JPH077033A - 電子部品搭載装置の製造方法 - Google Patents
電子部品搭載装置の製造方法Info
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- JPH077033A JPH077033A JP5172705A JP17270593A JPH077033A JP H077033 A JPH077033 A JP H077033A JP 5172705 A JP5172705 A JP 5172705A JP 17270593 A JP17270593 A JP 17270593A JP H077033 A JPH077033 A JP H077033A
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- resin
- mold
- cavity
- inner lead
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
Landscapes
- Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 電子部品搭載装置の樹脂モールドにおいて、
モールド部分からアウターリード間への樹脂の飛びだし
を防止する。 【構成】 配線基板１０の表面側の周縁部から内側のス
ルーホール１１に至る部分に接着剤１５を所定の厚みに
塗布する。接着剤層にリードフレーム２０のインナーリ
ード２１を加熱圧着させることにより配線基板に固定さ
せる。このとき、加熱により軟化した接着剤がインナー
リードに押されてインナーリード間に盛り上がり、その
上面がインナーリードの上面と略面一になる。モールド
用金型５０の上型５１のキャビティ部の周縁を配線基板
の周縁部近傍のインナーリード上に配置し、下型５２の
キャビティ部の周縁を配線基板の裏面周縁部近傍に合わ
せて型締めする。キャビティ部に樹脂を圧入したとき
に、上型とインナーリード間に隙間が無いのでキャビテ
ィ部からアウターリード間に樹脂が飛びだすことがな
い。
モールド部分からアウターリード間への樹脂の飛びだし
を防止する。 【構成】 配線基板１０の表面側の周縁部から内側のス
ルーホール１１に至る部分に接着剤１５を所定の厚みに
塗布する。接着剤層にリードフレーム２０のインナーリ
ード２１を加熱圧着させることにより配線基板に固定さ
せる。このとき、加熱により軟化した接着剤がインナー
リードに押されてインナーリード間に盛り上がり、その
上面がインナーリードの上面と略面一になる。モールド
用金型５０の上型５１のキャビティ部の周縁を配線基板
の周縁部近傍のインナーリード上に配置し、下型５２の
キャビティ部の周縁を配線基板の裏面周縁部近傍に合わ
せて型締めする。キャビティ部に樹脂を圧入したとき
に、上型とインナーリード間に隙間が無いのでキャビテ
ィ部からアウターリード間に樹脂が飛びだすことがな
い。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電子部品搭載装置の製
造方法に係り、特に配線基板にリードフレームを固定
し、電子部品を組み付けた後に樹脂モールドを行うタイ
プの電子部品搭載装置の製造方法に関する。
造方法に係り、特に配線基板にリードフレームを固定
し、電子部品を組み付けた後に樹脂モールドを行うタイ
プの電子部品搭載装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、多ピンファインピッチリードの半
導体装置に有効な組み付け方法として、例えば電子部品
搭載部を備えたプリント配線板にリードフレームのリー
ドを固定させ、半導体チップを搭載した後に、全体をト
ランスファモールド法により樹脂封止する方法が用いら
れていた。そして、リードフレームは、モールド用金型
の上下型の間のリードの厚み分の隙間からのモールド樹
脂の飛びだしを防止するために、樹脂モールド部分のわ
ずか外側のアウターリード間にダムバーを設けていた。
そして、金型のキャビティ部からはみ出してダムバーに
まで飛びだした樹脂バリについては、ダムバー除去用金
型によりダムバーの打ち抜きと同時に除去していた。
導体装置に有効な組み付け方法として、例えば電子部品
搭載部を備えたプリント配線板にリードフレームのリー
ドを固定させ、半導体チップを搭載した後に、全体をト
ランスファモールド法により樹脂封止する方法が用いら
