
支障が生じる畏れがある。
本発明の目的は、二箇の抵抗体に対し一箇の温度ヒュー
ズエレメントを共用でき、しかも小型で良好な性能の基
板型抵抗・温度ヒューズ合成体を提供することにある。
ズエレメントを共用でき、しかも小型で良好な性能の基
板型抵抗・温度ヒューズ合成体を提供することにある。
＜課題を解決するための手段＞ 本発明に係る基板型抵抗・温度ヒューズ合成体は、絶縁
基板における片面の横幅のほぼ中央位置に、縦方向に間
隔を隔てて一対の電極が設けられ、これらの電極間に低
融点金属体が接続され、この低融点金属体上にフラック
ス層が設けられ、前記の各電極にリード線が接続され、
上記絶縁基板の他面に上記低融点金属体を通る縦方向線
を中心として左右対称の二箇の２端子膜抵抗が設けら
れ、上記絶縁基板の両面に絶縁層が設けられていること
を特徴とする構成である。
基板における片面の横幅のほぼ中央位置に、縦方向に間
隔を隔てて一対の電極が設けられ、これらの電極間に低
融点金属体が接続され、この低融点金属体上にフラック
ス層が設けられ、前記の各電極にリード線が接続され、
上記絶縁基板の他面に上記低融点金属体を通る縦方向線
を中心として左右対称の二箇の２端子膜抵抗が設けら
れ、上記絶縁基板の両面に絶縁層が設けられていること
を特徴とする構成である。
（実施例） 以下、図面により本発明を説明する。
第１図Ａは本発明に係る基板型抵抗・温度ヒューズ合成
体を示す上面説明図、第１図Ｂは同合成体を示す裏面説
明図である。
体を示す上面説明図、第１図Ｂは同合成体を示す裏面説
明図である。
第１図Ａ並びに第１図Ｂにおいて、１は耐熱性並びに熱
良伝導性の絶縁基板、例えばセラミックス板である。2,
…は絶縁基板１における片面の横幅のほぼ中央位置に、
縦方向に間隔を隔てて設けられた一対の層状電極、3,…
は各電極2,…に接続したリード線である。４は電極間に
橋設した帯状の低融点金属体、５は低融点金属体上に設
けたフラックス層である。6,6は絶縁基板の他面に設け
られた二箇の２端子膜抵抗であり、抵抗ペースト（酸化
金属粉末とガラスフリットとの混合物）の印刷・焼き付
けにより形成してある。この２端子膜抵抗6,6は上記低
融点金属体を通る縦方向線Ｙ−Ｙを中心として左右対称
に対称に設けられている。20,……は二端子膜抵抗の端
子となる電極、30,…はこれらの各電極に接続したリー
ド線である。この電極20,…並びに上記の電極2,…は、
導電ペースト（銀または銅粉末とガラスフリットとの混
合物）の印刷・焼き付けにより形成することができる。
７・７は、絶縁基板の両面に被覆した絶縁層、例えば加
熱硬化性エポキシ樹脂のモールド層である。
良伝導性の絶縁基板、例えばセラミックス板である。2,
…は絶縁基板１における片面の横幅のほぼ中央位置に、
縦方向に間隔を隔てて設けられた一対の層状電極、3,…
は各電極2,…に接続したリード線である。４は電極間に
橋設した帯状の低融点金属体、５は低融点金属体上に設
けたフラックス層である。6,6は絶縁基板の他面に設け
られた二箇の２端子膜抵抗であり、抵抗ペースト（酸化
金属粉末とガラスフリットとの混合物）の印刷・焼き付
けにより形成してある。この２端子膜抵抗6,6は上記低
融点金属体を通る縦方向線Ｙ−Ｙを中心として左右対称
に対称に設けられている。20,……は二端子膜抵抗の端
子となる電極、30,…はこれらの各電極に接続したリー
ド線である。この電極20,…並びに上記の電極2,…は、
導電ペースト（銀または銅粉末とガラスフリットとの混
合物）の印刷・焼き付けにより形成することができる。
７・７は、絶縁基板の両面に被覆した絶縁層、例えば加
熱硬化性エポキシ樹脂のモールド層である。
上記の基板型抵抗・温度ヒューズ合成体においては第２
図に示すように、並列接続した機器または回路の多数箇
の２箇Zn,Zn+1に対して共用し、当該合成体の各膜抵抗
６・６を各機器の抵抗素子として使用する。また、低融
点金属体４は、各機器の継電回路Rn,Rn+1に挿入してあ
り、機器電流が基準電流I0（例えば、通常電流の10％増
