JPH0737538A - Compound charged particle beam device - Google Patents
Compound charged particle beam deviceInfo
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- JPH0737538A JPH0737538A JP5177752A JP17775293A JPH0737538A JP H0737538 A JPH0737538 A JP H0737538A JP 5177752 A JP5177752 A JP 5177752A JP 17775293 A JP17775293 A JP 17775293A JP H0737538 A JPH0737538 A JP H0737538A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、同一試料に対して電子
ビームとイオンビームとを照射し、加工や観察を行うよ
うにした複合荷電粒子ビーム装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a composite charged particle beam device for irradiating a same sample with an electron beam and an ion beam for processing and observation.
【０００２】[0002]
【従来の技術】近年、電子ビームのカラムとイオンビー
ムのカラムとを同一の試料室上に設けた複合荷電粒子ビ
ーム装置が開発されている。この装置では、イオンビー
ムのカラムにおいて発生したイオンビームを試料の特定
領域に照射して加工し、この加工した領域に電子ビーム
のカラムにおいて発生した電子ビームを走査し、電子ビ
ームの走査に応じて発生した２次電子などを検出するこ
とにより、走査像を得るようにしている。2. Description of the Related Art In recent years, a composite charged particle beam apparatus has been developed in which an electron beam column and an ion beam column are provided on the same sample chamber. In this device, an ion beam generated in an ion beam column is irradiated onto a specific region of a sample to be processed, and the processed region is scanned with an electron beam generated in an electron beam column, and the region is processed according to the scanning of the electron beam. A scanning image is obtained by detecting the generated secondary electrons and the like.
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする課題】図１は試料面に対する
イオンビームと電子ビームの照射の様子を示しており、
試料の基準面Ｓ１に対して、イオンビームＩＢ１と電子
ビームＥＢ１とは試料の同一位置Ｐ１に照射されるよう
に調整されていると共に、位置Ｐ１において焦点が合わ
されている。この状態で試料を水平移動（図中左右方向
に移動）させると、試料には反りや傾斜があるため、試
料表面の高さは変化する。その結果、所定距離試料を水
平移動させると、例えば、試料面は図中Ｓ２のように基
準の試料面Ｓ１からずれてしまう。このような試料面の
高さ変化は、試料の反りや傾斜だけではなく、透過電子
顕微鏡試料などの特殊な試料の場合にも生ずる。FIG. 1 shows a state of irradiation of an ion beam and an electron beam on a sample surface,
The ion beam IB 1 and the electron beam EB 1 are adjusted so as to irradiate the same position P 1 of the sample with respect to the reference plane S 1 of the sample, and are focused at the position P 1 . When the sample is moved horizontally (moved in the left-right direction in the figure) in this state, the height of the sample surface changes because the sample has a warp or an inclination. As a result, when the sample is horizontally moved by a predetermined distance, for example, the sample surface deviates from the reference sample surface S 1 as indicated by S 2 in the drawing. Such a change in the height of the sample surface occurs not only in the case of warpage or inclination of the sample but also in the case of a special sample such as a transmission electron microscope sample.
【０００４】試料表面の高さが変化すると、試料位置Ｓ
２の観察に対し、イオンビームは試料高さに応じて焦点
調整を行わねばならず、この焦点合わせを行うことによ
ってイオンビームはＩＢ２のように調整される。また、
電子ビームは、斜めに試料位置Ｓ２に照射する必要性か
ら、試料面高さが変化すると、電子ビームのアライメン
トの調整を行うと共に、焦点調整を行わねばならない。
この電子ビームのアライメントと焦点調整を実行した後
の電子ビームの経路をＥＢ２として図に示した。このよ
うに、２つの光学系を有したシステムでは、試料の移動
に伴って両方の光学系の調整を実行しなければならな
ず、面倒な作業や機能が必要となる。When the height of the sample surface changes, the sample position S
For the observation No. 2 , the focus of the ion beam must be adjusted according to the sample height, and the ion beam is adjusted like IB 2 by performing this focus adjustment. Also,
Since it is necessary to irradiate the sample position S 2 obliquely with the electron beam, when the height of the sample surface changes, the alignment of the electron beam and the focus must be adjusted.
The path of the electron beam after the alignment and focus adjustment of the electron beam is shown as EB 2 . As described above, in a system having two optical systems, it is necessary to adjust both optical systems as the sample moves, which requires troublesome work and functions.
