JPH0781127B2 - 近赤外線吸収剤用組成物並に近赤外線吸収材料及びそれらを含有した成形体 - Google Patents
近赤外線吸収剤用組成物並に近赤外線吸収材料及びそれらを含有した成形体Info
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- JPH0781127B2 JPH0781127B2 JP63183329A JP18332988A JPH0781127B2 JP H0781127 B2 JPH0781127 B2 JP H0781127B2 JP 63183329 A JP63183329 A JP 63183329A JP 18332988 A JP18332988 A JP 18332988A JP H0781127 B2 JPH0781127 B2 JP H0781127B2
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Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は銅化合物とチオアミド系誘導体からなる近赤外
線吸収剤用組成物並びに近赤外線吸収材料およびそれら
を含有しない成形体に関するものである。
線吸収剤用組成物並びに近赤外線吸収材料およびそれら
を含有しない成形体に関するものである。
近赤外線吸収材料は最近とくに研究開発が盛んに行われ
ている機能材料であり、近赤外領域の波長を有する半導
体レーザー光等を光源とする感光材料、光ディスク用記
録材料などの情報記録材料、赤外線カットフィルターや
フィルム等の光学材料および感熱材料と組み合せた光−
熱交換型記録材料等として利用することができる。
ている機能材料であり、近赤外領域の波長を有する半導
体レーザー光等を光源とする感光材料、光ディスク用記
録材料などの情報記録材料、赤外線カットフィルターや
フィルム等の光学材料および感熱材料と組み合せた光−
熱交換型記録材料等として利用することができる。
［従来の技術］ これまでに開発された近赤外線吸収材料としては、特公
昭60−42269号公報にクロム，コバルト錯塩、特開昭60
−21294号公報にチオールニッケル錯体、特開昭61−115
958号公報にアントラキノン誘導体、特開昭61−218551
号公報には700−800nmの領域に極大吸収波長のある新規
スクアリリウム化合物が開示されている。
昭60−42269号公報にクロム，コバルト錯塩、特開昭60
−21294号公報にチオールニッケル錯体、特開昭61−115
958号公報にアントラキノン誘導体、特開昭61−218551
号公報には700−800nmの領域に極大吸収波長のある新規
スクアリリウム化合物が開示されている。
更に、このほか、「近赤外吸収色素」（化学工業37巻、
５号、43頁〜、1986）にもみられるように、ニトロソ化
合物及びその金属錯塩、ポリメチン系色素（シアニン色
素）、チオールとコバルト，白金，パラジウムとの錯
塩、フタロシアニン系色素、トリアリルメタン系色素、
インモニウム、ジインモニウム系色素、ナフトキノン系
色素等が知られている。
５号、43頁〜、1986）にもみられるように、ニトロソ化
合物及びその金属錯塩、ポリメチン系色素（シアニン色
素）、チオールとコバルト，白金，パラジウムとの錯
塩、フタロシアニン系色素、トリアリルメタン系色素、
インモニウム、ジインモニウム系色素、ナフトキノン系
色素等が知られている。
［発明が解決しようとする課題］ 従来の近赤外線吸収材料は、有機系のものは耐久性が悪
く環境条件の変化や時間の経過にともなって初期の能力
が劣化してくるという問題点があり、一方錯体系のもの
は耐久性があるが近赤外部のみならず可視部にも吸収が
あり化合物そのものが強く着色しているものが多く用途
が制限されてしまうといった問題があった。更に、どち
らの系統のものも特定の波長において吸収ピークがみら
れ、そのピークからはずれた波長では殆んど吸収能はな
いものであった。これらの素材を利用して、たとえば近
赤外部の波長を有するレーザー光を光源とする記録体を
考えると、レーザーの波長と材料の吸収ピークを合せる
必要がある。しかしレーザーの波長も近赤外吸収材料の
吸収波長も限られたものしか得られないから、レーザー
の波長と近赤外線吸収材料の吸収ビークが合致する組み
合せは極く限られたものにならざるを得ず、吸収能力、
耐久性、着色、経済性等を総合すると実際上使用できる
組合はないに等しく、使用できる分野も極めて限られて
いた。
く環境条件の変化や時間の経過にともなって初期の能力
が劣化してくるという問題点があり、一方錯体系のもの
は耐久性があるが近赤外部のみならず可視部にも吸収が
あり化合物そのものが強く着色しているものが多く用途
が制限されてしまうといった問題があった。更に、どち
らの系統のものも特定の波長において吸収ピークがみら
れ、そのピークからはずれた波長では殆んど吸収能はな
いものであった。これらの素材を利用して、たとえば近
赤外部の波長を有するレーザー光を光源とする記録体を
考えると、レーザーの波長と材料の吸収ピークを合せる
必要がある。しかしレーザーの波長も近赤外吸収材料の
吸収波長も限られたものしか得られないから、レーザー
の波長と近赤外線吸収材料の吸収ビークが合致する組み
合せは極く限られたものにならざるを得ず、吸収能力、
耐久性、着色、経済性等を総合すると実際上使用できる
組合はないに等しく、使用できる分野も極めて限られて
いた。
そこで本発明は、700〜2,000ppmの近赤外線領域全体に
一様に吸収がみられ、着色が少なくかつ耐久性が優れた
近赤外線吸収材料、簡単に近赤外線吸収材料とすること
