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JPH0773518A - Overwritable magneto-optical recording medium - Google Patents

Overwritable magneto-optical recording medium

Info

Publication number
JPH0773518A
JPH0773518A JP5218900A JP21890093A JPH0773518A JP H0773518 A JPH0773518 A JP H0773518A JP 5218900 A JP5218900 A JP 5218900A JP 21890093 A JP21890093 A JP 21890093A JP H0773518 A JPH0773518 A JP H0773518A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
magnetization
recording
optical recording
magneto
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP5218900A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Kazutomo Miyata
一智 宮田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nikon Corp
Original Assignee
Nikon Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nikon Corp filed Critical Nikon Corp
Priority to JP5218900A priority Critical patent/JPH0773518A/en
Publication of JPH0773518A publication Critical patent/JPH0773518A/en
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

PURPOSE:To obtain a high C/N value even in the case of high-density recording by providing the magneto-optical recording medium having four layers of magnetic layers, of which the reading out layer is GdFeCo and the ratio of Gd therein is 23.5 to 25.5 (atm.%). CONSTITUTION:This magneto-optical recording medium is constituted by forming guide grooves for tracking by a UV curing resin on, for example, a glass substrate 1 and laminating a first protective layer 3, an R layer 4, an M layer 5, an I layer 6, a W layer 7 and a second protective layer 8 by sputtering thereon. The first and second protective layers are formed of dielectric substances, such as silicon nitride (Si3N4), Al2O3 and SiO2. The M layer, the I layer and the W layer are composed of magnetic materials of amorphous RE-TM alloys, such as GdFe, GdCo, Gd, FeCo, TtFe, TrCo and TrFeCo.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、オーバーライト可能な
光磁気記録媒体に関する。オーバーライト(overwrite)
とは、前の情報を消去せずに新たな情報を記録する行為
を言う。この場合、再生したとき、前の情報は再生され
てはならない。本明細書で言う「オーバーライト」と
は、特に、記録磁界Hbの向き及び強度を変調せずに、
単にレーザービームを記録すべき情報に従いパルス変調
しながら照射する(irradiate)ことにより、重ね書きす
ることを言う。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an overwritable magneto-optical recording medium. Overwrite
Is the act of recording new information without erasing the previous information. In this case, when played back, the previous information should not be played back. The "overwrite" referred to in the present specification means, in particular, without modulating the direction and intensity of the recording magnetic field Hb,
Overwriting is performed simply by irradiating the laser beam while modulating the pulse according to the information to be recorded.

【0002】[0002]

【従来の技術】最近、高密度、大容量、高いアクセス速
度、並びに高い記録及び再生速度を含めた種々の要求を
満足する光学的記録再生方法、それに使用される記録装
置、再生装置及び記録媒体を開発しようとする努力がな
されている。広範囲な光学的記録再生方法の中で、光磁
気記録再生方法は、情報を記録した後、消去することが
でき、再び新たな情報を記録することが繰り返し何度も
可能であるというユニークな利点のために、最も大きな
魅力に満ちている。
2. Description of the Related Art Recently, an optical recording / reproducing method satisfying various requirements including high density, large capacity, high access speed, and high recording / reproducing speed, and a recording apparatus, reproducing apparatus and recording medium used therefor. Efforts are being made to develop. Among a wide range of optical recording / reproducing methods, the magneto-optical recording / reproducing method has a unique advantage that information can be recorded and then erased, and new information can be recorded again and again. For being full of the greatest attraction.

【0003】この光磁気記録再生方法で使用される記録
媒体は、記録を蓄える層として1層又は多層からなる垂
直磁気異方性を有する(perpendicularmagneticlayeror
layers:以下、垂直磁気異方性膜という)から成る。こ
の垂直磁気異方性膜は例えばアモルファスのGdFe、GdC
o、GdFeCo、TbFe、TbCo、TbFeCo等からなる。垂直磁気
異方性膜は、一般に同心円状又はらせん状のトラックを
有しており、このトラックの上に情報が記録される。ト
ラックは明示的な場合と黙示的な場合の2通りある。 〔明示的なトラック〕光磁気記録媒体はディスク形状を
している。明示的なトラックを有するディスクは、ディ
スク平面に対し垂直方向から見た場合、情報を記録する
トラックが渦巻状又は同心円状に形成されている。そし
て、隣接する2つのトラック間にトラッキングのため及
び分離のための溝(グルーブgroove)が存在する。溝と
溝の間はランド(land)と呼ぶ。実際には、ディスクの裏
表でランドと溝の関係が逆になる。そこで、ビームが入
射するのと同じ方向からディスクを見て、手前を溝、奥
をランドと呼ぶ。垂直磁気異方性膜は、溝の上にもラン
ドの上にも一面に形成するので、溝の部分をトラックに
してもよいし、ランドの部分をトラックにしてもよい。
溝の幅とランドの幅との間に特に大小関係はない。
A recording medium used in this magneto-optical recording / reproducing method has a perpendicular magnetic anisotropy composed of one layer or multiple layers as a layer for storing recording (perpendicular magnetic layeror).
layers: hereinafter referred to as perpendicular magnetic anisotropic film). This perpendicular magnetic anisotropy film is, for example, amorphous GdFe or GdC.
o, GdFeCo, TbFe, TbCo, TbFeCo, etc. The perpendicular magnetic anisotropic film generally has concentric or spiral tracks, and information is recorded on the tracks. There are two types of tracks, explicit and implicit. [Explicit Track] The magneto-optical recording medium has a disk shape. In a disc having explicit tracks, tracks for recording information are formed in a spiral shape or a concentric circle shape when viewed in a direction perpendicular to the disk plane. There is a groove for tracking and separation between two adjacent tracks. The space between the grooves is called a land. In reality, the relationship between the land and the groove is reversed on the front and back of the disc. Therefore, when the disk is viewed from the same direction as the beam enters, the front side is called a groove and the back side is called a land. Since the perpendicular magnetic anisotropy film is formed on the entire surface of the groove and the land, the groove portion may be a track or the land portion may be a track.
There is no particular relationship between the width of the groove and the width of the land.

