JPH0772409A - Electrostatic power driven optical scanner and its production - Google Patents
Electrostatic power driven optical scanner and its productionInfo
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- JPH0772409A JPH0772409A JP21832993A JP21832993A JPH0772409A JP H0772409 A JPH0772409 A JP H0772409A JP 21832993 A JP21832993 A JP 21832993A JP 21832993 A JP21832993 A JP 21832993A JP H0772409 A JPH0772409 A JP H0772409A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、ファクシミリやプリン
タ−の書き込み用や、光ピックアップのトラッキング調
整用光走査装置として、また将来の光コンピュ−ティン
グに代表される光情報処理分野において重要なデバイス
として利用されるであろう光走査装置とその製造方法に
関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention is an important device as an optical scanning device for writing in a facsimile or a printer or for tracking adjustment of an optical pickup, and in the field of optical information processing represented by future optical computing. The present invention relates to an optical scanning device that will be used as a device and a manufacturing method thereof.
【０００２】[0002]
【従来の技術】以下、従来の１軸方向走査用の光走査装
置について図８、９をもちいて説明する。図８、９にお
いて、６０は半導体レ−ザ、６１はポリゴンミラ−、６
２は中間光学系、６３は感光ドラム、６４は半導体レ−
ザと光学系ブロック、６５は光ディスク、６６はレン
ズ、６７は固定ミラ−、６８はトラッキング調整用光走
査装置である。2. Description of the Related Art A conventional optical scanning device for uniaxial scanning will be described below with reference to FIGS. In FIGS. 8 and 9, 60 is a semiconductor laser, 61 is a polygon mirror, 6
2 is an intermediate optical system, 63 is a photosensitive drum, and 64 is a semiconductor laser.
The optical system block 65, an optical disk 65, a lens 66, a fixed mirror 67, and an optical scanning device 68 for tracking adjustment.
【０００３】以上のように構成された１軸方向走査用の
光走査装置について、その動作を説明する。図８は、レ
−ザプリンタに用いられるポリゴンミラ−による光走査
装置で、半導体レ−ザ６０から出た光がポリゴンミラ−
６１に反射され、中間光学系６２を経て感光ドラム６３
上に潜像を形成する。The operation of the optical scanning device for uniaxial scanning configured as described above will be described. FIG. 8 shows an optical scanning device using a polygon mirror used in a laser printer. Light emitted from a semiconductor laser 60 is a polygon mirror.
61 reflected by the photosensitive drum 63 through the intermediate optical system 62.
Form a latent image on top.
【０００４】図９は、光磁気ディスク装置に用いられる
トラッキング調整用光走査装置である。半導体レ−ザと
光学系ブロック６４から出た光が、トラッキング調整用
光走査装置６８により反射され、固定ミラ−６７、レン
ズ６６を通過して光ディスク６５に入射する。トラッキ
ング調整用光走査装置６８は、ミラ−部とそれを動かす
ためのマグネットやコイルなどから構成されている。FIG. 9 shows an optical scanning device for tracking adjustment used in a magneto-optical disk device. The light emitted from the semiconductor laser and the optical system block 64 is reflected by the tracking adjustment optical scanning device 68, passes through the fixed mirror 67 and the lens 66, and enters the optical disc 65. The tracking adjustment optical scanning device 68 includes a mirror unit and a magnet or coil for moving the mirror unit.
【０００５】つぎに、近年マイクロマシンの研究が盛ん
に行われるようになり、シリコンマイクロマシニングを
用いた小型光走査装置が作られている。例えば、静電型
シリコンねじり振動子（富士電気，中川ほか）、日本機
械学会第６８期全国大会講演会講演論文集Ｖｏｉ．Ｄ、
（１９９０）などである。Next, research on micromachines has been actively conducted in recent years, and small optical scanning devices using silicon micromachining have been manufactured. For example, electrostatic silicon torsion oscillator (Fuji Electric, Nakagawa et al.), Proc. Of the 68th National Congress of the Japan Society of Mechanical Engineers, Voi. D,
(1990) and the like.
【０００６】以下、近年の小型光走査装置について、図
１０、１１を用いて説明する。図１０、１１において、
６９は振動子、７０は可動板、７１はスパンバウンド、
７２は枠、７３はガラス基板、７４はスペ−サである。
次にその構成と動作について説明する。Hereinafter, a recent compact optical scanning device will be described with reference to FIGS. 10 and 11,
69 is a vibrator, 70 is a movable plate, 71 is a span bound,
72 is a frame, 73 is a glass substrate, and 74 is a spacer.
Next, the configuration and operation will be described.
【０００７】図１０は、静電型シリコンねじり振動子の
外観図である。振動子６９は、可動板７０とスパンバウ
ンド７１と枠７２からなり、厚さ０．３ｍｍのシリコン
からエッチングにより一体形成している。可動板７０と
スパンバウンド７１の厚さは２０μｍである。シリコン
振動子６９は、電極を形成したガラス基板７３にスペ−
サ７４を挟んで接着している。FIG. 10 is an external view of an electrostatic type silicon torsion oscillator. The vibrator 69 includes a movable plate 70, a span bound 71, and a frame 72, and is integrally formed by etching from silicon having a thickness of 0.3 mm. The thickness of the movable plate 70 and the span bound 71 is 20 μm. The silicon vibrator 69 is placed on the glass substrate 73 on which electrodes are formed.
It is bonded by sandwiching the support 74.
【０００８】図１１は、静電型シリコンねじり振動子の
運動状態を示した断面図である。Ｓ字型のスパンバウン
ド７１で支持された可動板７０と電極間に電圧を印加す
ると、両者の間に静電力が働き、可動板７０はスパンバ
ウンド７１を軸として電極に静電吸引され振動する。FIG. 11 is a sectional view showing a motion state of the electrostatic silicon torsion oscillator. When a voltage is applied between the movable plate 70 supported by the S-shaped span bounds 71 and the electrodes, an electrostatic force acts between the electrodes, and the movable plate 70 is electrostatically attracted to the electrodes about the span bounds 71 and vibrates. .
【０００９】[0009]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、これら
の従来の光走査装置の場合、ポリゴンミラ−を用いた方
式は、ポリゴンミラ−やミラ−を回転させるモ−タが必
要であり、全体を小型化することが困難である。またミ
ラ−とマグネット、コイルを用いた光磁気ディスク用の
光走査装置もさらに小型化しようとすると課題が多い。However, in the case of these conventional optical scanning devices, the method using a polygon mirror requires a polygon mirror and a motor for rotating the mirror, and thus the overall size is small. Difficult to convert. Further, there are many problems in further miniaturizing an optical scanning device for a magneto-optical disk using a mirror, a magnet and a coil.
