JPH07253594A - 表示装置 - Google Patents
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- JPH07253594A JPH07253594A JP4447094A JP4447094A JPH07253594A JP H07253594 A JPH07253594 A JP H07253594A JP 4447094 A JP4447094 A JP 4447094A JP 4447094 A JP4447094 A JP 4447094A JP H07253594 A JPH07253594 A JP H07253594A
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-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/1368—Active matrix addressed cells in which the switching element is a three-electrode device
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H29/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one light-emitting semiconductor element covered by group H10H20/00
- H10H29/10—Integrated devices comprising at least one light-emitting semiconductor component covered by group H10H20/00
- H10H29/14—Integrated devices comprising at least one light-emitting semiconductor component covered by group H10H20/00 comprising multiple light-emitting semiconductor components
- H10H29/142—Two-dimensional arrangements, e.g. asymmetric LED layout
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
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- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1347—Arrangement of liquid crystal layers or cells in which the final condition of one light beam is achieved by the addition of the effects of two or more layers or cells
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 透明な駆動回路を設けられた透明な駆動回路
層を有し、かかる透明駆動回路層上に表示層を積層して
なる透明な二次元表示装置およびかかる透明な表示装置
を積層して形成された三次元表示装置を提供することを
目的とする。 【構成】 表示素子層中の表示素子を駆動する駆動回路
を、誘電体を活性層として有する誘電体ベーストランジ
スタにより形成する。
層を有し、かかる透明駆動回路層上に表示層を積層して
なる透明な二次元表示装置およびかかる透明な表示装置
を積層して形成された三次元表示装置を提供することを
目的とする。 【構成】 表示素子層中の表示素子を駆動する駆動回路
を、誘電体を活性層として有する誘電体ベーストランジ
スタにより形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、一般に表示装置に関
し、特に液晶あるいは発光素子を使った表示装置に関す
る。
し、特に液晶あるいは発光素子を使った表示装置に関す
る。
【０００２】液晶表示装置は情報を視覚的に表示する表
示装置として広く使われている。特に、コンピュータ等
の情報処理装置においては、大きな画面を有し、高速
で、かつ広い視野角で情報を表示できる安価なフルカラ
ー表示装置が要求されている。このためには、各々の画
