JPH07296342A - Magnetoresistance effect thin film magnetic head - Google Patents
Magnetoresistance effect thin film magnetic headInfo
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- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、磁気記録媒体からの記
録磁界によって抵抗率が変化する磁気抵抗効果膜を用
い、その磁気抵抗効果膜の抵抗変化を再生出力電圧とし
て検出する磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドに関し、特に
S/N比の向上に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention uses a magnetoresistive film whose resistivity changes according to a recording magnetic field from a magnetic recording medium, and detects a resistance change of the magnetoresistive film as a reproduction output voltage. The present invention relates to a thin film magnetic head, and particularly to improvement of S / N ratio.
【0002】[0002]
【従来の技術】従来、広く使われている誘導型磁気ヘッ
ドは、再生出力が媒体速度に依存しており、媒体速度が
遅くなると再生出力が低下してしまうという問題があっ
た。2. Description of the Related Art Conventionally, a widely used induction type magnetic head has a problem that the reproduction output depends on the medium speed, and that the reproduction output decreases when the medium speed becomes slow.
【0003】これに対して、磁界によって抵抗率が変化
する磁気抵抗効果膜(以下、MR膜と称する。)の抵抗
変化を再生出力電圧として検出する磁気抵抗効果型薄膜
磁気ヘッド(以下、MRヘッドと称する。)は、その再
生出力が媒体速度に依存せず、媒体速度が遅くても高再
生出力が得られるという特徴を有しており、例えば、ハ
ードディスク装置の小型大容量化を実現する磁気ヘッド
として注目されている。なぜなら、ハードディスク装置
の媒体速度は、ディスク径に依存しており、小型化する
ほど媒体速度が遅くなるからである。On the other hand, a magnetoresistive thin film magnetic head (hereinafter referred to as an MR head) which detects a change in resistance of a magnetoresistive film (hereinafter referred to as an MR film) whose resistivity changes according to a magnetic field as a reproduction output voltage. Has a characteristic that the reproduction output does not depend on the medium speed and a high reproduction output can be obtained even when the medium speed is slow. It is attracting attention as a head. This is because the medium speed of the hard disk device depends on the disk diameter, and the smaller the size, the slower the medium speed.
【0004】ただし、MRヘッドは再生しか行えないた
め、記録再生用ヘッドとしては、MRヘッド上に誘導型
薄膜磁気ヘッドを積層して、再生をMRヘッドによって
行い、記録は誘導型薄膜磁気ヘッドによって行うタイプ
の磁気ヘッド(以下、このタイプの磁気ヘッドを複合型
ヘッドと称する。)が検討されている。However, since the MR head can only perform reproduction, as a recording / reproducing head, an induction type thin film magnetic head is laminated on the MR head, reproduction is performed by the MR head, and recording is performed by the induction type thin film magnetic head. A magnetic head of the type to be performed (hereinafter, this type of magnetic head is referred to as a composite type head) has been studied.
【0005】上記複合型ヘッドは、通常、次のように作
製される。まず、図9に示すような平板基板101(例
えばAl−Ti−C系の焼結体)上に、図10に示すよ
うに、スパッタリング,メッキ,フォトリソグラフィ等
の薄膜工程を用いてヘッド材料を積層してヘッド素子1
02(MRヘッド素子及び誘導型薄膜磁気ヘッド素子)
が複数形成される。その後、図11に示すように、各ヘ
ッドチップ103毎に切り出され、外形寸法を決定する
ための加工が施される。その後、図12に示すように、
このヘッドチップ103にサスペンション機構105が
取り付けられ、磁気ヘッド装置に組み込まれる。なお、
ヘッドの端子には、ヘッド出力を取り出すために、リー
ド線104(例えば樹脂で被膜されたCu)が半田付け
され、ハードディスク装置のコントローラ等と接続され
る。The composite head is usually manufactured as follows. First, as shown in FIG. 10, a head material is formed on a flat substrate 101 (for example, an Al—Ti—C-based sintered body) as shown in FIG. 9 by using a thin film process such as sputtering, plating, and photolithography. Head element 1 by stacking
02 (MR head element and induction type thin film magnetic head element)
Are formed in plural. After that, as shown in FIG. 11, each head chip 103 is cut out and processed to determine the external dimensions. Then, as shown in FIG.
The suspension mechanism 105 is attached to the head chip 103 and incorporated in the magnetic head device. In addition,
Lead wires 104 (for example, Cu coated with resin) are soldered to the terminals of the head in order to extract the head output, and are connected to a controller of the hard disk device or the like.
【0006】上記複合型ヘッドのMRヘッド部分の形成
における薄膜工程は、例えば次のように行われる。The thin film process for forming the MR head portion of the composite head is performed as follows, for example.
【0007】まず、図13に示すように、基板201上
に、MR膜の下部シールドとなる薄膜磁気コア202
と、4つのリード電極203a,203b,203c,
203dを形成する。その後、図14に示すように、薄
膜磁気コア202上に、MRヘッドの下層再生ギャップ
となる絶縁膜204aを形成し、この絶縁膜204a上
の一部にMR膜205を形成する。そして、さらに絶縁
膜204bを、MR膜205を覆うように形成した後、
開口を形成してMR膜205の後端部分205aを露出
させる。First, as shown in FIG. 13, a thin film magnetic core 202 serving as a lower shield of an MR film is formed on a substrate 201.
And four lead electrodes 203a, 203b, 203c,
203d is formed. After that, as shown in FIG. 14, an insulating film 204a serving as a lower reproducing gap of the MR head is formed on the thin film magnetic core 202, and an MR film 205 is formed on a part of the insulating film 204a. Then, after further forming an insulating film 204b so as to cover the MR film 205,
An opening is formed to expose the rear end portion 205a of the MR film 205.
