JPH0728227A - Method for correcting protrusion defect of shifter - Google Patents
Method for correcting protrusion defect of shifterInfo
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- JPH0728227A JPH0728227A JP19381293A JP19381293A JPH0728227A JP H0728227 A JPH0728227 A JP H0728227A JP 19381293 A JP19381293 A JP 19381293A JP 19381293 A JP19381293 A JP 19381293A JP H0728227 A JPH0728227 A JP H0728227A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は，位相シフトフオトマス
クにおけるシフターの凸欠陥修正に関するもので、特
に、すくなくとも遮光パターン上にシフターを有する、
位相シフトフオトマスクのシフターの凸欠陥修正に関す
る。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to correction of a convex defect of a shifter in a phase shift photomask, and in particular, it has a shifter on at least a light-shielding pattern.
The present invention relates to the correction of a convex defect in a shifter of a phase shift photo mask.
【０００２】[0002]
【従来の技術】近年、半導体集積回路の高集積化にとも
なって、この回路作製に用いられるレチクルにも、一層
の微細化が求められるようになってきた。現在では、１
６ＭのＤＲＡＭ用５倍レチクルのレチクルから転写され
るデバイスパターンの線幅は０．６μｍと微細なもので
ある。６４ＭのＤＲＡＭのデバイスパターンの場合に
は、０．３５μｍ線幅の解像が必要となってきており、
従来のステッパーを用いた光露光方式ではもはや限界に
きている。この為、光露光におけるレチクルから転写さ
れるデバイスパターンの解像性を上げることができ、現
状のステッパーにて使用できる方式の位相シフトマスク
が注目されるようになってきた。位相シフトマスクにつ
いては、特開昭５８−１７３４４号、特公昭６２−５９
２９６号に、すでに、基本的な考え、原理は記載されて
いるが、現状の、光露光のシステムをそのまま継続使用
できるメリットがみなおされ、各種タイプの位相シフト
マスクの開発が盛んに検討されるようになってきた。2. Description of the Related Art In recent years, with the high integration of semiconductor integrated circuits, further miniaturization has been required for reticles used in the fabrication of these circuits. Currently 1
The line width of the device pattern transferred from the reticle of the 6M DRAM 5 × reticle is as small as 0.6 μm. In the case of a 64M DRAM device pattern, a resolution of 0.35 μm line width is required.
The conventional light exposure method using a stepper has reached its limit. Therefore, the resolution of the device pattern transferred from the reticle in light exposure can be improved, and a phase shift mask of a system that can be used in the current stepper has been attracting attention. Regarding the phase shift mask, JP-A-58-17344 and JP-B-62-59.
Although the basic idea and principle have already been described in No. 296, the merit of continuing to use the current optical exposure system as it is is considered, and the development of various types of phase shift masks has been actively studied. It started to come.
【０００３】図１（ａ）に記載のような、遮光層パター
ンを設けたガラス基板上にシフター層をパターンニング
形成する構造の、上シフター型と呼ばれる位相シフトマ
スクも提案されている。しかしながら、このマスクは、
通常のシフター層を用いないマスクに比較して、構成が
複雑で、多くの工程を必要とする為、図１（ａ）の
（イ）に記載される、本来、シフター材が不要な部分
に、シフター材が残留し、Ａ部、Ｂ部のように、シフタ
ー材が形成されたままマスク作製工程が完了する場合が
ある。（以後、このＡ部、Ｂ部のようなシフター材が不
要な部分に残留したものをシフターの凸欠陥と言う。）
このシフターの凸欠陥は、そのままでマスクとして使用
された場合、マスクの解像性向上には寄与せず、むし
ろ、マスク転写時には、デバイスパターン等に欠陥を生
じさせるものである。したがって、実用化には、シフタ
ーの修正も必要で、適当な修正方法が検討されている
が、現状では、マスク自体も、各種タイプが伴行してお
り、特に、余分なシフター材を除去するシフターの修正
方法については、適当な方法がない状態である。このシ
フターの凸欠陥の修正には、従来のクロムを主成分とす
る遮光層の凸欠陥修正に使われていたレーザビームを用
いることをも考えられるが、シフター材に、ＳｉＯ2 系
を用いた場合には、レーザビームを吸収せず、レーザビ
ームを吸収させるためのなんらかの方法が必要とされて
いた。又、ＳｉＯ2 系の物質をシフター材とした場合に
は、通常、ＦＩＢ装置を用い、ミリングによる修正、ま
たは、所定のガスをイオンビームによって励起し、エッ
チングするガスアシストエッチングによる修正も提案さ
れているが、一般に、エッチング時のエンドポイント検
出法は、Ｃｒイオン（遮光パターンの主成分）及びＳｉ
イオン（ガラス基板の主成分）の増減をモニターする方
法、または二次電子量をモニターする方法が採られてい
る為、シフター凸欠陥部を除去するにあたり、エッチン
グのエンドポイントの検出がが難しいとされていた。こ
