JPH0754770B2 - セラミツク配線基板の製法 - Google Patents
セラミツク配線基板の製法Info
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- JPH0754770B2 JPH0754770B2 JP61035767A JP3576786A JPH0754770B2 JP H0754770 B2 JPH0754770 B2 JP H0754770B2 JP 61035767 A JP61035767 A JP 61035767A JP 3576786 A JP3576786 A JP 3576786A JP H0754770 B2 JPH0754770 B2 JP H0754770B2
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Description
【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 この発明は、電子基材として使用されるセラミック配線
基板の製法に関する。
基板の製法に関する。
抵抗層を含むセラミック配線基板を作る方法として、従
来、焼結されたセラミック基板上にAg/Pd等を主成分と
する貴金属ペーストをスクリーン印刷等によって印刷
し、それとともに、酸化ルテニウムを主成分としたフリ
ット入りの抵抗体ペーストをもスクリーン印刷等によっ
て印刷して、600〜1000℃程度の温度で焼成し、回路と
抵抗層とを形成する方法が一般的である。また、セラミ
ック配線基板が多層配線基板である場合には、焼結した
セラミック基板上に、Ag/Pd,Ag/Pt,Au等の貴金属微粉末
をガラスフリット、有機ビヒクルと混合して形成した導
体ペーストと、ガラスが主成分である誘電体ペーストと
を交互に印刷，焼成して、導体層と絶縁層とを交互に積
層し、それとともに、所望の導体層上に、前記抵抗体ペ
ーストをスクリーン印刷等で印刷し、焼成して抵抗層を
形成する方法が一般的である。しかし、これらの方法
は、スクリーン印刷等の方法によって回路を形成するも
のであるため、微細配線の形成が困難であり、また、貴
金属を用いているためコストが高くなってしまう。また
両方法ともペーストにガラス質を含むため、はんだ付着
性が劣り、不良品が出やすく、使用時に故障をおこしや
すい等の欠点がある。
来、焼結されたセラミック基板上にAg/Pd等を主成分と
する貴金属ペーストをスクリーン印刷等によって印刷
し、それとともに、酸化ルテニウムを主成分としたフリ
ット入りの抵抗体ペーストをもスクリーン印刷等によっ
て印刷して、600〜1000℃程度の温度で焼成し、回路と
抵抗層とを形成する方法が一般的である。また、セラミ
ック配線基板が多層配線基板である場合には、焼結した
セラミック基板上に、Ag/Pd,Ag/Pt,Au等の貴金属微粉末
をガラスフリット、有機ビヒクルと混合して形成した導
体ペーストと、ガラスが主成分である誘電体ペーストと
を交互に印刷，焼成して、導体層と絶縁層とを交互に積
層し、それとともに、所望の導体層上に、前記抵抗体ペ
ーストをスクリーン印刷等で印刷し、焼成して抵抗層を
形成する方法が一般的である。しかし、これらの方法
は、スクリーン印刷等の方法によって回路を形成するも
のであるため、微細配線の形成が困難であり、また、貴
金属を用いているためコストが高くなってしまう。また
両方法ともペーストにガラス質を含むため、はんだ付着
性が劣り、不良品が出やすく、使用時に故障をおこしや
すい等の欠点がある。
この発明は、微細配線が可能で、配線抵抗が小さく、か
つ、セラミック配線基板と金属層との密着性が高い、抵
抗層を含んだセラミック配線基板を低コストで得ること
ができる製法を提供することを目的としている。
つ、セラミック配線基板と金属層との密着性が高い、抵
抗層を含んだセラミック配線基板を低コストで得ること