素に対応して駆動回路を有するいわゆるアクティブマト
リクス方式の液晶表示装置が一般的に使われている。か
かるアクティブマトリクス方式の液晶表示装置では、個
々の画素を構成する液晶セルに電圧を印加してその状態
を変化させるため、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）が駆動
回路として使われる。
示装置として広く使われている。特に、コンピュータ等
の情報処理装置においては、大きな画面を有し、高速
で、かつ広い視野角で情報を表示できる安価なフルカラ
ー表示装置が要求されている。このためには、各々の画
素に対応して駆動回路を有するいわゆるアクティブマト
リクス方式の液晶表示装置が一般的に使われている。か
かるアクティブマトリクス方式の液晶表示装置では、個
々の画素を構成する液晶セルに電圧を印加してその状態
を変化させるため、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）が駆動
回路として使われる。
【０００３】
【従来の技術】図２１は、従来のアクティブマトリクス
方式の液晶表示装置の断面に対応する等価回路図であ
る。
方式の液晶表示装置の断面に対応する等価回路図であ
る。
【０００４】図２１を参照するに、液晶表示装置は通常
の如く一対のガラス基板（図示せず）の間に封入された
液晶層と、前記一対のガラス板上に、互いに対向するよ
うに形成され、表示される画素に対応して液晶セルＣＥ
ＬＬを画成する一対の電極と、前記電極に電圧を印加し
て液晶セル中の液晶の光学的状態を変化させる駆動回路
とより構成され、前記電極をキャパシタＬＣで、また前
記駆動回路をトランジスタＴｒで表す。先にも説明した
ように、駆動回路ＴｒはＴＦＴより構成され、また、電
圧保持特性を向上させるため、各々の液晶セルには別の
キャパシタＣが形成されている。
の如く一対のガラス基板（図示せず）の間に封入された
液晶層と、前記一対のガラス板上に、互いに対向するよ
うに形成され、表示される画素に対応して液晶セルＣＥ
ＬＬを画成する一対の電極と、前記電極に電圧を印加し
て液晶セル中の液晶の光学的状態を変化させる駆動回路
とより構成され、前記電極をキャパシタＬＣで、また前
記駆動回路をトランジスタＴｒで表す。先にも説明した
ように、駆動回路ＴｒはＴＦＴより構成され、また、電
圧保持特性を向上させるため、各々の液晶セルには別の
キャパシタＣが形成されている。
【０００５】かかる構成の従来の液晶表示装置では、Ｔ
ＦＴが光照射を受けるとＴＦＴを構成するシリコンある
いはその他の半導体材料中においてキャリアが励起さ
れ、誤動作が生じてしまう。そのため、かかる光照射に
ともなう誤動作を回避するため、従来の液晶表示装置は
ＴＦＴに対応してガラス基板上に遮光層ＳＨを形成して
いた。
ＦＴが光照射を受けるとＴＦＴを構成するシリコンある
いはその他の半導体材料中においてキャリアが励起さ
れ、誤動作が生じてしまう。そのため、かかる光照射に
ともなう誤動作を回避するため、従来の液晶表示装置は
ＴＦＴに対応してガラス基板上に遮光層ＳＨを形成して
いた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかし、ガラス基板上
に各々の駆動回路に対応して遮光層ＳＨを設けると、特
に液晶層をバックライトで照明する透過型の液晶表示装
置において、輝度が実質的に低下してしまう問題点が発
生する。また、かかる遮光層ＳＨを設けない場合でも、
ＴＦＴを構成するシリコンやその他の半導体装置が可視
光に対して不透明であるため、輝度の低下は避けられな
い。先にも説明したように、アクティブマトリクス型の
液晶表示装置では駆動回路が各々の液晶セルに対応して
形成されるため、遮光層ＳＨも各々の液晶セルに対応し
て形成されることになり、液晶表示装置全体としての輝
度の低下は実質的なものとなる。さらに、かかる従来の
液晶表示装置では、駆動回路が可視光に対して不透明で
あるため、駆動回路を液晶セルの上または下に積層する
ことができず、図２１に示すように液晶セルと実質的に
同一平面上に、液晶セルに隣接するように形成するほか
ない。このため、各々の液晶セルのピッチは実際の液晶
セルを画成する電極の寸法よりも大きくなってしまい、
高い解像度の表示が制限されてしまう。さらに、かかる
従来の液晶表示装置では、輝度の低下が非常に大きくな
るため多数の液晶パネルを積層することができなかっ
た。
に各々の駆動回路に対応して遮光層ＳＨを設けると、特
