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JPH07334869A - Information recording member - Google Patents

Information recording member

Info

Publication number
JPH07334869A
JPH07334869A JP6127277A JP12727794A JPH07334869A JP H07334869 A JPH07334869 A JP H07334869A JP 6127277 A JP6127277 A JP 6127277A JP 12727794 A JP12727794 A JP 12727794A JP H07334869 A JPH07334869 A JP H07334869A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
recording
thickness
recording film
mark
embedded
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP6127277A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Yasushi Miyauchi
靖 宮内
Motoyasu Terao
元康 寺尾
Akemi Hirotsune
朱美 廣常
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP6127277A priority Critical patent/JPH07334869A/en
Publication of JPH07334869A publication Critical patent/JPH07334869A/en
Pending legal-status Critical Current

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  • Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)

Abstract

PURPOSE:To decrease the crosstalk and to surely reproduce information such as data and address by making the reflectivity from marks of a preformat area and ROM area to be <=5%. CONSTITUTION:A ZnS-SiO2 protective layer 2 of about 90nm thickness is formed on a polycarbonate substrate 1 having 13cm diameter and 1.2mm thickness, on which a Ge22Sb22Te55Co1 recording film 3 of 30nm thickness is formed. The recording film is subjected to sputter etching with Ar ion to decrease the film thickness in the projection part of the fine rugged pattern of the recording film on an embedded mark to obtain of the recording film about 10nm average remaining film thickness on the embedded mark. Then, a ZnS-SiO2 intermediate layer 4 of 40nm thickness is formed, on which an Al-Ti reflecting layer 5 of 100nm thickness is formed. Then, a UV-curing resin layer 6 is applied to obtain a disk. Disks having the same structure are stuck to each other with a hot-melt adhesive 7. Thus, both of lands and grooves formed on surfaces of substrates 1, 1' can be used as tracks for information recording. Reflectivity from the preformat area in the adjacent track or embedded marks of ROM area can be decreased and the crosstalk can be decreased.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明はレーザ光等の記録用ビー
ムによって、たとえば映像や音声などのアナログ信号を
FM変調したものや、たとえば電子計算機のデータや、
ファクシミリ信号やディジタルオーディオ信号などのデ
ィジタル情報を、リアルタイムで記録することが可能な
情報の記録用部材に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a signal obtained by FM-modulating an analog signal such as video or audio by a recording beam such as a laser beam, or data from an electronic computer, for example.
The present invention relates to an information recording member capable of recording digital information such as a facsimile signal and a digital audio signal in real time.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、情報も多種多様化し、ユーザが情
報を記録または情報を書き換えることができる書き換え
可能形光ディスクの要求が高まってきた。また、情報量
も増大し、大容量の光ディスクが必要になってきた。こ
れに伴っていろいろな研究機関において光ディスクの高
密度化の検討が活発に行われている。
2. Description of the Related Art In recent years, information has been diversified, and a demand for a rewritable optical disk on which a user can record information or rewrite information has increased. In addition, the amount of information has increased, and a large-capacity optical disc has become necessary. Along with this, various research institutes are actively studying how to increase the density of optical disks.

【0003】たとえば、記録レーザ波長の短波長化,絞
り込みレンズの高NA(開口比)化などによって記録点
の大きさを小さくする方法や、情報を読み出すレーザビ
ームのスポット径を見かけ上小さくして高密度化を図ろ
うとする方法がある。
For example, a method of reducing the size of a recording point by shortening a recording laser wavelength, a high NA (aperture ratio) of a focusing lens, or an apparently small spot diameter of a laser beam for reading information. There is a method for increasing the density.

