JPH0772013A - エリプソメータ - Google Patents
エリプソメータInfo
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- JPH0772013A JPH0772013A JP21739793A JP21739793A JPH0772013A JP H0772013 A JPH0772013 A JP H0772013A JP 21739793 A JP21739793 A JP 21739793A JP 21739793 A JP21739793 A JP 21739793A JP H0772013 A JPH0772013 A JP H0772013A
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Landscapes
- Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 試料の複数箇所を同時に測定することのでき
るエリプソメータを実現すること。 【構成】 試料表面に光を入射させ、その出射光の偏光
状態の変化から試料または試料表面に付着した膜の屈折
率、吸収率、複屈折性および膜厚等を測定する演算処理
系より構成されるエリプソメータにおいて、試料表面に
入射する光を太い平行光とするためのビームエキスパン
ダが設けられ、出射光の偏光状態の変化を検出するため
の検出器として複数の受光部材からなるイメージセンサ
が用いられる。
るエリプソメータを実現すること。 【構成】 試料表面に光を入射させ、その出射光の偏光
状態の変化から試料または試料表面に付着した膜の屈折
率、吸収率、複屈折性および膜厚等を測定する演算処理
系より構成されるエリプソメータにおいて、試料表面に
入射する光を太い平行光とするためのビームエキスパン
ダが設けられ、出射光の偏光状態の変化を検出するため
の検出器として複数の受光部材からなるイメージセンサ
が用いられる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、基板表面および基板内
部からの出射光の偏光状態の変化から、基板もしくは基
板表面に付着した膜の光学定数や膜厚および複屈折性等
の物理的な量を測定するエリプソメータに関する。
部からの出射光の偏光状態の変化から、基板もしくは基
板表面に付着した膜の光学定数や膜厚および複屈折性等
の物理的な量を測定するエリプソメータに関する。
【0002】
【従来の技術】偏光解析は試料表面に測定用の光を入射
させ、その出射光の偏光状態の変化から試料の物性に起
因する位相差を示すΔと、振幅反射率比を示すΨとを求
め、これらの値から試料または試料表面に付着した膜の
屈折率、吸収率、複屈折性および膜厚等を同定するもの
である。
させ、その出射光の偏光状態の変化から試料の物性に起
因する位相差を示すΔと、振幅反射率比を示すΨとを求
め、これらの値から試料または試料表面に付着した膜の
屈折率、吸収率、複屈折性および膜厚等を同定するもの
である。
【0003】上記のΔ,Ψを高速に求めるための方法と
して回転検光子法が一般的であり、回転検光子法を実現
するための光学系としては、図8に示されるものがあ
る。
して回転検光子法が一般的であり、回転検光子法を実現
するための光学系としては、図8に示されるものがあ
る。
【0004】図示される光学系は、光源81、偏光子8
2、検光子84および検出器85から構成されるもの
で、光源81から出射された光が偏光子82を通過し、
試料83にて反射された後に検光子84を通過して検出
器85に入射するように構成されている(P−S−A
系)。
2、検光子84および検出器85から構成されるもの
で、光源81から出射された光が偏光子82を通過し、
試料83にて反射された後に検光子84を通過して検出
器85に入射するように構成されている(P−S−A
系)。
【0005】Δ,Ψの測定時には、偏光子82を所定の
方位に設定して試料に直線偏光光を入射させ、検光子8
4を回転させたときの検出器85の出力強度変化から
Δ,Ψが変数の関数として表されるフーリエ係数を求
め、これを解いてΔ,Ψを算出する。
方位に設定して試料に直線偏光光を入射させ、検光子8
4を回転させたときの検出器85の出力強度変化から
Δ,Ψが変数の関数として表されるフーリエ係数を求
め、これを解いてΔ,Ψを算出する。
【0006】回転検光子法の他の光学系としては、図9
に示すように、偏光子81と試料83との間に光学位相
板(λ/4板)91を設け、偏光子82と光学位相板9
1を所定の方位に設定して試料83に入射される光を円
偏光光や楕円偏光光とし、検光子84か位相子91を回