ができる組成物ならびにこれらを含有した成形体の提供
を課題とした。
一様に吸収がみられ、着色が少なくかつ耐久性が優れた
近赤外線吸収材料、簡単に近赤外線吸収材料とすること
ができる組成物ならびにこれらを含有した成形体の提供
を課題とした。
［課題を解決するための手段］ 上記課題は、一般式（Ｉ） （式中R1,R2は、水素、アルキル基、アルケニル基、シ
クロアルキル基、アリール基、アラルキル基および５員
または６員の複素環残基からなる郡から選ばれた一価
基、又はR2はアルコキシ基を表わし、各基は１個以上の
置換基を有していてもよく、R1とR2は連結して環を形成
してもよい）から選択された少なくとも１種のチオアミ
ド誘導体と、少なくとも１種の銅化合物とを含有する近
赤外線吸収剤用組成物、あるいはこれらの組成物を加熱
処理して得られる反応物からなる近赤外吸収材料あるい
はこれらを含有した成形体とすることにより解決され
た。
クロアルキル基、アリール基、アラルキル基および５員
または６員の複素環残基からなる郡から選ばれた一価
基、又はR2はアルコキシ基を表わし、各基は１個以上の
置換基を有していてもよく、R1とR2は連結して環を形成
してもよい）から選択された少なくとも１種のチオアミ
ド誘導体と、少なくとも１種の銅化合物とを含有する近
赤外線吸収剤用組成物、あるいはこれらの組成物を加熱
処理して得られる反応物からなる近赤外吸収材料あるい
はこれらを含有した成形体とすることにより解決され
た。
本発明で使用する一般式（Ｉ）で示されるチオアミド誘
導体として以下のものを例示できるが、これらに限定さ
れるものではない。
導体として以下のものを例示できるが、これらに限定さ
れるものではない。
又、本発明で使用する銅化合物は一般式（II） （Ｒ−Ｘ）nCu （II） （式中、Ｒは水素、アルキル基、シクロアルキル基、ア
リール基、アラルキル基および複素環残基（各基は１個
以上の置換基を有していてもよい）を表わし、Ｘは−CO
O,−SO4,−SO3,−PO4,−Ｏを示し、ｎは１〜４の整数）
あるいはクロロフィル銅、銅クロロフィリンナトリウ
ム、ビスアセチルアセトナト銅から選ばれる少なくとも
一種である。一般式（II）で示される具体的な化合物と
して、下記のものを例示できるが、これらに限定される
ものではない。
リール基、アラルキル基および複素環残基（各基は１個
以上の置換基を有していてもよい）を表わし、Ｘは−CO
O,−SO4,−SO3,−PO4,−Ｏを示し、ｎは１〜４の整数）
あるいはクロロフィル銅、銅クロロフィリンナトリウ
ム、ビスアセチルアセトナト銅から選ばれる少なくとも
一種である。一般式（II）で示される具体的な化合物と
して、下記のものを例示できるが、これらに限定される
ものではない。
ステアリン酸銅、バナミチン酸銅、オレイン酸銅、ベヘ
ン酸銅、ラウリル酸銅、カブリン酸銅、カプロン酸銅、
吉草酸銅、イソ酪酸銅、酪酸銅、プロピオン酸銅、酢酸
銅、ギ酸銅、水酸化銅、安息香酸銅、オルトトルイル酸
銅、メタトルイル酸銅、パラトルイル酸銅、パラターシ
ャリブチル安息香酸銅、オルトクロル安息香酸銅、メタ
クロル安息香酸銅、パラクロル安息香酸銅、ジクロル安
息香酸銅、トリクロル安息香酸銅、ｐ−ブロム安息香酸
銅、ｐ−ヨード安息香酸銅、ｐ−フェニル安息香酸銅、
ｏ−ベンゾイル安息香酸銅、ｐ−ニトロ安息香酸銅、ア
ントラニル酸銅、ｐ−アミノ安息香酸銅、シュウ酸銅、
マロン酸銅、コハク酸銅、グルタル酸銅、アジピン酸
銅、ピメリン酸銅、スベリン酸銅、アゼライン酸銅、セ
バシン酸銅、フタル酸銅、モノエステルフタル酸銅、ナ
フテン酸ン銅、ナフタリンカルボン酸銅、酒石酸銅、ジ
フェニルアミン−２−カルボン酸銅、４−シクロヘキシ
ル酪酸銅、ジエチルジチオカルバミン酸銅、グルコン酸
銅、ジエトキシ銅、ジ−ｉ−プロポキシ銅、ジ−ｎ−ブ
トキシ銅、オクチル酸銅、アルキルベンゼンスルホン酸
銅、ｐ−トルエンスルホン酸銅、ナフタリンスルホン酸
銅、ナフチルアミンスルホン酸銅、ｎ−ドデシルベンゼ
ンスルホン酸銅、ドデシル硫酸銅、2,5−ジメチルベン
ゼンスルホン酸銅、−カルボメトキシ−５−メチルベン
ゼンスルホン酸銅、α−ナフチルリン酸銅、ステアルリ
ン酸銅、ラウリルリン酸銅、ジ−２−エチルヘキシルリ
ン酸銅、イソデシルリン酸銅。
ン酸銅、ラウリル酸銅、カブリン酸銅、カプロン酸銅、
吉草酸銅、イソ酪酸銅、酪酸銅、プロピオン酸銅、酢酸
銅、ギ酸銅、水酸化銅、安息香酸銅、オルトトルイル酸
銅、メタトルイル酸銅、パラトルイル酸銅、パラターシ
ャリブチル安息香酸銅、オルトクロル安息香酸銅、メタ
クロル安息香酸銅、パラクロル安息香酸銅、ジクロル安
息香酸銅、トリクロル安息香酸銅、ｐ−ブロム安息香酸
銅、ｐ−ヨード安息香酸銅、ｐ−フェニル安息香酸銅、
ｏ−ベンゾイル安息香酸銅、ｐ−ニトロ安息香酸銅、ア
ントラニル酸銅、ｐ−アミノ安息香酸銅、シュウ酸銅、
マロン酸銅、コハク酸銅、グルタル酸銅、アジピン酸
銅、ピメリン酸銅、スベリン酸銅、アゼライン酸銅、セ
バシン酸銅、フタル酸銅、モノエステルフタル酸銅、ナ
フテン酸ン銅、ナフタリンカルボン酸銅、酒石酸銅、ジ
フェニルアミン−２−カルボン酸銅、４−シクロヘキシ
ル酪酸銅、ジエチルジチオカルバミン酸銅、グルコン酸
銅、ジエトキシ銅、ジ−ｉ−プロポキシ銅、ジ−ｎ−ブ
トキシ銅、オクチル酸銅、アルキルベンゼンスルホン酸
銅、ｐ−トルエンスルホン酸銅、ナフタリンスルホン酸
銅、ナフチルアミンスルホン酸銅、ｎ−ドデシルベンゼ
ンスルホン酸銅、ドデシル硫酸銅、2,5−ジメチルベン
ゼンスルホン酸銅、−カルボメトキシ−５−メチルベン
ゼンスルホン酸銅、α−ナフチルリン酸銅、ステアルリ