ができる製法を提供することを目的としている。
以上の目的を達成するため、この発明は、セラミック基
板の表面にリン酸を用いて粗化処理する工程と、リン酸
によって粗化処理されたセラミック基板の表面に化学メ
ッキによって卑金属層を形成する工程と、金属層が形成
されたセラミック基板を350〜700℃で加熱処理する工程
と、この金属層を含むセラミック基板上の回路の所望の
位置に抵抗体ペーストを印刷，焼成して抵抗層を形成す
る工程と、形成された抵抗層をトリミングする工程とを
含んでいるセラミック配線基板の製法を要旨としてい
る。
板の表面にリン酸を用いて粗化処理する工程と、リン酸
によって粗化処理されたセラミック基板の表面に化学メ
ッキによって卑金属層を形成する工程と、金属層が形成
されたセラミック基板を350〜700℃で加熱処理する工程
と、この金属層を含むセラミック基板上の回路の所望の
位置に抵抗体ペーストを印刷，焼成して抵抗層を形成す
る工程と、形成された抵抗層をトリミングする工程とを
含んでいるセラミック配線基板の製法を要旨としてい
る。
以下に、この発明を、のプロセスの一実施例をあらわす
第１図に従って、くわしく説明する。
第１図に従って、くわしく説明する。
焼結したセラミック基板を準備する。焼結基板の材質
としては、アルミナ，フォルステライト，ステアタイ
ト，ジルコン，ムライト，コージライト，ジルコニア，
チタニア等の酸化物系セラミックを主として用いるが、
炭化物系、および、窒化物系セラミックも使用できる。
としては、アルミナ，フォルステライト，ステアタイ
ト，ジルコン，ムライト，コージライト，ジルコニア，
チタニア等の酸化物系セラミックを主として用いるが、
炭化物系、および、窒化物系セラミックも使用できる。
このようなセラミック基板の表面を、リン酸を用いて粗
化処理する。この処理は、この発明に必ずしも必要なも
のではないが、このようにセラミック基板表面を粗化し
た上に金属層を形成すれば、いわゆるアンカー効果によ
って、セラミック基板と金属層との間の密着性を向上で
きるのである。
化処理する。この処理は、この発明に必ずしも必要なも
のではないが、このようにセラミック基板表面を粗化し
た上に金属層を形成すれば、いわゆるアンカー効果によ
って、セラミック基板と金属層との間の密着性を向上で
きるのである。
金属層を基板上に形成させる。金属層は、化学めっ
き，蒸着，スパッタリングおよびイオンプレーティング
法の中から選ばれたいずれか１つの方法によって行うこ
とにより、形成される。化学めっきは公知のセンシタイ
ジング−アクチベーション法を用いて、セラミック基板
表面に金属パラジウムを析出させ、表面を活性化する。
つぎに、化学銅または化学ニッケルめっ浴に前記セラミ
ック基板を浸漬し、銅またはニッケルの金属層を形成さ
せる。蒸着，スパッタリングあるいはイオンプレーティ
ングなどの気相法も通常の方法で金属層を形成させる。
また、前記気相法では、セラミック基板との密着力を増
すため、第１工程でCrまたはTiの金属層を形成し、その
上に第２工程として銅またはニッケルの金属層を形成さ
せる方法と、400℃程度に加熱された粗化済のセラミッ
ク基板上に第１工程でCrまたはTiの金属層を形成し、そ
の上に第２工程として銅またはニッケルの金属層を形成
させる方法とがある。
き，蒸着，スパッタリングおよびイオンプレーティング
法の中から選ばれたいずれか１つの方法によって行うこ
とにより、形成される。化学めっきは公知のセンシタイ
ジング−アクチベーション法を用いて、セラミック基板
表面に金属パラジウムを析出させ、表面を活性化する。
つぎに、化学銅または化学ニッケルめっ浴に前記セラミ
ック基板を浸漬し、銅またはニッケルの金属層を形成さ
せる。蒸着，スパッタリングあるいはイオンプレーティ
ングなどの気相法も通常の方法で金属層を形成させる。
また、前記気相法では、セラミック基板との密着力を増
