JPH0778526B2 - 光磁界センサ - Google Patents
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- JPH0778526B2 JPH0778526B2 JP4035037A JP3503792A JPH0778526B2 JP H0778526 B2 JPH0778526 B2 JP H0778526B2 JP 4035037 A JP4035037 A JP 4035037A JP 3503792 A JP3503792 A JP 3503792A JP H0778526 B2 JPH0778526 B2 JP H0778526B2
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
- G01R33/02—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
- G01R33/032—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux using magneto-optic devices, e.g. Faraday or Cotton-Mouton effect
- G01R33/0322—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux using magneto-optic devices, e.g. Faraday or Cotton-Mouton effect using the Faraday or Voigt effect
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R15/00—Details of measuring arrangements of the types provided for in groups G01R17/00 - G01R29/00, G01R33/00 - G01R33/26 or G01R35/00
- G01R15/14—Adaptations providing voltage or current isolation, e.g. for high-voltage or high-current networks
- G01R15/24—Adaptations providing voltage or current isolation, e.g. for high-voltage or high-current networks using light-modulating devices
- G01R15/245—Adaptations providing voltage or current isolation, e.g. for high-voltage or high-current networks using light-modulating devices using magneto-optical modulators, e.g. based on the Faraday or Cotton-Mouton effect
- G01R15/246—Adaptations providing voltage or current isolation, e.g. for high-voltage or high-current networks using light-modulating devices using magneto-optical modulators, e.g. based on the Faraday or Cotton-Mouton effect based on the Faraday, i.e. linear magneto-optic, effect
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光磁界センサに関し、特
にファラデー効果を利用して高精度の測定が可能な光磁
界センサに関するものである。
にファラデー効果を利用して高精度の測定が可能な光磁
界センサに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来から、ファラデー効果を利用して磁
界の強さを求める光磁界センサは種々の構造のものが知
られている。その一例として、特開昭６１ー８２１７９
