JPH07326666A - 金属配線の形成方法 - Google Patents
金属配線の形成方法Info
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- JPH07326666A JPH07326666A JP11640294A JP11640294A JPH07326666A JP H07326666 A JPH07326666 A JP H07326666A JP 11640294 A JP11640294 A JP 11640294A JP 11640294 A JP11640294 A JP 11640294A JP H07326666 A JPH07326666 A JP H07326666A
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- 239000002184 metal Substances 0.000 title claims abstract description 28
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 28
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 17
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 21
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims abstract description 16
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 18
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 11
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims description 3
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims 2
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 abstract description 17
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 abstract description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 4
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 3
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 3
- 229910018594 Si-Cu Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910008465 Si—Cu Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】高アスペクト比の微細な開口部内に埋込む金属
配線に生じ易いボイドの発生を防ぎ、良好な段差被覆性
を得ることで信頼性を向上させる。 【構成】下層配線３上の層間絶縁膜４を形成したスルー
ホール５内にＡｌ膜６をスパッタ法で堆積する際にＣｌ
2 ガス等のエッチングガスを供給することによりスルー
ホール５の上端にＡｌ膜６がシャドウィング効果でオー
バーハング状に堆積されるのを防ぎ、スルーホール５内
へＡｌ膜６が良好に埋込まれる。
配線に生じ易いボイドの発生を防ぎ、良好な段差被覆性
を得ることで信頼性を向上させる。 【構成】下層配線３上の層間絶縁膜４を形成したスルー
ホール５内にＡｌ膜６をスパッタ法で堆積する際にＣｌ
2 ガス等のエッチングガスを供給することによりスルー
ホール５の上端にＡｌ膜６がシャドウィング効果でオー
バーハング状に堆積されるのを防ぎ、スルーホール５内
へＡｌ膜６が良好に埋込まれる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は金属配線の形成方法に関
し、特に微細な開口部内への金属配線の埋込方法に関す
る。
し、特に微細な開口部内への金属配線の埋込方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】半導体基板上に形成される半導体素子の
微細化、高集積化に伴い、半導体素子と電極配線との
間、あるいは下層配線と上層配線との間の絶縁膜に設け
てこれらを互に接続するための開口部の口径はサブミク
ロンオーダーとなり、またアスペクト比も１以上のもの
が多くなっている。
微細化、高集積化に伴い、半導体素子と電極配線との
間、あるいは下層配線と上層配線との間の絶縁膜に設け
てこれらを互に接続するための開口部の口径はサブミク
ロンオーダーとなり、またアスペクト比も１以上のもの
が多くなっている。
【０００３】一般に、コンタクト用の開口部を含む表面
にＡｌ膜あるいはＡｌ−Ｓｉ−Ｃｕ合金膜（以下Ａｌ合
金膜と記す）をスパッタ法で堆積し、パターニングして
下層の素子や配線と接続する上層の配線を形成する方法
は、金属膜の堆積速度が大きく量産性にも優れている。
にＡｌ膜あるいはＡｌ−Ｓｉ−Ｃｕ合金膜（以下Ａｌ合
