JPH0752568Y2 - 位置検出装置 - Google Patents
位置検出装置Info
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- JPH0752568Y2 JPH0752568Y2 JP1987165600U JP16560087U JPH0752568Y2 JP H0752568 Y2 JPH0752568 Y2 JP H0752568Y2 JP 1987165600 U JP1987165600 U JP 1987165600U JP 16560087 U JP16560087 U JP 16560087U JP H0752568 Y2 JPH0752568 Y2 JP H0752568Y2
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Description
【考案の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本考案は、光源の位置を検出し、その位置を電気的信号
に変換して出力する位置検出装置に関するものである。
に変換して出力する位置検出装置に関するものである。
従来、対設する辺に電極を有する半導体の位置検出素子
を利用した位置検出装置が存在する。
を利用した位置検出装置が存在する。
例えば、第５図に略正方形状に形成された２次元の位置
検出素子の斜視図を示す。受光面側かｐ型シリコン層4
1、ｉ型シリコン層42、ｎ型シリコン層43を形成した半
導体40の受光面側に、相対して離間する２つの位置に一
対の電極Ａ、Ｂを設け、受光面に背設する面には、前記
Ａ、Ｂの位置と交差する方向に一対の電極Ｃ、Ｄを対向
配置してなるものである。
検出素子の斜視図を示す。受光面側かｐ型シリコン層4
1、ｉ型シリコン層42、ｎ型シリコン層43を形成した半
導体40の受光面側に、相対して離間する２つの位置に一
対の電極Ａ、Ｂを設け、受光面に背設する面には、前記
Ａ、Ｂの位置と交差する方向に一対の電極Ｃ、Ｄを対向
配置してなるものである。
電極Ａか距離ｘ、電極Ｃから距離ｙの位置に入射した光
は、その入射エネルギーに比例する電流を生成せしめ、
それぞれの電極までの抵抗値に逆比例するように分割さ
れて、電極Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄから取り出される。
は、その入射エネルギーに比例する電流を生成せしめ、
それぞれの電極までの抵抗値に逆比例するように分割さ
れて、電極Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄから取り出される。
即ち、Ｘ座標については、電極Ａ、Ｂから取り出される
電流Ia、Ibを測定して、（Ia/Ib）もしくは、（Ia−I
b）または、（Ia−Ib/Ia＋Ib）の演算を行うことによっ
て、入射位置の特定を行い、Ｙ座標についてもＸ座標と
同様に、電極Ｃ、Ｄから取り出される電流Ic、Idにより
演算を行い、入射位置を特定する。このようにして、Ｘ
座標、Ｙ座標が特定され、入射位置の特定を行うことが
できるものである。しかし、このような除算回路を含む
複雑な演算回路を必要とする問題点があり、本願出願人
がこの問題点を解決する為に、特公平５−4602号に開示
したようなものが存在する。
電流Ia、Ibを測定して、（Ia/Ib）もしくは、（Ia−I
b）または、（Ia−Ib/Ia＋Ib）の演算を行うことによっ
て、入射位置の特定を行い、Ｙ座標についてもＸ座標と
同様に、電極Ｃ、Ｄから取り出される電流Ic、Idにより
演算を行い、入射位置を特定する。このようにして、Ｘ
座標、Ｙ座標が特定され、入射位置の特定を行うことが
できるものである。しかし、このような除算回路を含む
複雑な演算回路を必要とする問題点があり、本願出願人
がこの問題点を解決する為に、特公平５−4602号に開示
したようなものが存在する。
第６図は、このような従来の位置検出装置の説明用模式
図である。40は第５図に示された２次元の位置検出素子
である。本図において電極Ａ、Ｂの出力Ia、Ibは、増幅
