JPH07263807A - 半導体レーザ装置 - Google Patents
半導体レーザ装置Info
- Publication number
- JPH07263807A JPH07263807A JP6049245A JP4924594A JPH07263807A JP H07263807 A JPH07263807 A JP H07263807A JP 6049245 A JP6049245 A JP 6049245A JP 4924594 A JP4924594 A JP 4924594A JP H07263807 A JPH07263807 A JP H07263807A
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- fpc
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 部品点数を増やすことなく、電磁波の漏れを
防止する半導体レーザ装置を提供することを目的とす
る。 【構成】 高周波重畳ユニットをＦＰＣのベタグランド
面で囲むようにＦＰＣを配置した半導体レーザ装置。
防止する半導体レーザ装置を提供することを目的とす
る。 【構成】 高周波重畳ユニットをＦＰＣのベタグランド
面で囲むようにＦＰＣを配置した半導体レーザ装置。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、光ディスク装置に用
いられる高周波重畳ユニットを有する半導体レーザ装置
に関する。
いられる高周波重畳ユニットを有する半導体レーザ装置
に関する。
【０００２】
【従来の技術】光ディスク装置は、半導体レーザからの
光束を対物レンズで光の回折限界まで絞り、１μｍ程度
の微小なスポットを光ディスク上に形成し、その反射光
を検出光学系に導き、光検出器にて信号を検出し情報を
得ている。
光束を対物レンズで光の回折限界まで絞り、１μｍ程度
の微小なスポットを光ディスク上に形成し、その反射光
を検出光学系に導き、光検出器にて信号を検出し情報を
得ている。
【０００３】ところで、光デイスク装置はその構成上光
ディスクで反射した反射光が半導体レーザへ戻ってしま
い、いわゆる戻り光が生じる。特に光磁気ディスク装置
においては、構成上この戻り光を０にすることはでき
ず、この戻り光の発生により半導体レーザのモードに乱
れが生じ、信号にノイズが生じるという問題点がある。
ディスクで反射した反射光が半導体レーザへ戻ってしま
い、いわゆる戻り光が生じる。特に光磁気ディスク装置
においては、構成上この戻り光を０にすることはでき
ず、この戻り光の発生により半導体レーザのモードに乱
れが生じ、信号にノイズが生じるという問題点がある。
【０００４】これを防止するため、半導体レーザを高周
波でパルス発光させること（高周波重畳）が一般に行な
われている。この高周波重畳は通常周波数が数百ＭHz、
変調度が数百％で行なわれる。このため、高周波成分を
直流電流に重畳する高周波発生回路を流れる電流から高
周波成分が電磁波となって発生し、この電磁波がノイズ
となって他の電気回路に悪影響を与えてしまう。この対
策としては、例えば特開平３−２２７５８５号公報に示
すように、高周波発生回路をシールド板で覆って発生す
る電磁波を遮蔽する方法が提案されている。
波でパルス発光させること（高周波重畳）が一般に行な
われている。この高周波重畳は通常周波数が数百ＭHz、
変調度が数百％で行なわれる。このため、高周波成分を
直流電流に重畳する高周波発生回路を流れる電流から高
周波成分が電磁波となって発生し、この電磁波がノイズ
となって他の電気回路に悪影響を与えてしまう。この対
策としては、例えば特開平３−２２７５８５号公報に示
すように、高周波発生回路をシールド板で覆って発生す
る電磁波を遮蔽する方法が提案されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来技術の構成においては、ねじ止め等でシールド板を固
定しているため、電気的な接触が十分ではなく、また発
生する電磁波のエネルギーも大きいため、電磁波の漏れ
が生じる。
来技術の構成においては、ねじ止め等でシールド板を固