ン酸銅、ラウリルリン酸銅、ジ−２−エチルヘキシルリ
ン酸銅、イソデシルリン酸銅。
上記チオアミド誘導体と銅化合物は単独では近赤外領域
の吸収は殆んど無いか、有っても特定の波長はわずかに
吸収するのみである。又、これらの化合物を単独で加熱
処理を行なっても近赤外線吸収性に実質的変化はみられ
ない。しかしチオアミド誘導体と銅化合物を混合したも
のは単に加熱処理することによって近赤外領域全域にわ
たりほぼ一様に且つ強い吸収を有するものとなる。
の吸収は殆んど無いか、有っても特定の波長はわずかに
吸収するのみである。又、これらの化合物を単独で加熱
処理を行なっても近赤外線吸収性に実質的変化はみられ
ない。しかしチオアミド誘導体と銅化合物を混合したも
のは単に加熱処理することによって近赤外領域全域にわ
たりほぼ一様に且つ強い吸収を有するものとなる。
本発明の一般式（Ｉ）で示されるチオアミド誘導体と一
般式（II）で示される化合物あるいはビスアセチルアセ
トナト銅、クロロフィル銅、銅クロロフィリンナトリウ
ムを共存させただけでは、強い近赤外線吸収を示すもの
ではない。しかしこの組成物あるいはこの組成物を含有
した成形体は、必要な時何等かの方法により熱エネルギ
ーを与えれば、与えた部分はただちに近赤外線を強く吸
収する性質を具備するようになる。熱エネルギーを印加
された部分は可視部に殆んど吸収を持たないので、この
部分は加熱パターンの潜像となる。従って本発明の組成
物のこの性質の変化を利用すれば、加熱パターンの検出
装置や適当な現象手段によって記録紙とすることもでき
る。
般式（II）で示される化合物あるいはビスアセチルアセ
トナト銅、クロロフィル銅、銅クロロフィリンナトリウ
ムを共存させただけでは、強い近赤外線吸収を示すもの
ではない。しかしこの組成物あるいはこの組成物を含有
した成形体は、必要な時何等かの方法により熱エネルギ
ーを与えれば、与えた部分はただちに近赤外線を強く吸
収する性質を具備するようになる。熱エネルギーを印加
された部分は可視部に殆んど吸収を持たないので、この
部分は加熱パターンの潜像となる。従って本発明の組成
物のこの性質の変化を利用すれば、加熱パターンの検出
装置や適当な現象手段によって記録紙とすることもでき
る。
又、本発明のチオアミド化合物と銅化合物を含有する組
成物を加熱処理して得られる生成物は、強い近赤外線の
ほぼ全領域にわたり強い吸収性を有していることから、
近赤外線の検出装置のほか、各種の近赤外領域に波長を
有するレーザー光を利用した記録システムを構築するこ
とが可能となる。
成物を加熱処理して得られる生成物は、強い近赤外線の
ほぼ全領域にわたり強い吸収性を有していることから、
近赤外線の検出装置のほか、各種の近赤外領域に波長を
有するレーザー光を利用した記録システムを構築するこ
とが可能となる。
近赤外線吸収性の度合いはチオアミド誘導体と銅化合物
の種類と比率、加熱温度、加熱時間などを調節すること
により、任意に調整できる。
の種類と比率、加熱温度、加熱時間などを調節すること
により、任意に調整できる。
チオアミド誘導体と銅化合物は、配合比に従ってこのま
ま配合して組成物としてもよく、バインダー、パルプ、
熱可塑性樹脂粉末等とともに混合し、更に必要に応じ着
色剤等の添加剤を加えて混合した組成物とすることもで
きる。
ま配合して組成物としてもよく、バインダー、パルプ、
熱可塑性樹脂粉末等とともに混合し、更に必要に応じ着
色剤等の添加剤を加えて混合した組成物とすることもで
きる。
又、適当な溶媒もしくは分散媒中に混合溶解もしくは分
散するか、バインダーや着色剤等を溶解した媒体中に混
合分散して組成物としてもよい。このような組成物とし
ては塗料や充填剤等がある。混合の程度及び成形体への
含有量あるいは他の物質との配合量は、加熱処理を行な
ったとき、チオアミド誘導体と銅化合物同志が固体のま
まあるいは、どちらか一方又は両方が溶融して互に十分
接触し得る状態になる程度になされていれば良いのであ
る。
散するか、バインダーや着色剤等を溶解した媒体中に混
合分散して組成物としてもよい。このような組成物とし
ては塗料や充填剤等がある。混合の程度及び成形体への
含有量あるいは他の物質との配合量は、加熱処理を行な
ったとき、チオアミド誘導体と銅化合物同志が固体のま
まあるいは、どちらか一方又は両方が溶融して互に十分
接触し得る状態になる程度になされていれば良いのであ
る。
チオアミド誘導体と銅化合物とを含有する組成物あるい
は、この組成物を加熱処理して得られる近赤外線吸収材
料を成形体に含有させる方法は、これら成形体を構成す
る材料と混合し成形するか、それぞれを分散させたスラ
リーを成形体に噴霧、塗工、印刷等により塗布あるいは
含浸させればよい。成形体は、パルプ，繊維，熱可塑性
樹脂、セラミック等を抄く，織る，加熱成形するなど公
知の材料と方法でフィルム、シート，板状，棒状あるい
は特定の物品の形状等とし、必要に応じ二次加工して作
成する。
は、この組成物を加熱処理して得られる近赤外線吸収材
料を成形体に含有させる方法は、これら成形体を構成す
る材料と混合し成形するか、それぞれを分散させたスラ
リーを成形体に噴霧、塗工、印刷等により塗布あるいは
含浸させればよい。成形体は、パルプ，繊維，熱可塑性
樹脂、セラミック等を抄く，織る，加熱成形するなど公
知の材料と方法でフィルム、シート，板状，棒状あるい
は特定の物品の形状等とし、必要に応じ二次加工して作
成する。
近赤外線吸収性を発現させるための加熱処理方法は、２
成分が反応して近赤外線吸収能が得られる熱エネルギー
が付加できるものであれば特に制限はなく、例えば電気
ヒーター、誘導加熱、フィルム等溶融成形、サーマルヘ
