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JPH0738367A - Noise filter - Google Patents

Noise filter

Info

Publication number
JPH0738367A
JPH0738367A JP19991993A JP19991993A JPH0738367A JP H0738367 A JPH0738367 A JP H0738367A JP 19991993 A JP19991993 A JP 19991993A JP 19991993 A JP19991993 A JP 19991993A JP H0738367 A JPH0738367 A JP H0738367A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
coil
half turn
lower half
turn
electrode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP19991993A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Takeshi Ikeda
毅 池田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Individual
Original Assignee
Individual
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Filing date
Publication date
Application filed by Individual filed Critical Individual
Priority to JP19991993A priority Critical patent/JPH0738367A/en
Publication of JPH0738367A publication Critical patent/JPH0738367A/en
Pending legal-status Critical Current

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  • Coils Or Transformers For Communication (AREA)
  • Filters And Equalizers (AREA)

Abstract

PURPOSE:To obtain the noise filter which is suitable for mass production, is extremely miniature, and has an excellent noise obstructing characteristic. CONSTITUTION:On the surface of an insulated substrate 1, a metallic electrode 21 of the lower half turn of an outside coil is formed, a metallic electrode 31 of the lower half turn of an inside coil is formed through a dielectric layer 22 formed by oxidizing or nitriding the surface of the metallic electrode 21 of the lower half turn of this outside coil, a metallic electrode 41 of the upper half turn of the inside coil through a dielectric layer 32 formed by oxidizing or nitriding the surface of the metallic electrode 31 of the lower half turn of this inside coil, and a metallic electrode 51 of the upper half turn of the outside coil through a dielectric layer 42 formed by oxidizing or nitriding the surface of the metallic electrode 41 of the upper half turn of this inside coil. Subsequently, by forming an artificial distributed constant circuit consisting of the inductance which two flat coils have and the capacitance existing between both coils, a noise extending over a wide frequency band is suppressed.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】この発明は、電子機器における信
号通過回路または電源回路などに使用してノイズの伝搬
を阻止するノイズ・フィルタに関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a noise filter which is used in a signal passage circuit or a power supply circuit in electronic equipment to prevent the propagation of noise.

【0002】[0002]

【従来の技術】コンピュータなどのディジタル信号を扱
う電子機器においては、信号通過回路または電源回路な
どにノイズ・フィルタが使用されている。
2. Description of the Related Art A noise filter is used in a signal passing circuit or a power supply circuit in electronic equipment such as a computer which handles digital signals.

【0003】従来のノイズ・フィルタの一例として、図
5に示すように、誘電体90を介して1対のスパイラル電
極91、92を対向配置し、一方のスパイラル電極91の両端
子93、94を伝送信号通過回路に直列に挿入し、他方のス
パイラル電極92の任意の一端95を接地する。そして、図
6の等価回路に示すように、1対のスパイラル電極91、
92の間に分布容量を形成させるとともに、信号通過回路
となるスパイラル電極91が有するインダクタンスにより
シャープ・カットオフのローパス・フィルタを得てい
る。
As an example of a conventional noise filter, as shown in FIG. 5, a pair of spiral electrodes 91 and 92 are arranged to face each other with a dielectric 90 interposed therebetween, and both terminals 93 and 94 of one spiral electrode 91 are arranged. It is inserted in series in the transmission signal passing circuit, and one end 95 of the other spiral electrode 92 is grounded. Then, as shown in the equivalent circuit of FIG. 6, a pair of spiral electrodes 91,
A distributed capacitor is formed between 92, and a low pass filter with a sharp cutoff is obtained by the inductance of the spiral electrode 91 that serves as a signal passing circuit.

