JPH07263418A - 平坦度制御装置および平坦度制御方法 - Google Patents
平坦度制御装置および平坦度制御方法Info
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- JPH07263418A JPH07263418A JP5028894A JP5028894A JPH07263418A JP H07263418 A JPH07263418 A JP H07263418A JP 5028894 A JP5028894 A JP 5028894A JP 5028894 A JP5028894 A JP 5028894A JP H07263418 A JPH07263418 A JP H07263418A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 平坦度を精度よく制御する。
【構成】 各反応室にウェハを移動させるためのトラン
スファーチャンバー７とウェハを真空中に保持するため
のロードロック室８があり、トランスファーチャンバー
７の一端にスリットバルブを介して設置した。余剰のレ
ジストを除去するエッチングチャンバー９を、トランス
ファーチャンバー７の一端にスリットバルブを介して設
置した。平坦化エッチングを行うためのエッチングチャ
ンバー１２を、トランスファーチャンバー７の一端にス
リットバルブを介して設置した。平坦度を検出するため
のチャンバー１７を、トランスファーチャンバー７の一
端にスリットバルブを介して設置した。段差を検出する
装置１８を、チャンバー１７の内部に設置した。段差検
出装置１８による測定結果を、エッチング制御器１３に
フィードバックすることで、平坦度の制御をする。
スファーチャンバー７とウェハを真空中に保持するため
のロードロック室８があり、トランスファーチャンバー
７の一端にスリットバルブを介して設置した。余剰のレ
ジストを除去するエッチングチャンバー９を、トランス
ファーチャンバー７の一端にスリットバルブを介して設
置した。平坦化エッチングを行うためのエッチングチャ
ンバー１２を、トランスファーチャンバー７の一端にス
リットバルブを介して設置した。平坦度を検出するため
のチャンバー１７を、トランスファーチャンバー７の一
端にスリットバルブを介して設置した。段差を検出する
装置１８を、チャンバー１７の内部に設置した。段差検
出装置１８による測定結果を、エッチング制御器１３に
フィードバックすることで、平坦度の制御をする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置のドライエッ
チングによる平坦化における平坦度制御装置および平坦
度制御方法に関するものである。
チングによる平坦化における平坦度制御装置および平坦
度制御方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体装置の高集積化にともな
い、半導体チップの面積増大を避けるため、配線層の微
細化や多層化が進みつつある。
い、半導体チップの面積増大を避けるため、配線層の微
細化や多層化が進みつつある。
【０００３】多層配線技術の重要課題のひとつとして、
層間絶縁膜を平坦化することが挙げられる。層間絶縁膜
の平坦化方法としていくつかの方法が提案されている
が、ほぼ完全な平坦化が実現できる、ドライエッチング
技術を用いたレジストエッチバック法が最近注目されつ
つある。
層間絶縁膜を平坦化することが挙げられる。層間絶縁膜
の平坦化方法としていくつかの方法が提案されている
が、ほぼ完全な平坦化が実現できる、ドライエッチング
技術を用いたレジストエッチバック法が最近注目されつ
つある。
【０００４】以下図面を参照しながら、従来のレジスト
エッチバックによる平坦化技術を採用した半導体装置の
製造方法の一例について説明する。
エッチバックによる平坦化技術を採用した半導体装置の
製造方法の一例について説明する。
【０００５】図５は従来のレジストエッチバック法で平