ッド、半導体レーザーおよび赤外線ランプ等を上げるこ
とができる。加熱操作は、大気雰囲気下、不活性雰囲気
ガス中などの任意な雰囲気下にて行なわれるが、通常は
大気雰囲気下にて行なわれる。
成分が反応して近赤外線吸収能が得られる熱エネルギー
が付加できるものであれば特に制限はなく、例えば電気
ヒーター、誘導加熱、フィルム等溶融成形、サーマルヘ
ッド、半導体レーザーおよび赤外線ランプ等を上げるこ
とができる。加熱操作は、大気雰囲気下、不活性雰囲気
ガス中などの任意な雰囲気下にて行なわれるが、通常は
大気雰囲気下にて行なわれる。
加熱温度は、一般に40〜400℃範囲内であって、好まし
くは、50〜350℃の範囲である。加熱時間は、一般には
数ミリ秒〜数十分の範囲内である、又、撹拌、回転、振
動を加えて、物質相互の接触頻度を上げ、熱エネルギー
の伝達を均一にして反応を速めるとともに混合状態を均
一化することは好ましい方法である。
くは、50〜350℃の範囲である。加熱時間は、一般には
数ミリ秒〜数十分の範囲内である、又、撹拌、回転、振
動を加えて、物質相互の接触頻度を上げ、熱エネルギー
の伝達を均一にして反応を速めるとともに混合状態を均
一化することは好ましい方法である。
チオアミド誘導体と銅化合物の配合比率は両者の種類に
よって異なるが、一般には銅化合物１部に対してチオア
ミド化合物0.01部〜50部の範囲であって好ましくは0.1
〜10部の範囲である。
よって異なるが、一般には銅化合物１部に対してチオア
ミド化合物0.01部〜50部の範囲であって好ましくは0.1
〜10部の範囲である。
［作 用］ 上記の如く、一般式（Ｉ）のチオアミド誘導体と水酸化
銅あるいは一般式（II）の銅化合物あるいはビスアセチ
ルアセトナト銅、クロロフィル銅、銅クロロフィリンナ
トリウムとを含有した混合物は、加熱処理することによ
って700〜2,000nmの全域にわたりほぼ一様に近赤外線を
吸収するのようになるが、その理由は明らかではない。
銅あるいは一般式（II）の銅化合物あるいはビスアセチ
ルアセトナト銅、クロロフィル銅、銅クロロフィリンナ
トリウムとを含有した混合物は、加熱処理することによ
って700〜2,000nmの全域にわたりほぼ一様に近赤外線を
吸収するのようになるが、その理由は明らかではない。
以下に示す実施例および比較例から明らかなように、チ
オアミド誘導体あるいは銅化合物をそれぞれ単独で加熱
処理しても700〜2,000nmの近赤外線領域全域にわたりほ
ぼ一様にかつ強く近赤外線を吸収することはなく、単に
混合しただけでも同様であることからすれば、チオアミ
ド誘導体と銅化合物とをともに含有した混合物を加熱処
理することにより、チオアミド誘導体と銅化合物との間
で何らかの反応が起き、コンプレックスが生じているこ
とによると推定される。
オアミド誘導体あるいは銅化合物をそれぞれ単独で加熱
処理しても700〜2,000nmの近赤外線領域全域にわたりほ
ぼ一様にかつ強く近赤外線を吸収することはなく、単に
混合しただけでも同様であることからすれば、チオアミ
ド誘導体と銅化合物とをともに含有した混合物を加熱処
理することにより、チオアミド誘導体と銅化合物との間
で何らかの反応が起き、コンプレックスが生じているこ
とによると推定される。
［実施例］ 次に本発明の実施例を記載する。実施例中の部は重量部
である。
である。
［実施例１］ 表１のNo.1,No.3,No.5のチオアミド誘導体と銅化合物の
それぞれ下記の処方で平均粒径３μ程度になるまでアト
ライターで湿式摩砕する。
それぞれ下記の処方で平均粒径３μ程度になるまでアト
ライターで湿式摩砕する。
（Ａ）液 No.1,No.3,No.5のチオアミド誘導体 20部 10％ポリビニルアルコール水溶液 50〃 水 30〃 計 100部 （Ｂ）液 No.1,No.3,No.5の銅化合物 20部 10％ポリビニルアルコール水溶液 50〃 水 30〃 計 100部 （Ａ）液50部（Ｂ）液50部を混合し、秤量60g/m2の上質
紙上にメイヤーバーを用いて塗布量が5g/m2になるよう
に塗布乾燥して記録紙を得る。
紙上にメイヤーバーを用いて塗布量が5g/m2になるよう
に塗布乾燥して記録紙を得る。
得られた記録シートはいずれも白色から淡青色であり塗
工面を表面温度150℃のメタルブロックに５秒間接触さ
せたところ淡鴬色に発色した。
工面を表面温度150℃のメタルブロックに５秒間接触さ
せたところ淡鴬色に発色した。
それぞれの発色部分の近赤外吸収性は800、900、1,00
0、1,500,2,000nmの各波長の吸収値の平均が80％以上で
高い近赤外線吸収性を示した。
0、1,500,2,000nmの各波長の吸収値の平均が80％以上で
高い近赤外線吸収性を示した。
又、感熱型バーコードラベルプリンター（メカスポット
ロン社製BW−100T）で感熱印字させた。いずれも淡鴬色
のバーコードパターンが得られ、このパターンは、940n
mの近赤外領域の波長を有する半導体レーザー光を読み
取り光源とするバーコードリーダ（メカスポットロン社
製MS−Ba−Dec230）で明瞭読み取ることが出来た。
ロン社製BW−100T）で感熱印字させた。いずれも淡鴬色
のバーコードパターンが得られ、このパターンは、940n
mの近赤外領域の波長を有する半導体レーザー光を読み
取り光源とするバーコードリーダ（メカスポットロン社
製MS−Ba−Dec230）で明瞭読み取ることが出来た。
［実施例２］ 表１に示す組合せNo.1〜No.23のチオアミド化合物５部
と銅化合物５部を陶製ルツボにとり、混合したもの10部
を電気オーブンで150℃、15秒間加熱処理した。得られ