【００１０】静電型シリコンねじり振動子の場合は、小
型であるが、前記の構成では、可動板のミラ−として使
用する面がエッチング加工面であり、反射効率が悪い。
またミラ−、スペ−サ、ガラス基板から構成され、それ
ぞれを接着剤により固定しており、組立の困難さや温度
変化に対する特性変動が大きい。In the case of the electrostatic silicon torsion oscillator, it is small in size, but in the above-mentioned structure, the surface used as the mirror of the movable plate is the etched surface, and the reflection efficiency is poor.
Further, it is composed of a mirror, a spacer, and a glass substrate, and they are fixed by an adhesive, so that the characteristics vary greatly with difficulty in assembly and temperature change.
【００１１】本発明は、上記従来の課題を解決するもの
で、半導体プロセス加工を用いて、ミラ−やアクチェ−
タを形成し、超小型で信頼性の高い１軸方向の光走査装
置を提供することを目的とする。The present invention solves the above-mentioned problems of the prior art by using a semiconductor process to make a mirror or an actuator.
It is an object of the present invention to provide a uniaxial optical scanning device that forms an optical axis and is ultra-compact and highly reliable.
【００１２】[0012]
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明は、シリコン基板の鏡面仕上げ面に金属コ−テ
ィングし、半導体レ−ザ光等を反射するミラ−面とし、
さらにその裏面にも金属コ−ティングされているミラ−
部と、前記ミラ−部と一体で構成され、ミラ−部を両側
から支持し、ミラ−部が１軸方向に変位できるようにね
じれを生じる走査用の梁と、前記ミラ−部と走査用の梁
と一体で形成されガラス基板と接合するためのミラ−外
周部と、前記ミラ−部を駆動するためにミラ−部の下面
に対向する位置に配置された駆動電極と、前記駆動電極
を絶縁するための絶縁膜と、ミラ−の中央部を裏面から
支持し、ミラ−部と駆動電極間のギャップを決めるギャ
ップ形成部と、前記駆動電極、絶縁膜、ギャップ形成部
を有するガラス基板からなり、前記ミラ−外周部とギャ
ップ形成部において陽極接合することにより一体化され
ている静電力駆動光走査装置の構造や、陽極接合を可能
にするためのミラ−外周部とギャップ形成部の製造方法
や、ミラ−外周部とギャップ形成部を接合した後でドラ
イエッチングにより不要な部分を分離する製造方法等を
示すものである。In order to achieve this object, the present invention provides a mirror surface which is metal coated on a mirror-finished surface of a silicon substrate to reflect semiconductor laser light or the like.
Furthermore, the mirror is also metal-coated on the back side.
And a beam for scanning, which is constructed integrally with the mirror part, supports the mirror part from both sides, and causes a twist so that the mirror part can be displaced in one axial direction, and the mirror part and the scanning beam. The outer periphery of the mirror formed integrally with the beam for joining with the glass substrate, the drive electrode arranged at a position facing the lower surface of the mirror part for driving the mirror part, and the drive electrode. From a glass substrate having an insulating film for insulation and a gap forming portion that supports the central portion of the mirror from the back surface and determines the gap between the mirror portion and the driving electrode, and the driving electrode, the insulating film, and the gap forming portion. And the structure of the electrostatic force driven optical scanning device integrated by anodic bonding in the outer peripheral part of the mirror and the gap forming part, and manufacturing of the outer peripheral part of the mirror and gap forming part for enabling the anodic bonding. Method and mirror-outer part Shows a manufacturing method for separating an unnecessary portion by dry etching after bonding the gap forming portion.
【００１３】[0013]
【作用】本発明は、上記構成によって、シリコン基板上
に形成されたミラ−が、駆動電極に電圧を印加すること
で１軸方向の走査が可能となり、超小型で反射ミラ−面
の効率もよい静電力駆動光走査装置を提供することがで
きる。また上記の製造方法によって、接着材を使用せ
ず、陽極接合によりほぼ同程度の熱膨脹率の材料で構成
することにより温度変化にも強く、信頼性の高い光走査
装置を提供することができる。さらにウエハの状態で接
合した後、ドライエッチングして分離することにより、
量産性があり、微小部品の組立の困難さを軽減し、歩留
まりの良い製造工程となり、低コストの光走査装置を提
供することができる。According to the present invention, with the above structure, the mirror formed on the silicon substrate can be scanned in one axis direction by applying a voltage to the driving electrode, and the mirror is very small and the efficiency of the reflecting mirror surface is high. A good electrostatic force driven optical scanning device can be provided. Further, according to the above-mentioned manufacturing method, an adhesive material is not used, and the optical scanning device having high thermal expansion coefficient by anodic bonding is resistant to temperature change and highly reliable. Furthermore, after bonding in the state of wafer, by dry etching and separating,
It is possible to provide a low-cost optical scanning device that has mass productivity, reduces the difficulty of assembling minute parts, has a high-yield manufacturing process.
【００１４】[0014]
（実施例１）以下、本発明の第１の実施例について図面
を参照しながら説明する。図１は、本発明の第１の実施
例における静電力駆動光走査装置を示す斜視図である。
図１において、１はミラ−部、２は走査用の梁、３はミ
ラ−外周部、４は駆動電極、５は絶縁膜、６はギャップ
形成部、７はガラス基板、８は駆動電極外部リ−ド接続
部である。(Embodiment 1) Hereinafter, a first embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a perspective view showing an electrostatic force driven optical scanning device according to a first embodiment of the present invention.
In FIG. 1, 1 is a mirror part, 2 is a beam for scanning, 3 is a mirror outer peripheral part, 4 is a driving electrode, 5 is an insulating film, 6 is a gap forming part, 7 is a glass substrate, 8 is an outside of the driving electrode. It is a lead connection part.
【００１５】ミラ−部１は、シリコン基板でできてお
り、シリコン基板の鏡面仕上げ面に、図示されていない
が金属コ−ティング、たとえばクロム＋金のコ−ティン
グを行いミラ−面として用い、さらにその裏面は、エッ
チングにより薄肉に加工されているが、その面にも金属
コ−ティングされている。このミラ−部１は、ミラ−部
１を両側から支持しミラ−部１が１方向に変位できるよ
うねじれを生じるシリコン基板で形成された走査用の梁
２と、ガラス基板７と接続するためのミラ−外周部３と
一体で形成されている。The mirror portion 1 is made of a silicon substrate, and a mirror-finished surface of the silicon substrate is subjected to metal coating (not shown), for example, chrome + gold, which is used as a mirror surface. Further, the back surface is processed to be thin by etching, and the surface thereof is also metal-coated. Since the mirror portion 1 supports the mirror portion 1 from both sides and connects the scanning beam 2 formed of a silicon substrate that causes twist so that the mirror portion 1 can be displaced in one direction, with the glass substrate 7. The mirror is formed integrally with the outer peripheral portion 3.