すため、第１工程でCrまたはTiの金属層を形成し、その
上に第２工程として銅またはニッケルの金属層を形成さ
せる方法と、400℃程度に加熱された粗化済のセラミッ
ク基板上に第１工程でCrまたはTiの金属層を形成し、そ
の上に第２工程として銅またはニッケルの金属層を形成
させる方法とがある。
必要に応じ、電解めっきを行う。前記化学めっきある
いは気相法では、１〜数μｍの薄い金属層しか形成でき
ないので、必要とする金属層の厚みが厚い場合、前記化
学めっきまたは気相法により金属層を形成させたのち、
この電解めっきによって銅あるいはニッケル層を形成す
ればよい。
いは気相法では、１〜数μｍの薄い金属層しか形成でき
ないので、必要とする金属層の厚みが厚い場合、前記化
学めっきまたは気相法により金属層を形成させたのち、
この電解めっきによって銅あるいはニッケル層を形成す
ればよい。
必要に応じ、エッチングによる回路形成を行う。化学
めっき，気相法またはその上への電解めっきによって直
ちに必要な回路が形成される場合もあるが、全面めっき
等の場合は、エッチングによる回路形成を行うのであ
る。回路形成法は、一般に用いられている方法による。
めっき，気相法またはその上への電解めっきによって直
ちに必要な回路が形成される場合もあるが、全面めっき
等の場合は、エッチングによる回路形成を行うのであ
る。回路形成法は、一般に用いられている方法による。
この方法によると、従来世の中になかった配線抵抗の小
さい卑金属導体により、線幅、線間隔30μｍという微細
パターンを形成することが可能となる。
さい卑金属導体により、線幅、線間隔30μｍという微細
パターンを形成することが可能となる。
必要に応じ、金属層が形成されたセラミック基板を加
熱処理する。処理温度は200〜1000℃の範囲内であるこ
とが好ましく、350〜700℃の範囲内であることがより好
ましい。処理時間は特に限定されないが、１〜10分程度
行えばよい。加熱処理は、全面めっき終了後に行っても
よいし、エッチングによる回路の形成後に行ってもかま
わない。
熱処理する。処理温度は200〜1000℃の範囲内であるこ
とが好ましく、350〜700℃の範囲内であることがより好
ましい。処理時間は特に限定されないが、１〜10分程度
行えばよい。加熱処理は、全面めっき終了後に行っても
よいし、エッチングによる回路の形成後に行ってもかま
わない。
作成されるセラミック配線基板が単層である場合に
は、以上の工程で金属層が形成されたセラミック基板上
に、抵抗体ペーストを印刷した後、これを乾燥，焼成し
て、抵抗層を形成する。抵抗体ペーストとしては、Snも
しくはLaB6系等の抵抗体成分を、Si,Ca,Al等の酸化物を
含むガラスや有機系ビヒクル等と混合してペースト化し
たもの等、通常この用途に用いられているものを使用す
ることができる。乾燥，焼成の条件は特に限定されない
が、たとえば、よぎのような条件が一般的である。すな
わち、スクリーン印刷等でセラミック基板上に印刷され
た前記抵抗体ペーストを、50〜200℃で乾燥したあと、
成分中のガラスフリットがセラミック基板に溶融接合す
る温度（好ましくは500〜1100℃、より好ましくは600〜
950℃範囲）で焼成を行えばよいのである。なお焼成時
には、メタライジング法によって形成された前記金属層
が酸化されることを防ぐため、非酸化性雰囲気で焼成を
行うことが好ましい。
は、以上の工程で金属層が形成されたセラミック基板上
に、抵抗体ペーストを印刷した後、これを乾燥，焼成し
て、抵抗層を形成する。抵抗体ペーストとしては、Snも
しくはLaB6系等の抵抗体成分を、Si,Ca,Al等の酸化物を
含むガラスや有機系ビヒクル等と混合してペースト化し
たもの等、通常この用途に用いられているものを使用す
ることができる。乾燥，焼成の条件は特に限定されない
が、たとえば、よぎのような条件が一般的である。すな
わち、スクリーン印刷等でセラミック基板上に印刷され