坦化した場合の断面構造を示す。図５において、１は半
導体素子が形成されたシリコン基板である。２はシリコ
ン基板１上に形成される多層配線構造における下層アル
ミニウム配線である。３は下層アルミニウム配線２上に
形成された珪素系酸化膜である。４は珪素系酸化膜３の
上にスピンコート法で形成されたレジスト膜である（図
５（ａ））。５は平坦化エッチバックを行うために、余
剰部分を除去したレジスト膜である（図５（ｂ））。６
は珪素系酸化膜３およびレジスト膜５をドライエッチン
グにより平坦化したものである（図５（ｃ））。
坦化した場合の断面構造を示す。図５において、１は半
導体素子が形成されたシリコン基板である。２はシリコ
ン基板１上に形成される多層配線構造における下層アル
ミニウム配線である。３は下層アルミニウム配線２上に
形成された珪素系酸化膜である。４は珪素系酸化膜３の
上にスピンコート法で形成されたレジスト膜である（図
５（ａ））。５は平坦化エッチバックを行うために、余
剰部分を除去したレジスト膜である（図５（ｂ））。６
は珪素系酸化膜３およびレジスト膜５をドライエッチン
グにより平坦化したものである（図５（ｃ））。
【０００６】図６は従来のレジストエッチバックによる
平坦化のための装置の構成を示す。図６において、７は
各反応室にウェハを移動させるためのトランスファーチ
ャンバーである。８はウェハを真空中に保持するための
ロードロック室で、トランスファーチャンバー７の一端
にスリットバルブを介して設置されている。９は余剰の
レジスト膜を除去するエッチングチャンバーで、トラン
スファーチャンバー７の一端にスリットバルブを介して
設置されている。１０は余剰のレジスト膜の除去の終点
を検出するために光信号を電気信号に変換する光電管
で、エッチングチャンバー９の一端に石英ガラスを介し
て設置されている。１１は余剰のレジスト膜の除去の終
点を検出するためのエンドポイントモニターで、光電管
１０によって変換された電気信号が入力されるようにな
っている。１２は平坦化エッチングを行うエッチングチ
ャンバーで、トランスファーチャンバー７の一端にスリ
ットバルブを介して設置されている。１３はエッチング
制御器で、エンドポイントモニター１１の信号が入力さ
れるようになっており、レジスト膜のエッチングの終点
を制御する。
平坦化のための装置の構成を示す。図６において、７は
各反応室にウェハを移動させるためのトランスファーチ
ャンバーである。８はウェハを真空中に保持するための
ロードロック室で、トランスファーチャンバー７の一端
にスリットバルブを介して設置されている。９は余剰の
レジスト膜を除去するエッチングチャンバーで、トラン
スファーチャンバー７の一端にスリットバルブを介して
設置されている。１０は余剰のレジスト膜の除去の終点
を検出するために光信号を電気信号に変換する光電管
で、エッチングチャンバー９の一端に石英ガラスを介し
て設置されている。１１は余剰のレジスト膜の除去の終
点を検出するためのエンドポイントモニターで、光電管
１０によって変換された電気信号が入力されるようにな
っている。１２は平坦化エッチングを行うエッチングチ
ャンバーで、トランスファーチャンバー７の一端にスリ
ットバルブを介して設置されている。１３はエッチング
制御器で、エンドポイントモニター１１の信号が入力さ
れるようになっており、レジスト膜のエッチングの終点
を制御する。
【０００７】以上のように構成された装置において、ま
ず、下層アルミニウム配線２上に、珪素系酸化膜３を少
なくとも凹部がエッチバックを行う位置以上の膜厚にな
るまで形成する。珪素系酸化膜３を形成したウェハ上
に、少なくとも珪素系酸化膜３の凸部以上の膜厚のレジ
スト膜４をスピンコート法で形成する。レジスト膜４を
形成したウェハを、ロードロックチャンバー８で真空引
きする。そして、トランスファーチャンバー７を介して
エッチングチャンバー９に移載する。ここでは、ドライ
エッチングのＯ2プラズマによりレジスト膜４の余剰部
分を除去する。このとき、下部の珪素系酸化膜３が露出
してくると、プラズマ中の酸素ラジカル量が徐々に増加