れていた。そして、リードフレームは、モールド用金型
の上下型の間のリードの厚み分の隙間からのモールド樹
脂の飛びだしを防止するために、樹脂モールド部分のわ
ずか外側のアウターリード間にダムバーを設けていた。
そして、金型のキャビティ部からはみ出してダムバーに
まで飛びだした樹脂バリについては、ダムバー除去用金
型によりダムバーの打ち抜きと同時に除去していた。
【０００３】ところが、リードフレームのリードピッチ
が０．４ｍｍ以下のファインピッチになると、ダムバー
除去用の金型の製造が困難になり従って高価になると共
に、ダムバー除去作業自体の作業性も悪く歩留りを悪化
させるという問題もあった。このような問題を解決する
方法として、例えば特開平３ー１３６２６７号公報に示
されているように、樹脂モールド部分の外側のアウター
リード間を例えばポリイミドベースフィルムに接着剤を
重ねた樹脂製テープによって埋めることによりダムを設
け、キャビティ部からリード間へのモールド樹脂のはみ
出しを防止する方法が提案されている。
が０．４ｍｍ以下のファインピッチになると、ダムバー
除去用の金型の製造が困難になり従って高価になると共
に、ダムバー除去作業自体の作業性も悪く歩留りを悪化
させるという問題もあった。このような問題を解決する
方法として、例えば特開平３ー１３６２６７号公報に示
されているように、樹脂モールド部分の外側のアウター
リード間を例えばポリイミドベースフィルムに接着剤を
重ねた樹脂製テープによって埋めることによりダムを設
け、キャビティ部からリード間へのモールド樹脂のはみ
出しを防止する方法が提案されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記製造方法
によれば、ドライフィルムやプリプレグ等を用いてダム
を形成するものであり材料コストが大幅に高くなるた
め、金属板にエッチッグやスタンピング加工等を施すこ
とにより安価に製造されたリードフレームを採用するに
もかかわらず、電子部品搭載装置の価格を高価にすると
いう問題がある。また、上記ダムの形成自体にも時間を
要し、電子部品搭載装置の生産性も悪化するという問題
もある。さらに、多ピンファインピッチのリードフレー
ムと配線基板との位置合わせは高精度で行われる必要が
あるが、樹脂のダムを設けたリードフレームと配線基板
とをはんだ等で接合させる場合、樹脂製のダムバーが加
熱により硬化収縮するため、リードの配線基板に対する
位置合わせ精度が悪くなり、両者間の接続に支障を来す
という問題もある。本発明は、上記した問題を解決しよ
うとするもので、電子部品搭載装置の樹脂モールド工程
におけるモールド用金型のキャビティ部からリード間へ
の樹脂の飛びだしを簡易に防止することのできる電子部
品搭載装置の製造方法を提供することを目的とする。
によれば、ドライフィルムやプリプレグ等を用いてダム
を形成するものであり材料コストが大幅に高くなるた
め、金属板にエッチッグやスタンピング加工等を施すこ
とにより安価に製造されたリードフレームを採用するに
もかかわらず、電子部品搭載装置の価格を高価にすると
いう問題がある。また、上記ダムの形成自体にも時間を
要し、電子部品搭載装置の生産性も悪化するという問題
もある。さらに、多ピンファインピッチのリードフレー
ムと配線基板との位置合わせは高精度で行われる必要が
あるが、樹脂のダムを設けたリードフレームと配線基板
とをはんだ等で接合させる場合、樹脂製のダムバーが加
熱により硬化収縮するため、リードの配線基板に対する
位置合わせ精度が悪くなり、両者間の接続に支障を来す
という問題もある。本発明は、上記した問題を解決しよ
うとするもので、電子部品搭載装置の樹脂モールド工程
におけるモールド用金型のキャビティ部からリード間へ
の樹脂の飛びだしを簡易に防止することのできる電子部
品搭載装置の製造方法を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、上記請求項１に係る発明の構成上の特徴は、電子部
品搭載部を有する配線基板の表面側周縁部から内側へ向
けた所定の範囲に所定厚みの樹脂層を設ける樹脂層形成
工程と、配線基板の表面側にリードフレームの複数のリ
ードを接着固定させるリード接着工程と、リードの接着
固定された配線基板の電子部品搭載部に電子部品を組み
付ける電子部品組付け工程と、モールド用金型の上型及
び下型に設けたキャビティ部の周縁位置を配線基板の周
縁部の内側近傍に配置させて同上型及び下型を型締めし
