JPH0770025B2 - 薄膜磁気ヘッドの製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘッドの製造方法Info
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- JPH0770025B2 JPH0770025B2 JP62229841A JP22984187A JPH0770025B2 JP H0770025 B2 JPH0770025 B2 JP H0770025B2 JP 62229841 A JP62229841 A JP 62229841A JP 22984187 A JP22984187 A JP 22984187A JP H0770025 B2 JPH0770025 B2 JP H0770025B2
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- Magnetic Heads (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔概要〕 パターニングされたレジストを介してイオンミルにより
基板上にコイルパターンを形成する薄膜磁気ヘッドの製
造方法に関し、 イオンミル後のレジスト除去を完全に行うことを目的と
し、 基板上に絶縁保護膜を設け、該絶縁保護膜上にコイルパ
ターン形状のイオンミルに対するレジストを形成した
後、該基板にイオンミルを施して前記絶縁保護膜をパタ
ーニングし、次に該基板に酸素プラズマ処理を施し、そ
の後該基板のレジスト洗浄処理を施す構成とする。
基板上にコイルパターンを形成する薄膜磁気ヘッドの製
造方法に関し、 イオンミル後のレジスト除去を完全に行うことを目的と
し、 基板上に絶縁保護膜を設け、該絶縁保護膜上にコイルパ
ターン形状のイオンミルに対するレジストを形成した
後、該基板にイオンミルを施して前記絶縁保護膜をパタ
ーニングし、次に該基板に酸素プラズマ処理を施し、そ
の後該基板のレジスト洗浄処理を施す構成とする。
〔産業上の利用分野〕 本発明はパターニングされたレジストを介してイオンミ
ルにより基板上にコイルパターンを形成する薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法に関する。
ルにより基板上にコイルパターンを形成する薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法に関する。
イオンミルにより薄膜磁気ヘッドのコイルを製造する場
合、イオンミルマスク（レジスト）を介してイオンビー
ムにより基板を照射後レジストを洗浄して除去する。安
定した均一な磁気ヘッド特性を得るためにイオンミル後
のレジストは完全に除去する必要がある。
合、イオンミルマスク（レジスト）を介してイオンビー
ムにより基板を照射後レジストを洗浄して除去する。安
定した均一な磁気ヘッド特性を得るためにイオンミル後
のレジストは完全に除去する必要がある。
従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法においては、基板上に
絶縁保護膜（Al2Ｏ3）を設け、この保護膜上にコイルパ
ターン形状のイオンミルマスク（レジスト）を形成した
後イオンミルを施して保護膜のパターニングを行い、こ
の後洗浄溶液を用いてレジスト除去を行っていた。
絶縁保護膜（Al2Ｏ3）を設け、この保護膜上にコイルパ
ターン形状のイオンミルマスク（レジスト）を形成した
後イオンミルを施して保護膜のパターニングを行い、こ
の後洗浄溶液を用いてレジスト除去を行っていた。
前記従来の薄膜磁気ヘッド製造方法においては、イオン
ミル後のレジスト洗浄工程においてレジストが完全に除
去できなかった。この原因はイオンビーム照射によりレ
ジスト表面に熱硬化等により変質層が形成され、この変
質層により洗浄溶液の洗浄効果が低減するものと考えら
れる。
ミル後のレジスト洗浄工程においてレジストが完全に除
去できなかった。この原因はイオンビーム照射によりレ
ジスト表面に熱硬化等により変質層が形成され、この変
質層により洗浄溶液の洗浄効果が低減するものと考えら
れる。
本発明は上記従来技術の欠点に鑑みなされたものであっ
て、洗浄工程前にレジスト変質層を除去して洗浄溶液に
よりレジストを完全よ除去して安定した特性の薄膜コイ
ルを作成可能な薄膜磁気ヘッドの製造方法の提供を目的
とする。
て、洗浄工程前にレジスト変質層を除去して洗浄溶液に
よりレジストを完全よ除去して安定した特性の薄膜コイ
ルを作成可能な薄膜磁気ヘッドの製造方法の提供を目的
とする。
第１図に本発明の基本原理工程を示す。基板（ウェハ）
１上に絶縁保護膜２が設けられ、この絶縁保護膜２上に
コイルパターン形状のイオンミルに対するレジスト３が
形成される（ａ図）。この基板１にイオンビーム（矢印
Ａ）を照射してイオンミルを行う（ｂ図）。これにより
絶縁保護膜２がパターニングされる（ｃ図）。このとき
レジスト３の表面には変質レジスト3aが形成される。次
にこの基板１に酸素プラズマ処理を施し変質レジスト3a