定しているため、電気的な接触が十分ではなく、また発
生する電磁波のエネルギーも大きいため、電磁波の漏れ
が生じる。
【０００６】本発明は、部品点数を増やすことなく、電
磁波の漏れを防止した半導体レーザ装置を提供するもの
である。
磁波の漏れを防止した半導体レーザ装置を提供するもの
である。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この発明は上記の目的を
達成するためのもので、半導体レーザと、この半導体レ
ーザを高周波で発光させるための高周波重畳ユニット
と、これら半導体レーザ及び高周波重畳ユニットを駆動
するための駆動回路を搭載したＰＣＢと、前記高周波重
畳ユニットとＰＣＢを接続するＦＰＣ（フレキシブル印
刷配線基板）からなる半導体レーザ装置において、前記
ＦＰＣは一方の面は配線パターン、他方の面は前記ＰＣ
Ｂとつながったベタグランド面で構成され、かつ前記高
周波重畳ユニットを囲むように配置されていることを特
徴とする半導体レーザ装置である。前記ＦＰＣの幅は前
記高周波重畳ユニットの幅と略等しく、また前記ＦＰＣ
は、前記高周波重畳ユニットの側面部を囲むための羽根
部を有する。さらに、前記ＦＰＣのベタグランド面と前
記高周波重畳ユニットが半田付けされていることを特徴
とする。
達成するためのもので、半導体レーザと、この半導体レ
ーザを高周波で発光させるための高周波重畳ユニット
と、これら半導体レーザ及び高周波重畳ユニットを駆動
するための駆動回路を搭載したＰＣＢと、前記高周波重
畳ユニットとＰＣＢを接続するＦＰＣ（フレキシブル印
刷配線基板）からなる半導体レーザ装置において、前記
ＦＰＣは一方の面は配線パターン、他方の面は前記ＰＣ
Ｂとつながったベタグランド面で構成され、かつ前記高
周波重畳ユニットを囲むように配置されていることを特
徴とする半導体レーザ装置である。前記ＦＰＣの幅は前
記高周波重畳ユニットの幅と略等しく、また前記ＦＰＣ
は、前記高周波重畳ユニットの側面部を囲むための羽根
部を有する。さらに、前記ＦＰＣのベタグランド面と前
記高周波重畳ユニットが半田付けされていることを特徴
とする。
【０００８】
【作用】この発明によれば、高周波重畳ユニットから漏
れた電磁波は、この高周波重畳ユニットを囲むように配
置されたＦＰＣの一方の面に形成されたベタグランド面
により吸収され、この電磁波による他の部品への影響は
軽減される。
れた電磁波は、この高周波重畳ユニットを囲むように配
置されたＦＰＣの一方の面に形成されたベタグランド面
により吸収され、この電磁波による他の部品への影響は
軽減される。
【０００９】
【実施例】以下、この発明の実施例を添付図面に基づい
て具体的に説明する。図７は光ディスク装置における光
ピックアップの概略を示すもので、図中１は半導体レー
ザで、この半導体レーザ１からの光束はコリメータレン
ズ２１で平行光となり、ビームスプリッタ２２を透過
し、対物レンズ２３に入射する。そしてこの対物レンズ
２３によって情報記録媒体２４上に微小なスポットとし
て照射する。この情報記録媒体２４からの反射光は再び
対物レンズ２３で平行光となり、ビームスプリッタ２２
にて図中下方に反射され、検出レンズ２５に導かれる。
この検出レンズ２５で再び光束は集光され、ナイフエッ
ジプリズム２６にて一部は透過し、フォーカシングエラ
ー信号用光検出器２７へ導かれ、残りは偏光ビームスプ
リッタ２８へ導かれる。偏光ビームスプリッター２８へ
導かれた光はＰ波とＳ波に分離され、一方、トラッキン
グエラー信号検出用の光検出器２９へ、他方は再生信号
検出用の検出器３０へ導かれる。ここでフォーカシング
エラー信号は公知のナイフエッジ法により検出され、ト
ラッキングエラー信号は公知のプッシュプル法により検
出される。また、再生信号はトラッキングエラー信号検
出用光検出器２９と再生信号検出用光検出器３０からの
出力の差によって検出される。
て具体的に説明する。図７は光ディスク装置における光
ピックアップの概略を示すもので、図中１は半導体レー
ザで、この半導体レーザ１からの光束はコリメータレン
ズ２１で平行光となり、ビームスプリッタ２２を透過
し、対物レンズ２３に入射する。そしてこの対物レンズ
２３によって情報記録媒体２４上に微小なスポットとし