して酸素プラズマの発光強度が増加する。エンドポイン
トモニター１１で酸素プラズマの発光強度を観察し、そ
の強度が所定の値に達した時点でエッチングを終了す
る。次に、ウェハをトランスファーチャンバー７を介し
て、エッチングチャンバー１２に移載する。Ｏ2／ＣＦ4
／ＣＨＦ3混合ガスのプラズマを用いてレジスト膜５と
珪素系酸化膜３とを同時にドライエッチングする。所定
の膜厚に達した時点でエッチングを終了すると、平坦化
された珪素系酸化膜６が得られる。
ず、下層アルミニウム配線２上に、珪素系酸化膜３を少
なくとも凹部がエッチバックを行う位置以上の膜厚にな
るまで形成する。珪素系酸化膜３を形成したウェハ上
に、少なくとも珪素系酸化膜３の凸部以上の膜厚のレジ
スト膜４をスピンコート法で形成する。レジスト膜４を
形成したウェハを、ロードロックチャンバー８で真空引
きする。そして、トランスファーチャンバー７を介して
エッチングチャンバー９に移載する。ここでは、ドライ
エッチングのＯ2プラズマによりレジスト膜４の余剰部
分を除去する。このとき、下部の珪素系酸化膜３が露出
してくると、プラズマ中の酸素ラジカル量が徐々に増加
して酸素プラズマの発光強度が増加する。エンドポイン
トモニター１１で酸素プラズマの発光強度を観察し、そ
の強度が所定の値に達した時点でエッチングを終了す
る。次に、ウェハをトランスファーチャンバー７を介し
て、エッチングチャンバー１２に移載する。Ｏ2／ＣＦ4
／ＣＨＦ3混合ガスのプラズマを用いてレジスト膜５と
珪素系酸化膜３とを同時にドライエッチングする。所定
の膜厚に達した時点でエッチングを終了すると、平坦化
された珪素系酸化膜６が得られる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記のよ
うな構成では、レジスト膜４の余剰部分のエッチング量
を酸素プラズマの発光強度で検出しているため、珪素系
酸化膜３がある一定面積以上表面に露出しないと終点検
出することができず、平坦度の制御を精度よく行うこと
ができない。
うな構成では、レジスト膜４の余剰部分のエッチング量
を酸素プラズマの発光強度で検出しているため、珪素系
酸化膜３がある一定面積以上表面に露出しないと終点検
出することができず、平坦度の制御を精度よく行うこと
ができない。
【０００９】本発明は上記問題点に鑑み、レジストエッ
チバック法による珪素系酸化膜の平坦度の制御装置、お
よびその制御方法を供給するものである。
チバック法による珪素系酸化膜の平坦度の制御装置、お
よびその制御方法を供給するものである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記問題点を解決するた
めに本発明の平坦化制御装置は、ウェハを移動させるた
めのトランスファーチャンバーと、トランスファーチャ
ンバーの一端に設置されているウェハを真空中に保持す
るためのロードロック室と、トランスファーチャンバー
の一端に設置されている余剰のレジスト膜を除去するエ
ッチングチャンバーと、トランスファーチャンバーの一
端に設置されている平坦化エッチングを行うためのエッ
チングチャンバーと、トランスファーチャンバーの一端
に設置されている平坦度を検出するためのチャンバー
と、チャンバー内に設置されている段差を検出する装置
と、エッチング制御器と、段差検出装置による測定結果
が、前記エッチング制御器にフィードバックされる。
めに本発明の平坦化制御装置は、ウェハを移動させるた
めのトランスファーチャンバーと、トランスファーチャ
ンバーの一端に設置されているウェハを真空中に保持す
るためのロードロック室と、トランスファーチャンバー
の一端に設置されている余剰のレジスト膜を除去するエ
ッチングチャンバーと、トランスファーチャンバーの一
端に設置されている平坦化エッチングを行うためのエッ
チングチャンバーと、トランスファーチャンバーの一端
に設置されている平坦度を検出するためのチャンバー
と、チャンバー内に設置されている段差を検出する装置