に液晶層をバックライトで照明する透過型の液晶表示装
置において、輝度が実質的に低下してしまう問題点が発
生する。また、かかる遮光層ＳＨを設けない場合でも、
ＴＦＴを構成するシリコンやその他の半導体装置が可視
光に対して不透明であるため、輝度の低下は避けられな
い。先にも説明したように、アクティブマトリクス型の
液晶表示装置では駆動回路が各々の液晶セルに対応して
形成されるため、遮光層ＳＨも各々の液晶セルに対応し
て形成されることになり、液晶表示装置全体としての輝
度の低下は実質的なものとなる。さらに、かかる従来の
液晶表示装置では、駆動回路が可視光に対して不透明で
あるため、駆動回路を液晶セルの上または下に積層する
ことができず、図２１に示すように液晶セルと実質的に
同一平面上に、液晶セルに隣接するように形成するほか
ない。このため、各々の液晶セルのピッチは実際の液晶
セルを画成する電極の寸法よりも大きくなってしまい、
高い解像度の表示が制限されてしまう。さらに、かかる
従来の液晶表示装置では、輝度の低下が非常に大きくな
るため多数の液晶パネルを積層することができなかっ
た。
【０００７】かかる液晶パネルの積層の問題に関連し
て、従来の液晶表示装置においてフルカラー液晶表示装
置を構成しようとすると、三原色に対応する液晶セルを
同一平面上に隣接して配列する必要があり、単一の画素
に対して液晶表示装置を構成するガラス基板上において
非常に大きな面積の領域が必要である問題点があった。
て、従来の液晶表示装置においてフルカラー液晶表示装
置を構成しようとすると、三原色に対応する液晶セルを
同一平面上に隣接して配列する必要があり、単一の画素
に対して液晶表示装置を構成するガラス基板上において
非常に大きな面積の領域が必要である問題点があった。
【０００８】図２２は従来のフルカラー液晶表示装置の
断面に対応する等価回路図を示す。
断面に対応する等価回路図を示す。
【０００９】図２２を参照するに、単一の画素に対応す
る単一の液晶セルは実際には赤、緑、青の三原色の液晶
セルの集合よりなっており、前記赤、緑、青の各々の液
晶セルに対応してフィルタＦＬ、駆動回路Ｔｒおよび遮
光層ＳＨが形成されている。このため、かかるフルカラ
ー構成の液晶表示装置は単一の画素が占める面積が図２
１の装置の３倍になるのみならず、輝度の低下も３倍に
なってしまう。このため、かかるフルカラーの液晶表示
装置では、損失の少ない特殊な構成のバックライト装置
が必要になっていた。
る単一の液晶セルは実際には赤、緑、青の三原色の液晶
セルの集合よりなっており、前記赤、緑、青の各々の液
晶セルに対応してフィルタＦＬ、駆動回路Ｔｒおよび遮
光層ＳＨが形成されている。このため、かかるフルカラ
ー構成の液晶表示装置は単一の画素が占める面積が図２
１の装置の３倍になるのみならず、輝度の低下も３倍に
なってしまう。このため、かかるフルカラーの液晶表示
装置では、損失の少ない特殊な構成のバックライト装置
が必要になっていた。
【００１０】そこで、本発明は上記の課題を解決した、
新規で有用な表示装置を提供することを概括的目的とす
る。
新規で有用な表示装置を提供することを概括的目的とす
る。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記の課題を
情報を光学的に表示する光学的表示装置において、光学
的に透明な基板と；前記基板上に形成された、光学的に
透明な駆動回路と；前記駆動回路上に形成され、前記駆
動回路に電気的に接続され、前記駆動回路から供給され
る駆動信号に応じて光学的状態を変化させる表示素子と
よりなることを特徴とする表示装置により、または情報
を光学的に表示する光学的表示装置において、各々光学
的に透明な基板と、前記基板上に形成された光学的に透
明な駆動回路と、前記駆動回路上に形成され、前記駆動
回路に電気的に接続され、前記駆動回路から供給される
駆動信号に応じて光学的状態を変化させる表示素子とを
含む複数のパネルよりなり、前記複数のパネルを積層し
たことを特徴とする表示装置により解決する。
情報を光学的に表示する光学的表示装置において、光学
的に透明な基板と；前記基板上に形成された、光学的に
透明な駆動回路と；前記駆動回路上に形成され、前記駆
動回路に電気的に接続され、前記駆動回路から供給され
る駆動信号に応じて光学的状態を変化させる表示素子と
よりなることを特徴とする表示装置により、または情報
を光学的に表示する光学的表示装置において、各々光学
的に透明な基板と、前記基板上に形成された光学的に透
明な駆動回路と、前記駆動回路上に形成され、前記駆動