【0004】このような従来のフィルタにおいては、誘
電体90としてセラミック、プラスチック、ガラス、マイ
カなどの材料を使用し、プリント工程によりスパイラル
電極を形成している。
In such a conventional filter, a material such as ceramic, plastic, glass or mica is used as the dielectric 90, and the spiral electrode is formed by a printing process.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】近年、携帯電話、携帯
用パソコンなどのディジタル信号を扱う携帯用の電子機
器が普及するにつれて、ノイズ・フィルタも小型化が要
求されている。しかし、このような従来のフィルタにお
いては、誘電体を薄くして分布容量を増すこと、プリン
ト工程により長いスパイラル電極を形成することには限
度があり、著しい小型化は困難であった。
In recent years, with the spread of portable electronic devices such as portable telephones and portable personal computers that handle digital signals, there is a demand for miniaturization of noise filters. However, in such a conventional filter, it is difficult to make the dielectric thin to increase the distributed capacitance and to form a long spiral electrode in the printing process, and it is difficult to make the filter extremely compact.

【0006】そこで、この発明は、極めて小型で、優れ
たノイズ阻止特性を有するノイズ・フィルタを得るため
に考えられたものである。
Therefore, the present invention was conceived in order to obtain a noise filter which is extremely small and which has excellent noise blocking characteristics.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】この発明のノイズ・フィ
ルタは、絶縁基板表面に、外側コイルの下半ターンの金
属電極を形成し、この外側コイルの下半ターンの金属電
極表面を酸化または窒化させた誘電体層を介して内側コ
イルの下半ターンの金属電極を形成し、この内側コイル
の下半ターンの金属電極表面を酸化または窒化させた誘
電体層を介して内側コイルの上半ターンの金属電極を形
成し、この内側コイルの上半ターンの金属電極表面を酸
化または窒化させた誘電体層を介して外側コイルの上半
ターンの金属電極を形成したものである。
In the noise filter of the present invention, a metal electrode of the lower half turn of the outer coil is formed on the surface of the insulating substrate, and the metal electrode surface of the lower half turn of the outer coil is oxidized or nitrided. The lower half-turn metal electrode of the inner coil is formed through the dielectric layer, and the upper half-turn of the inner coil is turned through the dielectric layer where the metal electrode surface of the lower half-turn of the inner coil is oxidized or nitrided. Is formed, and the upper half-turn metal electrode of the outer coil is formed through a dielectric layer obtained by oxidizing or nitriding the upper half-turn metal electrode surface of the inner coil.

【0008】また、絶縁基板の表面に、第1コイルの下
半ターンと第2コイルの下半ターンとの金属電極を交互
に形成し、これら第1および第2コイルの下半ターンの
金属電極表面を酸化または窒化させた誘電体層を介し
て、第1コイルの上半ターンと第2コイルの上半ターン
との金属電極を交互にを形成して、これら第1コイルお
よび第2コイルをバイファイラ巻に形成することができ
る。
Further, metal electrodes of the lower half turns of the first coil and the lower half turns of the second coil are alternately formed on the surface of the insulating substrate, and the metal electrodes of the lower half turns of the first and second coils are formed. Metal electrodes of the upper half-turn of the first coil and the upper half-turn of the second coil are alternately formed through the dielectric layer whose surface is oxidized or nitrided to form the first coil and the second coil. It can be formed into a bifilar roll.

【0009】[0009]

【作用】2つの偏平なコイルが有するインダクタンスお
よび両コイル間に存在する静電容量とよりなる疑似的な
分布定数回路を形成して、広い周波数帯域にわたるノイ
ズを抑制することができる。
It is possible to suppress noise over a wide frequency band by forming a pseudo distributed constant circuit consisting of the inductance of the two flat coils and the capacitance existing between the two coils.

【0010】[0010]

【実施例】この発明のノイズ・フィルタを製造工程順に
説明すると、図1の断面図に示すように、 (1) ガラス、合成樹脂などの絶縁基板1を用意し、 (2) この絶縁基板1の上に第1層のアルミニューム膜2
を蒸着やスパッタリングによって形成し、 (3) 写真蝕刻法により、第1層のアルミニューム膜2を
蝕刻して、図2(1)に示すように、両端部が右下がりに
半ピッチずれた複数条の平行な外側コイルの下半ターン
に当たる第1のアルミニューム電極21と、端子電極23を
形成する。
EXAMPLE A noise filter of the present invention will be described in the order of manufacturing steps. As shown in the sectional view of FIG. 1, (1) an insulating substrate 1 made of glass, synthetic resin or the like is prepared, and (2) the insulating substrate 1 First layer aluminum film 2 on top
Is formed by vapor deposition or sputtering, and (3) the aluminum film 2 of the first layer is etched by a photo-etching method, and as shown in FIG. A first aluminum electrode 21 that corresponds to the lower half turn of the parallel outer coil of the strip and a terminal electrode 23 are formed.