【0004】また、特公平4−4661 号公報に記載のよう
に、案内溝(グルーブ)を有する基板を用い、この案内
溝内と案内溝相互間(ランド)の両平坦部上に記録する
方法(ランド・グルーブ記録)が提案されている。しか
し、この方法では、グルーブピッチが読み出しビームの
スポット径よりも小さい場合には、隣の情報が読み出さ
れ(クロストーク)エラーを起こす可能性がある。この
クロストークを除去する方法として、グルーブの深さを
〜λ/6(λはレーザ波長)にすることにより隣の記録
マークからの反射光を打ち消す方法が考えられている。
この方法では、隣接トラックに記録マークが存在しない
ときは、グルーブ深さが深くなると干渉によって反射率
は低下し、λ/4で最小となるが、隣接トラックに反射
率がほとんど0の記録マークが存在すると、光スポット
中心が位置するトラックからだけ戻って来るのでグルー
ブ深さを変えても反射率は変化せず一定となる。このよ
うにグルーブ深さを特定することによって反射率をほぼ
同じにすることができ、クロストークを小さくすること
ができる。すなわち、λ/6n+mλ(λはレーザ波
長、nは基板の屈折率、mは0又は正の整数)のグルー
ブ深さの時、クロストークは極小値をとる。
Further, as described in Japanese Patent Publication No. 4466/1980, a method of using a substrate having a guide groove (groove) and recording on both flat portions in the guide groove and between the guide grooves (lands). (Land / groove recording) is proposed. However, in this method, when the groove pitch is smaller than the spot diameter of the read beam, adjacent information may be read (crosstalk) error may occur. As a method of removing this crosstalk, a method of canceling the reflected light from the adjacent recording mark by setting the groove depth to λ / 6 (λ is the laser wavelength) is considered.
According to this method, when there is no recording mark on the adjacent track, the reflectance decreases due to interference when the groove depth becomes deep and becomes the minimum at λ / 4, but the recording mark having almost 0 reflectance on the adjacent track. If present, the light spot returns only from the track on which the center of the light spot is located, so that the reflectance remains constant even if the groove depth is changed. By specifying the groove depth in this way, the reflectance can be made substantially the same and crosstalk can be reduced. That is, when the groove depth is λ / 6n + mλ (λ is the laser wavelength, n is the refractive index of the substrate, and m is 0 or a positive integer), the crosstalk has a minimum value.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】ランド・グルーブ記録
において、グルーブ深さを〜λ/6nに規定することに
より隣接するトラックの記録マーク(反射率は0に近
い)からのクロストークをある程度抑制することができ
る。しかし、予め基板に形成されているプリフォーマッ
ト部(アドレスなどの部分)やROM(読み出し専用メ
モリ)部やROMディスクのマークは凸部または凹部で
あり、これらからの反射光はグルーブ深さの影響を受け
る。そのために、読みだそうとするトラックの隣接トラ
ックにプリフォーマット部やROM部が形成されている
場合には、これらからのクロストークが大きく、問題と
なっていた。
In land / groove recording, by defining the groove depth to be .lamda. / 6n, crosstalk from recording marks (reflectance close to 0) of adjacent tracks can be suppressed to some extent. be able to. However, the marks on the pre-formatted portion (portions such as addresses), the ROM (read-only memory) portion, and the ROM disk that are formed on the substrate in advance are convex portions or concave portions, and the reflected light from these marks is affected by the groove depth. Receive. Therefore, in the case where the pre-format section and the ROM section are formed in the tracks adjacent to the track to be read, crosstalk from these is large, which is a problem.

【0006】本発明の目的は、ランド・グルーブ記録に
おいて、データやアドレスなどの情報が確実に再生でき
る情報の記録用部材を提供することにある。
An object of the present invention is to provide an information recording member that can reliably reproduce information such as data and addresses in land / groove recording.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】上述した従来技術におけ
る問題点を解決するために、本発明に用いる情報の記録
用部材では、予め形成されているプリフォーマット部や
ROM部やROMディスクのマーク(今後これらのマー
クを埋込マークと呼ぶ)の反射率がほぼゼロに近くなる
ようにしている。すなわち、グルーブ深さを〜λ/6n
とし、さらにプリフォーマット部やROM部やROMデ
ィスクの埋込マークからの反射率をほぼ0に近くなるよ
うにすることにより、隣接トラックからのクロストーク
を抑制することができる。ここで、プリフォーマット部
やROM部の埋込マークからの反射率が5%以下であれ
ばクロストークキャンセルの効果は大きい。特に反射率
3%以下が好ましい。
In order to solve the above-mentioned problems in the prior art, in the information recording member used in the present invention, a pre-formatted portion, a ROM portion or a mark of a ROM disc which is formed in advance ( In the future, these marks will be called embedded marks) and the reflectance will be close to zero. That is, the groove depth is ~ λ / 6n
Further, the crosstalk from the adjacent tracks can be suppressed by making the reflectance from the embedded mark of the preformatted portion, the ROM portion or the ROM disk close to 0. Here, if the reflectance from the embedded mark in the preformat portion or the ROM portion is 5% or less, the effect of crosstalk cancellation is great. A reflectance of 3% or less is particularly preferable.

【0008】本発明ではプリフォーマット部やROM部
の埋込マークからの反射率を小さくするため、埋込マー
クでの記録膜や誘電体層などの膜厚を適当に選んでいる
(多重干渉を利用)。この時、埋込マークでの記録膜の
平均膜厚を薄くする方法と微細凹凸によって光を微乱さ
せる方法、あるいはこれらを併用する方法が、反射率を
容易に小さくできて好ましい。
In the present invention, in order to reduce the reflectance from the embedded mark in the preformat section or the ROM section, the film thickness of the recording film or the dielectric layer at the embedded mark is appropriately selected (multiple interference is caused). Use). At this time, a method of reducing the average film thickness of the recording film at the embedded mark, a method of slightly disturbing light by fine irregularities, or a method of using these in combination is preferable because the reflectance can be easily reduced.

【0009】以下ここでは例として埋込マークでの記録
膜の平均膜厚を薄くする方法について説明する。たとえ
ば、この埋込マークを従来の一様な凹部(ピット)でな
く50nm程度の凸部(台地状)で形成している基板を
用い、まずこの基板に下部保護層を形成し、その上に目
的の厚さよりも厚めに記録膜を形成する。そしてこの記
録膜を逆スパッタ法によりエッチングを行う。これによ
り埋込マーク部分が形状効果によりエッチングされやす
く、結果として埋込マーク部分の記録膜膜厚を薄くでき
る。この埋込マークの記録膜膜厚はディスクの他の保護
層などの膜厚との関係で決定されるが、埋込マーク部分
の記録膜の平均厚さは、埋込マーク部分以外の記録膜の
平均膜厚の30%以上で70%以下が好ましく、特に4
0%以上60%以下が好ましい。
Hereinafter, as an example, a method of reducing the average film thickness of the recording film at the embedded mark will be described. For example, using a substrate in which the embedded mark is formed by a convex portion (plateau) of about 50 nm instead of a conventional uniform concave portion (pit), a lower protective layer is first formed on this substrate, and the lower protective layer is formed on the lower protective layer. The recording film is formed thicker than the target thickness. Then, this recording film is etched by the reverse sputtering method. As a result, the embedded mark portion is easily etched due to the shape effect, and as a result, the recording film thickness of the embedded mark portion can be reduced. The recording film thickness of the embedded mark is determined by the relationship with the film thickness of other protective layers of the disc, etc., but the average thickness of the recording film of the embedded mark portion is the recording film other than the embedded mark portion. 30% or more and 70% or less of the average film thickness of
It is preferably 0% or more and 60% or less.