た淡く着色した粉末状反応生成物を上質紙の上に一定の
厚さに固定し、その表面の反射率を分光光度計（日本分
光（株）UVIDEC−590）を使用して800〜2,500nmの近赤
外領域の反射スペクトルを測定した。
と銅化合物５部を陶製ルツボにとり、混合したもの10部
を電気オーブンで150℃、15秒間加熱処理した。得られ
た淡く着色した粉末状反応生成物を上質紙の上に一定の
厚さに固定し、その表面の反射率を分光光度計（日本分
光（株）UVIDEC−590）を使用して800〜2,500nmの近赤
外領域の反射スペクトルを測定した。
近赤外線吸収性の判定は、800、900、1,000、1,500、2,
000nmの各波長の反射率を100から引いた値を吸収値と
し、吸収値の平均が80％以上のものを◎、60％以上を
○、30％以上を△、30％以下を×とした。平均して30％
以上の近赤外線吸収性を示すものが本発明の近赤外線吸
収材料である。本実施例のNo.1〜No.23の組合せの反応
生成物の近赤外線吸収性は表−１に示したごとく全て平
均して60％以上であった。
000nmの各波長の反射率を100から引いた値を吸収値と
し、吸収値の平均が80％以上のものを◎、60％以上を
○、30％以上を△、30％以下を×とした。平均して30％
以上の近赤外線吸収性を示すものが本発明の近赤外線吸
収材料である。本実施例のNo.1〜No.23の組合せの反応
生成物の近赤外線吸収性は表−１に示したごとく全て平
均して60％以上であった。
［比較例１］ 表２に示すチオアミド化合物、もしくは銅化合物は各々
単独で上記条件で加熱処理し、得られたものについて近
赤外線領域の反射スペクトルを測定し、実施例２と同様
に近赤外線吸収性を評価した。結果は表２に示したよう
に全て30％以下の近赤外線吸収性しかなかった。
単独で上記条件で加熱処理し、得られたものについて近
赤外線領域の反射スペクトルを測定し、実施例２と同様
に近赤外線吸収性を評価した。結果は表２に示したよう
に全て30％以下の近赤外線吸収性しかなかった。
本発明のチオアミド誘導体と銅化合物を単独で加熱処理
した場合、混合のみの場合、混合して加熱処理した場合
の近赤外線吸収性の変化を詳細に示すために、Ｎ−フェ
ニルチオベンツアミドとｐ−クロル安息香酸銅を混合し
て加熱処理した実施例２のNo.1、単に混合したたけで加
熱処理を行わなかった実施例1No.1、およびＮ−フェニ
ルチオベンツアミドとｐ−クロル安息香酸銅をそれぞれ
単独で加熱処理した比較例１のNo.1とNo.4の800〜2,000
nmの範囲の近赤外線反射スペクトルを第１図に示した。
した場合、混合のみの場合、混合して加熱処理した場合
の近赤外線吸収性の変化を詳細に示すために、Ｎ−フェ
ニルチオベンツアミドとｐ−クロル安息香酸銅を混合し
て加熱処理した実施例２のNo.1、単に混合したたけで加
熱処理を行わなかった実施例1No.1、およびＮ−フェニ
ルチオベンツアミドとｐ−クロル安息香酸銅をそれぞれ
単独で加熱処理した比較例１のNo.1とNo.4の800〜2,000
nmの範囲の近赤外線反射スペクトルを第１図に示した。
第１図によればＮ−フェニルチオベンツアミドとｐ−ク
ロル安息香酸銅を混合加熱処理した実施例２、No.1の近
赤外線吸収性はそれぞれ単独加熱および混合しただけの
ものに比べ劇的に強くなっており、測定全波長領域にわ
たり90％以上の吸収を示している。
ロル安息香酸銅を混合加熱処理した実施例２、No.1の近
赤外線吸収性はそれぞれ単独加熱および混合しただけの
ものに比べ劇的に強くなっており、測定全波長領域にわ
たり90％以上の吸収を示している。
［実施例３］ 表３に示すNo.24からNo.32のチオアミド化合物と銅化合
物を各々別々に下記組成とする。
物を各々別々に下記組成とする。
（Ａ液） チオアミド化合物 50部 10％ポリビニルアルコール水溶液 25部 水 125部 （Ｂ液） 銅化合物 50部 10％ポリビニルアルコール水溶液 25部 水 125部 上記の組成物の各液をアトライターで平均粒子径１ミク
ロンまで摩砕した。次いで表３に示す割合で分散液を混
合して塗液とし、上記各塗液を50g/m2の上質紙の片面に
固型分で3.0g/m2になるように塗布し乾燥した。このシ
ートを150℃の熱板に10g/m2の圧力で５秒間押しつけ加
熱処理し、近赤外線吸収性シートを作成した。
ロンまで摩砕した。次いで表３に示す割合で分散液を混
合して塗液とし、上記各塗液を50g/m2の上質紙の片面に
固型分で3.0g/m2になるように塗布し乾燥した。このシ
ートを150℃の熱板に10g/m2の圧力で５秒間押しつけ加
熱処理し、近赤外線吸収性シートを作成した。
このシートの近赤外線吸収性を実施例２と同様な方法で
測定評価し、塗布面の地色及び近赤外線吸収性の熱、湿
度、光に対する保存安定性を下記の方法で測定し、結果
を表−３に示した。
測定評価し、塗布面の地色及び近赤外線吸収性の熱、湿
度、光に対する保存安定性を下記の方法で測定し、結果
を表−３に示した。
地色：加熱処理後の塗布面の反射濃度をマクベス濃度計
（RD−914、アンバーフィルター）で測定した。
（RD−914、アンバーフィルター）で測定した。
耐熱性：シートを60℃のオーブン中に24時間放置した
後、再度赤外反射率を分光光度計（波長1,000nm）で測
定した。耐熱保存性は下記式により近赤外線吸収性の残
存率で評価した。
後、再度赤外反射率を分光光度計（波長1,000nm）で測
定した。耐熱保存性は下記式により近赤外線吸収性の残
存率で評価した。
耐湿性：近赤外線吸収性シートを40℃,90％RHの条件に
放置し、24時間後、赤外反射率を分光光度計（波長1,00