【0008】その後、図15に示すように、導電性を有
するTiやCu等を積層して、バイアス導体206とセ
ンス導体207を形成する。このとき、バイアス導体2
06は、MR膜205上を絶縁膜204bを介して横切
り、且つ両端206a,206bが2つのリード電極2
03a,203dと接続するように形成する。なお、バ
イアス導体206が接続されたリード電極203a,2
03dの端子をバイアス端子203e,203hと称す
る。一方、センス導体207は、一端207aがMR膜
205の露出する後端部分205aと接続するように、
他端207bがリード電極203cと接続するように形
成する。なお、センス導体207が接続されたリード電
極203cの端子をMR端子203gと称する。After that, as shown in FIG. 15, conductive materials such as Ti and Cu are laminated to form a bias conductor 206 and a sense conductor 207. At this time, the bias conductor 2
06 is a lead electrode 2 which crosses over the MR film 205 via the insulating film 204b and has two ends 206a and 206b.
It is formed so as to be connected to 03a and 203d. Note that the lead electrodes 203a, 2a to which the bias conductor 206 is connected
The terminals 03d are referred to as bias terminals 203e and 203h. On the other hand, the sense conductor 207 has one end 207a connected to the exposed rear end portion 205a of the MR film 205.
The other end 207b is formed so as to be connected to the lead electrode 203c. The terminal of the lead electrode 203c to which the sense conductor 207 is connected is called the MR terminal 203g.
【0009】その後、バイアス導体206及びセンス導
体207を被覆するように絶縁膜204cを形成した
後、絶縁膜204cに開口を形成してMR膜205の先
端部分205bを露出させる。そして、MRヘッドの上
層再生ギャップ及びMR膜205の先端部電極となる金
属膜208を、MR膜205の露出した先端部分205
bに形成する。(本工程は図示せず。)After that, an insulating film 204c is formed so as to cover the bias conductor 206 and the sense conductor 207, and then an opening is formed in the insulating film 204c to expose the tip portion 205b of the MR film 205. Then, the metal film 208 to be the upper reproduction gap of the MR head and the tip electrode of the MR film 205 is formed on the exposed tip portion 205 of the MR film 205.
b. (This step is not shown.)
【0010】その後、図16に示すように、金属膜20
8及び絶縁膜204c上にMR膜205の上部シールド
となる導電性を有する薄膜磁気コア209を形成する。
そして、薄膜磁気コア209とリード電極203bとを
GND電極210にて接続する。なお、薄膜磁気コア2
09及びGND電極210を介して、MR膜205と接
続されたリード電極203bの端子を、GND端子20
3fと称する。Thereafter, as shown in FIG. 16, a metal film 20 is formed.
8 and the insulating film 204c, a thin film magnetic core 209 having conductivity, which serves as an upper shield of the MR film 205, is formed.
Then, the thin film magnetic core 209 and the lead electrode 203b are connected by the GND electrode 210. The thin film magnetic core 2
09 and the GND electrode 210, the lead electrode 203b connected to the MR film 205 is connected to the GND terminal 20.
3f.
【0011】そして、複合型ヘッドの場合は、この上に
磁気記録用の誘導型薄膜磁気ヘッドを形成する。(誘導
型薄膜磁気ヘッドの形成工程は省略する。)In the case of a composite type head, an induction type thin film magnetic head for magnetic recording is formed on the composite type head. (The step of forming the induction type thin film magnetic head is omitted.)
【0012】図17に、以上の工程により作製された複
合型ヘッドの横断面図を示す。このように、MRヘッド
211は、下部シールドの薄膜磁気コア202及び上部
シールドの薄膜磁気コア209とで、MR膜205がサ
ンドイッチされた構造となっている。また、MRヘッド
211の上層再生ギャップと、MR膜205の先端部電
極とを兼ねた金属膜208は、記録媒体表面に帯電した
電荷がMRヘッド211の先端部に飛び込んできた場合
に、MR膜205の静電破壊を防ぐために、電荷を薄膜
磁気コア209を通じてGND端子203fへと放電す
るための経路ともなっている。なお、複合型ヘッドは、
このMRヘッド211上に誘導型薄膜磁気ヘッド212
及び保護膜213が積層され構成される。FIG. 17 shows a cross-sectional view of the composite type head manufactured by the above steps. Thus, the MR head 211 has a structure in which the MR film 205 is sandwiched between the lower shield thin film magnetic core 202 and the upper shield thin film magnetic core 209. Further, the metal film 208, which also serves as the upper reproducing gap of the MR head 211 and the tip electrode of the MR film 205, is formed in the MR film when the charges charged on the surface of the recording medium jump into the tip of the MR head 211. In order to prevent electrostatic breakdown of 205, it also serves as a path for discharging electric charges to the GND terminal 203f through the thin film magnetic core 209. The composite head is
An induction type thin film magnetic head 212 is formed on the MR head 211.
And the protective film 213 are laminated.
【0013】そして、このMRヘッド211にて再生を
行う場合は、ハードディスク等からの記録磁界によるM
R膜205の抵抗変化から再生出力を得るために、MR
膜205にセンス導体207を介してセンス電流が流さ
れ、更にMR膜205にバイアス磁界を印加するため
に、バイアス導体206にバイアス電流が流される。When reproduction is performed by the MR head 211, M due to a recording magnetic field from a hard disk or the like is used.
In order to obtain the reproduction output from the resistance change of the R film 205, the MR
A sense current is applied to the film 205 via the sense conductor 207, and a bias current is applied to the bias conductor 206 to apply a bias magnetic field to the MR film 205.
