JPH07303009A - Sine wave oscillation circuit - Google Patents
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- JPH07303009A JPH07303009A JP6114499A JP11449994A JPH07303009A JP H07303009 A JPH07303009 A JP H07303009A JP 6114499 A JP6114499 A JP 6114499A JP 11449994 A JP11449994 A JP 11449994A JP H07303009 A JPH07303009 A JP H07303009A
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、LC共振を利用して所
定周波数の正弦波信号を得る正弦波発振回路に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a sine wave oscillating circuit for obtaining a sine wave signal having a predetermined frequency by utilizing LC resonance.
【0002】[0002]
【従来の技術】従来から、通信等各種分野において正弦
波が使われており、この正弦波を得る発振回路も種々の
ものが知られている。例えば代表的なものとしては、ウ
イーンブリッジ型発振回路やコルピッツ型やハートレー
型等の各種LC発振回路が知られている。2. Description of the Related Art Conventionally, a sine wave has been used in various fields such as communication, and various oscillation circuits for obtaining this sine wave are known. For example, as typical ones, a Wien bridge type oscillation circuit and various LC oscillation circuits such as Colpitts type and Hartley type are known.
【0003】これらの各種正弦波発振回路は、いずれも
原理的にはトランジスタ等の増幅器とLC回路あるいは
RC回路を組み合わせて構成されており、所望の発振周
波数の正弦波を得るために各素子定数を決定する必要が
ある。In principle, each of these various sine wave oscillating circuits is constructed by combining an amplifier such as a transistor and an LC circuit or an RC circuit, and each element constant is used to obtain a sine wave of a desired oscillation frequency. Need to decide.
【0004】[0004]
【発明が解決しようとする課題】ところで、従来の正弦
波発振回路は、LC回路を構成するインダクタとキャパ
シタあるいはRC回路を構成する抵抗とキャパシタとを
個別に用意して組み合わせていたため、設計の自由度が
増す反面、設計者等が決定する素子定数が多くて設計が
複雑になる。特に、正弦波を使用する装置によっては、
より少ない種類の部品を組み合わせるだけで簡単に所望
の発振周波数を有することができれば便利である。By the way, in the conventional sine wave oscillation circuit, the inductor and the capacitor forming the LC circuit or the resistor and the capacitor forming the RC circuit are individually prepared and combined. On the other hand, the number of device constants determined by designers is large, but the design becomes complicated. In particular, depending on the device that uses the sine wave,
It would be convenient if the desired oscillation frequency could be easily achieved by combining fewer types of components.
【0005】また、上述した従来の正弦波発振回路は、
固定の基本周波数の正弦波を発生するものであり、抵抗
やキャパシタを可変素子に置き換えることによりこの基
本周波数近傍の狭い範囲で周波数を可変できるだけであ
る。したがって、周波数が異なる、例えば周波数が3〜
5倍程度異なる2種類の正弦波を発生させようとすれ
ば、基本的には2種類の正弦波発振回路を用意しておい
て、使用する正弦波を切り替えたい場合には用意した正
弦波発振回路自体を切り替えて使用する手法が用いられ
ている。したがって、大きく周波数が異なる2種類の正
弦波を発生させようとすると、発振回路の規模が大きく
なってしまうという問題がある。Further, the above-mentioned conventional sine wave oscillation circuit is
It generates a sine wave with a fixed fundamental frequency, and by replacing the resistors and capacitors with variable elements, the frequency can be varied within a narrow range near this fundamental frequency. Therefore, the frequency is different, for example, the frequency is 3 to
If you want to generate two types of sine waves that differ by about 5 times, basically you should prepare two types of sine wave oscillation circuits, and if you want to switch the sine wave to be used, prepare the sine wave oscillation. A method of switching and using the circuit itself is used. Therefore, there is a problem in that the scale of the oscillation circuit becomes large if two types of sine waves having widely different frequencies are to be generated.
【0006】本発明は、このような点に鑑みて創作され
たものであり、その目的はより少ない種類の部品を組み
合わせて簡単に正弦波を発生させることができる正弦波
発振回路を提供することにある。The present invention has been made in view of the above points, and an object thereof is to provide a sine wave oscillation circuit capable of easily generating a sine wave by combining fewer types of components. It is in.
【0007】また、本発明の他の目的は、大きく周波数
が異なる2種類の正弦波を簡単な構成で発生させること
ができる正弦波発振回路を提供することにある。Another object of the present invention is to provide a sine wave oscillating circuit capable of generating two types of sine waves having greatly different frequencies with a simple structure.
【0008】[0008]
【課題を解決するための手段】上述した課題を解決する
ために、請求項1の正弦波発振回路は、入力信号を増幅
するとともに位相反転を行う反転増幅器と、いずれか一
方が信号入出力路として使用される2本のインダクタ
と、それらの間のキャパシタとが分布定数的に形成され
ており、前記信号入出力路として使用されるいずれか一
方のインダクタが互いに直列接続されるとともに、他方
のインダクタ同士が接続された複数のLC素子と、を備
え、前記反転増幅器の出力を直列接続された複数の前記
インダクタを介して入力側に帰還させることにより正弦
波発振を行うことを特徴とする。In order to solve the above problems, a sine wave oscillating circuit according to a first aspect of the present invention includes an inverting amplifier that amplifies an input signal and performs phase inversion, and one of them is a signal input / output path. Two inductors used as a capacitor and capacitors between them are formed in a distributed constant manner, and one of the inductors used as the signal input / output path is connected in series with the other inductor and A plurality of LC elements in which inductors are connected to each other, and sine wave oscillation is performed by feeding back the output of the inverting amplifier to the input side through the plurality of inductors connected in series.
【0009】請求項2の正弦波発振回路は、請求項1の
正弦波発振回路において、前記複数のLC素子の前記他
方のインダクタ同士を周波数調整用キャパシタを介して
接続したことを特徴とする。A sine wave oscillator circuit according to a second aspect is the sine wave oscillator circuit according to the first aspect, wherein the other inductors of the plurality of LC elements are connected to each other through a frequency adjustment capacitor.
【0010】請求項3の正弦波発振回路は、請求項1の
正弦波発振回路において、前記複数のLC素子の前記他
方のインダクタ同士をバリキャップを介して接続したこ
とを特徴とする。A sine wave oscillator circuit according to a third aspect of the present invention is the sine wave oscillator circuit according to the first aspect, wherein the other inductors of the plurality of LC elements are connected to each other via a varicap.
【0011】請求項4の正弦波発振回路は、請求項1〜
3のいずれかの正弦波発振回路において、前記反転増幅
器をインバータ論理回路により構成することを特徴とす
る。A sine wave oscillation circuit according to a fourth aspect of the present invention is provided.
In the sine wave oscillating circuit according to any one of 3 above, the inverting amplifier is constituted by an inverter logic circuit.
【0012】請求項5の正弦波発振回路は、請求項1〜
3のいずれかの正弦波発振回路において、前記反転増幅
器をソース接地回路あるいはエミッタ接地回路により構
成することを特徴とする。According to a fifth aspect of the present invention, a sine wave oscillating circuit is provided.
In the sine wave oscillating circuit according to any one of 3 above, the inverting amplifier is constituted by a grounded source circuit or a grounded emitter circuit.
【0013】請求項6の正弦波発振回路は、請求項1〜
5のいずれかの正弦波発振回路において、前記複数のL
C素子のそれぞれは、前記インダクタとして機能する複
数の帯状導電体と誘電体シートとを交互に重ねて同心状
に巻き回すことにより形成され、これら複数の帯状導電
体のいずれか1つが前記信号入出力路として使用される
ことを特徴とする。According to a sixth aspect of the present invention, there is provided a sine wave oscillator circuit according to the first aspect.
In the sine wave oscillation circuit of any one of 5,
Each of the C elements is formed by alternately stacking a plurality of strip-shaped conductors functioning as the inductor and a dielectric sheet and winding them concentrically, and any one of the plurality of strip-shaped conductors is used for the signal input. It is characterized in that it is used as an output path.
【0014】請求項7の正弦波発振回路は、請求項1〜
5のいずれかの正弦波発振回路において、前記複数のL
C素子のそれぞれは、それぞれがほぼ同一面上に形成さ
れており、それぞれが前記インダクタとして機能する複
数のスパイラル状電極と、これら複数のスパイラル状電
極の間に形成された絶縁層と、前記絶縁層を挟んでほぼ
重なるように前記複数のスパイラル状電極が一方の面上
に形成された絶縁基板とを含んで構成されており、これ
ら複数のスパイラル状電極のいずれか1つが前記信号入
出力路として使用されることを特徴とする。The sine wave oscillating circuit according to a seventh aspect of the present invention is the sine wave oscillating circuit according to the first aspect.
In the sine wave oscillation circuit of any one of 5,
Each of the C elements is formed on substantially the same plane, each of which has a plurality of spiral electrodes each functioning as the inductor, an insulating layer formed between the plurality of spiral electrodes, and the insulating layer. The plurality of spiral electrodes are configured to include an insulating substrate formed on one surface so as to be substantially overlapped with each other with a layer interposed therebetween, and any one of the plurality of spiral electrodes is provided to the signal input / output path. It is used as.
【0015】請求項8の正弦波発振回路は、請求項1〜
5のいずれかの正弦波発振回路において、前記複数のL
C素子のそれぞれは、層が異なる各周回部分を有してお
り、その全体が前記インダクタとして機能する複数のス
パイラル状電極と、これら複数のスパイラル状電極の周
回部分を交互に重ねた場合に各周回部分の間に挿入され
る絶縁板あるいは絶縁膜とを含んで構成されており、こ
れら複数のスパイラル状電極のいずれか1つが前記信号
入出力路として使用されることを特徴とする。According to another aspect of the present invention, there is provided a sine wave oscillating circuit.
In the sine wave oscillation circuit of any one of 5,
Each of the C elements has respective winding portions of different layers, and when a plurality of spiral electrodes that entirely function as the inductor and the winding portions of these spiral electrodes are alternately stacked, It is configured to include an insulating plate or an insulating film inserted between the peripheral portions, and any one of the plurality of spiral electrodes is used as the signal input / output path.
【0016】請求項9の正弦波発振回路は、請求項1〜
5のいずれかの正弦波発振回路において、前記複数のL
C素子のそれぞれは、交互に逆向きに折り畳んで積層さ
れる複数の折り畳み部を有する絶縁シートと、この絶縁
シートの両面にほぼ対向するように形成されて前記折り
畳み部を交互に折り畳んで積層したときにそれぞれが所
定ターン数の前記インダクタとして機能する複数の導体
とを含んで構成されており、これら複数の導体のいずれ
か1つが前記信号入出力路として使用されることを特徴
とする。According to a ninth aspect of the present invention, there is provided a sine wave oscillator circuit according to the first aspect.
In the sine wave oscillation circuit of any one of 5,
Each of the C elements is formed so as to substantially face both sides of an insulating sheet having a plurality of folded portions that are alternately folded in the opposite direction and laminated, and the folded portions are alternately folded and laminated. It is characterized in that each of them is configured to include a plurality of conductors each of which functions as the inductor of a predetermined number of turns, and one of the plurality of conductors is used as the signal input / output path.
【0017】請求項10の正弦波発振回路は、請求項1
〜9のいずれかの正弦波発振回路において、前記複数の
各インダクタの径を周回部分が異なる毎に変えるととも
に、前記反転増幅器の動作電源電圧を変えることによ
り、発振周波数の切り替えを行うことを特徴とする。According to a tenth aspect of the present invention, a sine wave oscillating circuit is provided.
In the sine wave oscillating circuit according to any one of items 1 to 9, the oscillating frequency is switched by changing the diameter of each of the plurality of inductors for each different winding portion and changing the operating power supply voltage of the inverting amplifier. And
【0018】[0018]
【作用】請求項1の正弦波発振回路は、反転増幅器と2
個以上のLC素子とを直列にリング状に接続することに
より構成されている。この反転増幅器では信号の位相が
反転、すなわち180度ずれるため、この反転増幅器に
接続された2個以上のLC素子によって位相がさらに1
80度ずれて帰還後の信号の位相が0度あるいは360
度となるような周波数で発振が行われるようになる。The sine wave oscillating circuit according to claim 1 includes an inverting amplifier and an inverting amplifier.
It is configured by connecting a plurality of LC elements in series in a ring shape. In this inverting amplifier, the phase of the signal is inverted, that is, 180 degrees out of phase, so that the phase is further increased by two or more LC elements connected to this inverting amplifier.
The phase of the signal after returning by 80 degrees is 0 degree or 360 degrees.
Oscillation will be performed at a frequency that becomes a frequency.
【0019】このように、請求項1の発明によれば、反
転増幅器とLC素子とをリング状に接続するだけで正弦
波発振が行われており、より少ない種類の部品を組み合
わせるだけで簡単に正弦波を発生させることができる。As described above, according to the first aspect of the present invention, the sine wave oscillation is performed only by connecting the inverting amplifier and the LC element in a ring shape, and it is easy to combine only a smaller number of types of components. A sine wave can be generated.
【0020】また、請求項2の正弦波発振回路は、上述
した複数のLC素子のキャパシタ成分と直列に周波数調
整用キャパシタを接続しており、この周波数調整用キャ
パシタの素子定数に応じて各LC素子における位相特性
や共振特性を調整することができる。したがって、この
周波数調整用キャパシタの素子定数を変えることによ
り、発生する正弦波の周波数をある範囲で簡単に調整す
ることができる。Further, in the sine wave oscillating circuit according to the present invention, a frequency adjusting capacitor is connected in series with the capacitor components of the plurality of LC elements described above, and each LC is adjusted in accordance with the element constant of the frequency adjusting capacitor. The phase characteristics and resonance characteristics of the element can be adjusted. Therefore, the frequency of the generated sine wave can be easily adjusted within a certain range by changing the element constant of the frequency adjustment capacitor.
【0021】また、請求項3の正弦波発振回路は、さら
に上述した周波数調整用キャパシタをバリキャップに置
き換えたものであり、このバリキャップの容量を外部か
ら制御することにより、発生する正弦波の周波数をある
範囲で変更することができる。したがって、電圧制御型
の正弦波発振回路を容易に構成することができる。Further, in the sine wave oscillating circuit of claim 3, the frequency adjusting capacitor is replaced with a varicap, and the sine wave generated by externally controlling the capacitance of the varicap is generated. The frequency can be changed in a range. Therefore, the voltage control type sine wave oscillation circuit can be easily configured.