【0004】このように、一般に、基板には、表面に渦
巻状又は同心円状に形成されたランドと、2つの隣合う
ランド間に挟まれた溝が存在する。このような基板上に
薄く垂直磁気異方性膜が形成される。これにより垂直磁
気異方性膜はランドと溝を持つ。 〔マーク〕本明細書では、膜面に対し「上向き(upwar
d)」又は「下向き(downward)」の何れか一方を、「A向
き」、他方を「逆A向き」と定義する。
As described above, generally, the substrate has a land formed in a spiral or concentric shape on the surface and a groove sandwiched between two adjacent lands. A thin perpendicular magnetic anisotropic film is formed on such a substrate. As a result, the perpendicular magnetic anisotropic film has lands and grooves. [Mark] In the present specification, “upward (upwar
Either "d)" or "downward" is defined as "A direction" and the other is defined as "reverse A direction".

【0005】記録すべき情報は、予め2値化されてお
り、この情報が「A向き」の磁化を有するマーク(B1)
と、「逆A向き」の磁化を有するマーク(B0)の2つの
信号で記録される。これらのマークB1,B0は、デジタ
ル信号の1,0の何れか一方と他方にそれぞれ相当す
る。しかし、一般には記録されるトラックの磁化は、記
録前に強力な外部磁場を印加することによって「逆A向
き」に揃えられる。この磁化の向きを揃える行為は、古
い意味で「初期化*(initialize*)」と呼ばれる。その
上でトラックに「A向き」の磁化を有するマーク(B1)
を形成する。情報は、このマーク(B1)の有無、位置、
マークの前端位置、後端位置、マーク長等によって表現
される。特にマークのエッジ位置が情報を表す方法はマ
ーク長記録と呼ばれる。尚、マークは過去にピット又は
ビットと呼ばれたことがあるが、最近はマークと呼ぶ。
The information to be recorded is binarized in advance, and this information has a mark (B 1 ) having a magnetization in "A direction".
Then, two signals of the mark (B 0 ) having the magnetization in the “reverse A direction” are recorded. These marks B 1 and B 0 correspond to either one or the other of the digital signals 1 and 0, respectively. However, generally, the magnetization of the track to be recorded is aligned in the "reverse A direction" by applying a strong external magnetic field before recording. Act to align the magnetization direction is referred to as the "initialization * (initialize *)" in the old sense. A mark (B 1 ) having "A direction" magnetization on the track
To form. Information is the presence or absence of this mark (B 1 ), position,
It is represented by the front end position, rear end position, mark length, etc. of the mark. Particularly, a method in which the edge position of the mark represents information is called mark length recording. The mark has been called a pit or a bit in the past, but recently it is called a mark.

【0006】ところで、記録ずみの媒体を再使用するに
は、(1)媒体を再び初期化*装置で初期化*するか、又は
(2)記録装置に記録ヘッドと同様な消去ヘッドを併設す
るか、又は(3)予め、前段処理として記録装置又は消去
装置を用いて記録ずみ情報を消去する必要がある。従っ
て、光磁気記録方式では、これまで、記録ずみ情報の有
無にかかわらず新たな情報をその場で記録できるオーバ
ーライトは、不可能とされていた。
By the way, in order to reuse the recorded medium, (1) the medium is initialized again * by the device * or
(2) It is necessary to add an erasing head similar to the recording head to the recording apparatus, or (3) previously erase the recorded information by using the recording apparatus or the erasing apparatus as a pre-stage process. Therefore, in the magneto-optical recording system, it has hitherto been impossible to perform overwriting capable of recording new information on the spot regardless of the presence or absence of recorded information.

【0007】もっとも、もし記録磁界Hbの向きを必要
に応じて「A向き」と「逆A向き」との間で自由に変調
することができれば、オーバーライトが可能になる。し
かしながら、記録磁界Hbの向きを高速度で変調するこ
とは不可能である。例えば、記録磁界Hbが永久磁石で
ある場合、磁石の向きを機械的に反転させる必要があ
る。しかし、磁石の向きを高速で反転させることは、無
理である。記録磁界Hbが電磁石である場合にも、大容
量の電流の向きをそのように高速で変調することは不可
能である。
However, if the direction of the recording magnetic field Hb can be freely modulated between "A direction" and "reverse A direction" as required, overwriting becomes possible. However, it is impossible to modulate the direction of the recording magnetic field Hb at high speed. For example, when the recording magnetic field Hb is a permanent magnet, it is necessary to mechanically reverse the direction of the magnet. However, it is impossible to reverse the direction of the magnet at high speed. Even when the recording magnetic field Hb is an electromagnet, it is impossible to modulate the direction of a large-capacity current at such a high speed.

