JPH0729855A - 半導体ウエハのエキスパンデイング方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 本発明は半導体集積回路の製造に際し、半導体ウエハチ
ップの間隔を精度良く、簡単に拡げることのできるエキ
スパンデイング方法に関する。 【構成】 半導体集積回路の製造に際し、弾性を有する
シ−ト２の上に固着された半導体ウエハ１をダイシング
ライン６・・・６に沿って切断し、その後、前記シ−ト
２を引き伸ばしてダイシングされた半導体ウエハチップ
１′・・・１′の間隔を拡げるエキスパンデイング方法
であって、ダイシングされた両端のウエハチップ１′、
１′が所定の間隔になるまで前記シ−トを引き伸ばすこ
とを特徴とし、両端のウエハチップ１′、１′は光セン
サによって測定される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は半導体集積回路の製造に
際し、半導体ウエハチップの間隔を精度良く、簡単に拡
げることのできるエキスパンデイング方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】ダイシングされたＩＣあるいはＦＥＴ等
の半導体ウエハチップをリ−ドフレ−ムやパッケ−ジに
搬送して半田、金あるいは樹脂等の接合材により装着す
る半導体集積回路の製造に先立って、弾性を有するテー
プ上に固着された半導体ウエハをダイシングし、前記テ
ープを引き伸ばしてダイシングされたウエハチップの間
隔を所定の大きさにすることが必要である。

【０００３】図３は従来のエキスパンデイング方法を説
明するための図面であり、同図（ａ）はエキスパンデイ
ング前の縦断面図、同図（ｂ）はエキスパンデイング後
の断面図である。リング３には弾性を有するシ−ト２が
固定され、このシ−ト２の上に固着されたウエハ１がダ
イシングライン６・・・６に従って縦及び横方向に切断
される。リング３は内接して配置された円筒管４の軸方
向に引っ張ることによって同図（ｂ）のように切断され
たウエハチップ１′・・・１′はシ−ト上で左右、前後
に間隔７・・・７があけられる。間隔７・・・７は引っ
張られたリング３の距離によって決められ、リング３の
位置は円筒管４の外周に照射されたレ−ザ光５によって
光学的に制御している。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】ダイシングされるウエ
ハチップ１′・・・１′の大きさはＦＥＴの場合は小さ
く、ＬＳＩの場合は大きくなる。これを従来の方法によ
ってエキスパンデイングすると、ウエハチップが小さく
ダイシングライン６・・・６の数が多い場合は間隔７・
・・７は狭くなり、反対にウエハチップが大きい場合は
間隔７・・・７は広くなる。即ち、従来の方法ではエキ
スパンデイングして得られる間隔７・・・７は切断され
るダイシングライン６・・・６の数によって変化するの
で、一旦エキスパンデイングした後に調整をする必要が
あり、その数に影響されず一定にすることが困難であっ
た。そこで本発明は、かかる問題点を解決した半導体ウ
エハのエキスパンデイング方法を提供することを目的と
する。

【０００５】

【課題を解決するための手段】本発明に係わる半導体ウ
エハのエキスパンデイング方法は、半導体集積回路の製
造に際し、弾性を有するシ−ト上に固着された半導体ウ
エハをダイシングし、その後、前記シ−トを引き伸ばし
てダイシングされた半導体ウエハチップの間隔を拡げる
エキスパンデイング方法であって、ダイシングされた両
端のウエハチップが所定の間隔になるまで前記シ−トを
引き伸ばすことを特徴とし、両端のウエハチップは光セ
ンサによって測定される。

【０００６】上記の方法は弾性を有するシートを引き伸
ばし、その上に固着された半導体ウエハチップの間隔を
広げるに際し、周囲温度をほぼ６５℃に保持することが
好ましい。

【０００７】

【作用】ダイシングラインの数及び相隣る間隔が解れば
エキスパンデイング後の両端のウエハチップの位置が決
定されるので、上記の構成のように両端のウエハチップ
の間隔を測定しながらシ−トを引き伸ばすことによって
一義的に間隔を決定することができる。即ち、レ−ザ光
によって直接ウエハチップの位置を測定するので従来よ
り間隔を精度良く決定することができる。また、周囲温
度をほぼ６５℃ に保持してシートをエキスパンデイン
グするので、半導体ウエハチップの間隔はシート間ある
いはシート内の位置によるばらつきを極力押さえること
ができる。