電流であり、機器は安全である）以上となり、かつ低融
点金属体４が溶断すると、継電回路が作動して機器の通
電を遮断する。而して、機器Zn,（Zn+1）に過大電流が
流れるとその機器Zn,（Zn+1）の膜抵抗6,（６）が発熱
し、この発熱を低融点金属体４が受熱して溶融し、この
溶融金属４が溶融フラックスの共存下、表面張力のため
に溶断する。
図に示すように、並列接続した機器または回路の多数箇
の２箇Zn,Zn+1に対して共用し、当該合成体の各膜抵抗
６・６を各機器の抵抗素子として使用する。また、低融
点金属体４は、各機器の継電回路Rn,Rn+1に挿入してあ
り、機器電流が基準電流I0（例えば、通常電流の10％増
電流であり、機器は安全である）以上となり、かつ低融
点金属体４が溶断すると、継電回路が作動して機器の通
電を遮断する。而して、機器Zn,（Zn+1）に過大電流が
流れるとその機器Zn,（Zn+1）の膜抵抗6,（６）が発熱
し、この発熱を低融点金属体４が受熱して溶融し、この
溶融金属４が溶融フラックスの共存下、表面張力のため
に溶断する。
この場合、機器中何れの機器に過大電流が流れても、そ
の機器の通電電流が前記した基準電流I0以上であり、か
つ低融点金属体の溶断があるから、その機器の通電を遮
断できる。
の機器の通電電流が前記した基準電流I0以上であり、か
つ低融点金属体の溶断があるから、その機器の通電を遮
断できる。
また、両機器の通電電流が基準電流I0以上となっても、
上記過大電流以下であれば、低融点金属体の溶断がな
く、従って、機器の誤遮断作動を回避できる。
上記過大電流以下であれば、低融点金属体の溶断がな
く、従って、機器の誤遮断作動を回避できる。
上記について、低融点金属体と膜抵抗とを絶縁基板の異
なる面に設けているので、これらを絶縁基板の同一面側
に設けている従来の基板型抵抗・温度ヒューズ合成体と
は異なり、膜抵抗と低融点金属体との膜導体による熱的
結合が不可となるが、絶縁基板に厚み0.3mm〜1.5mmとい
った薄いセラミックス板を使用することにより、膜抵抗
の発生熱の低融点金属体への熱伝達性を充分に保証でき
る。
なる面に設けているので、これらを絶縁基板の同一面側
に設けている従来の基板型抵抗・温度ヒューズ合成体と
は異なり、膜抵抗と低融点金属体との膜導体による熱的
結合が不可となるが、絶縁基板に厚み0.3mm〜1.5mmとい
った薄いセラミックス板を使用することにより、膜抵抗
の発生熱の低融点金属体への熱伝達性を充分に保証でき
る。
上記低融点金属体４を通る縦方向線を中心線として左右
対象の二箇の２端子膜抵抗6,6は、第３図Ａ並びに第３
図Ｂに示すように、２端子膜抵抗の端子を構成する電極
を低融点金属体と直角方向に向けて設けることもでき
る。
対象の二箇の２端子膜抵抗6,6は、第３図Ａ並びに第３
図Ｂに示すように、２端子膜抵抗の端子を構成する電極
を低融点金属体と直角方向に向けて設けることもでき
る。
電熱工学上から明らかなように、近接配置の抵抗体と低
融点金属体との間において、抵抗体に熱量Ｑが発生した
とき、抵抗体発熱後、ｔ時間経過時での低融点金属体の
温度上昇ΔＴは ΔＴ＝Qz（１−ｅ−αｔ） で与えられる。ここで、αは抵抗体から低融点金属体へ
熱伝達に対する時定数であり、抵抗体と低融点金属体と
の間の熱抵抗をｒ、熱容量をｃとすれば、α＝1/rcで与
えられる。また、ｚは定常状態に達した時（ｔ→∞）の
低融点金属体の温度上昇をΔT0とすれば、ΔT0/Qで与え
られ、抵抗体と低融点金属体との間の熱伝達媒質によっ
て定まる定数（熱伝達インピーダンス）である。
融点金属体との間において、抵抗体に熱量Ｑが発生した
とき、抵抗体発熱後、ｔ時間経過時での低融点金属体の
温度上昇ΔＴは ΔＴ＝Qz（１−ｅ−αｔ） で与えられる。ここで、αは抵抗体から低融点金属体へ
熱伝達に対する時定数であり、抵抗体と低融点金属体と
の間の熱抵抗をｒ、熱容量をｃとすれば、α＝1/rcで与
えられる。また、ｚは定常状態に達した時（ｔ→∞）の
