JPH0766009B2 - Acceleration sensor - Google Patents
Acceleration sensorInfo
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Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、自動車の自動サスペンションコントロールシ
ステム、衝突、加減速フィーリング量等、加速度の検出
に用いる加速度センサに関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an automatic suspension control system for automobiles, an acceleration sensor used for detecting acceleration such as collision, acceleration / deceleration feeling amount, and the like.
従来の技術 従来、この種の加速度センサはトランスデューサとし
て、圧電ディスク中心固定型の圧電セラミックを用いて
いる。この圧電セラミックの周波数特性は加速度センサ
として使用する0.5Hz〜200Hzではそのインピーダンスが
非常に大きいので、入力インピーダンスの大きい電界効
果トランジスタ(FET)を用いてインピーダンス変換し
ている。以下、上記従来例について図面を参照しながら
説明する。2. Description of the Related Art Conventionally, this type of acceleration sensor uses a piezoelectric ceramic center fixed piezoelectric ceramic as a transducer. The frequency characteristic of this piezoelectric ceramic has a very large impedance at 0.5 Hz to 200 Hz used as an acceleration sensor, so impedance conversion is performed using a field effect transistor (FET) with a large input impedance. Hereinafter, the above conventional example will be described with reference to the drawings.
第4図において、31は圧電ディスク中心固定型の圧電セ
ラミックよりなるトランスデューサ、32はインピーダン
ス変換のためのFET、33はFET32のラッチアップによる破
壊を防止するための入力抵抗(Ri)である。センサ側か
ら回路本体側へはFET32のドレインのみ送出し、回路本
体側は負荷抵抗(RL)34を接続しこのRL34に電源
(VCC)35を接続し、FET32のドレインからコンデンサ
(c)36で直流分をカットし、出力を取出すようになっ
ている。In FIG. 4, 31 is a transducer made of a piezoelectric ceramic center fixed type piezoelectric ceramic, 32 is an FET for impedance conversion, and 33 is an input resistance (Ri) for preventing destruction of the FET 32 due to latch-up. Only the drain of FET 32 is sent from the sensor side to the circuit body side, the load resistance (R L ) 34 is connected to the circuit body side, the power supply (V CC ) 35 is connected to this R L 34, and the capacitor ( c) At 36, the direct current component is cut and the output is taken out.
そして、加速度がセンサに加わると、トランスデューサ
31の圧電セラミックが撓み、電荷量が変化する。この電
荷量の変化、すなわち電圧の変化をFET32のゲートに印
加し、FET32でインピーダンス変換し、電圧変化として
取り出すことができる。このとき、Ri33はトランスデュ
ーサ31の圧電セラミックとの間でハイパスフィルタとし
て作用するため、低域まで信号をFET32に充分伝えよう
とすると、その値を大きくする必要がある。ここで、ロ
ーカット周波数fLは次式で表わされる。Then, when acceleration is applied to the sensor, the transducer
The piezoelectric ceramic of 31 bends and the amount of charge changes. This change in the amount of charge, that is, the change in voltage can be applied to the gate of the FET 32, impedance conversion can be performed by the FET 32, and the change in voltage can be extracted. At this time, the Ri 33 acts as a high-pass filter with the piezoelectric ceramic of the transducer 31, so that it is necessary to increase the value in order to sufficiently transmit the signal to the low frequency band to the FET 32. Here, the low-cut frequency f L is expressed by the following equation.
そしてRi33の値は通常、Co≒7000PFであるから、fL=0.
5Hzにする場合にはRi=50MΩと非常に高抵抗のものを必
要とする。 And the value of Ri33 is usually Co≈7000 P F, so f L = 0.
In case of 5Hz, Ri = 50MΩ and very high resistance is required.
第5図に示すものは、バイアス抵抗(Rs)37を用いたも
のであり、その他の構成は第4図と同様である。The one shown in FIG. 5 uses a bias resistor (Rs) 37, and other configurations are the same as those in FIG.
第6図に示すものは、Rs37を用いると共にFET32の入力
抵抗を大きくするため、Ri33をFET32のゲートとソース
の間に接続したものであり、その他の構成は第4図と同
様である。In FIG. 6, Ri 33 is connected between the gate and the source of the FET 32 in order to increase the input resistance of the FET 32 by using Rs37, and other configurations are the same as those in FIG.