【0014】ところで、上記MRヘッド211では、再
生用端子として、GND端子203f、MR端子203
g、及び2つのバイアス端子203e,203hの合計
4端子が必要である。そして、複合型ヘッドの場合は、
さらに誘導型薄膜磁気ヘッド212の記録用端子として
2端子が必要で、全体で6端子が必要となる。By the way, in the MR head 211, the GND terminal 203f and the MR terminal 203 are used as reproducing terminals.
g, and two bias terminals 203e and 203h in total, 4 terminals are required. And in the case of a composite head,
Further, two terminals are required as recording terminals of the induction type thin film magnetic head 212, and six terminals are required as a whole.
【0015】これに対して、記録再生を共に誘導型磁気
ヘッドで行う場合は、端子数が記録と再生の両方で2端
子でよい。また、SAL方式のハード膜バイアス方式の
MRヘッドの場合は、再生用端子が2端子、記録用端子
が2端子となり、合計4端子でよい。On the other hand, when both recording and reproduction are performed by the induction type magnetic head, the number of terminals may be two for both recording and reproduction. In the case of the SAL type hard film bias type MR head, the number of reproducing terminals is two and the number of recording terminals is two, which is a total of four terminals.
【0016】これらと比較すると、上記MRヘッドは、
端子数が多いため、回路系や、ヘッドやドライブの組立
等が複雑化するため、低コスト化が困難である。また端
子数が多いことは、小型化を進める上でも不利な条件で
ある。In comparison with these, the MR head is
Since the number of terminals is large, the circuit system and the assembly of the head and the drive are complicated, and it is difficult to reduce the cost. Also, the large number of terminals is a disadvantageous condition in promoting miniaturization.
【0017】そこで、端子数を減らすために、MR膜と
バイアス導体を直列に接続し、再生用端子数を2つにし
たMRヘッドが検討されている。Therefore, in order to reduce the number of terminals, an MR head in which an MR film and a bias conductor are connected in series and the number of reproducing terminals is two has been studied.
【0018】上記の、MR膜とバイアス導体を直列に接
続したMRヘッドでは、バイアス導体を、MR膜上を絶
縁膜を介して横切り、一端がリード電極と接続するよう
に、他端がMR膜の一端と接続するように形成する。な
お、このリード電極の端子は、MR端子とバイアス端子
を兼ねた端子であり、MR−バイアス端子と称する。そ
して、MR膜の他端とリード電極とを金属膜及び薄膜磁
気コアを介して接続させる。なお、このリード電極は、
GND端子とバイアス端子を兼ねた端子であり、GND
−バイアス端子と称する。In the above-mentioned MR head in which the MR film and the bias conductor are connected in series, the bias conductor is traversed over the MR film via the insulating film, and the other end is connected to the lead electrode so that the other end is the MR film. It is formed so as to be connected to one end of. The terminal of the lead electrode is a terminal that also serves as an MR terminal and a bias terminal, and is called an MR-bias terminal. Then, the other end of the MR film and the lead electrode are connected via the metal film and the thin film magnetic core. In addition, this lead electrode is
A terminal that doubles as a GND terminal and a bias terminal.
-It is called a bias terminal.
【0019】そして、再生を行う場合は、MR−バイア
ス端子からバイアス導体を介してMR膜にセンス電流兼
バイアス電流が流される。この電流は、ハードディスク
等からの記録磁界によるMR膜の抵抗変化から再生出力
を得るためのセンス電流になるとともに、MR膜にバイ
アス磁界を印加するためのバイアス電流ともなる。When reproducing, a sense current / bias current flows from the MR-bias terminal to the MR film via the bias conductor. This current serves as a sense current for obtaining a reproduction output from a resistance change of the MR film due to a recording magnetic field from a hard disk or the like, and a bias current for applying a bias magnetic field to the MR film.
【0020】[0020]
【発明が解決しようとする課題】上記の、MR膜とバイ
アス導体が直列に接続されたMRヘッドでは、端子数は
削減されるが、再生系のS/N比が劣化するという問題
が生じている。In the above-mentioned MR head in which the MR film and the bias conductor are connected in series, the number of terminals is reduced, but the S / N ratio of the reproducing system deteriorates. There is.
【0021】特に、高記録密度化に伴い、トラック密度
を向上させるために、MR膜のトラック幅を狭めた場
合、S/N比の劣化が顕著となる。In particular, when the track width of the MR film is narrowed in order to improve the track density with the increase in recording density, the S / N ratio is significantly deteriorated.
【0022】そこで本発明は、このような従来の実情に
鑑みて提案されたものであり、MR膜とバイアス導体が
直列に接続された構造を採用した場合も、優れたS/N
比を実現することが可能なMRヘッドを提供することを
目的とする。Therefore, the present invention has been proposed in view of such a conventional situation, and is excellent in S / N even when the structure in which the MR film and the bias conductor are connected in series is adopted.
An object is to provide an MR head capable of realizing a ratio.
【0023】[0023]
【課題を解決するための手段】本発明者は、上述の目的
を達成するために、鋭意研究を重ねた結果、S/N比の
劣化の原因は、MRヘッドの抵抗の増大であることを見
いだし、この知見に基づいて本発明を成すに至った。As a result of intensive studies to achieve the above object, the present inventor has found that the cause of the deterioration of the S / N ratio is an increase in the resistance of the MR head. The present invention has been found, and the present invention has been completed based on this finding.
【0024】すなわち、MR膜とバイアス導体が直列に
接続されたMRヘッドでは、MRヘッドの抵抗が、MR
膜の抵抗と、バイアス導体の抵抗と、MR膜及びバイア
ス導体と外部端子とを接続する配線の抵抗の合計とな
り、大きな値となりやすく、これが抵抗性ノイズの増大
を引き起こし、S/N比の劣化となっているのである。That is, in the MR head in which the MR film and the bias conductor are connected in series, the resistance of the MR head is
It becomes the sum of the resistance of the film, the resistance of the bias conductor, and the resistance of the wiring connecting the MR film and the bias conductor to the external terminal, and tends to be a large value, which causes an increase in resistive noise and deteriorates the S / N ratio. It has become.