て照射する。この情報記録媒体２４からの反射光は再び
対物レンズ２３で平行光となり、ビームスプリッタ２２
にて図中下方に反射され、検出レンズ２５に導かれる。
この検出レンズ２５で再び光束は集光され、ナイフエッ
ジプリズム２６にて一部は透過し、フォーカシングエラ
ー信号用光検出器２７へ導かれ、残りは偏光ビームスプ
リッタ２８へ導かれる。偏光ビームスプリッター２８へ
導かれた光はＰ波とＳ波に分離され、一方、トラッキン
グエラー信号検出用の光検出器２９へ、他方は再生信号
検出用の検出器３０へ導かれる。ここでフォーカシング
エラー信号は公知のナイフエッジ法により検出され、ト
ラッキングエラー信号は公知のプッシュプル法により検
出される。また、再生信号はトラッキングエラー信号検
出用光検出器２９と再生信号検出用光検出器３０からの
出力の差によって検出される。
【００１０】ここで、ビームスプリッター２２の特性
上、情報記録媒体２４からの反射光を１００％反射して
検出光学系へ導くことはできない。このため、半導体レ
ーザ１に戻り光が生じる。戻り光が生じると、半導体レ
ーザ１の発振モードに乱れが生じ、出力信号にノイズが
生じる。これを抑える方法として、高周波で半導体レー
ザ１をパルス駆動させ、マルチモードで発光させること
が一般的に行われている。最適な周波数は次式で与えら
れる。 θ＝２πＨＦ（２Ｌ／Ｃ） ＨＦ：重畳周波数 Ｃ：光速 Ｌ：光路長 尚、θが２πの整数倍の少し手前でノイズが増大するの
で、必要なＬの範囲でそうならないようにＨＦを選ぶ。
また、変調度は次式で定義される。 変調度（％）＝（高周波重畳電流時の直流光出力）／
（無変調時の直流光出力）×１００ なお、通常、重畳周波数は数百ＭＨｚ、変調度は数百％
となる。
上、情報記録媒体２４からの反射光を１００％反射して
検出光学系へ導くことはできない。このため、半導体レ
ーザ１に戻り光が生じる。戻り光が生じると、半導体レ
ーザ１の発振モードに乱れが生じ、出力信号にノイズが
生じる。これを抑える方法として、高周波で半導体レー
ザ１をパルス駆動させ、マルチモードで発光させること
が一般的に行われている。最適な周波数は次式で与えら
れる。 θ＝２πＨＦ（２Ｌ／Ｃ） ＨＦ：重畳周波数 Ｃ：光速 Ｌ：光路長 尚、θが２πの整数倍の少し手前でノイズが増大するの
で、必要なＬの範囲でそうならないようにＨＦを選ぶ。
また、変調度は次式で定義される。 変調度（％）＝（高周波重畳電流時の直流光出力）／
（無変調時の直流光出力）×１００ なお、通常、重畳周波数は数百ＭＨｚ、変調度は数百％
となる。
【００１１】ところで、上述のような高周波重畳を行な
った場合、その高周波発生回路から高周波成分が電磁波
として発生し、この電磁波がノイズとなって他の電気回
路等に悪影響を及ぼすことになる。本発明は、電磁波の
影響の防止を施した半導体レーザ装置に関するものであ
り、以下その実施例について説明する。
った場合、その高周波発生回路から高周波成分が電磁波
として発生し、この電磁波がノイズとなって他の電気回
路等に悪影響を及ぼすことになる。本発明は、電磁波の
影響の防止を施した半導体レーザ装置に関するものであ
り、以下その実施例について説明する。
【００１２】図１は本発明による第１の実施例を示すも
のであり、図中１は半導体レーザで、半導体レーザ１
は、この半導体レーザ１をパルス駆動させてマルチモー
ドで発光させる高周波重畳ユニット２（高周波重畳回路
が導電性のシールド板に覆われたもの）に取付けられて
いる。そして、この高周波重畳ユニット２のシールド板
に設けられたコネクタピン５にフレキシブル印刷配線基
板（以下、ＦＰＣという）３の一端が半田付け等により
固定されており、このＦＰＣ３は、前記高周波重畳ユニ
ット２の幅とほぼ等しい幅を有し、この高周波重畳ユニ
ット２を取り囲む形、すなわち略コ字状に配置され、そ
の他端がＰＣＢ（印刷配線基板）４に結線されている。
このＰＣＢ４には、半導体レーザー駆動回路等（図示せ
ず）が搭載されている。
のであり、図中１は半導体レーザで、半導体レーザ１
は、この半導体レーザ１をパルス駆動させてマルチモー
ドで発光させる高周波重畳ユニット２（高周波重畳回路
が導電性のシールド板に覆われたもの）に取付けられて