れは、シフター材に、ＳｉＯ2 系の物質を使用し、シフ
ターの凸欠陥のみを、ＦＩＢ装置を用い、ミリングによ
る修正、またはガスアシストエッチングによる修正しよ
うとした場合には、エッチングストッパー層がないマス
クにおいては、凸欠陥部シフターの下にはガラス基板
で、エンドポイントが確認ができず、ガラス基板までエ
ッチングまたはミリングが行われてしまう為である。。
又、エッチングストッパー層がある場合にも、ビームの
分布、フオーカスぼけ、照射位置ドリフトなどにより、
欠陥部周辺のエッチングストッパー層を削ってしまい、
下層からのＳｉのシグナルが検出されてしまったり、シ
フターのエッチングがオーバーだと、エッチングストッ
パー層が薄くなり、下層のガラス基板のシグナルが検出
されてしまうことがある為である。又、実務上、エッチ
ングストッパー層の有無により、凸欠陥の修正方法を分
けることは難しく、エッチングストッパー層の有無に係
わらず、そして上記いずれの従来からのエンドポイント
モニター方法でもを使用でき、ＦＩＢにおけるシフター
の凸欠陥において、エッチング修正、ミリング修正での
確実なエンドポイント確認方法が求められていた。A phase shift mask called an upper shifter type having a structure in which a shifter layer is patterned on a glass substrate provided with a light shielding layer pattern as shown in FIG. 1A has also been proposed. However, this mask
Compared to a mask that does not use a normal shifter layer, the structure is complicated and many steps are required. Therefore, a portion where an original shifter material is unnecessary is described in (a) of FIG. 1 (a). In some cases, the shifter material remains, and the mask manufacturing process is completed with the shifter material still being formed, as in the case of parts A and B. (Hereinafter, what remains in the unnecessary portions of the shifter material such as the A portion and the B portion is referred to as a shifter convex defect.)
When used as a mask as it is, the convex defect of the shifter does not contribute to the improvement of the resolution of the mask, but rather causes a defect in a device pattern or the like when the mask is transferred. Therefore, in order to put it into practical use, it is necessary to correct the shifter, and an appropriate correction method has been studied. However, at present, various types of masks are also accompanied, and especially, excess shifter material is removed. There is no suitable method for modifying the shifter. It is possible to use the laser beam used to correct the convex defects of the light shielding layer containing chromium as a main component for the correction of the convex defects of the shifter, but the shifter material is made of SiO 2 system. In some cases, some method of absorbing the laser beam was needed without absorbing the laser beam. Further, when a SiO 2 -based substance is used as a shifter material, it is usually proposed to use a FIB apparatus to make a correction by milling or a gas-assisted etching in which a predetermined gas is excited by an ion beam to perform etching. However, generally, the endpoint detection method at the time of etching is Cr ion (main component of the light shielding pattern) and Si.
Since the method of monitoring the increase / decrease of ions (main component of the glass substrate) or the method of monitoring the amount of secondary electrons is adopted, it is difficult to detect the etching end point when removing the shifter convex defect part. It had been. This is because there is no etching stopper layer when the shifter material is made of SiO 2 and only the convex defects of the shifter are to be repaired by milling or gas assisted etching using the FIB device. This is because, in the mask, the glass substrate is below the bumper of the convex defect portion, the end point cannot be confirmed, and etching or milling is performed even on the glass substrate. .