転させたときの検出器85の出力強度変化からΔ,Ψを
変数に持つとして表されるフーリエ係数を求め、これを
解いてΔ,Ψを算出するもの(P−C−S−A系)や図
10に示すように光学位相板91を出射光側に設けたも
の(P−S−C−A系)がある。
に示すように、偏光子81と試料83との間に光学位相
板(λ/4板)91を設け、偏光子82と光学位相板9
1を所定の方位に設定して試料83に入射される光を円
偏光光や楕円偏光光とし、検光子84か位相子91を回
転させたときの検出器85の出力強度変化からΔ,Ψを
変数に持つとして表されるフーリエ係数を求め、これを
解いてΔ,Ψを算出するもの(P−C−S−A系)や図
10に示すように光学位相板91を出射光側に設けたも
の(P−S−C−A系)がある。
【0007】試料83が載置される試料台(不図示)は
試料表面と平行に移動可能に構成され、上記の各光学系
を用いた実際の測定においては、所望とする試料の測定
点に光が照射される。試料の複数箇所を測定する場合に
は、試料台を移動させることにより各測定点での測定が
順次行われる。
試料表面と平行に移動可能に構成され、上記の各光学系
を用いた実際の測定においては、所望とする試料の測定
点に光が照射される。試料の複数箇所を測定する場合に
は、試料台を移動させることにより各測定点での測定が
順次行われる。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来のエリプ
ソメータは、同一の試料に複数の測定点が存在する場合
には各測定点での測定を順次行う構成であるが、成膜動
作中の薄膜の厚さを測定する場合等には測定点を移動さ
せる間に膜厚変化が生じてしまい、測定が意味をなさな
いものとなってしまうという問題点がある。
ソメータは、同一の試料に複数の測定点が存在する場合
には各測定点での測定を順次行う構成であるが、成膜動
作中の薄膜の厚さを測定する場合等には測定点を移動さ
せる間に膜厚変化が生じてしまい、測定が意味をなさな
いものとなってしまうという問題点がある。
【0009】本発明は上述したような従来の技術が有す
る問題点に鑑みてなされたものであって、試料の複数箇
所を同時に測定することのできるエリプソメータを実現
することを目的とする。
る問題点に鑑みてなされたものであって、試料の複数箇
所を同時に測定することのできるエリプソメータを実現
することを目的とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】本発明のエリプソメータ
は、試料表面に光を入射させ、その出射光の偏光状態の
変化から試料または試料表面に付着した膜の屈折率、吸
収率、複屈折性および膜厚等を測定する演算処理系より
構成されるエリプソメータにおいて、試料表面に入射す
る光を太い平行光とするためのビームエキスパンダが設
けられ、出射光の偏光状態の変化を検出するための検出
器として複数の受光部材からなるイメージセンサが用い
られる。
は、試料表面に光を入射させ、その出射光の偏光状態の
変化から試料または試料表面に付着した膜の屈折率、吸
収率、複屈折性および膜厚等を測定する演算処理系より
構成されるエリプソメータにおいて、試料表面に入射す
る光を太い平行光とするためのビームエキスパンダが設
けられ、出射光の偏光状態の変化を検出するための検出
器として複数の受光部材からなるイメージセンサが用い
られる。
【0011】この場合、試料表面に光が入射される角度
に関わらずに、試料表面とイメージセンサの受光面とが
平行を保つようにイメージセンサを保持する回転保持機
構を設けてもよい。
に関わらずに、試料表面とイメージセンサの受光面とが
平行を保つようにイメージセンサを保持する回転保持機
構を設けてもよい。
【0012】さらに、イメージセンサを構成する受光部
材のうち、測定に用いられるものが試料表面に光が入射
される角度に応じて決定されるよう構成してもよい。
材のうち、測定に用いられるものが試料表面に光が入射
される角度に応じて決定されるよう構成してもよい。
【0013】また、試料表面に光を入射させ、その出射
光の偏光状態の変化を検出する光学系と、該偏光状態の
変化から試料または試料表面に付着した膜の屈折率、吸
収率、複屈折性および膜厚等を測定する演算処理系より
構成されるエリプソメータにおいて、光学系には、試料
に入射する光を太い平行光とするためのビームエキスパ
ンダが設けられるとともに出射光の偏光状態の変化を検
出するための検出器として複数の受光部材からなるイメ
ージセンサが用いられ、演算処理系には、入力信号をデ
ィジタル値に変換する複数のディジタル変換器と、イメ
ージセンサより順次出力される各受光部材の出力信号を