【0022】また、請求項4または5の正弦波発振回路
は、上述した反転増幅器をインバータ論理回路やトラン
ジスタを利用したソース接地回路あるいはエミッタ接地
回路により構成している。すなわち、これらはいずれも
入力信号の論理を反転させて出力すると同時に入力信号
の電圧レベルを増幅するものであり、このような構造が
単純な反転増幅器とLC素子とを組み合わせるだけで、
簡単に正弦波を発生させることができる。In the sine wave oscillating circuit according to a fourth or fifth aspect of the present invention, the inverting amplifier described above is configured by a grounded source circuit or a grounded emitter circuit using an inverter logic circuit or a transistor. That is, all of these are to invert the logic of the input signal and output it, and at the same time, to amplify the voltage level of the input signal. By simply combining an inverting amplifier with such a structure and an LC element,
A sine wave can be easily generated.
【0023】また、請求項6〜9の正弦波発振回路は、
上述したLC素子の具体的構成の一例を示したものであ
る。すなわち、帯状導電体と誘電体シートとを交互に重
ねて同心状に巻き回すことにより、絶縁基板上にスパイ
ラル状電極を重ねて形成することにより、複数の層にわ
たって各周回部分が形成された立体的なスパイラル状電
極を用いることにより、あるいは両面に導体が形成され
た絶縁シートを折り畳んで積層体を形成することにより
LC素子を形成している。したがって、簡単な構造によ
ってインダクタ成分とキャパシタ成分とが1つの素子内
に分布定数的に形成されたLC素子を容易に実現するこ
とができ、このLC素子を用いることにより正弦波発振
回路を構成する部品の種類を少なくすることができる。The sine wave oscillating circuit according to claims 6 to 9 is
It shows an example of a specific configuration of the LC element described above. That is, a spiral electrode is formed by stacking spiral electrodes on an insulating substrate by alternately stacking strip-shaped conductors and dielectric sheets and winding them in a concentric manner. The LC element is formed by using a conventional spiral electrode or by folding an insulating sheet having conductors formed on both surfaces to form a laminated body. Therefore, it is possible to easily realize an LC element in which an inductor component and a capacitor component are formed in a single element in a distributed constant with a simple structure, and a sine wave oscillation circuit is configured by using this LC element. The types of parts can be reduced.
【0024】また、請求項10の正弦波発振回路は、上
述した反転増幅器の動作電源電圧を変えることにより発
振周波数の不連続的な切り替えを行うものである。すな
わち、LC素子の各インダクタの径を周回部分が異なる
毎に変えることにより、単一の素子によって複数の共振
点を有する現象が現れる。したがって、反転増幅器の動
作電源電圧を変化させていくと、反転増幅器の動作点が
他の共振点に対応するように移動し、発振周波数が大き
く切り替わる現象が生じる。このように、大きく周波数
が異なる2種類の正弦波を別々の回路を組み合わせずに
単一の回路によって発生させることができ、回路規模の
縮小が可能となる。Further, the sine wave oscillating circuit according to a tenth aspect of the invention is such that the oscillating frequency is discontinuously switched by changing the operating power supply voltage of the inverting amplifier. That is, by changing the diameter of each inductor of the LC element for each different winding portion, a phenomenon that a single element has a plurality of resonance points appears. Therefore, when the operating power supply voltage of the inverting amplifier is changed, the operating point of the inverting amplifier moves so as to correspond to another resonance point, and a phenomenon in which the oscillation frequency largely switches occurs. In this way, two types of sine waves having widely different frequencies can be generated by a single circuit without combining separate circuits, and the circuit scale can be reduced.
【0025】[0025]
【実施例】以下、本発明を適用した一実施例の正弦波発
振回路について、図面を参照しながら具体的に説明す
る。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A sine wave oscillator circuit according to an embodiment of the present invention will be specifically described below with reference to the drawings.
【0026】〔第1実施例〕図1は、本発明を適用した
第1実施例の正弦波発振回路1の詳細な構成を示す図で
ある。[First Embodiment] FIG. 1 is a diagram showing a detailed configuration of a sine wave oscillation circuit 1 of a first embodiment to which the present invention is applied.
【0027】同図に示すように、第1実施例の正弦波発
振回路1は、反転増幅器として機能するインバータ論理
回路10と、インダクタ成分とキャパシタ成分とが分布
定数的に形成されたLC素子12,14と、負荷として
機能するキャパシタ16とを含んで構成されている。As shown in the figure, the sine wave oscillation circuit 1 of the first embodiment has an inverter logic circuit 10 which functions as an inverting amplifier, and an LC element 12 in which an inductor component and a capacitor component are formed in a distributed constant. , 14 and a capacitor 16 functioning as a load.
【0028】インバータ論理回路10は、入力信号の論
理を反転、すなわち位相を180度ずらして出力すると
ともに、増幅器として動作する。このインバータ論理回
路10は、TTLロジック等任意のロジックを用いて実
現することができるが、入力インピーダンスが高くて回
路設計が容易なCMOSロジック、その中でも周波数が
高い正弦波を発振させる場合には高速タイプである74
HCシリーズ等のCMOSロジックが適している。The inverter logic circuit 10 inverts the logic of the input signal, that is, shifts the phase by 180 degrees and outputs it, and also operates as an amplifier. The inverter logic circuit 10 can be realized by using any logic such as a TTL logic. However, the CMOS logic has a high input impedance and is easy to design a circuit. Among them, a high speed is used when a high frequency sine wave is oscillated. Type 74
A CMOS logic such as HC series is suitable.
【0029】キャパシタ16は、負荷として機能するも
のである。インバータ論理回路10の内部容量で兼用で
きる場合にはこのキャパシタ16を省略することもでき
る。The capacitor 16 functions as a load. If the internal capacity of the inverter logic circuit 10 can also be used, the capacitor 16 can be omitted.
【0030】LC素子12,14は、インダクタ成分と
キャパシタ成分とが分布定数的に形成されたものであ
り、このインダクタ部分を介して信号の入出力が行われ
る。以下、このLC素子12,14の具体例を説明す
る。Each of the LC elements 12 and 14 has an inductor component and a capacitor component formed in a distributed constant, and signals are input and output through the inductor portion. Hereinafter, specific examples of the LC elements 12 and 14 will be described.
【0031】図2は、帯状導電体等を巻き回すことによ
りLC素子を構成した場合の展開図である。また、図3
は図2に示した帯状導電体等を巻き回した後の状態を示
す図である。FIG. 2 is a development view of a case where an LC element is constructed by winding a strip conductor or the like. Also, FIG.
FIG. 4 is a diagram showing a state after winding the strip-shaped conductor shown in FIG. 2 and the like.
【0032】本実施例のLC素子12,14を製造する
場合には、図2に示すように、帯状導電体18−1と1
8−2を誘電体シート20−1,20−2を介して重ね
合わせて積層体を形成するとともに、帯状導電体18−
1の内側端部(同図においては左端)近傍に入出力用の
第1内側リード22−1を接続する。When manufacturing the LC elements 12 and 14 of the present embodiment, as shown in FIG. 2, the strip conductors 18-1 and 18-1 are used.
8-2 are laminated via the dielectric sheets 20-1 and 20-2 to form a laminated body, and the strip-shaped conductor 18-
A first inner lead 22-1 for input / output is connected near the inner end (left end in the same figure) of 1.
【0033】次に、この積層体を図3(A)に示すよう
に、回転巻き軸26の回りに複数回巻き回す。そして、
帯状導電体18−1の外側端部近傍に入出力用の第1外
側リード22−2を接続するとともに、もう一方の帯状
導電体18−2の外側端部近傍にキャパシタ用外側リー
ド24を接続する。このとき、キャパシタ用外側リード
24を、第1外側リード22−2から巻き軸26を中心
として1/2回転ずらして配置することが好ましく、こ
のような配置とすることにより、帯状導電体18−1等
を巻き回した後に3本のリード22−1,22−2,2
4を充分離して配置することが可能となり、後の結線等
に好都合となる。Next, as shown in FIG. 3A, this laminated body is wound around the rotary winding shaft 26 a plurality of times. And
The first outer lead 22-2 for input / output is connected near the outer end of the strip-shaped conductor 18-1, and the outer lead 24 for capacitor is connected near the outer end of the other strip-shaped conductor 18-2. To do. At this time, it is preferable to dispose the capacitor outer lead 24 by ½ rotation from the first outer lead 22-2 about the winding shaft 26. By such an arrangement, the strip-shaped conductor 18- After winding 1 etc., 3 leads 22-1, 22-2, 2
It becomes possible to arrange and dispose 4 in a separate manner, which is convenient for later connection.
【0034】次に、巻回部40の巻き終わりを熱溶着や
接着剤などで固定した後、巻き軸26から巻回部28を
抜き取り、外側リード22−2と24を結んだ線と直交
する方向から巻回部28を加熱しながら押圧する。Next, after the winding end of the winding portion 40 is fixed by heat welding or an adhesive, the winding portion 28 is removed from the winding shaft 26 and is orthogonal to the line connecting the outer leads 22-2 and 24. The winding portion 28 is pressed while being heated from the direction.
【0035】これにより、巻回部28は、図3(B)に
示すように、巻き軸26から抜き取られた空心部30が
変形し、リード22−1,22−2,24が一直線上に
並ぶようになるとともに、各リードの間隔が拡大する。
このようにして、図3(C)に示すようなほぼ偏平形状
のLC素子12,14が完成する。As a result, in the winding part 28, as shown in FIG. 3 (B), the air-core part 30 extracted from the winding shaft 26 is deformed, and the leads 22-1, 22-2 and 24 are aligned. As they are lined up, the spacing between the leads increases.
Thus, the substantially flat LC elements 12 and 14 as shown in FIG. 3C are completed.
【0036】なお、このようにして形成される偏平形状
のLC素子12,14は、必要に応じて巻回部28の外
表面に金属箔などでケーシングを施したり、またエポキ
シ等のコーティングを行ってもよい。In the flat-shaped LC elements 12 and 14 thus formed, the outer surface of the winding portion 28 may be covered with a casing such as a metal foil or coated with epoxy or the like, if necessary. May be.
【0037】図4は、上述した構造を有するLC素子1
2,14の等価回路を示す図である。帯状導電体18−
1が巻き回されることによりインダクタンスL1 を有す
るインダクタとして機能するとともに、帯状導電体18
−2が巻き回されることによりインダクタL2 を有する
インダクタとして機能する。また、これら2つの帯状導
電体18−1,18−2は対向して同心状に巻き回され
るため、これらの間にはキャパシタンスCを有するキャ
パシタが分布定数的に形成される。FIG. 4 shows an LC device 1 having the above structure.
It is a figure which shows the equivalent circuit of 2 and 14. Band-shaped conductor 18-
The wound conductor 1 functions as an inductor having an inductance L1 and the strip-shaped conductor 18
-2 functions as an inductor having the inductor L2 by being wound. Further, since these two strip-shaped conductors 18-1 and 18-2 are opposed to each other and are wound concentrically, a capacitor having a capacitance C is formed between them in a distributed constant manner.
【0038】図5は、図2および図3に示す構造を有す
るLC素子12,14の特性を示す図である。LC素子
12,14を3端子素子として使用し、リード22−2
と24との間に交流信号を入力するとともにリード22
−1と24との間に現れる信号を観察した結果が示され
ている。FIG. 5 is a diagram showing the characteristics of the LC elements 12 and 14 having the structures shown in FIGS. The LC elements 12 and 14 are used as 3-terminal elements, and the leads 22-2
AC signal is input between terminals 24 and 24
The results of observing the signal appearing between -1 and 24 are shown.
【0039】同図(A)は、減衰特性を示す図であり、
横軸が周波数を、縦軸が入力信号に対する出力信号の減
衰量をそれぞれ示している。20MHz近傍と150M
Hz近傍に大きな減衰のピークがあることがわかる。こ
のように、複数の減衰ピークが存在するのは、インダク
タとキャパシタとを分布定数的に形成したことに加え、
巻き回された帯状導電体18−1,18−2の径が連続
的に大きく変化することによるものと考えられる。特
に、内側端部近傍の径と外側端部近傍の径とが大きく異
なるように、例えば巻き数を多く設定した場合には複数
の減衰ピークが現れることが確認されている。FIG. 6A is a diagram showing the attenuation characteristic,
The horizontal axis represents frequency and the vertical axis represents the amount of attenuation of the output signal with respect to the input signal. Near 20MHz and 150M
It can be seen that there is a large attenuation peak near Hz. In this way, the presence of multiple attenuation peaks is due to the fact that the inductor and the capacitor are formed in a distributed constant,
It is considered that this is because the diameters of the wound strip-shaped conductors 18-1 and 18-2 continuously and largely change. In particular, it has been confirmed that a plurality of attenuation peaks appear when the number of turns is set to be large so that the diameter near the inner end portion and the diameter near the outer end portion are greatly different.
【0040】同図(B)は位相特性を示す図であり、横
軸が周波数を、縦軸が入力信号に対する出力信号の位相
のずれをそれぞれ示している。20MHz近傍と150
MHz近傍(すなほち減衰のピーク近傍)で位相が急激
に、具体的には90度以上変化していることがわかる。FIG. 6B is a diagram showing the phase characteristics, where the horizontal axis shows the frequency and the vertical axis shows the phase shift of the output signal with respect to the input signal. Near 20MHz and 150
It can be seen that the phase abruptly changes in the vicinity of MHz (in the vicinity of the peak of sunauchi attenuation), specifically, 90 degrees or more.
【0041】本実施例の正弦波発振回路1は、このよう
な位相特性を有する2個のLC素子12,14とインバ
ータ論理回路10とをリング状に接続している。したが
って、インバータ論理回路10の増幅度をある値以上に
設定した場合には、一巡して戻ってくる信号の位相のず
れが0度あるいは360度となるような周波数で発振が
行われる。すなわち、インバータ論理回路10では18
0度位相がずれるため、これを除く2つのLC素子1
2,14によって180度位相がずれるような周波数で
発振する。In the sine wave oscillating circuit 1 of this embodiment, two LC elements 12 and 14 having such phase characteristics and the inverter logic circuit 10 are connected in a ring shape. Therefore, when the amplification degree of the inverter logic circuit 10 is set to a certain value or more, the oscillation is performed at a frequency such that the phase shift of the signal returned in one round becomes 0 degree or 360 degrees. That is, in the inverter logic circuit 10, 18
Two LC elements 1 excluding this are 0 degrees out of phase
It oscillates at a frequency such that the phase shifts 180 degrees due to 2 and 14.