【０００５】本発明は、このような点に鑑みてなされた
もので、その目的は、試料の移動に伴う２つの光学系の
調整を簡単に行うことができる複合荷電粒子ビーム装置
を実現するにある。The present invention has been made in view of the above points, and an object thereof is to realize a composite charged particle beam apparatus capable of easily adjusting two optical systems accompanying movement of a sample. is there.
【０００６】[0006]
【課題を解決するための手段】請求項１の発明に基づく
複合荷電粒子ビーム装置は、イオン源と、イオン源から
のイオンビームを試料上に細く集束するためのイオンビ
ーム集束手段と、イオンビームを偏向するためのイオン
ビーム偏向手段と、電子源と、電子源からの電子ビーム
を試料上に細く集束するための電子ビーム集束手段と、
電子ビームを偏向するための電子ビーム偏向手段と、一
方のビームの焦点合わせ用の集束手段の調整量に応じ
て、他方のビームの偏向手段を調整し、他方のビームの
アライメント調整を行う制御手段とを備えたことを特徴
としている。According to a first aspect of the present invention, there is provided a combined charged particle beam device, an ion source, an ion beam focusing means for finely focusing an ion beam from the ion source onto a sample, and an ion beam. An ion beam deflection means for deflecting the electron beam, an electron source, and an electron beam focusing means for narrowly focusing the electron beam from the electron source on the sample,
Control means for adjusting the deflection means of the other beam and adjusting the alignment of the other beam according to the adjustment amounts of the electron beam deflecting means for deflecting the electron beam and the focusing means for focusing one beam. It is characterized by having and.
【０００７】請求項２の発明に基づく複合荷電粒子ビー
ム装置は、イオン源と、イオン源からのイオンビームを
試料上に細く集束するためのイオンビーム集束手段と、
イオンビームを偏向するためのイオンビーム偏向手段
と、電子源と、電子源からの電子ビームを試料上に細く
集束するための電子ビーム集束手段と、電子ビームを偏
向するための電子ビーム偏向手段と、一方のビームの焦
点合わせ用の集束手段の調整量に応じて、他方のビーム
の集束手段を調整し、他方のビームの焦点合わせを行う
制御手段とを備えたことを特徴としている。A composite charged particle beam system according to a second aspect of the present invention comprises an ion source, and an ion beam focusing means for narrowly focusing the ion beam from the ion source onto a sample.
Ion beam deflecting means for deflecting the ion beam, electron source, electron beam focusing means for focusing the electron beam from the electron source on the sample finely, and electron beam deflecting means for deflecting the electron beam A control means for adjusting the focusing means of the other beam and focusing the other beam according to the adjustment amount of the focusing means for focusing one beam.
【０００８】[0008]
【作用】本発明に基づく複合荷電粒子ビーム装置は、一
方のビームの焦点合わせ用の集束レンズの調整量に応じ
て、他方のビームの偏向手段や集束手段を調整し、他方
のビームのアライメント調整や焦点合わせを自動的に行
う。The composite charged particle beam system according to the present invention adjusts the deflection means and the focusing means of the other beam according to the adjustment amount of the focusing lens for focusing one beam, and the alignment adjustment of the other beam. And focus automatically.
【０００９】[0009]
【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細
に説明する。図２は、本発明の一実施例を示しており、
この図では、半導体デバイスなどの試料をイオンビーム
で削り、削った試料部分で電子ビームを走査し、走査に
基づいて得られた信号により２次電子像などを表示する
ようにした複合荷電粒子ビーム加工観察装置が示されて
いる。この図で、試料室１内には観察すべき試料２が配
置される。試料室１上には、イオンビーム照射カラム３
と電子ビーム照射カラム４とが設けられている。Embodiments of the present invention will now be described in detail with reference to the drawings. FIG. 2 shows an embodiment of the present invention,
In this figure, a sample such as a semiconductor device is shaved with an ion beam, the shaved sample portion is scanned with an electron beam, and a secondary electron image or the like is displayed by a signal obtained based on the scanning. A processing observation device is shown. In this figure, a sample 2 to be observed is arranged in the sample chamber 1. An ion beam irradiation column 3 is provided on the sample chamber 1.
And an electron beam irradiation column 4 are provided.