入力し、所定の受光部材から出力される信号は前記複数
のディジタル変換器のうちの特定のディジタル変換器へ
順次切替えて出力する切替スイッチと、前記複数のディ
ジタル変換器の各出力について試料または試料表面に付
着した膜の屈折率、吸収率、複屈折性および膜厚等を演
算する演算処理部とが設けられている。
光の偏光状態の変化を検出する光学系と、該偏光状態の
変化から試料または試料表面に付着した膜の屈折率、吸
収率、複屈折性および膜厚等を測定する演算処理系より
構成されるエリプソメータにおいて、光学系には、試料
に入射する光を太い平行光とするためのビームエキスパ
ンダが設けられるとともに出射光の偏光状態の変化を検
出するための検出器として複数の受光部材からなるイメ
ージセンサが用いられ、演算処理系には、入力信号をデ
ィジタル値に変換する複数のディジタル変換器と、イメ
ージセンサより順次出力される各受光部材の出力信号を
入力し、所定の受光部材から出力される信号は前記複数
のディジタル変換器のうちの特定のディジタル変換器へ
順次切替えて出力する切替スイッチと、前記複数のディ
ジタル変換器の各出力について試料または試料表面に付
着した膜の屈折率、吸収率、複屈折性および膜厚等を演
算する演算処理部とが設けられている。
【0014】
【作用】試料表面に照射される光が太い平行光とされ、
その反射光を検出する検出器にイメージセンサが用いら
れるので、複数の測定点についての測定を同一の時間内
に行うことが可能となる。
その反射光を検出する検出器にイメージセンサが用いら
れるので、複数の測定点についての測定を同一の時間内
に行うことが可能となる。
【0015】複数のディジタル変換器および切替スイッ
チを設けた場合には、各測定点毎に1つのディジタル変
換器が用いることができるので、1つの測定点を測定す
るのとほぼ同じ測定時間にて測定がなされる。
チを設けた場合には、各測定点毎に1つのディジタル変
換器が用いることができるので、1つの測定点を測定す
るのとほぼ同じ測定時間にて測定がなされる。
【0016】また、試料の移動無しで膜厚や屈折率の分
布を測定できる。
布を測定できる。
【0017】回転保持機構を設けたものにおいては、試
料表面に光が入射される角度に関することなく試料表面
での光の形状とイメージセンサの受光面での光の形状が
同じものとなるので、各受光部材の検出結果を用いてイ
メージ表示する場合に補正処理を行う必要がなくなる。
このことは、測定に用いる受光部材を試料表面に光が入
射される角度に応じて決定するものにおいても同様であ
る。
料表面に光が入射される角度に関することなく試料表面
での光の形状とイメージセンサの受光面での光の形状が
同じものとなるので、各受光部材の検出結果を用いてイ
メージ表示する場合に補正処理を行う必要がなくなる。
このことは、測定に用いる受光部材を試料表面に光が入
射される角度に応じて決定するものにおいても同様であ
る。
【0018】
【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。
て説明する。
【0019】図1乃至図3のそれぞれは、図8乃至図1
0に示した従来例と同様の(P−S−A系)、(P−C
−S−A系)および(P−S−C−A系)の光学系に本
発明の構成を用いた実施例の構成を示す図である。
0に示した従来例と同様の(P−S−A系)、(P−C
−S−A系)および(P−S−C−A系)の光学系に本
発明の構成を用いた実施例の構成を示す図である。
【0020】各図中の光源11、偏光子12、試料1
3、検光子14および光学位相板21のそれぞれは、図
8乃至図9中の光源81、偏光子82、試料83、検光
子84および光学位相板91と同様であるが、図1乃至
図3に示される各実施例とも、試料13に入射する直前
の光路中に、試料13への入射光を太い平行光とするた
めのビームエキスパンダ16が設けられ、また、試料1
3から出射した光を受光する検出器としてイメージセン
サ15が用いられている。
3、検光子14および光学位相板21のそれぞれは、図
8乃至図9中の光源81、偏光子82、試料83、検光
子84および光学位相板91と同様であるが、図1乃至
図3に示される各実施例とも、試料13に入射する直前
の光路中に、試料13への入射光を太い平行光とするた
めのビームエキスパンダ16が設けられ、また、試料1
3から出射した光を受光する検出器としてイメージセン
サ15が用いられている。
【0021】図4は上記の各光学系により検出された測
定光強度からΔ,Ψの値を求める演算処理系の構成を示
すブロック図である。
定光強度からΔ,Ψの値を求める演算処理系の構成を示
すブロック図である。
【0022】本演算処理系は、切替スイッチ31と、デ