号公報において、ファラデー素子を通過して検光子より
出射した２つのＰ偏光およひＳ偏光の光強度比を利用す
ることにより、ファラデー効果に無関係な光伝送路の損
失差に起因する誤差を補正して高精度で磁界強度を測定
できる磁界計測方法が開示されている。
界の強さを求める光磁界センサは種々の構造のものが知
られている。その一例として、特開昭６１ー８２１７９
号公報において、ファラデー素子を通過して検光子より
出射した２つのＰ偏光およひＳ偏光の光強度比を利用す
ることにより、ファラデー効果に無関係な光伝送路の損
失差に起因する誤差を補正して高精度で磁界強度を測定
できる磁界計測方法が開示されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上述した特開昭６１ー
８２１７９号公報に開示された技術では、光磁界センサ
に磁界が印加されていないときの検光子より出射される
Ｐ偏光強度Ｊ1 とＳ偏光強度Ｊ2 の比ａ（＝Ｊ1 ／Ｊ
2 ）を求めておき、光磁界センサに磁界が加わったとき
の信号取込時にＳ偏光強度Ｊ2 に対しこの比ａを乗ずる
規格化による信号処理を行っているため、ファラデー効
果に無関係な光伝送路の損失差に起因する誤差を補正す
ることができる。しかしながら、上述した比ａを乗ずる
信号処理しか行っていないため、温度に依存する誤差は
補正されず、特に温度変化の大きい状態で使用する光磁
界センサとして、高精度の測定をできない問題があっ
た。
８２１７９号公報に開示された技術では、光磁界センサ
に磁界が印加されていないときの検光子より出射される
Ｐ偏光強度Ｊ1 とＳ偏光強度Ｊ2 の比ａ（＝Ｊ1 ／Ｊ
2 ）を求めておき、光磁界センサに磁界が加わったとき
の信号取込時にＳ偏光強度Ｊ2 に対しこの比ａを乗ずる
規格化による信号処理を行っているため、ファラデー効
果に無関係な光伝送路の損失差に起因する誤差を補正す
ることができる。しかしながら、上述した比ａを乗ずる
信号処理しか行っていないため、温度に依存する誤差は
補正されず、特に温度変化の大きい状態で使用する光磁
界センサとして、高精度の測定をできない問題があっ
た。
【０００４】本発明の目的は上述した課題を解消して、
温度に起因する計測誤差を排除して高精度の磁界強度の
測定ができる光磁界センサを提供しようとするものであ
る。
温度に起因する計測誤差を排除して高精度の磁界強度の
測定ができる光磁界センサを提供しようとするものであ
る。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の光磁界センサ
は、少なくとも光源と、光ファイバ伝送路を介して光源
から出射した光を直線偏光とする偏光子と、この直接偏
光に、印加された磁界に応じたファラデー効果を与える
ファラデー素子と、ファラデー効果を与えられた直線偏
光をＳ偏光とＰ偏光とに分離する検光子と、Ｓ偏光を受
光して光強度に応じた電気信号Ｖ1 に変換する第１の受
光素子と、Ｐ偏光を受光して光強度に応じた電気信号Ｖ
2 に変換する第２の受光素子と、第１の受光素子から供
給された電気信号Ｖ1 に基づき、その直流成分をＤＣ１
としたとき、Ｖ11＝（Ｖ1 ーＤＣ１）／ＤＣ１の式より
出力Ｖ11を得る第１の演算回路と、第２の受光素子から
供給された電気信号Ｖ2 に基づき、その直流成分をＤＣ
２としたとき、Ｖ22＝（Ｖ2ーＤＣ２）／ＤＣ２の式よ
り出力Ｖ22を得る第２の演算回路と、必要に応じて反転
・増幅した第１の演算回路からの出力Ｖ11と第２の演算
回路からの出力Ｖ22とから、定数α、βをα＋β＝１と
したとき、Ｖ11・Ｖ22が正のときはＶ3 ＝１／（α／Ｖ
11＋β／Ｖ22）の式より、Ｖ11・Ｖ22が負のときはＶ3
＝１／（α／Ｖ11−β／Ｖ22）の式より、出力Ｖ3 を得
る第３の演算回路とからなり、第３の演算回路からの出
力Ｖ3 から磁界の強度を求めることを特徴とするもので
ある。
は、少なくとも光源と、光ファイバ伝送路を介して光源
から出射した光を直線偏光とする偏光子と、この直接偏
光に、印加された磁界に応じたファラデー効果を与える
ファラデー素子と、ファラデー効果を与えられた直線偏
光をＳ偏光とＰ偏光とに分離する検光子と、Ｓ偏光を受
光して光強度に応じた電気信号Ｖ1 に変換する第１の受
光素子と、Ｐ偏光を受光して光強度に応じた電気信号Ｖ
2 に変換する第２の受光素子と、第１の受光素子から供
給された電気信号Ｖ1 に基づき、その直流成分をＤＣ１
としたとき、Ｖ11＝（Ｖ1 ーＤＣ１）／ＤＣ１の式より