【００１６】前記ミラ−部１を駆動するために、ミラ−
部１の下面の対向する位置に駆動電極４が形成されてお
り、また駆動電極４を絶縁するための絶縁膜５が形成さ
れている。さらに、ミラ−部１の中央部を裏面から支持
し、ミラ−部１と駆動電極４のギャップを決めるため
に、ギャップ形成部６が形成され、これら駆動電極４と
絶縁膜５とギャップ形成部６は、ガラス基板７上に形成
される。ギャップ形成部６とミラ−外周部３は、陽極接
合により接合されており、ギャップ形成部６とミラ−部
１は接合されていない。In order to drive the mirror unit 1, a mirror
The drive electrodes 4 are formed on the lower surface of the portion 1 at opposite positions, and an insulating film 5 for insulating the drive electrodes 4 is formed. Further, a gap forming portion 6 is formed in order to support the central portion of the mirror portion 1 from the back surface and determine the gap between the mirror portion 1 and the driving electrode 4, and these driving electrode 4, insulating film 5 and gap forming portion are formed. 6 is formed on the glass substrate 7. The gap forming portion 6 and the mirror outer peripheral portion 3 are joined by anodic bonding, and the gap forming portion 6 and the mirror portion 1 are not joined.
【００１７】以上のように構成された静電力駆動光走査
装置について、次にその動作について説明する。ミラ−
部１は、駆動電極４に交互に電圧を印加することによ
り、静電力を受け、走査用の梁２にねじれを生じ、ミラ
−部１の中央の下部にあるギャップ形成部６を支点とし
て、１方向に走査する動作をする。また、走査角度は、
ギャップ形成部６により制限される走査範囲において、
印加電圧により制御することができる。The operation of the electrostatic force drive optical scanning device constructed as described above will be described below. Mira
The portion 1 receives an electrostatic force by alternately applying a voltage to the drive electrode 4 to cause the scanning beam 2 to be twisted, and the gap forming portion 6 in the lower center of the mirror portion 1 as a fulcrum. It operates to scan in one direction. Also, the scanning angle is
In the scanning range limited by the gap forming section 6,
It can be controlled by the applied voltage.
【００１８】以上のように、本実施例によれば、シリコ
ンで形成したミラ−部１を駆動電極４に電圧印加するこ
とにより、静電力を利用して１方向に走査することがで
きる光走査装置を提供することができる。As described above, according to this embodiment, by applying the voltage to the mirror portion 1 made of silicon to the driving electrode 4, the optical scanning can be performed in one direction by utilizing the electrostatic force. A device can be provided.
【００１９】（実施例２）以下、本発明の第２の実施例
について図面を参照して説明する。図２は、本実施例に
おけるミラ−部およびミラ−外周部の裏面を示す斜視図
である。図２において、９はミラ−外周部裏面、１０は
ミラ−部裏面、１１はミラ−減肉部、１２はクロム−金
コ−ティング部である。(Second Embodiment) A second embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 2 is a perspective view showing the back surfaces of the mirror portion and the outer peripheral portion of the mirror in this embodiment. In FIG. 2, 9 is the back surface of the outer peripheral portion of the mirror, 10 is the back surface of the mirror portion, 11 is the thinned portion of the mirror, and 12 is the chrome-gold coating portion.
【００２０】ミラ−外周部裏面９は、図１に示されてい
るギャップ形成部６と陽極接合する部分であり、陽極接
合条件を温度４００℃前後、電圧５００Ｖ程度のとき、
この接合をより確実に実現するためには、エッチング加
工後のミラ−外周部裏面９の表面粗さを、中心線平均粗
さＲａ＝０．０６０μｍ以下にする必要がある。陽極接
合条件において、印加電圧を１ｋＶ程度まで高くすると
Ｒａ＝０．０８５μｍ程度でも部分的な接合が可能であ
るが、信頼性の高い接合は難しい。The mirror back surface 9 is a portion for anodic bonding with the gap forming portion 6 shown in FIG. 1. When the anodic bonding conditions are a temperature of about 400 ° C. and a voltage of about 500V,
In order to realize this joining more reliably, it is necessary to set the surface roughness of the mirror-outer peripheral portion back surface 9 after the etching process to a center line average roughness Ra = 0.060 μm or less. Under the anodic bonding conditions, if the applied voltage is increased to about 1 kV, partial bonding is possible even with Ra = 0.085 μm, but reliable bonding is difficult.
【００２１】次に、ミラ−部裏面１０とミラ−外周部裏
面９の一部にクロム−金コ−ティング１２を行ってい
る。ミラ−外周部裏面９の一部までコ−ティングしてい
るには、ミラ−部裏面１０の電位を０Ｖにするためであ
り、この目的だけであれば、他の金属コ−ティングでも
良い。ここでクロム−金コ−ティングにしているのは、
ミラ−外周部裏面９とギャップ形成部６を陽極接合する
ときに、ミラ−部裏面１０と接するギャップ形成部６
が、同時にミラ−部裏面１０と接合されないように、保
護するためである。金のかわりに他の酸化しない金属で
もよい。Next, a chrome-gold coating 12 is applied to a part of the rear surface 10 of the mirror portion and the rear surface 9 of the outer peripheral portion of the mirror. The reason why the mirror back surface 9 is partially coated is to set the potential of the mirror back surface 10 to 0V. For this purpose, another metal coating may be used. The chrome-gold coating here is
When anodic bonding the back surface 9 of the outer peripheral portion of the mirror and the gap forming portion 6, the gap forming portion 6 is in contact with the back surface 10 of the mirror portion.
However, this is to protect the back surface 10 of the mirror portion from being joined at the same time. Instead of gold, another non-oxidizing metal may be used.
【００２２】以上のように、ミラ−外周部裏面９のエッ
チング加工後の表面粗さを中心線平均粗さＲａ＝０．０
６０μｍ以下とし、さらにミラ−部裏面１０にクロム−
金コ−ティング１２することにより、ミラ−外周部とギ
ャップ形成部の陽極接合が確実に行われ、ミラ−部裏面
１０とギャップ形成部６との接合を防ぐことができ、ミ
ラ−部１が、下部にあるギャップ形成部６を支点とし
て、走査することが出来る。As described above, the surface roughness of the back surface 9 of the mirror outer peripheral portion after the etching process is the center line average roughness Ra = 0.0.
60 μm or less, and chromium on the back surface 10 of the mirror part
The gold coating 12 ensures reliable anodic bonding between the outer peripheral portion of the mirror and the gap forming portion, prevents the rear surface 10 of the mirror portion and the gap forming portion 6 from being joined together, and the mirror portion 1 , Scanning can be performed with the gap forming portion 6 located below as a fulcrum.