ィジタル変換器321,322,・・・,32nより構成
されるディジタル変換処理部32と、演算処理部33お
よび表示部34より構成されている。
ィジタル変換器321,322,・・・,32nより構成
されるディジタル変換処理部32と、演算処理部33お
よび表示部34より構成されている。
【0023】上述したイメージセンサ15の各受光部材
からの信号の読出し動作、切替スイッチの切替動作、各
ディジタル変換器321〜32nにおける変換動作は、不
図示の制御装置によって制御される。制御装置はこの他
に、図1乃至図3に示した検光子14の回転状態(必要
に応じて偏光子12および光学位相板21の回転状態)
をも制御するもので、検光子14を所定角度回転させる
毎にイメージセンサ15の出力値をディジタル変換させ
る。
からの信号の読出し動作、切替スイッチの切替動作、各
ディジタル変換器321〜32nにおける変換動作は、不
図示の制御装置によって制御される。制御装置はこの他
に、図1乃至図3に示した検光子14の回転状態(必要
に応じて偏光子12および光学位相板21の回転状態)
をも制御するもので、検光子14を所定角度回転させる
毎にイメージセンサ15の出力値をディジタル変換させ
る。
【0024】イメージセンサ15を構成する複数の受光
部材から順次読み出される受光信号は切替スイッチ31
に入力される。切替スイッチ31は、目的とする複数の
測定点に設けられた受光部材からの信号をそれぞれ選択
してディジタル変換処理部32内のディジタル変換器3
21〜32nへ順次切替えて出力する。ディジタル変換器
321〜32nのそれぞれは、サンプルホールド回路およ
びA/Dコンバータとを具備するもので、上記の複数ビ
ットの信号は各ディジタル変換器321〜32nにてディ
ジタル信号に変換されて演算処理部33へ出力される。
演算処理部33では、入力値に示される光強度の変化か
ら各測定点におけるΔ,Ψの値を求め、該値を表示する
表示信号を生成して表示部34へ出力する。表示部34
では該表示信号にしたがった表示動作を行い、測定者へ
の測定結果の表示がなされる。
部材から順次読み出される受光信号は切替スイッチ31
に入力される。切替スイッチ31は、目的とする複数の
測定点に設けられた受光部材からの信号をそれぞれ選択
してディジタル変換処理部32内のディジタル変換器3
21〜32nへ順次切替えて出力する。ディジタル変換器
321〜32nのそれぞれは、サンプルホールド回路およ
びA/Dコンバータとを具備するもので、上記の複数ビ
ットの信号は各ディジタル変換器321〜32nにてディ
ジタル信号に変換されて演算処理部33へ出力される。
演算処理部33では、入力値に示される光強度の変化か
ら各測定点におけるΔ,Ψの値を求め、該値を表示する
表示信号を生成して表示部34へ出力する。表示部34
では該表示信号にしたがった表示動作を行い、測定者へ
の測定結果の表示がなされる。
【0025】測定点に該当するイメージセンサ15の受
光部材を選択する動作は、制御手段が、入力手段(不図
示)になされた測定者入力にしたがってイメージセンサ
15の読出しタイミングに合わせて切替スイッチ31を
切り換えることによってなされる。
光部材を選択する動作は、制御手段が、入力手段(不図
示)になされた測定者入力にしたがってイメージセンサ
15の読出しタイミングに合わせて切替スイッチ31を
切り換えることによってなされる。
【0026】測定点としては任意の離れた点を選択する
ことも当然できるが、図5の斜線部に示すように、所定
エリアの受光部材51をまとめて選択することにより、
測定誤差を軽減して測定精度を向上することもできる。
ことも当然できるが、図5の斜線部に示すように、所定
エリアの受光部材51をまとめて選択することにより、
測定誤差を軽減して測定精度を向上することもできる。
【0027】上記のような光学系および演算処理系を用
いることによって、複数の測定点の測定を同時に行うこ
とができ、同一時刻におけるΔ,Ψを求めることが可能
となる。Δ,Ψを用いて膜厚を同定する場合には同一時
刻での試料表面の形状を確認することが可能となる。
いることによって、複数の測定点の測定を同時に行うこ
とができ、同一時刻におけるΔ,Ψを求めることが可能
となる。Δ,Ψを用いて膜厚を同定する場合には同一時
刻での試料表面の形状を確認することが可能となる。
【0028】本発明の光学系の構成においては、ビーム
エキスパンダ16が挿入されるため、演算処理部33は
ビームエキスパンダ16を挿入したことによって生じる
誤差(ビームエキスパンダの構成によって異なる)を考
慮してΔ,Ψを算出する。
エキスパンダ16が挿入されるため、演算処理部33は