【0010】また、埋込マーク内に20〜100nm程
度の微細な凹凸を形成することによって、エッチング効
果を強く出すことができる。微細な凹凸はピット内また
は台地状凸部上に形成されてもよい。また、微細な凹凸
の高さが100nm以上と高い場合には構造によって逆
スパッタによるエッチングを行わなくても光の散乱を利
用して反射率を低くすることができる。
By forming fine irregularities of about 20 to 100 nm in the embedded mark, the etching effect can be enhanced. The fine irregularities may be formed in the pits or on the terrace-shaped convex portions. When the height of the fine irregularities is as high as 100 nm or more, the reflectance can be lowered by utilizing the scattering of light without performing etching by reverse sputtering depending on the structure.

【0011】本発明で用いる凸型の埋込マークを有する
基板の作製は次のようにして行った。まず、光学研磨し
たガラス円板に実施例で詳しく述べるように感度などが
異なる2種類のポジ型ホトレジストを2層塗布し、ガラ
ス円板を回転させながらアルゴンレーザ光をパワー変調
しながら照射する(カッティング)。ここでは、少なく
ともアドレスなどのプリフォーマット部とユーザーが情
報を記録するグルーブ部を形成する。この時の埋込マー
クは、ランド上とグルーブ上にそれぞれほぼ同じ深さで
形成していく。アルゴンレーザ光を照射しているとガラ
ス円板が1回転する間に基板のグルーブピッチとなる量
だけ移動させることにより、目的のグルーブは記録され
る(グルーブを露光することによりグルーブ間はランド
となる)。そして、このガラス円板を現像液で現像する
ことによって原盤となる。その後、この原盤から逆形状
のニッケルスタンパを作製し、さらにもう一度転写を行
い原盤と同じ形状のUV(紫外線硬化樹脂)スタンパを
作製する。このUVスタンパから本発明で用いる基板を
射出成形などの方法により多数枚作製することができ
る。
A substrate having a convex embedded mark used in the present invention was manufactured as follows. First, as described in detail in Examples, two layers of two types of positive photoresists having different sensitivities are applied to an optically polished glass disk, and the argon laser light is irradiated while power-modulating while rotating the glass disk ( cutting). Here, at least a preformat portion such as an address and a groove portion where a user records information are formed. At this time, the embedded mark is formed on the land and the groove at substantially the same depth. When the glass plate is irradiated with argon laser light, the target groove is recorded by moving the glass disk by the amount that corresponds to the groove pitch of the substrate (by exposing the grooves, lands are formed between the grooves. Become). Then, by developing this glass disk with a developing solution, it becomes a master. After that, a nickel stamper having an inverse shape is produced from this master, and further transferred to produce a UV (ultraviolet curing resin) stamper having the same shape as the master. A large number of substrates used in the present invention can be produced from this UV stamper by a method such as injection molding.

【0012】以上のようにして作製した基板上に、記録
膜や誘電体層をスパッタ法により形成していくが、この
過程で逆スパッタ法を行い、たとえば埋込マーク部分の
記録膜の膜厚を適当に薄くすることにより、埋込マーク
部分以外の反射率は高く埋込マークの反射率のみを小さ
くすることができる。
A recording film and a dielectric layer are formed on the substrate manufactured as described above by a sputtering method. In this process, a reverse sputtering method is performed to, for example, the film thickness of the recording film at the embedded mark portion. By appropriately thinning, the reflectance of portions other than the embedded mark portion is high and only the reflectance of the embedded mark can be reduced.

【0013】本発明に用いる記録膜は、高速結晶化が可
能な結晶−非晶質相変化光記録膜や、非晶質−非晶質間
変化を利用する記録膜,結晶系や結晶粒径の変化などの
結晶−結晶間相変化記録膜および光磁気記録膜が好まし
いが他の記録膜を用いてもよい。
The recording film used in the present invention is a crystal-amorphous phase change optical recording film capable of high-speed crystallization, a recording film utilizing a change between amorphous and amorphous, a crystal system and a crystal grain size. The crystal-to-crystal phase change recording film and the magneto-optical recording film are preferable, but other recording films may be used.

