JPH07270821A - アクティブマトリックス方式ｔｆｔ−ｌｃｄおよびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】開口率を低下させることなく補助容量を増大さ
せることが可能なアクティブマトリックス方式ＴＦＴ−
ＬＣＤを提供する。 【構成】石英基板１上に、多結晶シリコン膜２、ゲート
酸化膜３、ゲート電極４が順次形成されている。多結晶
シリコン膜２にはドレイン領域５およびソース領域６が
形成されている。ソース領域６は、多結晶シリコン膜２
に形成されている補助容量ＣS の蓄積電極７および表示
電極１４と接続されている。蓄積電極７上に、誘電体膜
としてのシリコン酸化膜８、補助容量ＣS の対向電極９
が順次形成されている。これらの全体表面に層間絶縁膜
１０が形成され、その上に表示電極１４が形成されてい
る。対向電極９上の層間絶縁膜１０が薄くなっており、
表示電極１４と対向電極９とが近接している。従って、
対向電極９上の層間絶縁膜１０が誘電体膜として働き、
表示電極１４と対向電極９との間に静電容量が形成され
るため、補助容量ＣS が増大する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明はアクティブマトリックス
方式ＴＦＴ（Thin Film Transistor；薄膜トランジス
タ）−ＬＣＤ（Liquid Crystal Display；液晶ディスプ
レイ）およびその製造方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、ＴＦＴを用いたアクティブマトリ
ックス方式が高精彩なＬＣＤの主流になっている。

【０００３】アクティブマトリックス方式は、各画素に
スイッチ素子（画素制御素子）と信号蓄積素子（画素容
量）とを集積し、液晶を準スタティックに駆動する方式
である。すなわち、外部からのビデオ信号電圧を駆動回
路を介してＬＣＤ内部の配線へ転送し、その転送したビ
デオ信号電圧を、各スイッチ素子を介して各信号蓄積素
子に蓄えるようにしている。そのため、液晶材料のみに
頼って表示を行う単純マトリックス方式に比べ、アクテ
ィブマトリックス方式では、スイッチ素子と液晶材料と
を組み合わせて、それぞれに役割分担をさせることがで
きるため、はるかに高画質な表示が可能になる。さら
に、スイッチ素子として最も特性のよいトランジスタを
用いるアクティブマトリックス方式ＴＦＴ−ＬＣＤは、
スイッチ素子としてダイオードを用いる方式（ＭＩＭ−
ＬＣＤやＭＳＩ−ＬＣＤなど）に比べて、製造は困難で
あるもののＣＲＴに匹敵する優れた画質を得ることがで
きる。

【０００４】図８に、一般的なＴＦＴ−ＬＣＤのブロッ
ク構成を示す。ＴＦＴ−ＬＣＤ画素部５０には各ゲート
配線（走査線）Ｇ1 …Ｇn,Ｇn+1 …Ｇm と各ドレイン配
線（データ線）Ｄ1 …Ｄn,Ｄn+1 …Ｄm とが備えられて
いる。その各ゲート配線と各ドレイン配線とはそれぞれ
直交し、その直交部分に画素が設けられている。そし
て、各ゲート配線はゲートドレイバ５１に接続され、ゲ
ート信号（走査信号）が印加されるようになっている。
また、各ドレイン配線はデータ（ドレイン）ドライバ５
２に接続され、ビデオ信号電圧が印加されるようになっ
ている。