【0042】換言すれば、インバータ論理回路10によ
って位相が180度ずれるため、LC素子12等によっ
て位相を180度ずらすとともに、ループを一巡したと
きの減衰分を反転増幅器であるインバータ論理回路10
の増幅率によって補うことができれば、ある周波数の発
振が継続されることになる。In other words, since the inverter logic circuit 10 shifts the phase by 180 degrees, the LC element 12 or the like shifts the phase by 180 degrees, and the attenuation amount when the loop makes one round is an inverter logic circuit 10 which is an inverting amplifier.
If it can be compensated by the amplification factor of, the oscillation of a certain frequency will be continued.
【0043】ところで、図5(B)を用いて説明したよ
うに、各LC素子12,14はある周波数において位相
が90度以上変化するため、これらのLC素子12,1
4を直列に接続した場合には合計で180度位相をずら
すことができ、このときの周波数で発振が生じる。By the way, as described with reference to FIG. 5B, since the phase of each LC element 12, 14 changes by 90 degrees or more at a certain frequency, these LC elements 12, 1
When 4 are connected in series, the phase can be shifted by 180 degrees in total, and oscillation occurs at the frequency at this time.
【0044】このように、本実施例の正弦波発振回路1
は、基本的には1つのインバータ論理回路10と2つの
LC素子12,14といった少ない種類の部品を組み合
わせるだけで、簡単に正弦波を発生させることができ
る。特に、LC素子12,14は、LC直列共振回路や
LC並列共振回路等と異なり、1つの素子内にインダク
タとキャパシタとが分布定数的に形成されたものである
ため、発振回路を構成する際にインダクタとキャパシタ
とを別々に用意して接続する手間がなくなる。In this way, the sine wave oscillator circuit 1 of this embodiment is
Basically, a sine wave can be easily generated simply by combining a small number of components such as one inverter logic circuit 10 and two LC elements 12 and 14. In particular, the LC elements 12 and 14 are different from the LC series resonant circuit and the LC parallel resonant circuit in that the inductor and the capacitor are formed in a distributed constant in one element, and therefore, when configuring the oscillation circuit. There is no need to separately prepare and connect the inductor and the capacitor.
【0045】図6は、本実施例の変形例を示す図であ
る。同図(A)に示す正弦波発振回路2aは、上述した
正弦波発振回路1がLC素子12,14の各キャパシタ
用外側リード24同士を直結していたのに対し、これら
外側リード24同士を周波数調整用のキャパシタ30を
介して接続した点に特徴がある。FIG. 6 is a diagram showing a modification of this embodiment. In the sine wave oscillating circuit 2a shown in FIG. 7A, the sine wave oscillating circuit 1 described above directly connects the outer leads 24 for capacitors of the LC elements 12 and 14, but the outer leads 24 are connected to each other. It is characterized in that it is connected via a capacitor 30 for frequency adjustment.
【0046】上述した正弦波発振回路1においては、L
C素子12,14内に分布定数的に形成されたインダク
タおよびキャパシタやインバータ論理回路10の内部容
量,抵抗等により発振周波数が定まるため、負荷である
キャパシタ16以外は使用する素子が決まれば素子定数
を変更することができない。このため、発振周波数の調
整が難しく、この点を改善したものが図6(A)に示し
た正弦波発振回路2aである。In the above-mentioned sine wave oscillation circuit 1, L
Since the oscillating frequency is determined by the inductors and capacitors formed in the C elements 12 and 14 in a distributed constant manner, the internal capacitance and the resistance of the inverter logic circuit 10, if the elements other than the load capacitor 16 are used, the element constants are determined. Can not be changed. Therefore, it is difficult to adjust the oscillation frequency, and the sine wave oscillation circuit 2a shown in FIG. 6A improves this point.
【0047】具体的には、分布定数的に形成されたLC
素子12,14内のキャパシタ成分と直列にキャパシタ
30を接続することにより、LC素子12,14による
共振特性が変更され、すなわち図5に示した位相対周波
数の関係が変更され、正弦波発振回路2a全体としての
発振周波数も変化する。Specifically, LC formed in a distributed constant manner
By connecting the capacitor 30 in series with the capacitor components in the elements 12 and 14, the resonance characteristics of the LC elements 12 and 14 are changed, that is, the phase-frequency relationship shown in FIG. The oscillation frequency of the entire 2a also changes.
【0048】このように、LC素子12,14のキャパ
シタ用リード24間に直列接続するキャパシタ30によ
って正弦波発振回路2aの発振周波数をある範囲で調整
することがき、所望の発振周波数の正弦波発振回路2a
を簡単に設計することができる。換言すれば、特性が異
なる数種類のLC素子12,14を用意しておくだけ
で、接続するキャパシタ30の容量値を変更することに
より、幅広い周波数で発振を行う正弦波発振回路2aを
実現することができるようになる。In this way, the oscillation frequency of the sine wave oscillation circuit 2a can be adjusted within a certain range by the capacitor 30 connected in series between the capacitor leads 24 of the LC elements 12 and 14, and the sine wave oscillation of the desired oscillation frequency can be achieved. Circuit 2a
Can be designed easily. In other words, it is possible to realize the sine wave oscillating circuit 2a that oscillates at a wide range of frequencies by changing the capacitance value of the connected capacitor 30 simply by preparing several types of LC elements 12 and 14 having different characteristics. Will be able to.
【0049】図6(B)は、同図(A)においてLC素
子12,14のキャパシタ用リード24間に挿入したキ
ャパシタ30をバリキャップ32に置き換えた構成を有
する正弦波発振回路2bの構成を示す図である。FIG. 6B shows the configuration of the sine wave oscillation circuit 2b having a configuration in which the capacitor 30 inserted between the capacitor leads 24 of the LC elements 12 and 14 in FIG. 6A is replaced with a varicap 32. FIG.
【0050】上述したように、LC素子12,14のキ
ャパシタ用リード24間に接続したキャパシタ30の容
量値を変えることにより正弦波発振回路2aにおける発
振周波数を変えることができる。したがって、容量値が
異なる複数のキャパシタ30のいずれか一つを選択して
使用する代わりにバリキャップ32を用いることによ
り、容易に電圧制御型の正弦波発振回路2bを構成する
ことができる。As described above, the oscillation frequency in the sine wave oscillation circuit 2a can be changed by changing the capacitance value of the capacitor 30 connected between the capacitor leads 24 of the LC elements 12 and 14. Therefore, by using the varicap 32 instead of selecting and using any one of the plurality of capacitors 30 having different capacitance values, it is possible to easily configure the voltage control type sine wave oscillation circuit 2b.
【0051】図7は、本実施例の他の変形例を示す図で
ある。同図に示す正弦波発振回路2cは、図1に示した
正弦波発振回路1に可変電圧電源34を追加した構成を
有している。この可変電圧電源34は、インバータ論理
回路10の動作電源として機能するものであり、印加す
る電圧値が任意に可変できるというものである。FIG. 7 is a diagram showing another modification of this embodiment. The sine wave oscillation circuit 2c shown in the figure has a configuration in which a variable voltage power supply 34 is added to the sine wave oscillation circuit 1 shown in FIG. The variable voltage power source 34 functions as an operating power source of the inverter logic circuit 10, and the applied voltage value can be arbitrarily changed.
【0052】このような可変電圧電源34によってイン
バータ論理回路10に印加する動作電源電圧をある範囲
で変更しても正弦波発振回路2cにおける発振周波数は
変化しない。これは本実施例の正弦波発振回路cがLC
素子12,14による共振を利用したものだからであ
る。Even if the operating power supply voltage applied to the inverter logic circuit 10 by the variable voltage power supply 34 is changed within a certain range, the oscillation frequency in the sine wave oscillation circuit 2c does not change. This is because the sine wave oscillation circuit c of this embodiment is LC
This is because the resonance of the elements 12 and 14 is used.
【0053】ところが、ある範囲を越えてインバータ論
理回路10に印加する動作電源電圧を高くしていくと、
ある電圧値を境にして発振周波数が4〜5倍程度高周波
側に不連続的に切り替わる現象が起こる。これは動作電
源電圧を変えることによりインバータ論理回路10の最
適周波数(最適動作点)が高周波側に移行するため、い
ままでは図5に示す低周波側の減衰ピークに相当する共
振点近傍で発振していたものが、高周波側の減衰ピーク
に相当する共振点近傍で発振するようになったからであ
る。実際に正弦波発振回路2cを組み立てて発振周波数
を測定したところ、動作電源電圧が低いときには約7M
Hzの正弦波発振が観察されたものが、動作電源電圧を
上げていったときに約30MHzの正弦波発振に切り替
わる現象が観察された。However, if the operating power supply voltage applied to the inverter logic circuit 10 is increased beyond a certain range,
A phenomenon occurs in which the oscillation frequency is discontinuously switched to a high frequency side about 4 to 5 times at a certain voltage value. This is because the optimum frequency (optimal operating point) of the inverter logic circuit 10 shifts to the high frequency side by changing the operating power supply voltage, so that the oscillation frequency near the resonance point corresponding to the attenuation peak on the low frequency side shown in FIG. This is because what has been oscillated near the resonance point corresponding to the attenuation peak on the high frequency side. When the sine wave oscillation circuit 2c was actually assembled and the oscillation frequency was measured, it was about 7M when the operating power supply voltage was low.
It was observed that a phenomenon in which the sine wave oscillation of Hz was observed was switched to a sine wave oscillation of approximately 30 MHz when the operating power supply voltage was increased.
【0054】本実施例の正弦波発振回路2cは、このよ
うな発振特性を有しているため、一つの回路によって周
波数が異なる2つの正弦波を発生させることができる。
このため、従来であれば2つの正弦波を発生させようと
すれば別々に正弦波発振回路を構成しておいて、適宜使
用する回路を切り替えなければならず回路全体が複雑に
なっていたものが、単一の正弦波発振回路2cで足りる
ため回路構成が簡素化される。Since the sine wave oscillating circuit 2c of this embodiment has such an oscillation characteristic, it is possible to generate two sine waves having different frequencies by one circuit.
For this reason, in the past, if two sine waves were to be generated, separate sine wave oscillating circuits had to be configured and the circuits to be used had to be switched appropriately, which made the entire circuit complicated. However, since the single sine wave oscillation circuit 2c is sufficient, the circuit configuration is simplified.
【0055】なお、可変電圧電源34からインバータ論
理回路10に印加する動作電源電圧は必ずしも連続的に
変化させる必要はない。すなわち、ある電圧値を境に発
振周波数が変わるため、この境となる電圧値よりも低い
あるいは高い第1および第2の動作電圧(固定)を印加
可能に可変電源電圧34を形成しておいて、低周波側の
正弦波を発生させたい場合はインバータ論理回路10に
第1の動作電圧を、高周波側の正弦波を発生させたい場
合はインバータ論理回路10に第2の動作電圧を印加す
る。当然ながら、第1および第2の動作電圧を別々に供
給可能な電源を2つ用意しておいて、必要に応じて使用
する電源を選択するようにしてもよい。The operating power supply voltage applied from the variable voltage power supply 34 to the inverter logic circuit 10 does not necessarily have to be continuously changed. That is, since the oscillation frequency changes at a certain voltage value as a boundary, the variable power supply voltage 34 is formed so that the first and second operating voltages (fixed) lower or higher than this boundary voltage value can be applied. A first operating voltage is applied to the inverter logic circuit 10 to generate a low frequency sine wave, and a second operating voltage is applied to the inverter logic circuit 10 to generate a high frequency sine wave. As a matter of course, two power supplies capable of supplying the first and second operating voltages separately may be prepared, and the power supply to be used may be selected as needed.
【0056】このように、本実施例の正弦波発振回路2
cによれば、簡単な構成により周波数が大きく異なる2
種類の正弦波を発生させることができる。なお、この2
種類の正弦波の周波数は、図2および図3に構造を示し
たLC素子12,14の巻き数等を変更することによ
り、ある範囲で任意に変えることができる。Thus, the sine wave oscillator circuit 2 of this embodiment is
According to c, the frequencies are greatly different due to the simple configuration.
Any kind of sine wave can be generated. In addition, this 2
The frequency of the kind of sine wave can be arbitrarily changed within a certain range by changing the number of turns of the LC elements 12 and 14 having the structures shown in FIGS.
【0057】〔第2実施例〕図8は、本発明を適用した
第2実施例の正弦波発振回路3の詳細な構成を示す図で
ある。本実施例の正弦波発振回路3は、上述した第1実
施例の正弦波発振回路1,2が反転増幅器としてインバ
ータ論理回路10を使用していたのに対し、反転増幅器
としてMOSトランジスタによるソース接地回路を使用
している点に特徴がある。[Second Embodiment] FIG. 8 is a diagram showing a detailed configuration of a sine wave oscillation circuit 3 according to a second embodiment of the present invention. In the sine wave oscillating circuit 3 of the present embodiment, the sine wave oscillating circuits 1 and 2 of the first embodiment described above use the inverter logic circuit 10 as an inverting amplifier, whereas the sine wave oscillating circuit 3 of the first embodiment uses a MOS transistor as a grounded source. It is characterized by using a circuit.
【0058】すなわち、同図に示す正弦波発振回路3
は、図1に示すインバータ論理回路10を、ソース側が
接地されたMOS−FET36とこのMOS−FET3
6のドレイン側に接続された抵抗38とに置き換えた構
成を有しており、これらMOS−FET36と抵抗38
とにより反転増幅器として機能するソース接地回路が構
成されている。That is, the sine wave oscillating circuit 3 shown in FIG.
Is the same as the inverter logic circuit 10 shown in FIG.
6 is replaced with the resistor 38 connected to the drain side of the MOS-FET 6, and the MOS-FET 36 and the resistor 38.
And constitute a source grounded circuit that functions as an inverting amplifier.
【0059】正弦波発振回路3の動作原理は、上述した
正弦波発振回路1と同じであり、2つのLC素子12,
14によって位相を180度反転させるような共振点近
傍の周波数の正弦波を発生するものである。The operating principle of the sine wave oscillating circuit 3 is the same as that of the sine wave oscillating circuit 1 described above.
14 generates a sine wave having a frequency near the resonance point that inverts the phase by 180 degrees.