【0014】[0014]

【作用】本発明における情報の記録用部材を用いること
により、ランド・グルーブ記録におけるプリフォーマッ
ト部やROM部の埋込マークからのクロストークも抑圧
することができる。すなわち、例えば、再生スポットが
ランド上を走行する場合、クロストークは隣接するグル
ーブに記録マークや埋込マークが存在する点と存在しな
い点からの反射光量の差に比例する。この時、未記録部
は結晶で反射率が高く、記録マークは非晶質で反射率が
小さく、かつ、埋込マークからの反射率も小さいとす
る。するとグルーブの深さをλ/6nに近くすることに
より隣接トラックの記録マークや埋込マークが存在する
点と存在しない点からの反射光量を同じにすることがで
きクロストークは抑制される。また、埋込マークの形状
は、一様な凸部でも微細な凹凸でも埋込マーク部分の記
録膜を薄くすることができた。ここで、埋込マークから
の反射率を小さくするために記録膜の膜厚を薄くした
が、保護層や反射層のうち少なくとも一層の膜厚を変化
させても同様な効果があった。
By using the information recording member of the present invention, it is possible to suppress the crosstalk from the embedded mark in the preformat portion or the ROM portion in the land / groove recording. That is, for example, when the reproduction spot travels on the land, the crosstalk is proportional to the difference in the amount of reflected light from the point where the recording mark or the embedded mark is present in the adjacent groove and the point where it is not present. At this time, it is assumed that the unrecorded portion is crystalline and has high reflectance, the recording mark is amorphous and has low reflectance, and the reflectance from the embedded mark is also low. Then, by making the groove depth close to λ / 6n, it is possible to make the amount of reflected light from the point where the recording mark and the embedded mark of the adjacent track are present and the point where they are not present the same, and the crosstalk is suppressed. Further, the shape of the embedding mark was able to make the recording film in the embedding mark portion thin, whether it was a uniform convex portion or fine irregularities. Here, the film thickness of the recording film is reduced in order to reduce the reflectance from the embedded mark, but the same effect can be obtained by changing the film thickness of at least one of the protective layer and the reflective layer.

【0015】また、記録媒体としてもディスク状のみな
らず、カード状などの他の形態の記録媒体にも適用可能
である。
Further, the recording medium is not limited to the disk shape, but can be applied to other recording media such as a card shape.

【0016】[0016]

【実施例】【Example】

(実施例1)本実施例で用いた基板の作製方法を説明す
る。まず、光学研磨したガラス円板に有機または無機の
ポジ型ホトレジストを、およそλ/6n(nはポリカー
ボネートディスク基板の屈折率)である約80nmの膜
厚に塗布し、このガラス円板を回転させ、波長457.
9nm のアルゴンレーザ光のパワーを変調しながら照
射することによって露光する(カッティング)。ここで
は、少なくともアドレスなどのプリフォーマット部とユ
ーザが情報を記録するランド部およびグルーブ部を形成
する。
Example 1 A method for manufacturing the substrate used in this example will be described. First, an organic or inorganic positive photoresist is applied to an optically polished glass disk to a film thickness of about 80 nm, which is about λ / 6n (n is the refractive index of a polycarbonate disk substrate), and the glass disk is rotated. , Wavelength 457.
Exposure is performed by irradiating while changing the power of 9 nm argon laser light (cutting). Here, at least a preformatted portion such as an address and a land portion and a groove portion where a user records information are formed.

【0017】グルーブ部のプリフォーマット領域の埋込
マークは、レーザ光をアドレス情報等に従って僅かに弱
めたり元に戻したりすることによって形成するので、鼓
形の僅かに盛り上がった埋め込みマーク列となる。ラン
ド部のプリフォーマット領域の埋込マークは、レーザ光
をアドレス情報等に従って僅かに強めたり元に戻したり
することによって形成するので、円形または長円形の浅
いピット列となる。ランド部とグルーブ部のプリフォー
マット部は隣接していてもよいが、ディスクの内周から
外周に向かって交互に前後にずらすか、連続的に一方向
にずらしてもよい。ただし、プリフォーマット領域同志
が隣接していた方が残留クロストークの除去は容易にな
る。
Since the embedding marks in the preformatted area of the groove portion are formed by slightly weakening or returning the laser light according to address information or the like, the embedding marks are in the form of a drum-shaped slightly raised embedding mark. The embedded mark in the pre-formatted area of the land portion is formed by slightly strengthening or returning the laser light in accordance with address information or the like, so that it becomes a circular or oval shallow pit row. The preformatted portions of the land portion and the groove portion may be adjacent to each other, but may be alternately shifted back and forth from the inner circumference to the outer circumference of the disc, or may be continuously shifted in one direction. However, it is easier to remove the residual crosstalk when the preformatted areas are adjacent to each other.

【0018】カッティングを行ったガラス円板を現像液
で現像することによって露光(記録)された部分が溶解し
除去され原盤となる。ランド部とグルーブの埋込マーク
は、いずれもレジストが部分的に除去された状態となる
ので、現像後の埋込マークの表面には微細な凹凸が生じ
る。なお、ホトレジストを単層とせず、低感度あるいは
難溶性のレジストを薄く塗った上に上記のホトレジスト
を塗布し、グルーブ部のプリフォーマット領域では、ア
ドレス情報等に従って僅かに強めたり元に戻したりして
もよい。この場合は、現像時にレーザ光を強めたところ
だけで下部のホトレジスト層の少なくとも一部が円形ま
たは長円形に除去され、それ以外の部分では上部のホト
レジスト層だけが下部のホトレジスト層との界面まで除
去される。この場合も埋込マークの表面は微細凹凸を持
つ。
The exposed (recorded) portion is dissolved and removed by developing the cut glass disk with a developing solution to form a master. Since the resist is partially removed from both the land portion and the groove embedding mark, minute unevenness is generated on the surface of the embedding mark after development. Note that the photoresist is not a single layer, the low-sensitivity or sparingly soluble resist is thinly applied, and then the above-mentioned photoresist is applied, and in the preformatted area of the groove part, slightly strengthened or restored according to address information etc. May be. In this case, at least a part of the lower photoresist layer is removed into a circle or an ellipse only when the laser beam is strengthened during development, and at other portions, only the upper photoresist layer reaches the interface with the lower photoresist layer. To be removed. Also in this case, the surface of the embedded mark has fine irregularities.