ビームエキスパンダ16を挿入したことによって生じる
誤差(ビームエキスパンダの構成によって異なる)を考
慮してΔ,Ψを算出する。
【0029】また、図1乃至図3のいずれに示した光学
系においても、試料13に照射される光の形状は、ビー
ムエキスパンダ16を出射した光の形状およびイメージ
センサ15の受光面での形状とは異なるものとなる。ビ
ームエキスパンダ16からの出射光の形状を図6(a)
に示すように円形であると仮定すると、試料13上での
照射光の形状は、図6(b)に示すように光の進行方向
に沿って伸びた楕円形となる。この場合の楕円形状は、
測定を行う際のビームエキスパンダ16の出射光が試料
13へ入射する角度(入射角度)によって異なるものと
なる。このため、入射角度が変更されると、試料13の
同一箇所にて反射された光であっても異なる場所に設け
られた受光部材51(図5参照)にて受光されることと
なる。この状態で表示が行われると、試料13の各計測
点について測定者が誤認識をする恐れがあるため、図4
に示される演算処理部33は、各入射角度毎の位置補正
データを備えており、入射角度が変更されたときには、
該入射角度に応じた受光部材51(およびディジタル変
換器出力)を選択するように構成され、表示部34に表
示される試料13に変形が生じることを防いでいる。
系においても、試料13に照射される光の形状は、ビー
ムエキスパンダ16を出射した光の形状およびイメージ
センサ15の受光面での形状とは異なるものとなる。ビ
ームエキスパンダ16からの出射光の形状を図6(a)
に示すように円形であると仮定すると、試料13上での
照射光の形状は、図6(b)に示すように光の進行方向
に沿って伸びた楕円形となる。この場合の楕円形状は、
測定を行う際のビームエキスパンダ16の出射光が試料
13へ入射する角度(入射角度)によって異なるものと
なる。このため、入射角度が変更されると、試料13の
同一箇所にて反射された光であっても異なる場所に設け
られた受光部材51(図5参照)にて受光されることと
なる。この状態で表示が行われると、試料13の各計測
点について測定者が誤認識をする恐れがあるため、図4
に示される演算処理部33は、各入射角度毎の位置補正
データを備えており、入射角度が変更されたときには、
該入射角度に応じた受光部材51(およびディジタル変
換器出力)を選択するように構成され、表示部34に表
示される試料13に変形が生じることを防いでいる。
【0030】上記のような補正を行う場合、各入射角度
毎の補正データの量は大容量となり、装置の製造コスト
が高くなることが考えられる。
毎の補正データの量は大容量となり、装置の製造コスト
が高くなることが考えられる。
【0031】図7は位置補正データを用いることなく、
試料13の各計測点について測定者が誤認識することを
防止するための光学系を示す図である。
試料13の各計測点について測定者が誤認識することを
防止するための光学系を示す図である。
【0032】図7中のイメージセンサ15は、その受光
面71が試料13の測定面と平行になるように配置され
ている。入射角度が変更される場合にはイメージセンサ
15も検光子14等の他の光学素子とともに移動(回
転)するが、イメージセンサ15に関しては移動方向と
は逆に回転する回転保持機構(不図示)が設けられ、入
射角度の変更に関わらずに、表示部34に表示される試
料13に変形が生じることが防止される。
面71が試料13の測定面と平行になるように配置され
ている。入射角度が変更される場合にはイメージセンサ
15も検光子14等の他の光学素子とともに移動(回
転)するが、イメージセンサ15に関しては移動方向と
は逆に回転する回転保持機構(不図示)が設けられ、入
射角度の変更に関わらずに、表示部34に表示される試
料13に変形が生じることが防止される。
【0033】なお、上記各実施例ではディジタル変換器
を複数設け、イメージセンサからの信号を切替スイッチ
によって切替える構成を示したが、これは測定時間を従
来と同様とするためである。1つのディジタル変換器に
測定点に置かれた受光部材からの信号を順次入力して変
換させる構成としても当然よい。この場合には測定時間
が長くなるものの、演算処理系に掛かるコストが従来の
ものとほぼ同様となるという利点がある。
を複数設け、イメージセンサからの信号を切替スイッチ
によって切替える構成を示したが、これは測定時間を従
来と同様とするためである。1つのディジタル変換器に
測定点に置かれた受光部材からの信号を順次入力して変
換させる構成としても当然よい。この場合には測定時間
が長くなるものの、演算処理系に掛かるコストが従来の
ものとほぼ同様となるという利点がある。
【0034】また、複数の測定点に同時に光を照射し、