を除去する（ｄ図）。次にレジスト３を有機溶剤の超音
波洗浄等により洗浄して除去する（ｅ図）。
１上に絶縁保護膜２が設けられ、この絶縁保護膜２上に
コイルパターン形状のイオンミルに対するレジスト３が
形成される（ａ図）。この基板１にイオンビーム（矢印
Ａ）を照射してイオンミルを行う（ｂ図）。これにより
絶縁保護膜２がパターニングされる（ｃ図）。このとき
レジスト３の表面には変質レジスト3aが形成される。次
にこの基板１に酸素プラズマ処理を施し変質レジスト3a
を除去する（ｄ図）。次にレジスト３を有機溶剤の超音
波洗浄等により洗浄して除去する（ｅ図）。
〔作用〕 レジスト洗浄工程前の酸素プラズマ処理によりレジスト
表面の変質層が除去され洗浄工程でのレジスト除去が完
全に行われる。
表面の変質層が除去され洗浄工程でのレジスト除去が完
全に行われる。
第２図に本発明実施例の工程を示す。フェライト基板10
上に絶縁保護膜（Al2Ｏ3）11が設けられ、この絶縁保護
膜11上にレジスト12のパターンが形成される（ａ図）。
この基板10にイオンビームを照射してイオンミルを施
し、絶縁保護膜11をパターニングする。このイオンミル
処理後に100W×10分の酸素ブラズマ処理を施す。これに
よりレジスト12の表面に形成されたレジスト変質層（第
１図ｃ参照）が除去される。次にアセトン溶液１分×３
回及びイソプロピルアルコール溶液１分×１回によるレ
ジスト除去のための超音波洗浄を行う。これによりレジ
スト12は完全に除去される。次に絶縁保護膜11のパター
ンに沿ってチタン層（Ti）13のパターンを蒸着し、さら
にこのチタン層13上に金層（Au）14のパターンを蒸着形
成する（ｂ図）。この金パターン14が薄膜コイルを構成
する。このような金パターン14によるコイルは基板10上
に多数形成される。金パターン形成後に基板10を各チッ
プ毎に分割して切出し上部フェライト基板16を接着剤15
により固定し薄膜コイルチップを形成する（ｃ−1,c−
２図）。ｃ−２図はチップ上面図である。17は薄膜
（金）コイルであり、Ｂはヘッド浮上面、Ｇはギャップ
間隔を示す。
上に絶縁保護膜（Al2Ｏ3）11が設けられ、この絶縁保護
膜11上にレジスト12のパターンが形成される（ａ図）。
この基板10にイオンビームを照射してイオンミルを施
し、絶縁保護膜11をパターニングする。このイオンミル
処理後に100W×10分の酸素ブラズマ処理を施す。これに
よりレジスト12の表面に形成されたレジスト変質層（第
１図ｃ参照）が除去される。次にアセトン溶液１分×３
回及びイソプロピルアルコール溶液１分×１回によるレ
ジスト除去のための超音波洗浄を行う。これによりレジ
スト12は完全に除去される。次に絶縁保護膜11のパター
ンに沿ってチタン層（Ti）13のパターンを蒸着し、さら
にこのチタン層13上に金層（Au）14のパターンを蒸着形
成する（ｂ図）。この金パターン14が薄膜コイルを構成
する。このような金パターン14によるコイルは基板10上
に多数形成される。金パターン形成後に基板10を各チッ
プ毎に分割して切出し上部フェライト基板16を接着剤15
により固定し薄膜コイルチップを形成する（ｃ−1,c−
２図）。ｃ−２図はチップ上面図である。17は薄膜
（金）コイルであり、Ｂはヘッド浮上面、Ｇはギャップ
間隔を示す。
以上説明したように、本発明においては、レジスト洗浄
工程前に酸素プラズマ処理を施してレジスト表面の変質
レジストを除去しているため、洗浄工程において有機溶
剤による洗浄作用が有効に発揮されレジストは完全に除
去され、従って安定で均一な特性の薄膜コイルが得られ
る。
工程前に酸素プラズマ処理を施してレジスト表面の変質
レジストを除去しているため、洗浄工程において有機溶
剤による洗浄作用が有効に発揮されレジストは完全に除
去され、従って安定で均一な特性の薄膜コイルが得られ
る。
第１図は本発明の基本原理工程説明図、第２図は本発明
実施例の工程説明図である。 1,10……基板、2,11……絶縁保護膜、3,12……レジス
ト、3a……変質レジスト、17……コイル。
実施例の工程説明図である。 1,10……基板、2,11……絶縁保護膜、3,12……レジス
ト、3a……変質レジスト、17……コイル。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小笹 以久男 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内 (56)参考文献 特開 昭59−104718（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−177615（ＪＰ，Ａ)
Claims (3)
- 【請求項１】基板（1,10）上に絶縁保護膜（2,11）を設
け、該絶縁保護膜（2,11）上にコイルパターン形状のイ
オンミルに対するレジスト（3,12）を形成した後、該基
板（1,10）にイオンミルを施して前記絶縁保護膜（2,1
1）をパターニングし、次に該基板（1,10）に酸素プラ
ズマ処理を施して前記イオンミルにより生じたレジスト
表面の変質層を除去し、その後該基板（1,10）をレジス