た後、同キャビティ部にモールド樹脂を圧入させる樹脂
モールド工程とを設けたことにある。
に、上記請求項１に係る発明の構成上の特徴は、電子部
品搭載部を有する配線基板の表面側周縁部から内側へ向
けた所定の範囲に所定厚みの樹脂層を設ける樹脂層形成
工程と、配線基板の表面側にリードフレームの複数のリ
ードを接着固定させるリード接着工程と、リードの接着
固定された配線基板の電子部品搭載部に電子部品を組み
付ける電子部品組付け工程と、モールド用金型の上型及
び下型に設けたキャビティ部の周縁位置を配線基板の周
縁部の内側近傍に配置させて同上型及び下型を型締めし
た後、同キャビティ部にモールド樹脂を圧入させる樹脂
モールド工程とを設けたことにある。
【０００６】また、上記請求項２に係る発明の構成上の
特徴は、前記請求項１に記載の電子部品搭載装置の製造
方法において、配線基板のモールド樹脂によって被覆さ
れる部分の一部に所定形状の貫通孔を設けたことにあ
る。
特徴は、前記請求項１に記載の電子部品搭載装置の製造
方法において、配線基板のモールド樹脂によって被覆さ
れる部分の一部に所定形状の貫通孔を設けたことにあ
る。
【０００７】
【発明の作用・効果】上記のように構成した請求項１に
係る発明においては、配線基板の表面側に接着固定され
たリード間は、配線基板の周縁部から内側へ向け設けた
一定厚みの樹脂層によって充填されるので、樹脂層を設
けたリード上にモールド用金型の上型を配置させたとき
に、リード間の樹脂層と上型の型合わせ面との間に隙間
を生じることがない。また、下型の型合わせ面と配線基
板の裏面との間も密着している。従って、この状態で上
型と下型とを型締めし、キャビティ部にモールド樹脂を
圧入したときに、モールド樹脂がキャビティ部から外側
のリード間に飛びだすことはなく、従って、リード間の
樹脂バリを除去することもない。即ち、請求項１に係る
発明によれば、簡易な方法により樹脂モールド部からの
樹脂バリの発生を防止することが出来るので、電子部品
搭載装置を高歩留りで安価にかつ信頼性よく製造するこ
とができる。また、本発明においては、従来のようにリ
ード間に樹脂製ダムを設けないので、リードと配線基板
との加熱接着時に加わる熱によるダムの硬化収縮により
リードと配線基板間に位置ずれ等の問題が生じることも
ない。
係る発明においては、配線基板の表面側に接着固定され
たリード間は、配線基板の周縁部から内側へ向け設けた
一定厚みの樹脂層によって充填されるので、樹脂層を設
けたリード上にモールド用金型の上型を配置させたとき
に、リード間の樹脂層と上型の型合わせ面との間に隙間
を生じることがない。また、下型の型合わせ面と配線基
板の裏面との間も密着している。従って、この状態で上
型と下型とを型締めし、キャビティ部にモールド樹脂を
圧入したときに、モールド樹脂がキャビティ部から外側
のリード間に飛びだすことはなく、従って、リード間の
樹脂バリを除去することもない。即ち、請求項１に係る
発明によれば、簡易な方法により樹脂モールド部からの
樹脂バリの発生を防止することが出来るので、電子部品
搭載装置を高歩留りで安価にかつ信頼性よく製造するこ
とができる。また、本発明においては、従来のようにリ
ード間に樹脂製ダムを設けないので、リードと配線基板
との加熱接着時に加わる熱によるダムの硬化収縮により
リードと配線基板間に位置ずれ等の問題が生じることも
ない。
【０００８】また、上記のように構成した請求項２に係
る発明においては、配線基板のモールド樹脂によって被
覆される部分の一部に所定形状の貫通孔を設けたことに
より、前記請求項１に記載の作用効果に加えて、貫通孔
を通してモールド樹脂が配線基板の上下面間で一体化す
るため、モールド樹脂とリード及び配線基板間の密着性
が向上し、電子部品搭載装置の信頼性が向上する。
る発明においては、配線基板のモールド樹脂によって被
覆される部分の一部に所定形状の貫通孔を設けたことに
より、前記請求項１に記載の作用効果に加えて、貫通孔
を通してモールド樹脂が配線基板の上下面間で一体化す
るため、モールド樹脂とリード及び配線基板間の密着性
が向上し、電子部品搭載装置の信頼性が向上する。
【０００９】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図面により説明す
る。図１及び図２は、本発明に係る半導体チップ搭載装
置の製造工程を横断面図により概略的に示したものであ
る。まず、ガラス布にビスマレイミドトリアジン樹脂を