【0008】しかしながら、技術の進歩は著しく、記録
磁界Hbの強度を変調せずに(ON、OFFを含む)又は記録
磁界Hbの向きを変調せずに、照射する光ビームの強度
を記録すべき2値化情報に従い変調するだけで、オーバ
ーライトが可能な光磁気記録方法と、それに使用される
オーバーライト可能な光磁気記録媒体と、同じくそれに
使用されるオーバーライト可能な記録装置が発明され、
特許出願された(特開昭62−175948号=DE3,619,618A1
=米国特許出願中Ser.No453,255)。以下、この発明を
「基本発明」と引用する。 〔基本発明の説明〕基本発明では、「基本的に垂直磁化
可能な磁性薄膜からなる記録再生層recordinglayer(本
明細書では、この記録再生層をメモリー層Memorylayer
又はM層と言う)と、垂直磁化可能な磁性薄膜からなる
記録補助層referencelayer(本明細書では、この記録補
助層を記録層Writinglayer又はW層と言う)とを含み、
両層は交換結合(exchange-coupled)しており、かつ、
室温でM層の磁化の向きは変えないでW層の磁化のみを
所定の向きに向けておくことができるオーバーライト可
能な多層光磁気記録媒体」を使用する。
However, the technological progress is remarkable, and the intensity of the irradiation light beam should be recorded without modulating the intensity of the recording magnetic field Hb (including ON and OFF) or without modulating the direction of the recording magnetic field Hb. A magneto-optical recording method capable of overwriting, a magneto-optical recording medium capable of being overwritten, and an overwritable recording apparatus also employed therefor have been invented only by modulating in accordance with binary information.
Patent application filed (JP-A-62-175948 = DE3,619,618A1)
= US patent pending Ser. No. 453,255). Hereinafter, this invention is referred to as a "basic invention". [Explanation of Basic Invention] In the basic invention, "a recording / reproducing layer basically consisting of a magnetic thin film capable of perpendicular magnetization (in this specification, this recording / reproducing layer is referred to as a memory layer Memory layer
Or a M layer) and a recording auxiliary layer reference layer (in this specification, this recording auxiliary layer is referred to as a recording layer Writing layer or a W layer) including a magnetic thin film capable of perpendicular magnetization.
Both layers are exchange-coupled, and
An overwritable multi-layered magneto-optical recording medium capable of keeping only the magnetization of the W layer in a predetermined direction without changing the magnetization direction of the M layer at room temperature is used.

【0009】そして、情報をM層(場合によりW層に
も)における「A向き」磁化を有するマークと「逆A向
き」磁化を有するマークで表現し、記録するのである。
この媒体は、W層が外部手段(例えば初期補助磁界Hin
i.)によって、その磁化の向きを「A向き」に揃えるこ
とができる。しかも、そのとき、M層は、磁化の向きは
反転せず、更に、一旦「A向き」に揃えられたW層の磁
化の向きは、M層からの交換結合力を受けても反転せ
ず、逆にM層の磁化の向きは、「A向き」に揃えられた
W層からの交換結合力を受けても反転しない。そして、
W層は、M層に比べて低い保磁力Hcと高いキュリー点
Tcを持つ。
Information is represented and recorded by a mark having an "A direction" magnetization and a mark having an "inverse A direction" magnetization in the M layer (and also in the W layer in some cases).
In this medium, the W layer has an external means (for example, an initial auxiliary magnetic field Hin.
By i.), the direction of the magnetization can be aligned in the “A direction”. Moreover, at that time, the magnetization direction of the M layer is not reversed, and further, the magnetization direction of the W layer once aligned in the “A direction” is not reversed even when the exchange coupling force from the M layer is received. On the contrary, the magnetization direction of the M layer is not reversed even when receiving the exchange coupling force from the W layer aligned in the “A direction”. And
The W layer has a lower coercive force Hc and a higher Curie point Tc than the M layer.

【0010】基本発明の記録方法によれば、記録媒体
は、記録前までに、外部手段によりW層の磁化の向きだ
けが「A向き」に揃えられる。この行為を本明細書では
特別に“初期化(initialize)”と呼ぶ。この“初期化”
はオーバーライト可能な媒体に特有なことである。その
上で、2値化情報に従いパルス変調されたレーザービー
ムが媒体に照射される。レーザービームの強度は、高レ
ベルPHと低レベルPLがあり、これはパルスの高レベル
と低レベルに相当する。この低レベルは、再生時に媒体
を照射する再生レベルPRよりも高い。既に知られてい
るように、記録をしない時にも、例えば媒体における所
定の記録場所をアクセスするためにレーザービームを<
非常な低レベル>で点灯することがある。この<非常な
低レベル>も、再生レベルPRと同一又は近似のレベル
である。
According to the recording method of the basic invention, only the magnetization direction of the W layer of the recording medium is aligned in the "A direction" by external means before recording. This act is specifically referred to herein as "initialize". This "initialization"
Is peculiar to an overwritable medium. Then, the medium is irradiated with the laser beam pulse-modulated according to the binarized information. The intensity of the laser beam has a high level P H and a low level P L , which correspond to the high level and low level of the pulse. This low level is higher than the reproduction level P R that illuminates the medium during reproduction. As already known, even when recording is not performed, a laser beam is used to access a predetermined recording position on the medium, for example.
Very low level> may illuminate. This <very low level> is also the same as or close to the reproduction level P R.