Even if there is an etching stopper layer, due to beam distribution, focus blur, irradiation position drift, etc.
The etching stopper layer around the defective part was scraped off,
This is because, if the Si signal from the lower layer is detected or the shifter is overetched, the etching stopper layer becomes thin, and the signal of the lower glass substrate may be detected. Further, in practice, it is difficult to determine the method of repairing the convex defect depending on the presence or absence of the etching stopper layer, regardless of the presence or absence of the etching stopper layer, and any of the above conventional endpoint monitoring methods can be used. For the convex defect of the shifter, a reliable end point confirmation method by etching correction and milling correction has been required.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】本発明は、このような
状況のもと、すくなくともクロムを主成分とする遮光層
上にシフター部を有する、上シフタ型の位相シフトフオ
トマスクの凸欠陥修正方法において、従来の、ＦＩＢ装
置に使用していた、エッチング時のエンドポイントモニ
ター方法でも、エッチングストッパー層の有無に係わら
ず、確実にエンドポイントをモニターでき、修正を行
え、且つ、修正されたものが品質面でも充分実用に対応
できるものとなる、修正方法を提供使用とするものであ
る。SUMMARY OF THE INVENTION Under the circumstances, the present invention is directed to a method of repairing a convex defect of an upper shifter type phase shift photomask having a shifter portion on a light shielding layer containing at least chromium as a main component. In the conventional method for monitoring the end point during etching, which is used in the FIB apparatus, the end point can be reliably monitored and corrected regardless of the presence or absence of the etching stopper layer. It is intended to provide and use a correction method that can be practically used in terms of quality.
【０００５】[0005]
【課題を解決するための手段】本発明の、すくなくとも
クロムを主成分とする遮光パターン上にシフター部を有
する、位相シフトフオトマスクのシフターの凸欠陥修正
方法は、Ｇａ、Ａｒ等の集束イオンビーム（ＦＩＢ）を
用い、ミリングでシフターを修正する方法あるいは所定
のガスをイオンビームにより励起し、シフターをエッチ
ング修正するガスアシストエッチング法により、凸欠陥
部を修正する際、遮光パターン部上のシフター材と欠陥
部シフター材との除去を同時に行い、シフター材下層の
遮光パターン部が露出した時点を、修正のエンドポイン
トと検出し、該凸欠陥部のシフターの除去を終えるもの
である。本発明のシフターの凸欠陥修正方法は、図１に
記載のように、遮光パターン上の不要なシフター材との
欠陥部シフター材との除去を同時に行い、シフター材下
層の遮光パターン部が露出した時点を、クロムイオンの
増減または二次電子量をモニターすることによって判断
し、修正のエンドポイントとするものである。遮光パタ
ーン部が露出した時点において、欠陥部シフター材は完
全には除去されておらず、遮光パターン層の厚さ分、１
００ｎｍ程度の厚さのシフター材が残っているが、この
厚さのシフター材が残っていても、位相差にして約４５
°で、マスクとして用い、デバイスパターンへと転写さ
れた場合には、ほとんど影響がないものである。本発明
の修正方法は、シフターの凸欠陥部を、転写時にほとん
ど影響がない程度まで薄膜化するにとどめ、それによ
り、シフターの凸欠陥部修正における、エンドポイント
を確実に設定できるものとするシフターの凸欠陥部修正
方法である。According to the present invention, there is provided a method of correcting a convex defect of a shifter of a phase shift photomask having a shifter portion on a light-shielding pattern containing at least chromium as a main component, which is a focused ion beam of Ga, Ar or the like. (FIB) is used to correct the shifter by milling or the gas-assisted etching method in which a predetermined gas is excited with an ion beam to etch and correct the shifter. And the defective portion shifter material are removed at the same time, and the time when the light shielding pattern portion under the shifter material is exposed is detected as the correction end point, and the removal of the shifter material of the convex defective portion is completed. As shown in FIG. 1, the method for correcting a bumper defect of a shifter of the present invention simultaneously removes an unnecessary shifter material on a light-shielding pattern and a defective shifter material to expose a light-shielding pattern portion of a lower layer of the shifter material. The time point is determined by monitoring the increase or decrease of chromium ions or the amount of secondary electrons, and is used as the correction end point. At the time when the light-shielding pattern portion was exposed, the defect shifter material was not completely removed.