低融点金属体の温度上昇をΔT0とすれば、ΔT0/Qで与え
られ、抵抗体と低融点金属体との間の熱伝達媒質によっ
て定まる定数（熱伝達インピーダンス）である。
而るに、本発明に係る基板型抵抗・温度ヒューズ合成体
においては、膜抵抗が低融点金属体を通る縦方向線を中
心として左右対称に設けられているから、各膜抵抗と低
融点金属体との間の熱伝達時定数α並びに熱伝達インピ
ーダンスｚが等しく、抵抗体の発生熱量Ｑが同じであれ
ば、何れの膜抵抗によっても低融点金属体を同等に温度
上昇させ得、等しい作動時間で低融点金属体を溶断作動
させることができ、何れの膜抵抗からも不均衡なく良好
に低融点金属体を溶断作動させることができる。
においては、膜抵抗が低融点金属体を通る縦方向線を中
心として左右対称に設けられているから、各膜抵抗と低
融点金属体との間の熱伝達時定数α並びに熱伝達インピ
ーダンスｚが等しく、抵抗体の発生熱量Ｑが同じであれ
ば、何れの膜抵抗によっても低融点金属体を同等に温度
上昇させ得、等しい作動時間で低融点金属体を溶断作動
させることができ、何れの膜抵抗からも不均衡なく良好
に低融点金属体を溶断作動させることができる。
（発明の効果） 上述した通り本発明に係る基板型抵抗・温度ヒューズ合
成体においては、一箇の低融点金属体に対し二箇の二端
子膜抵抗を設けているから、各二端子膜抵抗を一の機器
の異なる２ヵ所の回路部位に挿入接続し、これらの何れ
かの膜抵抗の発熱で低融点金属体を溶断作動させて当該
機器への通電を遮断することができる。
成体においては、一箇の低融点金属体に対し二箇の二端
子膜抵抗を設けているから、各二端子膜抵抗を一の機器
の異なる２ヵ所の回路部位に挿入接続し、これらの何れ
かの膜抵抗の発熱で低融点金属体を溶断作動させて当該
機器への通電を遮断することができる。
また、膜抵抗が低融点金属体を通る縦方向線を中心とし
て左右対称に設けられているから、各膜抵抗から低融点
金属体に至る熱伝達特性を等しくでき、何れの膜抵抗か
らも不均衡なく良好に低融点金属体を溶断作動させるこ
とができる。更に、二箇の膜抵抗を充分に近づけても、
低融点金属体の電極の面積を充分に大きくでき、低融点
金属体のリード線を機器の所定の回路部位にはんだ付け
する場合、リード線を伝ってくるはんだ熱をその電極で
よく吸収させて低融点金属体が溶融損傷するのを良好に
防止できる。また、膜抵抗と低融点金属体とを熱良伝導
性の薄いセラミックス絶縁板（厚さ0.3〜1.5mm）を介し
て熱的に結合してあるから、熱伝達性に秀れ、高感度を
保証できる。
て左右対称に設けられているから、各膜抵抗から低融点
金属体に至る熱伝達特性を等しくでき、何れの膜抵抗か
らも不均衡なく良好に低融点金属体を溶断作動させるこ
とができる。更に、二箇の膜抵抗を充分に近づけても、
低融点金属体の電極の面積を充分に大きくでき、低融点
金属体のリード線を機器の所定の回路部位にはんだ付け
する場合、リード線を伝ってくるはんだ熱をその電極で
よく吸収させて低融点金属体が溶融損傷するのを良好に
防止できる。また、膜抵抗と低融点金属体とを熱良伝導
性の薄いセラミックス絶縁板（厚さ0.3〜1.5mm）を介し
て熱的に結合してあるから、熱伝達性に秀れ、高感度を
保証できる。
第１図Ａは、本発明に係る基板型抵抗・温度ヒューズ合
成体を示す上面説明図、第１図Ｂは同合成体を示す裏面
説明図、第２図は本発明に係る合成体の使用状態を示す
説明図、第３図Ａは本発明の別実施例を示す上面説明
図、第３図Ｂは同別実施例を示す裏面説明図である。 図において、１は絶縁基板、４は低融点金属体、６・６
は膜抵抗、７・７は絶縁層である。
成体を示す上面説明図、第１図Ｂは同合成体を示す裏面
説明図、第２図は本発明に係る合成体の使用状態を示す
説明図、第３図Ａは本発明の別実施例を示す上面説明
図、第３図Ｂは同別実施例を示す裏面説明図である。 図において、１は絶縁基板、４は低融点金属体、６・６
は膜抵抗、７・７は絶縁層である。
Claims (1)
- 【請求項１】絶縁基板における片面の横幅のほぼ中央位