器53、54によって増幅され、加算回路57によって加算演
算されるとともに、増幅器54からの出力のみにより、Ｘ
方向の位置が決定される。
図である。40は第５図に示された２次元の位置検出素子
である。本図において電極Ａ、Ｂの出力Ia、Ibは、増幅
器53、54によって増幅され、加算回路57によって加算演
算されるとともに、増幅器54からの出力のみにより、Ｘ
方向の位置が決定される。
この加算回路57の出力は、比較回路58に入力されて、設
定値と比較され、光源50から位置検出素子40に入射する
光の入射エネルギーを一定に保持するように、光源50に
供給される電流値を補正する。
定値と比較され、光源50から位置検出素子40に入射する
光の入射エネルギーを一定に保持するように、光源50に
供給される電流値を補正する。
この光源50としては、例えば、発光ダイオード（以下こ
れをLEDと称す）等が採用されるものである。
れをLEDと称す）等が採用されるものである。
また、電極Ｃ、Ｄの出力Ic、Idは、増幅器55、56によっ
て増幅され、一方の信号、即ち増幅器55からの出力のみ
により、Ｙ方向の位置が決定される。この場合、増幅器
56は特に設けなくても良い。
て増幅され、一方の信号、即ち増幅器55からの出力のみ
により、Ｙ方向の位置が決定される。この場合、増幅器
56は特に設けなくても良い。
その為に、加算回路57によって求められた電極Ａ、Ｂの
出力の和（Ia＋Ib）を、比較回路58よって、設定値であ
る基準電圧と比較して、その差に基づいて補正された出
力を光源50に供給することによって、光源50の光量を制
御して、位置検出素子40に入射する光のエネルギーを一
定にするものである。
出力の和（Ia＋Ib）を、比較回路58よって、設定値であ
る基準電圧と比較して、その差に基づいて補正された出
力を光源50に供給することによって、光源50の光量を制
御して、位置検出素子40に入射する光のエネルギーを一
定にするものである。
このことによって、電極Ａからの距離ｘ、電極Ｃからの
距離ｙの位置に入射光があった時、電極Ｂの出力電流Ib
及び電極Ｃの出力電流Icを測定することによって、この
入射光の位置を特定することができるものである。
距離ｙの位置に入射光があった時、電極Ｂの出力電流Ib
及び電極Ｃの出力電流Icを測定することによって、この
入射光の位置を特定することができるものである。
しかし、上述のようにしてなる位置検出装置にあって
は、外乱光がこの位置検出装置に入射した場合に、これ
を検出することが困難であり、ライトペン等を利用して
文字入力を行ったりする時には、位置の特定が難しいと
いう問題点を有するものである。
は、外乱光がこの位置検出装置に入射した場合に、これ
を検出することが困難であり、ライトペン等を利用して
文字入力を行ったりする時には、位置の特定が難しいと
いう問題点を有するものである。
また、このような位置検出装置は、面積の大きなダイオ
ードであり、一部でも欠陥が生じた場合に漏れ電流が発
生して、検出特性の直線性が損なわれるという問題点が
ある。
ードであり、一部でも欠陥が生じた場合に漏れ電流が発
生して、検出特性の直線性が損なわれるという問題点が
ある。
本考案は上述の問題点に鑑みて、受光面側の相対して離
間する２つの位置に１対の電極を配置し、受光面に背設
する面側には、前記２つの位置と交差する方向に他の１
対の電極を対向配置してなる２次元の位置検出素子と、
該位置検出素子に一定周期のパルスで入射光を与える光
源と、前記位置検出素子の受光面に設けた相対する電極
のうちの一方と、受光面に背設する面に設けた相対する
電極のうちの一方とからそれぞれ導出される出力信号に
よって位置を特定する検出回路と、前記検出回路の前段
に設けられ、出力の信号部とノイズ部を分離するサンプ
リングアンドホールド回路と、該サンプリングアンドホ
ールド回路によって分離された出力の信号部とノイズ部
を減算する減算回路と、前記位置検出素子の受光面また
は受光面に背設する面のいずれか一方の面の相対する電
極からの出力の和を求める加算回路と、該加算回路の出
力と設定値とが入力される比較回路と、該比較回路によ
り補正された一定周期のパルス出力が供給されてなる光