【0011】(4) 外側コイルの下半ターンのアルミニュ
ーム電極21の端部をレジストによってマスクした後、陽
極酸化して、外側コイルの下半ターンのアルミニューム
電極21の残余の表面に絶縁性酸化皮膜22を形成して第1
の誘電体層とする。
(4) After the end portion of the lower half-turn aluminum electrode 21 of the outer coil is masked with a resist, it is anodized to insulate the remaining surface of the lower half-turn aluminum electrode 21 of the outer coil. First oxide film 22 is formed
Of the dielectric layer.

【0012】(5) 再度、表面上に第2層のアルミニュー
ム膜3を形成し、 (6) 写真蝕刻法により、第2層のアルミニューム膜3を
蝕刻して、図2(2)に示すように、第1のアルミニュー
ム電極2aの表面上に、両端部が右下がりに半ピッチずれ
た複数条の平行な内側コイルの下半ターンに当たる第2
のアルミニューム電極31を形成する。
(5) The second layer aluminum film 3 is again formed on the surface, and (6) the second layer aluminum film 3 is etched by a photo-etching method, as shown in FIG. As shown, on the surface of the first aluminum electrode 2a, the second half which hits the lower half turn of a plurality of parallel inner coils whose both ends are shifted downward by a half pitch.
The aluminum electrode 31 is formed.

【0013】(7) 外側コイルの下半ターンのアルミニュ
ーム電極21の両端部および内側コイルの下半ターンに当
たる第2のアルミニューム電極31の両端部をレジストに
よってマスクした後、陽極酸化して、内側コイルの下半
ターンのアルミニューム電極31の残余の表面に絶縁性酸
化皮膜32を形成して第2の誘電体層とする。
(7) Both ends of the aluminum electrode 21 in the lower half turn of the outer coil and both ends of the second aluminum electrode 31 corresponding to the lower half turn of the inner coil are masked with a resist, and then anodized. An insulating oxide film 32 is formed on the remaining surface of the aluminum electrode 31 in the lower half turn of the inner coil to form a second dielectric layer.

【0014】(8) 再び、表面上に第3層のアルミニュー
ム膜4を形成し、 (9) 写真蝕刻法により、第3層のアルミニューム膜4を
蝕刻して、図2(3)に示すように、隣接する第2のアル
ミニューム電極31を跨がるように、その表面上に、両端
部が左下がりに半ピッチずれた複数条の平行な内側コイ
ルの上半ターンに当たる第3のアルミニューム電極41
と、端子電極43、44を形成する。このとき、第2のアル
ミニューム電極31の下半ターン分と第3のアルミニュー
ム電極41の上半ターン分とにより偏平な内側コイルが形
成される。
(8) Again, the third layer aluminum film 4 is formed on the surface, and (9) the third layer aluminum film 4 is etched by the photoetching method, as shown in FIG. As shown, on the surface of the second aluminum electrode 31 so as to straddle the adjacent second aluminum electrode 31, both ends are offset by a half pitch to the lower left. Aluminum electrode 41
And terminal electrodes 43 and 44 are formed. At this time, a flat inner coil is formed by the lower half turn of the second aluminum electrode 31 and the upper half turn of the third aluminum electrode 41.