【００２３】（実施例３）以下、本発明の第３の実施例
について図面を参照して説明する。図３は、本実施例に
おけるミラ−部のエッチングによる製造方法を示す工程
図である。図３において、１３はシリコン基板、１４は
ＳｉＯ2 膜、１５は第１のパタ−ン、１６はミラ−面、
１７は第１段階エッチング、１８は第２のパタ−ン、１
９は第２段階エッチングである。(Embodiment 3) A third embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 3 is a process chart showing the manufacturing method by etching the mirror portion in this embodiment. In FIG. 3, 13 is a silicon substrate, 14 is a SiO 2 film, 15 is a first pattern, 16 is a mirror surface,
17 is the first stage etching, 18 is the second pattern, 1
9 is the second stage etching.
【００２４】次にミラ−部の製造方法を示す。（ａ）に
示すように、シリコン基板１３のミラ−面１６として使
う面の反対の面に、ＳｉＯ2 膜１４により第１のパタ−
ン１５を形成する。次に（ｂ）に示すように、ウエット
エッチングにより第１段階エッチング１７を行う。この
エッチング量は、最終のミラ−部の肉厚の寸法差だけ加
工する。次に（ｃ）に示すように、第２のパタ−ン１８
をＳｉＯ2 膜１４に形成する。次に（ｄ）に示すように
ウエットエッチングを行い、第２段階エッチング１９を
行い所定の厚さまで加工する。このとき、第１段階エッ
チング部は、その形状が広がってくるので、あらかじ
め、その第２段階エッチングでの広がりを考慮して、第
１のパタ−ン１５は設計されている。最後は、（ｅ）に
示すように、ＳｉＯ2 膜１４を除去すると、ミラ−部の
ウエットエッチングが終了する。Next, a method for manufacturing the mirror portion will be described. As shown in (a), the SiO 2 film 14 forms a first pattern on the surface of the silicon substrate 13 opposite to the surface used as the mirror surface 16.
Forming a ring 15. Next, as shown in (b), the first stage etching 17 is performed by wet etching. This etching amount is processed by the difference in the thickness of the final mirror portion. Next, as shown in (c), the second pattern 18
Is formed on the SiO 2 film 14. Next, as shown in (d), wet etching is performed, and second stage etching 19 is performed to process the film to a predetermined thickness. At this time, since the shape of the first-stage etching portion expands, the first pattern 15 is designed in advance in consideration of the expansion in the second-stage etching. Finally, as shown in (e), when the SiO 2 film 14 is removed, the wet etching of the mirror portion is completed.
【００２５】以上のようにミラ−部のウエットエッチン
グを行うことにより、ミラ−部自体の重量コントロ−ル
をすることが可能となり、走査装置にあわせたミラ−を
作ることが出来る。 （実施例４）以下、本発明の第４の実施例について図面
を参照しながら説明する。図４は、本実施例におけるミ
ラ−部のエッチングによる製造方法の他の例を示す工程
図である。図４において、１３はシリコン基板、１４は
ＳｉＯ2 膜、１６はミラ−面、２０は第１のパタ−ン、
２１は第１段階エッチング、２２はＳｉＯ2 膜、２３は
第２のパタ−ン、２４は第２段階エッチングである。By performing the wet etching of the mirror portion as described above, it is possible to control the weight of the mirror portion itself, and it is possible to make a mirror suitable for the scanning device. (Embodiment 4) Hereinafter, a fourth embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 4 is a process drawing showing another example of the manufacturing method by etching the mirror portion in this embodiment. In FIG. 4, 13 is a silicon substrate, 14 is a SiO 2 film, 16 is a mirror surface, 20 is a first pattern,
21 is the first stage etching, 22 is the SiO 2 film, 23 is the second pattern, and 24 is the second stage etching.
【００２６】次にミラ−部の製造方法を示す。（ａ）に
示すように、シリコン基板１３のミラ−面１６と反対の
面に、ＳｉＯ2 膜１４により第１のパタ−ン２０を形成
する。次に、（ｂ）に示すように第１段階のエッチング
２１により、この第１のパタ−ン２０の所定の厚さまで
加工する。次に（ｃ）に示すように、ＳｉＯ2 膜１４を
一度除去し、あらためてＳｉＯ2 膜２２を形成する。次
に（ｄ）に示すように、第２のパタ−ン２３を形成す
る。次に（ｅ）に示すように、第２のパタ−ン２３を第
２段階エッチングにより、所定の厚さまでエッチングす
る。次に（ｆ）に示すように、ＳｉＯ2 膜２２を除去す
れば、ミラ−部のウエットエッチングが終了する。Next, a method for manufacturing the mirror portion will be described. As shown in (a), a first pattern 20 is formed from the SiO 2 film 14 on the surface of the silicon substrate 13 opposite to the mirror surface 16. Next, as shown in (b), the first pattern 20 is processed to a predetermined thickness by the first-stage etching 21. Next, as shown in (c), the SiO 2 film 14 is once removed, and the SiO 2 film 22 is formed again. Next, as shown in (d), a second pattern 23 is formed. Next, as shown in (e), the second pattern 23 is etched to a predetermined thickness by the second stage etching. Next, as shown in (f), the SiO 2 film 22 is removed, and the wet etching of the mirror portion is completed.
【００２７】以上のようにミラ−部のエッチングを行う
ことにより、第３の実施例よりも工程数は増えるが、よ
り正確にミラ−部自体の重量コントロ−ルをすることが
可能となり、走査装置にあわせたミラ−を作ることが出
来る。Although the number of steps is increased by etching the mirror part as described above, the weight control of the mirror part itself can be performed more accurately, and the scanning can be performed. You can make mirrors that match the equipment.
【００２８】（実施例５）以下、本発明の第５の実施例
について図面を参照しながら説明する。図５は、本実施
例における駆動電極部の製作方法およびミラ−部との接
合を示す工程図である。図５において、２５は陽極接合
できるガラス基板、２６は駆動電極、２７は陽極接合で
きるガラス、２８はギャップ形成部、２９は陽極接合で
きる絶縁膜、３０はミラ−部、３１はミラ−外周部であ
る。(Fifth Embodiment) A fifth embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 5 is a process diagram showing a method of manufacturing the drive electrode portion and joining with the mirror portion in this embodiment. In FIG. 5, 25 is a glass substrate that can be anodically bonded, 26 is a drive electrode, 27 is glass that can be anodically bonded, 28 is a gap forming part, 29 is an insulating film that can be anodically bonded, 30 is a mirror part, and 31 is a mirror outer peripheral part. Is.