た前記抵抗体ペーストを、50〜200℃で乾燥したあと、
成分中のガラスフリットがセラミック基板に溶融接合す
る温度（好ましくは500〜1100℃、より好ましくは600〜
950℃範囲）で焼成を行えばよいのである。なお焼成時
には、メタライジング法によって形成された前記金属層
が酸化されることを防ぐため、非酸化性雰囲気で焼成を
行うことが好ましい。
抵抗層のトリミングを行う。トリミングの方法として
は、種々の方法があるが、たとえば、アブレッシブトリ
ミング，レーザートリミング等の方法がある。そして、
その中でも、高速処理が行え、高性能なレーザートリミ
ングがこの発明に好ましいものとしてあげられる。
は、種々の方法があるが、たとえば、アブレッシブトリ
ミング，レーザートリミング等の方法がある。そして、
その中でも、高速処理が行え、高性能なレーザートリミ
ングがこの発明に好ましいものとしてあげられる。
作成されるセラミック配線基板が多層配線基板である場
合には、前記までの工程で金属層が形成されたセラミ
ック基板上に、以下の，の工程により、絶縁層およ
び導体層を積層して前記金属層と導体層によって回路を
形成し、それとともに、この回路の所定の位置、すなわ
ちち、前記金属層および導体層のいずれかに、前記抵抗
体ペーストを印刷した後、これを乾燥，焼成して、抵抗
層を形成する。この抵抗層には、必要に応じて、先の場
合と同様、トリミングを行うこともできる。
合には、前記までの工程で金属層が形成されたセラミ
ック基板上に、以下の，の工程により、絶縁層およ
び導体層を積層して前記金属層と導体層によって回路を
形成し、それとともに、この回路の所定の位置、すなわ
ちち、前記金属層および導体層のいずれかに、前記抵抗
体ペーストを印刷した後、これを乾燥，焼成して、抵抗
層を形成する。この抵抗層には、必要に応じて、先の場
合と同様、トリミングを行うこともできる。
金属層が形成された前記セラミック基板上に、誘電体
ペーストを印刷した後、これを乾燥，焼成して、絶縁層
を形成する。誘電体ペーストとしては、ガラス等の微粉
末を有機系ビヒクルと混合してペースト化したもの等、
通常この用途に用いられているものを使用することがで
きる。乾燥，焼成の条件は特に限定されないが、たとえ
ば、つぎのような条件が一般的である。すなわち、スク
リーン印刷等でセラミック基板上に印刷された前記誘電
体ペーストを、50〜200℃で乾燥したあと、ガラスフリ
ットがセラミック基板に溶融接合する温度（好ましくは
500〜1100℃、より好ましくは600〜950℃の範囲）で焼
成を行えばよいのである。なお焼成時には、メタライジ
ング法によって形成された前記金属層が酸化されること
を防ぐため、非酸化性雰囲気で焼成を行うことが好まし
い。
ペーストを印刷した後、これを乾燥，焼成して、絶縁層
を形成する。誘電体ペーストとしては、ガラス等の微粉
末を有機系ビヒクルと混合してペースト化したもの等、
通常この用途に用いられているものを使用することがで
きる。乾燥，焼成の条件は特に限定されないが、たとえ
ば、つぎのような条件が一般的である。すなわち、スク
リーン印刷等でセラミック基板上に印刷された前記誘電
体ペーストを、50〜200℃で乾燥したあと、ガラスフリ
ットがセラミック基板に溶融接合する温度（好ましくは
500〜1100℃、より好ましくは600〜950℃の範囲）で焼
成を行えばよいのである。なお焼成時には、メタライジ
ング法によって形成された前記金属層が酸化されること
を防ぐため、非酸化性雰囲気で焼成を行うことが好まし
い。
絶縁層上に導体ペーストによって所定の回路を印刷し
た後、これを乾燥，焼成して、導体層を形成する。導体
ペーストとしては、金属等の微粉末を有機系ビヒクルと
混合してペースト化したもの等、通常この用途に用いら
れているものを使用することができる。乾燥，焼成の条
件は特に限定されないが、たとえば、つぎのような条件