【0011】例えば、「A向き」に“初期化(initializ
e)”された媒体は、低レベルPLのレーザービームの照
射を受けると、媒体の温度が向上してM層の保磁力Hc1
が非常に小さくなるか極端にはゼロになる。ゼロになる
のは、媒体の温度がM層のキュリー点以上であるときで
ある。このとき、W層の保磁力Hc2は十分に大きく、
「逆A向き」の記録磁界Hbで反転されることはない。
そして、W層の力が交換結合力を介してM層に及ぶ。M
層、W層は、一般に重希土類金属(heavyrareearthmeta
l:以下、REと略す)‐遷移金属(transitionmetal:
以下、TMと略す)合金で構成される。交換結合力は、
両層のRE磁気モーメント同士を揃える力と両層のTM
磁気モーメント同士を揃える力からなる。尚、合金中で
はREの副格子磁化とTMの副格子磁化とは、向きが逆
であり、大きい方の副格子磁化の向きが、合金の磁化の
向きを決める。両副格子磁化が等しいとき、その組成を
補償組成(compensationcomposition)と言い、その温度
を補償温度(compensationtemperature)と言う。補償温
度より上ではTM副格子磁化の方が強く、補償温度より
下ではRE副格子磁化の方が強い。
For example, "initialization" for "A"
When the medium subjected to e) ”is irradiated with a laser beam of a low level P L , the temperature of the medium is increased and the coercive force Hc 1 of the M layer is increased.
Becomes very small or extremely zero. It becomes zero when the temperature of the medium is equal to or higher than the Curie point of the M layer. At this time, the coercive force Hc 2 of the W layer is sufficiently large,
It is not reversed by the recording magnetic field Hb in the "reverse A direction".
Then, the force of the W layer reaches the M layer via the exchange coupling force. M
Layers and W layers are generally composed of heavy rare earth metals (heavyrareearthmeta).
l: Hereinafter, abbreviated as RE) -transition metal:
Hereinafter, abbreviated as TM). The exchange coupling force is
Force to align RE magnetic moments of both layers and TM of both layers
It consists of forces that align the magnetic moments. In the alloy, the sublattice magnetization of RE and the sublattice magnetization of TM have opposite directions, and the direction of the larger sublattice magnetization determines the direction of magnetization of the alloy. When both sublattice magnetizations are equal, the composition is called a compensation composition, and the temperature is called a compensation temperature. The TM sublattice magnetization is stronger above the compensation temperature, and the RE sublattice magnetization is stronger below the compensation temperature.

【0012】レーザービームを照射する前のマークの状
態は、M層とW層との間に界面磁壁が存在する状態
と、存在しない状態との2種がある。存在する状態
のマークは、低レベルPLのレーザービームで形成しよ
うとするマークと一致しない。存在しない状態のマー
クは、低レベルPLのレーザービームで形成しようとす
るマークと一致する。前者の場合、PLのビームが照
射されると、M層の温度が上昇する。そのためM層の保
磁力Hc1は非常に小さくなる。このとき、W層の力が交
換結合力を介してM層に及ぶ結果、非常に小さくなった
保磁力Hc1を持つM層の磁化は、W層によって支配され
た所定の向き(例えば、「A向き」)を向かされる。そ
の結果、M層とW層との間に界面磁壁が存在しないマー
ク(目的とするマーク)が形成される。
There are two types of marks before irradiation with a laser beam: a state in which an interface domain wall exists between the M layer and the W layer, and a state in which there is no interface wall. The existing mark does not match the mark to be formed by the low level P L laser beam. The mark that does not exist corresponds to the mark that is to be formed by the laser beam of low level P L. In the former case, the temperature of the M layer rises when the P L beam is irradiated. Therefore, the coercive force Hc 1 of the M layer becomes very small. At this time, as a result of the force of the W layer reaching the M layer via the exchange coupling force, the magnetization of the M layer having a very small coercive force Hc 1 is determined in a predetermined direction (eg, ""Adirection"). As a result, a mark having no interface domain wall (target mark) is formed between the M layer and the W layer.

【0013】仮にM層の温度がもう少し高く上昇し、そ
のためM層の磁化がゼロになった場合(Tc1以上)で
も、レーザービームの照射がなくなると、媒体の温度が
自然に低下してキュリー点Tc1よりやや下がる。すると
M層に磁化が現れる。このとき同様にW層の力が交換結
合力を介してM層に及ぶ。そのため、M層に現れる磁化
は、W層によって支配された所定の向き(例えば、「A
向き」)を向く。この状態から室温に戻るが、所定の向
きが保たれる。ただし、室温へ戻る途中にM層またはW
層に補償温度があると、それぞれそこを越えたとき、そ
の層の磁化の向きは逆転する。このプロセスは後者の
場合にも同じマークを与え、低温プロセス又は低温サイ
クルと呼ばれる。
Even if the temperature of the M layer rises a little higher and the magnetization of the M layer becomes zero (Tc 1 or more), the temperature of the medium naturally decreases when the irradiation of the laser beam is stopped and the Curie is reached. It is slightly lower than the point Tc 1 . Then, magnetization appears in the M layer. At this time, similarly, the force of the W layer reaches the M layer via the exchange coupling force. Therefore, the magnetization appearing in the M layer has a predetermined direction (for example, “A
Direction "). From this state, the temperature returns to room temperature, but the predetermined orientation is maintained. However, in the middle of returning to room temperature, M layer or W
When a layer has a compensation temperature, the magnetization direction of that layer reverses when each is exceeded. This process gives the same mark in the latter case and is called the cold process or cold cycle.