【０００５】図９に、ＴＦＴ−ＬＣＤ画素部５０の１つ
の画素６０の等価回路を示す。各ゲート配線には各ＴＦ
Ｔのゲートが接続され、各ドレイン配線には各ＴＦＴの
ドレインが接続されている。そして、各ＴＦＴのソース
には、液晶セルＬＣの表示電極（画素電極）と補助容量
（蓄積容量）ＣS とが接続されている。この液晶セルＬ
Ｃと補助容量ＣS とにより、前記信号蓄積素子が構成さ
れる。液晶セルＬＣの共通電極（表示電極の反対側の電
極）には電圧Ｖcom が印加されている。一方、補助容量
ＣS において、ＴＦＴのソースと接続される側の電極
（以下、蓄積電極という）の反対側の電極（以下、対向
電極という）には定電圧ＶR が印加されている。この液
晶セルＬＣの共通電極は、文字どおり全ての画素６０に
対して共通した電極となっている。そして、液晶セルＬ
Ｃの表示電極と共通電極との間には静電容量が形成され
ている。尚、図９では、ゲート配線Ｇn とドレイン配線
Ｄn とに接続されるＴＦＴだけを図示している。また、
補助容量ＣS の対向電極は、隣のゲート配線Ｇn+1 と接
続されている場合もある。

【０００６】このように構成された画素６０において、
ゲート配線Ｇn を正電圧にしてＴＦＴのゲートに正電圧
を印加すると、ＴＦＴがオンとなる。すると、ドレイン
配線Ｄn に印加されたビデオ信号電圧で、液晶セルＬＣ
の静電容量と補助容量ＣS とが充電される。反対に、ゲ
ート配線Ｇn を負電圧にしてＴＦＴのゲートに負電圧を
印加すると、ＴＦＴがオフとなり、その時点でドレイン
配線Ｄn に印加されていた電圧が、液晶セルＬＣの静電
容量と補助容量ＣS とによって保持される。

【０００７】このように、画素６０に書き込みたいビデ
オ信号電圧をドレイン配線に与えてゲート配線の電圧を
制御することにより、画素６０に任意のビデオ信号電圧
を保持させておくことができる。その画素６０の保持し
ているビデオ信号電圧に応じて液晶セルＬＣの透過率が
変化し、画像が表示される。

【０００８】ここで、画素６０の特性として重要なもの
に、書き込み特性と保持特性とがある。書き込み特性に
対して要求されるのは、ＴＦＴ−ＬＣＤ画素部５０の仕
様から定められた単位時間内に、信号蓄積素子（液晶セ
ルＬＣおよび補助容量ＣS ）に対して所望のビデオ信号
電圧を十分に書き込むことができるかどうかという点で
ある。また、保持特性に対して要求されるのは、信号蓄
積素子に一旦書き込んだビデオ信号電圧を必要な時間だ
け保持することができるかどうかという点である。

【０００９】補助容量ＣS が設けられているのは、信号
蓄積素子の静電容量を増大させて書き込み特性および保
持特性を向上させるためである。すなわち、液晶セルＬ
Ｃはその構造上、静電容量の増大には限界がある。そこ
で、補助容量ＣS によって液晶セルＬＣの静電容量の不
足分を補うわけである。

【００１０】図１０に、コプレーナ型の多結晶シリコン
ＴＦＴ（多結晶シリコンを能動層に用いたＴＦＴ）を用
いた従来の画素６０の断面構造を示す。石英基板１上に
は能動層の多結晶シリコン膜２が形成されている。多結
晶シリコン膜２上にはゲート酸化膜３が形成されてい
る。ゲート酸化膜３上にはＴＦＴのゲート電極４が形成
されている。多結晶シリコン膜２にはＴＦＴのドレイン
領域５およびソース領域６が形成されている。そのソー
ス領域６は、多結晶シリコン膜２に形成されている補助
容量ＣS の蓄積電極７と接続されている。蓄積電極７上
には誘電体膜としてのシリコン酸化膜８が形成されてい
る。シリコン酸化膜８上には補助容量ＣS の対向電極９
が形成されている。これら（石英基板１，多結晶シリコ
ン膜２，ゲート電極４，対向電極９）の全体表面には層
間絶縁膜１０が形成されている。ゲート電極４，ドレイ
ン領域５，ソース領域６はそれぞれ、層間絶縁膜１０に
形成されたコンタクトホールを介して、ゲート配線１
１，ドレイン電極（ドレイン配線）１２，ソース電極１
３と接続されている。また、ソース領域６は、ソース電
極１３と同じコンタクトホールを介して液晶セルＬＣの
表示電極１４と接続されている。表示電極１４はＩＴＯ
（インジウム・スズ酸化物）から成り、対向電極９の上
部の層間絶縁膜１０上に形成されている。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】近年、書き込み特性お
よび保持特性のさらなる向上が要求されており、その要
求を満足するために、補助容量ＣS を増大させることが
求められている。図１０に示す画素６０において補助容
量ＣS を増大させるには、対向電極９の幅を広くすれば
よい。しかし、対向電極９の幅を広くすると、その分だ
け画素６０の開口領域が小さくなり、ＴＦＴ−ＬＣＤ画
素部５０の開口率が低下して画面が暗くなり、画質が劣
化してしまう。