【0015】(10) 外側コイルの下半ターンのアルミニ
ューム電極21の端部および内側コイルの上半ターンに当
たる第3のアルミニューム電極41の端子電極43、44をレ
ジストによってマスクした後、陽極酸化して、内側コイ
ルの上半ターンのアルミニューム電極41の表面に絶縁性
酸化皮膜42を形成して第3の誘電体層とする。 (11) その表面上に第4層のアルミニューム膜5を形成
し、 (12) 写真蝕刻法により、第4層のアルミニューム膜5
を蝕刻して、図2(4)に示すように、第3のアルミニュ
ーム電極41の表面上に、両端部が左下がりに半ピッチず
れた複数条の平行な外側コイルの上半ターンに当たる第
4のアルミニューム電極51と、外側コイルの端子電極☆
とを形成する。このとき、第1のアルミニューム電極21
の下半ターン分と第4のアルミニューム電極51の上半タ
ーン分とにより偏平な外側コイルが形成され、外側コイ
ルの両端は、外側コイルの端子電極23、52となる。
(10) After masking the ends of the aluminum electrode 21 in the lower half turn of the outer coil and the terminal electrodes 43, 44 of the third aluminum electrode 41 corresponding to the upper half turn of the inner coil with resist, anodization Then, an insulating oxide film 42 is formed on the surface of the aluminum electrode 41 in the upper half turn of the inner coil to form a third dielectric layer. (11) A fourth layer aluminum film 5 is formed on the surface, and (12) a fourth layer aluminum film 5 is formed by photoetching.
As shown in FIG. 2 (4), the upper surface of the third aluminum electrode 41 is exposed to the upper half turn of a plurality of parallel outer coils whose left ends are shifted downward by a half pitch. 4 aluminum electrode 51 and outer coil terminal electrode ☆
To form. At this time, the first aluminum electrode 21
The lower half turn and the upper half turn of the fourth aluminum electrode 51 form a flat outer coil, and both ends of the outer coil serve as the terminal electrodes 23 and 52 of the outer coil.

【0016】このような一連の工程を経て、絶縁基板1
上に、コイルのピッチが重なり合った第3の誘電体層を
巻芯とする偏平な内側コイルおよび外側コイルよりなる
ノイズ・フィルタを形成することができる。そして、露
出した両コイルの両端部を端子電極とする。
Through the series of steps described above, the insulating substrate 1
A noise filter including a flat inner coil and a flat outer coil having a third dielectric layer having coil pitches overlapping each other as a winding core can be formed on the upper portion. Then, both exposed ends of both coils are used as terminal electrodes.

【0017】各コイルのアルミニューム電極21、31、4
1、51は、膜厚および幅に応じた抵抗を有しており、各
アルミニューム電極21、31、41、51の厚みおよび/また
は幅を変えて抵抗を調整することにより、疑似的な分布
定数回路のQを調整することができる。
Aluminum electrodes 21, 31, 4 of each coil
1 and 51 have a resistance according to the film thickness and width, and by adjusting the resistance by changing the thickness and / or width of each aluminum electrode 21, 31, 41, 51, a pseudo distribution The Q of the constant circuit can be adjusted.

【0018】Qが高い場合には、減衰特性において特定
周波数に急峻な減衰または共振点をもつが、Qが低い場
合には、広い周波数帯域にわたって一様な減衰特定を得
ることができるので、アルミニューム電極の長さ、厚
み、幅および誘電体層(絶縁性酸化皮膜)の厚みなどを
選択することにより、所望の減衰特定のノイズ・フィル
タを得ることができる。
When Q is high, the attenuation characteristic has a sharp attenuation or resonance point at a specific frequency, but when Q is low, uniform attenuation can be obtained over a wide frequency band. By selecting the length, thickness and width of the Num electrode and the thickness of the dielectric layer (insulating oxide film), a desired attenuation-specific noise filter can be obtained.

【0019】2つのコイルのアルミニューム電極間の容
量が大き過ぎる場合には、いずれか一方のアルミニュー
ム電極の長さを、他方のものより短くするか、幅を狭く
すればよいのである。
If the capacitance between the aluminum electrodes of the two coils is too large, the length of either one of the aluminum electrodes may be made shorter or narrower than the other.

【0020】最後に、絶縁基板1を素子単位に分割し
て、各端子電極にボンディングしてコーティングするか
パッケージに収める。
Finally, the insulating substrate 1 is divided into element units, and each terminal electrode is bonded and coated or packaged.

