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JPH0773496A - Semiconductor laser beam device - Google Patents

Semiconductor laser beam device

Info

Publication number
JPH0773496A
JPH0773496A JP5216308A JP21630893A JPH0773496A JP H0773496 A JPH0773496 A JP H0773496A JP 5216308 A JP5216308 A JP 5216308A JP 21630893 A JP21630893 A JP 21630893A JP H0773496 A JPH0773496 A JP H0773496A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor laser
gain
light quantity
optical
detecting
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP5216308A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Yutaka Shio
豊 塩
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ricoh Co Ltd
Original Assignee
Ricoh Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ricoh Co Ltd filed Critical Ricoh Co Ltd
Priority to JP5216308A priority Critical patent/JPH0773496A/en
Publication of JPH0773496A publication Critical patent/JPH0773496A/en
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

PURPOSE:To hold the light quantity of laser beam to a prescribed fixed value precisely by arranging a second detection means in the vicinity of an optical recording medium, detecting the light quantity of the semiconductor laser beam and adjusting a control means based on the detected result. CONSTITUTION:An optical pickup is moved to a position B outside an optical disk at the initial time of driving such as the time when power source is applied, etc., and a beam is cast on a second detector 21 by reproducing power. An obtained signal is inputted to a gain variable amplifier 13 through a second I/V converter 22 and a controller 23, and a gain is varied so that the reproducing power on a light receiving surface becomes a required value. After the gain is adjusted, the pickup is moved to the inside, and the beam is cast on the optical disk 5. By a comparator 14, the semiconductor laser 1 is driven according to the compared result of the output voltage of the gain variable amplifier 13 with a prescribed reference voltage. Since the reproducing power is controlled after the gain is adjusted according to the reproducing power, the required laser light quantity is obtained always even when a semiconductor laser characteristic and the use efficiency of an optical system change with time.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】この発明は、光ディスク等の光学
記録媒体の記録、再生を行うのに用いられる半導体レー
ザ装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor laser device used for recording and reproducing on an optical recording medium such as an optical disk.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、光ディスク等の光学記録媒体の記
録、再生を行う光ディスク装置においては、半導体レー
ザの高出力化、低コスト化が図られたことにより、その
光源として半導体レーザが一般的になってきている。
2. Description of the Related Art In recent years, in optical disk devices for recording and reproducing optical recording media such as optical disks, semiconductor lasers are generally used as a light source because of the high output and low cost of semiconductor lasers. It has become to.

【0003】従来より用いられている半導体レーザ装置
を図3に基づいて具体的に説明する。 図中1は半導体
レーザで、この半導体レーザ1から出射したビームはコ
リメータレンズ2で平行光になり、ビームスプリッタ3
を通過し、対物レンズ4で光ディスク5の記録面6に集
束する。光ディスク5で反射したビームはビームスプリ
ッタ3で反射し、検出レンズ7を通り、平行平板8へ入
射する。平行平板8で反射したビームはトラッキング信
号検出器9へ、通過したビームはフォーカス信号検出器
10へ集光される。これらの信号検出器9,10で検出
された信号は、それぞれトラッキング制御、フォーカス
制御に用いられる。
A conventionally used semiconductor laser device will be specifically described with reference to FIG. In the figure, reference numeral 1 denotes a semiconductor laser, and a beam emitted from the semiconductor laser 1 is collimated by a collimator lens 2 to form a parallel beam,
Through the objective lens 4 and focused on the recording surface 6 of the optical disc 5. The beam reflected by the optical disk 5 is reflected by the beam splitter 3, passes through the detection lens 7, and enters the parallel plate 8. The beam reflected by the parallel plate 8 is focused on the tracking signal detector 9, and the passing beam is focused on the focus signal detector 10. The signals detected by these signal detectors 9 and 10 are used for tracking control and focus control, respectively.