【0014】他方、例えば、「A向き」に“初期化(ini
tialize)”された媒体は、高レベルP Hのレーザービー
ムの照射を受けると、媒体の温度が上昇してM層の保磁
力Hc1はゼロになり、W層の保磁力Hc2は非常に小さく
なるか、極端にはゼロになる。そのため、非常に小さい
保磁力Hc2を持つW層の磁化は、記録磁界Hbに負けて
所定の向き(例えば、「逆A向き」)を向く。仮にW層
の温度がもう少し上昇すると、W層の磁化がゼロになる
その場合でもレーザービームの照射がなくなり、媒体の
温度が自然に低下してキュリー点Tc2よりやや下がる
と、W層に磁化が現れる。このとき、同様に記録磁界H
bに負けて、W層の磁化は所定の向き(例えば、「逆A
向き」)を向く。更に媒体の温度が冷えてキュリー点T
c1よりやや下がると、M層に磁化が現れる。このとき、
W層の力が交換結合力を介してM層に及ぶ。そのため、
M層に現れる磁化は、W層によって支配された所定の向
き(例えば、「逆A向き」)を向く。この状態から室温
に戻るが、所定の向きが保たれる。但し、室温へ戻る途
中にM層またはW層に補償温度があると、それぞれそこ
を越えたとき、その磁化の向きは逆転する。このプロセ
スは高温プロセス又は高温サイクルと呼ばれる。
On the other hand, for example, "initialization (ini) for" A direction "
tialized) ”media is high level P HLaser bee
When the medium is irradiated, the temperature of the medium rises and the M layer becomes coercive.
Power Hc1Becomes zero, and the coercive force Hc of the W layer2Is very small
Or it will be extremely zero. So very small
Coercive force Hc2The magnetization of the W layer with
Face a predetermined direction (for example, "reverse A direction"). If W layer
When the temperature rises a little, the magnetization of the W layer becomes zero
Even in that case, the irradiation of the laser beam is stopped and the medium
Curie point Tc2Slightly lower
Then, magnetization appears in the W layer. At this time, similarly, the recording magnetic field H
The magnetization of the W layer is lost in a predetermined direction (for example, “inverse A
Direction "). Furthermore, the temperature of the medium cools and the Curie point T
c1When it goes down a little, magnetization appears in the M layer. At this time,
The force of the W layer extends to the M layer via the exchange coupling force. for that reason,
The magnetization appearing in the M layer is a predetermined direction dominated by the W layer.
(For example, "reverse A direction"). From this state to room temperature
However, the orientation is maintained. However, when returning to room temperature
If there is a compensation temperature in the M layer or W layer, there
When it exceeds, the direction of the magnetization is reversed. This process
The so-called high temperature process or high temperature cycle.

【0015】以上の低温プロセス、高温プロセスは、M
層、W層の磁化の向きに無関係に、起こる。ともかく、
レーザービームの照射前にW層が“初期化(initializ
e)”されていれば良い。そのため、オーバーライトが可
能となる。基本発明では、レーザービームは、記録すべ
き情報に従いパルス状に変調される。しかし、このこと
自身は、従来の光磁気記録でも行われており、記録すべ
き2値化情報に従いビーム強度をパルス状に変調する手
段は既知の手段である。例えば、THEBELLSYSTEMTECHNIC
ALJOURNAL,Vol.62(1983),1923−1936に詳しく説明され
ている。従って、ビーム強度の必要な高レベルと低レベ
ルが与えられれば、従来の変調手段を一部修正するだけ
で容易に入手できる。当業者にとって、そのような修正
は、ビーム強度の高レベルと低レベルが与えられれば、
容易であろう。
The above low temperature process and high temperature process are M
It occurs regardless of the direction of magnetization of the layer and the W layer. anyway,
Before the laser beam irradiation, the W layer is “initialized (initializ
e) ”, so that overwriting is possible. In the basic invention, the laser beam is pulse-modulated according to the information to be recorded. However, this is itself a conventional magneto-optical recording. However, the means for pulse-modulating the beam intensity according to the binary information to be recorded is a known means, for example, THEBELLSYSTEMTECHNIC.
ALJOURNAL, Vol. 62 (1983), 1923-1936. Therefore, given the required high and low levels of beam intensity, they are readily available with some modifications to conventional modulation means. For those skilled in the art, such a modification is such that given high and low levels of beam intensity,
It will be easy.

【0016】基本発明に於いて特徴的なことの1つは、
ビーム強度の高レベルと低レベルである。即ち、ビーム
強度が高レベルの時に、記録磁界Hbその他の外部手段
によりW層の「A向き」磁化を「逆A向き」に反転(re
verse)させ、このW層の「逆A向き」磁化によってM層
に「逆A向き」磁化〔又は「A向き」磁化〕を有するマ
ークを形成する。ビーム強度が低レベルの時は、W層の
磁化の向きは、“初期化”状態と変わらず、そして、W
層の作用(この作用は交換結合力を通じてM層に伝わ
る)によってM層に「A向き」磁化〔又は「逆A向き」
磁化〕を有するマークを形成する。
One of the features of the basic invention is that
There are high and low levels of beam intensity. That is, when the beam intensity is at a high level, the “A direction” magnetization of the W layer is inverted (reverse A direction) by the recording magnetic field Hb or other external means (re
verse), and the "reverse A direction" magnetization of the W layer forms a mark having "reverse A direction" magnetization (or "A direction" magnetization) in the M layer. When the beam intensity is low, the magnetization direction of the W layer is the same as in the "initialized" state, and
By the action of the layer (this action is transmitted to the M layer through the exchange coupling force), the M layer is magnetized "A direction" [or "reverse A direction"].
Magnetization] is formed.

【0017】基本発明で使用される記録媒体は、M層と
W層を含む多層構造を有する。M層は、室温で保磁力が
高く磁化反転温度が低い磁性層である。W層はM層に比
べ相対的に室温で保磁力が低く磁化反転温度が高い磁性
層である。なお、M層とW層ともに、それ自体多層膜か
ら構成されていてもよい。場合によりM層とW層との間
に中間層(例えば、交換結合力σW調整層:以下、この
層をI層と略す)が存在していてもよい。I層について
は、特開昭64−50257号や特開平1−273248号を参照さ
れたい。
The recording medium used in the basic invention has a multilayer structure including an M layer and a W layer. The M layer is a magnetic layer having a high coercive force and a low magnetization reversal temperature at room temperature. The W layer is a magnetic layer having a lower coercive force and a higher magnetization reversal temperature at room temperature than the M layer. Both the M layer and the W layer may themselves be composed of a multilayer film. In some cases, an intermediate layer (for example, an exchange coupling force σ W adjusting layer: hereinafter, this layer is abbreviated as I layer) may be present between the M layer and the W layer. For the I layer, refer to JP-A-64-50257 and JP-A-1-273248.