【００１２】本発明は上記問題点を解決するためになさ
れたものであって、その目的は、開口率を低下させるこ
となく補助容量を増大させて書き込み特性および保持特
性を向上させることが可能なアクティブマトリックス方
式ＴＦＴ−ＬＣＤを提供することにある。また、本発明
の別の目的は、そのようなアクティブマトリックス方式
ＴＦＴ−ＬＣＤの簡単かつ容易な製造方法を提供するこ
とにある。

【００１３】

【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明
は、ＴＦＴと液晶セルと補助容量とを備えたアクティブ
マトリックス方式ＴＦＴ−ＬＣＤにおいて、補助容量に
おけるＴＦＴと接続される電極の対向電極と、液晶セル
の表示電極との間に静電容量が形成されていることをそ
の要旨とする。

【００１４】請求項２に記載の発明は、ＴＦＴと、その
ＴＦＴの能動層に形成された一方の電極がＴＦＴのソー
スと接続され、当該一方の電極と誘電体膜を介して対向
電極が形成された補助容量と、その補助容量およびＴＦ
Ｔの上に形成された層間絶縁膜と、その層間絶縁膜上に
形成された液晶セルの表示電極とを備えたアクティブマ
トリックス方式ＴＦＴ−ＬＣＤにおいて、前記対向電極
と表示電極との間に静電容量が形成されていることをそ
の要旨とする。

【００１５】請求項３に記載の発明は、請求項２に記載
の発明において、前記対向電極と表示電極との間の層間
絶縁膜を適宜な膜厚にすることで、対向電極と表示電極
との間に静電容量を形成したことをその要旨とする。

【００１６】請求項４に記載の発明は、請求項２に記載
の発明において、前記対向電極と表示電極との間に、適
宜な誘電率の第２の誘電体膜を設けることで、対向電極
と表示電極との間に静電容量を形成したことをその要旨
とする。

【００１７】請求項５に記載の発明は、請求項３に記載
のアクティブマトリックス方式ＴＦＴ−ＬＣＤの製造方
法に係り、絶縁基板上にシリコン層を形成する工程と、
そのシリコン層を能動層とするＴＦＴを形成すると共
に、そのシリコン層にＴＦＴのソースと接続される補助
容量の一方の電極を形成する工程と、その補助容量の一
方の電極上に誘電体膜を形成する工程と、その誘電体膜
上に補助容量の対向電極を形成する工程と、その対向電
極およびＴＦＴの上に層間絶縁膜を形成する工程と、対
向電極上の層間絶縁膜をエッチングして所定の膜厚にす
る工程と、層間絶縁膜上に液晶セルの表示電極を形成す
る工程とを備えたことをその要旨とする。

【００１８】請求項６に記載の発明は、請求項４に記載
のアクティブマトリックス方式ＴＦＴ−ＬＣＤの製造方
法に係り、絶縁基板上にシリコン層を形成する工程と、
そのシリコン層を能動層とするＴＦＴを形成すると共
に、そのシリコン層にＴＦＴのソースと接続される補助
容量の一方の電極を形成する工程と、その補助容量の一
方の電極上に第１の誘電体膜を形成する工程と、その誘
電体膜上に補助容量の対向電極を形成する工程と、その
対向電極およびＴＦＴの上に層間絶縁膜を形成する工程
と、対向電極上の層間絶縁膜をエッチングし、対向電極
を露出させる工程と、露出した対向電極上に第２の誘電
体膜を形成する工程と、第２の誘電体膜および層間絶縁
膜上に液晶セルの表示電極を形成する工程とを備えたこ
とをその要旨とする。