源とからなる位置検出装置を構成するものである。
間する２つの位置に１対の電極を配置し、受光面に背設
する面側には、前記２つの位置と交差する方向に他の１
対の電極を対向配置してなる２次元の位置検出素子と、
該位置検出素子に一定周期のパルスで入射光を与える光
源と、前記位置検出素子の受光面に設けた相対する電極
のうちの一方と、受光面に背設する面に設けた相対する
電極のうちの一方とからそれぞれ導出される出力信号に
よって位置を特定する検出回路と、前記検出回路の前段
に設けられ、出力の信号部とノイズ部を分離するサンプ
リングアンドホールド回路と、該サンプリングアンドホ
ールド回路によって分離された出力の信号部とノイズ部
を減算する減算回路と、前記位置検出素子の受光面また
は受光面に背設する面のいずれか一方の面の相対する電
極からの出力の和を求める加算回路と、該加算回路の出
力と設定値とが入力される比較回路と、該比較回路によ
り補正された一定周期のパルス出力が供給されてなる光
源とからなる位置検出装置を構成するものである。
そしてこの位置検出素子には結晶系またはアモルファス
シリコン系の半導体が用いられ、アモルファスシリコン
系の半導体にあっては、少なくとも受光面側がアモルフ
ァスシリコンカーバイドでなるアモルファスシリコンの
ヘテロ接合素子が用いられるものである。
シリコン系の半導体が用いられ、アモルファスシリコン
系の半導体にあっては、少なくとも受光面側がアモルフ
ァスシリコンカーバイドでなるアモルファスシリコンの
ヘテロ接合素子が用いられるものである。
本考案に係る位置検出装置は上述のような構成からな
り、位置検出素子から得られる出力からノイズが除去さ
れて、相対する電極の出力の和が演算されて光源に供給
される為、相対する電極の一方の出力を測定すれば、入
射光の位置を特定することができ、外乱光の影響をなく
すことができるものである。
り、位置検出素子から得られる出力からノイズが除去さ
れて、相対する電極の出力の和が演算されて光源に供給
される為、相対する電極の一方の出力を測定すれば、入
射光の位置を特定することができ、外乱光の影響をなく
すことができるものである。
すなわち、位置検出素子に照射された点光源によって発
生する光電流は、それぞれ周囲の電極に向かって流れる
が、この時には、電流は抵抗の逆数に比例するため、点
光源に近い電極ほど大きな電流が流れることになる。そ
して点光源の光量を一定に制御すれば、発生する光電流
も一定となるので、一対の電極の一方からの電流は、常
に発生した光電流の全量から他方の電極に向かう電流を
差し引いた量となる。ここで、照射光量と全電流の関係
は予め明らかであるので、一対の電極の一方からの電流
のみによって、点光源の位置が特定できることになる。
生する光電流は、それぞれ周囲の電極に向かって流れる
が、この時には、電流は抵抗の逆数に比例するため、点
光源に近い電極ほど大きな電流が流れることになる。そ
して点光源の光量を一定に制御すれば、発生する光電流
も一定となるので、一対の電極の一方からの電流は、常
に発生した光電流の全量から他方の電極に向かう電流を
差し引いた量となる。ここで、照射光量と全電流の関係
は予め明らかであるので、一対の電極の一方からの電流
のみによって、点光源の位置が特定できることになる。
第１図は、本考案に係る位置検出装置に用いられる位置
検出素子の説明用斜視図である。
検出素子の説明用斜視図である。
17は、略正方形の板状に形成された二次元の位置検出素
子であり、この位置検出素子17の受光面側の相対する辺
に一対の電極X1、X2を配し、受光面に背設する面には、
前記電極X1,X2の位置と交差する方向に一対の電極Y1,Y2
を対向配置してなるものである。
子であり、この位置検出素子17の受光面側の相対する辺
に一対の電極X1、X2を配し、受光面に背設する面には、
前記電極X1,X2の位置と交差する方向に一対の電極Y1,Y2
を対向配置してなるものである。
位置検出素子17としては、受光面側からアモルファスシ
リコンカーバイドでなるｐ型層17p、アモルファスシリ
コンでなるｉ型層17i、アモルファスシリコンでなるｎ
型層17nを順次積層したものを利用しているが、単結