【0025】本発明のMRヘッドは、以上の知見に基づ
いて成されたものであり、MR膜と、このMR膜にバイ
アス磁界を印加するためのバイアス導体と、これらMR
膜及びバイアス導体と外部端子とを接続する配線を有
し、これらが直列に接続されてなるMRヘッドであっ
て、前記MR膜、バイアス導体、及び配線の抵抗の合計
(以下、端子間MR抵抗と称する。)が20[Ω]以下
であることを特徴とする。The MR head of the present invention is made on the basis of the above findings, and is composed of an MR film, a bias conductor for applying a bias magnetic field to the MR film, and these MR films.
An MR head having wirings for connecting a film and a bias conductor to an external terminal, which are connected in series, in which the total resistance of the MR film, the bias conductor, and the wiring (hereinafter referred to as inter-terminal MR resistance). Is less than or equal to 20 [Ω].
【0026】上記MRヘッドにおいて、端子間MR抵抗
を20[Ω]以下とする方法は、特に限定されるもので
はない。例えば、MR膜の長さを短くする、MR膜を抵
抗の少ない形状にする、配線の材料を変える、配線を太
くする等が挙げられる。In the above MR head, the method of setting the inter-terminal MR resistance to 20 [Ω] or less is not particularly limited. For example, the length of the MR film may be shortened, the MR film may have a shape with low resistance, the material of the wiring may be changed, and the wiring may be thickened.
【0027】なお、本発明のMRヘッドは単独で用いて
再生専用としてもよいし、誘導型薄膜磁気ヘッドのよう
に記録が行える磁気ヘッドと一体化して複合型ヘッドと
してもよい。The MR head of the present invention may be used alone for reproduction only, or may be integrated with a magnetic head capable of recording such as an inductive thin film magnetic head to form a composite head.
【0028】[0028]
【作用】磁気情報の再生におけるノイズは、再生アンプ
に依存するノイズNampと、磁気ヘッドに依存するノイ
ズNheadと、媒体に依存するノイズNmediaに分類さ
れ、全体のS/N比は、下式のように表される。 S/N = S/(Namp2+Nhead2+Nmedia2)1/2 The noise in reproducing the magnetic information is classified into the noise Namp depending on the reproducing amplifier, the noise Nhead depending on the magnetic head, and the noise Nmedia depending on the medium. The overall S / N ratio is expressed by the following equation. Is represented as S / N = S / (Namp 2 + Nhead 2 + Nmedia 2 ) 1/2
【0029】したがって、S/N比を向上させるには、
Namp,Nhead,Nmediaの全てを同等に低く抑える必要
がある。ただし、Nmedia はメディアに依存するため、
ここでは考慮せず、NheadとNampに注目する。通常、
Nampは、0.5〜0.6[nV/Hz1/2]であり、こ
れは再生アンプの入力換算ノイズにすると15.6〜2
2.5[Ω]となる。したがって、Nheadもこれと同等
以下に、すなわち端子間MR抵抗を15.6〜22.5
[Ω]以下にすることが望まれる。Therefore, in order to improve the S / N ratio,
It is necessary to keep Namp, Nhead, and Nmedia all low. However, because Nmedia depends on the media,
Here, Nhead and Namp are focused without considering them. Normal,
Namp is 0.5 to 0.6 [nV / Hz 1/2 ], which is 15.6 to 2 when converted into input conversion noise of the reproduction amplifier.
It becomes 2.5 [Ω]. Therefore, Nhead is equal to or less than this, that is, the MR resistance between terminals is 15.6 to 22.5.
It is desired to be less than [Ω].
【0030】そして、本発明のMRヘッドでは、端子間
MR抵抗を20[Ω]以下としており、磁気ヘッドに依
存するノイズが、再生アンプに依存するノイズと同等以
下に抑えられる。したがって、抵抗性ノイズの増大が防
止され、再生時のS/N比が向上する。In the MR head of the present invention, the inter-terminal MR resistance is set to 20 [Ω] or less, and the noise dependent on the magnetic head can be suppressed to the same level or lower than the noise dependent on the reproducing amplifier. Therefore, increase in resistive noise is prevented, and the S / N ratio during reproduction is improved.
【0031】[0031]
【実施例】本発明を適用したMRヘッドの実施例につい
て、図面を参照しながら説明する。Embodiments of the MR head to which the present invention is applied will be described with reference to the drawings.
【0032】本実施例のMRヘッドは、図1に示すよう
に、先端部に電流を通ずるための先端電極8が積層され
たMR膜5と、このMR膜5に所要の向きの磁界状態を
与えるバイアス導体6からなる。In the MR head of this embodiment, as shown in FIG. 1, an MR film 5 having a tip electrode 8 for passing an electric current on its tip and a magnetic field in a desired direction are formed on the MR film 5. The bias conductor 6 is provided.
【0033】先端電極8は、その一端部が、MR膜5の
先端部に積層される。そして、この先端電極8より引き
出された配線パターンの端部の端子3dが、リード線1
1dを介して外部端子12dと接続される。One end of the tip electrode 8 is laminated on the tip of the MR film 5. The terminal 3d at the end of the wiring pattern drawn out from the tip electrode 8 is connected to the lead wire 1
It is connected to the external terminal 12d via 1d.