含浸させた基材を用いた多数個取り両面銅張積層板Ｂ
に、スルーホール１１を設け、さらに公知のサブトラク
ティブ法等により導体回路パターンを形成する。次に、
両面銅張積層板Ｂの両面の導体回路１２の一部にスクリ
ーン印刷法によりソルダーレジスト層１３を印刷塗布し
加熱硬化させる（図１（ａ）参照）。これにより、スル
ーホール１１のはんだ接合部のはんだブリッジを避ける
ことが出来、また、後述する放熱板接着時の導体回路１
２との絶縁を確実にすることができる。ただし、ソルダ
ーレジスト層１３の形成は、用途等に応じて省略しても
よい。その後、両面銅張積層板Ｂの半導体チップ搭載部
１４を構成する角孔をルーター加工又はレーザー加工等
により形成し、さらに、多数個取り両面銅張積層板Ｂを
ルーター加工，ダイシング加工等により個別の配線基板
１０に分割する（図１（ａ）参照）。
る。図１及び図２は、本発明に係る半導体チップ搭載装
置の製造工程を横断面図により概略的に示したものであ
る。まず、ガラス布にビスマレイミドトリアジン樹脂を
含浸させた基材を用いた多数個取り両面銅張積層板Ｂ
に、スルーホール１１を設け、さらに公知のサブトラク
ティブ法等により導体回路パターンを形成する。次に、
両面銅張積層板Ｂの両面の導体回路１２の一部にスクリ
ーン印刷法によりソルダーレジスト層１３を印刷塗布し
加熱硬化させる（図１（ａ）参照）。これにより、スル
ーホール１１のはんだ接合部のはんだブリッジを避ける
ことが出来、また、後述する放熱板接着時の導体回路１
２との絶縁を確実にすることができる。ただし、ソルダ
ーレジスト層１３の形成は、用途等に応じて省略しても
よい。その後、両面銅張積層板Ｂの半導体チップ搭載部
１４を構成する角孔をルーター加工又はレーザー加工等
により形成し、さらに、多数個取り両面銅張積層板Ｂを
ルーター加工，ダイシング加工等により個別の配線基板
１０に分割する（図１（ａ）参照）。
【００１０】つぎに、配線基板１０の表面側の周縁部か
ら内側のスルーホール１１に至る部分にエポキシ系の接
着剤１５が、スクリーン印刷，ディスペンサ等により４
０〜１００μｍの厚みに塗布される（図１（ｂ）参
照）。なお、接着剤としては、ポリイミド系，トリアジ
ン系等の耐熱性，絶縁性に優れており、かつ加熱圧着時
に流動性を有するものであればよい。この配線基板１０
上に、複数のリードを支持した銅合金，鉄ニッケル合金
等で形成されたリードフレーム２０（ピッチ０．４ｍ
ｍ，幅０．１８ｍｍ，厚み０．１２５ｍｍ）のインナー
リード２１が接着固定される（図１（ｂ）参照）。その
際、インナーリード２１の内の一部が、所定のスルーホ
ール１１の上部に重なるように位置合わせされる。イン
ナーリード２１の接着は、プレスによる熱圧着、常温で
の加圧接着後の加熱硬化等により行われるが、この加熱
により接着剤１５が軟化してインナーリード２１に押さ
れてインナーリード２１間に盛り上がる。そのため、図
３に示すように、インナーリード間が接着剤１５によっ
て充填され、インナーリード２１の上面とインナーリー
ド２１間の接着剤層１５の上面が略面一にされる。
ら内側のスルーホール１１に至る部分にエポキシ系の接
着剤１５が、スクリーン印刷，ディスペンサ等により４
０〜１００μｍの厚みに塗布される（図１（ｂ）参
照）。なお、接着剤としては、ポリイミド系，トリアジ
ン系等の耐熱性，絶縁性に優れており、かつ加熱圧着時
に流動性を有するものであればよい。この配線基板１０
上に、複数のリードを支持した銅合金，鉄ニッケル合金
等で形成されたリードフレーム２０（ピッチ０．４ｍ
ｍ，幅０．１８ｍｍ，厚み０．１２５ｍｍ）のインナー
リード２１が接着固定される（図１（ｂ）参照）。その
際、インナーリード２１の内の一部が、所定のスルーホ
ール１１の上部に重なるように位置合わせされる。イン
ナーリード２１の接着は、プレスによる熱圧着、常温で
の加圧接着後の加熱硬化等により行われるが、この加熱
により接着剤１５が軟化してインナーリード２１に押さ
れてインナーリード２１間に盛り上がる。そのため、図
３に示すように、インナーリード間が接着剤１５によっ
て充填され、インナーリード２１の上面とインナーリー
ド２１間の接着剤層１５の上面が略面一にされる。
【００１１】つぎに、配線基板１０の裏面側をはんだ槽
（図示しない）の溶融はんだ面上に載置させることによ
り、溶融はんだ１６がスルーホール１１内に流入して上
昇し、配線基板１０の表面側開口位置に達する。そし
て、表面側開口位置に達したはんだ１６は、スルーホー
ル１１の表面側のランド上に盛り上がってインナーリー
ド２１に接続され、インナーリード２１にはんだのフィ
レットが形成される（図１（ｃ）参照）。はんだとして
は、スズー鉛，スズー銀，スズーアンチモンはんだ等を
用いることが出来るが、はんだ接合時の配線基板の熱劣
化、そして、接合後のはんだの耐熱性を考慮すると、錫
９：鉛１の配合のはんだを用いるのが好ましい。
（図示しない）の溶融はんだ面上に載置させることによ
り、溶融はんだ１６がスルーホール１１内に流入して上
昇し、配線基板１０の表面側開口位置に達する。そし
て、表面側開口位置に達したはんだ１６は、スルーホー
ル１１の表面側のランド上に盛り上がってインナーリー
ド２１に接続され、インナーリード２１にはんだのフィ
レットが形成される（図１（ｃ）参照）。はんだとして
は、スズー鉛，スズー銀，スズーアンチモンはんだ等を
用いることが出来るが、はんだ接合時の配線基板の熱劣
化、そして、接合後のはんだの耐熱性を考慮すると、錫
９：鉛１の配合のはんだを用いるのが好ましい。
【００１２】つぎに、配線基板１０の裏面側の半導体チ
ップ搭載部１４位置に、半導体チップ取り付けを兼ねた
無酸素銅製の放熱板３０がエポキシ等の接着剤３１によ
り接着固定される（図１（ｃ）参照）。放熱板３０とし
ては、その他アルミニウム等の熱伝導性の良い金属、セ
ラミック材料等を用いてもよい。この配線基板１０の半
導体チップ搭載部１４位置の放熱板３０上に樹脂ペース
ト４１等を用いて半導体チップ４０をダイボンディング
し、さらに半導体チップ４０の電極パッドと配線基板１
０の導体回路１２又はインナーリード２１間をワイヤボ
ンディングにより接続させる（図２（ｄ）参照）。この
とき、半導体チップ４０の電源部やグランド部等の複数
の共通電極に関しては、半導体チップ搭載部１４近傍の
スルーホール１４ａを通して裏面の共通電極に接続し、
さらに共通電極からスルーホール１１を通してインナー
リード２１に一括して接続することにより、配線のリー
ドインダクタンスを低減させることが出来、さらにイン
ナーリードの本数を削減することができる。
ップ搭載部１４位置に、半導体チップ取り付けを兼ねた
無酸素銅製の放熱板３０がエポキシ等の接着剤３１によ
り接着固定される（図１（ｃ）参照）。放熱板３０とし
ては、その他アルミニウム等の熱伝導性の良い金属、セ
ラミック材料等を用いてもよい。この配線基板１０の半
導体チップ搭載部１４位置の放熱板３０上に樹脂ペース
ト４１等を用いて半導体チップ４０をダイボンディング
し、さらに半導体チップ４０の電極パッドと配線基板１
０の導体回路１２又はインナーリード２１間をワイヤボ
ンディングにより接続させる（図２（ｄ）参照）。この
とき、半導体チップ４０の電源部やグランド部等の複数
の共通電極に関しては、半導体チップ搭載部１４近傍の
スルーホール１４ａを通して裏面の共通電極に接続し、
さらに共通電極からスルーホール１１を通してインナー
リード２１に一括して接続することにより、配線のリー
ドインダクタンスを低減させることが出来、さらにイン
ナーリードの本数を削減することができる。
【００１３】次に、上型５１と下型５２とを有し内部に
キャビティ部５３を設け、キャビティ部５３の周縁部５
３ａ，５３ｂが配線基板１０の周縁部の若干内側に来る
ように設計された樹脂モールド用金型５０を用いて、図
２（ｄ）に示すように、下型５２に配線基板１０をセッ
トし、上型５１を重ね合わせて型締めし、キャビティ５
３内にエポキシ樹脂６１を圧入して樹脂モールドを行
う。このとき、上型５１の型合わせ面５１ａは、インナ
ーリード２１に密着すると共にインナーリード間におい
ても、充填された接着剤層１５に略密着した状態になっ
ており、下型５２の型合わせ面５２ａも、配線基板１０
の裏面に密着した状態になっている。従って、圧入され
たモールド樹脂６１は、インナーリード２１間からキャ
ビティ部５３の外側に飛びだすことがなく、アウターリ
ード２２間に樹脂バリが形成されることがない。この樹
脂モールドされた半導体装置を図４に示す。その結果、
モールド工程終了後に、樹脂バリを除去する必要がな
く、直ちにリードフレーム２０の各アウターリードを切
断し、フォーミングすることにより最終的な半導体装置
に形成される（図２（ｅ）参照）。
キャビティ部５３を設け、キャビティ部５３の周縁部５
３ａ，５３ｂが配線基板１０の周縁部の若干内側に来る
ように設計された樹脂モールド用金型５０を用いて、図
２（ｄ）に示すように、下型５２に配線基板１０をセッ