晶、多結晶、微結晶等のシリコン半導体を利用すること
も可能であることはいうまでもないことである。
リコンカーバイドでなるｐ型層17p、アモルファスシリ
コンでなるｉ型層17i、アモルファスシリコンでなるｎ
型層17nを順次積層したものを利用しているが、単結
晶、多結晶、微結晶等のシリコン半導体を利用すること
も可能であることはいうまでもないことである。
また、形状も正方形に制限されることなく、長方形状の
場合でも同様に位置検出を行うことができるものであ
る。
場合でも同様に位置検出を行うことができるものであ
る。
第２図は、本考案に係る位置検出装置の回路例である。
本回路において、比較回路32が周期φ０で駆動され、サ
ンプリングアンドホールド回路（以下S/H回路と記す）2
2、24、26が周期φ１、S/H回路23、25、27が周期φ２に
それぞれ同期させるものとし、このφ０、φ１、φ２の
クロック周期が第３図に示される。
本回路において、比較回路32が周期φ０で駆動され、サ
ンプリングアンドホールド回路（以下S/H回路と記す）2
2、24、26が周期φ１、S/H回路23、25、27が周期φ２に
それぞれ同期させるものとし、このφ０、φ１、φ２の
クロック周期が第３図に示される。
位置検出素子17の電極X1,X2から取り出される出力電流I
x1、Ix2は、それぞれ増幅器18、19に入力され、増幅さ
れる。
x1、Ix2は、それぞれ増幅器18、19に入力され、増幅さ
れる。
増幅器18によって増幅された電極X1の出力電流Ix1は、S
/H回路22、23に入力され、それぞれクロックφ１、φ２
のタイミングでホールドされる。
/H回路22、23に入力され、それぞれクロックφ１、φ２
のタイミングでホールドされる。
S/H回路22、23の出力は減算回路28によって差がとら
れ、ノイズが除去される。
れ、ノイズが除去される。
増幅器19によって増幅された電極X2の出力電流Ix2も、I
x1と同様にして、S/H回路24、25に入力され、それぞ
れ、クロックφ１、φ２のタイミングでホールドされ
る。
x1と同様にして、S/H回路24、25に入力され、それぞ
れ、クロックφ１、φ２のタイミングでホールドされ
る。
S/H回路24、25の出力は減算回路29によって、差が演算
されて、ノイズの除去が行われる。
されて、ノイズの除去が行われる。
減算回路28、29の出力は、加算回路31に入力されてその
和が演算され、LED駆動用の比較回路32に供給される。
和が演算され、LED駆動用の比較回路32に供給される。
比較回路32は、光源としてのLED33を駆動する為のもの
で、クロックφ０に同期した出力信号を有するものであ
り、前記加算回路31からの出力、すなわち出力電流I
x1、Ix2の和に対応した出力と設定値としての基準電圧3
2aとの比較を行い、光源の光量を一定とするべく補正さ
れた一定周期のパルス出力をLED33に供給する。
で、クロックφ０に同期した出力信号を有するものであ
り、前記加算回路31からの出力、すなわち出力電流I
x1、Ix2の和に対応した出力と設定値としての基準電圧3
2aとの比較を行い、光源の光量を一定とするべく補正さ
れた一定周期のパルス出力をLED33に供給する。
今、位置検出素子17に入射光があった場合、この光は、
受光面に背設する面に対設させた電極Y1,Y2からの入射
光のあった点に向かって、電流を生成させ、この電流は
半導体内部を通過して、受光面に達し、電極X1,X2に向
かって抵抗値に逆比例する値の電流が流入することとな
る。この時、位置検出素子17の表面付近の抵抗が均一で
あり、かつ位置検出素子17に入射する光の入射エネルギ
ーが一定であれば、加算回路31によって求められる電極
X1,X2の出力の和（Ix1＋Ix2）は一定である。
受光面に背設する面に対設させた電極Y1,Y2からの入射
光のあった点に向かって、電流を生成させ、この電流は
半導体内部を通過して、受光面に達し、電極X1,X2に向
かって抵抗値に逆比例する値の電流が流入することとな
る。この時、位置検出素子17の表面付近の抵抗が均一で
あり、かつ位置検出素子17に入射する光の入射エネルギ
ーが一定であれば、加算回路31によって求められる電極