【0034】バイアス導体6は、平面ループ形状の配線
パターンとして形成され、MR膜5上に絶縁膜を介して
所定の距離を隔てて積層されている。また、バイアス導
体6は、その一端部がMR膜5の後端部に重なり、該一
端部から湾曲してMR膜5に再び重なり、この重なり部
分において、MR膜5に対して略直交する方向、つまり
MR膜5を横切る形で設けられている。そして、MR膜
5に重なる一端部が絶縁膜の開口を介してMR膜5の後
端部に電気的に接続されるとともに、MR膜5に重なら
ない他の一端部が引き出され、この引き出された配線パ
ターンの端部の端子3cが、リード線11cを介して外
部端子12cと接続される。The bias conductor 6 is formed as a plane loop wiring pattern, and is laminated on the MR film 5 with a predetermined distance therebetween via an insulating film. Further, one end of the bias conductor 6 overlaps with the rear end of the MR film 5, and the bias conductor 6 curves from the one end and overlaps with the MR film 5 again. In this overlapping part, a direction substantially orthogonal to the MR film 5 is obtained. That is, it is provided so as to cross the MR film 5. Then, one end portion that overlaps the MR film 5 is electrically connected to the rear end portion of the MR film 5 through the opening of the insulating film, and the other end portion that does not overlap the MR film 5 is pulled out and is pulled out. The terminal 3c at the end of the wiring pattern is connected to the external terminal 12c via the lead wire 11c.
【0035】上記MRヘッドに電流を供給する場合は、
外部端子12dから電流が供給され、電流は先端電極8
を通って、MR膜5にセンス電流として供給され、さら
に連続的にバイアス導体6にバイアス電流として供給さ
れ、バイアス導体6を通過した電流は外部端子12cに
より導出される。すなわち、2つの外部端子12c,1
2dによって、MR膜5へのセンス電流とバイアス導体
6へのバイアス電流とが同時に供給される。When supplying a current to the MR head,
A current is supplied from the external terminal 12d, and the current is supplied to the tip electrode 8
Is supplied as a sense current to the MR film 5 and further continuously supplied to the bias conductor 6 as a bias current, and the current passing through the bias conductor 6 is led out by the external terminal 12c. That is, the two external terminals 12c, 1
By 2d, a sense current to the MR film 5 and a bias current to the bias conductor 6 are simultaneously supplied.
【0036】上記MRヘッドにおいて、端子間MR抵抗
は、外部端子12dからのリード線11dの抵抗と、先
端電極8への配線パターンの抵抗と、先端電極8の抵抗
と、MR膜5の抵抗と、バイアス導体6の抵抗と、バイ
アス導体6からの配線パターンの抵抗と、外部端子12
cへのリード線11cの抵抗との合計となる。In the MR head, the MR resistance between terminals includes the resistance of the lead wire 11d from the external terminal 12d, the resistance of the wiring pattern to the tip electrode 8, the resistance of the tip electrode 8, and the resistance of the MR film 5. , The resistance of the bias conductor 6, the resistance of the wiring pattern from the bias conductor 6, and the external terminal 12
It is the sum of the resistance of the lead wire 11c to c.
【0037】以上のような、MR膜とバイアス導体が直
列に接続されたMRヘッドの製造方法について説明す
る。A method of manufacturing the MR head in which the MR film and the bias conductor are connected in series as described above will be described.
【0038】MR膜とバイアス導体が直列に接続された
MRヘッドは、平板基板(例えばAl−Ti−C系の焼
結体)上に、薄膜工程によりヘッド材料が積層されてヘ
ッド素子が複数形成された後、各ヘッドチップ毎に切り
出され、外形寸法を決定するための加工が施されて作製
されるものである。その後、このヘッドチップにサスペ
ンション機構が取り付けられ、磁気ヘッド装置に組み込
まれる。なお、ヘッドの端子には、ヘッド出力を取り出
すために、リード線(例えば樹脂で被膜されたCu)が
半田付けされ、ハードディスク装置のコントローラ等と
接続される。In the MR head in which the MR film and the bias conductor are connected in series, a head material is laminated by a thin film process on a flat plate substrate (for example, an Al--Ti--C system sintered body) to form a plurality of head elements. After that, each head chip is cut out and processed to determine the outer dimensions, and is manufactured. Thereafter, a suspension mechanism is attached to this head chip and incorporated in the magnetic head device. A lead wire (for example, Cu coated with resin) is soldered to the terminal of the head in order to take out the head output, and is connected to a controller or the like of the hard disk device.
【0039】以下、MRヘッドの形成における薄膜工程
について詳細に説明する。まず、図2に示すように、基
板1上に、MR膜の下部シールドとなる薄膜磁気コア2
と、2つのリード電極3a,3bを形成する。その後、
図3に示すように、MRヘッドの下層再生ギャップとな
る絶縁膜4aを形成し、この絶縁膜4a上の一部にMR
膜5を形成する。そして、さらに絶縁膜4bを、MR膜
5を覆うように形成した後、開口を形成してMR膜5の
後端部分5aを露出させる。The thin film process for forming the MR head will be described in detail below. First, as shown in FIG. 2, a thin film magnetic core 2 serving as a lower shield of an MR film is formed on a substrate 1.
Then, two lead electrodes 3a and 3b are formed. afterwards,
As shown in FIG. 3, an insulating film 4a which serves as a lower reproducing gap of the MR head is formed, and the MR film is partially formed on the insulating film 4a.
The film 5 is formed. Then, after forming the insulating film 4b so as to cover the MR film 5, an opening is formed to expose the rear end portion 5a of the MR film 5.