【００１０】イオンビーム照射カラム３内には、イオン
源５、イオン源５から電子を引き出すための引き出し電
極６、加速電極７、集束レンズ８、ビームブランキング
電極９、アパーチャ１０、ビーム偏向電極１１、対物レ
ンズ１２が含まれている。また、電子ビーム照射カラム
４内には、電子源１３、電子源１３からイオンを引き出
すための引き出し電極１４、アノード１５、集束レンズ
１６、ビームブランキング電極１７、アパーチャ１８、
ビーム偏向電極１９、対物レンズ２０が含まれている。
さらに、試料室１には試料２から発生した２次電子を検
出するための２次電子検出器２１が設けられている。In the ion beam irradiation column 3, an ion source 5, an extraction electrode 6 for extracting electrons from the ion source 5, an acceleration electrode 7, a focusing lens 8, a beam blanking electrode 9, an aperture 10 and a beam deflection electrode 11 are provided. , Objective lens 12 is included. In the electron beam irradiation column 4, an electron source 13, an extraction electrode 14 for extracting ions from the electron source 13, an anode 15, a focusing lens 16, a beam blanking electrode 17, an aperture 18,
A beam deflection electrode 19 and an objective lens 20 are included.
Further, the sample chamber 1 is provided with a secondary electron detector 21 for detecting secondary electrons generated from the sample 2.
【００１１】２２はイオンビームの焦点合わせ制御回路
であり、この制御回路２２からの信号に基づいてイオン
ビームの対物レンズ１２が制御され、イオンビームの焦
点合わせが行われる。また、２３は電子ビームの焦点合
わせ制御回路であり、この制御回路２３からの信号に基
づいて電子ビームの対物レンズ２０が制御され、電子ビ
ームの焦点合わせが行われる。２４は高さ計算回路であ
り、制御コンピュータ２５からの信号と焦点合わせ制御
回路２２からの信号に基づいて試料２の高さの計算を行
う。２６は電子ビームのアライメント回路であり、この
アライメント回路２６からの信号は電子ビーム偏向電極
１９に供給される。このような構成における動作を次に
説明する。Reference numeral 22 denotes an ion beam focusing control circuit. The ion beam objective lens 12 is controlled based on a signal from the control circuit 22 to focus the ion beam. Reference numeral 23 denotes an electron beam focusing control circuit. The electron beam objective lens 20 is controlled based on a signal from the control circuit 23 to focus the electron beam. A height calculation circuit 24 calculates the height of the sample 2 based on the signal from the control computer 25 and the signal from the focusing control circuit 22. Reference numeral 26 is an electron beam alignment circuit, and a signal from this alignment circuit 26 is supplied to the electron beam deflection electrode 19. The operation in such a configuration will be described below.
【００１２】まず、通常のイオンビームによる試料の加
工と電子ビームによる像観察の動作を説明する。試料室
１内の試料２に対し、イオンビーム照射カラム３からイ
オンビームが照射される。すなわち、イオン源５から引
き出し電極６によってイオンが引き出され、そのイオン
は加速電極７によって加速される。そして、加速された
イオンは集束レンズ８、対物レンズ１２によって試料２
上に細く集束される。試料２におけるイオンビームの照
射位置は、ビーム偏向電極１１に走査信号を供給するこ
とによって走査され、その結果、試料の所望部分がイオ
ンビームによって切削加工される。First, the operations of processing a sample with a normal ion beam and observing an image with an electron beam will be described. The sample 2 in the sample chamber 1 is irradiated with an ion beam from the ion beam irradiation column 3. That is, ions are extracted from the ion source 5 by the extraction electrode 6, and the ions are accelerated by the acceleration electrode 7. Then, the accelerated ions are collected by the focusing lens 8 and the objective lens 12 into the sample 2
Finely focused on top. The irradiation position of the ion beam on the sample 2 is scanned by supplying a scanning signal to the beam deflection electrode 11, and as a result, a desired portion of the sample is cut by the ion beam.
【００１３】この加工によって試料の所望部分の断面が
現れることになり、次いでこの断面部分に電子ビーム照
射カラム４からの電子ビームが照射される。この電子ビ
ームが照射される際には、イオンビームはビームブラン
キング電極９へのブランキング信号の供給により偏向さ
れ、アパーチャ１０に照射されることから試料２へのイ
オンビームの照射は停止される。By this processing, a cross section of a desired portion of the sample appears, and then this cross section is irradiated with the electron beam from the electron beam irradiation column 4. When the electron beam is irradiated, the ion beam is deflected by supplying a blanking signal to the beam blanking electrode 9 and is irradiated on the aperture 10, so that the irradiation of the sample 2 with the ion beam is stopped. .
