JPH075703A

JPH075703A - 電子写真感光体

Info

Publication number: JPH075703A
Application number: JP14758993A
Authority: JP
Inventors: Shigeru Hayashida; 茂林田; Takayuki Akimoto; 孝幸秋元; Mikio Itagaki; 幹男板垣; Megumi Matsui; 恵松井
Original assignee: Hitachi Chemical Co Ltd
Current assignee: Resonac Corp
Priority date: 1993-06-18
Filing date: 1993-06-18
Publication date: 1995-01-10

Abstract

(57)【要約】【目的】感光層にシクロペンタノンを含有することに
より、帯電性、暗減衰、及び繰り返し時の電子写真特性
の優れた感光体を提供する。【構成】導電性基板上に形成される感光層に、シクロ
ペンタノンが０．０５〜１０．０重量％含有されること
を特徴とする電子写真感光体である。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、感度及び暗減衰特性が
良好で、繰り返し使用した場合における表面電位及び暗
減衰の変化が少ない電子写真感光体に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来の電子写真感光体としては、アルミ
ニウム等の導電性基板の上に５０μｍ程度のセレン（Ｓ
ｅ）膜を真空蒸着法により形成したものがある。しか
し、このＳｅ感光体は、波長５００nm付近までしか感度
を有していない等の問題がある。また、導電性基板の上
に５０μｍ程度のＳｅ層を形成し、この上に更に数μｍ
のセレン−テルル（Ｓｅ−Ｔｅ）合金層を形成した感光
体があるが、この感光体は上記Ｓｅ−Ｔｅ合金のＴｅの
含有率が高い程、分光感度が長波長にまで伸びる反面、
Ｔｅの添加量が増加するにつれて表面電荷の保持特性が
不良となり、事実上、感光体として使用できなくなると
いう重大な問題がある。

【０００３】また、アルミニウム基板の上に１μｍ程度
のクロロシアンブルー又はスクアリリウム酸誘導体をコ
ーティングして電荷発生層を形成し、この上に絶縁抵抗
の高いポリビニルカルバゾール又はピラゾリン誘導体と
ポリカーボネート樹脂との混合物を１０〜２０μｍコー
ティングして電荷輸送層を形成した所謂積層型の感光体
もあるが、この感光体は７００nm以上の光に対して感度
を有していないのが実状である。

【０００４】近年、この積層型の感光体において、上記
欠点を改善した、即ち、半導体レーザ発振領域８００nm
前後に感度を有する感光体も多く報告されているが、こ
れらのうち多くのものが電荷発生材料としてフタロシア
ニン顔料を用い、その膜厚０．５〜１μｍ程度の電荷発
生層上にポリビニルカルバゾール、ピラゾリン誘導体又
はヒドラゾン誘導体とポリカーボネート樹脂又はポリエ
ステル樹脂との絶縁抵抗の高い混合物を１０〜２０μｍ
コーティングして電荷輸送層を形成し積層型の感光体を
形成している。

【０００５】積層感光体は、感光層の形成に使用する物
質の選択範囲が広く、帯電特性、暗減衰、感度、残留電
位、繰り返し特性、耐刷性等の電子写真特性において、
最良の物質を組み合わせることにより高性能な感光体を
提供することができるため、このような感光体が広く利
用されるようになった。

【０００６】しかし、このような積層感光体は、機械的
耐久性に優れるが、静電的耐久性や繰り返し特性に問題
がないとはいえず、特に、繰り返し使用するにしたがっ
て、表面電位が低下したり、帯電から現像までの時間の
間に表面電位が急激に低下、すなわち、暗減衰が増加す
るという問題がある。

【０００７】このような繰り返し特性を改善するため
に、従来においては、酸化防止剤等の種々の添加剤を加
え、特性の低下を改善する試みがなされている。しか
し、このような添加剤を加えることによって多少の改善
はみられるものの、これによって感度が低下することも
あり、満足すべき感光体は得られなかった。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、積層感光体
において発生する繰り返し時における表面電位や暗減衰
の変化を抑制し、安定した画像が得られる電子写真感光
体を提供するものである。