回路に電気的に接続され、前記駆動回路から供給される
駆動信号に応じて光学的状態を変化させる表示素子とを
含む複数のパネルよりなり、前記複数のパネルを積層し
たことを特徴とする表示装置により解決する。
【００１２】
【作用】本発明によれば、前記透明基板上に形成される
駆動回路を光学的に透明な材料により構成することによ
り、表示装置を通過する光が駆動回路で遮断されてしま
う問題点が回避される。特に、活性部がバンドギャップ
の大きな誘電体よりなるトランジスタ、より具体的には
誘電体ベーストランジスタを駆動回路に使うことによ
り、光が入射しても駆動回路が誤動作することがなく、
このため本発明による表示装置では、従来の液晶表示装
置等において駆動回路を遮光するために設けられていた
遮光膜が不要になる。その結果、表示装置を通過する光
の光量の低下は実質的に減少り、表示装置の輝度が向上
する。かかる誘電体ベーストランジスタは可視光に対し
て実質的に透明であるため、発光素子や液晶素子の光路
を遮断するように形成しても、表示装置の光学的な動作
に影響しない。このため、駆動回路に通常の動作で使わ
れる主トランジスタの他に、かかる主トランジスタが故
障した場合に備えて冗長トランジスタを設けても、表示
装置を透過する光の光量が減少したり表示が見えなくな
ってしまうことがない。その結果、表示装置の信頼性が
向上する。特に、本発明による表示装置は発光素子を使
った表示装置あるいは液晶素子を使った表示装置を構成
するのに有利である。
駆動回路を光学的に透明な材料により構成することによ
り、表示装置を通過する光が駆動回路で遮断されてしま
う問題点が回避される。特に、活性部がバンドギャップ
の大きな誘電体よりなるトランジスタ、より具体的には
誘電体ベーストランジスタを駆動回路に使うことによ
り、光が入射しても駆動回路が誤動作することがなく、
このため本発明による表示装置では、従来の液晶表示装
置等において駆動回路を遮光するために設けられていた
遮光膜が不要になる。その結果、表示装置を通過する光
の光量の低下は実質的に減少り、表示装置の輝度が向上
する。かかる誘電体ベーストランジスタは可視光に対し
て実質的に透明であるため、発光素子や液晶素子の光路
を遮断するように形成しても、表示装置の光学的な動作
に影響しない。このため、駆動回路に通常の動作で使わ
れる主トランジスタの他に、かかる主トランジスタが故
障した場合に備えて冗長トランジスタを設けても、表示
装置を透過する光の光量が減少したり表示が見えなくな
ってしまうことがない。その結果、表示装置の信頼性が
向上する。特に、本発明による表示装置は発光素子を使
った表示装置あるいは液晶素子を使った表示装置を構成
するのに有利である。
【００１３】さらに、本発明では駆動回路が光学的に透
明でまた駆動回路を遮光する必要がないため、各々が基
板上に形成された駆動回路と表示素子よりなる表示パネ
ルを多層にわたって積層した表示装置を構成することが
できる。かかる多層構成の表示装置では、光は各パネル
を順次通過して出射する。その際、各パネルを三原色の
一の色に対応させることにより、フルカラー表示が可能
な表示装置を容易に構成することができる。かかるフル
カラー表示装置では、三原色の画素を垂直方向に積層す
ることができるため、従来のカラー液晶表示装置におけ
るように三原色の画素を横に並べる必要がなくなり、そ
の結果表示されるカラー画素の大きさを小さく、また画
素のドットピッチを小さく形成することが可能になる。
また、かかる表示パネルを多数積層することにより、情
報を三次元空間で表示する三次元表示装置を構成するこ
とが可能である。特に、径の異なる円形のパネルを上下
に積層することにより、あるいは球殻状のパネルを積層
することにより、あるいは円筒形状のパネルを同軸的に
積層することにより、球状のあるは円筒形状の三次元表
示装置を形成することが可能である。特に、かかる三次
元表示装置においては、各々の表示パネルが実質的に透
明であるため、中心に単一の光源を設けることが可能で
ある。
明でまた駆動回路を遮光する必要がないため、各々が基
板上に形成された駆動回路と表示素子よりなる表示パネ
ルを多層にわたって積層した表示装置を構成することが
できる。かかる多層構成の表示装置では、光は各パネル
を順次通過して出射する。その際、各パネルを三原色の
一の色に対応させることにより、フルカラー表示が可能
な表示装置を容易に構成することができる。かかるフル
カラー表示装置では、三原色の画素を垂直方向に積層す
ることができるため、従来のカラー液晶表示装置におけ