【００１４】電子ビーム照射カラム４においては、電子
源１３から引き出し電極１４によって電子が引き出さ
れ、その電子は加速電極７によって加速される。そし
て、加速された電子は集束レンズ１６、対物レンズ２０
によって試料２上に細く集束される。試料２における電
子ビームの照射位置は、ビーム偏向電極１９に走査信号
を供給することによって走査され、その結果、イオンビ
ームによって削られ、露出された試料部分で２次元的に
走査される。In the electron beam irradiation column 4, electrons are extracted from the electron source 13 by the extraction electrode 14, and the electrons are accelerated by the acceleration electrode 7. Then, the accelerated electrons are focused by the focusing lens 16 and the objective lens 20.
It is focused on the sample 2 in a thin manner. The irradiation position of the electron beam on the sample 2 is scanned by supplying a scanning signal to the beam deflecting electrode 19, and as a result, the sample portion exposed by the ion beam is two-dimensionally scanned.
【００１５】電子ビームの走査に伴って試料から発生し
た２次電子は、２次電子検出器２１によって検出され
る。この検出器２１の検出信号は図示していないが、電
子ビームの走査信号が供給されている陰極線管に供給さ
れ、その陰極線管上に試料の断面の２次電子像が表示さ
れる。Secondary electrons generated from the sample as the electron beam is scanned are detected by the secondary electron detector 21. Although not shown, the detection signal of the detector 21 is supplied to a cathode ray tube to which an electron beam scanning signal is supplied, and a secondary electron image of the cross section of the sample is displayed on the cathode ray tube.
【００１６】さて、ここで、試料２の別の部分の加工や
観察を行う場合には、試料２を図示していない駆動機構
で水平方向に移動させる。この移動に伴って、試料２の
表面の高さが変化するので、まず、イオンビームの焦点
合わせを行う。この焦点合わせは、焦点合わせ制御回路
２２を調整することによって行うが、この調整は手動で
行っても良く、あるいは、既知の自動的な焦点合わせ機
能を働かせることによっても行うことができる。この調
整によってイオンビームは焦点のあった状態で試料２に
照射される。Now, when processing or observing another portion of the sample 2, the sample 2 is moved in the horizontal direction by a driving mechanism (not shown). Since the height of the surface of the sample 2 changes with this movement, the ion beam is first focused. This focusing is done by adjusting the focus control circuit 22, but this adjustment may be done manually or by activating a known automatic focusing function. By this adjustment, the ion beam is applied to the sample 2 in a focused state.
【００１７】この実施例では、焦点合わせ制御回路２２
における焦点合わせ用の信号が高さ計算回路２４に供給
される。高さ計算回路２４には更に制御コンピュータ２
５から試料の基準高さにおける焦点合わせ信号も供給さ
れており、この両信号に基づいて高さ計算回路２４は試
料２の表面の高さ変化量を演算して求める。In this embodiment, the focusing control circuit 22
The signal for focusing at is supplied to the height calculation circuit 24. The height calculation circuit 24 further includes a control computer 2
A focusing signal at the reference height of the sample is also supplied from 5, and the height calculation circuit 24 calculates the height change amount of the surface of the sample 2 based on these signals.
【００１８】高さ計算回路２４で求めた高さ変化量は、
電子ビームのアライメント回路２６に供給される。この
アライメント回路２６では、高さ変化量に基づいて、試
料上のイオンビームの照射位置に電子ビームの照射位置
を一致させるための偏向信号（アライメント信号）を作
成する。アライメント回路２６で作成されたアライメン
ト信号は、電子ビームの偏向電極１９に供給され、電子
ビームはアライメントされる。なお、この偏向電極１９
は便宜上一対の電極としたが、実際には、Ｘ，Ｙ方向の
アライメントを行うため、２対の電極がある。また、電
子ビームの走査のためとアライメントのために単一の偏
向電極１９を用意したが、実際には走査用の電極とアラ
イメント用の電極とは別々に用意することが望ましい。The height change amount calculated by the height calculation circuit 24 is
It is supplied to the electron beam alignment circuit 26. The alignment circuit 26 creates a deflection signal (alignment signal) for matching the irradiation position of the electron beam with the irradiation position of the ion beam on the sample based on the height change amount. The alignment signal created by the alignment circuit 26 is supplied to the deflection electrode 19 of the electron beam, and the electron beam is aligned. The deflection electrode 19
Is a pair of electrodes for convenience, but in reality, there are two pairs of electrodes in order to perform alignment in the X and Y directions. Further, although the single deflection electrode 19 is prepared for the scanning of the electron beam and the alignment, it is actually preferable to prepare the scanning electrode and the alignment electrode separately.