【0019】別の方法として、下部のホトレジスト層だ
けをまず塗布し、グルーブ部のプリフォーマット領域の
埋込マークだけを、ホトレジスト層の膜厚の一部だけが
現像時に除去されるように露光,現像して形成する。そ
の後、上部ホトレジスト層を塗布して、グルーブ部はプ
リフォーマット領域を含めて連続的にレーザ光を照射
し、ランド部は上記と同様にして照射して、上部ホトレ
ジスト層だけを現像して同様な形状を得る。
As another method, only the lower photoresist layer is applied first, and only the embedded marks in the preformatted area of the groove are exposed so that only a part of the thickness of the photoresist layer is removed during development. Form by developing. After that, an upper photoresist layer is applied, the groove portion is continuously irradiated with laser light including the preformatted area, and the land portion is irradiated in the same manner as described above. Get the shape.

【0020】この原盤上にニッケル層をスパッタリング
法で形成する。そして、このニッケル層を電極としてニ
ッケルめっきを行って厚さ約200μmの金型(ニッケ
ルスタンパ)を得る。次にこのニッケルスタンパと逆の
形状になるように紫外線硬化樹脂(UV樹脂)を用いて
UVスタンパを作製する。このUVスタンパを型とし
て、ポリカーボネイトの射出成型により本実施例で用い
る基板を作製した。なお、本実施例では、グルーブ幅が
約0.5μm ,グルーブピッチが約1μm,グルーブ深
さが約80nm,プリフォーマット部の埋込マークの高
さおよび深さが約50nmとなるようにカッティング装
置を制御した。
A nickel layer is formed on this master by a sputtering method. Then, nickel plating is performed using this nickel layer as an electrode to obtain a mold (nickel stamper) having a thickness of about 200 μm. Next, a UV stamper is manufactured using an ultraviolet curable resin (UV resin) so as to have a shape opposite to that of the nickel stamper. Using this UV stamper as a mold, injection molding of polycarbonate was used to fabricate the substrate used in this example. In this embodiment, a cutting device is used so that the groove width is about 0.5 μm, the groove pitch is about 1 μm, the groove depth is about 80 nm, and the height and depth of the embedded mark in the preformat section are about 50 nm. Controlled.

【0021】次に、埋め込みマーク基板を用いたディス
クの作製方法を図1を用いて説明する。まず、直径13
cm,厚さ1.2mm のポリカーボネート基板1上に、マグ
ネトロンスパッタリング法によって厚さ約90nmのZ
nS−SiO2 保護層2を形成した。次にZnS−Si
2保護層2上にGe22Sb22Te55Co1の組成の記録
膜3を約30nmの膜厚に形成した。そして、埋め込み
マーク上の記録膜の微細凹凸の少なくとも凸部の膜厚を
薄くするためにArイオンによるスパッタエッチングを
行った。その結果、埋込マークの記録膜の平均残留膜厚
は約10nm程度と大幅に薄くなり、埋込マーク以外の
記録膜の膜厚は約20nmと薄くなった。次に、ZnS
−SiO2 中間層4を約40nmの膜厚に形成した。さ
らに、この上にAl−Ti反射層5を約100nm形成
した。これらの膜形成は同一スパッタリング装置内で順
次行った。その後、この上に紫外線硬化樹脂層6を塗布
した後、ホットメルト接着剤7で、同じ構造のもう一枚
のディスクとの密着貼りあわせを行った。
Next, a method of manufacturing a disk using the embedded mark substrate will be described with reference to FIG. First, diameter 13
cm on the polycarbonate substrate 1 with a thickness of 1.2 mm, the thickness of about 90 nm Z by magnetron sputtering method
It was formed nS-SiO 2 protective layer 2. Next, ZnS-Si
A recording film 3 having a composition of Ge 22 Sb 22 Te 55 Co 1 was formed on the O 2 protective layer 2 to have a film thickness of about 30 nm. Then, sputter etching with Ar ions was performed in order to reduce the film thickness of at least the convex portions of the fine irregularities of the recording film on the embedded mark. As a result, the average residual film thickness of the recording film of the embedded mark was significantly reduced to about 10 nm, and the film thickness of the recording film other than the embedded mark was reduced to about 20 nm. Next, ZnS
To form an -SiO 2 intermediate layer 4 to a thickness of approximately 40 nm. Further, an Al—Ti reflective layer 5 having a thickness of about 100 nm was formed thereon. These films were sequentially formed in the same sputtering device. After that, an ultraviolet curable resin layer 6 was applied on this, and then a hot-melt adhesive 7 was used to adhere and adhere to another disk having the same structure.