【0018】また、オーバーライト可能な光磁気記録に
ついては、その他、特開平4−123339号や特開平4−13
4741号など多くの資料が出されているので、ここでは、
これ以上の説明を省く。なお、特開平4−123339号に開
示された4層構造のディスクは、M層、W層の外に、
“初期化”層(Initializinglayer:以下、Ini層と略
す)と、Ini層とW層との間に両層の間の交換結合をオ
ン・オフするスイッチング層(Swithinglayer:以下、
S層と略す)を持つ。
Further, regarding the overwritable magneto-optical recording, in addition, Japanese Patent Application Laid-Open No. 4-123339 and Japanese Patent Application Laid-Open No. 4-13
Since many materials such as No. 4741 have been issued, here,
Omit further explanation. The disc having a four-layer structure disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 4-123339 has, in addition to the M layer and the W layer,
An "Initializing layer" (hereinafter abbreviated as Ini layer) and a switching layer (Swithing layer: hereinafter) for turning on / off exchange coupling between the Ini layer and the W layer
Abbreviated as S layer).

【0019】C/N値を高めるために、M層の上に(つ
まり、レーザービームの入射側に)M層よりキュリー点
が高くカー効果の高い読出層(Readoutlayer:以下、R
層と略す)を積層したものも提案されている。例えば、
特開昭63−64651号公報、特開昭63−48637号公報を参照
されたい。提案されたR層も、GdFeCoを主体に構成され
る。
In order to increase the C / N value, a read-out layer (hereinafter, R) having a Curie point and a high Kerr effect on the M layer (that is, on the laser beam incident side) is higher than that on the M layer.
A stack of abbreviated layers is also proposed. For example,
See JP-A-63-64651 and JP-A-63-48637. The proposed R layer is also composed mainly of GdFeCo.

【0020】[0020]

【発明が解決しようとする課題】オーバーライト可能な
光磁気記録媒体においても、高密度記録をするためには
高いC/N値が要求されている。しかし、φ130mmサイ
ズディスクでISO標準の記録領域に1.3〜1.4μmピッ
チでマーク長記録を行った場合、片面当たり1ギガバイ
ト以上に相当するような高密度記録では、これまでの媒
体ではC/N値が充分な高さにないという問題があっ
た。
Even in an overwritable magneto-optical recording medium, a high C / N value is required for high density recording. However, if the mark length is recorded in the ISO standard recording area at a pitch of 1.3 to 1.4 μm on a φ130 mm size disc, the high-density recording equivalent to 1 gigabyte or more per side will result in a C / N value in the conventional medium. There was a problem that was not high enough.

【0021】[0021]

【課題を解決する為の手段】本発明者らは、この問題を
解決するために鋭意研究の結果、特に4層以上の磁性層
を有する光磁気記録媒体においては、GdFeCoによるR層
の、Gdの比率を原子%で23.0〜25.5の範囲にすれば、高
いC/N値が得られることを見い出し、本発明を成すに
至った。なお、この場合、Feの比率が原子%で50.5〜6
0.0の範囲であれば更に好ましい。
DISCLOSURE OF THE INVENTION As a result of earnest studies for solving this problem, the inventors of the present invention have found that in the magneto-optical recording medium having four or more magnetic layers, the GdFeCo Rd layer It was found that a high C / N value can be obtained when the ratio of is in the range of 23.0 to 25.5 in atomic%, and the present invention has been completed. In this case, the Fe ratio is 50.5 to 6 in atomic%.
The range of 0.0 is more preferable.

【0022】従って、本発明は「読出層(R層)、メモ
リー層(M層)、中間層(I層)及び記録層(W層)の
少なくとも4層の磁性層を有する光変調によるオーバー
ライト可能な光磁気記録媒体で、前記読出層がGdFeCoで
あって、このうちGdの比率が23.0〜25.5(原子%)であ
ることを特徴とする光磁気記録媒体」を提供する。
Therefore, according to the present invention, overwriting by light modulation has at least four magnetic layers of "reading layer (R layer), memory layer (M layer), intermediate layer (I layer) and recording layer (W layer)". A possible magneto-optical recording medium, wherein the read layer is GdFeCo, and the ratio of Gd is 23.0 to 25.5 (atomic%).

【0023】[0023]

【作用】本発明による光磁気記録媒体は、例えばガラス
基板上に紫外線硬化樹脂によりトラッキング用の案内溝
を形成し、その上に第1の保護層、R層、M層、I層、
W層そして第2の保護層をスパッタリングにより積層さ
せた構成になっている。基板はトラッキング用の案内溝
が無くてもよく、また成形された樹脂製のものを使用し
てもよい。
In the magneto-optical recording medium according to the present invention, for example, a guide groove for tracking is formed on a glass substrate with an ultraviolet curable resin, and a first protective layer, an R layer, an M layer, an I layer is formed on the guide groove.
The W layer and the second protective layer are laminated by sputtering. The substrate does not have to have a guide groove for tracking, and a molded resin substrate may be used.