【0040】その後、図4に示すように、バイアス導体
6を形成する。このとき、バイアス導体6は、MR膜5
上を絶縁膜4bを介して横切り、一端6aがリード電極
3aと接続するように、他端6bが露出したMR膜5の
後端部分5aと接続するように形成する。なお、バイア
ス導体6が接続されたリード電極3aの端子は、MR端
子とバイアス端子を兼ねた端子であり、MR−バイアス
端子3cとなる。After that, as shown in FIG. 4, the bias conductor 6 is formed. At this time, the bias conductor 6 is the MR film 5
The upper part is traversed through the insulating film 4b so that one end 6a is connected to the lead electrode 3a and the other end 6b is connected to the exposed rear end portion 5a of the MR film 5. The terminal of the lead electrode 3a to which the bias conductor 6 is connected is a terminal that also serves as the MR terminal and the bias terminal, and serves as the MR-bias terminal 3c.
【0041】その後、バイアス導体6を被覆するように
絶縁膜を形成した後、絶縁膜に開口を形成してMR膜5
の先端部分を露出させる。そして、MRヘッドの上層再
生ギャップ及びMR膜5の先端部の電極となる金属膜
を、MR膜5の露出した先端部に形成する。(本工程は
図示せず。)After that, an insulating film is formed so as to cover the bias conductor 6, and then an opening is formed in the insulating film to form the MR film 5.
Expose the tip of the. Then, a metal film serving as an upper reproducing gap of the MR head and an electrode at the tip of the MR film 5 is formed on the exposed tip of the MR film 5. (This step is not shown.)
【0042】その後、図5に示すように、金属膜及び絶
縁膜上にMR膜5の上部シールドとなる導電性を有する
薄膜磁気コア9を形成する。そして、薄膜磁気コア9と
リード電極3bとをGND電極10にて接続する。な
お、薄膜磁気コア9及びGND電極10を介して、MR
膜5と接続されたリード電極3bの端子は、GND端子
とバイアス端子を兼ねた端子であり、GND−バイアス
端子3dとなる。After that, as shown in FIG. 5, a thin film magnetic core 9 having conductivity, which serves as an upper shield of the MR film 5, is formed on the metal film and the insulating film. Then, the thin film magnetic core 9 and the lead electrode 3b are connected by the GND electrode 10. In addition, through the thin film magnetic core 9 and the GND electrode 10, the MR
The terminal of the lead electrode 3b connected to the film 5 is a terminal that also serves as a GND terminal and a bias terminal, and serves as a GND-bias terminal 3d.
【0043】以上のように作製されるMRヘッドにおい
て、端子間MR抵抗を20[Ω]以下とするには、例え
ば、以下のような構成とする。In the MR head manufactured as described above, for example, in order to reduce the inter-terminal MR resistance to 20 [Ω] or less, the following configuration is used.
【0044】実施例1 端子間MR抵抗の中で最も抵抗が大きいのはMR膜の抵
抗なので、端子間MR抵抗を下げるにはMR膜の抵抗を
下げるのが最も効果的である。 Example 1 Since the resistance of the MR film is the largest among the MR resistances between terminals, the resistance of the MR film is most effective for reducing the MR resistance between terminals.
【0045】そこで、本実施例のMRヘッドでは、図6
に示すように、MR膜5の抵抗を下げるために、MR膜
5の感磁部5c(MR膜5の、バイアス導体との接点で
ある後端部5aと、金属膜との接点である先端部5bを
除いた部分)の長さt1を短くする。Therefore, in the MR head of this embodiment, as shown in FIG.
As shown in FIG. 5, in order to reduce the resistance of the MR film 5, the magnetic sensitive portion 5c of the MR film 5 (the rear end portion 5a of the MR film 5 which is a contact point with the bias conductor and the tip end which is a contact point with the metal film). The length t1 of the portion (excluding the portion 5b) is shortened.
【0046】具体的には、MR膜5をNiFe/Al2
O3/NiFe=30/6/30[nm]として形成
し、MR膜5の感磁部5cの長さt1を5[μm],幅
t2を[4μm]とする。このとき、MR膜5の比抵抗
は3.0E−5[Ωcm]であり、本実施例のMR膜5
の抵抗は6.3[Ω]となる。Specifically, the MR film 5 is formed of NiFe / Al 2
O 3 / NiFe = 30/6/30 [nm] is formed, and the length t1 and width t2 of the magnetic sensitive portion 5c of the MR film 5 are 5 [μm] and [4 μm], respectively. At this time, the specific resistance of the MR film 5 is 3.0E-5 [Ωcm].
Has a resistance of 6.3 [Ω].
【0047】なお、MR膜5以外の端子間MR抵抗の標
準的な値は、バイアス導体6の抵抗が4.5[Ω]、先
端電極からの配線パターンであるGND電極10の抵抗
が0.2[Ω]、先端電極からの配線パターン及びバイ
アス導体からの配線パターンであるリード電極3a,3
bの抵抗が0.4[Ω]、先端電極に相当する薄膜磁気
コア9の抵抗が0.2[Ω]、外部端子からのリード線
の抵抗が4.0[Ω]である。The standard value of the MR resistance between terminals other than the MR film 5 is that the resistance of the bias conductor 6 is 4.5 [Ω] and the resistance of the GND electrode 10 which is the wiring pattern from the tip electrode is 0. 2 [Ω], the lead electrodes 3a, 3 which are the wiring pattern from the tip electrode and the wiring pattern from the bias conductor.
The resistance of b is 0.4 [Ω], the resistance of the thin film magnetic core 9 corresponding to the tip electrode is 0.2 [Ω], and the resistance of the lead wire from the external terminal is 4.0 [Ω].
【0048】したがって、MR膜5以外の端子間MR抵
抗が標準的な値の場合は、MRヘッドの端子間MR抵抗
は、MR膜5の抵抗に上記抵抗値を加えた、15.6
[Ω]となる。Therefore, when the MR resistance between terminals other than the MR film 5 has a standard value, the MR resistance between terminals of the MR head is the resistance of the MR film 5 plus the above resistance value, 15.6.