トし、上型５１を重ね合わせて型締めし、キャビティ５
３内にエポキシ樹脂６１を圧入して樹脂モールドを行
う。このとき、上型５１の型合わせ面５１ａは、インナ
ーリード２１に密着すると共にインナーリード間におい
ても、充填された接着剤層１５に略密着した状態になっ
ており、下型５２の型合わせ面５２ａも、配線基板１０
の裏面に密着した状態になっている。従って、圧入され
たモールド樹脂６１は、インナーリード２１間からキャ
ビティ部５３の外側に飛びだすことがなく、アウターリ
ード２２間に樹脂バリが形成されることがない。この樹
脂モールドされた半導体装置を図４に示す。その結果、
モールド工程終了後に、樹脂バリを除去する必要がな
く、直ちにリードフレーム２０の各アウターリードを切
断し、フォーミングすることにより最終的な半導体装置
に形成される（図２（ｅ）参照）。
【００１４】以上に説明したように、上記第１実施例に
おいては、配線基板の周縁部から内側へ向けて設けた一
定厚みの接着剤層にインナーリードを接着固定させるこ
とにより、同時にインナーリード間に接着剤層を充填さ
せるという簡易な方法によりアウターリード間への樹脂
バリの発生を防止することが出来るので、電子部品搭載
装置を高歩留りで安価にかつ信頼性よく製造することが
できる。また、上記第１実施例においては、従来のよう
にリード間に樹脂製ダムを設けていないので、インナー
リードと配線基板とのはんだ接合形成時に加わる熱によ
るダムの硬化収縮によりインナーリードと配線基板間に
位置ずれ等の問題が生じることもない。
おいては、配線基板の周縁部から内側へ向けて設けた一
定厚みの接着剤層にインナーリードを接着固定させるこ
とにより、同時にインナーリード間に接着剤層を充填さ
せるという簡易な方法によりアウターリード間への樹脂
バリの発生を防止することが出来るので、電子部品搭載
装置を高歩留りで安価にかつ信頼性よく製造することが
できる。また、上記第１実施例においては、従来のよう
にリード間に樹脂製ダムを設けていないので、インナー
リードと配線基板とのはんだ接合形成時に加わる熱によ
るダムの硬化収縮によりインナーリードと配線基板間に
位置ずれ等の問題が生じることもない。
【００１５】なお、上記第１実施例においては、配線基
板の周縁部から内側のスルーホールに至る部分に一定厚
みの接着剤層を設けているが、変形例として、配線基板
のインナーリード配置位置の間に印刷法等により略イン
ナーリードの厚みの樹脂層を形成し、この樹脂層間の配
線基板上にインナーリードを配置させて、はんだ等によ
り配線基板に接着させるようにしてもよい。これによっ
ても上記実施例と同様の効果が得られる。
板の周縁部から内側のスルーホールに至る部分に一定厚
みの接着剤層を設けているが、変形例として、配線基板
のインナーリード配置位置の間に印刷法等により略イン
ナーリードの厚みの樹脂層を形成し、この樹脂層間の配
線基板上にインナーリードを配置させて、はんだ等によ
り配線基板に接着させるようにしてもよい。これによっ
ても上記実施例と同様の効果が得られる。
【００１６】次に、本発明の第２実施例について図５，
図６により説明する。本実施例においては、配線基板１
０の周縁部近傍の樹脂モールドされる部分（図６（ａ）
の点線の右側部分）のインナーリード２１間に円筒形の
貫通孔１７を設けたものである。そして、配線基板は、
半導体チップ搭載用の凹部を中央に設けており放熱板は
備えていない。その他の構成は上記第１実施例と同様で
あり、説明を省略する。上記のように第２実施例を構成
したことにより、樹脂モールドを行ったときに、モール
ド樹脂６１が貫通孔１７を通して配線基板１０の上下面
間で一体化するため、モールド樹脂６１とインナーリー
ド２１及び配線基板１０間の密着性が向上し、電子部品
搭載装置の信頼性が向上する。なお、貫通孔の形状につ
いては、図６（ｂ）に示すように、円筒形に限らずスリ
ット形状であってもよく、またはインナーリード２１の
配線基板１０との接着部分も含めて設けてもよい。ま
た、貫通孔の配設位置に関しても、配線基板の周縁部近
傍に限らず、配線基板の形状等に応じて適宜変更するこ
とができる。
図６により説明する。本実施例においては、配線基板１
０の周縁部近傍の樹脂モールドされる部分（図６（ａ）
の点線の右側部分）のインナーリード２１間に円筒形の
貫通孔１７を設けたものである。そして、配線基板は、
半導体チップ搭載用の凹部を中央に設けており放熱板は