【0022】図2に作製したディスクの結晶状態と非晶
質状態における反射率の記録膜膜厚依存性を示した。こ
の図からもわかるように、記録膜の膜厚が約20nmで
ある埋込マーク以外の領域において未記録部(結晶状
態)では反射率が20%と高く(図中A)、記録マーク
(非晶質状態)は反射率が2%と低い(図中B)。さら
に、記録膜の膜厚が約10nmで、しかも微細な凹凸で
光が散乱される埋込マーク(結晶状態)では反射率が3
%と低くなっている(図中C)。
FIG. 2 shows the recording film thickness dependence of the reflectance in the crystalline state and the amorphous state of the manufactured disk. As can be seen from this figure, the reflectance is as high as 20% (A in the figure) in the unrecorded portion (crystalline state) in the region other than the embedded mark where the film thickness of the recording film is about 20 nm, and In the crystalline state), the reflectance is as low as 2% (B in the figure). Further, the reflectance is 3 at the embedded mark (crystalline state) in which the recording film has a film thickness of about 10 nm and light is scattered by fine irregularities.
% (C in the figure).

【0023】隣接する埋込マークからの反射率とその時
のクロストークとの関係を調べた。その結果を表1に示
す。
The relationship between the reflectance from adjacent embedded marks and the crosstalk at that time was investigated. The results are shown in Table 1.

【0024】[0024]

【表1】 [Table 1]

【0025】以上の結果より、隣接する埋込マークから
の反射率が5%以下でれば、クロストークは−30dB
以下と小さくできた。より好ましくは、−35dB以下
の反射率3%以下である。
From the above results, if the reflectance from the adjacent embedded mark is 5% or less, the crosstalk is -30 dB.
I was able to reduce it to the following. More preferably, the reflectance is −35 dB or less and 3% or less.

【0026】ここで、埋込マークとその周辺との高低差
を±λ/10n+mλ(nは基板の屈折率、mは0また
は正の整数)とすることによりクロストークを小さくで
きるので好ましい。
Here, it is preferable that the height difference between the embedded mark and its periphery is ± λ / 10n + mλ (n is the refractive index of the substrate, and m is 0 or a positive integer) because crosstalk can be reduced.

【0027】次に、図1に示した構造のディスクの記録
・再生特性を調べた。記録は、記録パワーと消去パワー
と再生パワーの3値のレベルを有し、オーバーライト可
能な波形を用いた。まず波長780nmの半導体レーザ
を用いて記録を行いクロストークの記録パワー依存性を
調べた。グルーブ深さを〜λ/6n(λはレーザ波長、
nは基板の屈折率)の約80nmにすることによって、
記録パワー10mW以上において、ランドおよびグルー
ブからのクロストークはそれぞれ−35dB以下が得ら
れた。さらに埋込マークの場所でのクロストークも同様
に−35dB以下が得られた。
Next, the recording / reproducing characteristics of the disk having the structure shown in FIG. 1 were examined. The recording has a ternary level of recording power, erasing power, and reproducing power, and an overwritable waveform is used. First, recording was performed using a semiconductor laser having a wavelength of 780 nm, and the recording power dependence of crosstalk was investigated. The groove depth is ~ λ / 6n (where λ is the laser wavelength,
n is about 80 nm, which is the refractive index of the substrate,
When the recording power was 10 mW or more, the crosstalk from the land and the groove was -35 dB or less, respectively. Further, the crosstalk at the location of the embedded mark was similarly -35 dB or less.

【0028】次に、埋込マーク部分の記録膜の平均膜厚
と埋込マーク部分以外の記録膜の平均膜厚との比(埋込
マーク部分の記録膜の平均膜厚/埋込マーク部分以外の
記録膜の平均膜厚)とクロストークとの関係を調べた。
その結果を表2に示す。
Next, the ratio of the average film thickness of the recording film of the embedded mark portion to the average film thickness of the recording film other than the embedded mark portion (average film thickness of the embedded mark portion / embedded mark portion). The relationship between the average film thickness of the recording film other than the above) and crosstalk was investigated.
The results are shown in Table 2.

【0029】[0029]

【表2】 [Table 2]

【0030】埋込マークの記録膜膜厚はディスクの他の
保護層などの膜厚との関係で決定されるが、埋込マーク
部分の記録膜の平均厚さは、埋込マーク部分以外の記録
膜の平均膜厚の30%以上70%以下の膜厚が反射率お
よびクロストークの関係から好ましい。より好ましく
は、40%以上60%以下である。
The recording film thickness of the embedded mark is determined by the relationship with the film thickness of other protective layers of the disc, but the average thickness of the recording film of the embedded mark portion is not the same as that of the portion other than the embedded mark portion. A film thickness of 30% or more and 70% or less of the average film thickness of the recording film is preferable in terms of reflectance and crosstalk. More preferably, it is 40% or more and 60% or less.

【0031】(実施例2)本実施例では、無機物薄膜を
用いて埋込マークの形状を20〜100nmの微細な凹
凸にした場合について説明する。
(Embodiment 2) In this embodiment, a case will be described in which an embedded thin film is used to form the embedding mark into fine irregularities of 20 to 100 nm.