【００１９】高さ計算回路２４で求めた高さ変化量は、
更に、電子ビームの焦点合わせ制御回路２３にも供給さ
れる。電子ビームの焦点合わせ制御回路２３は、この高
さ変化量に基づき、電子ビームの焦点合わせ信号を作成
し、電子ビームの対物レンズ２０に供給する。その結
果、試料面に正確に焦点合わせが行われた電子ビームが
照射される。The height change amount obtained by the height calculation circuit 24 is
Further, the electron beam focusing control circuit 23 is also supplied. The electron beam focusing control circuit 23 creates an electron beam focusing signal based on this height change amount and supplies it to the electron beam objective lens 20. As a result, the electron beam that is accurately focused on the sample surface is irradiated.
【００２０】以上本発明の実施例を説明したが、本発明
はこの実施例に限定されない。例えば、前記実施例にお
いては、イオンビームの照射位置に電子ビームの照射位
置を一致させるための偏向信号（アライメント信号）を
走査用の電子ビームの偏向電極１９に供給するようにし
たが、該走査用の電子ビームの偏向電極に供給する代わ
りに、アライメント専用の偏向電極を別に設けて該電極
に供給するように成しても良いし、前記実施例で示され
ているような走査型の電子ビーム装置には、通常イメー
ジシフトコイルが備えられているので、該イメージシフ
トコイルに供給するように成しても良い。Although the embodiment of the present invention has been described above, the present invention is not limited to this embodiment. For example, in the above embodiment, a deflection signal (alignment signal) for matching the irradiation position of the electron beam with the irradiation position of the ion beam is supplied to the deflection electrode 19 of the scanning electron beam. Instead of supplying the deflection electron beam to the deflection electrode for the scanning electron beam, a deflection electrode dedicated to alignment may be separately provided and supplied to the electrode, or the scanning type electron beam as shown in the above embodiment. Since the beam device is usually provided with an image shift coil, the beam device may be supplied to the image shift coil.
【００２１】また、イオンビームの焦点を調整して試料
面の高さ変化量を求め、その高さ変化量に基づいて電子
ビームのアライメントや焦点合わせを自動的に行うよう
にしたが、逆に、電子ビームの焦点を合わせ、それによ
って試料面の高さ変化量を求め、その高さ変化量に基づ
いてイオンビームのアライメントや焦点を合わせるよう
に構成しても良い。また、対物レンズによって焦点合わ
せを行うようにしたが、対物レンズの補助レンズを設
け、この補助レンズによって焦点合わせを行うようにし
ても良い。Further, the focus of the ion beam is adjusted to obtain the height change amount of the sample surface, and the electron beam alignment and focusing are automatically performed based on the height change amount. Alternatively, the electron beam may be focused, the height change amount of the sample surface may be obtained, and the ion beam may be aligned or focused based on the height change amount. Further, although the objective lens is used for focusing, an auxiliary lens for the objective lens may be provided and the auxiliary lens may be used for focusing.
【００２２】更に、イオンビームで加工を行い、電子ビ
ームにより像観察を行う例を説明したが、イオンビーム
を用いて像の観察を行う場合にも本発明を適用すること
ができる。更にまた、像観察のために２次電子を検出し
たが、反射電子を検出しても、２次イオンや反射イオン
を検出するようにしても良い。Further, an example has been described in which processing is performed with an ion beam and image observation is performed with an electron beam, but the present invention can also be applied to the case where an image is observed with an ion beam. Furthermore, although the secondary electrons are detected for image observation, the reflected electrons may be detected or the secondary ions or the reflected ions may be detected.
【００２３】[0023]
【発明の効果】以上説明したように、本発明に基づく複
合荷電粒子ビーム装置は、一方のビームの焦点合わせ用
の集束レンズの調整量に応じて、他方のビームの偏向手
段や集束手段を調整し、他方のビームのアライメント調
整や焦点合わせを自動的に行うように構成したので、試
料の移動に伴う２つの光学系の調整を簡単に行うことが
できる。As described above, the composite charged particle beam apparatus according to the present invention adjusts the deflecting means and the focusing means of the other beam according to the adjustment amount of the focusing lens for focusing one beam. However, since the alignment adjustment and the focus adjustment of the other beam are automatically performed, the adjustment of the two optical systems accompanying the movement of the sample can be easily performed.