It becomes [Ω].
【0049】比較例1 本比較例のMRヘッドは、図7に示すように、MR膜5
の感磁部5cの長さt1を11[μm]として、他は実
施例1と同様とする。このとき、MR膜5の感磁部5c
の抵抗は13.8[Ω]となる。したがって、本比較例
のMRヘッドの端子間MR抵抗は23.1[Ω]とな
る。 Comparative Example 1 The MR head of this comparative example has an MR film 5 as shown in FIG.
The length t1 of the magnetic sensing portion 5c is set to 11 [μm], and the other portions are the same as in the first embodiment. At this time, the magnetic sensing portion 5c of the MR film 5
Has a resistance of 13.8 [Ω]. Therefore, the MR resistance between terminals of the MR head of this comparative example is 23.1 [Ω].
【0050】実施例2 端子間MR抵抗の中で最も抵抗が大きいのはMR膜の抵
抗なので、端子間MR抵抗を下げるにはMR膜の抵抗を
下げるのが最も効果的である。 Embodiment 2 The resistance of the MR film is the largest among the MR resistances between terminals. Therefore, it is most effective to reduce the resistance of the MR film in order to reduce the MR resistance between terminals.
【0051】そこで、本実施例のMRヘッドでは、図8
に示すように、MR膜5の抵抗を下げるために、MR膜
5の感磁部5cの長さを短くするとともに、その形状を
先端部分の幅を狭く後端部分の幅を広くする。Therefore, in the MR head of this embodiment, as shown in FIG.
As shown in (1), in order to reduce the resistance of the MR film 5, the length of the magnetic sensitive portion 5c of the MR film 5 is shortened and the shape thereof is made narrower at the front end portion and wider at the rear end portion.
【0052】具体的には、MR膜5の感磁部5cの形状
を、先端部から後端部までの長さt1を5[μm]とし
て、先端部分の幅t3を2[μm]として、先端部分か
ら1[μm]後退した部分から後端部までの幅t4を4
[μm]とする。これ以外は、実施例1と同様とする。Specifically, the magnetic sensitive portion 5c of the MR film 5 has a shape in which the length t1 from the front end to the rear end is 5 [μm] and the width t3 of the front end is 2 [μm]. The width t4 from the portion retracted 1 [μm] from the front end to the rear end is 4
[Μm]. Except for this, the procedure is the same as in the first embodiment.
【0053】このとき、MR膜5の感磁部5cの抵抗は
7.5[Ω]となる。したがって、本実施例の端子間M
R抵抗は16.8[Ω]となる。At this time, the resistance of the magnetic sensitive portion 5c of the MR film 5 becomes 7.5 [Ω]. Therefore, between the terminals M of this embodiment
The R resistance is 16.8 [Ω].
【0054】このように、MR膜の感磁部の形状を、先
端部分の幅が狭く、後端部分の幅が広い形状とすること
により、トラック密度を上げるために、MR膜の先端部
の幅を狭くしても、端子間MR抵抗を低く抑えることが
できる。As described above, by making the shape of the magnetic sensitive portion of the MR film such that the width of the front end portion is narrow and the width of the rear end portion is wide, the front end portion of the MR film is increased in order to increase the track density. Even if the width is narrowed, the MR resistance between terminals can be suppressed low.
【0055】比較例2 本比較例のMRヘッドは、MR膜の感磁部の形状を長方
形として、長さを5[μm],幅を2[μm]とする。
これ以外は実施例2と同様とする。このとき、MR膜の
感磁部の抵抗は27.5[Ω]となる。したがって、本
比較例のMRヘッドの端子間MR抵抗は36.8[Ω]
となる。 Comparative Example 2 In the MR head of this comparative example, the magneto-sensitive portion of the MR film has a rectangular shape with a length of 5 [μm] and a width of 2 [μm].
Except for this, the procedure is the same as in the second embodiment. At this time, the resistance of the magneto-sensitive part of the MR film becomes 27.5 [Ω]. Therefore, the MR resistance between the terminals of the MR head of this comparative example is 36.8 [Ω].
Becomes
【0056】以上の実施例では、MR膜の抵抗を下げ
て、端子間MR抵抗を下げたが、端子間MR抵抗のMR
膜以外の部分の抵抗を下げてもよい。具体的には、バイ
アス導体の膜厚を厚くする、配線を出来るだけ太くす
る、リード線の材質や径を変える等が挙げられる。In the above embodiments, the resistance of the MR film is lowered to lower the MR resistance between terminals.
The resistance of the portion other than the film may be reduced. Specifically, the thickness of the bias conductor may be increased, the wiring may be increased as much as possible, and the material and diameter of the lead wire may be changed.
【0057】[0057]
【発明の効果】本発明のMRヘッドでは、端子間MR抵
抗を20[Ω]以下としており、磁気ヘッドに依存する
ノイズが、再生アンプに依存するノイズと同等以下に抑
えられる。したがって、抵抗性ノイズの増大が防止さ
れ、再生時のS/N比が向上する。In the MR head of the present invention, the MR resistance between terminals is set to 20 [Ω] or less, and the noise dependent on the magnetic head can be suppressed to the same level or lower than the noise dependent on the reproducing amplifier. Therefore, increase in resistive noise is prevented, and the S / N ratio during reproduction is improved.
【0058】さらに、センス電流兼バイアス電流を流す
ときに、端子間MR抵抗が小さいほど消費電力が少なく
なるので、省電力化にもつながる。Further, when the sense current / bias current is passed, the smaller the MR resistance between the terminals is, the smaller the power consumption is, which leads to the power saving.
【図1】本発明を適用したMRヘッドの一例を示す模式
的平面図である。FIG. 1 is a schematic plan view showing an example of an MR head to which the present invention is applied.