と、エッチング制御器と、段差検出装置による測定結果
が、前記エッチング制御器にフィードバックされる。
【００１１】上記問題点を解決するために本発明の平坦
化制御方法は、段差を検出するためのチャンバー内でレ
ーザー光を照射し、段差部で反射されたレーザー光を干
渉検出器で検出し、その段差を測定する。
化制御方法は、段差を検出するためのチャンバー内でレ
ーザー光を照射し、段差部で反射されたレーザー光を干
渉検出器で検出し、その段差を測定する。
【００１２】また、段差を検出するためのチャンバー内
で段差測定用の探針を掃引して段差を測定する。
で段差測定用の探針を掃引して段差を測定する。
【００１３】
【作用】本発明は上記した構成によって従来のレジスト
エッチバック法では不可能であった珪素系酸化膜の平坦
度を精度よく制御することが可能となる。
エッチバック法では不可能であった珪素系酸化膜の平坦
度を精度よく制御することが可能となる。
【００１４】
【実施例】以下本発明の実施例のレジストエッチバック
法による平坦度の制御方法について、図面を参照しなが
ら説明する。
法による平坦度の制御方法について、図面を参照しなが
ら説明する。
【００１５】図１は本発明の一実施例におけるレジスト
エッチバック法による平坦度制御を行ったときの断面構
造を示す。
エッチバック法による平坦度制御を行ったときの断面構
造を示す。
【００１６】図１において、１は半導体素子が形成され
たシリコン基板である。２はシリコン基板１上に形成さ
れる多層配線構造における下層アルミニウム配線であ
る。３は下層アルミニウム配線２上に形成された珪素系
酸化膜である。４は珪素系酸化膜３の上にスピンコート
法で形成されたレジスト膜である（図１（ａ））。１４
は平坦化エッチバックを行うために、余剰部分を除去し
たレジスト膜である（図１（ｂ））。１５は珪素系酸化
膜３およびレジスト膜１４をドライエッチングにより平
坦化したものである（図１（ｃ））。１６は平坦度を検
出するためのレーザー光である。
たシリコン基板である。２はシリコン基板１上に形成さ
れる多層配線構造における下層アルミニウム配線であ
る。３は下層アルミニウム配線２上に形成された珪素系
酸化膜である。４は珪素系酸化膜３の上にスピンコート
法で形成されたレジスト膜である（図１（ａ））。１４
は平坦化エッチバックを行うために、余剰部分を除去し
たレジスト膜である（図１（ｂ））。１５は珪素系酸化
膜３およびレジスト膜１４をドライエッチングにより平
坦化したものである（図１（ｃ））。１６は平坦度を検
出するためのレーザー光である。
【００１７】図２は本発明の実施例におけるレジストエ
ッチバック法による平坦度の制御を行うための装置の構
成を示す。
ッチバック法による平坦度の制御を行うための装置の構
成を示す。
【００１８】図２において、７は各反応室にウェハを移
動させるためのトランスファーチャンバーである。８は
ウェハを真空中に保持するためのロードロック室で、ト
ランスファーチャンバー７の一端にスリットバルブを介
して設置されている。９は余剰のレジスト膜を除去する
エッチングチャンバーで、トランスファーチャンバー７
の一端にスリットバルブを介して設置されている。１２
は平坦化エッチングを行うエッチングチャンバーで、ト
ランスファーチャンバー７の一端にスリットバルブを介
して設置されている。１３はエッチング制御器である。
１７は平坦度を検出するためのチャンバーで、トランス
ファーチャンバー７の一端にスリットバルブを介して設
置されている。１８は段差を検出する装置で、チャンバ
ー１７の内部に設置されている。また、段差検出装置１
８による測定結果は、エッチング制御器１３にフィード
バックされるようになっており、平坦度の制御が行え
る。
動させるためのトランスファーチャンバーである。８は
ウェハを真空中に保持するためのロードロック室で、ト
ランスファーチャンバー７の一端にスリットバルブを介
して設置されている。９は余剰のレジスト膜を除去する
エッチングチャンバーで、トランスファーチャンバー７
の一端にスリットバルブを介して設置されている。１２