【００１９】

【作用】請求項１に記載の発明によれば、対向電極の幅
を広くすることなく、表示電極と対向電極との間に静電
容量を形成している。そのため、開口率を低下させるこ
となく補助容量を増大させることができ、書き込み特性
および保持特性を向上させることが可能になる。

【００２０】請求項２に記載の発明は、請求項１に記載
の発明をコプレーナ型やスタガ型の多結晶シリコンＴＦ
Ｔまたは非晶質シリコンＴＦＴを用いたＬＣＤに適用し
たものであり、請求項１に記載の発明と同様の作用およ
び効果を得ることができる。

【００２１】請求項３に記載の発明によれば、対向電極
と表示電極との間の層間絶縁膜を適宜な膜厚にすること
で、その層間絶縁膜を誘電体膜として働かせ、対向電極
と表示電極との間に静電容量を形成することができる。

【００２２】請求項４に記載の発明によれば、対向電極
と表示電極との間に適宜な誘電率の第２の誘電体膜を設
けることで、対向電極と表示電極との間に静電容量を形
成することができる。この場合、第２の誘電体膜の誘電
率および膜厚を最適な値にすることで、補助容量に必要
とされる耐圧および静電容量を得ることができる。

【００２３】請求項５に記載の発明によれば、対向電極
上の層間絶縁膜をエッチングして所定の膜厚にする工程
を設けるだけで、請求項３に記載のＴＦＴ−ＬＣＤを容
易かつ簡単に製造することができる。

【００２４】請求項６に記載の発明によれば、対向電極
上の層間絶縁膜をエッチングして対向電極を露出させる
工程と、露出した対向電極上に第２の誘電体膜を形成す
る工程とを設けるだけで、請求項４に記載のＴＦＴ−Ｌ
ＣＤを容易かつ簡単に製造することができる。この場
合、対向電極上の層間絶縁膜を全て除去した後に第２の
誘電体膜を形成するため、第２の誘電体膜の膜厚を容易
に制御することができる。その結果、補助容量に必要と
される耐圧および静電容量の制御が容易になる。また、
対向電極上の層間絶縁膜をエッチングする際に、その膜
厚を正確に制御する必要がないため、製造が容易にな
る。

【００２５】

【実施例】

（第１実施例）以下、本発明を具体化した第１実施例を
図面に従って説明する。

【００２６】尚、本実施例において、図８〜図１０に示
した従来例と同じ構成部材については符号を等しくして
その詳細な説明を省略する。図１に、コプレーナ型の多
結晶シリコンＴＦＴを用いた本実施例の画素６０の断面
構造を示す。本実施例において、図１０に示した従来例
と異なるのは、液晶セルＬＣの表示電極１４と補助容量
ＣS の対向電極９との間に静電容量が形成されている点
だけであり、対向電極９の幅は変わらない。すなわち、
本実施例においては、図１０に示した従来例に比べて対
向電極９上の層間絶縁膜１０が薄くなっており、表示電
極１４と対向電極９とが近接している。そのため、対向
電極９上の層間絶縁膜１０が誘電体膜として働き、表示
電極１４と対向電極９との間に静電容量が形成される。
また、本実施例においても、図１０に示した従来例と同
様に、液晶セルＬＣの蓄積電極７はＴＦＴのソース領域
６を介して表示電極１４と接続されている。従って、蓄
積電極７と対向電極９との間に形成される静電容量（図
１０に示した従来例の補助容量ＣS ）と、表示電極１４
と対向電極９との間に形成される静電容量とが並列に接
続されることになる。そのため、表示電極１４と対向電
極９との間に形成される静電容量の分だけ、本実施例の
補助容量ＣS は図１０に示す従来例に比べて増大する。