が一般的である。すなわち、スクリーン印刷等で絶縁層
上に印刷された前記導体ペーストを、50〜200℃で乾燥
したあと、ペースト中のガラスフリットが前記絶縁層に
溶融接合する温度（好ましくは500〜1100℃、より好ま
しくは600〜950℃の範囲）で焼成を行えばよいのであ
る。なお焼成時には、メタライジング法によって形成さ
れた前記金属層が酸化されることを防ぐため、非酸化性
雰囲気で焼成を行うことが好ましい。
た後、これを乾燥，焼成して、導体層を形成する。導体
ペーストとしては、金属等の微粉末を有機系ビヒクルと
混合してペースト化したもの等、通常この用途に用いら
れているものを使用することができる。乾燥，焼成の条
件は特に限定されないが、たとえば、つぎのような条件
が一般的である。すなわち、スクリーン印刷等で絶縁層
上に印刷された前記導体ペーストを、50〜200℃で乾燥
したあと、ペースト中のガラスフリットが前記絶縁層に
溶融接合する温度（好ましくは500〜1100℃、より好ま
しくは600〜950℃の範囲）で焼成を行えばよいのであ
る。なお焼成時には、メタライジング法によって形成さ
れた前記金属層が酸化されることを防ぐため、非酸化性
雰囲気で焼成を行うことが好ましい。
以上の工程を繰り返して行い、セラミック基板上に必要
とする数だけの絶縁層，導体層および抵抗層を交互に形
成すれば、セラミック多層配線基板が得られる。
とする数だけの絶縁層，導体層および抵抗層を交互に形
成すれば、セラミック多層配線基板が得られる。
以上のように、この発明のセラミック配線基板の製法に
よれば、従来世の中になかった配線抵抗の小さい卑金属
導体を使用することにより、微細パターンを形成するこ
とが可能となり、しかも、セラミック配線基板と金属層
との密着性が高い、抵抗層を含んだセラミック配線基板
を低コストで得ることができる。
よれば、従来世の中になかった配線抵抗の小さい卑金属
導体を使用することにより、微細パターンを形成するこ
とが可能となり、しかも、セラミック配線基板と金属層
との密着性が高い、抵抗層を含んだセラミック配線基板
を低コストで得ることができる。
つぎに、この発明にかかるセラミック配線基板の製法に
ついての実施例を説明する。
ついての実施例を説明する。
（実施例１） 焼結セラミック基板として、96％アルミナ基板を使用
し、リン酸によってその表面を粗化処理したあと、充分
に洗浄して、乾燥させた。乾燥後、アルミナ基板の表面
に、化学めっきによって厚み５μｍの銅層を形成した。
このものを、窒素雰囲気中で700の加熱処理を施したあ
と、エッチングを行い、線幅，線間隔50μｍの回路を形
成した。この回路の抵抗値を測定したところ、表面抵抗
で1m Ω／口であった。このセラミック基板上に誘電体
ペーストと、導ペーストであるCuペーストとを交互にス
クリーン印刷し、乾燥，焼成して、セラミック多層配線
基板を得た。なお、両ペーストの焼成は、それぞれ、窒
素雰囲気中,850℃の条件で行った。
し、リン酸によってその表面を粗化処理したあと、充分
に洗浄して、乾燥させた。乾燥後、アルミナ基板の表面
に、化学めっきによって厚み５μｍの銅層を形成した。
このものを、窒素雰囲気中で700の加熱処理を施したあ
と、エッチングを行い、線幅，線間隔50μｍの回路を形
成した。この回路の抵抗値を測定したところ、表面抵抗
で1m Ω／口であった。このセラミック基板上に誘電体
ペーストと、導ペーストであるCuペーストとを交互にス
クリーン印刷し、乾燥，焼成して、セラミック多層配線
基板を得た。なお、両ペーストの焼成は、それぞれ、窒
素雰囲気中,850℃の条件で行った。
得られたセラミック多層配線基板最上部の導体層上に、
抵抗体ペーストをスクリーン印刷し、乾燥後、窒素雰囲
気中850℃の条件で焼成を行い、抵抗層を形成した。こ
のあと、この抵抗層に対し、レーザートリマーによって
トリミングを行い、所定の抵抗値とした。