【0021】このように構成されたノイズ・フィルタ素
子を使用する際には、端子電極を介して、内側のコイル
の1端を基準電位点に接続、例えば接地し、外側のコイ
ルを伝送信号通過回路に直列に挿入すると、外側のコイ
ルは、交流的に接地された内側のコイルの存在により、
分布定数的な回路を形成して、高い周波数のノイズの伝
搬を阻止することができる。
When using the noise filter element thus constructed, one end of the inner coil is connected to the reference potential point via the terminal electrode, for example, grounded, and the outer coil passes the transmission signal. When inserted in series in the circuit, the outer coil is
A distributed constant circuit can be formed to prevent the propagation of high frequency noise.

【0022】(第2実施例)内側のコイルおよび外側の
コイルの幅を部分的に広げて対向させ、いずれか一方の
コイル短くし、他方のコイルを細長く形成して、幅を広
げた部分で形成される静電容量の大きい疑似的な分布定
数回路と、細長いコイルのインダクタンスの集中定数回
路との直列回路よりなるハイブリッド回路を形成する。
(Second Embodiment) The inner coil and the outer coil are partially widened to face each other, one of the coils is shortened, and the other coil is formed elongated so that the widened portion is formed. A hybrid circuit is formed which is a series circuit of a pseudo distributed constant circuit having a large electrostatic capacity and a lumped constant circuit of the inductance of an elongated coil.

【0023】(第3実施例)図3の平面図に示すよう
に、内側のコイルAと外側のコイルBとの重なり状態を
ずらせて、内側のコイルAの隣接する電極を跨がるよう
に外側のコイルBの両側部を重ね合わせ、端子電極43、
23、52を形成する。
(Third Embodiment) As shown in the plan view of FIG. 3, the inner coil A and the outer coil B are displaced from each other so as to straddle adjacent electrodes of the inner coil A. Both sides of the outer coil B are overlapped, and the terminal electrode 43,
23 and 52 are formed.

【0024】(第4実施例)以上で説明した第3実施例
においては、内側のコイルAの隣接する両電極上に跨が
って外側のコイルBの両側部が重なるように形成してい
るが、外側のコイルBの電極の片側部だけ、すなわち、
少なくとも一部分が重なるように形成して、2つのコイ
ルA、Bの電極間の結合状態を変えてもよいのである。
(Fourth Embodiment) In the third embodiment described above, both side portions of the outer coil B are formed so as to extend over both adjacent electrodes of the inner coil A. But only on one side of the outer coil B electrode, ie
At least a part of the coils may be formed so as to overlap with each other, and the coupling state between the electrodes of the two coils A and B may be changed.

【0025】(第5実施例)第3実施例においては、内
側のコイルAの隣接する両電極上に跨がって外側のコイ
ルBの両側部が重なるように形成しているが、図4の平
面図に示すように、第1のコイルAの隣接する電極の間
に第2のコイルBを形成し、端子電極23、52、43、44を
設けて、2つのコイルA、Bをバイファイラ巻に構成し
てもよいのである。この場合、2つのコイル間の静電容
量を小さくすることができる。
(Fifth Embodiment) In the third embodiment, both side portions of the outer coil B are formed so as to extend over both adjacent electrodes of the inner coil A, but FIG. As shown in the plan view of FIG. 2, the second coil B is formed between the adjacent electrodes of the first coil A, the terminal electrodes 23, 52, 43 and 44 are provided to connect the two coils A and B to the bifilar. It may be configured in a roll. In this case, the capacitance between the two coils can be reduced.

【0026】(第6実施例)既に集積回路を形成したシ
リコン・ウエハの表面上に、ノイズ・フィルタを立体的
に形成する際には、既に集積回路を形成したシリコン・
ウエハの上に、化学気相法によりシリコン酸化膜を形成
し、このシリコン酸化膜の上に、上記各実施例で説明し
た工程を経て、ノイズ・フィルタを形成する。
(Sixth Embodiment) When a noise filter is three-dimensionally formed on the surface of a silicon wafer on which an integrated circuit is already formed, a silicon on which an integrated circuit is already formed is formed.
A silicon oxide film is formed on the wafer by a chemical vapor deposition method, and a noise filter is formed on the silicon oxide film through the steps described in the above embodiments.

【0027】このように、ノイズ・フィルタを立体的に
形成すると、シリコン・ウエハの面積を有効利用するこ
とができる。
When the noise filter is three-dimensionally formed in this manner, the area of the silicon wafer can be effectively used.