【0004】また、半導体レーザ1の出射光の一部は、
ビームスプリッタ3で分離され、フォトダイオード等の
光検出器11に入射される。この光検出器11からの出
力信号は、電流−電圧変換器(I/V)12によって電
圧値に変換され、ゲインが適切に調整されたゲイン可変
アンプ13に入力される。比較器14では、ゲイン可変
アンプ13の出力電圧と予め決められた基準電圧15を
比較し、その比較結果に応じて駆動手段16を駆動す
る。なお、光検出器11、電流−電圧変換器12、ゲイ
ン可変アンプ13、比較器14の具体的な回路構成を図
4に示す。
A part of the light emitted from the semiconductor laser 1 is
It is separated by the beam splitter 3 and is incident on the photodetector 11 such as a photodiode. The output signal from the photodetector 11 is converted into a voltage value by the current-voltage converter (I / V) 12 and is input to the gain variable amplifier 13 whose gain is appropriately adjusted. The comparator 14 compares the output voltage of the variable gain amplifier 13 with a predetermined reference voltage 15, and drives the driving means 16 according to the comparison result. The specific circuit configuration of the photodetector 11, current-voltage converter 12, variable gain amplifier 13, and comparator 14 is shown in FIG.

【0005】そして、ゲイン可変アンプ13の調整は、
光ディスク5の面上での再生パワーが例えば1mWにな
るように調整する。前記半導体レーザ1、ビームスプリ
ッタ3、光検出器11、電流−電圧変換器12、ゲイン
可変アンプ13、比較器14基準電圧15、駆動手段1
6で制御ループが形成され、基準電圧に基づいて半導体
レーザ1の出射光が一定になるように制御される。
The adjustment of the variable gain amplifier 13 is
The reproduction power on the surface of the optical disc 5 is adjusted to be, for example, 1 mW. The semiconductor laser 1, beam splitter 3, photodetector 11, current-voltage converter 12, variable gain amplifier 13, comparator 14, reference voltage 15, driving means 1
A control loop is formed at 6, and the emitted light of the semiconductor laser 1 is controlled to be constant based on the reference voltage.

【0006】また、他に例えば特開平4−69824号
公報に示されるものが提案されている。すなわち、半導
体レーザの前面出射光の一部を分離して電気信号に変換
し、この電気信号の低周波成分と高周波成分を増幅して
加算し、この加算信号と基準信号とを比較して半導体レ
ーザの出力を制御するものである。
[0006] In addition, for example, the one disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 4-69824 is proposed. That is, a part of the light emitted from the front surface of the semiconductor laser is separated and converted into an electric signal, the low frequency component and the high frequency component of this electric signal are amplified and added, and the added signal and the reference signal are compared and the semiconductor signal is compared. It controls the output of the laser.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の半導体レーザ装置におけるゲイン可変アンプ等の調
整は光ディスクがない状態で、光ディスク面位置に光量
測定器を備え、ゲイン可変アンプを調整するため、光デ
ィスク装置の組立時に一度だけ行うことになり、半導体
レーザの特性や光学系の利用効率の経時的な変動に対し
ては、再生パワーを一定に制御すことができないことに
なる。このような経時変化によって再生パワーが変動し
てしまうと、情報の記録再生が正常に行われなくなった
り、情報の信頼性も悪くなる可能性がある。
However, the adjustment of the variable gain amplifier or the like in the above-mentioned conventional semiconductor laser device is provided with a light quantity measuring device at the optical disk surface position without adjusting the optical disk, so that the variable gain amplifier is adjusted. This is performed only once when the device is assembled, and the reproduction power cannot be controlled to be constant with respect to changes over time in the characteristics of the semiconductor laser and the utilization efficiency of the optical system. If the reproduction power fluctuates due to such changes over time, information recording / reproduction may not be performed normally, or the reliability of information may deteriorate.