X1,X2の出力の和（Ix1＋Ix2）は一定である。
受光面に背設する面に生成した電流の和は、受光面側か
ら流出する電流の和と等しいことは、明白であり、即
ち、電極Y1,Y2における電流の和（Iy1＋Iy2）は、電極X
1,X2における電流の和（Ix1＋Ix2）に等しく、生成電流
の和として、どちらか一方のみを考慮しても差し支えな
い。
ら流出する電流の和と等しいことは、明白であり、即
ち、電極Y1,Y2における電流の和（Iy1＋Iy2）は、電極X
1,X2における電流の和（Ix1＋Ix2）に等しく、生成電流
の和として、どちらか一方のみを考慮しても差し支えな
い。
しかし、LED33と位置検出素子17との距離、入射光の入
射角度等によって、位置検出素子17に入射する光のエネ
ルギーは一定になるとは限らないものである。
射角度等によって、位置検出素子17に入射する光のエネ
ルギーは一定になるとは限らないものである。
その為に、加算回路31によって求められた電極X1,X2の
出力の和（Ix1＋Ix2）を、比較回路32によって基準電圧
32aと比較し、その差に基づいて補正された出力をLED33
に供給することによってLED33の光量を制御して、位置
検出素子17に入射する光のエネルギーを一定にしてい
る。
出力の和（Ix1＋Ix2）を、比較回路32によって基準電圧
32aと比較し、その差に基づいて補正された出力をLED33
に供給することによってLED33の光量を制御して、位置
検出素子17に入射する光のエネルギーを一定にしてい
る。
このことによって、電極X1からの距離ｘ、電極Y2からの
距離ｙの位置に入射光があった場合、電極X2の出力電流
Ix2及び電極Y1の出力電流Iy1を測定することによって、
この入射光の位置を特定することができるものである。
距離ｙの位置に入射光があった場合、電極X2の出力電流
Ix2及び電極Y1の出力電流Iy1を測定することによって、
この入射光の位置を特定することができるものである。
また、クロックφ０、φ１、φ２は、第３図に示すよう
なものであるから、LED駆動用の比較回路32によって駆
動されたLED33はクロックφ０に同期して発光する。
なものであるから、LED駆動用の比較回路32によって駆
動されたLED33はクロックφ０に同期して発光する。
従ってこの光を受けた位置検出素子17も、クロックφ０
に同期した信号を発生する。
に同期した信号を発生する。
S/H回路22、24、26は、クロックφ１に同期して、それ
ぞれの信号をホールドする。
ぞれの信号をホールドする。
S/H回路23、25、27は、クロックφ２に同期して、ノイ
ズ部をホールドする。
ズ部をホールドする。
それぞれの信号に対応して、減算回路28、29、30によっ
て、ノイズの除去が行われる為に、位置検出素子17に外
乱光が入射しても、この外乱光によるノイズが除去さ
れ、正確な位置検出を行うことが可能となるものであ
る。
て、ノイズの除去が行われる為に、位置検出素子17に外
乱光が入射しても、この外乱光によるノイズが除去さ
れ、正確な位置検出を行うことが可能となるものであ
る。
よって、電極X2の出力Ix2及び電極Y1の出力Iy1を測定す
れば、入射光の位置を特定することができるのである。
そして検出回路として、減算回路29の出力をＸ方向の出
力、減算回路30の出力をＹ方向の出力とし、A/Dコンバ
ータ34に入力して、デジタル信号に変換して出力するも
のである。
れば、入射光の位置を特定することができるのである。
そして検出回路として、減算回路29の出力をＸ方向の出
力、減算回路30の出力をＹ方向の出力とし、A/Dコンバ
ータ34に入力して、デジタル信号に変換して出力するも
のである。
また、ここでクロックφ０の周波数が高い場合、位置検
出素子17上の入射光の位置は、中央部にいくに従って、
距離が大きく検出され、逆に、クロックφ０の周波数が
低い場合には、中央部にいくに従い、距離が小さく検出
される。
出素子17上の入射光の位置は、中央部にいくに従って、
距離が大きく検出され、逆に、クロックφ０の周波数が
低い場合には、中央部にいくに従い、距離が小さく検出
される。
この為、クロックφ０の周波数を調整して、均一の方眼