【０００８】

【実施例】以下、図１、図２を参照して本発明の実施例
を説明する。図１は本発明に係わる実施例の構成を示す
図面であり、同図（ａ）はエキスパンデイング前の縦断
面図、同図（ｂ）はエキスパンデイング後の縦断面図で
ある。なお、図３と同一要素には同一符号を付し、重複
する説明を省略する。図１において、図示していない検
知装置から所定の間隔をおいてレ−ザ光５、５をシ−ト
２の上面へ照射し、反射光が戻ってくる時間を測定して
いる。図２（ｂ）のようにシ−ト上の両端のウエハチッ
プ１′、１′が両側へ引っ張られてレ−ザ光５、５に照
射されると反射光が戻ってくる時間はその厚さ分だけ短
くなるので両端のウエハチップ１′、１′が所定の間隔
まで移動したことを光センサによって測定することがで
きる。シ−ト２は日東電工製の塩化ビニルからなるＶ−
８−Ｍを用いた。

【０００９】図２は本発明の実施例を説明するための図
面であり、同図（ａ）はエキスパンデイング前の平面
図、同図（ｂ）はエキスパンデイング後の平面図であ
る。シ−ト２に固着した直径３インチ（７６ｍｍφ）の
ＧａＡｓウエハ１を縦及び横方向のダイシングライン６
・・・６に沿って切断し、内径１５０ｍｍのリング３を
引下げながらシ−ト２を１５０％拡張した。両端のウエ
ハチップ１′ａ、１′ｂが１″ａ、１″ｂまでエキスパ
ンデイングするには図１で説明した光センサ方式によっ
て行なった。エキスパンデイングの精度を高めるために
縦方向の両端ウエハチップ１″ｃ、１″ｄについても同
様の測定を行なった。

【００１０】また、シート２は周囲温度によって引き伸
ばされる寸法が変化、シート間あるいはシート内の位置
によってばらつくことがある。そこで、エキスパンデイ
ングは６５±２℃の範囲で行った。その結果、１ｍｍ×
１ｍｍのウエハチップ１″・・・１″の間隔７・・・７
は０．５ｍｍとなり、ダイボンデイング工程において図
示していないコレットによってウエハチップ１″・・・
１″をリ−ドフレ−ムあるいはパッケ−ジに搬送するた
めの間隔を確保することができた。

【００１１】

【発明の効果】以上説明したように、本発明はダイシン
グラインの数及び相隣る間隔が解ればエキスパンデイン
グ後の両端のウエハチップの位置が決定されるので、両
端のウエハチップの間隔を測定しながらシ−トを引き伸
ばすことによって一義的に間隔を決定することができ
る。また、レ−ザ光によって直接ウエハチップの位置を
測定すること、そして周囲温度をほぼ６５℃に保持して
シートをエキスパンデイングするので、従来より間隔を
精度良く決定することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係わる実施例の構成を示す図面であ
り、同図（ａ）はエキスパンデイング前の縦断面図、同
図（ｂ）はエキスパンデイング後の縦断面図である。

【図２】本発明の実施例を説明するための図面であり、
同図（ａ）はエキスパンデイング前の平面図、同図
（ｂ）はエキスパンデイング後の平面図である。

【図３】従来のエキスパンデイング方法を説明するため
の図面であり、同図（ａ）はエキスパンデイング前の縦
断面図、同図（ｂ）はエキスパンデイング後の断面図で
ある。

【符号の説明】

１：ウエハ １′、１″：ウエハチップ ２：シ−ト ３：リング ４：円筒管 ５：レ−ザ光 ６：ダイシングライン ７：間隔

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 半導体集積回路の製造に際し、弾性を有
   するシ−ト上に固着され半導体ウエハをダイシングし、
   その後、前記シートを引き伸ばしてダイシングされた半
   導体ウエハチップの間隔を拡げるエキスパンデイング方
   法であって、 ダイシングされた両端のウエハチップが所定の間隔にな
   るまで前記シ−トを引き伸ばすことを特徴とする半導体
   ウエハのエキスパンデイング方法。
2. 【請求項２】 両端のウエハチップの間隔を光センサに
   よって測定することを特徴とする請求項１記載の半導体
   ウエハのエキスパンデイング方法。
3. 【請求項３】 弾性を有するシートを引き伸ばし、その
   上に固着された半導体ウエハチップの間隔を広げるに際
   し、周囲温度をほぼ６５℃に保持することを特徴とする
   請求項１記載の半導体ウエハのエキスパンデイング方
   法。