【００２７】次に、本実施例の製造方法を順次説明す
る。 工程１（図２参照）；減圧ＣＶＤ法により、石英基板１
上に多結晶シリコン膜２を形成する。次に、多結晶シリ
コン膜２が所望の形状になるようにエッチングする。そ
して、熱酸化法により、多結晶シリコン膜２上にゲート
酸化膜３を形成する。続いて、減圧ＣＶＤ法により、ゲ
ート酸化膜３上に多結晶シリコン膜を形成する。その多
結晶シリコン膜をエッチングしてゲート電極４を形成す
る。次に、ゲート電極５をマスクとする自己整合法で多
結晶シリコン膜２にリンイオンを注入し、ドレイン領域
５およびソース領域６を形成する。このとき、蓄積電極
７も同時に形成される。さらに、約９００°Ｃの窒素雰
囲気中で熱処理を行い、注入したリンイオンを活性化さ
せる。続いて、熱酸化法により、蓄積電極７上にシリコ
ン酸化膜８を形成する。次に、減圧ＣＶＤ法により、シ
リコン酸化膜８上に多結晶シリコン膜を形成する。その
多結晶シリコン膜をエッチングして対向電極９を形成す
る。そして、ＣＶＤ法により、デバイスの全体表面にシ
リコン酸化膜から成る層間絶縁膜１０を形成する。

【００２８】工程２（図２参照）；対向電極９の形成時
に用いたエッチングマスクを流用し、対向電極９上の層
間絶縁膜１０だけをエッチングして所定の膜厚にする。
このとき、対向電極９上の層間絶縁膜１０の膜厚が、補
助容量ＣS に必要とされる耐圧および静電容量を満足す
るような最適な値になるようにエッチング量を制御す
る。

【００２９】工程３（図３参照）；ゲート電極４，ドレ
イン領域５，ソース領域６の上の層間絶縁膜１０にコン
タクトホール１５を開口する。 工程４（図４参照）；スパッタ法により層間絶縁膜１０
上にＩＴＯ膜を形成し、そのＩＴＯ膜をエッチングして
表示電極１４を形成する。このとき、ソース領域６上の
コンタクトホール１５内にもＩＴＯ膜を形成し、表示電
極１４とソース領域６とが接続されるようにする。

【００３０】工程５（図１参照）；スパッタ法により層
間絶縁膜１０上にアルミ膜を形成し、そのアルミ膜をエ
ッチングしてドレイン電極１２およびソース電極１３を
形成する。

【００３１】このように本実施例によれば、対向電極９
の幅を広くすることなく、表示電極１４と対向電極９と
の間に静電容量を形成している。そのため、開口率を低
下させることなく補助容量ＣS を増大させることがで
き、書き込み特性および保持特性を向上させることが可
能になる。また、補助容量ＣS の大きさを従来と同じと
すれば、表示電極１４と対向電極９との間に形成される
静電容量の分だけ対向電極９の幅を狭くすることがで
き、開口率を向上させることもできる。

【００３２】そして、本実施例は、従来の製造工程に対
向電極９上の層間絶縁膜１０をエッチングする工程を加
えるだけで、簡単かつ容易に製造することができる。さ
らに、表示電極１４と対向電極９との間に静電容量を形
成する工程で、対向電極９上の層間絶縁膜１０をエッチ
ングする際に用いるエッチングマスクとして、対向電極
９の形成時に用いたエッチングマスクを流用している。
そのため、対向電極９上の層間絶縁膜１０だけを容易に
エッチングすることができるのに加え、従来に製造方法
に比べてエッチングマスクの数が増えることはない。 （第２実施例）以下、本発明を具体化した第２実施例を
図面に従って説明する。