出力Ｖ11を得る第１の演算回路と、第２の受光素子から
供給された電気信号Ｖ2 に基づき、その直流成分をＤＣ
２としたとき、Ｖ22＝（Ｖ2ーＤＣ２）／ＤＣ２の式よ
り出力Ｖ22を得る第２の演算回路と、必要に応じて反転
・増幅した第１の演算回路からの出力Ｖ11と第２の演算
回路からの出力Ｖ22とから、定数α、βをα＋β＝１と
したとき、Ｖ11・Ｖ22が正のときはＶ3 ＝１／（α／Ｖ
11＋β／Ｖ22）の式より、Ｖ11・Ｖ22が負のときはＶ3
＝１／（α／Ｖ11−β／Ｖ22）の式より、出力Ｖ3 を得
る第３の演算回路とからなり、第３の演算回路からの出
力Ｖ3 から磁界の強度を求めることを特徴とするもので
ある。
【０００６】
【作用】上述した構成において、従来とほぼ同様の光磁
界センサの構成にさらに第３の演算回路を付加すること
により、従来と同様に光源の発光量変動、光路中の損失
に起因する計測誤差を第１および第２の演算回路におけ
る規格化のための計算により排除し、さらに第１および
第２の演算回路の出力から温度に起因する計測誤差を第
３の演算回路における所定の演算により排除するよう構
成しているため、高精度の磁界強度の測定を達成するこ
とができる。
界センサの構成にさらに第３の演算回路を付加すること
により、従来と同様に光源の発光量変動、光路中の損失
に起因する計測誤差を第１および第２の演算回路におけ
る規格化のための計算により排除し、さらに第１および
第２の演算回路の出力から温度に起因する計測誤差を第
３の演算回路における所定の演算により排除するよう構
成しているため、高精度の磁界強度の測定を達成するこ
とができる。
【０００７】
【実施例】図１は本発明の光磁界センサの一例の構成を
示す図である。図１において、１はＬＥＤからなる光
源、２は光伝送路をなす光ファイバ、３は散乱光を平行
光にするロッドレンズ、４は光を直線偏光にする偏光
子、５は与えられた磁界強度に応じて直線偏光を回転さ
せてファラデー効果を与えるＢｉ12ＳｉＯ20からなるフ
ァラデー素子、６はファラデー効果を付与された直線偏
光をＳ偏光とＰ偏光とに分離する検光子である。
示す図である。図１において、１はＬＥＤからなる光
源、２は光伝送路をなす光ファイバ、３は散乱光を平行
光にするロッドレンズ、４は光を直線偏光にする偏光
子、５は与えられた磁界強度に応じて直線偏光を回転さ
せてファラデー効果を与えるＢｉ12ＳｉＯ20からなるフ
ァラデー素子、６はファラデー効果を付与された直線偏
光をＳ偏光とＰ偏光とに分離する検光子である。
【０００８】また、７は検光子６で分離されたＳ偏光の
平行光を集光するための第１のロッドレンズ、８は光伝
送路をなす第１の光ファイバ、９はＳ偏光をその強度に
応じた電気信号に変換するためのフォトダイオードから
なる第１の受光素子、１０は変換された電気信号を演算
・増幅して光路中の損失に起因する計測誤差等を排除す
る第１の演算回路、１１は検光子６で分離されたＰ偏光
の平行光を集光するための第２のロッドレンズ、１２は
光伝送路をなす第２の光ファイバ、１３はＰ偏光をその
強度に応じた電気信号に変換するためのフォトダイオー
ドからなる第２の受光素子、１４は変換された電気信号
を演算・増幅して光路中の損失に起因する計測誤差等を
排除する第２の演算回路である。ここで、第１の演算回
路１０と第２の演算回路１４に於ける増幅率は等しい。
平行光を集光するための第１のロッドレンズ、８は光伝
送路をなす第１の光ファイバ、９はＳ偏光をその強度に
応じた電気信号に変換するためのフォトダイオードから
なる第１の受光素子、１０は変換された電気信号を演算
・増幅して光路中の損失に起因する計測誤差等を排除す
る第１の演算回路、１１は検光子６で分離されたＰ偏光
の平行光を集光するための第２のロッドレンズ、１２は
光伝送路をなす第２の光ファイバ、１３はＰ偏光をその
強度に応じた電気信号に変換するためのフォトダイオー
ドからなる第２の受光素子、１４は変換された電気信号
を演算・増幅して光路中の損失に起因する計測誤差等を
排除する第２の演算回路である。ここで、第１の演算回
路１０と第２の演算回路１４に於ける増幅率は等しい。
【０００９】上述した構成は従来の光磁界センサの構成
とほぼ同一であり、本発明で特徴的なのは、第１の演算
回路１０の出力と第２の演算回路１４の出力からさらに
所定の計算をして、温度に起因する計測誤差を排除する
ための第３の演算回路１５を設けた点である。すなわ
ち、この第３の演算回路１５により、必要に応じて反転