発明が解決しようとする問題点 しかし、上記従来例のうち、第4図に示す構成では、FE
T32のソースが直接アースされているため、FET32そのも
のの温度特性がそのまま出力に表われる。Problems to be Solved by the Invention However, of the above-mentioned conventional examples, in the configuration shown in FIG.
Since the source of T32 is directly grounded, the temperature characteristic of FET32 itself appears in the output as it is.
一方、第5図に示す構成では、Rs37の働きによりある程
度、温度変化に対し強いものになる。しかし、Rs37を挿
入すると、それによってFET32による増幅度が低下し、
大きな出力を得ることができなくなる。On the other hand, in the configuration shown in FIG. 5, the resistance of Rs37 makes it resistant to temperature changes to some extent. However, when Rs37 is inserted, the amplification degree by FET32 decreases,
You will not be able to get a large output.
また、第6図に示す構成においても、第5図に示す構成
と同様に温度変化に対し強くなるが、FET32による増幅
度が低下し、大きな出力を得ることができなくなる。In the configuration shown in FIG. 6 as well, although it becomes more resistant to temperature changes as in the configuration shown in FIG. 5, the amplification degree by the FET 32 decreases and it becomes impossible to obtain a large output.
本発明は、このような従来例の問題を解決するもので、
温度変化に強く、任意の出力レベルにすることができる
ようにした加速度センサを提供しようとするものであ
る。The present invention solves the problems of the conventional example as described above.
It is an object of the present invention to provide an acceleration sensor that is resistant to temperature changes and can be set to an arbitrary output level.
問題点を解決するための手段 本発明は上記問題点を解決するために、圧電セラミック
を用いたトランスデューサと、このトランスデューサの
出力が印加され、入力段に電解効果トランジスタを用い
たインピーダンス変換用の第1のオペアンプと、この第
1のオペアンプの出力が印加され、コンデンサと抵抗と
からなる低域カット回路と、上記第1のオペアンプの入
力端に接続され上記低域カット回路の低域カット周波数
を決定する抵抗と、上記低域カット回路の出力が印加さ
れ、低域通過、増幅機能を有し、入力段に電解効果トラ
ンジスタを用いた第2のオペアンプとを備えたものであ
る。Means for Solving the Problems In order to solve the above problems, the present invention provides a transducer using a piezoelectric ceramic and a first impedance conversion type in which an output of the transducer is applied and a field effect transistor is used in an input stage. No. 1 operational amplifier, the output of this first operational amplifier is applied, and the low-frequency cut circuit composed of a capacitor and a resistor is connected to the input terminal of the first operational amplifier to reduce the low-frequency cut frequency of the low-frequency cut circuit. A resistance to determine and a second operational amplifier, to which the output of the low-frequency cut circuit is applied, has a low-pass and amplification function, and uses a field effect transistor in the input stage.
作用 本発明は、上記のような構成により次のような作用を有
する。すなわち、入力段に電界効果トランジスタを用い
たオペアンプによりインピーダンス変換、ろ波、増幅を
行うので、温度変化に強くなり、また増幅度を大きく
し、出力レベルを大きくすることができる。Action The present invention has the following actions due to the above configuration. That is, since impedance conversion, filtering, and amplification are performed by an operational amplifier using a field effect transistor in the input stage, it is resistant to temperature changes, and the degree of amplification can be increased and the output level can be increased.
実 施 例 以下、本発明の実施例について図面を参照しながら説明
する。EXAMPLES Examples of the present invention will be described below with reference to the drawings.
まず、本発明の第1実施例について説明する。第1図は
本発明の第1実施例を示す回路図である。First, a first embodiment of the present invention will be described. FIG. 1 is a circuit diagram showing a first embodiment of the present invention.