【0008】この発明は、光ディスク装置組立て時の半
導体レーザのパワー調整をなくし、半導体レーザ特性や
光学系の利用効率の経時的な変化があっても常に一定の
パワーが得られる半導体レーザ装置を提供することを目
的とする。
The present invention provides a semiconductor laser device which eliminates the power adjustment of the semiconductor laser when assembling the optical disk device and can always obtain a constant power even if the semiconductor laser characteristics and the utilization efficiency of the optical system change with time. The purpose is to do.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】この発明は上記の目的を
達成するためになされたもので、半導体レーザと、その
半導体レーザを駆動する半導体レーザ駆動手段を備え、
光学記録媒体の記録、再生を行うのに用いられる半導体
レーザ装置において、前記半導体レーザの出射光の一部
を分離する光学系と、分離された半導体レーザの光量を
検出する第1の検出手段と、この第1の検出手段の結果
に基づいて前記分離された半導体レーザの光量が一定と
なるように制御する制御手段と、光学記録媒体の近傍に
配置された前記半導体レーザの光量を検出する第2の検
出手段と、この第2の検出手段の検出結果に基づいて前
記制御手段で制御する半導体レーザの光量が所望の値と
なるように調整する調整手段とからなることを特徴とす
る半導体レーザ装置である。 また、前記制御手段は、
第1の検出手段からの出力信号を増幅するためのゲイン
可変アンプと、このゲイン可変アンプで増幅された信号
と予め決められた基準信号とを比較する比較手段とを有
し、前記調整手段は、第2の検出手段の出力信号に基づ
いて前記ゲイン可変アンプのゲインを変えるものであ
る。前記制御手段は、第1の検出手段からの出力信号と
基準信号とを比較する比較手段を有し、前記調整手段は
第2の検出手段の出力信号に基づいて前記基準信号を変
えるものである。前記調整手段は、光ディスク装置のイ
ニシャライズ時に動作する。
The present invention has been made in order to achieve the above-mentioned object, and comprises a semiconductor laser and a semiconductor laser driving means for driving the semiconductor laser,
In a semiconductor laser device used for recording and reproducing on an optical recording medium, an optical system for separating a part of emitted light of the semiconductor laser, and first detecting means for detecting a light amount of the separated semiconductor laser. A control means for controlling the light quantity of the separated semiconductor laser to be constant based on the result of the first detecting means; and a light quantity of the semiconductor laser arranged near the optical recording medium. The semiconductor laser is characterized by comprising two detection means and an adjustment means for adjusting the light quantity of the semiconductor laser controlled by the control means to a desired value based on the detection result of the second detection means. It is a device. Further, the control means is
The adjusting means has a gain variable amplifier for amplifying the output signal from the first detecting means, and a comparing means for comparing the signal amplified by the gain variable amplifier with a predetermined reference signal, and the adjusting means. , The gain of the variable gain amplifier is changed based on the output signal of the second detecting means. The control means has a comparison means for comparing the output signal from the first detection means with a reference signal, and the adjustment means changes the reference signal based on the output signal of the second detection means. . The adjusting means operates at the time of initializing the optical disk device.

【0010】[0010]

【作用】この発明によれば、光学記録媒体の近傍に配置
された第2の検出手段により、半導体レーザの光量が検
出され、この検出結果に基づいて制御手段が調整され
る。従って、制御手段により半導体レーザの光量は精度
よく所定の値に一定に保持される。
According to the present invention, the light amount of the semiconductor laser is detected by the second detecting means arranged near the optical recording medium, and the control means is adjusted based on the detection result. Therefore, the light quantity of the semiconductor laser is accurately kept constant at a predetermined value by the control means.

【0011】[0011]

【実施例】以下、この発明の実施例を添付図面に基づい
て具体的に説明する。図1は本発明の第1の実施例を示
す説明図で、図中1は半導体レーザであり、この半導体
レーザ1から出射したビームはコリメータレンズ2で平
行光になり、ビームスプリッタ3を通過し、対物レンズ
4で光ディスク5の記録面6に集束する。光ディスク5
で反射したビームはビームスプリッタ3で反射し、検出
レンズ7を通り、平行平板8へ入射する。平行平板8で
反射したビームはトラッキング信号検出器9へ、通過し
たビームはフォーカス信号検出器10へ集光される。こ
れらの信号検出器9,10で検出された信号は、それぞ
れトラッキング制御、フォーカス制御に用いられ、これ
らより光ピックアップを構成する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Embodiments of the present invention will be specifically described below with reference to the accompanying drawings. FIG. 1 is an explanatory view showing a first embodiment of the present invention, in which 1 is a semiconductor laser, and a beam emitted from this semiconductor laser 1 is collimated by a collimator lens 2 and passes through a beam splitter 3. The objective lens 4 focuses on the recording surface 6 of the optical disc 5. Optical disc 5
The beam reflected by is reflected by the beam splitter 3, passes through the detection lens 7, and enters the parallel plate 8. The beam reflected by the parallel plate 8 is focused on the tracking signal detector 9, and the passing beam is focused on the focus signal detector 10. The signals detected by these signal detectors 9 and 10 are used for tracking control and focus control, respectively, and they form an optical pickup.

【0012】本実施例の半導体レーザ装置は、前記ビー
ムスプリッタ3で分離された半導体レーザ1の出射光の
一部を検出するフォトダイオード等からなる第1の光検
出器11を有する。そして、この第1の光検出器11か
ら得られた電気信号(電流)を電圧に変換する第1の電
流−電圧変換器(I/V)12、この第1の電流−電圧
変換器12の出力信号(電圧値)を増幅するゲイン可変
アンプ13と、このゲイン可変アンプ13の出力信号と
基準電圧15とを比較する比較器14、及びこの比較器
14の出力に基づいて半導体レーザ1を駆動する駆動手
段16を有し、これらにより、制御手段を構成する。な
お、これらの具体的回路構成は従来技術と同一(図4参
照)である。
The semiconductor laser device of the present embodiment has a first photodetector 11 including a photodiode or the like for detecting a part of the emitted light of the semiconductor laser 1 separated by the beam splitter 3. The first current-voltage converter (I / V) 12 for converting the electric signal (current) obtained from the first photodetector 11 into a voltage, and the first current-voltage converter 12 A gain variable amplifier 13 that amplifies an output signal (voltage value), a comparator 14 that compares the output signal of the gain variable amplifier 13 and a reference voltage 15, and the semiconductor laser 1 is driven based on the output of the comparator 14. The driving means 16 is provided, and these constitute a control means. The specific circuit configuration of these is the same as that of the conventional technique (see FIG. 4).

【0013】一方、前記光ディスク5の近傍、すなわち
光ディスク最外周外側であって光ディスク5の面とほぼ
同一の高さに配置された半導体レーザ1の光量を検出す
るための第2の検出器21を有する。そして、この第2
の第2の検出器21の出力信号(電流値)を電圧に変換
する第2の電流−電圧変換器(I/V)22、この第2
の電流−電圧変換器22の出力信号(電圧値)に基づい
て前記ゲイン可変アンプ13のゲインを調整するコント
ローラ23を有し、これらより調整手段を構成する。
On the other hand, a second detector 21 for detecting the light quantity of the semiconductor laser 1 arranged near the optical disk 5, that is, outside the outermost circumference of the optical disk and at substantially the same height as the surface of the optical disk 5, is provided. Have. And this second
A second current-voltage converter (I / V) 22 for converting the output signal (current value) of the second detector 21 into a voltage.
The controller 23 that adjusts the gain of the variable gain amplifier 13 based on the output signal (voltage value) of the current-voltage converter 22 is used as the adjusting means.

【0014】次に、本装置の動作について説明する。光
ディスクドライブの電源投入時等のドライブイニシャラ
イズ時に、光ピックアップを光ディスクの最外周位置よ
りさらに外側に移動させ(位置B)、第2の検出器21
に再生パワーでビームを照射する。この第2の検出器2
1から得られた信号は第2の電流−電圧変換器22で電
圧値に変換され、その電圧値はコントローラ23に入力
される。コントローラ23は、入力された電圧値より第
2の検出器21の受光面での再生パワーがわかるので、
この電圧値が所望の値になるように(つまり、受光面で
再生パワーが所望の値(例えば1mw)になるよう
に)、ゲイン可変アンプ13のゲインを変える。このゲ
イン可変アンプ13としては、コントローラ23から出
力される制御電圧に対してゲインが可変可能である一般
的なボルテージ・コントロール・アンプ(VCA)等を
用いるとよい。
Next, the operation of this apparatus will be described. At the time of drive initialization such as power-on of the optical disk drive, the optical pickup is moved further outside the outermost peripheral position of the optical disk (position B), and the second detector 21
A beam is emitted at the reproduction power. This second detector 2
The signal obtained from 1 is converted into a voltage value by the second current-voltage converter 22, and the voltage value is input to the controller 23. Since the controller 23 knows the reproduction power on the light receiving surface of the second detector 21 from the input voltage value,
The gain of the variable gain amplifier 13 is changed so that this voltage value becomes a desired value (that is, the reproduction power becomes a desired value (for example, 1 mw) on the light receiving surface). As the variable gain amplifier 13, it is preferable to use a general voltage control amplifier (VCA) whose gain can be changed with respect to the control voltage output from the controller 23.

【0015】このように前記第2の検出器21での再生
パワーに応じてゲイン可変アンプ13のゲインを調整し
た後には、光ピックアップは光ディスク5にビームが照
射できるように位置Aより内側に移動し、制御手段によ
り再生パワーの制御が行われるので、一定の再生パワー
が得られる。
After adjusting the gain of the variable gain amplifier 13 according to the reproduction power of the second detector 21 as described above, the optical pickup is moved inward from the position A so that the optical disk 5 can be irradiated with the beam. However, since the reproducing power is controlled by the control means, a constant reproducing power can be obtained.