金膜と記す）をスパッタ法で堆積し、パターニングして
下層の素子や配線と接続する上層の配線を形成する方法
は、金属膜の堆積速度が大きく量産性にも優れている。
【０００４】しかしながら、図２に示すように、半導体
基板１上に設けた絶縁膜２の上に下層配線３を形成し、
下層配線３を含む表面に設けた層間絶縁膜４に下層配線
３とコンタクトするための微細な口径と１以上のアスペ
クト比を有するスルーホールを形成して通常のスパッタ
法でＡｌ等の金属膜を堆積して下層配線３と接続する上
層配線７を形成しようとすると、シャドウィング効果の
ためにスルーホールの上端にＡｌ膜がオーバーハング状
に堆積されて入口を塞ぎ、その結果、スルーホール内に
ボイド８を生じてコンタクト不良となることがある。
基板１上に設けた絶縁膜２の上に下層配線３を形成し、
下層配線３を含む表面に設けた層間絶縁膜４に下層配線
３とコンタクトするための微細な口径と１以上のアスペ
クト比を有するスルーホールを形成して通常のスパッタ
法でＡｌ等の金属膜を堆積して下層配線３と接続する上
層配線７を形成しようとすると、シャドウィング効果の
ためにスルーホールの上端にＡｌ膜がオーバーハング状
に堆積されて入口を塞ぎ、その結果、スルーホール内に
ボイド８を生じてコンタクト不良となることがある。
【０００５】高アスペクト比の微細な開口部の段差被覆
性を向上させる手段として、ジャーナル・オブ・バキュ
ーム・サイエンス・アンド・テクノロジー（Ｊｏｕｒｎ
ａｌｏｆ ｖａｃｕｕｍ ｓｃｉｅｎｃｅ ａｎｄ ｔ
ｅｃｈｎｏｌｏｇｙ）Ａ、第６巻、１９８８年、第１６
３６頁に記載されているように、スパッタ中の基板温度
を高くしてＡｌ膜に流動性をもたせて開口部内に埋込む
方法が用いられるようになった。
性を向上させる手段として、ジャーナル・オブ・バキュ
ーム・サイエンス・アンド・テクノロジー（Ｊｏｕｒｎ
ａｌｏｆ ｖａｃｕｕｍ ｓｃｉｅｎｃｅ ａｎｄ ｔ
ｅｃｈｎｏｌｏｇｙ）Ａ、第６巻、１９８８年、第１６
３６頁に記載されているように、スパッタ中の基板温度
を高くしてＡｌ膜に流動性をもたせて開口部内に埋込む
方法が用いられるようになった。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】この従来の金属配線の
形成方法は、リフロースパッタ法により良好な段差被覆
性が得られるが、基板温度をＡｌの融点近くまでに上げ
る必要があり、例えば、口径０．５μｍ、深さ０．１μ
ｍのスルーホールを埋込むには５００℃以上の基板温度
でスパッタしなければならなかった。
形成方法は、リフロースパッタ法により良好な段差被覆
性が得られるが、基板温度をＡｌの融点近くまでに上げ
る必要があり、例えば、口径０．５μｍ、深さ０．１μ
ｍのスルーホールを埋込むには５００℃以上の基板温度
でスパッタしなければならなかった。
【０００７】このような高温プロセスを行うと下層のＡ
ｌ配線は熱ストレスを受けてボイドを発生し、断線等の
不良を生ずるという問題がある。
ｌ配線は熱ストレスを受けてボイドを発生し、断線等の
不良を生ずるという問題がある。
【０００８】本発明の目的は、高温プロセスを用いるこ
となく、開口部内に良好な段差被覆性で金属膜を埋込む
方法により信頼性の高いコンタクトが得られる金属配線
の形成方法を提供することにある。
となく、開口部内に良好な段差被覆性で金属膜を埋込む
方法により信頼性の高いコンタクトが得られる金属配線
の形成方法を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の金属配線の形成
方法は、半導体基板上に絶縁膜を形成し前記絶縁膜を選
択的にエッチングして下地層とコンタクトさせるための
開口部を形成する工程と、前記開口部を含む表面に堆積
させる金属膜をエッチングするエッチングガスを含む雰
囲気中で金属材料をスパッタ又は蒸着させ前記開口部の
少くとも中程までに前記金属膜を埋込む工程と、エッチ
ングガスの供給を停止した状態で引続きスパッタ又は蒸
着により所望の厚さまで前記金属膜を堆積して前記開口
部内を充填する工程と、前記絶縁膜上の前記金属膜をパ
ターニングして前記下地層と電気的に接続する上層の配
線を形成する工程とを含んで構成される。
方法は、半導体基板上に絶縁膜を形成し前記絶縁膜を選
択的にエッチングして下地層とコンタクトさせるための
開口部を形成する工程と、前記開口部を含む表面に堆積
させる金属膜をエッチングするエッチングガスを含む雰
囲気中で金属材料をスパッタ又は蒸着させ前記開口部の
少くとも中程までに前記金属膜を埋込む工程と、エッチ
ングガスの供給を停止した状態で引続きスパッタ又は蒸
着により所望の厚さまで前記金属膜を堆積して前記開口
部内を充填する工程と、前記絶縁膜上の前記金属膜をパ
ターニングして前記下地層と電気的に接続する上層の配
線を形成する工程とを含んで構成される。
【００１０】
【作用】本発明の金属配線の形成方法では、スパッタ中
の基板に供給されたエッチングガスは、プラズマ状態と
なり、正イオンはターゲット方向に向かい、未分解の分
子やラジカルや電子は基板に照射されることになる。こ
れらのラジカルなどにより、基板上部に堆積した金属は
エッチングされ、開口部の上端にオーバーハング状に金
属が堆積して入口をふさぐことがなくなる。これらのラ
ジカルなどは、開口部の大きさに比べて平均自由行程は
大きいが、指向性はほとんどないため、高アスペクト比
の開口部の内部には入り込みにくく、内部でのエッチン
グ速度は非常に小さい。エッチングガスに対して、スパ
ッタ粒子の方が基板に対する指向性が強いため、開口部
の底部への堆積が可能となる。したがって、開口部内の
段差被覆性が改善され、開口部内にボイドが発生するこ
とを防止できる。
の基板に供給されたエッチングガスは、プラズマ状態と
なり、正イオンはターゲット方向に向かい、未分解の分
子やラジカルや電子は基板に照射されることになる。こ
れらのラジカルなどにより、基板上部に堆積した金属は
エッチングされ、開口部の上端にオーバーハング状に金
属が堆積して入口をふさぐことがなくなる。これらのラ
ジカルなどは、開口部の大きさに比べて平均自由行程は
大きいが、指向性はほとんどないため、高アスペクト比
の開口部の内部には入り込みにくく、内部でのエッチン
グ速度は非常に小さい。エッチングガスに対して、スパ
ッタ粒子の方が基板に対する指向性が強いため、開口部
の底部への堆積が可能となる。したがって、開口部内の
段差被覆性が改善され、開口部内にボイドが発生するこ
とを防止できる。
【００１１】また、このような作用は、スパッタ法だけ
ではなく、真空蒸着法による成膜方法においても得られ
る。真空蒸着法では、エッチングガスは分解せずそのま
まの状態で金属をエッチングすることになる。
ではなく、真空蒸着法による成膜方法においても得られ
る。真空蒸着法では、エッチングガスは分解せずそのま
まの状態で金属をエッチングすることになる。
【００１２】
【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。
て説明する。
【００１３】図１（ａ）〜（ｃ）は本発明の一実施例を
説明するための工程順に示した半導体チップの断面図で
ある。
説明するための工程順に示した半導体チップの断面図で
ある。
【００１４】まず、図１（ａ）に示すように、Ｓｉ等か
らなる半導体基板１の上に形成した絶縁膜２の上に選択
的にＡｌ膜やＡｌ合金膜からなる下層配線３を形成す
る。次に、下層配線３を含む表面にＣＶＤ法によりＳｉ
Ｏ2 膜などの層間絶縁膜４を１μｍの厚さに堆積し、Ｃ
Ｆ4 ガスを用いるドライエッチング法で選択的に異方性
エッチングして口径０．５μｍのスルーホール５を形成
する。
らなる半導体基板１の上に形成した絶縁膜２の上に選択
的にＡｌ膜やＡｌ合金膜からなる下層配線３を形成す
る。次に、下層配線３を含む表面にＣＶＤ法によりＳｉ
Ｏ2 膜などの層間絶縁膜４を１μｍの厚さに堆積し、Ｃ
Ｆ4 ガスを用いるドライエッチング法で選択的に異方性
エッチングして口径０．５μｍのスルーホール５を形成
する。
【００１５】次に、図１（ｂ）に示すように、チャンバ
ー内にＡｒガスを流量２０ＳＣＣＭとＣｌ2 ガスを流量
１ＳＣＣＭで導入し、圧力を５ｍＴｏｒｒとしたチャン
バー内で基板温度を１００℃としスルーホール５を含む
層間絶縁膜４の表面にスパッタ法でＡｌ膜６を堆積す
る。このとき、Ｃｌ2 ガスにより層間絶縁膜４の上面に
堆積されたＡｌ膜６がエッチングされるため、スルーホ
ール５の上端にＡｌ膜がオーバーハング状に堆積されて
入口を塞ぐことを防ぐことができ、スルーホール５の底
部にＡｌ膜をボイドを生ずることなく良好に埋込むこと
ができる。このとき、通常のＡｌドライエッチングの場
合に比べて基板温度が高いためエッチング速度が大きく
Ｃｌ2 ガスの流量は少量で済む。
ー内にＡｒガスを流量２０ＳＣＣＭとＣｌ2 ガスを流量
１ＳＣＣＭで導入し、圧力を５ｍＴｏｒｒとしたチャン
バー内で基板温度を１００℃としスルーホール５を含む
層間絶縁膜４の表面にスパッタ法でＡｌ膜６を堆積す
る。このとき、Ｃｌ2 ガスにより層間絶縁膜４の上面に
堆積されたＡｌ膜６がエッチングされるため、スルーホ
ール５の上端にＡｌ膜がオーバーハング状に堆積されて
入口を塞ぐことを防ぐことができ、スルーホール５の底
部にＡｌ膜をボイドを生ずることなく良好に埋込むこと
ができる。このとき、通常のＡｌドライエッチングの場
合に比べて基板温度が高いためエッチング速度が大きく
Ｃｌ2 ガスの流量は少量で済む。
【００１６】次に、図１（ｃ）に示すように、スルーホ
ール５の中程以上までＡｌ膜が埋込まれた時点でチャン
バー内へのＣｌ2 ガスの供給を止め、引続き通常のスパ
ッタ法で所望の厚さに達するまでＡｌ膜６を堆積する。
次に、Ａｌ膜６を選択的にエッチングし、スルーホール
５の下層配線３と接続する上層配線７を形成する。
ール５の中程以上までＡｌ膜が埋込まれた時点でチャン
バー内へのＣｌ2 ガスの供給を止め、引続き通常のスパ
ッタ法で所望の厚さに達するまでＡｌ膜６を堆積する。
次に、Ａｌ膜６を選択的にエッチングし、スルーホール
５の下層配線３と接続する上層配線７を形成する。
【００１７】ここで、Ａｌ膜６の代りにＡｌ合金（Ａｌ
−Ｓｉ−Ｃｕ合金）膜やＣｕ膜あるいはＡｕ膜を用いて
も良く、エッチングガスとしてＣｌ2 とＢＣｌ3 との混
合ガスを用いても良い。また、エッチングガスを基板近
くに設けたノズルから基板に向けて放出しても良い。ま
た、基板温度は１００〜４００℃の範囲内で可変でき、
高温にすればエッチング速度が大きくなり、エッチング
ガスの流量を低減できる。
−Ｓｉ−Ｃｕ合金）膜やＣｕ膜あるいはＡｕ膜を用いて
も良く、エッチングガスとしてＣｌ2 とＢＣｌ3 との混
合ガスを用いても良い。また、エッチングガスを基板近
くに設けたノズルから基板に向けて放出しても良い。ま
た、基板温度は１００〜４００℃の範囲内で可変でき、
高温にすればエッチング速度が大きくなり、エッチング
ガスの流量を低減できる。
【００１８】なお、コリメーションスパッタ法やバイア
ススパッタ法にエッチングガスを添加することにより、
更に段差被覆性を向上することができ、スパッタ法以外
の成膜方法として真空蒸発法にも適用できる。
ススパッタ法にエッチングガスを添加することにより、
更に段差被覆性を向上することができ、スパッタ法以外
の成膜方法として真空蒸発法にも適用できる。
【００１９】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、スパッタ
法あるいば真空蒸着法にエッチングガスを導入すること
により、微細な口径と高アスペクト比を有するスルーホ
ールやコンタクトホールへの金属膜の埋込みが容易にな
り、ボイドの発生を防いで多層配線の信頼性を向上させ
ることができるという効果を有する。
法あるいば真空蒸着法にエッチングガスを導入すること
により、微細な口径と高アスペクト比を有するスルーホ
ールやコンタクトホールへの金属膜の埋込みが容易にな
り、ボイドの発生を防いで多層配線の信頼性を向上させ
ることができるという効果を有する。
【図１】本発明の一実施例を説明するための工程順に示
した半導体チップの断面図。
した半導体チップの断面図。
【図２】従来の金属配線の形成方法を説明するための半
導体チップの断面図。
導体チップの断面図。
１ 半導体基板 ２ 絶縁膜 ３ 下層配線 ４ 層間絶縁膜 ５ スルーホール ６ Ａｌ膜 ７ 上層配線 ８ ボイド
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/3205
Claims (3)
- 【請求項１】 半導体基板上に絶縁膜を形成し前記絶縁
膜を選択的にエッチングして下地層とコンタクトさせる
ための開口部を形成する工程と、前記開口部を含む表面
に堆積させる金属膜をエッチングするエッチングガスを
含む雰囲気中で金属材料をスパッタ又は蒸着させ前記開
口部の少くとも中程までに前記金属膜を埋込む工程と、
エッチングガスの供給を停止した状態で引続きスパッタ
又は蒸着により所望の厚さまで前記金属膜を堆積して前
記開口部内を充填する工程と、前記絶縁膜上の前記金属
膜をパターニングして前記下地層と電気的に接続する上
層の配線を形成する工程とを含むことを特徴とする金属
配線の形成方法。 - 【請求項２】 金属膜がＡｌ，Ｃｕ，ＡｕあるいはＡｌ
−Ｓｉ−Ｃｕ合金のいずれか１種からなる請求項１記載
の金属配線の形成方法。 - 【請求項３】 エッチングガスがＣｌ2 ガス又はＣｌ2
とＢＣｌ3 との混合ガスのいずれか１種である請求項１
記載の金属配線の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11640294A JPH07326666A (ja) | 1994-05-30 | 1994-05-30 | 金属配線の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11640294A JPH07326666A (ja) | 1994-05-30 | 1994-05-30 | 金属配線の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07326666A true JPH07326666A (ja) | 1995-12-12 |
Family
ID=14686165
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11640294A Pending JPH07326666A (ja) | 1994-05-30 | 1994-05-30 | 金属配線の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07326666A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6909487B2 (en) | 2002-05-22 | 2005-06-21 | Seiko Epson Corporation | Electro-optical device and semiconductor device |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6362238A (ja) * | 1986-09-02 | 1988-03-18 | Toshiba Corp | 薄膜堆積方法 |
-
1994
- 1994-05-30 JP JP11640294A patent/JPH07326666A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6362238A (ja) * | 1986-09-02 | 1988-03-18 | Toshiba Corp | 薄膜堆積方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6909487B2 (en) | 2002-05-22 | 2005-06-21 | Seiko Epson Corporation | Electro-optical device and semiconductor device |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19970204 |