るように三原色の画素を横に並べる必要がなくなり、そ
の結果表示されるカラー画素の大きさを小さく、また画
素のドットピッチを小さく形成することが可能になる。
また、かかる表示パネルを多数積層することにより、情
報を三次元空間で表示する三次元表示装置を構成するこ
とが可能である。特に、径の異なる円形のパネルを上下
に積層することにより、あるいは球殻状のパネルを積層
することにより、あるいは円筒形状のパネルを同軸的に
積層することにより、球状のあるは円筒形状の三次元表
示装置を形成することが可能である。特に、かかる三次
元表示装置においては、各々の表示パネルが実質的に透
明であるため、中心に単一の光源を設けることが可能で
ある。
【００１４】図２３は、本発明の出願人が先に提案した
誘電体ベーストランジスタの構造を示す図である。
誘電体ベーストランジスタの構造を示す図である。
【００１５】図２３を参照するに、誘電体ベーストラン
ジスタはベースとして作用するｎ型にドープされたＳｒ
ＴｉＯ3 等の誘電体基板１１上に形成され、基板１１の
下面にはＡｇペースト層１２ａ等を介してベース電極１
２が形成される。基板１２の上面には、エミッタおよび
コレクタに対応して薄いＭｇＯ層１３ａ，１３ｂが形成
され、ＭｇＯ層１３ａ上にはＹＢａ2 Ｃｕ3 Ｏ7-x （以
下ＹＢＣＯと略記）よりなる高温超伝導体よりなるエミ
ッタ層１４ａが、またＭｇＯ層１３ｂ上にはＹＢＣＯよ
りなるコレクタ層１４ｂが形成される。エミッタ層１４
ａ上にはＡｕ層１５ａを介してエミッタ電極１６ａが、
またコレクタ層１４ｂにはＡｕ層１５ｂを介してコレク
タ電極１６ｂが形成されている。
ジスタはベースとして作用するｎ型にドープされたＳｒ
ＴｉＯ3 等の誘電体基板１１上に形成され、基板１１の
下面にはＡｇペースト層１２ａ等を介してベース電極１
２が形成される。基板１２の上面には、エミッタおよび
コレクタに対応して薄いＭｇＯ層１３ａ，１３ｂが形成
され、ＭｇＯ層１３ａ上にはＹＢａ2 Ｃｕ3 Ｏ7-x （以
下ＹＢＣＯと略記）よりなる高温超伝導体よりなるエミ
ッタ層１４ａが、またＭｇＯ層１３ｂ上にはＹＢＣＯよ
りなるコレクタ層１４ｂが形成される。エミッタ層１４
ａ上にはＡｕ層１５ａを介してエミッタ電極１６ａが、
またコレクタ層１４ｂにはＡｕ層１５ｂを介してコレク
タ電極１６ｂが形成されている。
【００１６】ベース層１１を構成するＳｒＴｉＯ3 は典
型的な誘電体であり非常に大きい誘電率を有するのに対
し、ＭｇＯ層１３ａ，１３ｂはＳｒＴｉＯ3 よりもはる
かに大きいバンドギャップを有する。このため、ＭｇＯ
層１３ａ，１３ｂはバリア層として作用し、通常の状態
では電子がエミッタ層１４ａからコレクタ層１４ｂに流
れるのを阻止する。一方、ベース電極１２にベース電圧
が印加されると、誘電率の非常に大きいベース層１１中
に生じる静電誘導の結果、ＭｇＯバリア層１３ａ，１３
ｂのポテンシャル変形し、電子がエミッタ層からベース
層１１を構成するＳｒＴｉＯ3 の伝導帯にトンネリング
により注入される。注入された電子はＳｒＴｉＯ3 の伝
導帯に沿ってドリフトし、別のＭｇＯ層１３ｂをトンネ
リングによって通過し、コレクタ層１４ｂに到達する。
誘電体ベーストランジスタについては、例えば Tamura
他（H. Tamura, A. Yoshida, H. Tkauchi, T. Hato, N.
Yokoyama, 12TH SYMPOSIUM ON FUTURE ELECTRON DEVIC
ES, October 12 - 13, 1993, Tokyo, Japan, pp.61 - 6
6) を参照。
型的な誘電体であり非常に大きい誘電率を有するのに対
し、ＭｇＯ層１３ａ，１３ｂはＳｒＴｉＯ3 よりもはる
かに大きいバンドギャップを有する。このため、ＭｇＯ
層１３ａ，１３ｂはバリア層として作用し、通常の状態
では電子がエミッタ層１４ａからコレクタ層１４ｂに流
れるのを阻止する。一方、ベース電極１２にベース電圧
が印加されると、誘電率の非常に大きいベース層１１中
に生じる静電誘導の結果、ＭｇＯバリア層１３ａ，１３
ｂのポテンシャル変形し、電子がエミッタ層からベース
層１１を構成するＳｒＴｉＯ3 の伝導帯にトンネリング
により注入される。注入された電子はＳｒＴｉＯ3 の伝
導帯に沿ってドリフトし、別のＭｇＯ層１３ｂをトンネ
リングによって通過し、コレクタ層１４ｂに到達する。
誘電体ベーストランジスタについては、例えば Tamura
他（H. Tamura, A. Yoshida, H. Tkauchi, T. Hato, N.