は平坦化エッチングを行うエッチングチャンバーで、ト
ランスファーチャンバー７の一端にスリットバルブを介
して設置されている。１３はエッチング制御器である。
１７は平坦度を検出するためのチャンバーで、トランス
ファーチャンバー７の一端にスリットバルブを介して設
置されている。１８は段差を検出する装置で、チャンバ
ー１７の内部に設置されている。また、段差検出装置１
８による測定結果は、エッチング制御器１３にフィード
バックされるようになっており、平坦度の制御が行え
る。
【００１９】図３は本発明の実施例におけるレジストエ
ッチバック法による段差検出を行う装置を示す。
ッチバック法による段差検出を行う装置を示す。
【００２０】１９はレーザー光出力装置である。レーザ
ー光出力装置１９から出力されたレーザー光は段差部の
凸部と凹部でともに反射される。２０は段差部で反射さ
れたレーザー光の干渉検出器で、段差部の大きさを測定
する。
ー光出力装置１９から出力されたレーザー光は段差部の
凸部と凹部でともに反射される。２０は段差部で反射さ
れたレーザー光の干渉検出器で、段差部の大きさを測定
する。
【００２１】まず、下層アルミニウム配線２上に、珪素
系酸化膜３を少なくとも凹部がエッチバックを行う位置
以上の膜厚になるまで形成する。珪素系酸化膜３を形成
したウェハ上に、少なくとも珪素系酸化膜３の凸部以上
の膜厚のレジスト膜４をスピンコート法で形成する。レ
ジスト膜４を塗布したウェハを、ロードロックチャンバ
ー８で真空引きする。トランスファーチャンバー７を介
して、エッチングチャンバー９に移載する。ここではド
ライエッチングのＯ2プラズマによりレジスト膜４の余
剰部分を除去する。このとき、前回エッチングしたウェ
ハの段差測定結果をもとに、エッチング時間を決める。
次に、ウェハをトランスファーチャンバー７を介して、
エッチングチャンバー１２に移載する。Ｏ2／ＣＦ4／Ｃ
ＨＦ3混合ガスのプラズマを用いて、レジスト膜５と珪
素系酸化膜３とを同時にドライエッチングする。所定の
膜厚に達した時点でエッチングを終了すると、平坦化さ
れた珪素系酸化膜６が得られる。次に、ウェハをトラン
スファーチャンバー７を介して、段差を検出するための
チャンバー１７に移載する。ウェハ上の段差部にレーザ
ー光出力装置１９からのレーザー光を照射する。段差部
で反射されたレーザー光を干渉検出器２０で検出し、そ
の段差を測定する。測定結果はエッチング制御器にフィ
ードバックされる。このとき、段差が目標値より大きい
場合にはエッチング時間を短くするように、小さい場合
にはエッチング時間を長くするように制御する。
系酸化膜３を少なくとも凹部がエッチバックを行う位置
以上の膜厚になるまで形成する。珪素系酸化膜３を形成
したウェハ上に、少なくとも珪素系酸化膜３の凸部以上
の膜厚のレジスト膜４をスピンコート法で形成する。レ
ジスト膜４を塗布したウェハを、ロードロックチャンバ
ー８で真空引きする。トランスファーチャンバー７を介
して、エッチングチャンバー９に移載する。ここではド
ライエッチングのＯ2プラズマによりレジスト膜４の余
剰部分を除去する。このとき、前回エッチングしたウェ
ハの段差測定結果をもとに、エッチング時間を決める。
次に、ウェハをトランスファーチャンバー７を介して、
エッチングチャンバー１２に移載する。Ｏ2／ＣＦ4／Ｃ
ＨＦ3混合ガスのプラズマを用いて、レジスト膜５と珪
素系酸化膜３とを同時にドライエッチングする。所定の
膜厚に達した時点でエッチングを終了すると、平坦化さ
れた珪素系酸化膜６が得られる。次に、ウェハをトラン
スファーチャンバー７を介して、段差を検出するための
チャンバー１７に移載する。ウェハ上の段差部にレーザ
ー光出力装置１９からのレーザー光を照射する。段差部
で反射されたレーザー光を干渉検出器２０で検出し、そ
の段差を測定する。測定結果はエッチング制御器にフィ
ードバックされる。このとき、段差が目標値より大きい
場合にはエッチング時間を短くするように、小さい場合
にはエッチング時間を長くするように制御する。