【0028】(第7実施例)以上で説明した各実施例に
おいては、2つのコイルを形成する金属電極21,51また
は31、41は、それぞれ1層づつ形成されているが、シリ
コン酸化膜などの絶縁層を介在させ、その層間で接続し
て複数層形成することにより、インダクタンスおよび/
または静電容量を増加することができる。
(Seventh Embodiment) In each of the above-described embodiments, the metal electrodes 21, 51 or 31, 41 forming the two coils are formed one layer each, but a silicon oxide film or the like is used. Insulation layer of
Alternatively, the capacitance can be increased.

【0029】(その他の実施例)この発明のノイズ・フ
ィルタは、単一の素子をケースに収めて1つの部品とし
て使用することもできるが、印刷配線基板やICカード
などの絶縁基板上に形成される他の回路の一部としてノ
イズ・フィルタを形成し、電源回路や伝送信号通過回路
に接続して使用することができる。
(Other Embodiments) The noise filter of the present invention can be used as one component by housing a single element in a case, but it is formed on an insulating substrate such as a printed wiring board or an IC card. A noise filter can be formed as a part of the other circuits to be used and connected to a power supply circuit or a transmission signal passing circuit.

【0030】また、絶縁基板に複数個のノイズ・フィル
タを形成し、単一のケースに収めることにより、単一部
品によって、複数ビットの伝送信号より発生するノイズ
の伝搬を阻止することができる。
Further, by forming a plurality of noise filters on the insulating substrate and housing them in a single case, it is possible to prevent the propagation of noise generated by a transmission signal of a plurality of bits by a single component.

【0031】2つのコイルの間に介在する誘電体層42の
静電気による破壊を防止するためには、金属電極間に放
電ギャップを設けたり、複数の直列接続されたダイオー
ドを接続してその順方向の閾値電圧以下で動作させた
り、ツェナー・ダイオードを接続すればよいのである。
In order to prevent the dielectric layer 42 interposed between the two coils from being destroyed by static electricity, a discharge gap is provided between the metal electrodes, or a plurality of diodes connected in series are connected to form a forward direction. It is sufficient to operate below the threshold voltage or to connect a Zener diode.

【0032】以上の実施例においては、両コイルの電極
としてアルミニュームを使用しているが、他の導電性材
料を使用してもよく、また、アルミニュームの酸化膜を
誘電体として使用しているが、窒化膜を誘電体材料を使
用してもよいのである。
Although aluminum is used as the electrodes of both coils in the above embodiments, other conductive materials may be used, and an aluminum oxide film may be used as a dielectric. However, the nitride film may be made of a dielectric material.

【0033】高純度の半導体基板、例えば、高純度のシ
リコン・ウエハは、そのバルク抵抗が、コイルを形成す
る金属電極21、31、41、51などの金属導電体に比して極
めて高く、絶縁基板として充分使用することができる。
なお、シリコン・ウエハの表面にSiO2などの絶縁皮膜
を形成してから、絶縁基板として使用してもよい。
A high-purity semiconductor substrate, for example, a high-purity silicon wafer, has a bulk resistance extremely higher than that of metal conductors such as metal electrodes 21, 31, 41, 51 forming a coil, and is highly insulated. It can be sufficiently used as a substrate.
Incidentally, an insulating film such as SiO 2 may be formed on the surface of the silicon wafer and then used as an insulating substrate.

【0034】この発明のノイズ・フィルタは、シリコン
・ウエハを絶縁基板として構成すると、従来から使用さ
れている集積回路の製造装置によって製造し、検査し、
パッケージングすることが可能になり、新たな設備を設
ける必要はないのである。
The noise filter of the present invention, when a silicon wafer is used as an insulating substrate, is manufactured and inspected by a conventionally used integrated circuit manufacturing apparatus.
It becomes possible to package it, and there is no need to install new equipment.