第1図において、1は圧電ディスク中心固定型の圧電セ
ラミックよりなるトランスデューサで、その詳細は第2
図に示すように圧電セラミック21の両側の電極22のう
ち、一方の電極22が金属板23に取付けられ、金属板23の
中央部が支持体24に取付けられ、金属板23、圧電セラミ
ック21がケース25により覆われている。そして支持体24
が被検出物、例えばエンジンのノッキングを検出する場
合にはエンジン26に固定され、エンジン26の振動を支持
体24、金属板23を介して圧電セラミック21に伝え、圧電
セラミック21より上記振動に応じた電気信号を取り出し
得るようになっている。2は入力段が電界効果トランジ
スタ(FET)で構成されたインピーダンス変換用のオペ
アンプで、出力が直接入力端子に帰還するようになっ
ている。3は入力抵抗(Ri)、4はコンデンサ、5は抵
抗で、これらコンデンサ4と抵抗5により低域カット回
路(温度ドリット補償回路)が構成され、オペアンプ2
の出力が印加される。6は低域カット回路からの信号が
印加されるオペアンプで、入力段がFETで構成され、こ
のオペアンプ6は抵抗(Rf)7とコンデンサ(Cf)8よ
りなる帰還回路を有している。9はバイアス抵抗、10は
直流カット用コンデンサ、11と12はバイアス抵抗、13と
14は電源リップル除去用の抵抗とコンデンサである。In FIG. 1, reference numeral 1 is a transducer composed of a piezoelectric disk center fixed type piezoelectric ceramic.
As shown in the figure, of the electrodes 22 on both sides of the piezoelectric ceramic 21, one electrode 22 is attached to the metal plate 23, the central portion of the metal plate 23 is attached to the support 24, the metal plate 23, the piezoelectric ceramic 21 Covered by case 25. And support 24
Is fixed to the engine 26 when detecting knocking of an object to be detected, for example, the vibration of the engine 26 is transmitted to the piezoelectric ceramic 21 via the support 24 and the metal plate 23, and the piezoelectric ceramic 21 responds to the vibration. It is designed to be able to take out electrical signals. Reference numeral 2 is an operational amplifier for impedance conversion whose input stage is composed of a field effect transistor (FET), and the output is directly fed back to the input terminal. 3 is an input resistor (Ri), 4 is a capacitor, 5 is a resistor, and these capacitors 4 and 5 constitute a low-frequency cut circuit (temperature dlit compensation circuit).
Is applied. Reference numeral 6 denotes an operational amplifier to which a signal from the low-frequency cut circuit is applied, the input stage of which is composed of a FET, and the operational amplifier 6 has a feedback circuit including a resistor (Rf) 7 and a capacitor (Cf) 8. 9 is a bias resistor, 10 is a DC cut capacitor, 11 and 12 are bias resistors, 13 and
14 is a resistor and a capacitor for removing the power supply ripple.
次に上記実施例の動作について説明する。Next, the operation of the above embodiment will be described.
加速度がセンサに加わると、圧電セラミック1が撓み、
これに比例して電荷量が変化する。この電荷量の変化、
すなわち電圧の変化をオペアンプ2に印加する。このオ
ペアンプ2は入力段に電界効果トランジスタ(FET)を
用いているため、バイアス電流を高温においても40pA以
下にすることが可能であり、このとき入力抵抗Ri3は上
記のようにRi=50MΩであるから、オペアンプ2の直流
出力は0.2Vと小さく、飽和することなくロスはほとんど
発生しない。そしてオペアンプ2は出力を直接、入力
端子に帰還するので、オペアンプ2の入力インピーダン
スは全体として非常に大きいものになり、入力ロスが非
常に小さくなる。すなわち、トランスデューサ1におけ
る圧電セラミックの出力が効率的にオペアンプ2に印加
され、インピーダンス変換されることになる。オペアン
プ2の出力はコンデンサ4、抵抗5よりなる低域カット
回路に印加される。低域カット回路はオペアンプ2にお
いて温度変化に対して出力レベルが変化したとき、それ
をカットする。すなわち、オペアンプ2だけでは温度変
化に対する対策がなされないため、出力側に温度変化に
応じたレベル変動が生ずるので、これを低域カット回路
によりカットする。低域カット回路により温度補償され
た信号はオペアンプ6に印加される。このオペアンプ6
にはRf7とCf8よりなる帰還回路が設けられており、入力
段がFETで構成されているので、Rf7の値を比較的大きく
とり、ゲインを大きくしておくことができる。すなわ
ち、このオペアンプ6でRf7を大きく設定し、大きなゲ
インをもった増幅器として作用させている。従って最終
的に得られる出力は比較的大きなものになる。そしてC
f8は低域通過フィルタとして作用する。すなわち、帰還
回路を構成するCf8、Rf7の合成インピーダンスは周波数
が低いとき大きなインピーダンスに変化し、周波数が高
いとき小さなインピーダンスに変化するので、その帰還
量は周波数が低いとき小さく、周波数が高いとき大きく
なり、低域に対してオペアンプ6のゲインが大きく、高
域に対してオペアンプ6のゲインが小さくなる。When acceleration is applied to the sensor, the piezoelectric ceramic 1 bends,
The amount of charge changes in proportion to this. This change in the amount of charge,