【００２９】次に製造方法を示す。（ａ）に示すように
陽極接合できるガラス基板２５に、駆動電極２６を形成
する。次に（ｂ）のように陽極接合できるガラス２７を
スパッタリング等により、ギャップとして必要な厚さだ
け形成する。次に（ｃ）に示すように陽極接合できるガ
ラス２７に、エッチングによりギャップ形成部２８を形
成する。次に（ｄ）に示すように、前工程により電極面
を露出させた駆動電極２６の上に、陽極接合できる絶縁
膜２９を形成する。ここで、陽極接合できるガラス基板
２５と陽極接合できるガラス２７と陽極接合できる絶縁
膜２９は、同一材料であってもよい。そして最後に
（ｅ）に示したように、ミラ−部３０と一体であるミラ
−外周部３１とギャップ形成部２８において陽極接合が
行われ、一体化される。Next, a manufacturing method will be described. As shown in (a), the drive electrode 26 is formed on the glass substrate 25 that can be anodically bonded. Next, as shown in (b), glass 27 capable of anodic bonding is formed by sputtering or the like to a thickness required as a gap. Next, as shown in (c), a gap forming portion 28 is formed in the glass 27 that can be anodically bonded by etching. Next, as shown in (d), an insulating film 29 capable of anodic bonding is formed on the drive electrode 26 whose electrode surface is exposed in the previous step. Here, the glass substrate 25 that can be anodically bonded, the glass 27 that can be anodically bonded, and the insulating film 29 that can be anodically bonded may be the same material. Finally, as shown in (e), anodic bonding is performed at the mirror outer peripheral portion 31 and the gap forming portion 28, which are integral with the mirror portion 30, to be integrated.
【００３０】以上の方法により、駆動電極の形成と、駆
動電極部とミラ−外周部との陽極接合が可能となり、信
頼性の高い光走査装置を提供することができる。By the method described above, the drive electrode can be formed and the anodic bonding between the drive electrode portion and the mirror outer peripheral portion can be performed, and a highly reliable optical scanning device can be provided.
【００３１】（実施例６）以下、本発明の第６の実施例
について図面を参照しながら説明する。図６は、本実施
例における他の駆動電極部の製作方法およびミラ−部と
の接合を示す工程図である。図６において、３２は陽極
接合できるガラス基板、３３はフォトレジスト、３４は
第１のパタ−ン、３５は第１のエッチング、３６はギャ
ップ形成部、３７はフォトレジスト、３８は第２のパタ
−ン、３９はアルミニウム、４０はフォトレジスト、４
１は駆動電極、４２は絶縁膜、４３はミラ−外周部、４
４はミラ−部である。(Embodiment 6) A sixth embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 6 is a process diagram showing another method of manufacturing the drive electrode portion and joining with the mirror portion in this embodiment. In FIG. 6, 32 is a glass substrate capable of anodic bonding, 33 is a photoresist, 34 is a first pattern, 35 is a first etching, 36 is a gap forming portion, 37 is a photoresist, and 38 is a second pattern. -39, aluminum 39, photoresist 40
1 is a drive electrode, 42 is an insulating film, 43 is a mirror outer peripheral portion, 4
4 is a mirror part.
【００３２】次に製造方法について示す。（ａ）に示す
ように、陽極接合できるガラス基板３２上に、フォトレ
ジスト３３により第１のパタ−ン３４を形成する。次に
（ｂ）に示すように、第１のエッチング３５によりギャ
ップ形成部３６を形成する。次に（ｃ）に示すように、
フォトレジスト３３を除去し新しくフォトレジスト３７
により、第２のパタ−ン３８を形成する。Next, a manufacturing method will be described. As shown in (a), a first pattern 34 is formed by a photoresist 33 on a glass substrate 32 capable of anodic bonding. Next, as shown in (b), the gap forming portion 36 is formed by the first etching 35. Next, as shown in (c),
The photoresist 33 is removed and a new photoresist 37 is added.
Thus, the second pattern 38 is formed.
【００３３】次に（ｄ）に示すように、アルミニウム３
９を蒸着し、さらに（ｅ）に示すように、リフトオフに
よりフォトレジスト３７を除去し、駆動電極４１を形成
し、そしてさらに、次のフォトレジスト４０を形成す
る。Next, as shown in FIG.
9 is vapor-deposited, and as shown in (e), the photoresist 37 is removed by lift-off, the drive electrode 41 is formed, and the next photoresist 40 is further formed.
【００３４】次に（ｆ）に示すように、全面に絶縁膜を
スパッタリングしたあと、フォトレジスト４０を除去す
ることにより、駆動電極４１上には絶縁膜が形成され、
ギャップ形成部３６には絶縁膜がない状態になる。次に
（ｇ）に示すように、ミラ−部４４と一体であるミラ−
外周部４３をギャップ形成部３６の上にのせて、ミラ−
外周部４３において陽極接合することにより一体化され
る。Next, as shown in (f), an insulating film is formed on the drive electrode 41 by sputtering the insulating film on the entire surface and then removing the photoresist 40.
The gap forming portion 36 has no insulating film. Next, as shown in (g), a mirror that is integral with the mirror portion 44.
Place the outer peripheral portion 43 on the gap forming portion 36, and
The outer peripheral portion 43 is integrated by anodic bonding.
【００３５】以上の方法により、駆動電極の形成と、駆
動電極部とミラ−外周部との陽極接合が可能となり、信
頼性の高い光走査装置を提供することができる。By the above method, the drive electrode can be formed and the drive electrode portion and the outer peripheral portion of the mirror can be anodically bonded to each other, so that a highly reliable optical scanning device can be provided.
【００３６】（実施例７）以下、本発明の第７の実施例
について図面を参照しながら説明する。図７は、本実施
例におけるミラ−部と駆動電極部の組立を示す工程図で
ある。図７において、４５は陽極接合できるガラス基
板、４６は駆動電極、４７は絶縁膜、４８はギャップ形
成部、４９はミラ−外周部、５０はアルミパタ−ン、５
１はミラ−部、５２はシリコンウエハ、５３はＲＩＥ
（リアクティブ イオン エッチング）加工部である。(Embodiment 7) A seventh embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 7 is a process diagram showing the assembly of the mirror portion and the drive electrode portion in this embodiment. In FIG. 7, 45 is a glass substrate that can be anodically bonded, 46 is a drive electrode, 47 is an insulating film, 48 is a gap forming portion, 49 is a mirror outer peripheral portion, 50 is an aluminum pattern, 5
1 is a mirror part, 52 is a silicon wafer, 53 is RIE
(Reactive ion etching) Processing part.
【００３７】次に組立方法について示す。（ａ）に示す
ように、駆動電極４６とその絶縁膜４７およびギャップ
形成部４８を有する陽極接合できるガラス基板４５の上
に、ミラ−部５１、ミラ−外周部４９を形成するための
アルミパタ−ン５０を有するシリコンウエハ５２を、所
定の位置にアライメントして、ミラ−外周部４９とギャ
ップ形成部４８との間で、陽極接合を行い両者を一体化
する。次に（ｂ）に示すように、アルミパタ−ン５０を
ＲＩＥ加工のマスクとして、ミラ−部５１とミラ−外周
部４９との間や、ミラ−外周部４９と他の余分なシリコ
ンウエハ部分との間のＲＩＥ加工部５３を加工し分離す
る。Next, the assembly method will be described. As shown in (a), an aluminum pattern for forming a mirror portion 51 and a mirror outer peripheral portion 49 on a glass substrate 45 capable of anodic bonding having a drive electrode 46, its insulating film 47 and a gap forming portion 48. A silicon wafer 52 having a wafer 50 is aligned at a predetermined position, and anodic bonding is performed between the mirror outer peripheral portion 49 and the gap forming portion 48 to integrate them. Next, as shown in (b), the aluminum pattern 50 is used as a mask for RIE processing, between the mirror portion 51 and the mirror outer peripheral portion 49, and between the mirror outer peripheral portion 49 and other extra silicon wafer portions. The RIE processing portion 53 between the two is processed and separated.