また、測定光を受光するための構成としてビームエキス
パンダおよびイメージセンサを用いるものとして説明し
たが、光照射手段として1平面にのみ収束作用が生じる
シリンドリカルレンズを用い、受光手段としてラインセ
ンサを用いて、試料台をシリンドリカルレンズによる収
束光と垂直な方向に移動させるように構成してもよい。
この場合には、試料台を移動させることが必要となる
が、試料に照射される光が収束されるために光源に要求
される発生光強度を弱いものとすることができる。
また、測定光を受光するための構成としてビームエキス
パンダおよびイメージセンサを用いるものとして説明し
たが、光照射手段として1平面にのみ収束作用が生じる
シリンドリカルレンズを用い、受光手段としてラインセ
ンサを用いて、試料台をシリンドリカルレンズによる収
束光と垂直な方向に移動させるように構成してもよい。
この場合には、試料台を移動させることが必要となる
が、試料に照射される光が収束されるために光源に要求
される発生光強度を弱いものとすることができる。
【0035】さらに、イメージセンサの直前にレンズを
設けてもよい。レンズを設けることによりイメージセン
サに入射する光の径を調節することができるため、使用
するイメージセンサのサイズが制限されることが防がれ
る。特に、レンズに拡大作用が生じるものを用い、大面
積のイメージセンサを用いることによって試料の微小面
積を拡大して偏光解析を行うことができる。
設けてもよい。レンズを設けることによりイメージセン
サに入射する光の径を調節することができるため、使用
するイメージセンサのサイズが制限されることが防がれ
る。特に、レンズに拡大作用が生じるものを用い、大面
積のイメージセンサを用いることによって試料の微小面
積を拡大して偏光解析を行うことができる。
【0036】上述した実施例においては、回転検光子法
によりΔ,Ψを求めるものとして説明したが、測定法に
はこの他に光学位相板と検光子、または偏光子と検光子
を交互に回転させて消光させたときの回転角度からΔ,
Ψを求める消光法や、検光子を固定とし、光学位相板を
回転させる回転位相子法等がある。
によりΔ,Ψを求めるものとして説明したが、測定法に
はこの他に光学位相板と検光子、または偏光子と検光子
を交互に回転させて消光させたときの回転角度からΔ,
Ψを求める消光法や、検光子を固定とし、光学位相板を
回転させる回転位相子法等がある。
【0037】本発明は回転位相子法には当然適用可能で
あり、また、消光法にも適用可能である。
あり、また、消光法にも適用可能である。
【0038】消光法において、例えば図2に示した(P
−C−S−A)系の光学系を用いる場合には、光学位相
板21を所定の方位角に固定したうえで、試料13の反
射光が直線偏光となるように偏光子12の方位角を調節
する。これにより、検光子14の角度を調節して消光す
ることが可能となる。該消光時の偏光子12と検光子1
4の方位角からΔ,Ψが求められる。消光状態はイメー
ジセンサ15によって検出可能であり、消光点を探すた
めに検光子を回転させるときには偏光子は停止された状
態である。このため、イメージセンサ15の各受光部材
の光検出強度が最低となるときの検光子の回転角度を検
出することにより回転検光子法と同様に複数の測定点の
Δ,Ψを同時に測定することができる。
−C−S−A)系の光学系を用いる場合には、光学位相
板21を所定の方位角に固定したうえで、試料13の反
射光が直線偏光となるように偏光子12の方位角を調節
する。これにより、検光子14の角度を調節して消光す
ることが可能となる。該消光時の偏光子12と検光子1
4の方位角からΔ,Ψが求められる。消光状態はイメー
ジセンサ15によって検出可能であり、消光点を探すた
めに検光子を回転させるときには偏光子は停止された状
態である。このため、イメージセンサ15の各受光部材
の光検出強度が最低となるときの検光子の回転角度を検
出することにより回転検光子法と同様に複数の測定点の
Δ,Ψを同時に測定することができる。
【0039】さらに近年では上述した回転検光子法、回
転位相子法および消光法の他に、力が加えられたときに
複屈折を生じるPEM(Photo Elastic Modulator)変
調素子を用いた偏光解析法が提唱されている。この場合
にも、本発明の構成を適用できる。
転位相子法および消光法の他に、力が加えられたときに
複屈折を生じるPEM(Photo Elastic Modulator)変
調素子を用いた偏光解析法が提唱されている。この場合
にも、本発明の構成を適用できる。
【0040】また、設定可能な測定点の範囲はビームエ
キスパンダの能力以外に、検光子の有効面積およびイメ