【０００９】

【課題を解決するための手段】

【００１０】本発明は、導電性基板上に形成される光導
電層に、シクロペンタノンが０．０５〜１０．０重量％
含有されてなる感光体に関する。

【００１１】以下、本発明について詳述する。光導電層
に一定量のシクロペンタノンを含有させることにより繰
り返し特性が大幅に改善されるようになる。

【００１２】ここで、シクロペンタノンの含有量を光導
電層に対して０．０５〜１０．０重量％としたのは、そ
の含有率が０．０５重量％未満では、効果が十分に発揮
されず、一方、含有量が１０．０重量％を超えると、帯
電性が低下し、残留電位も高くなるためである。シクロ
ペンタノンの含有率を０．１〜８．０重量％の範囲にす
ることがより好ましい。

【００１３】シクロペンタノンを光導電層に含有させる
方法としては、例えば、光導電層を作製する場合にシク
ロペンタノンを溶剤として用い、乾燥条件を調整して適
当量のシクロペンタノンが光導電層に残留するようにし
たり、光導電層の作製時にはシクロペンタノンを用いず
に、光導電層の作製後にスプレ−法や蒸気浴等の方法に
よって適当量のシクロペンタノンを光導電層に含有させ
るようにしたり、光導電層の作製時に用いたシクロペン
タノンを乾燥によって除去した後、適当量のシクロペン
タノンを光導電層に含有させるようにする方法等があ
る。

【００１４】ここで、乾燥条件を調整して適当量のシク
ロペンタノンを光導電層に残留させる場合には、光導電
層に適当量のシクロペンタノンが含有されるように、そ
の乾燥温度を好ましくは７０〜１３０℃に、より好まし
くは８０〜１２０℃になるように調整する。

【００１５】光導電層におけるシクロペンタノンの残留
量は、熱分析による重量減少量を測定することによって
定量することができる。具体的には、感光層１０mgを秤
取し、２００ml／分の窒素ガスを流しながら、室温から
１５０℃に直ちに昇温した後、同温度に１０分間保持
し、光導電層の重量減少量を計測し、この重量減少量を
シクロペンタノンの残留量として定量することができ
る。

【００１６】また、ガスクロマトグラフィ−を用いて
も、光導電層に残留するシクロペンタノンを定量するこ
とができる。具体的には、光導電層を３０mg秤取し、こ
れをアセトン、メチルエチルケトン、テトラヒドロフラ
ン、エタノ−ル等の溶剤に浸漬させ、超音波等を用いて
残留する溶剤を抽出する。そして、これに内部標準物質
としてトルエン、ベンゼン、ヘキサン等を加え、ガスク
ロマトグラフィ−を用いて内部標準法によって定量する
ことができる。

【００１７】本発明の電子写真感光体は、導電性基板の
上に光導電層を設けたものである。

【００１８】光導電層は、有機光導電性物質を含む層で
あり、有機光導電性物質の被膜、有機光導電性物質と結
合剤を含む被膜、電荷発生層及び電荷輸送層からなる積
層型被膜等がある。

【００１９】上記有機光導電性物質としては、例えば、
下記に記載するフタロシアニン組成物を用いることがで
き、さらに公知のものを併用することができる。また、
有機光導電性物質の皮膜には少なくともフタロシアニン
組成物と電荷輸送性物質を併用することが好ましい。な
お、上記電荷発生層には下記フタロシアニン組成物及び
／又は電荷を発生する有機顔料を使用することが好まし
く、電荷輸送層には通常電荷輸送性物質を使用する。

【００２０】フタロシアニン組成物としては、公知のも
のを使用しうるが、チタニルフタロシアニンと塩化イン
ジウムフタロシアニンの混晶またはチタニルフタロシア
ニンと塩化インジウムフタロシアニンの塩素化誘導体化
合物の混晶は高感度であり好ましく、そのようなフタロ
シアニン組成物は、下記のようにして製造することがで
きる。

【００２１】フタロニトリル１８．４ｇ（０．１４４モ
ル）をα−クロロナフタレン１２０ml中に加え、次に窒
素雰囲気下で四塩化チタン４ml（０．０３６４モル）を
滴下する。滴下後、昇温し撹拌しながら２００〜２２０
℃で３時間反応させた後、１００〜１３０℃で熱時濾過
して、α−クロロナフタレン、メタノールで洗浄する。
１４０mlのイオン交換水で加水分解（９０℃、１時間）
を行い、溶液が中性になるまでこの操作を繰り返し、メ
タノールで洗浄する。次に、１００℃のＮＭＰで充分に
洗浄し、続いてメタノールで洗浄する。このようにして
得られた化合物を６０℃で真空加熱乾燥してチタニルフ
タロシアニンが得られる（収率４６％）。

【００２２】一方、塩化インジウムフタロシアニン、塩
化インジウムフタロシアニンの塩素化誘導体の合成法
は、インオーガニックケミストリー〔Inorganic・Chem
istry19、3131(1980)〕および特開昭５９−４４０５４号
公報に記載されている。

【００２３】塩化インジウムフタロシアニンは、例え
ば、次のようにして製造することができる。

【００２４】フタロニトリル７８．２ミリモルおよび三
塩化インジウム１５．８ミリモルを二回蒸留し脱酸素し
たキノリン１００ml中に入れ、０．５〜３時間加熱還流
した後徐冷、続いて０℃まで冷した後ろ過し、結晶をメ
タノール、トルエン、アセトンで洗浄した後、１１０℃
で乾燥する。

【００２５】また、塩化インジウムフタロシアニンの塩
素化誘導体は、例えば、次のようにして製造することが
できる。フタロニトリル１５６ミリモルおよび三塩化イ
ンジウム３７．５ミリモルを混合して３００℃で、溶融
してから０．５〜３時間加熱してモノ塩化インジウムク
ロロフタロシアニンの粗製物を得、これをソックスレー
抽出器を用いてα−クロロナフタレンで洗浄する。

【００２６】チタニルフタロシアニンおよび塩化インジ
ウムフタロシアニンの混晶またはチタニルフタロシアニ
ンおよび塩化インジウムフタロシアニンの塩素化誘導体
の混晶からなるフタロシアニン組成物の組成比率は、帯
電性、暗減衰、感度等の電子写真特性の点からチタニル
フタロシアニンの含有率が、２０〜９５重量％の範囲で
あることが好ましく、５０〜９０重量％の範囲であるこ
とがより好ましく、６５〜９０重量％の範囲が特に好ま
しく、７５〜９０重量％の範囲であることが最も好まし
い。

【００２７】チタニルフタロシアニンおよび塩化インジ
ウムフタロシアニンの混晶またはチタニルフタロシアニ
ンおよび塩化インジウムフタロシアニンの塩素化誘導体
の混晶は、二つのフタロシアニンの単純な混合物からア
シッドペースティング処理及び溶剤処理により以下のよ
うに製造することができる。

【００２８】例えば、二つのフタロシアニンの混合物１
ｇを濃硫酸５０mlに溶解し室温で撹拌した後、これを氷
水で冷却したイオン交換水１リットル中に約１時間、好
ましくは４０分〜５０分で滴下し再沈させる。一晩放置
後、デカンテ−ションにより上澄み液を除去した後、遠
心分離により沈殿物を回収する。その後洗浄水としての
イオン交換水で、洗浄水の洗浄後のpHが２〜５でかつ伝
導率が５〜５００μS/cmとなるまで沈殿物を繰り返し洗
う。ついでメタノ−ルで充分に洗浄した後、６０℃で真
空加熱乾燥し粉末を得る。

【００２９】pHが５を超えると、以下に示す溶剤処理を
しても目的の混晶が得られず、一方、pHが２以下では得
られた混晶を用いて製造した感光体が満足すべき電子写
真特性が得られない。

【００３０】このようにして得られた粉末を有機溶剤で
処理することによって結晶変換し、高感度なフタロシア
ニン組成物を得ることができる。

【００３１】例えば、上記方法で得られた粉末１ｇを有
機溶剤としてのＮ−メチル−２−ピロリドン、トルエン
またはキシレン１０mlに入れ加熱撹拌する（上記粉末／
溶剤（重量比）は、１／１〜１／１００である）。加熱
温度は５０℃〜２００℃、好ましくは８０℃〜１５０℃
であり、加熱時間は１時間〜１０時間、好ましくは１時
間〜６時間である。加熱撹拌終了後ろ過しメタノールで
洗浄し６０℃で真空加熱乾燥しフタロシアニン組成物の
結晶７００mgを得ることができる。本処理に用いられる
有機溶剤としては、例えば、メタノール、エタノール、
イソプロパノール、ブタノール等のアルコール類、ｎ−
ヘキサン、オクタン、シクロヘキサン等の脂環族炭化水
素、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水
素、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジエチルエーテ
ル、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレング
リコールジエチルエーテル等のエーテル類、アセテート
セロソルブ、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘ
キサノン、イソホロン等のケトン類、酢酸メチル、酢酸
エチル等のエステル類、ジメチルスルホキシド、ジメチ
ルホルムアミド、フェノール、クレゾール、アニソー
ル、ニトロベンゼン、アセトフェノン、ベンジルアルコ
ール、ピリジン、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、キノリ
ン、ピコリン等の非塩素系有機溶剤、ジクロロメタン、
ジクロロエタン、トリクロロエタン、テトラクロロエタ
ン、四塩化炭素、クロロホルム、クロロメチルオキシラ
ン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼンなどの塩素系有
機溶剤などが挙げられる。

【００３２】これらのうちケトン類、アルコ−ル類及び
非塩素系有機溶剤が好ましく、そのうちでもＮ−メチル
−２−ピロリドン、ピリジン、イソプロパノ−ル、メチ
ルエチルケトン及びジエチルケトンが好ましい。

【００３３】前記電荷を発生する他の有機顔料として
は、アゾキシベンゼン系、ジスアゾ系、トリスアゾ系、
ベンズイミダゾール系、多環キノン系、インジゴイド
系、キナクリドン系、ペリレン系、メチン系、α型、β
型、γ型、δ型、ε型、χ型等の各種結晶構造を有する
無金属タイプ又は金属タイプのフタロシアニン系などの
電荷を発生することが知られている顔料が使用できる。
これらの顔料は、例えば、特開昭４７−３７５４３号公
報、特開昭４７−３７５４４号公報、特開昭４７−１８
５４３号公報、特開昭４７−１８５４４号公報、特開昭
４８−４３９４２号公報、特開昭４８−７０５３８号公
報、特開昭４９−１２３１号公報、特開昭４９−１０５
５３６号公報、特開昭５０−７５２１４号公報、特開昭
５３−４４０２８号公報、特開昭５４−１７７３２号公
報等に開示されている。

【００３４】また、特開昭５８−１８２６４０号公報及
びヨーロッパ特許公開第９２，２５５号公報などに開示
されているτ、τ′、η及びη′型無金属フタロシアニ
ンも使用可能である。このようなもののほか、光照射に
より電荷担体を発生する有機願料はいずれも使用可能で
ある。