【００３８】以上のように、ミラ−部５１と駆動電極４
６を有するガラス基板４５を、陽極接合して一体化し、
その後ＲＩＥ加工することによりミラ−部５１を形成
し、さらに、余分なシリコンウエハ部を分離することに
より、微小部品の組立を容易にするとともに、組立後の
加工も負荷が少なく、また複数個を同時に加工すること
が可能で、歩留まりもよく、量産性のある組立方法を提
供することができる。As described above, the mirror portion 51 and the drive electrode 4 are
The glass substrate 45 having 6 is anodically bonded and integrated,
After that, the mirror portion 51 is formed by RIE processing, and the extra silicon wafer portion is separated to facilitate the assembly of minute parts, and the processing after assembly is less burdensome. It is possible to provide an assembling method that can be processed at the same time, has a high yield, and can be mass-produced.
【００３９】[0039]
【発明の効果】以上のように本発明は、シリコン基板の
鏡面仕上げ面に金コ−ティングし、半導体レ−ザ光等を
反射するミラ−面とし、さらにその裏面にも金属コ−テ
ィングされているミラ−部と、前記ミラ−部と一体で構
成され、ミラ−部を両側から支持し、ミラ−部が１軸方
向に変位できるようにねじれを生じる走査用の梁と、前
記ミラ−部と走査用の梁と一体で形成されたガラス基板
と接合するためのミラ−外周部と、前記ミラ−部を駆動
するためにミラ−部の下面に対向する位置に配置された
駆動電極と、前記駆動電極を絶縁するための絶縁膜と、
ミラ−の中央部を裏面から支持し、ミラ−部と駆動電極
間のギャップを決めるギャップ形成部と、前記駆動電
極、絶縁膜、ギャップ形成部を有するガラス基板からな
り、前記ミラ−外周部とギャップ形成部において陽極接
合することにより一体化されている静電力駆動光走査装
置の構造や、陽極接合を可能にするためのミラ−外周部
とギャップ形成部の製造方法や、ミラ−外周部とギャッ
プ形成部を接合した後でドライエッチングにより不要な
部分を分離する製造方法を示すものである。 この構成
により、シリコンで形成されたミラ−部が駆動電極に電
圧を印加することにより、静電力を利用して１方向に走
査する超小型の光走査装置を提供できる。As described above, according to the present invention, a mirror-finished surface of a silicon substrate is coated with gold to form a mirror surface for reflecting semiconductor laser light and the like, and the back surface thereof is also metal-coated. And a scanning beam that is integrally formed with the mirror portion, supports the mirror portion from both sides, and produces a twist so that the mirror portion can be displaced in one axial direction, and the mirror. Outer periphery of the mirror for joining with the glass substrate integrally formed with the scanning portion and the beam for scanning, and a drive electrode arranged at a position facing the lower surface of the mirror for driving the mirror. An insulating film for insulating the drive electrode,
A glass substrate having a gap forming portion that supports the central portion of the mirror from the back surface and determines the gap between the mirror portion and the driving electrode, the driving electrode, the insulating film, and the gap forming portion, and the outer peripheral portion of the mirror. Structure of electrostatic force driven optical scanning device integrated by anodic bonding in the gap forming part, manufacturing method of mirror outer peripheral part and gap forming part for enabling anodic bonding, and mirror outer peripheral part It shows a manufacturing method in which an unnecessary portion is separated by dry etching after joining the gap forming portion. With this configuration, it is possible to provide a microminiature optical scanning device that scans in one direction using electrostatic force by applying a voltage to the drive electrode by the mirror portion formed of silicon.
【００４０】またこの製造方法により、ミラ−外周部と
ギャップ形成部の陽極接合が、確実に行われ、ミラ−自
体の重量コントロ−ルが可能になり、信頼性が高く、か
つ量産性のある光走査装置を提供できる。Further, according to this manufacturing method, the anodic bonding between the outer peripheral portion of the mirror and the gap forming portion is surely performed, the weight control of the mirror itself is possible, and the reliability and the mass productivity are high. An optical scanning device can be provided.
【図１】本発明の第１の実施例における静電力駆動光走
査装置を示す斜視図FIG. 1 is a perspective view showing an electrostatic force driven optical scanning device according to a first embodiment of the present invention.
【図２】本発明の第２の実施例におけるミラ−部および
ミラ−外周部の裏面を示す斜視図FIG. 2 is a perspective view showing a back surface of a mirror portion and a mirror outer peripheral portion according to a second embodiment of the present invention.
【図３】本発明の第３の実施例におけるミラ−部のエッ
チングによる製造方法を示す工程図FIG. 3 is a process drawing showing a manufacturing method by etching a mirror portion in a third embodiment of the present invention.
【図４】本発明の第４の実施例におけるミラ−部のエッ
チングによる製造方法の他の例を示す工程図FIG. 4 is a process drawing showing another example of the manufacturing method by etching the mirror portion in the fourth embodiment of the present invention.
【図５】本発明の第５の実施例における駆動電極部の製
作およびミラ−部との接合を示す工程図FIG. 5 is a process diagram showing manufacturing of a driving electrode portion and joining with a mirror portion in a fifth embodiment of the present invention.
【図６】本発明の第６の実施例における他の駆動電極部
の製作およびミラ−部との接合を示す工程図FIG. 6 is a process drawing showing the production of another drive electrode portion and the joining with the mirror portion in the sixth embodiment of the present invention.
【図７】本発明の第７の実施例におけるミラ−部と駆動
電極部の組立を示す工程図FIG. 7 is a process drawing showing the assembly of the mirror part and the drive electrode part in the seventh embodiment of the present invention.
【図８】従来のレ−ザプリンタに用いられるポリゴンミ
ラ−による光走査装置の説明図FIG. 8 is an explanatory diagram of an optical scanning device using a polygon mirror used in a conventional laser printer.
【図９】従来の光磁気ディスク装置に用いられるトラッ
キング調整用光走査装置の概念斜視図FIG. 9 is a conceptual perspective view of an optical scanning device for tracking adjustment used in a conventional magneto-optical disk device.
【図１０】従来の静電型シリコンねじり振動子の外観図FIG. 10 is an external view of a conventional electrostatic silicon torsional vibrator.
【図１１】従来の静電型シリコンねじり振動子の運動状
態を示した断面図FIG. 11 is a sectional view showing a motion state of a conventional electrostatic silicon torsion oscillator.