抵抗体ペーストをスクリーン印刷し、乾燥後、窒素雰囲
気中850℃の条件で焼成を行い、抵抗層を形成した。こ
のあと、この抵抗層に対し、レーザートリマーによって
トリミングを行い、所定の抵抗値とした。
得られたセラミック多層配線基板の最上部の導体層とセ
ラミック基板との密着力、および、最上部の導体層とそ
の上に形成された抵抗層との密着力を測定したところ、
それぞれ、2.0〜3.0kg/mm2と非常に高い値を示した。ま
た、前記最上部の導体層の抵抗値を測定したところ、表
面抵抗で2m Ω／口であった。
ラミック基板との密着力、および、最上部の導体層とそ
の上に形成された抵抗層との密着力を測定したところ、
それぞれ、2.0〜3.0kg/mm2と非常に高い値を示した。ま
た、前記最上部の導体層の抵抗値を測定したところ、表
面抵抗で2m Ω／口であった。
（実施例２） 焼結セラミック基板として、96％アルミナ基板を使用
し、リン酸によってその表面を粗化処理したあと、充分
に洗浄して、乾燥させた。乾燥後、アルミナ基板の表面
に、化学めっきによって銅層を形成したあと、さらに、
電解めっきによって金属銅の厚付けを行い、厚み10μｍ
の金属層を形成した。このものを、窒素雰囲気中で350
℃の加熱処理を施したあと、エッチングを行い、線幅，
線間隔50μｍの回路を形成した。この回路の抵抗値を測
定したところ、表面抵抗で1m Ω／口であった。このセ
ラミック基板上に、抵抗体ペーストをスクリーン印刷
し、乾燥後、窒素雰囲気中850℃の条件で焼成を行い、
抵抗層を形成した。このあと、この抵抗層に対し、レー
ザートリマーによってトリミングを行い、所定の抵抗値
とした。
し、リン酸によってその表面を粗化処理したあと、充分
に洗浄して、乾燥させた。乾燥後、アルミナ基板の表面
に、化学めっきによって銅層を形成したあと、さらに、
電解めっきによって金属銅の厚付けを行い、厚み10μｍ
の金属層を形成した。このものを、窒素雰囲気中で350
℃の加熱処理を施したあと、エッチングを行い、線幅，
線間隔50μｍの回路を形成した。この回路の抵抗値を測
定したところ、表面抵抗で1m Ω／口であった。このセ
ラミック基板上に、抵抗体ペーストをスクリーン印刷
し、乾燥後、窒素雰囲気中850℃の条件で焼成を行い、
抵抗層を形成した。このあと、この抵抗層に対し、レー
ザートリマーによってトリミングを行い、所定の抵抗値
とした。
得られたセラミック配線基板上の金属層の抵抗値を測定
したところ、表面抵抗で1m Ω／口であった。また、得
られたセラミック配線基板上の金属層と抵抗層との密着
力を測定したところ、2.0〜3.0kg/mm2と非常に高い値を
示した。
したところ、表面抵抗で1m Ω／口であった。また、得
られたセラミック配線基板上の金属層と抵抗層との密着
力を測定したところ、2.0〜3.0kg/mm2と非常に高い値を
示した。
（実施例３） セラミック基板として、92％アルミナ基板を使用し、金
属層形成後の加熱処理温度を500℃とした以外は、実施
例１と同様にしてセラミック多層配線基板を得た。得ら
れたセラミック多層配線基板の最上部の導体層とセラミ
ック基板との密着力、最上部の導体層とその上に形成さ
れた抵抗層との密着力、ならびに、金属層および基板最
上部の導体層の抵抗値を測定したところ、実施例１とほ
ぼ同様の結果が得られた。
属層形成後の加熱処理温度を500℃とした以外は、実施
例１と同様にしてセラミック多層配線基板を得た。得ら
れたセラミック多層配線基板の最上部の導体層とセラミ
ック基板との密着力、最上部の導体層とその上に形成さ
れた抵抗層との密着力、ならびに、金属層および基板最
上部の導体層の抵抗値を測定したところ、実施例１とほ
ぼ同様の結果が得られた。
（実施例４） セラミック基板として、92％アルミナ基板を使用し、抵
抗体ペーストの焼成温度を900℃とした以外は、実施例
２と同様にしてセラミック配線基板を得た。得られたセ