・増幅した第１の演算回路１０の出力をＶ11、必要に応
じて反転・増幅した第２の演算回路１４の出力をＶ22、
α、βを定数でα＋β＝１としたとき、Ｖ11・Ｖ 22が正
のときはＶ3 ＝１／（α／Ｖ11＋β／Ｖ22）を、Ｖ11・
Ｖ22が負のときはＶ3 ＝１／（α／Ｖ11−β／Ｖ22）
を、計算して出力している。
とほぼ同一であり、本発明で特徴的なのは、第１の演算
回路１０の出力と第２の演算回路１４の出力からさらに
所定の計算をして、温度に起因する計測誤差を排除する
ための第３の演算回路１５を設けた点である。すなわ
ち、この第３の演算回路１５により、必要に応じて反転
・増幅した第１の演算回路１０の出力をＶ11、必要に応
じて反転・増幅した第２の演算回路１４の出力をＶ22、
α、βを定数でα＋β＝１としたとき、Ｖ11・Ｖ 22が正
のときはＶ3 ＝１／（α／Ｖ11＋β／Ｖ22）を、Ｖ11・
Ｖ22が負のときはＶ3 ＝１／（α／Ｖ11−β／Ｖ22）
を、計算して出力している。
【００１０】以下、上述した構成の本発明の光磁界セン
サの各演算回路における動作について説明する。光源１
の波長を８５０ｎｍ、Ｂｉ12ＳｉＯ20単結晶の素子長さ
ｌ＝４．０２ｍｍとしたとき、第１および第２の受光素
子９、１３の出力光強度Ｉ1、Ｉ2 は入力光強度をＩ0
としたとき、以下の数１、数２で示される。
サの各演算回路における動作について説明する。光源１
の波長を８５０ｎｍ、Ｂｉ12ＳｉＯ20単結晶の素子長さ
ｌ＝４．０２ｍｍとしたとき、第１および第２の受光素
子９、１３の出力光強度Ｉ1、Ｉ2 は入力光強度をＩ0
としたとき、以下の数１、数２で示される。
【数１】 Ｉ1 ＝Ｉ0 ／２｛１−２Δφ0 ΔＴｌ−２（Ｖe ＋ΔＶe ΔＴ）Ｈｌ｝
【数２】 Ｉ2 ＝Ｉ0 ／２｛１＋２Δφ0 ΔＴｌ＋２（Ｖe ＋ΔＶe ΔＴ）Ｈｌ｝ ここで、Δφ0 ：自然旋光能温度変化率、ΔＴ：２５℃
からの温度変動、ｌ：素子長、Ｖe ：ヴェルデ定数、Δ
Ｖe ：ヴェルデ定数温度変化率、Ｈ：交流磁界である。
からの温度変動、ｌ：素子長、Ｖe ：ヴェルデ定数、Δ
Ｖe ：ヴェルデ定数温度変化率、Ｈ：交流磁界である。
【００１１】第１の演算回路１０および第２の演算回路
１４においては、第１の受光素子９および第２の受光素
子１３から供給された電気信号Ｖ1 およびＶ2 に基づ
き、それぞれの直流成分をＤＣ１およびＤＣ２としたと
き、Ｖ11＝（Ｖ1 −ＤＣ１）／ＤＣ１の式およびＶ22＝
（Ｖ2 −ＤＣ２）／ＤＣ２の式より以下の数３および数
４に示す出力Ｖ11および出力Ｖ22を得ている。
１４においては、第１の受光素子９および第２の受光素
子１３から供給された電気信号Ｖ1 およびＶ2 に基づ
き、それぞれの直流成分をＤＣ１およびＤＣ２としたと
き、Ｖ11＝（Ｖ1 −ＤＣ１）／ＤＣ１の式およびＶ22＝
（Ｖ2 −ＤＣ２）／ＤＣ２の式より以下の数３および数
４に示す出力Ｖ11および出力Ｖ22を得ている。
【数３】 Ｖ11＝−２（Ｖe ＋ΔＶe ΔＴ）Ｈｌ／（１−２Δφ0 ΔＴｌ）
【数４】 Ｖ22＝２（Ｖe ＋ΔＶe ΔＴ）Ｈｌ／（１＋２Δφ0 ΔＴｌ） となる。
【００１２】ここで、Ｖ3 ＝１／（α／Ｖ11−β／
Ｖ22）：α＋β＝１と定義すると、以下の数５を得るこ
とができる。
Ｖ22）：α＋β＝１と定義すると、以下の数５を得るこ
とができる。
【数５】 Ｖ3 ＝−２（Ｖe ＋ΔＶe ΔＴ）Ｈｌ／｛１ー２（２αー１）Δφ0 ΔＴｌ｝ したがって、上記数５の出力が温度依存しないために
は、以下の恒等式数６を満たせば良いこととなる。
は、以下の恒等式数６を満たせば良いこととなる。
【数６】Ｖ3 （ΔＴ）＝Ｖ3 （ΔＴ＝０） よって、α＝（１−ΔＶe ／２Ｖe Δφ0 ΔＴｌ）／２
が得られ、本実施例においては、α＝０．６８０５、β
＝０．３１９５が導出される。Ｖ11およびＶ22が実際に
は正の値で得られることを考慮して、改めて第３の演算
回路１５の出力Ｖ 3 をＶ3 ＝１／（α／Ｖ11＋β／
Ｖ22）：α＋β＝１と定義している。
が得られ、本実施例においては、α＝０．６８０５、β
＝０．３１９５が導出される。Ｖ11およびＶ22が実際に
は正の値で得られることを考慮して、改めて第３の演算
回路１５の出力Ｖ 3 をＶ3 ＝１／（α／Ｖ11＋β／
Ｖ22）：α＋β＝１と定義している。
【００１３】実際に、上述した構成の本発明例、図２に
示す構成の比較例および従来技術で説明した特開昭６１
ー８２１７９号公報で開示された従来例の３種類の光磁