【００３３】尚、本実施例において、第１実施例と同じ
構成部材については符号を等しくしてその詳細な説明を
省略する。図５に、コプレーナ型の多結晶シリコンＴＦ
Ｔを用いた本実施例の画素６０の断面構造を示す。本実
施例において、図１に示した第１実施例と異なるのは、
表示電極１４と対向電極９との間に誘電体膜１７が形成
されている点だけである。すなわち、第１実施例では対
向電極９上の薄い層間絶縁膜１０が誘電体膜として働く
ようになっているのに対し、本実施例では層間絶縁膜１
０とは別に誘電体膜１７が設けられ、表示電極１４と対
向電極９との間に静電容量が形成される。

【００３４】本実施例の製造方法は、第１実施例の工程
２を以下の工程２ａおよび工程２ｂに変更するだけで、
他の工程は第１実施例と同じである。 工程２ａ（図５参照）；対向電極９の形成時に用いたエ
ッチングマスクを流用し、対向電極９上の層間絶縁膜１
０を全てエッチングして対向電極９を露出させる。すな
わち、対向電極９上の層間絶縁膜１０にコンタクトホー
ル１６を開口する。

【００３５】工程２ｂ（図６参照）；適宜なＣＶＤ法
（減圧ＣＶＤ法、常圧ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法、
等）により、コンタクトホール１６内の露出した対向電
極９上に誘電体膜１７としてのシリコン酸化膜を堆積さ
せる。このとき、誘電体膜１７の膜厚が、補助容量ＣS
に必要とされる耐圧と静電容量とを満足するような最適
な値になるように堆積量を制御する。

【００３６】このように本実施例によれば、第１実施例
の作用および効果に加え、対向電極９上の層間絶縁膜１
０を全て除去した後に誘電体膜１７を形成するため、誘
電体膜１７の膜厚を容易に制御することができる。その
結果、補助容量ＣS に必要とされる耐圧および静電容量
の制御が容易になる。

【００３７】また、対向電極９上の層間絶縁膜１０をエ
ッチングする際に、その膜厚を正確に制御する必要がな
いため、製造が容易になる。尚、上記各実施例は以下の
ように変更してもよく、その場合も上記各実施例と同様
の効果を得ることができる。

【００３８】１）第２実施例において、誘電体膜１７と
して誘電率の高い適宜な膜（シリコン窒化膜、ＰＳＧ
膜、ＢＰＳＧ膜、等）を用いる。シリコン窒化膜は減圧
ＣＶＤ法やプラズマＣＶＤ法によって形成することがで
き、ＰＳＧ膜およびＢＰＳＧ膜は常圧ＣＶＤ法によって
形成することができる。この場合、誘電体膜１７の誘電
率を高めることで、補助容量ＣS をさらに増大させるこ
とができる。

【００３９】２）対向電極９の表面に凹凸を設けること
により、補助容量ＣS をさらに増大させる。 ３）低温プロセスを利用して石英基板１をガラス基板に
置き代える。低温プロセスについては、日経エレクトロ
ニクス 1994.2.28号(no.602)に詳しい。すなわち、ガラ
ス基板上に非晶質シリコン膜を形成後、固相成長法やレ
ーザアニール法を用いて非晶質シリコン膜から能動層の
多結晶シリコン膜を得る。そして、ＥＣＲプラズマＣＶ
Ｄ法によってゲート酸化膜を形成する。この場合、ガラ
ス基板は石英基板より安価で大面積化が容易であるた
め、ＴＦＴ−ＬＣＤ画素部５０を安価に大型化すること
ができる。

【００４０】４）シリコン酸化膜８を熱酸化ではなく、
適宜なＣＶＤ法（減圧ＣＶＤ法、常圧ＣＶＤ法、プラズ
マＣＶＤ法、等）によって形成する。 ５）シリコン酸化膜８を誘電率の高い適宜な膜（シリコ
ン窒化膜、ＰＳＧ膜、ＢＰＳＧ膜、等）に置き代えるこ
とで、補助容量ＣS をさらに増大させる。