The shifter material with a thickness of about 00 nm remains, but even if the shifter material with this thickness remains, the phase difference is about 45
When it is used as a mask and transferred to a device pattern at 0 °, it has almost no effect. The correction method of the present invention only thins the convex defect portion of the shifter to such an extent that there is almost no influence at the time of transfer, thereby making it possible to reliably set the end point in the convex defect portion correction of the shifter. It is a method of repairing the convex defect portion of.
【０００６】クロムイオンの増減によりエンドポイント
の検出は、クロムイオン検出器によりモニタリングする
が、シフター材の除去を開始した時点では、シフター材
膜厚も厚く、クロムを主成分とする遮光パターンからの
クロムイオン放出は少なく、遮光パターン上のシフター
材が薄くなるに従い、その量が増える、遮光パターンが
露出した時点で急激に増加するため、遮光パターンが露
出した時点を判断できるものである。又、二次電子量モ
ニターリングによるエンドポイントの検出は、二次電子
検出器により行うが、クロムイオンの場合と同じで、遮
光膜パターン上のシフター材を除去するに従い徐々に増
加し、遮光パターンが露出した時点で急激に増加するた
め、遮光パターンが露出した時点を判断できるものであ
る。本発明のシフターの凸欠陥修正方法は、遮光パター
ン形成面上に直接、シフターのパターンを形成するタイ
プの上シフタ型位相シフトマスクに有効で、遮光パター
ン形成面の下にシフターのエッチングストッパー層を有
する場合にも適用できる方法である。本発明のシフター
の凸欠陥修正方法は、特に、シフター材がＳｉＯ2 系の
物質からなる場合に有効なもので、シフターのエッチン
グストッパー層がないマスクにおいては、従来のシフタ
ーの凸欠陥部のみを完全に除去しようとした場合、凸欠
陥部シフターの下にはガラス基板で、Ｓｉイオンによる
検出では、凸欠陥部とガス基板との境界を検出すること
は難しいためである。The detection of the end point due to the increase / decrease of chromium ions is monitored by a chromium ion detector. At the time when the removal of the shifter material is started, the film thickness of the shifter material is also thick and the light shielding pattern containing chromium as a main component is used. Chromium ion emission is small, the amount increases as the shifter material on the light-shielding pattern becomes thinner, and the amount increases rapidly when the light-shielding pattern is exposed. Therefore, the time when the light-shielding pattern is exposed can be determined. Moreover, the detection of the end point by the secondary electron amount monitoring is performed by the secondary electron detector, but it is the same as in the case of chromium ions, and gradually increases as the shifter material on the light shielding film pattern is removed, Is rapidly increased at the time of exposure, the time at which the light-shielding pattern is exposed can be determined. The method for correcting a convex defect of a shifter of the present invention is effective for an upper shifter type phase shift mask of a type that forms a shifter pattern directly on a light-shielding pattern forming surface, and an etching stopper layer for the shifter is formed below the light-shielding pattern forming surface. It is a method that can be applied even when the user has it. The method of repairing a bumper defect of a shifter of the present invention is particularly effective when the shifter material is made of a SiO 2 -based material, and in a mask having no shifter etching stopper layer, only a bumper defect portion of a conventional shifter is formed. This is because, if it is attempted to completely remove it, a glass substrate is under the shifter of the bump defect portion, and it is difficult to detect the boundary between the bump defect portion and the gas substrate by detection using Si ions.