１ ミラ−部 ２ 走査用の梁 ３ ミラ−外周部 ４ 駆動電極 ５ 絶縁膜 ６ ギャップ形成部 ７ ガラス基板 ８ 駆動電極外部リ−ド接続部 ９ ミラ−外周部裏面 １０ ミラ−部裏面 １１ ミラ−減肉部 １２ クロム−金コ−ティング部 １３ シリコン基板 １４ ＳｉＯ2 膜 １５ 第１のパタ−ン １６ ミラ−面 １７ 第１段階エッチング １８ 第２のパタ−ン １９ 第２段階エッチング ２０ 第１のパタ−ン ２１ 第１段階エッチング ２２ ＳｉＯ2 膜 ２３ 第２のパタ−ン ２４ 第２段階エッチング ２５ 陽極接合できるガラス基板 ２６ 駆動電極 ２７ 陽極接合できるガラス ２８ ギャップ形成部 ２９ 陽極接合できる絶縁膜 ３０ ミラ−部 ３１ ミラ−外周部 ３２ 陽極接合できるガラス基板 ３３ フォトレジスト ３４ 第１のパタ−ン ３５ 第１のエッチング ３６ ギャップ形成部 ３７ フォトレジスト ３８ 第２のパタ−ン ３９ アルミニウム ４０ フォトレジスト ４１ 駆動電極 ４２ 絶縁膜 ４３ ミラ−外周部 ４４ ミラ−部 ４５ 陽極接合できるガラス基板 ４６ 駆動電極 ４７ 絶縁膜 ４８ ギャップ形成部 ４９ ミラ−外周部 ５０ アルミパタ−ン ５１ ミラ−部 ５２ シリコンウエハ ５３ ＲＩＥ加工部DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 mirror part 2 beam for scanning 3 mirror outer peripheral part 4 drive electrode 5 insulating film 6 gap forming part 7 glass substrate 8 drive electrode external lead connection part 9 mirror outer peripheral part back surface 10 mirror part rear surface 11 mirror Thinned part 12 Chromium-gold coating part 13 Silicon substrate 14 SiO 2 film 15 First pattern 16 Miller surface 17 First stage etching 18 Second pattern 19 Second stage etching 20 First Pattern 21 First-stage etching 22 SiO 2 film 23 Second pattern 24 Second-stage etching 25 Glass substrate that can be anodically bonded 26 Drive electrode 27 Glass that can be anodically bonded 28 Gap forming part 29 Insulating film that can be anodically bonded 30 Mira -Part 31 Mirror-Outer peripheral part 32 Glass substrate capable of anodic bonding 33 Photoresist 34 First pattern 35 First etching 6 Gap Forming Part 37 Photoresist 38 Second Pattern 39 Aluminum 40 Photoresist 41 Drive Electrode 42 Insulating Film 43 Miller Peripheral Part 44 Miller Part 45 Anode Bondable Glass Substrate 46 Drive Electrode 47 Insulating Film 48 Gap Forming Part 49 Miller Outer Part 50 Aluminum Pattern 51 Miller Part 52 Silicon Wafer 53 RIE Processing Part
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 中村 邦彦 神奈川県川崎市多摩区東三田３丁目10番１ 号 松下技研株式会社内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Kunihiko Nakamura 3-10-1 Higashisanda, Tama-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa Matsushita Giken Co., Ltd.
Claims (7)
ティングし、半導体レ−ザ光を反射するミラ−面とし、
さらにその裏面にも金属コ−ティングされているミラ−
部と、前記ミラ−部と一体で構成され、ミラ−部を両側
から支持し、ミラ−部が１軸方向に変位できるようにね
じれを生じる走査用の梁と、前記ミラ−部と走査用の梁
と一体で形成されガラス基板と接合するためのミラ−外
周部と、前記ミラ−部を駆動するためにミラ−部の下面
に対向する位置に配置された駆動電極と、前記駆動電極
を絶縁するための絶縁膜と、ミラ−の中央部を裏面から
支持し、ミラ−部と駆動電極間のギャップを決めるギャ
ップ形成部と、前記駆動電極、絶縁膜、ギャップ形成部
を有するガラス基板からなり、前記ミラ−外周部とギャ
ップ形成部において陽極接合することにより一体化され
ていることを特徴とする静電力駆動光走査装置。1. A metal substrate on a mirror-finished surface of a silicon substrate.
The mirror surface to reflect the semiconductor laser light,
Furthermore, the mirror is also metal-coated on the back side.
And a beam for scanning, which is constructed integrally with the mirror part, supports the mirror part from both sides, and causes a twist so that the mirror part can be displaced in one axial direction, and the mirror part and the scanning beam. The outer periphery of the mirror that is integrally formed with the beam for joining with the glass substrate, the drive electrode that is arranged at a position facing the lower surface of the mirror part for driving the mirror part, and the drive electrode. From a glass substrate having an insulating film for insulation and a gap forming part that supports the central part of the mirror from the back surface and determines the gap between the mirror part and the driving electrode, and the driving electrode, the insulating film, and the gap forming part. The electrostatic force driven optical scanning device is characterized in that it is integrated by anodic bonding in the outer peripheral portion of the mirror and the gap forming portion.
線平均粗さ（Ｒａ）でＲａ＝０．０６０μｍ以下であ
り、さらに、ミラ−部裏面の金属コ−ティングの最終表
面が酸化しない金属であることを特徴とする請求項１記
載の静電力駆動光走査装置。2. The surface roughness of the back surface of the outer peripheral portion of the mirror is Ra = 0.060 μm or less in terms of center line average roughness (Ra), and the final surface of the metal coating on the back surface of the mirror portion is The electrostatic force driven optical scanning device according to claim 1, wherein the optical scanning device is made of a metal that does not oxidize.
と薄い部分があるときに、厚肉部と薄肉部の寸法差だけ
を第１段階のエッチングで行い、次の工程で、ミラ−の
厚肉部の寸法まで薄肉部を含めてエッチングすることに
より形成した請求項１記載の静電力駆動光走査装置のミ
ラ−部の製造方法。3. When the thickness of the mirror portion is not uniform and there is a thick portion and a thin portion, only the dimensional difference between the thick portion and the thin portion is performed in the first stage etching, and in the next step, 2. The method for manufacturing a mirror portion of an electrostatic force driven optical scanning device according to claim 1, wherein the mirror portion is formed by etching up to the dimension of the thick portion of the mirror including the thin portion.
と薄い部分があるときに、まず薄肉部のエッチングを行
い、次に薄肉部をマスキングして、その後肉厚部をエッ
チングすることにより形成した請求項１記載の静電力駆
動光走査装置のミラ−部の製造方法。4. When the thickness of the mirror portion is not uniform and there is a thick portion and a thin portion, the thin portion is first etched, then the thin portion is masked, and then the thick portion is etched. The manufacturing method of the mirror part of the electrostatic force driven optical scanning device according to claim 1, which is formed by the above method.