【００４１】６）層間絶縁膜１０をシリコン酸化膜では
なく、適宜な膜（シリコン窒化膜、ＰＳＧ膜、ＢＰＳＧ
膜、等）に置き代える。 ７）上記工程１において、ゲート酸化膜３と同時にシリ
コン酸化膜８を形成し、ゲート電極４と同時に対向電極
９を形成する。尚、ドレイン領域５，ソース領域６，蓄
積電極７を形成するためのイオン注入時には、多結晶シ
リコン膜２上にレジストパターンを形成し、不要な部分
（チャネル領域など）にイオンが注入されないようにす
る。この場合には、ドレイン領域５およびソース領域６
を自己整合的に形成することができない反面、工数を減
らすことができる。

【００４２】８）多結晶シリコンＴＦＴでなく、非晶質
シリコンを能動層に用いた非晶質シリコンＴＦＴに適用
する。 ９）コプレーナ型でなくスタガ型の多結晶シリコンＴＦ
Ｔまたは非晶質シリコンＴＦＴに適用する。

【００４３】以上、本発明の各実施例について説明した
が、各実施例から把握できる請求項以外の技術的思想に
は以下のものがあり、これらの技術的思想においても、
同様な作用および効果を得ることができる。

【００４４】（イ）請求項２に記載のアクティブマトリ
ックス方式ＴＦＴ−ＬＣＤにおいて、前記ＴＦＴはコプ
レーナ型またはスタガ型の多結晶シリコンＴＦＴまたは
非晶質シリコンＴＦＴである。

【００４５】（ロ）請求項５または請求項６に記載のア
クティブマトリックス方式ＴＦＴ−ＬＣＤの製造方法に
おいて、前記能動層は多結晶シリコン層または非晶質シ
リコン層からなり、前記ＴＦＴはコプレーナ型またはス
タガ型である。

【００４６】ちなみに、本明細書において、発明の構成
に係る部材は以下のように定義されるものとする。 ａ）絶縁基板としては、石英基板、ガラス基板、セラッ
ミクスなどのあらゆる絶縁材料による基板を含むだけで
なく、表面に絶縁層を設けた金属基板などをも含む。

【００４７】ｂ）第１および第２の誘電体膜としては、
シリコン酸化膜だけでなく、シリコン窒化膜、ＰＳＧ
膜、ＢＰＳＧ膜などのあらゆる誘電体膜をも含む。 ｃ）層間絶縁膜としては、シリコン酸化膜だけでなく、
シリコン窒化膜、ＰＳＧ膜、ＢＰＳＧ膜などのあらゆる
絶縁膜をも含む。

【００４８】ｄ）表示電極としては、ＩＴＯ膜だけでな
く酸化スズ膜をも含む。

【００４９】

【発明の効果】以上詳述したように本発明によれば、開
口率を低下させることなく補助容量を増大させて書き込
み特性および保持特性を向上させることが可能なアクテ
ィブマトリックス方式ＴＦＴ−ＬＣＤを提供することが
できる。また、そのようなアクティブマトリックス方式
ＴＦＴ−ＬＣＤの簡単かつ容易な製造方法を提供するこ
とができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明を具体化した第１実施例の構造を示す断
面図である。

【図２】第１実施例の製造工程を説明するための断面図
である。

【図３】第１実施例の製造工程を説明するための断面図
である。

【図４】第１実施例の製造工程を説明するための断面図
である。

【図５】本発明を具体化した第２実施例の構造を示す断
面図である。

【図６】第２実施例の製造工程を説明するための断面図
である。

【図７】第２実施例の製造工程を説明するための断面図
である。

【図８】一般的なＴＦＴ−ＬＣＤの構成を示すブロック
回路図である。

【図９】ＴＦＴ−ＬＣＤ画素部５０の１つの画素６０を
示す回路図である。

【図１０】従来の画素６０の構造を示す断面図である。

【符号の説明】

ＴＦＴ 薄膜トランジスタ ＬＣ 液晶セル ＣS 補助容量 ２ 多結晶シリコン層 ７ 補助容量におけるＴＦＴと接続される電極としての
蓄積電極 ８ 第１の誘電体膜としてのシリコン酸化膜 ９ 対向電極 １０ 層間絶縁膜 １４ 表示電極 １７ 第２の誘電体膜