【0060】また、LC素子12,14については、図
2および図3に示したような帯状導電体と誘電体シート
とを重ねて巻き回すことにより構成することができ、回
路内の接続方法もMOS−FET36と抵抗38とから
なるソース接地回路を反転増幅器として使用している他
は図1に示した正弦波発振回路1と変わるところはな
い。Further, the LC elements 12 and 14 can be constructed by superposing and winding a strip-shaped conductor and a dielectric sheet as shown in FIGS. 2 and 3, and a connection method in a circuit is also possible. There is no difference from the sine wave oscillating circuit 1 shown in FIG. 1 except that a grounded source circuit including a MOS-FET 36 and a resistor 38 is used as an inverting amplifier.
【0061】このように、反転増幅器としてMOS−F
ET36と抵抗38とからなるソース接地回路を用いる
とともに、2個のLC素子12,14をこの反転増幅器
に直列に、かつリング状に接続するという簡単な構成に
より正弦波を発生させることができる。As described above, the MOS-F is used as the inverting amplifier.
A sine wave can be generated by a simple configuration in which a source-grounded circuit including an ET 36 and a resistor 38 is used and two LC elements 12 and 14 are connected in series to this inverting amplifier in a ring shape.
【0062】図9および図10は本実施例の変形例を示
す図である。図9(A)に示す正弦波発振回路4aは、
LC素子12,14の各キャパシタ用リード24同士の
接続をキャパシタ30を介して行うようにしたものであ
り、第1実施例の図6(A)に示した正弦波発振回路2
aに対応するものである。このキャパシタ30の容量値
を任意に設定することにより、発生する正弦波の周波数
を任意に調整することができる。9 and 10 are views showing a modified example of this embodiment. The sine wave oscillation circuit 4a shown in FIG.
The capacitor leads 24 of the LC elements 12 and 14 are connected to each other via the capacitor 30, and the sine wave oscillation circuit 2 shown in FIG. 6A of the first embodiment is used.
It corresponds to a. By arbitrarily setting the capacitance value of the capacitor 30, it is possible to arbitrarily adjust the frequency of the generated sine wave.
【0063】図9(B)に示す正弦波発振回路4bは、
LC素子12,14の各キャパシタ用リード24同士の
接続をバリキャップ32を介して行うようにしたもので
あり、第1実施例の図6(B)に示した正弦波発振回路
4bに対応するものである。外部からこのバリキャップ
32に印加する逆バイアス電圧を可変に制御することに
より、バリキャップ32の容量値を一定範囲で任意に変
更することができ、容易に電圧制御型の正弦波発振回路
4bを構成することができる。The sine wave oscillator circuit 4b shown in FIG.
The capacitor leads 24 of the LC elements 12 and 14 are connected to each other via the varicap 32, and correspond to the sine wave oscillation circuit 4b shown in FIG. 6B of the first embodiment. It is a thing. By variably controlling the reverse bias voltage applied to the varicap 32 from the outside, the capacitance value of the varicap 32 can be arbitrarily changed within a certain range, and the sine wave oscillation circuit 4b of the voltage control type can be easily provided. Can be configured.
【0064】図10に示す正弦波発振回路4cは、MO
S−FET36と抵抗38とから構成されるソース接地
回路の動作電源電圧を可変電圧電源34によって印加す
るようにしたものであり、第1実施例の図7に示した正
弦波発振回路2cに対応するものである。The sine wave oscillator circuit 4c shown in FIG.
The operating power supply voltage of the grounded source circuit composed of the S-FET 36 and the resistor 38 is applied by the variable voltage power supply 34, and corresponds to the sine wave oscillation circuit 2c shown in FIG. 7 of the first embodiment. To do.
【0065】可変電圧電源34によって抵抗38を介し
てMOS−FET36のドレイン側に印加する動作電源
電圧を連続的に変化させることにより、あるいは段階的
に切り替えることにより、1つの共通する簡単な回路に
よって周波数が大きく異なる2つの正弦波を発生させる
ことができる。これは、印加する動作電源電圧を変える
ことによりソース・ドレイン間電流が変化するとともに
MOS−FET36の内部抵抗等の変化に伴って最適動
作速度も変化するため、発振周波数が不連続的に切り替
わるというものである。By continuously changing the operating power supply voltage applied to the drain side of the MOS-FET 36 through the resistor 38 by the variable voltage power supply 34 or switching the operating power supply voltage stepwise, one common simple circuit is used. It is possible to generate two sinusoidal waves having greatly different frequencies. This is because the source-drain current changes by changing the operating power supply voltage to be applied, and the optimum operating speed also changes with the change of the internal resistance of the MOS-FET 36, so that the oscillation frequency is discontinuously switched. It is a thing.
【0066】図11は、本実施例の他の変形例を示す図
である。同図に示す正弦波発振回路4dは、図8に示し
た正弦波発振回路3にバイアス回路を追加した点に特徴
がある。FIG. 11 is a diagram showing another modification of the present embodiment. The sine wave oscillating circuit 4d shown in the figure is characterized in that a bias circuit is added to the sine wave oscillating circuit 3 shown in FIG.
【0067】すなわち、図8に示した正弦波発振回路3
ではLC素子12,14を介した帰還信号が直接MOS
−FET36のゲートに入力されているため、負荷とな
るキャパシタ16やソース接地回路を構成する抵抗38
等の素子定数を適切に調整することによりMOS−FE
T36の最適な動作点を設定する必要がある。これに対
し、図11に示した正弦波発振回路4dでは、任意のゲ
ート電圧を設定可能なバイアス回路が抵抗40と42と
による分圧回路により形成されており、MOS−FET
36の最適な動作点の調整を簡単に行うことができる。That is, the sine wave oscillating circuit 3 shown in FIG.
Then, the feedback signal via the LC elements 12 and 14 is directly MOS
-Since it is inputted to the gate of the FET 36, the capacitor 16 which becomes a load and the resistor 38 which constitutes the source grounded circuit
By properly adjusting the element constants such as
It is necessary to set the optimum operating point of T36. On the other hand, in the sine wave oscillating circuit 4d shown in FIG. 11, a bias circuit capable of setting an arbitrary gate voltage is formed by a voltage dividing circuit including resistors 40 and 42, and the MOS-FET
The optimum operating points of 36 can be easily adjusted.
【0068】なお、キャパシタ44は、MOS−FET
36のゲートに帰還される信号から直流成分を除去する
ための直流成分分離回路として機能するものであり、入
力される信号の位相を変えない程度の大きな容量値を有
するものを使用することが好ましい。The capacitor 44 is a MOS-FET.
A circuit that functions as a DC component separation circuit for removing a DC component from the signal fed back to the gate of 36 and that has a large capacitance value that does not change the phase of the input signal is preferably used. .
【0069】また、図8に示した正弦波発振回路3に対
応する構成についてのみ説明したが、同様に図9
(A),(B)および図10のそれぞれに示した正弦波
発振回路4a,4b,4cに、抵抗40と42からなる
バイアス回路とキャパシタ44からなる直流成分分離回
路とを追加するようにしてもよい。Although only the configuration corresponding to the sine wave oscillation circuit 3 shown in FIG. 8 has been described, the configuration shown in FIG.
A bias circuit composed of resistors 40 and 42 and a DC component separation circuit composed of a capacitor 44 are added to the sine wave oscillating circuits 4a, 4b and 4c shown in (A), (B) and FIG. 10, respectively. Good.
【0070】〔第3実施例〕図12は、本発明を適用し
た第3実施例の正弦波発振回路5の詳細な構成を示す図
である。本実施例の正弦波発振回路5は、上述した第1
実施例の正弦波発振回路1,2が反転増幅器としてイン
バータ論理回路10を、第2実施例の正弦波発振回路
3,4が反転増幅器としてMOSトランジスタによるソ
ース接地回路を使用していたのに対し、反転増幅器とし
てバイポーラトランジスタによるエミッタ接地回路を使
用している点に特徴がある。[Third Embodiment] FIG. 12 is a diagram showing a detailed configuration of a sine wave oscillation circuit 5 according to a third embodiment of the present invention. The sine wave oscillation circuit 5 of the present embodiment is the first
Whereas the sine wave oscillating circuits 1 and 2 of the embodiment use the inverter logic circuit 10 as the inverting amplifier, and the sine wave oscillating circuits 3 and 4 of the second embodiment use the grounded source circuit by the MOS transistor as the inverting amplifier. The feature is that the grounded-emitter circuit using the bipolar transistor is used as the inverting amplifier.
【0071】すなわち、同図に示す正弦波発振回路5
は、図1に示すインバータ論理回路10を、バイポーラ
トランジスタ46と抵抗48とからなるエミッタ接地回
路に置き換えた構成を有しており、このエミッタ接地回
路が反転増幅器として動作する。That is, the sine wave oscillation circuit 5 shown in FIG.
Has a configuration in which the inverter logic circuit 10 shown in FIG. 1 is replaced with a grounded-emitter circuit including a bipolar transistor 46 and a resistor 48, and this grounded-emitter circuit operates as an inverting amplifier.
【0072】なお、帰還ループに挿入されたキャパシタ
51は直流成分を除去するための直流成分分離回路とし
て機能するものである。また、バイポーラトランジスタ
46のベースにはコレクタから抵抗50を介して所定の
バイアスが印加されており、これにより適切な動作点が
設定されている。The capacitor 51 inserted in the feedback loop functions as a DC component separation circuit for removing the DC component. Further, a predetermined bias is applied to the base of the bipolar transistor 46 from the collector through the resistor 50, whereby an appropriate operating point is set.
【0073】正弦波発振回路5の動作原理は、上述した
正弦波発振回路1等と同じであり、2つのLC素子1
2,14によって位相を180度反転させるような共振
点近傍の周波数の正弦波を発生する。The operation principle of the sine wave oscillation circuit 5 is the same as that of the above-mentioned sine wave oscillation circuit 1 and the like, and the two LC elements 1
2, 14 generate a sine wave having a frequency near the resonance point such that the phase is inverted by 180 degrees.
【0074】また、LC素子12,14については、第
1実施例および第2実施例と同様に、図2および図3に
示したような帯状導電体と誘電体シートとを重ねて巻き
回すことにより構成することができ、回路の接続方法も
バイポーラトランジスタ46と抵抗48とからなるエミ
ッタ接地回路を反転増幅器として使用している他は図1
に示した正弦波発振回路1等と変わるところはない。As for the LC elements 12 and 14, similar to the first and second embodiments, the strip-shaped conductor and the dielectric sheet as shown in FIGS. 2 and 3 are overlapped and wound. 1 except that the grounded emitter circuit composed of the bipolar transistor 46 and the resistor 48 is used as the inverting amplifier.
There is no difference from the sine wave oscillating circuit 1 shown in FIG.
【0075】このように、バイポーラトランジスタ46
と抵抗48とからなる反転増幅器(エミッタ接地回路)
と2個のLC素子12,14とをリング状に接続すると
いう簡単な構成により正弦波を発生させることができ
る。In this way, the bipolar transistor 46
Inverter amplifier (grounded emitter circuit)
The sinusoidal wave can be generated by a simple configuration in which the two LC elements 12 and 14 are connected in a ring shape.
【0076】図13および図14は本実施例の変形例を
示す図である。図13(A)に示す正弦波発振回路6a
は、LC素子12,14の各キャパシタ用リード24同
士の接続をキャパシタ30を介して行うようにしたもの
であり、第1実施例の図6(A)あるいは第2実施例の
図9(A)に示した正弦波発振回路2a,4aに対応す
るものである。このキャパシタ30の容量値を任意に設
定することにより、発生する正弦波の周波数を任意に調
整することができる。13 and 14 are views showing a modification of this embodiment. The sine wave oscillation circuit 6a shown in FIG.
Is a structure in which the capacitor leads 24 of the LC elements 12 and 14 are connected to each other via a capacitor 30, and FIG. 6A of the first embodiment or FIG. 9A of the second embodiment. It corresponds to the sine wave oscillation circuits 2a and 4a shown in FIG. By arbitrarily setting the capacitance value of the capacitor 30, it is possible to arbitrarily adjust the frequency of the generated sine wave.
【0077】図13(B)に示す正弦波発振回路6b
は、LC素子12,14の各キャパシタ用リード24同
士の接続をバリキャップ32を介して行うようにしたも
のであり、第1実施例の図6(B)あるいは第2実施例
の図9(B)に示した正弦波発振回路2b,4bに対応
するものである。外部からこのバリキャップ32に印加
する逆バイアス電圧を可変に制御することにより、バリ
キャップ32の容量を一定範囲で任意に変更することが
でき、容易に電圧制御型の正弦波発振回路6bを構成す
ることができる。The sine wave oscillating circuit 6b shown in FIG.
Is a structure in which the capacitor leads 24 of the LC elements 12 and 14 are connected to each other via a varicap 32. FIG. 6B of the first embodiment or FIG. 9B of the second embodiment. This corresponds to the sine wave oscillation circuits 2b and 4b shown in B). By variably controlling the reverse bias voltage applied to the varicap 32 from the outside, the capacitance of the varicap 32 can be arbitrarily changed within a fixed range, and the voltage control type sine wave oscillation circuit 6b can be easily configured. can do.
【0078】図14に示す正弦波発振回路6cは、バイ
ポーラトランジスタ46と抵抗48とから構成される反
転増幅器の動作電源電圧を可変電圧電源34によって印
加するようにしたものであり、第1実施例の図7あるい
は第2実施例の図10に示した正弦波発振回路2c,4
cに対応するものである。The sine wave oscillating circuit 6c shown in FIG. 14 is one in which the operating power supply voltage of the inverting amplifier composed of the bipolar transistor 46 and the resistor 48 is applied by the variable voltage power supply 34. 7 or the sine wave oscillator circuits 2c and 4 shown in FIG. 10 of the second embodiment.
It corresponds to c.
【0079】可変電圧電源34によって抵抗48を介し
てバイポーラトランジスタ46のコレクタ側に印加され
る動作電源電圧を連続的に変化させることにより、ある
いは不連続的に切り替えることにより、1つの共通する
簡単な回路によって周波数が異なる2つの正弦波を発生
させることができる。これは、印加する動作電源電圧を
変えることによりバイポーラトランジスタ46の最適動
作速度も変化するため、発振周波数が不連続的に切り替
わるというものであり、基本的にはMOS−FET36
の場合と同じである。By changing the operating power supply voltage applied to the collector side of the bipolar transistor 46 via the resistor 48 by the variable voltage power supply 34 continuously or discontinuously, one common simple The circuit can generate two sine waves with different frequencies. This is because the optimum operating speed of the bipolar transistor 46 also changes by changing the operating power supply voltage to be applied, so that the oscillation frequency switches discontinuously, and basically, the MOS-FET 36.
Is the same as in.
【0080】なお、コレクタに接続したバイアス印加用
の抵抗50を用いずに、図11に示したような抵抗4
0,42とによる分圧回路を追加して、バイポーラトラ
ンジスタ46のベースに一定のバイアス電圧を印加する
ようにしてもよい。このように、バイアス印加用の分圧
回路を別に用意することにより、コレクタに現れる電圧
レベルにかかわらず常に一定のバイアス電圧を印加する
ことができ、バイポーラトランジスタ46の安定した動
作点を確保することができるようになる。It should be noted that the resistor 4 as shown in FIG. 11 is used without using the resistor 50 for bias application connected to the collector.
A voltage divider circuit of 0 and 42 may be added to apply a constant bias voltage to the base of the bipolar transistor 46. As described above, by separately providing a voltage dividing circuit for bias application, a constant bias voltage can be applied regardless of the voltage level appearing at the collector, and a stable operating point of the bipolar transistor 46 can be secured. Will be able to.
【0081】〔その他の実施例〕次に、本発明を適用し
た他の実施例について説明する。以下に説明する各種実
施例は、上述した第1実施例〜第3実施例において使用
したLC素子12,14を他の構造によって実現したも
のである。[Other Embodiments] Next, other embodiments to which the present invention is applied will be described. Various embodiments described below are realized by the LC elements 12 and 14 used in the above-described first to third embodiments with other structures.
【0082】図15は、他の実施例におけるLC素子の
概略構造を示す図である。FIG. 15 is a diagram showing a schematic structure of an LC element in another embodiment.
【0083】同図に示すLC素子12a(あるいはLC
素子14a)は、絶縁基板52とこの表面にほぼ重ねて
形成された2本のスパイラル状電極54−1,54−2
とを含んで構成されている。一方のスパイラル状電極5
4−1は図2に示す帯状導電体18−1に、他方のスパ
イラル状電極54−2は図2に示す帯状導電体18−2
にそれぞれ対応しており、これら2つのスパイラル状電
極54−1,54−2間には図示しない絶縁膜が形成さ
れている。The LC element 12a (or LC
The element 14a) is composed of an insulating substrate 52 and two spiral electrodes 54-1 and 54-2 formed substantially on the surface of the insulating substrate 52.
It is configured to include and. One spiral electrode 5
4-1 is the strip-shaped conductor 18-1 shown in FIG. 2, and the other spiral electrode 54-2 is the strip-shaped conductor 18-2 shown in FIG.
And an insulating film (not shown) is formed between these two spiral electrodes 54-1 and 54-2.
【0084】したがって、一方のスパイラル状電極54
−1の両端に図2に示すリード22−1,22−2に相
当する入出力端子を設けることにより、このスパイラル
状電極54−1をインダクタとして使用することができ
る。また、他方のスパイラル状電極54−2は、スパイ
ラル状電極54−1にほぼ重ねて形成されているため、
これら2つの電極54−1,54−2間には分布定数的
なキャパシタが形成されており、これらのインダクタ成
分とキャパシタ成分との関係は第1実施例等で使用した
LC素子12,14と全く同じとなる。Therefore, one spiral electrode 54
By providing input / output terminals corresponding to the leads 22-1 and 22-2 shown in FIG. 2 at both ends of -1, this spiral electrode 54-1 can be used as an inductor. Further, the other spiral electrode 54-2 is formed so as to substantially overlap the spiral electrode 54-1.
A distributed constant capacitor is formed between these two electrodes 54-1 and 54-2, and the relationship between the inductor component and the capacitor component is the same as that of the LC elements 12 and 14 used in the first embodiment. It will be exactly the same.
【0085】このため、図15に示すLC素子12a,
14aの各スパイラル状電極54−1を直列に接続する
とともに、各スパイラル状電極54−2の一方端を直結
あるいはキャパシタ30,バリキャップ32を介して接
続することにより第1実施例〜第3実施例に示した正弦
波発振回路1等と同様の正弦波発振回路を得ることがで
きる。Therefore, the LC element 12a shown in FIG.
14a of each spiral electrode 54-1 is connected in series, and one end of each spiral electrode 54-2 is directly connected or connected via the capacitor 30 and the varicap 32. A sine wave oscillator circuit similar to the sine wave oscillator circuit 1 shown in the example can be obtained.
【0086】特に、図15に示したLC素子12a,1
4aは、絶縁基板52上に薄膜成形の技術を利用して電
極等を形成することができるため、容易に小型化や製造
工程の簡素化が可能となる。また、2つの絶縁基板52
を共通にし、この絶縁基板52上の隣接した領域にLC
素子12a,14a用の各電極を形成して、LC素子1
2a,14a間の配線も施すようにすれば、さらに部品
の小型化や製造工程の簡素化が可能となる。In particular, the LC elements 12a and 1 shown in FIG.
Since 4a can form electrodes and the like on the insulating substrate 52 by using a thin film forming technique, it is possible to easily downsize and simplify the manufacturing process. In addition, the two insulating substrates 52
Common to the adjacent substrate on the insulating substrate 52
By forming the electrodes for the elements 12a and 14a, the LC element 1
If the wiring between 2a and 14a is also provided, it is possible to further reduce the size of the component and simplify the manufacturing process.
【0087】図16は、図15に概略構造を示したLC
素子の製造工程の一例を示す図である。同図は、LC素
子の断面構造を各工程順に示したものである。なお、以
下の文頭における括弧付き符号は、図16において使用
した符号に対応している。FIG. 16 shows an LC whose schematic structure is shown in FIG.
It is a figure which shows an example of the manufacturing process of an element. The figure shows the sectional structure of the LC element in the order of each step. Note that the reference numerals with parentheses at the beginning of the following sentences correspond to the reference numerals used in FIG.
【0088】(A)絶縁基板52を用意する。この絶縁基
板52としては、例えばセラミクスやガラスあるいは合
成樹脂等の各種材料を使用することができる。(A) An insulating substrate 52 is prepared. As the insulating substrate 52, various materials such as ceramics, glass or synthetic resin can be used.
【0089】(B)この絶縁基板52上に金属膜を形成、
例えばアルミニウム膜54aを蒸着する。なお、金や銅
などの他の材料により金属膜を形成するようにしてもよ
い。(B) A metal film is formed on the insulating substrate 52,
For example, the aluminum film 54a is deposited. Note that the metal film may be formed of another material such as gold or copper.
【0090】(C)アルミニウム膜54a上にスパイラル
状のフォトレジスト56aのパターンを形成する。この
パターンの形成は、例えば写真蝕刻法により行うことが
できる。(C) A spiral photoresist 56a pattern is formed on the aluminum film 54a. The formation of this pattern can be performed by, for example, a photo-etching method.
【0091】(D)このフォトレジスト56aをマスクに
してアルミニウム膜54aを部分的に除去することによ
りスパイラル状電極54−2を形成する。その後、フォ
トレジスト56aを洗い落とす。(D) Using the photoresist 56a as a mask, the aluminum film 54a is partially removed to form the spiral electrode 54-2. Then, the photoresist 56a is washed off.
【0092】(E)このようにして形成されたスパイラル
状電極54−2の端部(外周側端部)をフォトレジスト
56bによってマスクする。(E) The end (outer peripheral side end) of the spiral electrode 54-2 thus formed is masked by the photoresist 56b.
【0093】(F)陽極酸化を行って、スパイラル状電極
54−2の残り部分(マスクされない部分)の表面に絶
縁性酸化皮膜58を形成する。この絶縁性酸化皮膜58
は、図2に示した誘電体シート20−1に相当するもの
である。(F) Anodization is performed to form an insulating oxide film 58 on the surface of the remaining portion (the portion not masked) of the spiral electrode 54-2. This insulating oxide film 58
Corresponds to the dielectric sheet 20-1 shown in FIG.
【0094】(G)再度、全表面に金属膜を形成、例えば
アルミニウム膜54bを蒸着する。(G) Again, a metal film is formed on the entire surface, for example, an aluminum film 54b is vapor-deposited.
【0095】(H)アルミニウム膜54b上にスパイラル
状のフォトレジスト56cのパターンおよびスパイラル
状電極54−2の端部に形成する引出電極60に対応す
るフォトレジスト56dのパターンを形成する。このパ
ターンの形成は、例えば上述したフォトレジスト56a
の場合と同様に写真蝕刻法により行うことができる。(H) A pattern of a spiral photoresist 56c and a pattern of a photoresist 56d corresponding to the extraction electrode 60 formed at the end of the spiral electrode 54-2 are formed on the aluminum film 54b. This pattern is formed, for example, by the photoresist 56a described above.
Similar to the above case, it can be performed by a photo-etching method.
【0096】(I)これらのフォトレジスト56c,56
dをマスクにしてアルミニウム膜54bを部分的に除去
することによりスパイラル状電極54−1を形成すると
ともに、下層であるスパイラル状電極54−2の端部に
引出電極60を形成する。その後、フォトレジスト56
c,56dを洗い落とす。(I) These photoresists 56c, 56
The aluminum film 54b is partially removed using d as a mask to form the spiral electrode 54-1 and the extraction electrode 60 is formed at the end of the lower spiral electrode 54-2. Then, the photoresist 56
Wash off c and 56d.
【0097】図17は、このような工程を経て絶縁基板
52上に形成されたLC素子12a,14aの平面形状
を示す図である。同図に示すように、本実施例のLC素
子12a,14aは、表面にスパイラル状電極54−1
が形成されているとともに、スパイラル状電極54−2
の端部に設けられた引出電極60が露出している。表面
に形成されたスパイラル状電極54−1の両端および引
出電極60にボンディングを行ってケースに収めること
によりLC素子12a,14aとして完成する。FIG. 17 is a diagram showing the planar shapes of the LC elements 12a and 14a formed on the insulating substrate 52 through the above steps. As shown in the figure, the LC elements 12a and 14a of the present embodiment have spiral electrodes 54-1 on the surface.
And the spiral electrode 54-2 is formed.
The extraction electrode 60 provided at the end portion of is exposed. Both ends of the spiral electrode 54-1 formed on the surface and the extraction electrode 60 are bonded and housed in a case to complete the LC elements 12a and 14a.
【0098】これらのLC素子12a,14aを用いて
図1等に示した回路を構成するには、ケースに収められ
たLC素子12a,14aを単体部品として使用して相
互に配線を行う場合の他、図17に示した状態(ベアチ
ップ)を配線基板の一部に配置して、表面に形成された
スパイラル状電極54−1の両端および引出電極60を
直接他の部品と配線するようにしてもよい。In order to construct the circuit shown in FIG. 1 or the like using these LC elements 12a and 14a, the case where the LC elements 12a and 14a housed in the case are used as a single component and wiring is performed mutually is performed. In addition, the state (bare chip) shown in FIG. 17 is arranged on a part of the wiring board so that both ends of the spiral electrode 54-1 formed on the surface and the extraction electrode 60 are directly wired to other parts. Good.
【0099】図18は、図15に概略構造を示したLC
素子の製造工程の他の例を示す図である。図16に示し
た製造工程によれば2つのスパイラル状電極54−1と
54−2との間を陽極酸化により形成された絶縁性酸化
皮膜58により絶縁を行うLC素子が製造されるが、図
18に示した製造工程によればこの絶縁性酸化皮膜58
を化学気相法(CVD)により形成されたシリコン酸化
膜に置き換えたLC素子が製造される点が異なってい
る。なお、以下の文頭における括弧付き符号は、図18
において使用した符号に対応している。FIG. 18 shows an LC whose schematic structure is shown in FIG.
It is a figure which shows the other example of the manufacturing process of an element. According to the manufacturing process shown in FIG. 16, an LC element is manufactured in which the two spiral electrodes 54-1 and 54-2 are insulated by the insulating oxide film 58 formed by anodic oxidation. According to the manufacturing process shown in FIG.
The difference is that an LC element is manufactured by replacing the element with a silicon oxide film formed by a chemical vapor deposition method (CVD). Note that the reference numerals in parentheses below in FIG.
It corresponds to the code used in.
【0100】(A)絶縁基板52を用意する。この絶縁基
板52としては、図16に示した製造工程を用いる場合
と同様に、例えばセラミクスやガラスあるいは合成樹脂
等の各種材料を使用することができる。(A) An insulating substrate 52 is prepared. As the insulating substrate 52, various materials such as ceramics, glass, or synthetic resin can be used, as in the case of using the manufacturing process shown in FIG.
【0101】(B)この絶縁基板52上に、化学気相法に
より第1のシリコン酸化膜130を形成する。但し、絶
縁基板52および第1のシリコン酸化膜130はいずれ
も絶縁体であり、この工程を省略することもできる。(B) A first silicon oxide film 130 is formed on the insulating substrate 52 by the chemical vapor deposition method. However, both the insulating substrate 52 and the first silicon oxide film 130 are insulators, and this step can be omitted.
【0102】(C)第1のシリコン酸化膜130上に、次
の化学気相法の工程に耐え得る金属、例えば金,タング
ステン,モリブデン,タンタル,ニオブなどの金属膜1
32aを蒸着する。(C) On the first silicon oxide film 130, a metal film such as gold, tungsten, molybdenum, tantalum or niobium which can withstand the following chemical vapor deposition process 1
32a is vapor-deposited.
【0103】(D)金属膜132a上にスパイラル状のフ
ォトレジスト56aのパターンを形成する。このパター
ンの形成は、例えば写真蝕刻法により行うことができ
る。(D) A spiral photoresist 56a pattern is formed on the metal film 132a. The formation of this pattern can be performed by, for example, a photo-etching method.
【0104】(E)このフォトレジスト56aをマスクに
して金属膜132aを部分的に除去することによりスパ
イラル状電極54−2を形成する。その後、フォトレジ
スト56aを洗い落とす。(E) Using the photoresist 56a as a mask, the metal film 132a is partially removed to form the spiral electrode 54-2. Then, the photoresist 56a is washed off.
【0105】(F)スパイラル状電極54−2および露出
している第1のシリコン酸化膜130の上に、化学気相
法により第2のシリコン酸化膜134を成形する。(F) A second silicon oxide film 134 is formed on the spiral electrode 54-2 and the exposed first silicon oxide film 130 by the chemical vapor deposition method.
【0106】(G)この第2のシリコン酸化膜134上に
金属膜132bを蒸着する。後工程に化学気相法の工程
がないことから、この金属膜132bはアルミニウム膜
とすることができるが、金や銅等の他の金属材料で形成
してもよい。(G) A metal film 132b is deposited on the second silicon oxide film 134. Since there is no chemical vapor deposition method in the subsequent step, the metal film 132b can be an aluminum film, but may be formed of another metal material such as gold or copper.
【0107】(H)金属膜132b上にスパイラル状のフ
ォトレジスト56cのパターンを形成する。このパター
ンの形成は、例えば上述したフォトレジスト56aの場
合と同様に写真蝕刻法により行うことができる。(H) A spiral photoresist 56c pattern is formed on the metal film 132b. The formation of this pattern can be performed by a photo-etching method as in the case of the photoresist 56a described above.
【0108】(I)このフォトレジスト56cをマスクに
して、端部に端子電極を有するスパイラル状電極54−
1を形成する。その後、フォトレジスト56cを洗い落
とす。(I) Using this photoresist 56c as a mask, a spiral electrode 54-having terminal electrodes at its ends is formed.
1 is formed. Then, the photoresist 56c is washed off.
【0109】このような工程を用いることによっても、
図17に平面構造を示したLC素子を製造することがで
きる。By using such a process,
It is possible to manufacture an LC element having a planar structure shown in FIG.
【0110】図19および図20は、LC素子の他の例
の構造を示す図である。図19にはその展開状態が、図
20には外観斜視図がそれぞれ示されている。19 and 20 are views showing the structure of another example of the LC element. FIG. 19 shows the developed state, and FIG. 20 shows an external perspective view.
【0111】これらの図に示すLC素子12b(あるい
はLC素子14b)は、複数の絶縁板64−1,64−
2,…,64−4を積層して形成された積層体62と、
これら絶縁板64の層間68−2,68−3,68−4
に設けられた所定ターン数のコイルを形成する第1の導
体72と、絶縁板64の層間68−1,68−2,68
−3に絶縁板64を介して第1の導体72と相対向する
よう設けられた第2の導体82とを含んで構成される。
第1の導体72が図2に示す帯状導電体18−1に、第
2の導体82が図2に示す帯状導電体18−2にそれぞ
れ対応する。The LC element 12b (or LC element 14b) shown in these figures is composed of a plurality of insulating plates 64-1 and 64-.
A laminated body 62 formed by laminating 2, ..., 64-4,
Interlayers 68-2, 68-3, 68-4 of these insulating plates 64
A first conductor 72 that forms a coil of a predetermined number of turns provided on the insulating layer 64 and the interlayers 68-1, 68-2, 68 of the insulating plate 64.
-3 includes a second conductor 82 provided so as to face the first conductor 72 via the insulating plate 64.
The first conductor 72 corresponds to the strip-shaped conductor 18-1 shown in FIG. 2, and the second conductor 82 corresponds to the strip-shaped conductor 18-2 shown in FIG.
【0112】上述した絶縁板64は、必要に応じて各種
絶縁材料を用いて形成されているが、例えばセラミクス
やガラスあるいは合成樹脂等の各種材料により形成され
ている。また、第1および第2の導体72,82のそれ
ぞれは、例えばアルミニウムや銅等の各種金属材料を印
刷や蒸着あるいはメッキ等の各種の手法を用いて絶縁板
64の両面に互いに相対向するよう被覆形成されてい
る。The above-mentioned insulating plate 64 is made of various insulating materials as required, but is made of various materials such as ceramics, glass, or synthetic resin. Further, the first and second conductors 72 and 82 are arranged to face each other on both sides of the insulating plate 64 by using various techniques such as printing, vapor deposition or plating of various metal materials such as aluminum and copper. The coating is formed.
【0113】また、積層体62では、第1の導体72お
よび第2の導体82の短絡を防止するために、各絶縁板
64を層間絶縁シート66−1,66−2,66−3を
介して積層している。そして、最上層の絶縁板64−1
および最下層の絶縁シート66−3の表面には、第1の
導体72の端子74a,74bと、第2の導体82の端
子84a,84bが被覆形成されている。Further, in the laminated body 62, in order to prevent the first conductor 72 and the second conductor 82 from being short-circuited, the insulating plates 64 are provided via the interlayer insulating sheets 66-1, 66-2, 66-3. Are stacked. Then, the uppermost insulating plate 64-1
The terminals 74a and 74b of the first conductor 72 and the terminals 84a and 84b of the second conductor 82 are coated on the surface of the lowermost insulating sheet 66-3.
【0114】また、第1の導体72および第2の導体8
2は、絶縁板64の層間68−1,68−2,…,68
−4に一の層間から他の層間にかけて連続して周回する
複数の第1の導電性エレメント76−1,76−2,7
6−3および第2の導電性エレメント86−1,86−
2,86−3から構成されている。In addition, the first conductor 72 and the second conductor 8
2 is an interlayer 68-1, 68-2, ..., 68 of the insulating plate 64.
-4, a plurality of first conductive elements 76-1, 76-2, 7 that continuously circulate from one layer to another layer
6-3 and the second conductive element 86-1, 86-
2,86-3.
【0115】このような構造を有する本実施例のLC素
子12b,14bにおいては、第1および第2の導電性
エレメント76,86が絶縁板64を介して相対向し、
両者の間にキャパシタンスが連続的に形成されるという
特徴を有している。このため、第1および第2の導体7
2,82のそれぞれが所定ターン数のコイル、すなわち
インダクタとして機能するとともに、これら第1および
第2の導体72,82の間には絶縁板64を介してキャ
パシタが連続的に形成され、しかもこのキャパシタは第
1および第2の導体72,82の間に分布定数的に形成
されることになる。In the LC elements 12b and 14b of this embodiment having such a structure, the first and second conductive elements 76 and 86 face each other with the insulating plate 64 interposed therebetween,
It has a feature that a capacitance is continuously formed between both. Therefore, the first and second conductors 7
Each of the coils 2 and 82 functions as a coil having a predetermined number of turns, that is, an inductor, and a capacitor is continuously formed between the first and second conductors 72 and 82 via an insulating plate 64. The capacitor will be formed in a distributed constant manner between the first and second conductors 72, 82.
【0116】そして、絶縁板64−1の表面に形成され
た端子84aは、スルーホール65を介して絶縁板64
−2上に設けられた第2の導電性エレメント86−1に
接続される。同様に、最下層の絶縁シート66−3上に
被覆形成された端子84bも絶縁シート66−3,絶縁
板64−4に設けられたスルーホール67,65を介し
て第2の導電性エレメント86−3に接続されている。The terminals 84a formed on the surface of the insulating plate 64-1 are connected to the insulating plate 64 through the through holes 65.
-2 is connected to the second conductive element 86-1 provided above. Similarly, the terminal 84b formed on the lowermost insulating sheet 66-3 is also covered with the second conductive element 86 via the through holes 67 and 65 provided in the insulating sheet 66-3 and the insulating plate 64-4. -3 is connected.
【0117】同様に、絶縁板64−1の表面に設けられ
た一方の入力端子74bは、各絶縁板64−1,64−
4に設けられたスルーホール65および導電パターン7
8を介して、絶縁板64−2の裏面側に設けられた第1
の導電性エレメント76−1の端部に接続されている。
同様に、最下層の層間絶縁シート66−3上に設けられ
た他方の入出力端子74aは、スルーホール67を介し
て、絶縁板64−4上に被覆形成された第1の導電性エ
レメント76−3に接続されている。Similarly, the one input terminal 74b provided on the surface of the insulating plate 64-1 is connected to each of the insulating plates 64-1 and 64-1.
Through hole 65 and conductive pattern 7
First through the back surface of the insulating plate 64-2 via
Connected to the end of the conductive element 76-1.
Similarly, the other input / output terminal 74 a provided on the lowermost interlayer insulating sheet 66-3 is covered with the first conductive element 76 formed on the insulating plate 64-4 through the through hole 67. -3 is connected.
【0118】また、各絶縁板64−2,64−3,64
−4上に被覆形成された第1の導電性エレメント76お
よび第2の導電性エレメント86は、これら各絶縁板6
4上に形成されたスルーホール67,導電パターン7
8,88および層間絶縁シート66上に設けられたスル
ーホール67を介して、1つの層間68から他の層間6
8にかけて周回するよう電気的に接続されている。In addition, each insulating plate 64-2, 64-3, 64
-4, the first conductive element 76 and the second conductive element 86, which are formed by coating, are formed on these insulating plates 6 respectively.
Through hole 67, conductive pattern 7 formed on 4
8, 88 and the through-hole 67 provided on the interlayer insulating sheet 66 from one interlayer 68 to another interlayer 6
It is electrically connected to circulate over 8.
【0119】これにより、本実施例のLC素子12b,
14bにおいて、第1の導体72はその両端が端子74
a,74bに接続され、所定のインダクタンスを持った
インダクタとして機能することになる。同様に、第2の
導体82はその両端が端子84a,84bに接続され、
所定のインダクタンスを持ったインダクタとして機能す
ることになる。しかも、上述したようにこれら第1およ
び第2の導体72,82間にはキャパシタンスがほぼ連
続的にしかも分布定数的に形成される。したがって、こ
れらLC素子12b,14bの等価回路は図4の回路を
そのまま適用することができ、これらのLC素子12
b,14bの第1の導体72同士を直列に接続するとと
もに、第2の導体82同士を直結あるいはキャパシタ3
0,バリキャップ32を介して接続することにより、図
1等に示した正弦波発振回路を構成することができる。As a result, the LC element 12b of this embodiment,
14b, the first conductor 72 has terminals 74 at both ends thereof.
It is connected to a and 74b and functions as an inductor having a predetermined inductance. Similarly, the second conductor 82 has its both ends connected to the terminals 84a and 84b,
It will function as an inductor having a predetermined inductance. Moreover, as described above, the capacitance is formed between the first and second conductors 72 and 82 substantially continuously and in a distributed constant manner. Therefore, the circuit of FIG. 4 can be applied as it is to the equivalent circuit of the LC elements 12b and 14b.
b and 14b, the first conductors 72 are connected in series, and the second conductors 82 are directly connected to each other or the capacitor 3 is connected.
0, the sine wave oscillation circuit shown in FIG. 1 and the like can be configured by connecting via the varicap 32.
【0120】なお、本実施例のLC素子12b,14b
は図19に示す構成を有しているため、第1および第2
の導体72,82のそれぞれはほぼ同一径のスパイラル
形状に形成されている。したがって、これらLC素子1
2b,14bの減衰曲線は図5(A)に示すような明確
な複数のピークを有するとは限らない。したがって、図
1に示すインバータ論理回路10等の動作電源電圧を変
更して発振周波数の切り替えを行いたい場合には、図1
9に示す第1および第2の導電性エレメント76,86
の径を層がかわる毎に大きくあるいは小さく変化させれ
ばよい。The LC elements 12b and 14b of this embodiment are
Has the configuration shown in FIG. 19, so the first and second
Each of the conductors 72 and 82 is formed in a spiral shape having substantially the same diameter. Therefore, these LC elements 1
The attenuation curves of 2b and 14b do not always have clear peaks as shown in FIG. Therefore, when it is desired to change the operating power supply voltage of the inverter logic circuit 10 shown in FIG.
First and second conductive elements 76, 86 shown in FIG.
The diameter may be increased or decreased every time the layers are changed.
【0121】図21および図22は、LC素子の他の例
の構造を示す図であり、工程毎の詳細が示されている。21 and 22 are views showing the structure of another example of the LC element, and details of each step are shown.
【0122】これらの図に示すLC素子12c(あるい
は14c)は、図19および図20に示したLC素子を
膜成形技術を利用して形成したものである。すなわち、
図19等に示したLC素子は絶縁層として絶縁板64を
用いていたが、本実施例のLC素子12c,14cでは
絶縁層として絶縁薄膜あるいは絶縁厚膜を用いている点
に特徴がある。以下、製造工程をおうことによりLC素
子12c,14cの構造を説明する。なお、以下の文頭
における括弧付き符号は、図21および図22において
使用した符号に対応している。The LC element 12c (or 14c) shown in these figures is the LC element shown in FIGS. 19 and 20 formed by the film forming technique. That is,
The LC element shown in FIG. 19 and the like uses the insulating plate 64 as the insulating layer, but the LC elements 12c and 14c of this embodiment are characterized in that an insulating thin film or an insulating thick film is used as the insulating layer. Hereinafter, the structure of the LC elements 12c and 14c will be described through manufacturing steps. The reference numerals in parentheses at the beginning of the following sentences correspond to the reference numerals used in FIGS. 21 and 22.
【0123】(A)絶縁基板90の裏面側から側面にかけ
て補助リード部92aを被覆形成するとともに、絶縁基
板90の表面にはこの補助リード部92aから連続する
I字型スリットパターン94を有する面状の第1の導電
性エレメント98−1を被覆形成する。絶縁基板90と
しては、例えばガラスや合成樹脂あるいはセラミクス等
の絶縁材料が使用される。(A) The surface of the insulating substrate 90 is covered with the auxiliary lead portion 92a from the back surface side to the side surface, and the surface of the insulating substrate 90 has an I-shaped slit pattern 94 continuous from the auxiliary lead portion 92a. Coating the first conductive element 98-1. As the insulating substrate 90, for example, an insulating material such as glass, synthetic resin, or ceramics is used.
【0124】(B)第1の導電性エレメント98−1が形
成された絶縁基板90のさらに表面に、第1の導電性エ
レメント98−1の端部が露出するように絶縁薄膜(あ
るいは絶縁厚膜)100−1を被覆形成する。(B) An insulating thin film (or insulating thickness) is formed on the surface of the insulating substrate 90 on which the first conductive element 98-1 is formed so that the end of the first conductive element 98-1 is exposed. Membrane 100-1 is coated.
【0125】(C)絶縁基板90の裏面側から側面にかけ
て補助リード部114を被覆形成するとともに、絶縁薄
膜100−1上に補助リード部114から連続し、しか
も絶縁薄膜100−1を挟んで第1の導電性エレメント
98−1と面対向する面状の第2の導電性エレメント1
12−1を被覆形成する。なお、この第2の導電性エレ
メント112−1にも上述したスリットパターン94と
相対向するI字型のスリットパターン116を設ける。(C) The auxiliary lead portion 114 is formed by coating from the back surface side to the side surface of the insulating substrate 90, and is continuous from the auxiliary lead portion 114 on the insulating thin film 100-1, and the insulating thin film 100-1 is sandwiched therebetween. Second conductive element 1 facing the first conductive element 98-1
12-1 is formed by coating. The second conductive element 112-1 is also provided with an I-shaped slit pattern 116 facing the slit pattern 94 described above.
【0126】(D)各導電性エレメント98−1,112
−1の端部が露出するよう絶縁薄膜100−2を被覆形
成する。(D) Each conductive element 98-1, 112
The insulating thin film 100-2 is formed by coating so that the end of -1 is exposed.
【0127】(E)この絶縁皮膜100−2上に露出した
第1の導電性エレメント98−1の端部と電気的に接続
された面状の第1の導電性エレメント98−2を被覆形
成する。この第1の導電性エレメント98−2上にも第
1の導電性エレメント98−1と逆向きにI字型スリッ
トパターン94を設ける。これにより、第1の導電性エ
レメント98−1,98−2は、一の層間から他の層間
にかけて連続して周回する通電路を形成することにな
る。(E) The planar first conductive element 98-2 electrically connected to the exposed end of the first conductive element 98-1 is formed on the insulating film 100-2. To do. An I-shaped slit pattern 94 is provided on the first conductive element 98-2 in the direction opposite to that of the first conductive element 98-1. As a result, the first conductive elements 98-1 and 98-2 form a current path that continuously circulates from one layer to another layer.
【0128】(F)第1の導電性エレメント98−2と第
2の導電性エレメント112−1の各端部が露出するよ
う絶縁薄膜100−3を被覆形成する。(F) The insulating thin film 100-3 is formed by coating so that each end of the first conductive element 98-2 and the second conductive element 112-1 is exposed.
【0129】(G)絶縁薄膜100−3上に第2の導電性
エレメント112−2を、第1の導電性エレメント98
−2と面対向するよう面状に被覆形成する。(G) The second conductive element 112-2 and the first conductive element 98 are formed on the insulating thin film 100-3.
-2 is formed in a planar shape so as to face -2.
【0130】(H)〜 (T)このような薄膜形成工程とエレ
メント形成工程とを繰り返し行い、積層体を形成する。
このとき、図22(Q)の工程において、絶縁基板90
の側面および表面にかけて第1の導電性エレメント98
−5から連続する補助リード部92bを被覆形成する。(H) to (T) The thin film forming step and the element forming step are repeated to form a laminated body.
At this time, in the process of FIG.
First conductive element 98 over the sides and surface of the
The auxiliary lead portion 92b continuous from -5 is formed by coating.
【0131】(U)最終工程において、この積層体の表面
に補助リード部92a,92b,114と電気的に接続
された端子120a,120b,122を被覆形成す
る。(U) In the final step, the terminals 120a, 120b, 122 electrically connected to the auxiliary lead portions 92a, 92b, 114 are formed on the surface of this laminate by coating.
【0132】以上のような工程によって図19および図
20に示したLC素子12b,14bと機能的に等価な
LC素子12c,14cを形成することができる。By the steps as described above, LC elements 12c and 14c functionally equivalent to LC elements 12b and 14b shown in FIGS. 19 and 20 can be formed.
【0133】図23,図24および図25は、LC素子
の他の例を構造を示す図である。図23および図24に
は展開状態が、図25には外観斜視図がそれぞれ示され
ている。23, 24 and 25 are views showing the structure of another example of the LC element. 23 and 24 show a developed state, and FIG. 25 shows an external perspective view.
【0134】これらの図に示すLC素子12d(あるい
は14d)は、複数箇所で交互に逆向きに折り畳まれる
長尺形状の絶縁シート140と、この絶縁シート140
の両面にほぼ対向するように形成された第1および第2
の導体160,170とを含んで構成されている。The LC element 12d (or 14d) shown in these figures is a long insulating sheet 140 which is alternately folded at a plurality of locations in opposite directions, and this insulating sheet 140.
And second formed so as to substantially face both sides of the
Of the conductors 160 and 170.
【0135】本実施例のLC素子12d,14dを製造
する場合には、まず図24に示す第1の絶縁シート14
0を形成する。この第1の絶縁シート140は、折り畳
んで積層される複数の折り畳み部142−1,142−
2,……,142−8を、折り曲部144を介して連続
的に配列して形成されている。各折り曲部144には、
その折り曲げを容易にするために予めミシン目が形成さ
れている。また、図24に示す折り畳み部142はほぼ
正方形に形成されているが、折り畳んだ場合に互いに積
層されるならば、長方形や平行四辺形等その形状は任意
に形成することができる。In manufacturing the LC elements 12d and 14d of this embodiment, first, the first insulating sheet 14 shown in FIG.
Form 0. The first insulating sheet 140 includes a plurality of folding portions 142-1 and 142-that are folded and stacked.
2, ..., 142-8 are continuously arranged via the bent portion 144. Each bent portion 144 has
Perforations are formed in advance to facilitate the bending. Further, the folding portion 142 shown in FIG. 24 is formed in a substantially square shape, but if it is stacked on each other when folded, the shape such as a rectangle or a parallelogram can be arbitrarily formed.
【0136】そして、この第1の絶縁シート140の表
面140a側に、図24に示すパターンの第1の導体1
60を設け、裏面140b側には第2の導体170を設
ける。Then, on the surface 140a side of the first insulating sheet 140, the first conductor 1 having the pattern shown in FIG. 24 is formed.
60, and the second conductor 170 is provided on the back surface 140b side.
【0137】上述した第1の導体160は、連続的に配
列された各折り畳み部142−1,142−2,……,
142−8の表面140a側に、その一部を切欠いたリ
ング状の第1の導電体162−1,162−2,……,
162−7を交互にしかも逆向きに連続して設け、第1
の絶縁シート140を図23に示すように交互にしかも
逆向きに折り畳んで積層したときに所定ターン数(図2
3の場合は4ターン)のコイルを形成する。The above-mentioned first conductor 160 has the folding portions 142-1, 142-2, ...
The ring-shaped first conductors 162-1, 162-2, ...
162-7 alternately and continuously in the opposite direction, the first
When the insulating sheets 140 of No. 2 are alternately folded and laminated in the opposite direction as shown in FIG.
In the case of 3, a coil of 4 turns) is formed.
【0138】第1の導体160の両端には入出力端子1
64a,164bが設けられている。一方の入出力端子
164aは折り畳み部142−1の端部に設けられてお
り、他方の入出力端子164bは折り畳み部142−8
の端部に設けられている。そして、これら入出力端子1
64a,164bには、入出力用のリード166a,1
66bが外部接続用導体として取り付け固定されてい
る。The input / output terminal 1 is provided on both ends of the first conductor 160.
64a and 164b are provided. One input / output terminal 164a is provided at the end of the folded portion 142-1 and the other input / output terminal 164b is provided in the folded portion 142-8.
It is provided at the end of. And these input / output terminals 1
64a and 164b have leads 166a and 1 for input / output.
66b is attached and fixed as a conductor for external connection.
【0139】また、上述した第2の導体170は、各折
り畳み部142−1,142−2,……,142−7の
裏面側140bに設けられた第2の導電体176−1,
176−2,……,176−7から構成されている。そ
れぞれの第2の導電体176−1,176−2,……,
176−7は、上述した第1の導電体162−1,16
2−2,……,162−7と相対向するように連続して
設けられており、第1の導体160との間にキャパシタ
を形成している。The second conductor 170 described above includes the second conductor 176-1 provided on the back surface side 140b of each of the folded portions 142-1, 142-2, ..., 142-7.
176-2, ..., 176-7. Each of the second conductors 176-1, 176-2, ...,
176-7 is the above-mentioned first conductor 162-1, 16
2-2, ..., 162-7 are continuously provided so as to face each other, and a capacitor is formed between the first conductor 160 and the second conductor.
【0140】第2の導体170の一方端には入出力端子
173が設けられている。この入出力端子173は折り
畳み部142−8の端部であって、絶縁シート140を
折り畳んで積層したときに、上述した2つの入出力端子
164a,164bのほぼ中央となる位置に設けられて
いる。そして、この入出力端子173には入出力用のリ
ード172が取り付け固定されている。An input / output terminal 173 is provided at one end of the second conductor 170. The input / output terminal 173 is an end portion of the folded portion 142-8, and is provided at a position substantially at the center of the above-described two input / output terminals 164a and 164b when the insulating sheet 140 is folded and stacked. . An input / output lead 172 is attached and fixed to the input / output terminal 173.
【0141】なお、図1に示したリード22−1,22
−2,24のそれぞれが図24等に示したリード166
a,166b,174に対応している。The leads 22-1 and 22 shown in FIG.
−2 and 24 are the leads 166 shown in FIG.
a, 166b, 174.
【0142】ところで、上述した第1の導体160およ
び第2の導体170は、印刷,エッチング,メッキ等各
種方法により第1の絶縁シート140の両面に被覆形
成、あるいは第1の絶縁シート140上に貼り付ける
等、任意の手法により形成することができる。By the way, the first conductor 160 and the second conductor 170 described above are formed on both surfaces of the first insulating sheet 140 by various methods such as printing, etching and plating, or are formed on the first insulating sheet 140. It can be formed by any method such as sticking.
【0143】また、本実施例においては、上述した第1
および第2の導体160,170は、その表面に図示し
ない絶縁層が被覆形成されており、絶縁シート140を
折り畳んだときに、第1の導電体162同士あるいは第
2の導電体176同士が短絡されることを防いでいる。Further, in the present embodiment, the above-mentioned first
The second conductors 160 and 170 are covered with an insulating layer (not shown) on the surface thereof, and when the insulating sheet 140 is folded, the first conductors 162 or the second conductors 176 are short-circuited. Is being prevented.
【0144】なお、図24に示すように、これらの絶縁
層を被覆形成する代わりに第1の絶縁シート140と同
様な構成の第2の絶縁シート150を用意し、これを第
1の絶縁シート140と同時に折り畳んで積層するよう
にしてもよい。また、以下の説明は説明を簡単なものと
するために絶縁シート150を使用しない場合を例にと
り行う。As shown in FIG. 24, instead of coating these insulating layers, a second insulating sheet 150 having the same structure as the first insulating sheet 140 is prepared, and this is used as the first insulating sheet. You may make it fold simultaneously with 140 and may be laminated | stacked. Further, in the following description, for simplicity of description, the case where the insulating sheet 150 is not used will be described as an example.
【0145】次に、両面に第1および第2の導体16
0,170が被覆形成された絶縁シート160を、図2
3に示すように、折り曲部144を介してジグザグ状に
折り曲げ、各折り畳み部142−1,142−2,…
…,142−8を積層する。これにより、図25(A)
に示す積層体180が形成される。そして、一部切欠い
たリング形状の各導電体162−1,162−2,…
…,162−7は互いに重なり合い、1本の導体を複数
ターン巻回したコイルが形成される。これと同時に、第
2の導体170は、第1の導体160と絶縁シート14
0を介して相対向し、その間にはキャパシタが形成され
る。したがって、このような構造を有するLC素子12
d,14dは、図4に示すような等価回路を有すること
になる。また、これらのLC素子12d,14dは、図
25(B)に示すように、積層体180をリード166
a,166b,174を除いてエポキシ等の樹脂を用い
てモールドを行い、その後図1等に示した他の部品との
結線を行うようにする。Next, the first and second conductors 16 are formed on both surfaces.
The insulating sheet 160 coated with 0 and 170 is shown in FIG.
As shown in FIG. 3, the folded portions 144-1, 142-2, ...
..., 142-8 are laminated. As a result, FIG.
The laminated body 180 shown in is formed. Then, the ring-shaped conductors 162-1, 162-2, ...
, 162-7 overlap each other to form a coil in which one conductor is wound a plurality of turns. At the same time, the second conductor 170 is connected to the first conductor 160 and the insulating sheet 14.
They are opposed to each other through 0, and a capacitor is formed between them. Therefore, the LC element 12 having such a structure
d and 14d will have an equivalent circuit as shown in FIG. In addition, as shown in FIG. 25B, these LC elements 12d and 14d are formed by connecting the laminated body 180 to the leads 166.
Molding is performed using a resin such as epoxy except for a, 166b, and 174, and then connection with other parts shown in FIG. 1 and the like is performed.
【0146】なお、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、本発明の要旨の範囲内で種々の変形実施が
可能である。The present invention is not limited to the above embodiments, but various modifications can be made within the scope of the gist of the present invention.
【0147】例えば、上述した各実施例においては、分
布定数的にインダクタとキャパシタとが形成された2つ
のLC素子12,14(あるいはLC素子12a,14
a等)を直列に接続するようにしたが、3つ以上のLC
素子を接続するようにしてもよい。For example, in each of the above-described embodiments, two LC elements 12 and 14 (or LC elements 12a and 14a) in which inductors and capacitors are distributedly formed.
a) and so on are connected in series, but three or more LC
You may make it connect an element.
【0148】図26は、3つのLC素子を用いた正弦波
発振回路の構成を示す図である。基本的には図6に構成
を示した正弦波発振回路2aにLC素子13を追加した
構成を有している。図26に示すように、LC素子13
のキャパシタ用リードを開放しておいてLC素子13を
主にインダクタ素子として使用するようにしてもよい
が、LC素子12,13,14の各キャパシタ用リード
を直結あるいはそれぞれの間をキャパシタ30やバリキ
ャップ32を介して接続するようにしてもよい。また、
図6に示した正弦波発振回路2aに限らず、他の実施例
の正弦波発振回路において使用するLC素子の個数を3
個以上にしてもよい。FIG. 26 is a diagram showing the configuration of a sine wave oscillator circuit using three LC elements. Basically, it has a configuration in which an LC element 13 is added to the sine wave oscillation circuit 2a shown in FIG. As shown in FIG. 26, the LC element 13
The LC element 13 may be mainly used as an inductor element with the capacitor leads opened, but the capacitor leads of the LC elements 12, 13 and 14 may be directly connected or the capacitors 30 and 30 may be connected between them. You may make it connect via the varicap 32. Also,
The number of LC elements used in the sine wave oscillating circuit 2a shown in FIG.
There may be more than one.