【図１】試料面に対するイオンビームと電子ビームの照
射の様子を示す図である。FIG. 1 is a diagram showing a state of irradiation of an ion beam and an electron beam on a sample surface.
【図２】本発明の一実施例である複合荷電粒子ビーム装
置を示す図である。FIG. 2 is a diagram showing a composite charged particle beam system according to an embodiment of the present invention.
１ 試料室 ２ 試料 ３ イオンビーム照射カラム ４ 電子ビーム照射カラム １１ イオンビーム偏向電極 １２ イオンビーム対物レンズ １９ 電子ビーム偏向電極 ２０ 電子ビーム対物レンズ ２１ ２次電子検出器 ２２ イオンビームの焦点合わせ制御回路 ２３ 電子ビームの焦点合わせ制御回路 ２４ 高さ計算回路 ２５ 制御コンピュータ ２６ 電子ビームのアライメント回路 1 Sample Chamber 2 Sample 3 Ion Beam Irradiation Column 4 Electron Beam Irradiation Column 11 Ion Beam Deflection Electrode 12 Ion Beam Objective Lens 19 Electron Beam Deflection Electrode 20 Electron Beam Objective Lens 21 Secondary Electron Detector 22 Ion Beam Focusing Control Circuit 23 Electron beam focusing control circuit 24 Height calculation circuit 25 Control computer 26 Electron beam alignment circuit
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｊ 37/28 Ｚ (72)発明者 細田 治 東京都昭島市武蔵野３丁目１番２号 日本 電子株式会社内─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (51) Int.Cl. 6 Identification number Reference number within the agency FI Technical location H01J 37/28 Z (72) Inventor Osamu Hosoda 3-1-2 Musashino, Akishima-shi, Tokyo JEOL Within the corporation
Claims (2)
ムを試料上に細く集束するためのイオンビーム集束手段
と、イオンビームを偏向するためのイオンビーム偏向手
段と、電子源と、電子源からの電子ビームを試料上に細
く集束するための電子ビーム集束手段と、電子ビームを
偏向するための電子ビーム偏向手段と、一方のビームの
焦点合わせ用の集束手段の調整量に応じて、他方のビー
ムの偏向手段を調整し、他方のビームのアライメント調
整を行う制御手段とを備えた複合荷電粒子ビーム装置。1. An ion source, an ion beam focusing means for narrowly focusing an ion beam from the ion source on a sample, an ion beam deflecting means for deflecting the ion beam, an electron source, and an electron source. Electron beam focusing means for narrowly focusing the electron beam on the sample, electron beam deflecting means for deflecting the electron beam, and one of the other depending on the adjustment amount of the focusing means for focusing one beam. A composite charged particle beam apparatus comprising: a control unit that adjusts a beam deflecting unit and performs alignment adjustment of the other beam.
ムを試料上に細く集束するためのイオンビーム集束手段
と、イオンビームを偏向するためのイオンビーム偏向手
段と、電子源と、電子源からの電子ビームを試料上に細
く集束するための電子ビーム集束手段と、電子ビームを
偏向するための電子ビーム偏向手段と、一方のビームの
焦点合わせ用の集束手段の調整量に応じて、他方のビー
ムの集束手段を調整し、他方のビームの焦点合わせを行
う制御手段とを備えた複合荷電粒子ビーム装置。2. An ion source, an ion beam focusing means for narrowly focusing an ion beam from the ion source on a sample, an ion beam deflecting means for deflecting the ion beam, an electron source, and an electron source. Electron beam focusing means for narrowly focusing the electron beam on the sample, electron beam deflecting means for deflecting the electron beam, and one of the other depending on the adjustment amount of the focusing means for focusing one beam. A composite charged particle beam device comprising: a control unit that adjusts a beam focusing unit and focuses the other beam.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05177752A JP3101130B2 (en) | 1993-07-19 | 1993-07-19 | Complex charged particle beam device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05177752A JP3101130B2 (en) | 1993-07-19 | 1993-07-19 | Complex charged particle beam device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0737538A true JPH0737538A (en) | 1995-02-07 |
| JP3101130B2 JP3101130B2 (en) | 2000-10-23 |
Family
ID=16036511
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP05177752A Expired - Fee Related JP3101130B2 (en) | 1993-07-19 | 1993-07-19 | Complex charged particle beam device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3101130B2 (en) |
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