【0016】すなわち、半導体レーザ1の出射光の一部
は、ビームスプリッタ3で分離され、フォトダイオード
等の第1の光検出器11に入射される。この第1の光検
出器11からの出力信号は、第1の電流−電圧変換器1
2によって電圧値に変換され、ゲイン可変アンプ13に
入力される。比較器14では、上述したように調整され
たゲイン可変アンプ13の出力電圧と予め決められた基
準電圧15を比較し、その比較結果に応じて半導体レー
ザ1を駆動する。
That is, a part of the emitted light of the semiconductor laser 1 is separated by the beam splitter 3 and is incident on the first photodetector 11 such as a photodiode. The output signal from the first photodetector 11 is the first current-voltage converter 1
It is converted into a voltage value by 2 and input to the variable gain amplifier 13. The comparator 14 compares the output voltage of the variable gain amplifier 13 adjusted as described above with a predetermined reference voltage 15, and drives the semiconductor laser 1 according to the comparison result.

【0017】従って、第2の光検出器21での再生パワ
ーに応じてゲイン可変アンプ13のゲインを調整した
後、再生パワーの制御が行われるので、経時的に半導体
レーザ特性や光学系の利用効率が変化しても、常に所望
のレーザ光量が得られることになる。
Therefore, since the reproduction power is controlled after the gain of the gain variable amplifier 13 is adjusted according to the reproduction power in the second photodetector 21, the semiconductor laser characteristics and the optical system can be used over time. Even if the efficiency changes, the desired amount of laser light can always be obtained.

【0018】次に、図2に基づいて第2の実施例を説明
する。本実施例の半導体レーザ装置は、前記ビームスプ
リッタ3で分離された半導体レーザ1の出射光の一部を
検出するフォトダイオード等からなる第1の光検出器1
1を有する。そして、この第1の光検出器11から得ら
れた電気信号(電流)を電圧に変換する第1の電流−電
圧変換器12、この第1の電流−電圧変換器12の出力
信号と後述するコントローラ23で作成された基準電圧
とを比較する比較器14、及びこの比較器14の出力に
基づいて半導体レーザ1を駆動する駆動手段16を有
し、これらにより、制御手段を構成する。
Next, a second embodiment will be described with reference to FIG. The semiconductor laser device of the present embodiment includes a first photodetector 1 including a photodiode or the like for detecting a part of the emitted light of the semiconductor laser 1 separated by the beam splitter 3.
Has 1. Then, a first current-voltage converter 12 for converting the electric signal (current) obtained from the first photodetector 11 into a voltage, and an output signal of the first current-voltage converter 12 will be described later. It has a comparator 14 for comparing with a reference voltage created by the controller 23, and a driving means 16 for driving the semiconductor laser 1 based on the output of this comparator 14, and these constitute a control means.

【0019】一方、前記光ディスク5の近傍、すなわち
光ディスク最外周外側であって光ディスク5の面上とほ
ぼ同一の高さに配置された半導体レーザ1の光量を検出
するための第2の検出器21を有する。そして、この第
2の第2の検出器21の出力信号(電流値)を電圧に変
換する第2の電流−電圧変換器22、この第2の電流−
電圧変換器22の出力信号(電圧値)に基づいて前記比
較器14に入力される基準電圧を作成するコントローラ
23を有し、これらより調整手段を構成する。
On the other hand, the second detector 21 for detecting the light quantity of the semiconductor laser 1 arranged near the optical disc 5, that is, outside the outermost periphery of the optical disc and at substantially the same height as the surface of the optical disc 5. Have. Then, a second current-voltage converter 22 for converting the output signal (current value) of the second second detector 21 into a voltage, the second current-
The controller 23 has a controller 23 that creates a reference voltage to be input to the comparator 14 based on the output signal (voltage value) of the voltage converter 22, and constitutes the adjusting means.