【０００７】[0007]
【作用】本発明のシフターの凸欠陥修正方法において
は、シフターの凸欠陥部を修正する際、遮光パターン部
上のシフター材と欠陥部シフター材との除去を同時に行
つていることにより、遮光パターン部上のシフター材と
欠陥部シフター材との除去を略同じスピードで行え、遮
光パターン上のシフター材の除去度合からクロムイオン
の増減または二次電子量の増減を検出を可能とし、シフ
ター材除去による遮光パターンの露出時をエッチングの
エンドポイントと設定することを可能としている。クロ
ムを主成分とする遮光パターン上にシフター材を有す
る、上シフター型の位相シフトフオトマスクにおいて
は、シフター材除去による遮光パターンの露出時には、
欠陥部のシフター膜厚を遮光パターン厚さ約１００ｎｍ
に制御することを可能としている。又、このような構成
にすることにより、シフターの凸欠陥部を修正されたマ
スクを用いて、ウエハー上にデバイスパターンを転写し
た場合には、凸欠陥部の影響は、殆んどでない程度に小
さくできる。In the method of repairing the bumper defect of the shifter of the present invention, when the bumper defect of the shifter is repaired, the shifter material on the light-shielding pattern portion and the defective shifter material are removed at the same time. Removal of the shifter material on the area and the defective shifter material can be performed at approximately the same speed, and it is possible to detect the increase or decrease of chromium ions or the amount of secondary electrons from the removal degree of the shifter material on the light-shielding pattern, thus removing the shifter material. It is possible to set the time when the light-shielding pattern is exposed as the etching end point. In the upper shifter type phase shift photomask having the shifter material on the light-shielding pattern containing chromium as a main component, when the light-shielding pattern is exposed by removing the shifter material,
Deflector shifter film thickness is about 100 nm
It is possible to control. Further, with such a configuration, when the device pattern is transferred onto the wafer by using the mask in which the convex defect portion of the shifter is corrected, the influence of the convex defect portion is almost negligible. Can be made smaller.
【０００８】[0008]
【実施例】本発明の実施例を以下、図にそって説明す
る。図１は本発明のシフターの凸欠陥修正工程を示した
ものである。凸欠陥の除去方法は、Ｇａイオン集束イオ
ンビーム（ＦＩＢ）により、弗化キセノンガスを用いた
ガスアシストエッチング法を用いた。Ｇａイオンは加速
電圧２０ＫＶ、電流値１４０ＰＡで、０．２μｍφ径と
して用いた。図２は、ＦＩＢ装置を用いた欠陥修正装置
概略図ク１をＸＹステージ上に固定、位置制御しながら
であり、位相シフトフオトマス、真空排気しながら行う
ものである。１３はイオンビーム、１４はそのイオン
源、１５はイオン検出器、８はクロムイオン、１６はＸ
Ｙステージ、１７はエッチング用ガスを供給するガス銃
を表す。先ず、図１（ａ）のように、シフター部の凸欠
陥部Ａと、クロム膜からなる遮光パターン上にシフター
材を有する上シフター型の位相シフトマスクを用意す
る。（ａ）の（イ）は平面図、（ロ）は（イ）のＬ、Ｌ
, における断面図である。遮光パターン２は、屈折率
１．４７のシリカガラスからなる透明な基板４の主面に
クロムを主成分とするクロム遮光層をスパッタにして成
膜し、電子線露光装置を用いこれをパターニングしたも
のである。シフター３は、ＳｉＯ2 系のＳＯＧ（Ｓｐｉ
ｎＯｎ Ｇｌａｓｓ）を上記クロム遮光パターニン２上
に回転塗布し、焼結した後、電子線露光装置を用いて、
パターニングしたものである。次いで、図２のように、
ＦＩＢ装置を用い、シフターの凸欠陥部Ａと、遮光パタ
ーン上のシフター材Ｃを含む領域に対し、エッチング用
ガスをガス銃１７からあて、イオンビームにて励起し、
シフターＡ部、Ｃ部に対し、同時に除去を開始した。
（ｂ） シフターの除去開始に伴い、図２のイオン検出器１５を
動作させ、クロムイオン８の量をモニターリングした。
モニターリングされるクロムイオン８は、当初、略一定
の量で、除去がすすむにしたがい、増加の傾向にある
が、遮光パターン２上のシフター材Ｂがなくなり、遮光
パターンが露出する時点で、急激に増加した。この時点
をエッチングエンドポイントとして、エッチング用ガス
を止め、シフターのエッチング修正を終了した。（ｃ） 凸欠陥Ａの修正後のＡ, の膜厚さは、略１００ｎｍで、
クロム遮光パターンの膜厚とほぼ同じであり、この凸欠
陥Ａを修正したＡ, を有するマスクを用い、ウエハー上
にパターンをステッパを用い縮小転写したが、Ａ, 部は
転写されなかったこれは、凸欠陥ＡをＡ, とすることに
より、シフターの凸欠陥Ａを完全に除去したのと、同じ
効果であり、位相シフトマスクにおけるシフターの凸欠
陥を修正したと判断された尚、ここでは、遮光層下にシ
フターのエッチングストッパー層を用いない場合であ
り、エッチングストッパー層を有する場合も、上記の方
法は可能であるが、図３に記載のようにシフターのエッ
チングストッパー層がクロム下にある場合には、上記の
ようなクロムイオン８の検出と伴行してＳｉイオン９の
検出を行い、両方の検出により判断すれば、より精度よ
くエッチングエンドポイントを設定することができる。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 shows a process of correcting a bump defect of a shifter according to the present invention. As a method for removing the convex defects, a gas-assisted etching method using xenon fluoride gas by Ga ion focused ion beam (FIB) was used. Ga ions were used with an acceleration voltage of 20 KV, a current value of 140 PA, and a diameter of 0.2 μmφ. FIG. 2 is a schematic diagram 1 of the defect repairing apparatus using the FIB apparatus, in which the position is fixed and position-controlled on the XY stage, while phase shift photomass and vacuum exhaust are performed. 13 is an ion beam, 14 is its ion source, 15 is an ion detector, 8 is chromium ions, 16 is X