ト洗浄剤により洗浄処理して前記レジスト（3,12）を除
去することを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項２】前記酸素プラズマ処理は100W×10分程度行
うことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の薄膜磁
気ヘッドの製造方法。 - 【請求項３】前記レジスト洗浄処理はアセトン溶液及び
イソプロピルアルコール溶液を用いて行うことを特徴と
する特許請求の範囲第１項又は第２項記載の薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62229841A JPH0770025B2 (ja) | 1987-09-16 | 1987-09-16 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62229841A JPH0770025B2 (ja) | 1987-09-16 | 1987-09-16 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6473519A JPS6473519A (en) | 1989-03-17 |
| JPH0770025B2 true JPH0770025B2 (ja) | 1995-07-31 |
Family
ID=16898522
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62229841A Expired - Fee Related JPH0770025B2 (ja) | 1987-09-16 | 1987-09-16 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0770025B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007087504A2 (en) | 2006-01-25 | 2007-08-02 | Wellstat Therapeutics Corporation | Compounds for the treatment of metabolic disorders |
| WO2007087505A2 (en) | 2006-01-25 | 2007-08-02 | Wellstat Therapeutics Corporation | Compounds for the treatment of metabolic disorders |
| EP2266946A2 (en) | 2003-02-13 | 2010-12-29 | Wellstat Therapeutics Corporation | Compound For The Treatment Of Metabolic Disorders |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59104718A (ja) * | 1982-12-08 | 1984-06-16 | Comput Basic Mach Technol Res Assoc | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
| JPH0772930B2 (ja) * | 1985-01-31 | 1995-08-02 | シャープ株式会社 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
-
1987
- 1987-09-16 JP JP62229841A patent/JPH0770025B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2266946A2 (en) | 2003-02-13 | 2010-12-29 | Wellstat Therapeutics Corporation | Compound For The Treatment Of Metabolic Disorders |
| WO2007087504A2 (en) | 2006-01-25 | 2007-08-02 | Wellstat Therapeutics Corporation | Compounds for the treatment of metabolic disorders |
| WO2007087505A2 (en) | 2006-01-25 | 2007-08-02 | Wellstat Therapeutics Corporation | Compounds for the treatment of metabolic disorders |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6473519A (en) | 1989-03-17 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |