JPH0756515Y2 - 2-phase signal generation circuit - Google Patents
2-phase signal generation circuitInfo
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- JPH0756515Y2 JPH0756515Y2 JP1989093775U JP9377589U JPH0756515Y2 JP H0756515 Y2 JPH0756515 Y2 JP H0756515Y2 JP 1989093775 U JP1989093775 U JP 1989093775U JP 9377589 U JP9377589 U JP 9377589U JP H0756515 Y2 JPH0756515 Y2 JP H0756515Y2
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- circuit
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- Logic Circuits (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本考案はGaAs MESFETデジタルIC回路における単相→2
相信号発生回路の改善に関する。[Detailed Description of the Invention] <Industrial Application Field> The present invention is a single phase in a GaAs MESFET digital IC circuit → 2
The present invention relates to improvement of a phase signal generation circuit.
〈従来の技術〉 単相→2相信号発生回路をGaAs MESFET ICで実現する方
法としては 第2図に示す様な差動ペアを用いる回路。<Prior art> As a method of realizing a single-phase → two-phase signal generation circuit with a GaAs MESFET IC, a circuit using a differential pair as shown in Fig. 2.
第3図に示す様な論理ゲートのゲート毎の遅延時間
の差を用いる回路。A circuit that uses the difference in delay time between the logic gates as shown in FIG.
第4図に示すようなBFL(Buffered FET Logic)の
ソース側に信号を入力することにより非反転出力を得る
回路等が知られている。There is known a circuit or the like for obtaining a non-inverted output by inputting a signal to the source side of a BFL (Buffered FET Logic) as shown in FIG.
〈考案が解決しようとする課題〉 しかしながら,上記〜の回路をBFLとして使用する
場合,第2図に示す回路は別電源を必要とし,また,論
理レベルが狂ってしまうという課題があり,第3図に示
す回路は素子数が多くなり,プロセスの変化により出力
が不安定になるという課題があり,第4図に示す回路に
おいてはソース入力側が低インピーダンスとなるので通
常の論理ゲートでは駆動出来ないという課題があった。<Problems to be Solved by the Invention> However, when the above circuits (1) to (2) are used as BFL, the circuit shown in FIG. 2 requires a separate power supply, and there is a problem that the logic level goes wrong. The circuit shown in the figure has a problem in that the number of elements increases and the output becomes unstable due to process changes. In the circuit shown in FIG. 4, the source input side has low impedance, so it cannot be driven by an ordinary logic gate. There was a problem.
本考案は上記従来技術の課題に鑑みて成されたもので,B
FL回路中で安定な動作が可能な単相→2相信号発生回路
を実現する事を目的とする。The present invention was made in view of the above-mentioned problems of the conventional technology.
The purpose is to realize a single-phase → two-phase signal generation circuit that can operate stably in the FL circuit.
〈課題を解決する為の手段〉 上記課題を解決するための本考案の構成は,入力に対応
して反転信号を出力するソース端子がコモン電位に接続
された第1のFETを含む第1のBFL回路と,前記入力に対
応して非反転信号を出力するゲート端子がコモン電位に
接続された第2のFETを含む第2のBFL回路からなる2相
信号発生回路であって,前記第1のFETのゲート端子に
は第3,第4のFETがダイオードを介して接続された第1
のソースフォロアからの出力が接続され,前記第2のFE
Tのソース端子には第5,第6のFETのソースとドレインが
接続した第2のソースフォロアからの出力を入力すると
ともにスイッチングのタイミング及び電圧レベルを合わ
せるために前記第6のFETのゲート幅を第2のFETのゲー
ト幅の約2倍にした事を特徴とするものである。<Means for Solving the Problem> The configuration of the present invention for solving the above problem is a first FET including a first FET whose source terminal for outputting an inverted signal in response to an input is connected to a common potential. A two-phase signal generation circuit comprising a BFL circuit and a second BFL circuit including a second FET whose gate terminal that outputs a non-inverted signal corresponding to the input is connected to a common potential. The first and third FETs are connected to the gate terminal of the
Is connected to the output from the source follower of
The output from the second source follower in which the sources and drains of the fifth and sixth FETs are connected is input to the source terminal of T, and the gate width of the sixth FET is adjusted to match the switching timing and voltage level. Is characterized by making the gate width of the second FET about twice.
〈作用〉 反転・非反転回路の前段にソースフォロア回路を設けた
のでソース入力側の入力インピーダンスが上昇しIC回路
中でBFL回路として動作可能となる。<Operation> Since the source follower circuit is provided before the inverting / non-inverting circuit, the input impedance on the source input side rises and the IC circuit can operate as a BFL circuit.
〈実施例〉 以下,本考案を図面に基づいて説明する。第1図は本考
案の一実施例を示す構成図である。第1図において1は
4つのFETとダイオードからなる公知のバッファ回路で
あり,2は2つのFETのうちの第3のFET2aのドレイン端子
がVDD(+4V)に接続され、そのソース側がダイオード2
cを介して第4のFET2bのドレイン端子に接続されるとと
もにソース端子およびゲート端子がVss(−3V)に接続
された第1のソースフォロア回路である。<Embodiment> The present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a block diagram showing an embodiment of the present invention. In FIG. 1, 1 is a well-known buffer circuit composed of 4 FETs and a diode, and 2 is a drain terminal of the 3rd FET 2a of the 2 FETs is connected to V DD (+ 4V), and its source side is a diode 2
The first source follower circuit is connected to the drain terminal of the fourth FET 2b via c and has the source terminal and the gate terminal connected to Vss (−3V).
3は第2のソースフォロア回路であり,2つのFETのうち
の第5のFET3aのドレイン端子がVDD(+4V)に接続さ
れ,そのソース側が第6のFET3bのドレイン端子に接続
され,第6のFET3bのソース端子およびゲート端子がVss
(−3V)に接続されている。なお,バッファ回路1から
の出力は第1のソースフォロア回路の第3のFET2aのゲ
ート端子と第2のソースフォロア回路の第5のFET3aの
ゲート端子に接続されている。Reference numeral 3 is a second source follower circuit, in which the drain terminal of the fifth FET 3a of the two FETs is connected to V DD (+ 4V), and the source side thereof is connected to the drain terminal of the sixth FET 3b. FET3b source and gate terminals are Vss
It is connected to (-3V). The output from the buffer circuit 1 is connected to the gate terminal of the third FET 2a of the first source follower circuit and the gate terminal of the fifth FET 3a of the second source follower circuit.
5は第1のFET5aを含む公知の第1のBFL回路であり,そ
の第1のFETのゲート端子に第1のソースフォロア回路
2からの出力端子が接続されている。Reference numeral 5 is a well-known first BFL circuit including the first FET 5a, and the output terminal from the first source follower circuit 2 is connected to the gate terminal of the first FET.
6は第2のFET6aを含む公知の第2のBFL回路であり,そ
の第2のFET6aのソース端子に第2のソースフォロア回
路からの出力端子が接続されている。なお,第2のソー
スフォロア回路の第6のFET3bのゲート幅は第2のBFL回
路の第2のFET6aの約2倍のものが用いられている。10
は入力端子,11は第1のBFL回路の出力端子,12は第2のB
FL回路の出力端子である。Reference numeral 6 is a known second BFL circuit including the second FET 6a, and the output terminal from the second source follower circuit is connected to the source terminal of the second FET 6a. The gate width of the sixth FET 3b of the second source follower circuit is about twice that of the second FET 6a of the second BFL circuit. Ten
Is an input terminal, 11 is an output terminal of the first BFL circuit, and 12 is a second BFL circuit.
This is the output terminal of the FL circuit.
上記構成において,入力端子10にハイレベルの信号が入
力したとするとその信号はバッファ回路1で反転して分
岐され,分岐した一方の信号は第1のソースフォロア回
路2を介して第1のBFL回路5に入力され再び反転して
ハイレベルの信号が出力端子11から出力する。また,分
岐した他方の信号は第2のソースフォロア回路3を介し
て第2のBFL回路6に入力するが,ここではソースフォ
ロア回路3からの出力が第2のFETのソース端子に入力
しているためそのソース電位が上昇する。その結果ソー
ス側から見たゲート電圧が低下して第2のBFL回路の出
力端子はローレベルとなる。なお,この場合,第2のFE
Tのソースを介して第6のFET3bに電流が流れるが,この
電流の流れは第2のBFLの出力となる信号のタイミング
に影響を与える(ハイレベルとローレベルの時間及び電
圧レベルにずれが生じる。)このずれは第6のFETのゲ
ート幅により調整するが,実験では第2のFET6aのゲー
ト幅より第6のゲート幅を約2倍にする事により実現で
きた。In the above configuration, if a high level signal is input to the input terminal 10, the signal is inverted and branched by the buffer circuit 1, and one of the branched signals is passed through the first source follower circuit 2 to the first BFL. It is input to the circuit 5 and inverted again to output a high level signal from the output terminal 11. Also, the other branched signal is input to the second BFL circuit 6 via the second source follower circuit 3, but here the output from the source follower circuit 3 is input to the source terminal of the second FET. Therefore, its source potential rises. As a result, the gate voltage seen from the source side drops, and the output terminal of the second BFL circuit becomes low level. In this case, the second FE
A current flows through the sixth FET 3b through the source of T, but this current flow affects the timing of the signal that becomes the output of the second BFL (the time and voltage level of the high level and the low level differ from each other). This deviation is adjusted by the gate width of the sixth FET, but in the experiment, it could be realized by doubling the sixth gate width from the gate width of the second FET 6a.
〈考案の効果〉 以上,実施例とともに具体的に説明したように本考案に
よれば,第2のBFL回路6の第2のFETのソース端子には
第5,第6のFETのソースとドレインが接続した第2のソ
ースフォロアからの出力を入力するとともに前記第6の
FET3bのゲート幅を前記第2のFET6aのゲート幅の約2倍
にしたので,入力インピーダンスが通常の論理ゲートと
同様に高くなりIC内部論理素子として使用可能である。
従って第2図の従来例に比較した場合,信号が同じBFL
レベルであるため別電源を用いる必要がなく,第3図の
従来例に比較した場合,論理ゲートの中で最も高速に動
作するインバータ系の論理のみで構成されている為に高
速動作が可能であり,プロセスの変化などに対しても安
定である。<Effect of Device> As described above in detail with the embodiments, according to the present invention, the source terminal of the second FET of the second BFL circuit 6 is connected to the source and drain of the fifth and sixth FETs. The input from the second source follower connected to
Since the gate width of the FET 3b is about twice as large as the gate width of the second FET 6a, the input impedance becomes high like a normal logic gate and it can be used as an IC internal logic element.
Therefore, when compared to the conventional example of FIG.
Since it is a level, there is no need to use a separate power supply, and when compared with the conventional example of FIG. 3, it is possible to operate at high speed because it is composed only of the inverter system logic that operates at the highest speed among the logic gates. Yes, it is stable against process changes.
第1図は本考案の2相信号発生回路の一実施例を示す回
路構成図,第2図〜第4図は従来例を示す図である。 1…バッファ回路,2…第1のソースフォロア回路,2a…
第3のFET,2b…第4のFET,2c…ダイオード,3…第2のソ
ースフォロア回路,3a…第5のFET,3b…第6のFET,5…第
1のBFL回路,5a…第1のFET,6…第2のBFL回路,6a…第
2のFET。FIG. 1 is a circuit configuration diagram showing an embodiment of a two-phase signal generating circuit of the present invention, and FIGS. 2 to 4 are diagrams showing a conventional example. 1 ... Buffer circuit, 2 ... First source follower circuit, 2a ...
3rd FET, 2b ... 4th FET, 2c ... Diode, 3 ... 2nd source follower circuit, 3a ... 5th FET, 3b ... 6th FET, 5 ... 1st BFL circuit, 5a ... 1st FET, 6 ... 2nd BFL circuit, 6a ... 2nd FET.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H03K 19/00 101 B (72)考案者 八木原 剛 東京都武蔵野市中町2丁目9番32号 横河 電機株式会社内 (72)考案者 内田 暁 東京都武蔵野市中町2丁目9番32号 横河 電機株式会社内 (72)考案者 鎌田 浩実 東京都武蔵野市中町2丁目9番32号 横河 電機株式会社内 (72)考案者 岡 貞治 東京都武蔵野市中町2丁目9番32号 横河 電機株式会社内 (56)参考文献 特開 昭53−139456(JP,A) 特開 昭62−195915(JP,A) 特開 平1−147916(JP,A)─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (51) Int.Cl. 6 Identification number Internal reference number FI Technical display location H03K 19/00 101 B (72) Inventor Tsuyoshi Yagihara 2-932 Nakamachi, Musashino City, Tokyo Horizontal Within Kawa Denki Co., Ltd. (72) Inventor Akira Uchida 2-932 Nakamachi, Musashino City, Tokyo Yokogawa Denki Inc. Within (72) Hiromi Kamada 2-932 Nakamachi, Musashino City, Tokyo Yokogawa Denki Incorporated (72) Inventor Sadaharu Oka 2-932 Nakamachi, Musashino-shi, Tokyo Yokogawa Electric Co., Ltd. (56) Reference JP-A-53-139456 (JP, A) JP-A-62-195915 ( JP, A) JP-A-1-147916 (JP, A)
Claims (1)
端子がコモン電位に接続された第1FETを含む第1のBFL
回路と,前記入力に対応して非反転信号を出力するゲー
ト端子がコモン電位に接続された第2のFETを含む第2
のBFL回路からなる2相信号発生回路であって,前記第
1のFETのゲート端子には第3,第4のFETがダイオードを
介して接続された第1のソースフォロアからの出力が接
続され,前記第2のFETのソース端子には第5,第6のFET
のソースとドレインが接続した第2のソースフォロアか
らの出力を入力するとともにスイッチングのタイミング
及び電圧レベルを合わせるために前記第6のFETのゲー
ト幅を第2のFETのゲート幅の約2倍にした事を特徴と
する2相信号発生回路。1. A first BFL including a first FET whose source terminal, which outputs an inverted signal in response to an input, is connected to a common potential.
A second circuit including a circuit and a second FET whose gate terminal that outputs a non-inverted signal corresponding to the input is connected to a common potential
A two-phase signal generation circuit composed of a BFL circuit, wherein the output from a first source follower in which a third and a fourth FET are connected via a diode is connected to the gate terminal of the first FET. , The source terminal of the second FET is the fifth and sixth FETs
The gate width of the sixth FET is about twice as wide as the gate width of the second FET in order to input the output from the second source follower in which the source and the drain of are connected and to match the switching timing and the voltage level. A two-phase signal generation circuit characterized in that
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1989093775U JPH0756515Y2 (en) | 1989-08-09 | 1989-08-09 | 2-phase signal generation circuit |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1989093775U JPH0756515Y2 (en) | 1989-08-09 | 1989-08-09 | 2-phase signal generation circuit |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0334328U JPH0334328U (en) | 1991-04-04 |
JPH0756515Y2 true JPH0756515Y2 (en) | 1995-12-25 |
Family
ID=31643142
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1989093775U Expired - Lifetime JPH0756515Y2 (en) | 1989-08-09 | 1989-08-09 | 2-phase signal generation circuit |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0756515Y2 (en) |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5834982B2 (en) * | 1977-05-11 | 1983-07-30 | 日本電気株式会社 | clock driver circuit |
JPS62195915A (en) * | 1986-02-24 | 1987-08-29 | Rohm Co Ltd | Switching circuit |
JPH01147916A (en) * | 1987-12-03 | 1989-06-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Semiconductor integrated circuit |
-
1989
- 1989-08-09 JP JP1989093775U patent/JPH0756515Y2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0334328U (en) | 1991-04-04 |
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