0nm）で測定した。耐湿保存性は下記式により算出した
近赤外線吸収性の残存率で評価した。
放置し、24時間後、赤外反射率を分光光度計（波長1,00
0nm）で測定した。耐湿保存性は下記式により算出した
近赤外線吸収性の残存率で評価した。
耐光性：近赤外線吸収性シートをフェードメータで６時
間光照射した後、赤外反射率を分光光度計（波長1,000n
m）で測定した。耐光保存性は下記式により算出した近
赤外線吸収性の残存率で評価した。
間光照射した後、赤外反射率を分光光度計（波長1,000n
m）で測定した。耐光保存性は下記式により算出した近
赤外線吸収性の残存率で評価した。
［比較例２］ 実施例３で使用したチオアミド誘導体又は銅化合物のＡ
液又はＢ液の分散液を、それぞれ単独で、実施例３と同
様にして塗布乾燥して、加熱処理した後近赤外線吸収性
を測定した。
液又はＢ液の分散液を、それぞれ単独で、実施例３と同
様にして塗布乾燥して、加熱処理した後近赤外線吸収性
を測定した。
表−３によれば、チオアミド化合物は銅化合物の水分散
液を混合して塗布乾燥したシートは、加熱処理により強
い近赤外線吸収性シートとなることが明らかである。
又、この近赤外線吸収性は、加熱や加湿あるいは露光に
よって殆んど低下せず、取扱いや保存の環境条件の変化
に対して安定性が高いものであることがわかる。シート
面は若干着色しているが灰色に近いから余り目立たず、
白色顔料を配合すれば白紙に近いものが得られる程度で
あった。
液を混合して塗布乾燥したシートは、加熱処理により強
い近赤外線吸収性シートとなることが明らかである。
又、この近赤外線吸収性は、加熱や加湿あるいは露光に
よって殆んど低下せず、取扱いや保存の環境条件の変化
に対して安定性が高いものであることがわかる。シート
面は若干着色しているが灰色に近いから余り目立たず、
白色顔料を配合すれば白紙に近いものが得られる程度で
あった。
又、チオアミド誘導体あるいは銅化合物の分散液単独で
塗布乾燥したシートは、加熱処理によっても近赤外線吸
収性を実質的に示さない。従って近赤外線吸収性の保存
テストは行わなかった。
塗布乾燥したシートは、加熱処理によっても近赤外線吸
収性を実質的に示さない。従って近赤外線吸収性の保存
テストは行わなかった。
［発明の効果］ 本発明の近赤外線吸収剤用組成物及びそれを含有したシ
ートはほぼ無色であって、熱が印加された部分はただち
に近赤外線吸収性を示すようになる。又これらの組成物
及びこの組成物を含有したシートを加熱処理したもの、
あるいは組成物を加熱処理したものを含有したシートは
800〜2,000nmの近赤外領域全域にわたる強い吸収性を有
している。これらの性質を利用することによって熱履歴
の検出装置や、近赤外線カットフィルターなどの光学材
料、記録材料、熱線遮断材料、蓄熱材料、近赤外線検出
センサー等として利用できる。
ートはほぼ無色であって、熱が印加された部分はただち
に近赤外線吸収性を示すようになる。又これらの組成物
及びこの組成物を含有したシートを加熱処理したもの、
あるいは組成物を加熱処理したものを含有したシートは
800〜2,000nmの近赤外領域全域にわたる強い吸収性を有
している。これらの性質を利用することによって熱履歴
の検出装置や、近赤外線カットフィルターなどの光学材
料、記録材料、熱線遮断材料、蓄熱材料、近赤外線検出
センサー等として利用できる。
本発明の組成物あるいはこの組成物を加熱処理して得ら
れる生成物は、金属を含んでいるにもかかわらず着色が
少いから、これらを含有したフィルムや紙等の成形体は
外観が優れたものとなる。
れる生成物は、金属を含んでいるにもかかわらず着色が
少いから、これらを含有したフィルムや紙等の成形体は
外観が優れたものとなる。
本発明の近赤外線吸収剤用組成物、近赤外線吸収材料又
はこれらを含有した成形体の近赤外線吸収性は、いずれ
も、経時的にも環境条件の変化に対して高い安定性を示
し、変質することもない。
はこれらを含有した成形体の近赤外線吸収性は、いずれ
も、経時的にも環境条件の変化に対して高い安定性を示
し、変質することもない。
更に、本発明の近赤外線吸収剤用組成物、近赤外線吸収
材料の製造は混合と加熱のみで極めて容易に行うことが
できる。又、これらを含有した成形体の製造も何等新規
な手段を要しなから本考案は工業的生産に適したもので
ある。
材料の製造は混合と加熱のみで極めて容易に行うことが
できる。又、これらを含有した成形体の製造も何等新規
な手段を要しなから本考案は工業的生産に適したもので
ある。
第１図はＮ−フェニルチオベンツアミドとｐ−クロル安
息香酸銅を単独で加熱処理したもの、混合したもの及び
混合して加熱処理したものの近赤外線の反射スペクトル
図である。
息香酸銅を単独で加熱処理したもの、混合したもの及び
混合して加熱処理したものの近赤外線の反射スペクトル
図である。
Claims (8)
- 【請求項１】一般式（Ｉ） （式中R1,R2は、水素、アルキル基、アルケニル基、シ
クロアルキル基、アリール基、アラルキル基および５員
または６員の複素環残基からなる群から選ばれた一価
基、又はR2はアルコキシ基を表わし、各基は１個以上の
置換基を有していてもよく、R1とR2は連結して環を形成
してもよい）から選択された少なくとも１種のチオアミ
ド誘導体と、少なくとも１種の銅化合物とを含有する近
赤外線吸収剤用組成物。 - 【請求項２】銅化合物が下記の一般式（II） （Ｒ−Ｘ）nCu （II） （式中、Ｒは水素、アルキル基、シクロアルキル基、ア
リール基、アラルキル基および複素環残基（各基は１個
以上の置換基を有していてもよい）からなる群から選ば
れた一価基、Ｘは−COO,−SO4,−SO3,−PO4,−Ｏ、ｎは