状に位置が検出できるようにすることが望ましいもので
ある。
状に位置が検出できるようにすることが望ましいもので
ある。
また、他の位置検出素子としては、第４図に示すような
ものが、利用可能である。
ものが、利用可能である。
即ち、円盤状に形成された位置検出素子36の受光面側
に、電極X1,X2を配置し、受光面に背設する面側には、
電極X1,X2と交差する位置に電極Y1,Y2を対設したもので
ある。
に、電極X1,X2を配置し、受光面に背設する面側には、
電極X1,X2と交差する位置に電極Y1,Y2を対設したもので
ある。
この場合にも第２図に示したものと同様の回路を用いる
こととし、電極X1,X2の出力Ix1、Ix2の和に基づいて、L
EDの光量を制御するもので、位置検出素子36に入射した
光によって生成した電流は、受光面に背設する面に設け
られた電極Y1,Y2から入射位置に向かって最短距離を選
択して流入し、半導体層を通過して、受光面に到達す
る。
こととし、電極X1,X2の出力Ix1、Ix2の和に基づいて、L
EDの光量を制御するもので、位置検出素子36に入射した
光によって生成した電流は、受光面に背設する面に設け
られた電極Y1,Y2から入射位置に向かって最短距離を選
択して流入し、半導体層を通過して、受光面に到達す
る。
更に、最短距離を選択して、電極X1,X2に到達して、こ
こから出力電流が取り出される。
こから出力電流が取り出される。
電極X1,X2から得られる出力電流Ix1、Ix2は電極X1,X2か
らの光の入射位置までの距離に逆比例するものであり、
また電極Y1,Y2から得られる出力電流Iy1、Iy2も、電極Y
1,Y2からの光の入射位置までの距離を逆比例する為、こ
れら出力電流Ix1、Ix2、Iy1、Iy2は、入射位置から電極
X1までのＸ方向の距離ｘ及び入射位置から電極Y2までの
Ｙ方向の距離ｙの関数で表すことができる。ここで、光
源の光量は電極X1,X2から得られる出力の和（Ix1＋I
x2）に基づいて、この出力の和（Ix1＋Ix2）が一定にな
るように制御されるものであり、Ｙ方向の距離ｙの位置
にあっても、これにかかわりなく、電極X2からの出力Ix
2を測定すれば、Ｘ方向の距離ｘは簡単に求めることが
可能になるものである。
らの光の入射位置までの距離に逆比例するものであり、
また電極Y1,Y2から得られる出力電流Iy1、Iy2も、電極Y
1,Y2からの光の入射位置までの距離を逆比例する為、こ
れら出力電流Ix1、Ix2、Iy1、Iy2は、入射位置から電極
X1までのＸ方向の距離ｘ及び入射位置から電極Y2までの
Ｙ方向の距離ｙの関数で表すことができる。ここで、光
源の光量は電極X1,X2から得られる出力の和（Ix1＋I
x2）に基づいて、この出力の和（Ix1＋Ix2）が一定にな
るように制御されるものであり、Ｙ方向の距離ｙの位置
にあっても、これにかかわりなく、電極X2からの出力Ix
2を測定すれば、Ｘ方向の距離ｘは簡単に求めることが
可能になるものである。
Ｙ方向についても、電極Y1,Y2の出力の和（Iy1＋Iy2）
は、電極X1,X2の出力の和（Ix1＋Ix2）に等しい為、上
述のことは同様であり、光の入射位置が、電極Y2からＹ
方向に距離ｙであれば、この距離ｙは、電極Y1の出力Iy
1を測定することによって、容易に求めることができ
る。
は、電極X1,X2の出力の和（Ix1＋Ix2）に等しい為、上
述のことは同様であり、光の入射位置が、電極Y2からＹ
方向に距離ｙであれば、この距離ｙは、電極Y1の出力Iy
1を測定することによって、容易に求めることができ
る。
また、外乱光によるノイズは、第１実施例の場合と同様
にして除去される為、正確な位置検出を行うことが可能
となるものである。
にして除去される為、正確な位置検出を行うことが可能
となるものである。
本考案に係る位置検出装置に用いられる位置検出素子
は、アモルファスシリコン系の半導体を利用してなる為
に、安価で、変換効率の高いものが得られる。
は、アモルファスシリコン系の半導体を利用してなる為
に、安価で、変換効率の高いものが得られる。
また、受光面側にアモルファスシリコンカーバイドを用