【0020】次に、本装置の動作について説明する。第
1の実施例同様、光ディスクドライブの電源投入時等の
ドライブイニシャライズ時に、光ピックアップを光ィス
クの最外周位置よりさらに外側に移動させ(位置B)、
第2の検出器21に再生パワーでビームを照射する。こ
の第2の検出器21から得られた信号は第2の電流−電
圧変換器22で電圧値に変換され、その電圧値はコント
ローラ23に入力される。一方、第1の光検出器11か
らの出力信号は、第1の電流−電圧変換器12によって
電圧値に変換され、比較器14に入力される。コントロ
ーラ23は、入力された電圧値より第2の検出器21の
受光面での再生パワーがわかるので、この電圧値が所望
の値になるように(つまり、受光面で再生パワーが所望
の値(例えば1mw)になるように)、比較器14に入
力する基準電圧を可変調整する。
Next, the operation of this apparatus will be described. Similar to the first embodiment, when the drive is initialized such as when the optical disk drive is powered on, the optical pickup is moved further outside the outermost peripheral position of the optical disc (position B).
The second detector 21 is irradiated with a beam with reproduction power. The signal obtained from the second detector 21 is converted into a voltage value by the second current-voltage converter 22, and the voltage value is input to the controller 23. On the other hand, the output signal from the first photodetector 11 is converted into a voltage value by the first current-voltage converter 12 and input to the comparator 14. The controller 23 knows the reproducing power on the light receiving surface of the second detector 21 from the input voltage value, so that this voltage value becomes a desired value (that is, the reproducing power on the light receiving surface is a desired value). The reference voltage input to the comparator 14 is variably adjusted (eg, 1 mw).

【0021】このように前記第2の検出器20での再生
パワーに応じて比較器14に入力する基準電圧を調整し
た後には、第1実施例同様、光ピックアップは光ディス
ク5にビームが照射できるように位置Aより内側に移動
し、制御手段により再生パワーの制御が行われるので、
一定の再生パワーが得られる。
After the reference voltage input to the comparator 14 is adjusted according to the reproduction power of the second detector 20 as described above, the optical pickup can irradiate the optical disk 5 with a beam as in the first embodiment. As described above, the reproducing power is moved inward from the position A, and the control means controls the reproducing power.
A constant reproduction power can be obtained.

【0022】[0022]

【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、光学記録媒体の近傍に配置された第2の検出手段の
検出結果に基づいて制御手段で制御する半導体レーザの
光量を所望の値となるよう調整(ゲイン可変アンプのゲ
イン調整あるいは比較手段に入力される基準信号の調
整)するように構成したので、ドライブ組立時にはレー
ザ光の調整をする必要がなく、組立後に調整を行なえ、
常に所望の光量に調整することができる。また、ドライ
ブのイニシャライズ時等に上記調整を行なうことがで
き、経時的に半導体レーザ特性や光学系の利用効率が変
化しても常に所望の光量に調整することができる。
As described above, according to the present invention, the light quantity of the semiconductor laser controlled by the control means based on the detection result of the second detection means arranged near the optical recording medium is set to a desired value. Since it is configured to adjust (gain adjustment of the variable gain amplifier or adjustment of the reference signal input to the comparison means), it is not necessary to adjust the laser light when assembling the drive, and adjustment can be performed after the assembly.
It is possible to always adjust to a desired light amount. Further, the above adjustment can be performed at the time of initializing the drive, etc., so that the desired light amount can be constantly adjusted even if the semiconductor laser characteristics or the utilization efficiency of the optical system changes with time.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】この発明の第1の実施例を示す説明図である。FIG. 1 is an explanatory diagram showing a first embodiment of the present invention.

【図2】この発明の第2の実施例を示す説明図である。FIG. 2 is an explanatory diagram showing a second embodiment of the present invention.

【図3】従来例を示す説明図である。FIG. 3 is an explanatory diagram showing a conventional example.

【図4】従来例を示す説明図である。FIG. 4 is an explanatory diagram showing a conventional example.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 半導体レーザ 2 コリメータレンズ 3 ビムスプリッタ 4 対物レンズ 5 光ディスク 6 記録面 7 検出レンズ 8 平行平板 9 トラッキング信号検出器 10 フォーカス信号検出器 11 第1の検出器 12 第1の電流−電圧変換器 13 ゲイン可変アンプ 14 比較器 15 基準電圧 16 駆動手段 21 第2の検出器 22 第2の電流−電圧変換器 23 コントローラ 1 Semiconductor Laser 2 Collimator Lens 3 Bim Splitter 4 Objective Lens 5 Optical Disc 6 Recording Surface 7 Detection Lens 8 Parallel Plate 9 Tracking Signal Detector 10 Focus Signal Detector 11 First Detector 12 First Current-Voltage Converter 13 Gain Variable amplifier 14 Comparator 15 Reference voltage 16 Driving means 21 Second detector 22 Second current-voltage converter 23 Controller