【００２２】以上本実施例によれば、平坦度検出チャン
バー１７および段差検出装置１８を設けることにより、
平坦度を精度よく制御することができる。
バー１７および段差検出装置１８を設けることにより、
平坦度を精度よく制御することができる。
【００２３】図４は本発明の他の実施例におけるレジス
トエッチバック法による段差検出を行う装置を示す。図
において、２１は段差測定用の探針で、段差部を掃引す
るようになっている。
トエッチバック法による段差検出を行う装置を示す。図
において、２１は段差測定用の探針で、段差部を掃引す
るようになっている。
【００２４】まず、下層アルミニウム配線２上に、珪素
系酸化膜３を少なくとも凹部がエッチバックを行う位置
以上の膜厚になるまで形成する。珪素系酸化膜３を形成
したウェハ上に、少なくとも珪素系酸化膜３の凸部以上
の膜厚のレジスト膜４をスピンコート法で形成する。レ
ジスト膜４を形成したウェハを、ロードロックチャンバ
ー８で真空引きする。トランスファーチャンバー７を介
して、エッチングチャンバー９に移載する。ここではド
ライエッチングのＯ2プラズマによりレジスト膜４の余
剰部分を除去する。このとき、前回エッチングしたウェ
ハの段差測定結果をもとに、エッチング時間を決める。
次に、ウェハをトランスファーチャンバー７を介して、
エッチングチャンバー１２に移載する。Ｏ2／ＣＦ4／Ｃ
ＨＦ3混合ガスのプラズマを用いてレジスト膜５と珪素
系酸化膜３を同時にドライエッチングする。所定の膜厚
に達した時点でエッチングを終了すると、平坦化された
珪素系酸化膜６が得られる。次に、ウェハをトランスフ
ァーチャンバー７を介して、段差を検出するためのチャ
ンバー１７に移載する。ウェハ上の段差部に探針２１を
掃引させ、その段差を測定する。測定結果はエッチング
制御器にフィードバックされる。このとき、段差が目標
値より大きい場合にはエッチング時間を短くするよう
に、また、小さい場合にはエッチング時間を長くするよ
うに制御する。
系酸化膜３を少なくとも凹部がエッチバックを行う位置
以上の膜厚になるまで形成する。珪素系酸化膜３を形成
したウェハ上に、少なくとも珪素系酸化膜３の凸部以上
の膜厚のレジスト膜４をスピンコート法で形成する。レ
ジスト膜４を形成したウェハを、ロードロックチャンバ
ー８で真空引きする。トランスファーチャンバー７を介
して、エッチングチャンバー９に移載する。ここではド
ライエッチングのＯ2プラズマによりレジスト膜４の余
剰部分を除去する。このとき、前回エッチングしたウェ
ハの段差測定結果をもとに、エッチング時間を決める。
次に、ウェハをトランスファーチャンバー７を介して、
エッチングチャンバー１２に移載する。Ｏ2／ＣＦ4／Ｃ
ＨＦ3混合ガスのプラズマを用いてレジスト膜５と珪素
系酸化膜３を同時にドライエッチングする。所定の膜厚
に達した時点でエッチングを終了すると、平坦化された
珪素系酸化膜６が得られる。次に、ウェハをトランスフ
ァーチャンバー７を介して、段差を検出するためのチャ
ンバー１７に移載する。ウェハ上の段差部に探針２１を
掃引させ、その段差を測定する。測定結果はエッチング
制御器にフィードバックされる。このとき、段差が目標
値より大きい場合にはエッチング時間を短くするよう
に、また、小さい場合にはエッチング時間を長くするよ
うに制御する。
【００２５】以上本実施例によれば、平坦度検出チャン
バー１７および段差検出装置１８を設けることにより、
平坦度を精度よく制御することができる。
バー１７および段差検出装置１８を設けることにより、
平坦度を精度よく制御することができる。
【００２６】
【発明の効果】本発明は、平坦度を光の干渉により検出
する装置を設けることにより、平坦度の制御を精度よく
行うことができる。
する装置を設けることにより、平坦度の制御を精度よく
行うことができる。
【００２７】さらにまた、平坦度を探針により検出する
装置を設けることにより、平坦度の制御を精度よく行う
ことができる。
装置を設けることにより、平坦度の制御を精度よく行う
ことができる。
【図１】本発明の実施例におけるウェハの平坦化工程を