That is, the change in voltage is applied to the operational amplifier 2. Since this operational amplifier 2 uses a field effect transistor (FET) in the input stage, it is possible to set the bias current to 40 pA or less even at high temperature, and at this time, the input resistance Ri3 is Ri = 50 MΩ as described above. Therefore, the DC output of the operational amplifier 2 is as small as 0.2V, and it does not saturate and almost no loss occurs. Since the operational amplifier 2 directly feeds back the output to the input terminal, the input impedance of the operational amplifier 2 becomes very large as a whole, and the input loss becomes very small. That is, the output of the piezoelectric ceramic in the transducer 1 is efficiently applied to the operational amplifier 2 and impedance conversion is performed. The output of the operational amplifier 2 is applied to a low cut circuit composed of a capacitor 4 and a resistor 5. The low-frequency cut circuit cuts the output level of the operational amplifier 2 when the output level changes with temperature. That is, since the operational amplifier 2 alone does not take measures against the temperature change, a level change corresponding to the temperature change occurs on the output side, and this is cut by the low frequency cut circuit. The signal temperature-compensated by the low frequency cut circuit is applied to the operational amplifier 6. This operational amplifier 6
Is provided with a feedback circuit composed of R f7 and C f8 , and since the input stage is composed of a FET, the value of R f7 can be made relatively large and the gain can be kept large. That is, R f7 is set to a large value with this operational amplifier 6 to act as an amplifier having a large gain. Therefore, the output finally obtained is relatively large. And C
f8 acts as a low pass filter. That is, the combined impedance of C f8 and R f7 that constitutes the feedback circuit changes to a large impedance when the frequency is low, and changes to a small impedance when the frequency is high, so the feedback amount is small when the frequency is low and the frequency is high. As the gain increases, the gain of the operational amplifier 6 increases in the low range, and the gain of the operational amplifier 6 decreases in the high range.
次に本発明の第2実施例について説明する。第3図は本
発明の第2実施例を示す回路図である。Next, a second embodiment of the present invention will be described. FIG. 3 is a circuit diagram showing a second embodiment of the present invention.
本実施例にあっては、クオッドのFET入力オペアンプを
用いたもので、上記第1実施例と同一部分については同
一符号を付してその説明を省略し、異なる構成について
のみ説明する。第3図において、15はオペアンプ、16、
17は抵抗で、これらオペアンプ15、抵抗16、17により比
較回路(ヒステリシスを付加することも可能)が構成さ
れ、オペアンプ15でオペアンプ6の出力と抵抗16、17に
よって分割された一定の電圧を比較し、オペアンプ6の
出力が上記一定の電圧より大きくなったとき、所定の信
号を出力する。18はバイアスを安定させるためのオペア
ンプ、19、20は電源リップル除去用のコンデンサであ
る。In this embodiment, a quad FET input operational amplifier is used. The same parts as those in the first embodiment are designated by the same reference numerals, and the description thereof will be omitted. Only different configurations will be described. In FIG. 3, 15 is an operational amplifier, 16,
Reference numeral 17 is a resistor, and a comparison circuit (a hysteresis can be added) is configured by these operational amplifiers 15, 16 and 17, and the operational amplifier 15 compares the output of the operational amplifier 6 with a constant voltage divided by the resistors 16 and 17. Then, when the output of the operational amplifier 6 becomes larger than the constant voltage, a predetermined signal is output. 18 is an operational amplifier for stabilizing the bias, and 19 and 20 are capacitors for removing power supply ripple.