ラミック配線基板上の金属層と抵抗層の密着力および金
属層の抵抗値を測定したところ、実施例２とほぼ同様の
結果が得られた。
抗体ペーストの焼成温度を900℃とした以外は、実施例
２と同様にしてセラミック配線基板を得た。得られたセ
ラミック配線基板上の金属層と抵抗層の密着力および金
属層の抵抗値を測定したところ、実施例２とほぼ同様の
結果が得られた。
（実施例５） セラミック基板として、99％アルミナ基板を使用し、金
属層形成後の加熱処理温度を500℃とした以外は、実施
例２と同様にしてセラミック配線基板を得た。得られた
セラミック配線基板上の金属層と抵抗層の密着力および
金属層の抵抗値を測定したところ、実施例２とほぼ同様
の結果が得られた。
属層形成後の加熱処理温度を500℃とした以外は、実施
例２と同様にしてセラミック配線基板を得た。得られた
セラミック配線基板上の金属層と抵抗層の密着力および
金属層の抵抗値を測定したところ、実施例２とほぼ同様
の結果が得られた。
この発明のセラミック配線基板の製法は、以上のように
構成されており、化学メッキによって、従来世の中にな
かった配線抵抗の小さい卑金属導体を微細パターンを形
成することが可能で、セラミック配線基板と金属層との
密着性が高い、抵抗層を含んだセラミック配線基板を低
コストで得ることが可能となる。
構成されており、化学メッキによって、従来世の中にな
かった配線抵抗の小さい卑金属導体を微細パターンを形
成することが可能で、セラミック配線基板と金属層との
密着性が高い、抵抗層を含んだセラミック配線基板を低
コストで得ることが可能となる。
第１図はこの発明にかかるセラミック配線基板の製法の
プロセスの一例をあらわすブロック図である。
プロセスの一例をあらわすブロック図である。
Claims (2)
- 【請求項１】セラミック基板の表面にリン酸を用いて粗
化処理する工程と、リン酸によって粗化処理されたセラ
ミック基板の表面に化学メッキによって卑金属層を形成
する工程と、金属層が形成されたセラミック基板を350
〜700℃で加熱処理する工程と、この金属層を含むセラ
ミック基板上の回路の所望の位置に抵抗体ペーストを印
刷，焼成して抵抗層を形成する工程と、形成された抵抗
層をトリミングする工程とを含んでいるセラミック配線
基板の製法。 - 【請求項２】セラミック配線基板が、金属層上に誘電体
ペーストと導体ペーストとを交互に印刷，焼成してなる
絶縁層と導体層とが積層されたセラミック多層配線基板
であるとともに、前記導体層が回路の一部となるもので
ある特許請求の範囲第１項記載のセラミック配線基板の
製法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61035767A JPH0754770B2 (ja) | 1986-02-19 | 1986-02-19 | セラミツク配線基板の製法 |
Applications Claiming Priority (1)
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| JP61035767A JPH0754770B2 (ja) | 1986-02-19 | 1986-02-19 | セラミツク配線基板の製法 |
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| JP61035767A Expired - Fee Related JPH0754770B2 (ja) | 1986-02-19 | 1986-02-19 | セラミツク配線基板の製法 |
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| JPS62193102A (ja) | 1987-08-25 |
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