【図2】本発明を適用したMRヘッドの薄膜工程を順次
示すもので、下部シールドとなる薄膜磁気コア及びリー
ド電極の形成工程を示す概略平面図である。FIG. 2 is a schematic plan view showing a step of forming a thin film magnetic core and a lead electrode to be a lower shield, sequentially showing thin film steps of an MR head to which the present invention is applied.
【図3】MR膜及び絶縁膜の形成工程を示す概略平面図
である。FIG. 3 is a schematic plan view showing a process of forming an MR film and an insulating film.
【図4】バイアス導体の形成工程を示す概略平面図であ
る。FIG. 4 is a schematic plan view showing a step of forming a bias conductor.
【図5】上部シールドとなる薄膜磁気コアとGND電極
の形成工程を示す概略平面図である。FIG. 5 is a schematic plan view showing a process of forming a thin film magnetic core to be an upper shield and a GND electrode.
【図6】実施例1のMRヘッドのMR膜の形状を示す概
略平面図である。6 is a schematic plan view showing the shape of the MR film of the MR head of Example 1. FIG.
【図7】比較例1のMRヘッドのMR膜の形状を示す概
略平面図である。7 is a schematic plan view showing the shape of an MR film of the MR head of Comparative Example 1. FIG.
【図8】実施例2のMRヘッドのMR膜の形状を示す概
略平面図である。8 is a schematic plan view showing the shape of an MR film of an MR head of Example 2. FIG.
【図9】従来のMRヘッドの製造工程を順次示すもの
で、基板作製工程を示す概略斜視図である。FIG. 9 is a schematic perspective view showing a substrate manufacturing process, sequentially showing the manufacturing process of the conventional MR head.
【図10】従来のMRヘッドの製造工程を順次示すもの
で、ヘッド素子形成工程を示す概略斜視図である。FIG. 10 is a schematic perspective view showing a head element forming step, which sequentially shows the manufacturing steps of the conventional MR head.
【図11】従来のMRヘッドの製造工程を順次示すもの
で、ヘッドチップ切り出し工程を示す概略斜視図であ
る。FIG. 11 is a schematic perspective view showing a head chip cutting step, which sequentially shows manufacturing steps of a conventional MR head.
【図12】従来のMRヘッドの製造工程を順次示すもの
で、サスペンション及びリード線の取り付け工程を示す
概略斜視図である。FIG. 12 is a schematic perspective view showing a step of attaching a suspension and a lead wire, which sequentially shows steps of manufacturing a conventional MR head.
【図13】従来のMRヘッドの薄膜工程を順次示すもの
で、下部シールドとなる薄膜磁気コア及びリード電極の
形成工程を示す概略平面図である。FIG. 13 is a schematic plan view showing the steps of forming a thin film magnetic core and a lead electrode to be a lower shield, sequentially showing the steps of forming a thin film of a conventional MR head.
【図14】MR膜及び絶縁膜の形成工程を示す概略平面
図である。FIG. 14 is a schematic plan view showing a process of forming an MR film and an insulating film.
【図15】バイアス導体及びセンス導体の形成工程を示
す概略平面図である。FIG. 15 is a schematic plan view showing a step of forming a bias conductor and a sense conductor.
【図16】上部シールドとなる薄膜磁気コアとGND電
極の形成工程を示す概略平面図である。FIG. 16 is a schematic plan view showing a process of forming a thin film magnetic core to be an upper shield and a GND electrode.
【図17】従来のMRヘッドの要部拡大横断面図であ
る。FIG. 17 is an enlarged transverse cross-sectional view of a main part of a conventional MR head.
【符号の説明】 1 基板 2 薄膜磁気コア 3a,3b リード電極 4a,4b 絶縁膜 5 磁気抵抗効果膜 6 バイアス導体 8 先端電極 9 薄膜磁気コア 10 GND電極 11c,11d リード線 12c,12d 外部端子[Explanation of reference numerals] 1 substrate 2 thin film magnetic core 3a, 3b lead electrode 4a, 4b insulating film 5 magnetoresistive film 6 bias conductor 8 tip electrode 9 thin film magnetic core 10 GND electrode 11c, 11d lead wire 12c, 12d external terminal
Claims (1)
にバイアス磁界を印加するためのバイアス導体と、これ
ら磁気抵抗効果膜及びバイアス導体と外部端子とを接続
する配線を有し、これらが直列に接続されてなる磁気抵
抗効果型薄膜磁気ヘッドにおいて、 前記磁気抵抗効果膜、バイアス導体、及び配線の抵抗の
合計が20[Ω]以下であることを特徴とする磁気抵抗
効果型薄膜磁気ヘッド。1. A magnetoresistive effect film, a bias conductor for applying a bias magnetic field to the magnetoresistive effect film, and wiring for connecting the magnetoresistive effect film and the bias conductor to an external terminal. A magnetoresistive thin film magnetic head connected in series, wherein the total resistance of the magnetoresistive film, the bias conductor, and the wiring is 20 [Ω] or less. .
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8825094A JPH07296342A (en) | 1994-04-26 | 1994-04-26 | Magnetoresistance effect thin film magnetic head |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8825094A JPH07296342A (en) | 1994-04-26 | 1994-04-26 | Magnetoresistance effect thin film magnetic head |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH07296342A true JPH07296342A (en) | 1995-11-10 |
Family
ID=13937621
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8825094A Withdrawn JPH07296342A (en) | 1994-04-26 | 1994-04-26 | Magnetoresistance effect thin film magnetic head |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH07296342A (en) |
-
1994
- 1994-04-26 JP JP8825094A patent/JPH07296342A/en not_active Withdrawn
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Legal Events
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