ージセンサの受光面積によって限定されることになるた
め、試料の表面積によっては従来と同様の試料台の移動
機構を併用しても当然よい。
キスパンダの能力以外に、検光子の有効面積およびイメ
ージセンサの受光面積によって限定されることになるた
め、試料の表面積によっては従来と同様の試料台の移動
機構を併用しても当然よい。
【0041】
【発明の効果】本発明は以上説明したように構成されて
いるので、以下に記載するような効果を奏する。
いるので、以下に記載するような効果を奏する。
【0042】請求項1に記載のものにおいては、複数の
測定点についての測定を同時に行うことができる効果が
ある。
測定点についての測定を同時に行うことができる効果が
ある。
【0043】請求項2に記載のものにおいては、各受光
部材の検出結果を用いてイメージ表示を行う際の補正処
理が不要となり、コストが高くなることを防ぐことがで
きる効果がある。
部材の検出結果を用いてイメージ表示を行う際の補正処
理が不要となり、コストが高くなることを防ぐことがで
きる効果がある。
【0044】請求項3に記載のものにおいては、各受光
部材の検出結果を用いてイメージ表示を行うものに、入
射角度による変形が生じることを防止することができる
効果がある。
部材の検出結果を用いてイメージ表示を行うものに、入
射角度による変形が生じることを防止することができる
効果がある。
【0045】請求項4に記載のものにおいては、1つの
測定点を測定するのとほぼ同じ測定時間にて測定がなさ
れるため、上記効果に加えて測定時間を短縮することが
できる効果がある。
測定点を測定するのとほぼ同じ測定時間にて測定がなさ
れるため、上記効果に加えて測定時間を短縮することが
できる効果がある。
【図1】本発明の実施例の光学系の構成を示す図であ
る。
る。
【図2】本発明の実施例の光学系の構成を示す図であ
る。
る。
【図3】本発明の実施例の光学系の構成を示す図であ
る。
る。
【図4】本発明の実施例の演算処理系の構成を示す図で
ある。
ある。
【図5】本発明の実施例を用いて測定を行うときの測定
点の設定例を示す図である。
点の設定例を示す図である。
【図6】(a),(b)のそれぞれは、ビームエキスパ
ンダ16からの出射光の形状と、試料13上での照射光
の形状を示す図である。
ンダ16からの出射光の形状と、試料13上での照射光
の形状を示す図である。
【図7】本発明の他の実施例の光学系の構成を示す図で
ある。
ある。
【図8】従来例の光学系の構成を示す図である。
【図9】従来例の光学系の構成を示す図である。
【図10】従来例の光学系の構成を示す図である。
11 光源 12 偏光子 13 試料 14 検光子 15 イメージセンサ 16 ビームエキスパンダ 21 光学位相板 31 切替スイッチ 32 ディジタル変換処理部 321〜323 ディジタル変換器 33 演算処理部 34 表示部 51 受光部材
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 富田 千登美 神奈川県川崎市宮前区土橋5丁目4番1 フォトデバイス株式会社内
Claims (4)
- 【請求項1】 試料表面に光を入射させ、その出射光の
偏光状態の変化から試料または試料表面に付着した膜の
屈折率、吸収率、複屈折性および膜厚等を測定する演算
処理系より構成されるエリプソメータにおいて、 試料表面に入射する光を太い平行光とするためのビーム
エキスパンダが設けられ、 出射光の偏光状態の変化を検出するための検出器として
複数の受光部材からなるイメージセンサが用いられるこ
とを特徴とするエリプソメータ。 - 【請求項2】 請求項1記載のエリプソメータにおい
て、 試料表面に光が入射される角度に関わらずに、試料表面
とイメージセンサの受光面とが平行を保つようにイメー
ジセンサを保持する回転保持機構を有することを特徴と
するエリプソメータ。 - 【請求項3】 請求項1記載のエリプソメータにおい
て、 イメージセンサを構成する受光部材のうち、測定に用い
られるものが試料表面に光が入射される角度に応じて決
定されることを特徴とするエリプソメータ。 - 【請求項4】 試料表面に光を入射させ、その出射光の
偏光状態の変化を検出する光学系と、該偏光状態の変化
から試料または試料表面に付着した膜の屈折率、吸収
率、複屈折性および膜厚等を測定する演算処理系より構
成されるエリプソメータにおいて、 光学系には、 試料に入射する光を太い平行光とするためのビームエキ
スパンダが設けられるとともに出射光の偏光状態の変化
を検出するための検出器として複数の受光部材からなる
イメージセンサが用いられ、 演算処理系には、 入力信号をディジタル値に変換する複数のディジタル変