【0032】本実施例に用いた基板の作製方法について
説明する。まず、光学研磨したガラス円板にポジ型ホト
レジストを厚さ約λ/6n(λは読み出し光の波長)塗
布し、このガラス円板を回転させながら波長457.9
nm のアルゴンレーザ光を照射することによって露光
する(カッティング)。ここでは、ユーザが情報を記録
するグルーブ部に連続光を照射する。
A method for manufacturing the substrate used in this embodiment will be described. First, a positive photoresist is applied to an optically polished glass disk to a thickness of about λ / 6n (where λ is the wavelength of the reading light), and the wavelength of 457.9 is applied while rotating the glass disk.
Exposure is performed by irradiating with an argon laser beam of nm 2 (cutting). Here, the user irradiates the groove portion where information is recorded with continuous light.

【0033】カッティングを行ったガラス円板を現像液
で現像することによって露光(記録)された部分が溶解し
除去されたグルーブ部と、グルーブ間のランド部が形成
され原盤となる。さらに、この原盤上にGe1Sb2Te
4 相変化記録膜を75nmスパッタリング法で形成す
る。そして、この相変化記録膜をArイオンによるスパ
ッタエッチングを行った。これにより記録膜は約50n
m程度の微細凹凸となった。この微細凹凸の個々の凸部
は円錐形に近い。
By developing a cut glass disk with a developing solution, a groove portion in which the exposed (recorded) portion is dissolved and removed and a land portion between the grooves are formed to form a master. Furthermore, Ge 1 Sb 2 Te
A 4- phase change recording film is formed by a 75 nm sputtering method. Then, this phase change recording film was sputter-etched with Ar ions. As a result, the recording film is about 50n
It became fine irregularities of about m. The individual protrusions of this fine unevenness are close to a conical shape.

【0034】次にこの微細凹凸上にネガ型ホトレジスト
を塗布し、波長457.9nm のアルゴンレーザ光のパ
ワーの変調によりアドレスなどのプリフォーマット領域
の埋込マークとなる部分を露光する。そして、これを上
部ポジ型ホトレジストが溶解せず、ネガ型ホトレジスト
の未露光部分だけが溶解する現像液で現像し、露光(記
録)した部分以外の部分を溶解除去し、次にGe1Sb2
Te4 相変化膜の露出部分を稀硝酸で除去し、さらに埋
込マーク部分のホトレジストをプラズマアッシャーで除
去すると微細凹凸の埋込マークが形成できる。そしてス
タンパと逆の形状になるように紫外線硬化樹脂(UV樹
脂)を用いてUVスタンパを作製する。
Next, a negative photoresist is coated on the fine irregularities, and the portion to be an embedded mark in a preformatted area such as an address is exposed by modulating the power of an argon laser beam having a wavelength of 457.9 nm. Then, this is developed with a developing solution in which the upper positive photoresist is not dissolved and only the unexposed portion of the negative photoresist is dissolved, and the portion other than the exposed (recorded) portion is dissolved and removed, and then Ge 1 Sb 2
The exposed portion of the Te 4 phase change film is removed with dilute nitric acid, and the photoresist in the embedded mark portion is removed with a plasma asher, whereby an embedded mark having fine irregularities can be formed. Then, a UV stamper is manufactured using an ultraviolet curable resin (UV resin) so as to have a shape opposite to that of the stamper.

【0035】このUVスタンパを型として、ポリカーボ
ネイトの射出成型により本実施例で用いる基板を作製し
た。なお、本実施例では、グルーブ幅が約0.5μm ,
グルーブピッチが約1μm,グルーブ深さが約80n
m,プリフォーマット部の埋込マークの微細凹凸の高さ
が約50nmとなるようにカッティング装置およびスパ
ッタ装置を制御した。
Using this UV stamper as a mold, a substrate used in this example was produced by injection molding of polycarbonate. In this embodiment, the groove width is about 0.5 μm,
Groove pitch is about 1 μm and groove depth is about 80 n
m, the cutting device and the sputtering device were controlled so that the height of the fine irregularities of the embedded mark in the preformat portion was about 50 nm.

【0036】次に、微細凹凸の埋め込みマークを有する
基板を用いたディスクの作製方法を説明する。構造は、
実施例1の図2とほぼ同じである。まず、直径13cm,
厚さ1.2mm のポリカーボネート基板上に、マグネトロ
ンスパッタリング法によって厚さ約90nmのZnS−
SiO2保護層を形成した。次に、ZnS−SiO2保護
層上にGe22Sb22Te55Co1 の組成の記録膜を約3
5nmの膜厚に形成した。そして、埋め込みマーク上の
記録膜の膜厚を薄くするためにArイオンによるスパッ
タエッチングを行った。その結果、微細凹凸の埋込マー
クの記録膜の平均膜厚は約10nm程度と大幅に薄く、
埋込マーク以外の記録膜の平均膜厚は約25nmと薄く
なった。
Next, a method of manufacturing a disk using a substrate having fine uneven embedding marks will be described. The structure is
This is almost the same as FIG. 2 of the first embodiment. First, diameter 13cm,
On a polycarbonate substrate with a thickness of 1.2 mm, ZnS- with a thickness of about 90 nm was formed by a magnetron sputtering method.
A SiO 2 protective layer was formed. Next, a recording film having a composition of Ge 22 Sb 22 Te 55 Co 1 is formed on the ZnS-SiO 2 protective layer by about 3 times .
It was formed to a film thickness of 5 nm. Then, in order to reduce the thickness of the recording film on the embedded mark, sputter etching with Ar ions was performed. As a result, the average film thickness of the recording film of the embedded mark of fine unevenness is about 10 nm, which is significantly thin,
The average film thickness of the recording film other than the embedded mark was thinned to about 25 nm.