ガラス基板上に陽極接合可能なガラス材料をギャップと
して必要な厚さの膜形成し、その後に前記ガラス材料を
エッチングしてギャップ形成部を作り、次に駆動電極部
が露出しないように再度陽極接合可能なガラス材料を絶
縁膜として形成し、ミラ−外周部とギャップ形成部にお
いて陽極接合を行い一体化する請求項１記載の静電力駆
動光走査装置の製造方法。5. A drive electrode is formed on a glass substrate, a glass material capable of anodic bonding is formed as a gap on the glass substrate to form a film having a required thickness, and then the glass material is etched to form a gap. 2. A portion according to claim 1, wherein a glass material which can be anodic-bonded again is formed as an insulating film so that the drive electrode portion is not exposed, and anodic-bonding is performed in the mirror outer peripheral portion and the gap forming portion for integration. Manufacturing method of power driven optical scanning device.
する駆動電極パタ−ンを避けるようにエッチングにより
ギャップ形成部を作り、次に駆動電極パタ−ンをフォト
リソグラフィ、アルミ蒸着によりガラス基板上に形成
し、次にギャップ形成部にレジストパタ−ンを形成し、
その後駆動電極上に絶縁膜を形成し、レジストパタ−ン
を除去して陽極接合可能なガラス基板面を露出させ、ミ
ラ−外周部とギャップ形成部において陽極接合を行い一
体化する請求項１記載の静電力駆動光走査装置の製造方
法。6. A gap forming portion is formed by etching so as to avoid a drive electrode pattern formed later on an anodically bondable glass substrate, and then the drive electrode pattern is formed by photolithography and aluminum vapor deposition on the glass substrate. Formed on top, then a resist pattern is formed in the gap forming part,
The insulating film is then formed on the drive electrode, the resist pattern is removed to expose the surface of the glass substrate that can be anodically bonded, and the outer peripheral portion of the mirror and the gap forming portion are anodically bonded to integrate. Manufacturing method of electrostatic force driven optical scanning device.
陽極接合を行った後で、ドライエッチングによりミラ−
部とミラ−外周部、ミラ−外周部とさらに外側の不要な
シリコン材料部分を分離加工することを特徴とする請求
項１記載の静電力駆動光走査装置の製造方法。7. The mirror is dry-etched after anodic bonding is performed on the outer periphery of the mirror and the gap forming portion.
2. The method for manufacturing an electrostatic force driven optical scanning device according to claim 1, wherein the portion and the outer peripheral portion of the mirror, and the outer peripheral portion of the mirror and the unnecessary outer silicon material portion are separately processed.
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|---|---|---|---|
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Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2773604B2 (en) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6198565B1 (en) | 1998-11-16 | 2001-03-06 | Victor Company Of Japan, Limited | Light deflection element and display apparatus using same |
| JP2002014297A (en) * | 2000-06-29 | 2002-01-18 | Miyota Kk | Galvano mirror |
| JP2002258205A (en) * | 2001-03-05 | 2002-09-11 | Fujitsu Ltd | Galvanometer mirror manufacturing method and galvanometer mirror |
| JP2003005101A (en) * | 2001-06-26 | 2003-01-08 | Seiko Epson Corp | Light modulation device and method of manufacturing the same |
| JP2003039393A (en) * | 2001-07-24 | 2003-02-13 | Olympus Optical Co Ltd | Method of manufacturing for three-dimensional structural body and method of manufacturing for rolling body |
| KR100446624B1 (en) * | 2002-02-27 | 2004-09-04 | 삼성전자주식회사 | Anodic bonding structure and fabricating method thereof |
| KR100647316B1 (en) * | 2005-02-02 | 2006-11-23 | 삼성전자주식회사 | Optical scanner wiring structure and manufacturing method |
| JP2007240728A (en) * | 2006-03-07 | 2007-09-20 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Micromirror device and mirror array |
| US7286273B2 (en) | 2001-11-27 | 2007-10-23 | Olympus Optical Co., Ltd. | Light deflecting device |
| US7593029B2 (en) | 2001-08-20 | 2009-09-22 | Ricoh Company, Ltd. | Optical scanning device and image forming apparatus using the same |
| JP2013099843A (en) * | 1998-09-02 | 2013-05-23 | Xros Inc | Micromachined member coupled with torsional flexure hinge and relatively rotating |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3060311U (en) * | 1998-09-28 | 1999-08-31 | 東京鋼器株式会社 | Mailing box |
-
1993
- 1993-09-02 JP JP5218329A patent/JP2773604B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3060311U (en) * | 1998-09-28 | 1999-08-31 | 東京鋼器株式会社 | Mailing box |
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014176964A (en) * | 1998-09-02 | 2014-09-25 | Xros Inc | Microfabrication member connected by torsion flexure hinge and rotated relatively |
| JP2013099843A (en) * | 1998-09-02 | 2013-05-23 | Xros Inc | Micromachined member coupled with torsional flexure hinge and relatively rotating |
| US6198565B1 (en) | 1998-11-16 | 2001-03-06 | Victor Company Of Japan, Limited | Light deflection element and display apparatus using same |
| JP2002014297A (en) * | 2000-06-29 | 2002-01-18 | Miyota Kk | Galvano mirror |
| JP2002258205A (en) * | 2001-03-05 | 2002-09-11 | Fujitsu Ltd | Galvanometer mirror manufacturing method and galvanometer mirror |
| JP2003005101A (en) * | 2001-06-26 | 2003-01-08 | Seiko Epson Corp | Light modulation device and method of manufacturing the same |
| JP2003039393A (en) * | 2001-07-24 | 2003-02-13 | Olympus Optical Co Ltd | Method of manufacturing for three-dimensional structural body and method of manufacturing for rolling body |
| US7593029B2 (en) | 2001-08-20 | 2009-09-22 | Ricoh Company, Ltd. | Optical scanning device and image forming apparatus using the same |
| US8054327B2 (en) | 2001-08-20 | 2011-11-08 | Ricoh Company, Ltd. | Optical scanning device and image forming apparatus using the same |
| US7286273B2 (en) | 2001-11-27 | 2007-10-23 | Olympus Optical Co., Ltd. | Light deflecting device |
| KR100446624B1 (en) * | 2002-02-27 | 2004-09-04 | 삼성전자주식회사 | Anodic bonding structure and fabricating method thereof |
| KR100647316B1 (en) * | 2005-02-02 | 2006-11-23 | 삼성전자주식회사 | Optical scanner wiring structure and manufacturing method |
| JP2007240728A (en) * | 2006-03-07 | 2007-09-20 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Micromirror device and mirror array |
| JP4495095B2 (en) * | 2006-03-07 | 2010-06-30 | 日本電信電話株式会社 | Micromirror device and mirror array |
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| Publication number | Publication date |
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