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ＴＦＴと液晶セルと補助容量とを備えた
   アクティブマトリックス方式ＴＦＴ−ＬＣＤにおいて、
   補助容量（ＣS ）におけるＴＦＴと接続される電極
   （７）の対向電極（９）と、液晶セル（ＬＣ）の表示電
   極（１４）との間に静電容量が形成されているアクティ
   ブマトリックス方式ＴＦＴ−ＬＣＤ。
2. 【請求項２】 ＴＦＴと、 そのＴＦＴの能動層（２）に形成された一方の電極
   （７）がＴＦＴのソース（６）と接続され、当該一方の
   電極と誘電体膜（８）を介して対向電極（９）が形成さ
   れた補助容量（ＣS ）と、 その補助容量およびＴＦＴの上に形成された層間絶縁膜
   （１０）と、 その層間絶縁膜上に形成された液晶セル（ＬＣ）の表示
   電極（１４）とを備えたアクティブマトリックス方式Ｔ
   ＦＴ−ＬＣＤにおいて、 前記対向電極（９）と表示電極（１４）との間に静電容
   量が形成されていることを特徴とするアクティブマトリ
   ックス方式ＴＦＴ−ＬＣＤ。
3. 【請求項３】 請求項２に記載のアクティブマトリック
   ス方式ＴＦＴ−ＬＣＤにおいて、 前記対向電極（９）と表示電極（１４）との間の層間絶
   縁膜（１０）を適宜な膜厚にすることで、対向電極と表
   示電極との間に静電容量を形成したことを特徴とするア
   クティブマトリックス方式ＴＦＴ−ＬＣＤ。
4. 【請求項４】 請求項２に記載のアクティブマトリック
   ス方式ＴＦＴ−ＬＣＤにおいて、 前記対向電極（９）と表示電極（１４）との間に、適宜
   な誘電率の第２の誘電体膜（１７）を設けることで、対
   向電極と表示電極との間に静電容量を形成したことを特
   徴とするアクティブマトリックス方式ＴＦＴ−ＬＣＤ。
5. 【請求項５】 絶縁基板（１）上にシリコン層（２）を
   形成する工程と、 そのシリコン層を能動層とするＴＦＴを形成すると共
   に、そのシリコン層にＴＦＴのソースと接続される補助
   容量（ＣS ）の一方の電極（７）を形成する工程と、 その補助容量の一方の電極（７）上に誘電体膜（８）を
   形成する工程と、 その誘電体膜（８）上に補助容量の対向電極（９）を形
   成する工程と、 その対向電極およびＴＦＴの上に層間絶縁膜（１０）を
   形成する工程と、 対向電極上の層間絶縁膜をエッチングして所定の膜厚に
   する工程と、 層間絶縁膜上に液晶セル（ＬＣ）の表示電極（１４）を
   形成する工程とを備えた請求項３に記載のアクティブマ
   トリックス方式ＴＦＴ−ＬＣＤの製造方法。
6. 【請求項６】 絶縁基板（１）上にシリコン層（２）を
   形成する工程と、 そのシリコン層を能動層とするＴＦＴを形成すると共
   に、そのシリコン層にＴＦＴのソースと接続される補助
   容量（ＣS ）の一方の電極（７）を形成する工程と、 その補助容量の一方の電極（７）上に第１の誘電体膜
   （８）を形成する工程と、 その誘電体膜（８）上に補助容量の対向電極（９）を形
   成する工程と、 その対向電極およびＴＦＴの上に層間絶縁膜（１０）を
   形成する工程と、 対向電極上の層間絶縁膜をエッチングし、対向電極を露
   出させる工程と、 露出した対向電極上に第２の誘電体膜（１７）を形成す
   る工程と、 第２の誘電体膜および層間絶縁膜上に液晶セル（ＬＣ）
   の表示電極（１４）を形成する工程とを備えた請求項４
   に記載のアクティブマトリックス方式ＴＦＴ−ＬＣＤの
   製造方法。