【００３５】前記電荷輸送性物質としては、高分子化合
物では、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ハロゲン化ポ
リ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリビニルピレン、ポリ
ビニルインドロキノキサリン、ポリビニルベンゾチオフ
エン、ポリビニルアントラセン、ポリビニルアクリジ
ン、ポリビニルピラゾリン等が挙げられ、低分子化合物
のものではフルオレノン、フルオレン、２，７−ジニト
ロ−９−フルオレノン、４Ｈ−インデノ（１，２，６）
チオフエン−４−オン、３，７−ジニトロ−ジベンゾチ
オフエン−５−オキサイド、１−ブロムピレン、２−フ
ェニルピレン、カルバゾール、Ｎ−エチルカルバゾー
ル、３−フェニルカルバゾール、３−（Ｎ−メチル−Ｎ
−フェニルヒドラゾン）メチル−９−エチルカルバゾー
ル、２−フェニルインドール、２−フェニルナフタレ
ン、オキサジアゾール、２，５−ビス（４−ジエチルア
ミノフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール、１−
フェニル−３−（４−ジエチルアミノスチリル）−５−
（４−ジエチルアミノスチリル）−５−（４−ジエチル
アミノフェニル）ピラゾリン、１−フェニル−３−（ｐ
−ジエチルアミノフェニル）ピラゾリン、ｐ−（ジメチ
ルアミノ）−スチルベン、２−（４−ジプロピルアミノ
フェニル）−４−（４−ジメチルアミノフェニル）−５
−（２−クロロフェニル）−１，３−オキサゾール、２
−（４−ジメチルアミノフェニル）−４−（４−ジメチ
ルアミノフェニル）−５−（２−フルオロフェニル）−
１，３−オキサゾール、２−（４−ジエチルアミノフェ
ニル）−４−（４−ジメチルアミノフェニル）−５−
（２−フルオロフェニル）−１，３−オキサゾール、２
−（４−ジプロピルアミノフェニル）−４−（４−ジメ
チルアミノフェニル）−５−（２−フルオロフェニル）
−１，３−オキサゾール、イミダゾール、クリセン、テ
トラフェン、アクリデン、トリフェニルアミン、ベンジ
ジン、これらの誘導体等がある。電荷輸送性物質として
は、特に、次の一般式（Ｉ）で表されるベンジジン誘導
体が好ましい。

【００３６】

【化１】（Ｒ₁及びＲ₂は、各々独立して、水素原子、ハロゲン原
子、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、フルオロ
アルキル基又はフルオロアルコキシ基を示し、Ｒ₁及び
Ｒ₂のうち少なくとも一方はフルオロアルキル基または
フルオロアルコキシ基であり、Ｒ₃は、各々独立して、
水素原子又はアルキル基を示し、Ａｒ₁及びＡｒ₂は、各
々独立してアリール基を示す）

【００３７】一般式（Ｉ）において、アルキル基として
は、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、iso−プロ
ピル基、ｎ−ブチル基、tert−ブチル基等が挙げられ
る。アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、
ｎ−プロポキシ基、iso−プロポキシ基等が挙げられ
る。アリール基としては、フェニル基、トリル基、ビフ
ェニル基、ターフェニル基、ナフチル基等が挙げられ
る。フルオロアルキル基としては、トリフルオロメチル
基、トリフルオロエチル基、ヘプタフルオロプロピル基
等が挙げられる。フルオロオルコキシ基としては、トリ
フルオロメトキシ基、２，３−ジフルオロエトキシ基、
２，２，２−トリフルオロエトキシ基、１Ｈ、１Ｈ−ペ
ンタフルオロプロポキシ基、ヘキサフルオロ−iso−プ
ロポキシ基、１Ｈ、１Ｈ−ペンタフルオロブトキシ基、
２，２，３，４，４，４−ヘキサフルオロブトキシ基、
４，４，４−トリフルオロブトキシ基等のフルオロアル
コキシ基が挙げられる。一般式（Ｉ）で表されるベンジ
ジン誘導体としては、例えば、下記のＮｏ．１〜Ｎｏ．
６の化合物等が挙げられる。

【００３８】

【化２】

【化３】

【００３９】次に、電子写真感光体について説明する。

【００４０】上記フタロシアニン組成物及び必要に応じ
て用いる電荷を発生する有機顔料（両方で前者とする）
と電荷輸送性物質（後者とする）とを混合して使用する
場合（単層型の光導電層を形成する場合）は、後者／前
者が重量比で１０／１〜２／１の割合で配合するのが好
ましい。このとき、結合剤をこれらの化合物全量（前者
＋後者）に対して０〜５００重量％、特に３０〜５００
重量％の範囲で使用するのが好ましい。これらの結合剤
を使用する場合、さらに、可塑剤、流動性付与剤、ピン
ホール抑制剤等の添加剤を必要に応じて添加することが
できる。