置に、縦方向に間隔を隔てて一対の電極を設けられ、こ
れらの電極間に低融点金属体が接続され、この低融点金
属体上にフラックス層が設けられ、前記の各電極にリー
ド線が接続され、上記絶縁基板の他面に上記低融点金属
体を通る縦方向線を中心として左右対称の二箇の２端子
膜抵抗が設けられ、上記絶縁基板の両面に絶縁層が設け
られていることを特徴とする基板型抵抗・温度ヒューズ
合成体。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62017616A JPH0787129B2 (ja) | 1987-01-27 | 1987-01-27 | 基板型抵抗・温度ヒユ−ズ合成体 |
| KR870005332A KR880009407A (ko) | 1987-01-27 | 1987-05-28 | 기판형저항, 온도퓨즈 합성체 |
| KR2019900019499U KR910000806Y1 (ko) | 1987-01-27 | 1990-12-11 | 기판형 온도, 온도퓨즈 합성체 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62017616A JPH0787129B2 (ja) | 1987-01-27 | 1987-01-27 | 基板型抵抗・温度ヒユ−ズ合成体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63185002A JPS63185002A (ja) | 1988-07-30 |
| JPH0787129B2 true JPH0787129B2 (ja) | 1995-09-20 |
Family
ID=11948810
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62017616A Expired - Fee Related JPH0787129B2 (ja) | 1987-01-27 | 1987-01-27 | 基板型抵抗・温度ヒユ−ズ合成体 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0787129B2 (ja) |
| KR (1) | KR880009407A (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2790433B2 (ja) * | 1993-08-31 | 1998-08-27 | ソニー株式会社 | 保護素子及び回路基板 |
| JP3067011B2 (ja) * | 1994-11-30 | 2000-07-17 | ソニーケミカル株式会社 | 保護素子及びその製造方法 |
| JP4708310B2 (ja) | 2006-06-19 | 2011-06-22 | 三菱電機株式会社 | 回路遮断装置 |
| KR101434135B1 (ko) * | 2014-03-17 | 2014-08-26 | 스마트전자 주식회사 | 퓨즈 저항기 |
| KR101529836B1 (ko) * | 2014-12-16 | 2015-06-29 | 스마트전자 주식회사 | 퓨즈 저항기 및 그 제조방법 |
| KR101529835B1 (ko) * | 2014-12-16 | 2015-06-29 | 스마트전자 주식회사 | 퓨즈 저항기 및 그 제조방법 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0616456Y2 (ja) * | 1983-08-29 | 1994-04-27 | 松下電器産業株式会社 | 温度過昇防止装置 |
| JPS6112206U (ja) * | 1984-06-25 | 1986-01-24 | 内橋エステック株式会社 | 温度スイツチ付抵抗器 |
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