界センサを作製し、磁界と出力の関係、光量変動に伴う
出力変動、温度変化に伴う出力変動をそれぞれ求めた。
その結果、以下の表１に示す結果が得られ、従来例、比
較例に比べて本発明例では光量変動および温度変化に伴
う出力変動に依存することなく、出力Ｖ3 がＨに比例し
て測定できることを確認できた。なお、本発明例におい
て、センサ温度をー２０℃から８０℃の間で変化させ、
２５℃の時の出力に対する出力変化率を求め、その温度
特性を評価した。結果を図３（ａ）〜（ｃ）に示す。こ
れらの結果から、第１の演算回路９の出力Ｖ11および第
２の演算回路１３の出力Ｖ22ともに温度による変化が生
じていても、本発明の特徴である第３の演算回路１５の
出力Ｖ3 は温度の影響を全く受けないことがわかる。
示す構成の比較例および従来技術で説明した特開昭６１
ー８２１７９号公報で開示された従来例の３種類の光磁
界センサを作製し、磁界と出力の関係、光量変動に伴う
出力変動、温度変化に伴う出力変動をそれぞれ求めた。
その結果、以下の表１に示す結果が得られ、従来例、比
較例に比べて本発明例では光量変動および温度変化に伴
う出力変動に依存することなく、出力Ｖ3 がＨに比例し
て測定できることを確認できた。なお、本発明例におい
て、センサ温度をー２０℃から８０℃の間で変化させ、
２５℃の時の出力に対する出力変化率を求め、その温度
特性を評価した。結果を図３（ａ）〜（ｃ）に示す。こ
れらの結果から、第１の演算回路９の出力Ｖ11および第
２の演算回路１３の出力Ｖ22ともに温度による変化が生
じていても、本発明の特徴である第３の演算回路１５の
出力Ｖ3 は温度の影響を全く受けないことがわかる。
【００１４】
【表１】
【００１５】また、上述した実施例において、素子長誤
差や素子を斜めに接着したために有効素子長が長くなる
ことに起因する誤差によって、必ずしもα＝０．６８０
５、β＝０．３１９５の定数値で温度特性が０％になる
とは限らないが、その場合は実測したＶ11とＶ22の温度
特性から帰納的にα、βを導出し、最適なα、βを用い
て第３の演算回路１５で出力処理を行えば、温度特性を
０％にすることができる。今、素子長ｌが誤差等によっ
て短い場合について、Ｖ11とＶ22の温度特性が図４
（ａ）、（ｂ）に示すようであったとすると、これらを
α＝０．６８０５、β＝０．３１９５の定数を使用して
第３の演算回路で処理すると、出力Ｖ3 の温度特性は図
４（ｃ）のように変化する。
差や素子を斜めに接着したために有効素子長が長くなる
ことに起因する誤差によって、必ずしもα＝０．６８０
５、β＝０．３１９５の定数値で温度特性が０％になる
とは限らないが、その場合は実測したＶ11とＶ22の温度
特性から帰納的にα、βを導出し、最適なα、βを用い
て第３の演算回路１５で出力処理を行えば、温度特性を
０％にすることができる。今、素子長ｌが誤差等によっ
て短い場合について、Ｖ11とＶ22の温度特性が図４
（ａ）、（ｂ）に示すようであったとすると、これらを
α＝０．６８０５、β＝０．３１９５の定数を使用して
第３の演算回路で処理すると、出力Ｖ3 の温度特性は図
４（ｃ）のように変化する。
【００１６】そこで、ー２０℃でのＶ11とＶ22の出力
値、８０℃でのＶ11とＶ22の出力値から帰納的にα、β
を求めると以下のようになる。すなわち、以下の数７よ
りα、βを求めれば良い。
値、８０℃でのＶ11とＶ22の出力値から帰納的にα、β
を求めると以下のようになる。すなわち、以下の数７よ
りα、βを求めれば良い。
【数７】 α／Ｖ11（−２０℃）＋β／Ｖ22（−２０℃）＝ α／Ｖ11（８０℃）＋β／Ｖ22（８０℃） その結果、素子長が短い本実施例では、α＝０．７２２
２、β＝０．２７７８を得て、これにより処理された出
力Ｖ3 の温度特性は図５に示すようになり、帰納的に求
めたα、βを使用することにより、第３の演算回路で処
理することが可能なことがわかった。
２、β＝０．２７７８を得て、これにより処理された出
力Ｖ3 の温度特性は図５に示すようになり、帰納的に求
めたα、βを使用することにより、第３の演算回路で処
理することが可能なことがわかった。
【００１７】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば、、従来とほぼ同様の光磁界センサの構成にさ
らに第３の演算回路を付加することにより、第１および
第２の演算回路の出力から温度に起因する計測誤差を第
３の演算回路における所定の演算により排除するよう構