換器と、 イメージセンサより順次出力される各受光部材の出力信
号を入力し、所定の受光部材から出力される信号は前記
複数のディジタル変換器のうちの特定のディジタル変換
器へ順次切替えて出力する切替スイッチと、 前記複数のディジタル変換器の各出力について試料また
は試料表面に付着した膜の屈折率、吸収率、複屈折性お
よび膜厚等を演算する演算処理部とが設けられているこ
とを特徴とするエリプソメータ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP21739793A JPH0772013A (ja) | 1993-09-01 | 1993-09-01 | エリプソメータ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP21739793A JPH0772013A (ja) | 1993-09-01 | 1993-09-01 | エリプソメータ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0772013A true JPH0772013A (ja) | 1995-03-17 |
Family
ID=16703555
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP21739793A Pending JPH0772013A (ja) | 1993-09-01 | 1993-09-01 | エリプソメータ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0772013A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6665059B2 (en) | 2000-02-14 | 2003-12-16 | Fuji Electric Co., Ltd. | Method of measuring an inner stress state of disk substrate |
JP2010530971A (ja) * | 2007-11-14 | 2010-09-16 | コリア リサーチ インスティチュート オブ スタンダーズ アンド サイエンス | 高速大面積の精密測定装置及び方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57166533A (en) * | 1981-04-04 | 1982-10-14 | Ibm | Method of and apparatus for measuring polarization state |
JPH03160331A (ja) * | 1989-11-18 | 1991-07-10 | Shimadzu Corp | 偏光解析装置 |
JPH0458120A (ja) * | 1990-06-27 | 1992-02-25 | Asahi Optical Co Ltd | 偏光測定装置 |
-
1993
- 1993-09-01 JP JP21739793A patent/JPH0772013A/ja active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57166533A (en) * | 1981-04-04 | 1982-10-14 | Ibm | Method of and apparatus for measuring polarization state |
JPH03160331A (ja) * | 1989-11-18 | 1991-07-10 | Shimadzu Corp | 偏光解析装置 |
JPH0458120A (ja) * | 1990-06-27 | 1992-02-25 | Asahi Optical Co Ltd | 偏光測定装置 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6665059B2 (en) | 2000-02-14 | 2003-12-16 | Fuji Electric Co., Ltd. | Method of measuring an inner stress state of disk substrate |
JP2010530971A (ja) * | 2007-11-14 | 2010-09-16 | コリア リサーチ インスティチュート オブ スタンダーズ アンド サイエンス | 高速大面積の精密測定装置及び方法 |
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