【００４１】電荷発生層及び電荷輸送層からなる積層型
の光導電層を形成する場合、電荷発生層中には、上記フ
タロシアニン組成物及び必要に応じて電荷を発生する有
機顔料が含有され、結合剤をフタロシアニン組成物と有
機顔料の総量に対して５００重量％以下の量で含有させ
てもよく、また、上記した添加剤をフタロシアニン組成
物と有機顔料の総量に対して５重量％以下で添加しても
よい。また、電荷輸送層には、上記した電荷輸送性物質
が含有され、さらに、結合剤を該電荷輸送性物質に対し
て５００重量％以下で含有させてもよい。電荷輸送性物
質が低分子量化合物の場合は、結合剤を該化合物に対し
て５０重量％以上含有させることが好ましい。

【００４２】上記した場合すべてに使用し得る結合剤と
しては、シリコーン樹脂、ポリブチラール樹脂、ポリア
ミド樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、エポ
キシ樹脂、ポリケトン樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポ
リアクリル樹脂、ポリスチレン樹脂、スチレン−ブタジ
エン共重合体、ポリメタクリル酸メチル樹脂、ポリ塩化
ビニル、エチレン−酢酸ビニル共重合体、塩化ビニル−
酢酸ビニル共重合体、ポリアクリルアミド樹脂、ポリビ
ニルカルバゾール、ポリビニルピラゾリン、ポリビニル
ピレン等が挙げられる。また、熱及び／又は光によって
架橋される熱硬化型樹脂や光硬化型樹脂も使用できる。

【００４３】いずれにしても絶縁性で通常の状態で被膜
を形成しうる樹脂並びに熱及び／又は光によつて硬化し
被膜を形成する樹脂であれば特に制限はない。

【００４４】上記添加剤としての可塑剤としては、ハロ
ゲン化パラフィン、ジメチルナフタリン、ジブチルフタ
レート等が挙げられ、流動性付与剤としては、モダフロ
ー（モンサントケミカル社製）、アクロナール４Ｆ（バ
スフ社製）等が挙げられ、ピンホール抑制剤としては、
ベンゾイン、ジメチルフタレート等が挙げられる。これ
らは適宜選択して使用され、その量も適宜決定されれば
よい。

【００４５】導電性基板の上に光導電層を形成した電子
写真感光体において、光導電層の厚さは５〜５０μが好
ましい。光導電層として電荷発生層及び電荷輸送層の積
層型を使用する場合、電荷発生層は好ましくは０．００
１〜１０μｍ、特に好ましくは０．２〜５μｍの厚さに
する。０．００１μｍ未満では、電荷発生層を均一に形
成するのが困難になり、１０μｍを越えると、電子写真
特性が低下する傾向がある。電荷輸送層の厚さは好まし
くは５〜５０μｍ、特に好ましくは８〜２５μｍであ
る。５μｍ未満の厚さでは、初期電位が低くなり、５０
μｍを越えると、感度が低下する傾向がある。

【００４６】導電性基板上に、光導電層を形成するに
は、有機光導電性物質を導電性基板に蒸着する方法、有
機光導電性物質及び必要に応じその他の成分をトルエ
ン、キシレン等の芳香族系溶剤、塩化メチレン、四塩化
炭素等のハロゲン化炭化水素系溶剤、メタノール、エタ
ノール、プロパノール等のアルコール系溶剤に均一に溶
解又は分散させて導電性基板上に塗布し、乾燥する方法
などがある。塗布法としては、スピンコート法、浸漬法
等を採用できる。電荷発生層及び電荷輸送層を形成する
場合も同様に行うことができるが、この場合、電荷発生
層と電荷輸送層は、どちらを上層としてもよく、電荷発
生層を二層の電荷輸送層ではさむようにしてもよい。

【００４７】前記フタロシアニン組成物をスピンコート
法により塗布する場合、フタロシアニン組成物をクロロ
ホルム等又はトルエン等のハロゲン化溶剤又は非極性溶
剤に分散して得た塗布液を用いて回転数５００〜４００
０rpmでスピンコーティングすることが好ましく、ま
た、浸漬法によって塗布する場合には、フタロシアニン
組成物をメタノール、ジメチルホルムアミド、クロロホ
ルム、塩化メチレン、１，２−ジクロロエタン等の有機
溶剤にボールミル、超音波等を用いて分散させた塗液に
導電性基板を浸漬することが好ましい。