成しているため、高精度の磁界強度の測定を達成するこ
とができる。また、従来と同様に第１および第２の演算
回路における規格化のための計算をも実施しているた
め、光源の発光量変動、光路中の損失に起因する計測誤
差を排除することができる。
によれば、、従来とほぼ同様の光磁界センサの構成にさ
らに第３の演算回路を付加することにより、第１および
第２の演算回路の出力から温度に起因する計測誤差を第
３の演算回路における所定の演算により排除するよう構
成しているため、高精度の磁界強度の測定を達成するこ
とができる。また、従来と同様に第１および第２の演算
回路における規格化のための計算をも実施しているた
め、光源の発光量変動、光路中の損失に起因する計測誤
差を排除することができる。
【図１】本発明の光磁界センサの一例の構成を示す図で
ある。
ある。
【図２】比較例の光磁界センサの一例の構成を示す図で
ある。
ある。
【図３】本発明の光磁界センサの温度特性の一例を示す
グラフである。
グラフである。
【図４】本発明の光磁界センサの温度特性の他の例を示
すグラフである。
すグラフである。
【図５】本発明の光磁界センサの温度特性のさらに他の
例を示すグラフである。
例を示すグラフである。
１ 光源 ２ 光ファイバ ３ ロッドレンズ ４ 偏光子 ５ ファラデー素子 ６ 検光子 ７ 第１のロッドレンズ ８ 第１の光ファイバ ９ 第１の受光素子 １０ 第１の演算回路 １１ 第２のロッドレンズ １２ 第２の光ファイバ １３ 第２の受光素子 １４ 第２の演算回路 １５ 第３の演算回路 １６ ミラー
Claims (1)
- 【請求項１】 少なくとも光源と、光ファイバ伝送路を
介して光源から出射した光を直線偏光とする偏光子と、
この直接偏光に、印加された磁界に応じたファラデー効
果を与えるファラデー素子と、ファラデー効果を与えら
れた直線偏光をＳ偏光とＰ偏光とに分離する検光子と、
Ｓ偏光を受光して光強度に応じた電気信号Ｖ1 に変換す
る第１の受光素子と、Ｐ偏光を受光して光強度に応じた
電気信号Ｖ2 に変換する第２の受光素子と、第１の受光
素子から供給された電気信号Ｖ1 に基づき、その直流成
分をＤＣ１としたとき、Ｖ11＝（Ｖ1 ーＤＣ１）／ＤＣ
１の式より出力Ｖ11を得る第１の演算回路と、第２の受
光素子から供給された電気信号Ｖ2 に基づき、その直流
成分をＤＣ２としたとき、Ｖ22＝（Ｖ2 ーＤＣ２）／Ｄ
Ｃ２の式より出力Ｖ22を得る第２の演算回路と、必要に
応じて反転・増幅した第１の演算回路からの出力Ｖ11と
第２の演算回路Ｖ22とから、定数α、βをα＋β＝１と
したとき、Ｖ11・Ｖ22が正のときはＶ3 ＝１／（α／Ｖ
11＋β／Ｖ22）の式より、Ｖ11・Ｖ22が負のときにはＶ
3 ＝１／（α／Ｖ11−β／Ｖ22）の式より、出力Ｖ3 を
得る第３の演算回路とからなり、第３の演算回路からの
出力Ｖ3 から磁界の強度を求めることを特徴とする光磁
界センサ。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4035037A JPH0778526B2 (ja) | 1991-08-29 | 1992-02-21 | 光磁界センサ |
| US08/012,843 US5382901A (en) | 1991-08-29 | 1993-02-02 | Optical magnetic field sensor capable of precise measurement without temperature induced errors |
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| EP19930301189 EP0557090B1 (en) | 1992-02-21 | 1993-02-18 | Optical magnetic field sensor |
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Applications Claiming Priority (3)
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-
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-
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