１〜４の整数）で表される銅化合物であることを特徴と
する請求項１記載の近赤外線吸収剤用組成物。 - 【請求項３】銅化合物がビスアセチルアセトナト銅であ
ることを特徴とする請求項１記載の近赤外線吸収剤用組
成物。 - 【請求項４】銅化合物がクロロフィル銅又は銅クロロフ
ィリンナトリウムであることを特徴とする請求項１記載
の近赤外線吸収剤用組成物。 - 【請求項５】請求項１、２、３、または４記載の近赤外
線吸収剤用組成物を含有させたことを特徴とする近赤外
線吸収用成形体。 - 【請求項６】請求項１、２、３、または４記載の近赤外
線吸収剤用組成物を加熱処理して得られる反応物からな
る近赤外線吸収材料。 - 【請求項７】請求項６記載の近赤外線吸収材料を含有さ
せたことを特徴とする近赤外線吸収成形体。 - 【請求項８】請求項５記載の近赤外線吸収用成形体を加
熱してなる近赤外線吸収成形体。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63183329A JPH0781127B2 (ja) | 1988-07-22 | 1988-07-22 | 近赤外線吸収剤用組成物並に近赤外線吸収材料及びそれらを含有した成形体 |
| CA000605237A CA1336940C (en) | 1988-07-22 | 1989-07-10 | Near infrared absorbing composition and material and product containing same |
| EP19890113451 EP0351875A3 (en) | 1988-07-22 | 1989-07-21 | Composition for the preparation of a near ir absorbing material and molded articles containing this composition or this material |
| US07/887,606 US5354514A (en) | 1988-07-22 | 1992-05-22 | Near infrared absorbing composition and material and product containing same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63183329A JPH0781127B2 (ja) | 1988-07-22 | 1988-07-22 | 近赤外線吸収剤用組成物並に近赤外線吸収材料及びそれらを含有した成形体 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0234682A JPH0234682A (ja) | 1990-02-05 |
| JPH0781127B2 true JPH0781127B2 (ja) | 1995-08-30 |
Family
ID=16133807
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63183329A Expired - Fee Related JPH0781127B2 (ja) | 1988-07-22 | 1988-07-22 | 近赤外線吸収剤用組成物並に近赤外線吸収材料及びそれらを含有した成形体 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5354514A (ja) |
| EP (1) | EP0351875A3 (ja) |
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| CA (1) | CA1336940C (ja) |
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| JP3603315B2 (ja) * | 1993-02-19 | 2004-12-22 | 日本製紙株式会社 | 近赤外線吸収剤およびそれを含有した熱線遮蔽材 |
| JPH0875919A (ja) * | 1994-09-07 | 1996-03-22 | Kureha Chem Ind Co Ltd | アクリル系樹脂製光学フィルター |
| TW546348B (en) | 1997-12-24 | 2003-08-11 | Sumitomo Dow Ltd | Transparent resin compositions with near infrared absorption characteristics |
| JP4110630B2 (ja) * | 1998-09-24 | 2008-07-02 | 松下電工株式会社 | 近赤外吸収フィルター |
| JP4011766B2 (ja) * | 1998-10-20 | 2007-11-21 | 富士フイルム株式会社 | 反射防止膜 |
| US6680009B2 (en) * | 2000-07-06 | 2004-01-20 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Optical filter comprising transparent support and filter layer having three absorption maximums |
| JP4225459B2 (ja) | 2002-08-06 | 2009-02-18 | 住友ダウ株式会社 | 難燃性ポリカーボネート樹脂組成物 |