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 半導体レーザと、その半導体レーザを駆
動する半導体レーザ駆動手段を備え、光学記録媒体の記
録、再生を行うのに用いられる半導体レーザ装置におい
て、前記半導体レーザの出射光の一部を分離する光学系
と、分離された半導体レーザの光量を検出する第1の検
出手段と、この第1の検出手段の結果に基づいて前記分
離された半導体レーザの光量が一定となるように制御す
る制御手段と、光学記録媒体の近傍に配置された前記半
導体レーザの光量を検出する第2の検出手段と、この第
2の検出手段の検出結果に基づいて前記制御手段で制御
する半導体レーザの光量が所望の値となるように調整す
る調整手段とからなることを特徴とする半導体レーザ装
置。
1. A semiconductor laser device comprising a semiconductor laser and a semiconductor laser driving means for driving the semiconductor laser, which is used for recording and reproducing on an optical recording medium, wherein a part of emitted light of the semiconductor laser is An optical system for separating, a first detecting means for detecting the light quantity of the separated semiconductor laser, and control so that the light quantity of the separated semiconductor laser becomes constant based on the result of the first detecting means. Control means, second detection means for detecting the light quantity of the semiconductor laser arranged near the optical recording medium, and light quantity of the semiconductor laser controlled by the control means based on the detection result of the second detection means. Is a desired value, and a semiconductor laser device.
【請求項2】 前記制御手段は、第1の検出手段からの
出力信号を増幅するためのゲイン可変アンプと、このゲ
イン可変アンプで増幅された信号と予め決められた基準
信号とを比較する比較手段とを有し、前記調整手段は、
第2の検出手段の出力信号に基づいて前記ゲイン可変ア
ンプのゲインを変えるものであることを特徴とする請求
項1記載の半導体レーザ装置。
2. The control means compares the gain variable amplifier for amplifying the output signal from the first detection means with a signal amplified by the gain variable amplifier and a predetermined reference signal. And adjusting means,
2. The semiconductor laser device according to claim 1, wherein the gain of the variable gain amplifier is changed based on the output signal of the second detecting means.
【請求項3】 前記制御手段は、第1の検出手段からの
出力信号と基準信号とを比較する比較手段を有し、前記
調整手段は第2の検出手段の出力信号に基づいて前記基
準信号を変えるものであることを特徴とする請求項1記
載の半導体レーザ装置。
3. The control means has a comparing means for comparing an output signal from the first detecting means with a reference signal, and the adjusting means has the reference signal based on the output signal of the second detecting means. 2. The semiconductor laser device according to claim 1, wherein
【請求項4】 前記調整手段は、光ディスク装置のイニ
シャライズ時に動作することを特徴とする請求項1ない
し3記載の半導体レーザ装置。
4. The semiconductor laser device according to claim 1, wherein the adjusting means operates during initialization of the optical disk device.
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2004077418A1 (en) * 2003-02-25 2004-09-10 Pioneer Corporation Information recording device and information recording method
JP2009043372A (en) * 2007-08-10 2009-02-26 Sanyo Electric Co Ltd Light emitting element control device
JP2009064481A (en) * 2007-09-04 2009-03-26 Pulstec Industrial Co Ltd Optical disk device
JP2009283128A (en) * 2009-08-27 2009-12-03 Sony Corp Photodetector and optical disk device
US8023391B2 (en) 2007-02-07 2011-09-20 Sony Corporation Photodetection device and optical disk device

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2004077418A1 (en) * 2003-02-25 2004-09-10 Pioneer Corporation Information recording device and information recording method
US7230895B2 (en) 2003-02-25 2007-06-12 Pioneer Corporation Information recording apparatus and information recording method
US8023391B2 (en) 2007-02-07 2011-09-20 Sony Corporation Photodetection device and optical disk device
JP2009043372A (en) * 2007-08-10 2009-02-26 Sanyo Electric Co Ltd Light emitting element control device
JP2009064481A (en) * 2007-09-04 2009-03-26 Pulstec Industrial Co Ltd Optical disk device
JP2009283128A (en) * 2009-08-27 2009-12-03 Sony Corp Photodetector and optical disk device

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