【００４８】また、前記電子写真感光体は、導電性基板
のすぐ上に薄い接着層又はバリア層を有していてもよ
く、表面に保護層を有していてもよい。

【００４９】

【実施例】以下、実施例よって、本発明を詳細に説明す
るが、本発明は、これに限定されるものではない。

【００５０】製造例１チタニルフタロシアニン０．７５ｇおよび塩化インジウ
ムフタロシアニン０．２５ｇからなるフタロシアニン混
合物１ｇを硫酸５０mlに溶解し室温で３０分撹拌した
後、これを氷水で冷却したイオン交換水１リットルに、
約４０分で滴下し再沈させた。さらに冷却下で１時間撹
拌後、一晩放置した。デカンテ−ションにより上澄み液
を除去後、遠心分離により沈殿物を分離し、７００mgの
沈殿物を得た。１回目の洗浄として、沈殿物７００mgに
洗浄水としてのイオン交換水１２０mlを加え撹拌し、次
いで、遠心分離により沈殿物と洗浄水を分離除去した。
同様の洗浄操作をさらに５回続けて行った。６回目の操
作における分離除去した洗浄水（すなわち洗浄後の洗浄
水）のpH及び伝導率を測定した（２３℃）。pHの測定に
は、横河電機社製モデルＰＨ５１を使用した。また、伝
導率の測定は、柴田科学器械工業社製モデルＳＣ−１７
Ａを使用した。洗浄水のpHは３．３であり、伝導率は、
６５．１μS/cmであった。その後、メタノ−ル６０mlで
３回洗浄した後６０℃で４時間真空加熱乾燥した。つぎ
にこの真空乾燥物１ｇをイソプロピルアルコ−ル１０ml
に入れ９０℃で８時間加熱撹拌し、ろ過後、メタノール
で洗浄して６０℃で４時間真空加熱乾燥し、ブラッグ角
（２θ±０．２度）が７．５度、２２．５度、２４．３
度、２５．３度及び２８．６度に主な回折ピ−クを有す
るフタロシアニン結晶を得た。この結晶のＸ線回折スペ
クトルを図１に示す。

【００５１】製造例２同様に、上記真空乾燥物１ｇにイオン交換水９．０ｇ及
びトルエン８６ｇを加え、６０℃で８時間加熱撹拌し、
ろ過後、メタノールで洗浄して６０℃で４時間真空加熱
乾燥し、ブラッグ角（２θ±０．２度）が７．５度、２
４．２度及び２７．３度に主な回折ピ−クを有するフタ
ロシアニン結晶を得た。この結晶のＸ線回折スペクトル
を図２に示す。

【００５２】実施例１製造例１で製造したフタロシアニン１．５ｇ、ポリビニ
ルブチラ−ル樹脂エスレックＢＬ−Ｓ（積水化学社製）
０．９ｇ、メラミン樹脂ＭＬ３５１Ｗ（日立化成工業社
製）０．１ｇ、エチルセロソルブ４９ｇ及びテトラヒド
ロフラン４９ｇを配合し、ボールミルで分散した。得ら
れた分散液を浸漬法によりアルミニウム板（導電性基材
１００mm×１００mm×０．１mm）上に塗工し、１２０℃
で１時間乾燥して厚さ０．５μｍの電荷発生層を形成し
た。前記記載の電荷輸送性物質（Ｎｏ．１）１．５ｇ、
ポリカーボネート樹脂レキサン１４１（ＧＥ社製）１．
５ｇおよびテトラヒドロフラン１２．４ｇ及びシクロペ
ンタノン３．１ｇを配合して得られた塗布液を上記基板
上に浸漬法により塗工し、１２０℃でシクロヘキサノン
の含有量が約０．２重量％となるように制御しながらこ
れを乾燥して、厚さ２０μｍの電荷輸送層を形成した。
電子写真特性（感度、残留電位、暗減衰率、光応答性）
は、シンシア３０ＨＣ（ジェンテック社製）により評価
した。コロナ帯電方式で感光体を−６５０Ｖまで帯電さ
せ、７８０nmの単色光を５０mS感光体に露光し種々の特
性測定を行った。上記の特性の定義は、以下の通りであ
る。感度（Ｅ₅₀）は、初期帯電電位−６５０Ｖを露光
０．２秒後に半減させるのに要する７８０nmの単色光の
照射エネルギ−量であり、残留電位（Ｖｒ）は、同波長
の２０mJ/ｍ²の単色光を５０ミリ秒露光し、露光０．２
秒後に感光体の表面に残る電位である。暗減衰率（ＤＤ
Ｒ）は、感光体の初期帯電電位−６５０Ｖと初期帯電後
暗所１秒放置後の表面電位Ｖ₁（−Ｖ）を用いて（Ｖ₁／
６５０）×１００と定義した。光応答性（Ｔ_1/2）は、
波長７８０nmの２０mJ/ｍ²の単色光を５０ミリ秒露光
し、初期帯電電位−６５０Ｖを半減させるのに要する時
間（sec）と定義した。また、繰り返し特性は、帯電−
露光を１０００回繰り返した後の帯電電位Ｖ₁₀₀₀の初期
帯電電位−６５０Ｖに対する比（Ｖ₀保持率）、及び同
様な方法で評価した暗減衰の保持率（ＤＤＲ保持率）に
よって評価した。また、画質は、画像評価機（負帯電、
反転現像方式）を用いてかぶり、黒点、白抜け、黒地の
画像濃度で評価した。表面電位を−７００Ｖ、バイアス
電位を−６００Ｖとした。黒地の画像濃度は、マクベス
反射濃度計（A division of Kollmergen Corporation社
製) で評価した。結果を表１に示す。