いる。そして、この高周波重畳ユニット２のシールド板
に設けられたコネクタピン５にフレキシブル印刷配線基
板（以下、ＦＰＣという）３の一端が半田付け等により
固定されており、このＦＰＣ３は、前記高周波重畳ユニ
ット２の幅とほぼ等しい幅を有し、この高周波重畳ユニ
ット２を取り囲む形、すなわち略コ字状に配置され、そ
の他端がＰＣＢ（印刷配線基板）４に結線されている。
このＰＣＢ４には、半導体レーザー駆動回路等（図示せ
ず）が搭載されている。
【００１３】前記ＦＰＣ３は図２の断面説明図に示すよ
うに、ベースフィルム３ｃの両側に銅箔３ｂ，３ｄが積
層され、さらにこれら銅箔３ｂ，３ｄの前記ベースフィ
ルム３ｃとの被接触面には、それぞれカバーフィルム３
ａ，３ｅが積層されている。ここで、銅箔３ｂが半導体
レーザー駆動回路のグランド及び高周波重畳ユニット２
のグランドに接続されたベタグランド面をなし、銅箔３
ｄには半導体レーザー駆動回路と高周波重畳回路ユニッ
ト２を結ぶ配線パターンが形成されている。そして、こ
のベタグランド面側が高周波重畳ユニット２側へ向く形
に配置されている。
うに、ベースフィルム３ｃの両側に銅箔３ｂ，３ｄが積
層され、さらにこれら銅箔３ｂ，３ｄの前記ベースフィ
ルム３ｃとの被接触面には、それぞれカバーフィルム３
ａ，３ｅが積層されている。ここで、銅箔３ｂが半導体
レーザー駆動回路のグランド及び高周波重畳ユニット２
のグランドに接続されたベタグランド面をなし、銅箔３
ｄには半導体レーザー駆動回路と高周波重畳回路ユニッ
ト２を結ぶ配線パターンが形成されている。そして、こ
のベタグランド面側が高周波重畳ユニット２側へ向く形
に配置されている。
【００１４】本実施例の半導体レーザー装置において
は、ＰＣＢ４に搭載されている半導体レーザ駆動回路よ
り出力される駆動信号がＦＰＣ３の銅箔３ｄに形成され
た配線パターンにより高周波重畳ユニット２へ伝えら
れ、半導体レーザ１を発光させる。この際、高周波重畳
ユニット２から輻射される漏れノイズは前記ＦＰＣ３の
ベタグランド面３ｂで吸収され、ノイズは軽減される。
は、ＰＣＢ４に搭載されている半導体レーザ駆動回路よ
り出力される駆動信号がＦＰＣ３の銅箔３ｄに形成され
た配線パターンにより高周波重畳ユニット２へ伝えら
れ、半導体レーザ１を発光させる。この際、高周波重畳
ユニット２から輻射される漏れノイズは前記ＦＰＣ３の
ベタグランド面３ｂで吸収され、ノイズは軽減される。
【００１５】図３は本発明の第２の実施例を示すもの
で、第１の実施例同様、半導体レーザ１は高周波重畳ユ
ニット２（高周波重畳回路が導電性のシールド板に覆わ
れたもの）に取付けら、この高周波重畳ユニット２のシ
ールド板に設けられたコネクタピン５にＦＰＣ６の一端
が半田付け等により固定されており、このＦＰＣ６は、
前記高周波重畳ユニット２を取り囲む形、すなわち略コ
字状に配置され、その他端がＰＣＢ４に結線されてい
る。このエレキ板４には、半導体レーザー駆動回路等が
搭載されている。
で、第１の実施例同様、半導体レーザ１は高周波重畳ユ
ニット２（高周波重畳回路が導電性のシールド板に覆わ
れたもの）に取付けら、この高周波重畳ユニット２のシ
ールド板に設けられたコネクタピン５にＦＰＣ６の一端
が半田付け等により固定されており、このＦＰＣ６は、
前記高周波重畳ユニット２を取り囲む形、すなわち略コ
字状に配置され、その他端がＰＣＢ４に結線されてい
る。このエレキ板４には、半導体レーザー駆動回路等が
搭載されている。
【００１６】前記ＦＰＣ６は、第１の実施例と同様の積
層構造をしており、更に図４に示すようにさらに羽根部
７が設けられており、この羽根部７を高周波重畳ユニッ
ト２側へ折り曲げることにより、この高周波重畳ユニッ
ト２の側面部を覆うよう配置される。従って、実施例１
と同様、高周波重畳ユニット２から輻射される漏れノイ
ズは前記ＦＰＣ３のベタグランド面３ｂで吸収されてノ
イズが軽減され、また高周波重畳ユニット２の側面部か
ら漏れるノイズも羽根部７で吸収されて軽減することが
できる。
層構造をしており、更に図４に示すようにさらに羽根部
７が設けられており、この羽根部７を高周波重畳ユニッ
ト２側へ折り曲げることにより、この高周波重畳ユニッ