【0024】第1、及び第2の保護層は窒化シリコン(S
i3N4)、Al2O3、SiO2等の誘電体により形成される。R層
はGdFeCoにより形成され、厚さは一般には10〜70nm、好
ましくは20〜40nmが適当である。M層、I層及びW層
は、GdFe、GdCo、GdFeCo、TbFe、TbCo、TbFeCo等のアモ
ルファスRE−TM系合金の磁性体により構成され、M
層の厚さは10〜50nm、好ましくは15〜35nm、I層の厚さ
は5〜30nm、好ましくは10〜20nm、またW層の厚さは20
〜90nm、好ましくは40〜70nmが適当である。
The first and second protective layers are made of silicon nitride (S
i 3 N 4 ), Al 2 O 3 , SiO 2 or the like. The R layer is formed of GdFeCo and has a thickness of generally 10 to 70 nm, preferably 20 to 40 nm. The M layer, the I layer, and the W layer are made of a magnetic substance of an amorphous RE-TM alloy such as GdFe, GdCo, GdFeCo, TbFe, TbCo, and TbFeCo.
The layer has a thickness of 10 to 50 nm, preferably 15 to 35 nm, the I layer has a thickness of 5 to 30 nm, preferably 10 to 20 nm, and the W layer has a thickness of 20.
.About.90 nm, preferably 40 to 70 nm is suitable.

【0025】M層とW層の間にこれらと同様なアモルフ
ァスRE−TM系合金によるIni層やS層が存在しても
よい。第2の保護層の上には保護用の基板が接着されて
いてもよく、また基板上に第2の保護層まで形成された
もの同志が、第2の保護層を内側に接着されていてもよ
い。
Between the M layer and the W layer, there may be an Ini layer or an S layer made of an amorphous RE-TM alloy similar to these. A protective substrate may be adhered on the second protective layer, and the two protective layers formed on the substrate up to the second protective layer may be adhered to the inner side of the second protective layer. Good.

【0026】以下、実施例により本発明をより具体的に
説明するが、本発明はこれに限られるものではない。
Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to Examples, but the present invention is not limited thereto.

【0027】[0027]

【実施例1】先ず初めにスパッタリング装置を用意し
た。この装置は図2に示す様な3槽の真空槽を持ち、そ
のうち左右の2槽は、各々4個のスパッタリングターゲ
ット12を有するスパッタリング槽11であり、残る中央の
1槽はロード・アンロード槽13である。この装置を用い
て、図1に示す構造を持つ光磁気記録媒体を以下の手順
で製造した。
Example 1 First, a sputtering apparatus was prepared. This device has three vacuum tanks as shown in FIG. 2, of which the left and right two tanks are sputtering tanks 11 each having four sputtering targets 12, and the remaining central tank is a load / unload tank. It is 13. Using this device, a magneto-optical recording medium having the structure shown in FIG. 1 was manufactured by the following procedure.

【0028】まず、ロード・アンロード槽13に、ピッチ
1.4μm、深さ70nmのトラッキング用案内溝の刻まれた樹
脂層を有するガラス基板をセットし、5×10-5Pa以下の
真空状態にした。次いで、スパッタリング槽内に、Arガ
スとN2ガスを導入し、第1のターゲットSiにより、ス
パッタリング速度10nm/min、Ar圧0.2Paの条件で、Siと
2の反応性スパッタリングを行い、第1の保護層であ
る窒化シリコン(以下、SiNと略す)層を厚さ70nmに形
成した。
First, the pitch is set in the loading / unloading tank 13.
A glass substrate having a resin layer having a tracking guide groove of 1.4 μm and a depth of 70 nm was engraved and set to a vacuum state of 5 × 10 −5 Pa or less. Then, Ar gas and N 2 gas were introduced into the sputtering tank, and reactive sputtering of Si and N 2 was performed by the first target Si under the conditions of a sputtering rate of 10 nm / min and an Ar pressure of 0.2 Pa. A silicon nitride (hereinafter abbreviated as SiN) layer as the first protective layer was formed to a thickness of 70 nm.

【0029】次に、第2のターゲットGdFeCoにより、ス
パッタリング速度20nm/min、Ar圧0.3Paの条件で、Gd
24.7Fe51.8Co23.5のR層を厚さ30nmに形成した。次に、
第3のターゲットTbと第4のターゲットFeCoにより、ス
パッタリング速度20nm/min、Ar圧0.4Paの条件で、同時
スパッタリングを行い、Tb21Fe75Co4のM層を厚さ25nm
に形成した。
Next, GdFeCo was used as a second target under the conditions of a sputtering rate of 20 nm / min and an Ar pressure of 0.3 Pa.
An R layer of 24.7 Fe 51.8 Co 23.5 was formed to a thickness of 30 nm. next,
Simultaneous sputtering is performed with the third target Tb and the fourth target FeCo under the conditions of a sputtering rate of 20 nm / min and an Ar pressure of 0.4 Pa, and an M layer of Tb 21 Fe 75 Co 4 is 25 nm thick.
Formed.

【0030】次に、第4のターゲットGdFeCoにより、ス
パッタリング速度20nm/min、Ar圧0.3Paの条件で、Gd35F
e52Co13のI層を厚さ15nmに形成した。次に、第5のタ
ーゲットDyと第6のターゲットFeCoにより、スパッタリ
ング速度20nm/min、Ar圧0.2Paの条件で、同時スパッタ
リングを行い、Dy28.5(Fe50Co50)71.5のW層を厚さ50nm
に形成した。
Next, the fourth target GdFeCo, sputtering rate 20 nm / min, under the conditions of Ar pressure of 0.3 Pa, Gd 35 F
An I layer of e 52 Co 13 was formed to a thickness of 15 nm. Next, using the fifth target Dy and the sixth target FeCo, co-sputtering was performed under the conditions of a sputtering rate of 20 nm / min and an Ar pressure of 0.2 Pa to form a Dy 28.5 (Fe 50 Co 50 ) 71.5 W layer with a thickness of 50 nm
Formed.