The Y stage and 17 represent a gas gun for supplying an etching gas. First, as shown in FIG. 1A, an upper shifter type phase shift mask having a convex defect portion A of a shifter portion and a shifter material on a light shielding pattern made of a chromium film is prepared. (A) (i) is a plan view, (b) is (i) L, L
Is a sectional view taken along. The light-shielding pattern 2 was formed by sputtering a chromium light-shielding layer containing chromium as a main component on the main surface of a transparent substrate 4 made of silica glass having a refractive index of 1.47, and patterning this using an electron beam exposure apparatus. It is a thing. The shifter 3 is a SiO 2 SOG (Spi
nOn Glass) is spin-coated on the chromium light-shielding patternin 2 and sintered, and then an electron beam exposure apparatus is used.
It is patterned. Then, as shown in FIG.
Using a FIB apparatus, an etching gas is applied from a gas gun 17 to a region including the shifter convex defect portion A of the shifter and the shifter material C on the light shielding pattern, and excited by an ion beam,
Removal of shifters A and C was started at the same time.
(B) With the start of the removal of the shifter, the ion detector 15 of FIG. 2 was operated to monitor the amount of chromium ions 8.
Initially, the chromium ions 8 to be monitored tend to increase in a substantially constant amount as they are removed, but when the shifter material B on the light-shielding pattern 2 disappears and the light-shielding pattern is exposed, the chromium ions 8 suddenly increase. Increased. The etching gas was stopped at this point as the etching end point, and the etching correction of the shifter was completed. (C) The film thickness of A , after the correction of the convex defect A is about 100 nm,
Is substantially the same as the thickness of the opaque chromium pattern, using a mask having an A, that fixes the convex defect A, but the pattern onto the wafer was reduced and transferred using a stepper, A, parts are not transferred which , It is the same effect that the convex defect A of the shifter is completely removed by setting the convex defect A to A 1 , and it is determined that the convex defect of the shifter in the phase shift mask is corrected. The above method is possible when the etching stopper layer of the shifter is not used below the light-shielding layer and the etching stopper layer is provided, but the etching stopper layer of the shifter is under chromium as shown in FIG. In this case, if the Si ions 9 are detected together with the detection of the chromium ions 8 as described above, and the judgment is made based on the detection of both, the etching end point will be more accurate. It is possible to set the cement.
【０００９】[0009]
【発明の効果】本発明は、上記のような構成にすること
により、従来、難しいとされていた、すくなくとも、ク
ロムを主とする遮光パターン上にシフター材を有する、
上シフタ型位相シフトフオトマスクにおけるシフターの
凸欠陥修正において、従来から、使用のＦＩＢ装置を用
い、シフターの凸欠陥を品質的保証できる範囲で安定的
に作業できる修正方法の提供を可能にしている。特に、
シフターのエッチングストッパー層を設けない場合には
有効な修正方法を提供するものである。According to the present invention, with the above-mentioned structure, the shifter material is provided on the light-shielding pattern mainly composed of chromium, which has been considered difficult in the past.