ト２の側面部を覆うよう配置される。従って、実施例１
と同様、高周波重畳ユニット２から輻射される漏れノイ
ズは前記ＦＰＣ３のベタグランド面３ｂで吸収されてノ
イズが軽減され、また高周波重畳ユニット２の側面部か
ら漏れるノイズも羽根部７で吸収されて軽減することが
できる。
【００１７】図５及び図６は第３の実施例を示すもの
で、第１の実施例同様、半導体レーザ１は高周波重畳ユ
ニット２（高周波重畳回路が導電性のシールド板に覆わ
れたもの）に取付けら、この高周波重畳ユニット２のシ
ールド板に設けられたコネクタピン５にＦＰＣ８の一端
が半田付け等により固定されており、このＦＰＣ８は、
前記高周波重畳ユニット２を取り囲む形、すなわち略コ
字状に配置され、その他端がＰＣＢ４に結線されてい
る。このＰＣＢ４には、半導体レーザー駆動回路等が搭
載されている。
で、第１の実施例同様、半導体レーザ１は高周波重畳ユ
ニット２（高周波重畳回路が導電性のシールド板に覆わ
れたもの）に取付けら、この高周波重畳ユニット２のシ
ールド板に設けられたコネクタピン５にＦＰＣ８の一端
が半田付け等により固定されており、このＦＰＣ８は、
前記高周波重畳ユニット２を取り囲む形、すなわち略コ
字状に配置され、その他端がＰＣＢ４に結線されてい
る。このＰＣＢ４には、半導体レーザー駆動回路等が搭
載されている。
【００１８】前記ＦＰＣ８は、図６に示すように、羽根
部９を有し、さらに、ベタグランド部の一部が高周波重
畳ユニット２の側面部と半田付け可能な半田ランド１０
を有している。それにより、高周波重畳ユニット２のシ
ールド板のグランドが強化され、高周波重畳ユニット２
から輻射される漏れノイズを軽減することができる。ま
た第２の実施例と同様、ＦＰＣ８のベタグランド面及び
羽根部９でノイズを吸収することができ、ノイズを軽減
することができる。
部９を有し、さらに、ベタグランド部の一部が高周波重
畳ユニット２の側面部と半田付け可能な半田ランド１０
を有している。それにより、高周波重畳ユニット２のシ
ールド板のグランドが強化され、高周波重畳ユニット２
から輻射される漏れノイズを軽減することができる。ま
た第２の実施例と同様、ＦＰＣ８のベタグランド面及び
羽根部９でノイズを吸収することができ、ノイズを軽減
することができる。
【００１９】
【発明の効果】本発明によれば、高周波重畳ユニットと
印刷配線基板（以下、ＰＣＢという）を結ぶＦＰＣが高
周波重畳ユニットを囲むように配置されているので、Ｆ
ＰＣがシールド板の役目をしており、高周波重畳ユニッ
トとから輻射されるノイズを部品数を増やすことなく、
軽減させることができる。また、高周波重畳ユニットと
ＰＣＢとを結ぶＦＰＣが高周波重畳ユニットの側面部を
も囲むように配置されているため、高周波重畳ユニット
とから輻射されるノイズを部品数を増やすことなく、軽
減させることができる。さらに、高周波重畳ユニットと
ＰＣＢとを結ぶＦＰＣが高周波重畳ユニットの側面部を
も囲むように配置され、かつＦＰＣのベタグランドと高
周波重畳ユニットが半田付け等より接続されているの
で、高周波重畳ユニットとから輻射されるノイズを部品
数を増やすことなく、軽減させることができる。
印刷配線基板（以下、ＰＣＢという）を結ぶＦＰＣが高
周波重畳ユニットを囲むように配置されているので、Ｆ
ＰＣがシールド板の役目をしており、高周波重畳ユニッ
トとから輻射されるノイズを部品数を増やすことなく、
軽減させることができる。また、高周波重畳ユニットと
ＰＣＢとを結ぶＦＰＣが高周波重畳ユニットの側面部を
も囲むように配置されているため、高周波重畳ユニット
とから輻射されるノイズを部品数を増やすことなく、軽
減させることができる。さらに、高周波重畳ユニットと
ＰＣＢとを結ぶＦＰＣが高周波重畳ユニットの側面部を
も囲むように配置され、かつＦＰＣのベタグランドと高
周波重畳ユニットが半田付け等より接続されているの
で、高周波重畳ユニットとから輻射されるノイズを部品
数を増やすことなく、軽減させることができる。
【図１】この発明の第１の実施例を示す概略説明図であ
る。
る。
【図２】ＦＰＣの断面説明図である。
【図３】この発明の第２の実施例を示す概略説明図であ
る。
る。
【図４】この発明の第２の実施例に用いられるＦＰＣの
説明図である。