【0031】最後に、第1のターゲットにより、前記Si
層と同様の条件で、第2の保護層であるSiN層を厚さ30
nmに形成し、図1に示す構造の媒体が完成した。
Finally, by the first target, the Si
The SiN layer, which is the second protective layer, has a thickness of 30
After the formation, the medium having the structure shown in FIG. 1 is completed.

【0032】[0032]

【実施例2〜5】第2のターゲットを別の組成比のもの
に交換して、R層の組成を表1に記載のものとした以外
は実施例1と同様の条件で媒体を製造した。
Examples 2 to 5 Media were manufactured under the same conditions as in Example 1 except that the composition of the R layer was changed to that shown in Table 1 by replacing the second target with one having a different composition ratio. .

【0033】[0033]

【比較例1〜6】第2のターゲットを別の組成比のもの
に交換して、R層の組成を表2に記載のものとした以外
は実施例5と同様の条件で媒体を製造した。 〔C/N値の測定〕以上のようにして得た媒体を、300
Oeの記録磁界Hb及び3000Oeの初期補助磁界Hini.が組
み込まれた光磁気記録再生装置にセットした。媒体の線
速度11.3m/sで回転させながら、約1μm径に集光させた
波長830nmのレーザービームを媒体に照射した。レーザ
ービームは2値化情報に従い、第1標準情報として周波
数3MHz、デューティー比50%で8.0mW(PH)と4.0mW
(PL)の間でパルス変調させた。その後、1.0mWのPR
で第1標準情報を再生したところ、充分に再生された。
[Comparative Examples 1 to 6] A medium was manufactured under the same conditions as in Example 5 except that the composition of the R layer was changed to that shown in Table 2 by replacing the second target with one having a different composition ratio. . [Measurement of C / N value]
The recording magnetic field Hb of Oe and the initial auxiliary magnetic field Hini of 3000 Oe were set in the magneto-optical recording / reproducing apparatus. While rotating the medium at a linear velocity of 11.3 m / s, the medium was irradiated with a laser beam having a wavelength of 830 nm condensed to a diameter of about 1 μm. According laser beam binary information, frequency 3MHz as the first standard information, at a duty ratio of 50% 8.0 mW and (P H) 4.0 mW
Pulse modulation was performed between (P L ). Then, 1.0mW of P R
When the first standard information was reproduced with, it was reproduced sufficiently.

【0034】次に、周波数を4MHzに変更した以外は上記
と同様な条件で第2標準情報を記録(オーバーライト)
し、1.0mWのPRでこの記録信号を再生し、C/N値を測
定した。この結果を表1及び表2に示す。これらの結果
より、GdFeCoのR層でGdの比率を原子%で23.0〜25.5と
することにより、高いC/N値が得られることがわか
る。
Next, the second standard information is recorded (overwriting) under the same conditions as above except that the frequency is changed to 4 MHz.
And reproduces the recorded signal at P R of 1.0 mW, was measured C / N value. The results are shown in Tables 1 and 2. From these results, it is understood that a high C / N value can be obtained by setting the ratio of Gd in the R layer of GdFeCo to be 23.0 to 25.5 in atomic%.

【0035】[0035]

【表1】 [Table 1]

【0036】[0036]

【表2】 [Table 2]

【0037】[0037]

【発明の効果】本発明によれば、高密度記録においても
高いC/N値が得られ、将来予想される高密度記録にも
充分耐えられる。
According to the present invention, a high C / N value can be obtained even in high density recording, and it can sufficiently withstand high density recording expected in the future.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の実施例で製造した媒体の概略垂直断面
図である。
FIG. 1 is a schematic vertical sectional view of a medium manufactured in an example of the present invention.

【図2】本発明の実施例で媒体の製造に用いたスパッタ
リング装置の模式図である。
FIG. 2 is a schematic view of a sputtering apparatus used for manufacturing a medium in an example of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1・・・ガラス基板 2・・・樹脂層 3・・・第1の保護層(SiN層) 4・・・R層(GdFeCo層) 5・・・M層(TbFeCo層) 6・・・I層(GdFeCo層) 7・・・W層(DyFeCo層) 8・・・第2の保護層(SiN層) 11・・・スパッタリング槽 12・・・スパッタリングターゲット 13・・・ロード・アンロード槽 以上 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Glass substrate 2 ... Resin layer 3 ... 1st protective layer (SiN layer) 4 ... R layer (GdFeCo layer) 5 ... M layer (TbFeCo layer) 6 ... I Layer (GdFeCo layer) 7 ... W layer (DyFeCo layer) 8 ... Second protective layer (SiN layer) 11 ... Sputtering tank 12 ... Sputtering target 13 ... Load / unload tank

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】読出層、メモリー層、中間層及び記録層の
少なくとも4層の磁性層を有する光変調によるオーバー
ライト可能な光磁気記録媒体で、前記読出層がGdFeCoで
あって、このうちGdの比率が23.0〜25.5(原子%)であ
ることを特徴とする光磁気記録媒体。
1. An overwritable magneto-optical recording medium by optical modulation having at least four magnetic layers of a read layer, a memory layer, an intermediate layer and a recording layer, wherein the read layer is GdFeCo, of which Gd Is 23.0 to 25.5 (atomic%).
JP5218900A 1993-09-02 1993-09-02 Overwritable magneto-optical recording medium Pending JPH0773518A (en)

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