| PT1790701E (pt) | 2005-11-25 | 2009-03-05 | Sicpa Holding Sa | Tinta para impressão em baixo relevo de absorção de ir |
| US7713252B2 (en) * | 2005-12-14 | 2010-05-11 | Kimberly-Clark Worldwide, Inc. | Therapeutic article including a personal care composition and methods of making the therapeutic article |
| JP5207604B2 (ja) * | 2006-06-07 | 2013-06-12 | 住化スタイロンポリカーボネート株式会社 | 難燃性に優れた光拡散性ポリカーボネート樹脂組成物およびそれからなる光拡散板 |
| JP2008023881A (ja) * | 2006-07-24 | 2008-02-07 | Sumitomo Dow Ltd | 帯電防止性に優れた光拡散性ポリカーボネート樹脂板 |
| JP5088926B2 (ja) | 2006-08-25 | 2012-12-05 | 住化スタイロンポリカーボネート株式会社 | 難燃性に優れた光拡散性ポリカーボネート樹脂組成物およびそれからなる光拡散板 |
| ATE496966T1 (de) * | 2007-03-19 | 2011-02-15 | Sumitomo Dow Ltd | Flammwidrige polycarbonatharzzusammensetzung |
| ATE510875T1 (de) | 2007-06-12 | 2011-06-15 | Sumitomo Dow Ltd | Klare und flammwidrige polycarbonatharzfolie |
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| WO2014129295A1 (ja) * | 2013-02-19 | 2014-08-28 | 富士フイルム株式会社 | 近赤外線吸収性組成物、これを用いた近赤外線カットフィルタおよびその製造方法、並びに、カメラモジュールおよびその製造方法 |
| KR101865599B1 (ko) * | 2013-04-11 | 2018-06-08 | 후지필름 가부시키가이샤 | 근적외선 흡수성 조성물, 이것을 이용한 근적외선 차단 필터 및 그 제조 방법, 및 카메라 모듈 및 그 제조 방법 |
| JP2014214296A (ja) * | 2013-04-30 | 2014-11-17 | 旭硝子株式会社 | 近赤外線吸収粒子、分散液およびその物品 |
| JP6061804B2 (ja) * | 2013-05-23 | 2017-01-18 | 富士フイルム株式会社 | 近赤外線吸収性組成物、これを用いた近赤外線カットフィルタおよびその製造方法、並びに、カメラモジュールおよびその製造方法 |
| RU2561123C1 (ru) * | 2014-06-05 | 2015-08-20 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук | Композиционный материал, поглощающий излучение в ближней ик области спектра |
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| US3973439A (en) * | 1975-04-15 | 1976-08-10 | Westinghouse Electric Corporation | Metal acetyl acetonate composition for forming thermoparticulating coating |
| CH641200A5 (de) * | 1979-06-27 | 1984-02-15 | Landis & Gyr Ag | Verfahren zur herstellung eines thermochromen lacks, aus diesem lack hergestellte schicht und deren verwendung. |
| US5236633A (en) * | 1988-06-13 | 1993-08-17 | Jujo Paper Co., Ltd. | Plate and sheet comprising near infrared absorbing composition |
-
1988
- 1988-07-22 JP JP63183329A patent/JPH0781127B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1989
- 1989-07-10 CA CA000605237A patent/CA1336940C/en not_active Expired - Fee Related
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-
1992
- 1992-05-22 US US07/887,606 patent/US5354514A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
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