Yokoyama, 12TH SYMPOSIUM ON FUTURE ELECTRON DEVIC
ES, October 12 - 13, 1993, Tokyo, Japan, pp.61 - 6
6) を参照。
【００１７】かかる構成の誘電体ベーストランジスタで
は、ベース層１１を形成するＳｒＴｉＯ3 のバンドギャ
ップが約３．３ｍｅＶの値を有するため、可視光による
電子の光励起はほとんど生じない。これは図２３のトラ
ンジスタを構成する他の部分、すなわちバリア層１３
ａ，１３ｂ、エミッタ層１４ａおよびコレクタ層１４ｂ
においても同様である。
は、ベース層１１を形成するＳｒＴｉＯ3 のバンドギャ
ップが約３．３ｍｅＶの値を有するため、可視光による
電子の光励起はほとんど生じない。これは図２３のトラ
ンジスタを構成する他の部分、すなわちバリア層１３
ａ，１３ｂ、エミッタ層１４ａおよびコレクタ層１４ｂ
においても同様である。
【００１８】図２４は本出願人が先に提案した、図２３
の誘電体ベーストランジスタの変形例を示す図である。
図２４を参照するに、トランジスタは適当な基板１０上
に形成されたＹＢＣＯよりなる高温超伝導ベース電極１
２’を有し、ベース電極１２’上にはＣｅＯ2 層１２”
が形成され、ＣｅＯ2 層１２”上にはＳｒＴｉ０3 より
なるベース層１１’が形成される。さらに、ベース層１
１’上には図２３のバリア層１３ａ，１３ｂに対応する
ＭｇＯバリア層１３ａ’，１３ｂ’が形成され、バリア
層１３ａ’上にはＹＢＣＯよりなるエミッタ層１４ａ’
が、またバリア層１３ｂ’上にはＹＢＣＯよりなるコレ
クタ層１４ｂ’が形成される。
の誘電体ベーストランジスタの変形例を示す図である。
図２４を参照するに、トランジスタは適当な基板１０上
に形成されたＹＢＣＯよりなる高温超伝導ベース電極１
２’を有し、ベース電極１２’上にはＣｅＯ2 層１２”
が形成され、ＣｅＯ2 層１２”上にはＳｒＴｉ０3 より
なるベース層１１’が形成される。さらに、ベース層１
１’上には図２３のバリア層１３ａ，１３ｂに対応する
ＭｇＯバリア層１３ａ’，１３ｂ’が形成され、バリア
層１３ａ’上にはＹＢＣＯよりなるエミッタ層１４ａ’
が、またバリア層１３ｂ’上にはＹＢＣＯよりなるコレ
クタ層１４ｂ’が形成される。
【００１９】さらに、図２５は本出願人が先に提案し
た、図２３の誘電体ベーストランジスタのさらに別の変
形例を示す図である。
た、図２３の誘電体ベーストランジスタのさらに別の変
形例を示す図である。
【００２０】図２５を参照するに、トランジスタは基板
１０上に形成されたＹＢＣＯよりなる高温超伝導コレク
タ層１４ｂ”と、前記コレクタ層１４ｂ”上に形成され
たＭｇＯよりなるコレクタバリア層１３ｂ”と、前記バ
リア層１３ｂ”上に形成されたＳｒＴｉＯ3 よりなる誘
電体ベース層１１”と、前記誘電体ベース層１１”上に
形成されたＭｇＯよりなるエミッタバリア層１３ａ”
と、前記エミッタバリア層１３ａ”上に形成されたＹＢ
ＣＯよりなるエミッタ層１４ａ”とより構成される。図
２５のトランジスタではベース層１１”の厚さがコレク
タ層１３ｂ”とエミッタ層１３ａ”の間において減少し
ており、このためキャリアがベース層１１”を横切るの
に要する時間が短縮され、高速動作が可能である。
１０上に形成されたＹＢＣＯよりなる高温超伝導コレク
タ層１４ｂ”と、前記コレクタ層１４ｂ”上に形成され
たＭｇＯよりなるコレクタバリア層１３ｂ”と、前記バ
リア層１３ｂ”上に形成されたＳｒＴｉＯ3 よりなる誘
電体ベース層１１”と、前記誘電体ベース層１１”上に
形成されたＭｇＯよりなるエミッタバリア層１３ａ”
と、前記エミッタバリア層１３ａ”上に形成されたＹＢ