いたPIN接合型のものを利用することによって、更に変
換効率の高いものを提供することが可能となるものであ
る。
いたPIN接合型のものを利用することによって、更に変
換効率の高いものを提供することが可能となるものであ
る。
本考案に係る位置検出装置は、上述のようにしてなり、
二次元の位置検出素子の相対する電極の出力電流の和を
演算し、これに基づいて補正された電源が光源に供給さ
れてなるために、少なくとも対設する電極の一方の出力
を測定することによって、入射光の位置を特定すること
が可能となるものであり、また、この光源の駆動をパル
ス信号によって供給して、ノイズの除去を行っているた
め、外乱光の入射に関係なく、精度の高い位置検出を行
うことが可能となるものである。
二次元の位置検出素子の相対する電極の出力電流の和を
演算し、これに基づいて補正された電源が光源に供給さ
れてなるために、少なくとも対設する電極の一方の出力
を測定することによって、入射光の位置を特定すること
が可能となるものであり、また、この光源の駆動をパル
ス信号によって供給して、ノイズの除去を行っているた
め、外乱光の入射に関係なく、精度の高い位置検出を行
うことが可能となるものである。
第１図は本考案に係る位置検出装置の第１実施例に用い
られる位置検出素子の説明用断面図、第２図は本考案に
係る位置検出装置の第１実施例の回路図、第３図は本考
案に係る位置検出装置に用いられるクロックパルスのタ
イミングチャート、第４図は本考案に係る位置検出装置
の第２実施例に用いられる位置検出素子の説明用斜視
図、第５図は従来の位置検出装置に用いられる位置検出
素子の説明用斜視図、第６図は従来の位置検出装置の説
明用模式図である。 17:位置検出素子、17p:p層、17i:i層、17n:n層、18:増
幅器、19:増幅器、20:増幅器、21:増幅器、22:S/H回
路、23:S/H回路、24:S/H回路、25:S/H回路、26:S/H回
路、27:S/H回路、28:減算回路、29:減算回路、30:減算
回路、31:加算回路、32:比較回路、32a:基準電圧、33:L
ED、34:A/Dコンバータ、36:位置検出素子、40:位置検出
素子、41:p層、42:i層、43:n層、50:LED、53:増幅器、5
4:増幅器、55:増幅器、56:増幅器、57:加算回路、58:比
較回路
られる位置検出素子の説明用断面図、第２図は本考案に
係る位置検出装置の第１実施例の回路図、第３図は本考
案に係る位置検出装置に用いられるクロックパルスのタ
イミングチャート、第４図は本考案に係る位置検出装置
の第２実施例に用いられる位置検出素子の説明用斜視
図、第５図は従来の位置検出装置に用いられる位置検出
素子の説明用斜視図、第６図は従来の位置検出装置の説
明用模式図である。 17:位置検出素子、17p:p層、17i:i層、17n:n層、18:増
幅器、19:増幅器、20:増幅器、21:増幅器、22:S/H回
路、23:S/H回路、24:S/H回路、25:S/H回路、26:S/H回
路、27:S/H回路、28:減算回路、29:減算回路、30:減算
回路、31:加算回路、32:比較回路、32a:基準電圧、33:L
ED、34:A/Dコンバータ、36:位置検出素子、40:位置検出
素子、41:p層、42:i層、43:n層、50:LED、53:増幅器、5
4:増幅器、55:増幅器、56:増幅器、57:加算回路、58:比
較回路
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)考案者 太和田 善久 兵庫県神戸市北区大池見山台14―39 (56)参考文献 特開 昭56−137101（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−127604（ＪＰ，Ａ)
Claims (3)
- 【請求項１】受光面側に、相対して離間する２つの位置
に１対の電極を配置し、受光面に背設する面側に、前記
２つの位置と交差する方向に他の１対の電極を対向配置
してなる２次元の位置検出素子と、 該位置検出素子に一定周期のパルスで入射光を与える光
源と、 前記位置検出素子の受光面に設けた相対する電極のうち