備えていない。その他の構成は上記第１実施例と同様で
あり、説明を省略する。上記のように第２実施例を構成
したことにより、樹脂モールドを行ったときに、モール
ド樹脂６１が貫通孔１７を通して配線基板１０の上下面
間で一体化するため、モールド樹脂６１とインナーリー
ド２１及び配線基板１０間の密着性が向上し、電子部品
搭載装置の信頼性が向上する。なお、貫通孔の形状につ
いては、図６（ｂ）に示すように、円筒形に限らずスリ
ット形状であってもよく、またはインナーリード２１の
配線基板１０との接着部分も含めて設けてもよい。ま
た、貫通孔の配設位置に関しても、配線基板の周縁部近
傍に限らず、配線基板の形状等に応じて適宜変更するこ
とができる。
【００１７】なお、上記実施例においては、配線基板と
してビスマレイミドトリアジン樹脂等の樹脂を含浸させ
たガラス布基材の両面銅張配線基板を用いているが、そ
の他セラミック積層板等を用いてもよい。また、配線基
板の構造についても、上記各実施例に記載したものに限
らず、種々の構造の配線基板を用いることができる。さ
らに、上記実施例においては、配線基板に半導体チップ
を組付けした半導体チップ搭載装置について説明してい
るが、その他の電子部品を組付けるようにしてもよい。
してビスマレイミドトリアジン樹脂等の樹脂を含浸させ
たガラス布基材の両面銅張配線基板を用いているが、そ
の他セラミック積層板等を用いてもよい。また、配線基
板の構造についても、上記各実施例に記載したものに限
らず、種々の構造の配線基板を用いることができる。さ
らに、上記実施例においては、配線基板に半導体チップ
を組付けした半導体チップ搭載装置について説明してい
るが、その他の電子部品を組付けるようにしてもよい。
【図１】本発明の第１実施例に係る半導体チップ搭載装
置の製造工程の一部を概略的に示す断面図である。
置の製造工程の一部を概略的に示す断面図である。
【図２】同半導体チップ搭載装置の製造工程の一部を概
略的に示す断面図である。
略的に示す断面図である。
【図３】図１のＩＩＩーＩＩＩ線方向の断面図である。
【図４】同半導体チップ搭載装置の樹脂モールド後の状
態を示す斜視図である。
態を示す斜視図である。
【図５】第２実施例に係る半導体チップ搭載装置の断面
図である。
図である。
【図６】同半導体チップ搭載装置における配線基板とイ
ンナーリードとの接着部分を示す部分平面図である。
ンナーリードとの接着部分を示す部分平面図である。
１０；配線基板、１１；スルーホール、１２；導体回
路、１３；ソルダーレジスト層、１４；半導体チップ搭
載部、１５；接着剤層、１６；はんだ、１７；貫通孔、
２０；リードフレーム、２１；インナーリード、２２；
アウターリード、３０；放熱板、３１；接着剤、４０；
半導体チップ、４１；接着剤、５０；樹脂モールド用金
型、５１；上型、５２；下型、５３；キャビティ部、６
１；モールド樹脂。
路、１３；ソルダーレジスト層、１４；半導体チップ搭
載部、１５；接着剤層、１６；はんだ、１７；貫通孔、
２０；リードフレーム、２１；インナーリード、２２；
アウターリード、３０；放熱板、３１；接着剤、４０；
半導体チップ、４１；接着剤、５０；樹脂モールド用金
型、５１；上型、５２；下型、５３；キャビティ部、６
１；モールド樹脂。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 // Ｂ２９Ｌ 31:34
Claims (2)
- 【請求項１】 電子部品搭載部を有する配線基板の表面
側周縁部から内側へ向けた所定の範囲に所定厚みの樹脂
層を設ける樹脂層形成工程と、 前記配線基板の表面側にリードフレームの複数のリード
を接着固定させるリード接着工程と、 前記リードの接着固定された配線基板の電子部品搭載部
に電子部品を組み付ける電子部品組付け工程と、 モールド用金型の上型及び下型に設けたキャビティ部の
周縁位置を前記配線基板の周縁部の内側近傍に配置させ
て同上型及び下型を型締めした後、同キャビティ部にモ
ールド樹脂を圧入させる樹脂モールド工程とを設けたこ
とを特徴とする電子部品搭載装置の製造方法。 - 【請求項２】 前記請求項１に記載の電子部品搭載装置
の製造方法において、 前記配線基板のモールド樹脂によって被覆される部分の
一部に所定形状の貫通孔を設けたことを特徴とする電子