説明図である。
【図５】この発明の第３の実施例を示す概略説明図であ
る。
る。
【図６】この発明の第３の実施例に用いられるＦＰＣの
説明図である。
説明図である。
【図７】光ディスク装置における光ピックアップの概略
を示す説明図である。
を示す説明図である。
１ 半導体レーザ ２ 高周波重畳ユニット ３ ＦＰＣ ４ ＰＣＢ ５ コネクタピン ６ ＦＰＣ ７ 羽根部 ８ ＦＰＣ ９ 羽根部 １０ 半田ランド ２１ コリメータレンズ ２２ ビームスプリッタ ２３ 対物レンズ ２４ 情報記録媒体 ２５ 検出レンズ ２６ ナイフエッジプリズム ２７ 光検出器 ２８ 偏光ビームスプリッタ ２９ 光検出器 ３０ 光検出器
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 // Ｇ１１Ｂ 7/09 Ａ 9368−5Ｄ
Claims (4)
- 【請求項１】 半導体レーザと、この半導体レーザを高
周波で発光させるための高周波重畳ユニットと、これら
半導体レーザ及び高周波重畳ユニットを駆動するための
駆動回路を搭載したＰＣＢと、前記高周波重畳ユニット
とＰＣＢを接続するＦＰＣ（フレキシブル印刷配線基
板）からなる半導体レーザ装置において、前記ＦＰＣは
一方の面は配線パターン、他方の面は前記ＰＣＢとつな
がったベタグランド面で構成され、かつ前記高周波重畳
ユニットを囲むように配置されていることを特徴とする
半導体レーザ装置。 - 【請求項２】 前記ＦＰＣの幅は前記高周波重畳ユニッ
トの幅と略等しいことを特徴とする請求項１記載の半導
体レーザ装置。 - 【請求項３】 前記ＦＰＣは、前記高周波重畳ユニット
の側面部を囲むための羽根部を有することを特徴とする
請求項１記載の半導体レーザ装置。 - 【請求項４】 前記ＦＰＣのベタグランド面と前記高周
波重畳ユニットが半田付けされていることを特徴とする
請求項３記載の半導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6049245A JPH07263807A (ja) | 1994-03-18 | 1994-03-18 | 半導体レーザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6049245A JPH07263807A (ja) | 1994-03-18 | 1994-03-18 | 半導体レーザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07263807A true JPH07263807A (ja) | 1995-10-13 |
Family
ID=12825479
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6049245A Pending JPH07263807A (ja) | 1994-03-18 | 1994-03-18 | 半導体レーザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07263807A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6693870B2 (en) | 1999-12-21 | 2004-02-17 | Funai Electric Co., Ltd. | Optical pickup device with high-frequency superposition circuit |
-
1994
- 1994-03-18 JP JP6049245A patent/JPH07263807A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6693870B2 (en) | 1999-12-21 | 2004-02-17 | Funai Electric Co., Ltd. | Optical pickup device with high-frequency superposition circuit |
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