In the correction of bumper defects of a shifter in an upper shifter type phase shift photomask, it has been possible to provide a repairing method capable of stably operating a bumper defect of a shifter by using a conventional FIB device within a range in which quality can be guaranteed. . In particular,
The present invention provides an effective correction method when the etching stopper layer of the shifter is not provided.
【図１】本発明のシフターの凸欠陥修正方法工程図FIG. 1 is a process diagram of a shifter convex defect repairing method according to the present invention.
【図２】シフターの凸欠陥修正ＦＩＢ装置概略図FIG. 2 is a schematic diagram of a shifter convex defect correction FIB device.
【図３】エッチングストッパー付の上シフタ型位相シフ
トフオトマスク概略図FIG. 3 is a schematic diagram of an upper shifter type phase shift photomask with an etching stopper.
１ 上シフタ型位相シフトフオトマ
スク ２ クロム遮光膜パターン ３ シフター材 ４ ガラス基板 ５ 凸欠陥Ａ ６ 凸欠陥Ｂ ７ 修正後の凸欠陥部Ａ, ８ クロムイオン ９ Ｓｉイオン １０ エッチングストッパー層 １１ エッチング用ガス １２ 集束イオンビーム装置（ＦＩ
Ｂ） １３ イオンビーム １４ イオン源 １５ イオン検出器 １６ ＸＹステージ １７ ガス銃1 Upper Shifter Type Phase Shift Photomask 2 Chromium Light-shielding Film Pattern 3 Shifter Material 4 Glass Substrate 5 Convex Defect A 6 Convex Defect B 7 Corrected Convex Defect A , 8 Chromium Ion 9 Si Ion 10 Etching Stopper Layer 11 Etching Gas 12 Focused ion beam system (FI
B) 13 ion beam 14 ion source 15 ion detector 16 XY stage 17 gas gun
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─────────────────────────────────────────────────── ───
【手続補正書】[Procedure amendment]
【提出日】平成５年８月６日[Submission date] August 6, 1993
【手続補正１】[Procedure Amendment 1]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】特許請求の範囲[Name of item to be amended] Claims
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction content]
【特許請求の範囲】[Claims]
Claims (4)
ターン上にシフター材を有する、上シフター型の位相シ
フトフオトマスクにおける、シフター材の凸欠陥部を、
集束イオンビーム（ＦＩＢ）を用いた、ミリングまたは
ガスアシストエッチングにより、修正する方法であっ
て、修正の際、遮光パターン部上のシフター材と欠陥部
シフター材との除去を同時に行い、シフター材下層の遮
光パターン部が露出した時点を、修正のエンドポイント
と検出し、該凸欠陥部のシフターの除去を終えることを
特徴とするシフター凸欠陥修正方法1. A convex defect portion of a shifter material in an upper shifter type phase shift photomask having a shifter material on at least a light-shielding pattern containing chromium as a main component,
A method of repairing by milling or gas-assisted etching using a focused ion beam (FIB), in which the shifter material on the light-shielding pattern portion and the defective shifter material are removed at the same time, and the shifter material lower layer The method of correcting a shifter convex defect, wherein the time point when the light-shielding pattern part is exposed is detected as a correction end point, and the removal of the shifter of the convex defect part is finished.
検出方法が、クロムイオンの増減または二次電子量をモ
ニターすることによっていることを特徴とするシフター
凸欠陥修正方法2. The method for detecting a shifter convex defect according to claim 1, wherein the method for detecting the correction end point is to monitor the increase / decrease of chromium ions or the amount of secondary electrons.
は、遮光パターン形成面上に直接、シフターのパターン
を形成することを特徴とするシフターの凸欠陥修正方法3. The method of repairing a bumper defect of a shifter according to claim 1, wherein the phase shift photomask has a shifter pattern formed directly on a light-shielding pattern forming surface.
の物質からなることを特徴とするシフターの凸欠陥修正
方法4. A method for repairing a bumper defect of a shifter, wherein the shifter material according to claim 1 is made of a SiO 2 type substance.
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|---|---|---|---|---|
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