【0149】また、図2や図15等に概略構造を示した
各種のLC素子は、信号入出力路となる一方の導体の長
さと、分布定数的なキャパシタを形成するために使用さ
れる他方の導体の長さとをほぼ等しく設定した場合を例
にとり説明したが、他方の導体の長さを短く設定するよ
うにしてもよい。この場合には、分布定数的に形成され
るキャパシタンスが小さくなるため正弦波発振回路を構
成した場合の発振周波数も変わることになる。すなわ
ち、2つの導体の相対的な長さを変えることによっても
発振周波数を調整することができる。The various LC elements whose schematic structures are shown in FIG. 2 and FIG. 15 have the length of one conductor serving as a signal input / output path and the other used for forming a distributed constant capacitor. The case where the length of the conductor is set to be substantially equal has been described as an example, but the length of the other conductor may be set to be short. In this case, since the capacitance formed in a distributed constant becomes small, the oscillation frequency when the sine wave oscillation circuit is constructed also changes. That is, the oscillation frequency can be adjusted by changing the relative lengths of the two conductors.
【0150】同様に、キャパシタを形成するために使用
される他方の導体を複数に分割し、これら各分割片の端
部を共通のキャパシタ用リードに接続するようにしても
よい。この場合には、他の導体自身が有する自己インダ
クタンスが小さくなるため、LC素子としての共振特性
も変化し、上述した場合と同様に発振周波数の調整が可
能になる。Similarly, the other conductor used to form the capacitor may be divided into a plurality of pieces, and the ends of each divided piece may be connected to a common capacitor lead. In this case, since the self-inductance of the other conductor itself becomes small, the resonance characteristic of the LC element also changes, and the oscillation frequency can be adjusted as in the case described above.
【0151】また、上述した各実施例におけるLC素子
12等は、2つのインダクタを形成する帯状導電体やス
パイラル状電極等をほぼ対向するように配置したが、こ
れらをずらして部分的に対向するようにしてもよい。こ
の場合は、インダクタンスはそのままにしてキャパシタ
ンスのみを少なくすることができるため、上述した場合
と同様に発振周波数の調整が可能となる。Further, in the LC element 12 and the like in each of the above-mentioned embodiments, the strip-shaped conductors and the spiral electrodes forming the two inductors are arranged so as to face each other, but they are offset so as to partially face each other. You may do it. In this case, since the inductance can be left unchanged and only the capacitance can be reduced, the oscillation frequency can be adjusted as in the case described above.
【0152】[0152]
【発明の効果】上述したように請求項1の発明によれ
ば、反転増幅器とLC素子とをリング状に接続するだけ
で正弦波発振が行われており、より少ない種類の部品を
組み合わせるだけで簡単に正弦波を発生させることがで
きる。As described above, according to the first aspect of the invention, sinusoidal oscillation is performed only by connecting the inverting amplifier and the LC element in a ring shape, and it is possible to combine fewer types of components. A sine wave can be easily generated.
【0153】また、請求項2の発明によれば、上述した
複数のLC素子のキャパシタ成分と直列に周波数調整用
キャパシタを接続しており、この周波数調整用キャパシ
タの素子定数を変えることにより、発生する正弦波の周
波数をある範囲で簡単に調整することができる。According to the invention of claim 2, the frequency adjusting capacitor is connected in series with the capacitor components of the plurality of LC elements described above, and the frequency adjusting capacitor is changed by changing the element constant. The frequency of the sinusoidal wave can be easily adjusted within a certain range.
【0154】また、請求項3の発明によれば、上述した
周波数調整用キャパシタをバリキャップに置き換えてこ
のバリキャップに印加する逆バイアス電圧を制御するこ
とにより、発生する正弦波の周波数をある範囲で変更す
ることができ、電圧制御型の正弦波発振回路を容易に実
現することができる。According to the third aspect of the present invention, the frequency adjusting capacitor is replaced with a varicap and the reverse bias voltage applied to the varicap is controlled so that the frequency of the generated sine wave falls within a certain range. The voltage-controlled sine wave oscillation circuit can be easily realized.
【0155】また、請求項4または5の発明によれば、
上述した反転増幅器をインバータ論理回路やソース接地
回路あるいはエミッタ接地回路を含んで構成しており、
このような構造が単純な素子とLC素子とを組み合わせ
るだけで、簡単に正弦波を発生させることができる。According to the invention of claim 4 or 5,
The inverting amplifier described above is configured to include an inverter logic circuit, a grounded source circuit, or a grounded emitter circuit,
A sine wave can be easily generated simply by combining an element having such a simple structure and an LC element.
【0156】また、請求項6〜9の発明によれば、簡単
な構造によってインダクタ成分とキャパシタ成分とが1
つの素子内に分布定数的に形成されたLC素子を容易に
実現することができ、このLC素子を用いることにより
正弦波発振回路を構成する部品の種類を少なくすること
ができる。Further, according to the inventions of claims 6 to 9, the inductor component and the capacitor component are equal to 1 by a simple structure.
It is possible to easily realize an LC element formed in one element in a distributed constant manner, and by using this LC element, it is possible to reduce the types of components that form the sine wave oscillation circuit.
【0157】また、請求項10の発明によれば、上述し
た反転増幅器の動作電源電圧を変えることにより発振周
波数の不連続的な切り替えを行っており、大きく周波数
が異なる2種類の正弦波を別々の回路を組み合わせずに
単一の回路によって発生させることができ、回路規模の
縮小が可能となる。According to the tenth aspect of the invention, the oscillation frequency is discontinuously switched by changing the operating power supply voltage of the above-mentioned inverting amplifier, and two types of sine waves having widely different frequencies are separated. It can be generated by a single circuit without combining the above circuits, and the circuit scale can be reduced.
【図1】本発明を適用した第1実施例の正弦波発振回路
の詳細な構成を示す図である。FIG. 1 is a diagram showing a detailed configuration of a sine wave oscillator circuit according to a first embodiment of the present invention.
【図2】帯状導電体等を巻き回すことによりLC素子を
構成した場合の展開図である。FIG. 2 is a development view of a case where an LC element is formed by winding a strip conductor or the like.
【図3】図2に示す帯状導電体等を巻き回した後の状態
を示す図である。FIG. 3 is a diagram showing a state after winding the strip-shaped conductor shown in FIG. 2 and the like.
【図4】図2に示すLC素子の等価回路を示す図であ
る。4 is a diagram showing an equivalent circuit of the LC element shown in FIG.
【図5】図2に示すLC素子の特性を示す図である。5 is a diagram showing characteristics of the LC element shown in FIG.
【図6】第1実施例の変形例を示す図である。FIG. 6 is a diagram showing a modification of the first embodiment.
【図7】第1実施例の他の変形例を示す図である。FIG. 7 is a diagram showing another modification of the first embodiment.
【図8】本発明を適用した第2実施例の正弦波発振回路
の詳細な構成を示す図である。FIG. 8 is a diagram showing a detailed configuration of a sine wave oscillation circuit according to a second embodiment of the present invention.
【図9】第2実施例の変形例を示す図である。FIG. 9 is a diagram showing a modification of the second embodiment.
【図10】第2実施例の他の変形例を示す図である。FIG. 10 is a diagram showing another modification of the second embodiment.
【図11】第2実施例の他の変形例を示す図である。FIG. 11 is a diagram showing another modification of the second embodiment.
【図12】本発明を適用した第3実施例の正弦波発振回
路の詳細な構成を示す図である。FIG. 12 is a diagram showing a detailed configuration of a sine wave oscillation circuit according to a third embodiment of the present invention.
【図13】第3実施例の変形例を示す図である。FIG. 13 is a diagram showing a modification of the third embodiment.
【図14】第3実施例の他の変形例を示す図である。FIG. 14 is a diagram showing another modification of the third embodiment.
【図15】LC素子の他の例を示す図である。FIG. 15 is a diagram showing another example of the LC element.
【図16】図15のLC素子の製造工程の一例を示す図
である。16 is a diagram showing an example of a manufacturing process of the LC element of FIG.
【図17】図15に示したLC素子の平面図を示す図で
ある。17 is a diagram showing a plan view of the LC element shown in FIG.
【図18】図15のLC素子の製造工程の他の例を示す
図である。FIG. 18 is a diagram showing another example of the manufacturing process of the LC element in FIG. 15.
【図19】LC素子の他の例を示す分解斜視図である。FIG. 19 is an exploded perspective view showing another example of the LC element.
【図20】図18に示したLC素子の外観を示す斜視図
である。20 is a perspective view showing an appearance of the LC element shown in FIG. 18. FIG.
【図21】LC素子の他の例の製造工程を示す図であ
る。FIG. 21 is a diagram showing a manufacturing process of another example of the LC element.
【図22】LC素子の他の例の製造工程を示す図であ
る。FIG. 22 is a diagram showing a manufacturing process of another example of the LC element.
【図23】LC素子の他の例を示す展開図である。FIG. 23 is a development view showing another example of the LC element.
【図24】LC素子の他の例を示す展開図である。FIG. 24 is a development view showing another example of the LC element.
【図25】図23および図24に示したLC素子の外観
斜視図である。25 is an external perspective view of the LC element shown in FIGS. 23 and 24. FIG.
【図26】3つのLC素子を使用した正弦波発振回路の
変形例を示す図である。FIG. 26 is a diagram showing a modified example of a sine wave oscillation circuit using three LC elements.
1 正弦波発振回路 10 インバータ論理回路 12,14 LC素子 16 キャパシタ 18−1,18−2 帯状導電体 20−1,20−2 誘電体シート 22−1,22−2,24 リード DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Sine wave oscillation circuit 10 Inverter logic circuit 12,14 LC element 16 Capacitor 18-1, 18-2 Band-shaped conductor 20-1, 20-2 Dielectric sheet 22-1, 22-2, 24 Lead
Claims (10)
行う反転増幅器と、 いずれか一方が信号入出力路として使用される2本のイ
ンダクタと、それらの間のキャパシタとが分布定数的に
形成されており、前記信号入出力路として使用されるい
ずれか一方のインダクタが互いに直列接続されるととも
に、他方のインダクタ同士が接続された複数のLC素子
と、 を備え、前記反転増幅器の出力を直列接続された複数の
前記インダクタを介して入力側に帰還させることにより
正弦波発振を行うことを特徴とする正弦波発振回路。1. An inverting amplifier that amplifies an input signal and performs phase inversion, two inductors, one of which is used as a signal input / output path, and a capacitor between them are formed in a distributed constant manner. And a plurality of LC elements in which one of the inductors used as the signal input / output path is connected to each other in series and the other inductor is connected to each other, and the output of the inverting amplifier is connected in series. A sine wave oscillation circuit which performs sine wave oscillation by feeding back to the input side via the plurality of inductors.
数調整用キャパシタを介して接続したことを特徴とする
正弦波発振回路。2. The sine wave oscillation circuit according to claim 1, wherein the other inductors of the plurality of LC elements are connected to each other via a frequency adjustment capacitor.
キャップを介して接続したことを特徴とする正弦波発振
回路。3. The sine wave oscillation circuit according to claim 1, wherein the other inductors of the plurality of LC elements are connected to each other via a varicap.
とを特徴とする正弦波発振回路。4. The sine wave oscillator circuit according to claim 1, wherein the inverting amplifier is composed of an inverter logic circuit.
回路により構成することを特徴とする正弦波発振回路。5. The sine wave oscillation circuit according to claim 1, wherein the inverting amplifier is composed of a grounded source circuit or a grounded emitter circuit.
て機能する複数の帯状導電体と誘電体シートとを交互に
重ねて同心状に巻き回すことにより形成され、これら複
数の帯状導電体のいずれか1つが前記信号入出力路とし
て使用されることを特徴とする正弦波発振回路。6. The LC element according to claim 1, wherein each of the plurality of LC elements is concentrically wound by alternately stacking a plurality of strip-shaped conductors functioning as the inductor and a dielectric sheet. And a sine wave oscillation circuit, wherein any one of the plurality of strip conductors is used as the signal input / output path.
面上に形成されており、それぞれが前記インダクタとし
て機能する複数のスパイラル状電極と、これら複数のス
パイラル状電極の間に形成された絶縁層と、前記絶縁層
を挟んでほぼ重なるように前記複数のスパイラル状電極
が一方の面上に形成された絶縁基板とを含んで構成され
ており、これら複数のスパイラル状電極のいずれか1つ
が前記信号入出力路として使用されることを特徴とする
正弦波発振回路。7. The spiral element according to claim 1, wherein each of the plurality of LC elements is formed on substantially the same plane, and each of the plurality of spiral electrodes functions as the inductor. An insulating layer formed between the plurality of spiral electrodes, and an insulating substrate having the plurality of spiral electrodes formed on one surface so as to substantially overlap with each other with the insulating layer interposed therebetween. And a sine wave oscillation circuit in which any one of the plurality of spiral electrodes is used as the signal input / output path.
分を有しており、その全体が前記インダクタとして機能
する複数のスパイラル状電極と、これら複数のスパイラ
ル状電極の周回部分を交互に重ねた場合に各周回部分の
間に挿入される絶縁板あるいは絶縁膜とを含んで構成さ
れており、これら複数のスパイラル状電極のいずれか1
つが前記信号入出力路として使用されることを特徴とす
る正弦波発振回路。8. The plurality of LC elements according to claim 1, wherein each of the plurality of LC elements has respective winding portions with different layers, and a plurality of spiral electrodes that entirely function as the inductor. , An insulating plate or an insulating film inserted between the spiral parts of the spiral electrodes when the spiral parts are alternately stacked, and any one of the spiral electrodes is provided.
A sine wave oscillating circuit, characterized in that one is used as the signal input / output path.
畳んで積層される複数の折り畳み部を有する絶縁シート
と、この絶縁シートの両面にほぼ対向するように形成さ
れて前記折り畳み部を交互に折り畳んで積層したときに
それぞれが所定ターン数の前記インダクタとして機能す
る複数の導体とを含んで構成されており、これら複数の
導体のいずれか1つが前記信号入出力路として使用され
ることを特徴とする正弦波発振回路。9. The insulating sheet according to claim 1, wherein each of the plurality of LC elements has a plurality of folding portions that are alternately folded and laminated in opposite directions, and both sides of the insulating sheet. And a plurality of conductors each of which functions as the inductor of a predetermined number of turns when the folded portions are alternately folded and laminated so as to face each other, and one of the plurality of conductors is formed. A sine wave oscillator circuit, one of which is used as the signal input / output path.
えるとともに、前記反転増幅器の動作電源電圧を変える
ことにより、発振周波数の切り替えを行うことを特徴と
する正弦波発振回路。10. The oscillation frequency is switched by changing the diameter of each of the plurality of inductors for each different winding portion and changing the operating power supply voltage of the inverting amplifier according to any one of claims 1 to 9. A sine wave oscillation circuit characterized by the above.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6114499A JPH07303009A (en) | 1994-04-28 | 1994-04-28 | Sine wave oscillation circuit |
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