示すウェハの断面図
示すウェハの断面図
【図２】同実施例におけるレジストエッチバック装置の
構成を概略的に示す平面図
構成を概略的に示す平面図
【図３】本発明の一実施例における段差検出装置の構成
を概略的に示す正面図
を概略的に示す正面図
【図４】本発明の他の実施例における段差検出装置の構
成を概略的に示す正面図
成を概略的に示す正面図
【図５】従来例におけるウェハの平坦化工程を示すウェ
ハの断面図
ハの断面図
【図６】従来例におけるレジストエッチバック装置の構
成を概略的に示す平面図
成を概略的に示す平面図
１ 半導体素子が形成されたシリコン基板 ２ 下層アルミニウム配線 ３ 珪素系酸化膜 ４ レジスト膜 ５ 余剰部分を除去したレジスト膜 ６ 平坦化した珪素系酸化膜 ７ トランスファーチャンバー ８ ロードロック室 ９ エッチングチャンバー １０ 光電管 １１ エンドポイントモニター １２ エッチングチャンバー １３ エッチング制御器 １４ 余剰部分を除去したレジスト膜 １５ 平坦化した珪素系酸化膜 １６ 平坦度を検出するためのレーザー光 １７ 平坦度を検出するためのチャンバー １８ 段差を検出する装置 １９ レーザー光出力装置 ２０ レーザー光の干渉検出器 ２１ 段差測定用探針
Claims (3)
- 【請求項１】 ウェハを移動させるためのトランスファ
ーチャンバーと、前記トランスファーチャンバーの一端
に設置されているウェハを真空中に保持するためのロー
ドロック室と、前記トランスファーチャンバーの一端に
設置されている余剰のレジスト膜を除去するエッチング
チャンバーと、前記トランスファーチャンバーの一端に
設置されている平坦化エッチングを行うためのエッチン
グチャンバーと、前記トランスファーチャンバーの一端
に設置されている平坦度を検出するためのチャンバー
と、前記チャンバー内に設置されている段差を検出する
装置と、エッチング制御器と、前記段差検出装置による
測定結果が、前記エッチング制御器にフィードバックさ
れることを特徴とする平坦度制御装置。 - 【請求項２】 段差を検出するためのチャンバー内でレ
ーザー光を照射し、段差部で反射されたレーザー光を干
渉検出器で検出し、その段差を測定することを特徴とす
るレジストエッチバック法における平坦度制御方法。 - 【請求項３】 段差を検出するためのチャンバー内で段
差測定用の探針を掃引して段差を測定することを特徴と
するレジストエッチバック法における平坦度制御方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5028894A JPH07263418A (ja) | 1994-03-22 | 1994-03-22 | 平坦度制御装置および平坦度制御方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5028894A JPH07263418A (ja) | 1994-03-22 | 1994-03-22 | 平坦度制御装置および平坦度制御方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07263418A true JPH07263418A (ja) | 1995-10-13 |
Family
ID=12854736
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5028894A Pending JPH07263418A (ja) | 1994-03-22 | 1994-03-22 | 平坦度制御装置および平坦度制御方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07263418A (ja) |
-
1994
- 1994-03-22 JP JP5028894A patent/JPH07263418A/ja active Pending
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