【0035】[0035]

【発明の効果】以上の実施例に基づく説明から明らかな
ように、この発明のノイズ・フィルタによると、集積回
路の製造技術と類似な技術によって製造することができ
るので、小型化が容易であり、大量生産に適し、廉価に
製造することが可能であり、また、所望の減衰特性を得
ることが容易である。
As is apparent from the description based on the above embodiments, the noise filter of the present invention can be manufactured by a technique similar to the manufacturing technique of an integrated circuit, and therefore can be easily miniaturized. It is suitable for mass production, can be manufactured at low cost, and can easily obtain desired damping characteristics.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】この発明のノイズ・フィルタの一実施例を製造
工程順に示した断面図、
FIG. 1 is a sectional view showing an embodiment of a noise filter of the present invention in the order of manufacturing steps,

【図2】図1に示すノイズ・フィルタの製造工程順の平
面図、
2 is a plan view of the noise filter shown in FIG. 1 in the order of manufacturing steps;

【図3】この発明のノイズ・フィルタの他の実施例を示
す平面図、
FIG. 3 is a plan view showing another embodiment of the noise filter of the present invention,

【図4】この発明のノイズ・フィルタのさらに他の実施
例を示す平面図、
FIG. 4 is a plan view showing still another embodiment of the noise filter according to the present invention,

【図5】従来のノイズ・フィルタの一例を示す(a)表面
図、(b)側面図、(c)裏面図、
FIG. 5A is a front view showing an example of a conventional noise filter, FIG. 5B is a side view, FIG.

【図6】従来のノイズ・フィルタの等価回路図である。FIG. 6 is an equivalent circuit diagram of a conventional noise filter.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 絶縁基板 22、32、41 絶縁酸化皮膜 21、51 外側のコイル電極 31、41 内側のコイル電極 23、52 外側のコイル電極の端子電極 43、44 外側のコイル電極の端子電極 1 Insulating substrate 22, 32, 41 Insulating oxide film 21, 51 Outside coil electrode 31, 41 Inside coil electrode 23, 52 Outside coil electrode terminal electrode 43, 44 Outside coil electrode terminal electrode

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 絶縁基板表面に、外側コイルの下半ター
ンの金属電極を形成し、 上記外側コイルの下半ターンの金属電極表面を酸化また
は窒化させた誘電体層を介して内側コイルの下半ターン
の金属電極を形成し、 上記内側コイルの下半ターンの金属電極表面を酸化また
は窒化させた誘電体層を介して内側コイルの上半ターン
の金属電極を形成し、 内側コイルの上半ターンの金属電極表面を酸化または窒
化させた誘電体層を介して外側コイルの上半ターンの金
属電極を形成したことを特徴とするノイズ・フィルタ。
1. A lower half-turn metal electrode of the outer coil is formed on the surface of the insulating substrate, and the lower half-turn metal electrode surface of the outer coil is oxidized or nitrided to form a metal layer under the inner coil. A metal electrode with a half turn is formed, and a metal electrode with an upper half turn of the inner coil is formed through a dielectric layer obtained by oxidizing or nitriding the surface of the metal electrode of the lower half turn of the inner coil. A noise filter characterized in that a metal electrode of the upper half turn of the outer coil is formed through a dielectric layer obtained by oxidizing or nitriding the surface of the metal electrode of the turn.
【請求項2】 絶縁基板の表面に、第1コイルの下半タ
ーンと第2コイルの下半ターンとの金属電極を交互に形
成し、 上記第1および第2コイルの下半ターンの金属電極表面
を酸化または窒化させた誘電体層を介して、第1コイル
の上半ターンと第2コイルの上半ターンとの金属電極を
交互にを形成し、 上記第1コイルおよび第2コイルをバイファイラ巻に形
成したことを特徴とするノイズ・フィルタ。
2. A metal electrode of the lower half turns of the first coil and the lower half turn of the second coil is alternately formed on the surface of the insulating substrate, and the metal electrode of the lower half turns of the first and second coils is formed. Metal electrodes of the upper half turn of the first coil and the upper half turn of the second coil are alternately formed through a dielectric layer whose surface is oxidized or nitrided, and the first coil and the second coil are bifilar. A noise filter characterized by being formed into a winding.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017504969A (en) * 2014-01-14 2017-02-09 クアルコム,インコーポレイテッド Nested glass through via transformer

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