【００５３】実施例２実施例１において製造例２で得られたフタロシアニン、
電荷輸送性物質としてＮｏ．２を用い乾燥温度を１００
℃として、シクロペンタノンの含有量が約３．０重量％
となるように乾燥した以外は実施例１に準じて電子写真
感光体を製造し特性を評価した。その結果を表１に示
す。

【００５４】実施例３実施例１においてτ型無金属フタロシアニン（東洋イン
キ製造株式会社製）、電荷輸送性物質としてＩ−５６及
び電荷輸送層用塗液の溶剤としてテトラヒドロフランと
シクロペンタノンの重量比１：１混合溶剤を用い乾燥温
度を８０℃として、シクロペンタノンの含有量が約８．
０重量％となるように乾燥した以外は実施例１に準じて
電子写真感光体を製造し特性を評価した。その結果を表
１に示す。

【００５５】比較例１実施例１において乾燥温度を１４０℃として、シクロペ
ンタノンの含有量が約０．０１重量％となるように乾燥
した以外は実施例１に準じて電子写真感光体を製造し特
性を評価した。その結果を表１に示す。

【００５６】比較例２実施例２において乾燥温度を５０℃として、シクロペン
タノンの含有量が約１２．０重量％となるように乾燥し
た以外は実施例２に準じて電子写真感光体を製造し特性
を評価した。その結果を表１に示す。

【００５７】比較例３実施例３において電荷輸送層用塗液の溶剤をすべてテト
ラヒドロフラン（ＴＨＦ）に代えた以外は実施例３に準
じて電子写真感光体を製造し特性を評価した。その結果
を表１に示す。

【００５８】

【表１】

【００５９】

【発明の効果】本発明に係る電子写真感光体において
は、導電性基板上に形成される感光層にシクロペンタノ
ンを０．０５〜１０．０重量％含有させるようにした結
果、繰り返し時における帯電電位及び暗減衰の保持能力
が安定し、良好な画像が得られ、感光体を長期にわたっ
て安定に、かつその電子写真特性を損なうことなく使用
することができるようになった。

【図面の簡単な説明】

【図１】製造例１により製造したフタロシアニンのＸ線
回折図である。

【図２】製造例２により製造したフタロシアニンのＸ線
回折図である。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者松井恵茨城県日立市東町四丁目13番１号日立化成工業株式会社茨城研究所内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】導電性基板上に形成される光導電層に、
シクロペンタノンが０．０５〜１０．０重量％含有され
てなる感光体。
【請求項２】光導電層の乾燥温度が７０〜１３０℃で
あることを特徴とする請求項１記載の感光体。