部品搭載装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5172705A JPH077033A (ja) | 1993-06-17 | 1993-06-17 | 電子部品搭載装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5172705A JPH077033A (ja) | 1993-06-17 | 1993-06-17 | 電子部品搭載装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH077033A true JPH077033A (ja) | 1995-01-10 |
Family
ID=15946820
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5172705A Pending JPH077033A (ja) | 1993-06-17 | 1993-06-17 | 電子部品搭載装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH077033A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5728983A (en) * | 1995-12-27 | 1998-03-17 | Asmo Co., Ltd. | Elongated tube-like pressure sensitive cable switch |
| US6107580A (en) * | 1998-02-09 | 2000-08-22 | Shinmei Rubber Industries Co., Ltd. | Omnidirectional response cable switch |
| WO2014034411A1 (ja) | 2012-08-27 | 2014-03-06 | 三菱電機株式会社 | 電力用半導体装置 |
| US11296069B2 (en) | 2015-03-27 | 2022-04-05 | Semiconductor Components Industries, Llc | Substrate interposer on a leaderframe |
| JP7058813B1 (ja) * | 2021-08-25 | 2022-04-22 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
-
1993
- 1993-06-17 JP JP5172705A patent/JPH077033A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5728983A (en) * | 1995-12-27 | 1998-03-17 | Asmo Co., Ltd. | Elongated tube-like pressure sensitive cable switch |
| US6107580A (en) * | 1998-02-09 | 2000-08-22 | Shinmei Rubber Industries Co., Ltd. | Omnidirectional response cable switch |
| WO2014034411A1 (ja) | 2012-08-27 | 2014-03-06 | 三菱電機株式会社 | 電力用半導体装置 |
| US9433075B2 (en) | 2012-08-27 | 2016-08-30 | Mitsubishi Electric Corporation | Electric power semiconductor device |
| US11296069B2 (en) | 2015-03-27 | 2022-04-05 | Semiconductor Components Industries, Llc | Substrate interposer on a leaderframe |
| JP7058813B1 (ja) * | 2021-08-25 | 2022-04-22 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
| WO2023026381A1 (ja) * | 2021-08-25 | 2023-03-02 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
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