本実施例によれば、あらかじめ設定された加速度より大
きな加速度がセンサに加わったとき、出力を高くするこ
とができる。According to the present embodiment, the output can be increased when the acceleration larger than the preset acceleration is applied to the sensor.
なお、上記第1実施例のオペアンプ2、6、第2実施例
のオペアンプ2、6、15、18はそれぞれ個々に設けても
よく、オペアンプICとして2個、若しくは4個組込まれ
たものを用いることにより回路を容易に得ることができ
る。The operational amplifiers 2 and 6 of the first embodiment and the operational amplifiers 2, 6, 15, and 18 of the second embodiment may be individually provided, and two or four operational amplifier ICs are used. As a result, the circuit can be easily obtained.
発明の効果 以上述べたように本発明によれば、圧電セラミックを用
いたトランスデューサの電圧変化を、入力段に電界効果
トランジスタを用いたインピーダンス変換用の第1のオ
ペアンプ印加し、低域カット回路により上記第1のオペ
アンプの入力端に接続される抵抗により規定されるカッ
ト周波数で上記第1のオペアンプの出力レベル変動をカ
ットし、入力段に電界効果トランジスタを用いた第2の
オペアンプに印加してインピーダンス変換、ろ波、増幅
を行うので、温度変化に強くなり、また増幅度を大きく
し、出力レベルを大きくすることができる。As described above, according to the present invention, the voltage change of the transducer using the piezoelectric ceramic is applied to the first operational amplifier for impedance conversion using the field effect transistor at the input stage, and the low frequency cut circuit is used. The output level fluctuation of the first operational amplifier is cut at a cut frequency defined by a resistor connected to the input terminal of the first operational amplifier, and applied to the second operational amplifier using a field effect transistor in the input stage. Since impedance conversion, filtering, and amplification are performed, it is resistant to temperature changes, and the degree of amplification can be increased and the output level can be increased.
第1図及び第2図は本発明の第1実施例における加速度
センサを示し、第1図は回路図、第2図はトランスデュ
ーサの一部破断正面図、第3図は本発明の第2実施例の
回路図、第4図〜第6図はそれぞれ従来の加速度センサ
を示す回路図である。 1……トランスデューサ、2…オペアンプ、3……入力
抵抗(Ri)、4……コンデンサ、5……抵抗、6……オ
ペアンプ、7……抵抗(Rf)、8……コンデンサ
(Cf)、15……オペアンプ、18……オペアンプ。1 and 2 show an acceleration sensor according to a first embodiment of the present invention. FIG. 1 is a circuit diagram, FIG. 2 is a partially cutaway front view of a transducer, and FIG. 3 is a second embodiment of the present invention. An example circuit diagram and FIGS. 4 to 6 are circuit diagrams showing conventional acceleration sensors, respectively. 1 ... Transducer, 2 ... Operational amplifier, 3 ... Input resistance (Ri), 4 ... Capacitor, 5 ... Resistor, 6 ... Operational amplifier, 7 ... Resistance ( Rf ), 8 ... Capacitor ( Cf ) , 15 …… operational amplifier, 18 …… operational amplifier.
Claims (1)
と、このトランスデューサの出力が印加され、入力段に
電界効果トランジスタを用いたインピーダンス変換用の
第1のオペアンプと、この第1のオペアンプの出力が印
加され、コンデンサと抵抗とからなる低減カット回路
と、上記第1のオペアンプの入力端に接続され上記低域
カット回路の低域カット周波数を決定する抵抗と、上記
低域カット回路の出力が印加され、低域通過、増幅機能
を有し、入力段に電界効果トランジスタを用いた第2の
オペアンプとを備えたことを特徴とする加速度センサ。1. A transducer using a piezoelectric ceramic, an output of this transducer is applied, a first operational amplifier for impedance conversion using a field effect transistor in an input stage, and an output of this first operational amplifier is applied. A reduction cut circuit consisting of a capacitor and a resistor, a resistor connected to the input terminal of the first operational amplifier to determine the low cut frequency of the low cut circuit, and an output of the low cut circuit applied, An acceleration sensor having a low-pass and amplification function and a second operational amplifier using a field effect transistor in an input stage.
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- 1987-01-14 JP JP62006628A patent/JPH0766009B2/en not_active Expired - Lifetime
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