の一方と、受光面に背設する面に設けた相対する電極の
うちの一方とからそれぞれ導出される出力信号によって
位置を特定する検出回路と、 前記検出回路の前段に設けられ、出力の信号部とノイズ
部を分離するサンプリングアンドホールド回路と、 該サンプリングアンドホールド回路によって分離された
出力の信号部とノイズ部を減算する減算回路と、 前記位置検出素子の受光面または受光面に背設する面の
いずれか一方の面の相対する電極からの出力の和を求め
る加算回路と、 該加算回路の出力と設定値とが入力される比較回路と、 該比較回路により補正された一定周期のパルス出力が供
給されてなる光源と、 からなる位置検出装置。 - 【請求項２】位置検出素子が、結晶系またはアモルファ
スシリコン系の半導体でなる実用新案登録請求の範囲第
１項記載の位置検出装置。 - 【請求項３】位置検出素子が、少なくとも受光面側がア
モルファスシリコンカーバイドでなるアモルファスシリ
コンのヘテロ接合素子からなることを特徴とする実用新
案登録請求の範囲第１項または第２項記載の位置検出装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1987165600U JPH0752568Y2 (ja) | 1987-10-29 | 1987-10-29 | 位置検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1987165600U JPH0752568Y2 (ja) | 1987-10-29 | 1987-10-29 | 位置検出装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0170108U JPH0170108U (ja) | 1989-05-10 |
| JPH0752568Y2 true JPH0752568Y2 (ja) | 1995-11-29 |
Family
ID=31452234
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1987165600U Expired - Lifetime JPH0752568Y2 (ja) | 1987-10-29 | 1987-10-29 | 位置検出装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0752568Y2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2654513B1 (fr) * | 1989-11-10 | 1993-07-16 | Essilor Int | Procede et dispositif pour la determiantion des caracteristiques d'un lentille, et, notamment, de sa puissance. |
| JP2696644B2 (ja) * | 1992-07-22 | 1998-01-14 | 財団法人鉄道総合技術研究所 | レール変位量測定装置 |
| CA2736814C (en) | 2008-09-02 | 2017-02-28 | Natrix Separations Inc. | Chromatography membranes, devices containing them, and methods of use thereof |
| EP2709749B1 (en) | 2011-05-17 | 2018-08-15 | Natrix Separations Inc. | Method of use of wrapped membranes for chromatography |
-
1987
- 1987-10-29 JP JP1987165600U patent/JPH0752568Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0170108U (ja) | 1989-05-10 |
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