【0037】次に、ZnS−SiO2 中間層を約40n
mの膜厚に形成した。さらに、この上にAl−Ti反射
層を約100nm形成した。これらの膜形成は同一スパ
ッタリング装置内で順次行った。その後、この上に紫外
線硬化樹脂層を塗布した後、ホットメルト接着剤で、同
じ構造のもう一枚のディスクとの密着貼りあわせを行っ
た。
Next, a ZnS-SiO 2 intermediate layer is applied to about 40 n.
It was formed to a film thickness of m. Further, an Al-Ti reflective layer having a thickness of about 100 nm was formed thereon. These films were sequentially formed in the same sputtering device. After that, an ultraviolet-curable resin layer was applied on this, and then a hot-melt adhesive was used to adhere and adhere to another disk having the same structure.

【0038】このディスクでは、記録膜の膜厚が約25
nmである埋込マーク以外の領域において未記録部(結
晶状態)では反射率が28%と高く、記録マーク(非晶
質状態)は反射率が4%と低い。さらに、記録膜の膜厚
が約10nmである埋込マーク(結晶状態)では反射率
が2%と低くなっており、記録マークおよび埋込マーク
からのクロストークは−35dB以下と小さい値が得ら
れた。
In this disc, the thickness of the recording film is about 25.
In the region other than the embedded mark having the wavelength of nm, the reflectance is as high as 28% in the unrecorded portion (crystalline state), and the reflectance is as low as 4% in the recorded mark (amorphous state). Further, the reflectance is as low as 2% in the embedded mark (crystalline state) in which the film thickness of the recording film is about 10 nm, and the crosstalk from the recording mark and the embedded mark is as small as -35 dB or less. Was given.

【0039】本実施例および実施例1において、記録膜
として相変化型記録膜を用いたが、Tb−Fe−Coな
どの光磁気記録膜を用いても、埋込マークの反射率を5
%以下にすることにより前記実施例と同様に隣接トラッ
クの埋込マークからのクロストークを抑圧する効果が得
られた。
Although the phase change type recording film is used as the recording film in the present embodiment and the first embodiment, the reflectance of the embedded mark is 5 even if the magneto-optical recording film such as Tb-Fe-Co is used.
% Or less, the effect of suppressing the crosstalk from the embedded mark of the adjacent track was obtained as in the above-mentioned embodiment.

【0040】[0040]

【発明の効果】本発明によれば、基板表面に形成したラ
ンドとグルーブの両方を、情報を記録する記録トラック
とすることが可能であり、かつ隣接するトラックのプリ
フォーマット部やROM部の埋込マークからの反射率を
小さくすることにより、これらからのクロストークを小
さくすることができるため、データやアドレスなどの情
報が確実に再生できるようになった。
According to the present invention, both the land and the groove formed on the surface of the substrate can be used as recording tracks for recording information, and the preformat section and the ROM section of adjacent tracks can be filled. By reducing the reflectance from the embedded mark, the crosstalk from these can be reduced, so that information such as data and addresses can be reliably reproduced.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の一実施例のディスクの断面図。FIG. 1 is a sectional view of a disk according to an embodiment of the present invention.

【図2】反射率と記録膜膜厚との特性図。FIG. 2 is a characteristic diagram of reflectance and recording film thickness.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1,1′…ポリカーボネート基板、2,2′…ZnS−
SiO2保護層、3,3′…記録膜、4,4′…ZnS
−SiO2中間層、5,5′…Al−Cu反射層、6,
6′…紫外線硬化樹脂層。
1, 1 '... Polycarbonate substrate, 2, 2' ... ZnS-
SiO 2 protective layer, 3, 3 '... recording film, 4, 4' ... ZnS
-SiO 2 intermediate layer, 5,5 '... Al-Cu reflective layer, 6,
6 '... UV curable resin layer.

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】基板表面に形成されたグルーブとランドの
両方を情報を記録する記録トラックとすることが可能な
情報の記録用部材において、プリフォーマット部やRO
M部のマークからの反射率が5%以下であることを特徴
とする情報の記録用部材。
1. A member for recording information, wherein both a groove and a land formed on the surface of a substrate can be used as a recording track for recording information, in a preformatted portion or RO.
An information recording member having a reflectance of 5% or less from the mark of the M portion.
【請求項2】請求項1において、前記プリフォーマット
部や前記ROM部のマークの記録膜の平均厚さが、マー
ク以外の記録膜の平均膜厚の30%以上70%以下であ
る情報の記録用部材。
2. The information recording according to claim 1, wherein the average thickness of the recording film of the marks of the preformatted portion or the ROM portion is 30% or more and 70% or less of the average thickness of the recording film other than the marks. Parts.
【請求項3】請求項1または2において、前記プリフォ
ーマット部や前記ROM部のマークに微細凹凸が形成さ
れている情報の記録用部材。
3. The member for recording information according to claim 1, wherein fine marks are formed on the marks of the preformat section and the ROM section.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0797194A3 (en) * 1996-03-21 2000-12-13 Kabushiki Kaisha Toshiba Double-layered information recording medium having information recording layers
US6454915B1 (en) * 1997-01-31 2002-09-24 Canon Kabushiki Kaisha Information recording medium and method for producing the same

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