ＣＯよりなるエミッタ層１４ａ”とより構成される。図
２５のトランジスタではベース層１１”の厚さがコレク
タ層１３ｂ”とエミッタ層１３ａ”の間において減少し
ており、このためキャリアがベース層１１”を横切るの
に要する時間が短縮され、高速動作が可能である。
【００２１】先にも説明したように、かかる誘電体ベー
ストランジスタはその活性部が光学的に透明な誘電体よ
り形成されているため、光学的表示装置に応用した場合
光学的に透明な駆動回路を構成することが可能である。
かかる駆動回路は、液晶素子のような光変調素子および
発光ダイオードのような発光素子のいずれをも駆動可能
である。
ストランジスタはその活性部が光学的に透明な誘電体よ
り形成されているため、光学的表示装置に応用した場合
光学的に透明な駆動回路を構成することが可能である。
かかる駆動回路は、液晶素子のような光変調素子および
発光ダイオードのような発光素子のいずれをも駆動可能
である。
【００２２】
【実施例】図１は本発明の第１実施例による液晶表示装
置の一部を拡大して示す拡大断面図である。ただし、図
１は視覚的に表示される情報の一画素に対応した液晶表
示装置の一つのセルを示す。
置の一部を拡大して示す拡大断面図である。ただし、図
１は視覚的に表示される情報の一画素に対応した液晶表
示装置の一つのセルを示す。
【００２３】図１を参照するに、液晶表示装置は下面に
位相差板２２と第１の偏光板２３とを順次形成されたガ
ラス基板２１上に形成され、ガラス基板２１の上面には
ＩＴＯ（Ｉｎ2 Ｏ3 ・ＳｎＯ2 ）よりなるコレクタ層２
４が形成される。コレクタ層２４上面の一部にはＭｇＯ
よりなるバリア層２５およびＳｒＴｉＯ3 よりなるベー
ス層２６が順次堆積され、ベース層２６上面の一部には
ＭｇＯよりなる別のバリア層およびＩＴＯよりなるエミ
ッタ層２８が形成される。さらに、このようにして形成
された誘電体層２４〜２８より構成される積層構造体は
ＳｉＯ2 よりなる絶縁層２９に覆われ、絶縁層２９には
エミッタ電極層２８を露出するコンタクトホール２９ａ
と、ベース層２６を露出するコンタクトホール２９ｂ
と、コレクタ層２９を露出するコンタクトホール２９ｃ
とが形成され、コンタクトホール３０ａ〜３０ｃにそれ
ぞれ対応してＩＴＯよりなる透明電極パターン３０ａ，
３０ｂ，３０ｃが形成される。
位相差板２２と第１の偏光板２３とを順次形成されたガ
ラス基板２１上に形成され、ガラス基板２１の上面には
ＩＴＯ（Ｉｎ2 Ｏ3 ・ＳｎＯ2 ）よりなるコレクタ層２
４が形成される。コレクタ層２４上面の一部にはＭｇＯ
よりなるバリア層２５およびＳｒＴｉＯ3 よりなるベー
ス層２６が順次堆積され、ベース層２６上面の一部には
ＭｇＯよりなる別のバリア層およびＩＴＯよりなるエミ
ッタ層２８が形成される。さらに、このようにして形成
された誘電体層２４〜２８より構成される積層構造体は
ＳｉＯ2 よりなる絶縁層２９に覆われ、絶縁層２９には
エミッタ電極層２８を露出するコンタクトホール２９ａ
と、ベース層２６を露出するコンタクトホール２９ｂ
と、コレクタ層２９を露出するコンタクトホール２９ｃ
とが形成され、コンタクトホール３０ａ〜３０ｃにそれ
ぞれ対応してＩＴＯよりなる透明電極パターン３０ａ，
３０ｂ，３０ｃが形成される。
【００２４】このようにして形成された誘電体ベースト
ランジスタはＳＯＧ等の平坦化絶縁層３１により覆わ
れ、平坦化層３１上にはＩＴＯよりなる透明電極パター
ン３２が、コレクタ電極３０ｃおよびベース電極３０ｂ
を覆う位置に形成される。さらに、前記透明電極パター
ン３２はＳＯＧ等よりなる別の平坦化絶縁層３３により
覆われる。また前記コンタクトホール２９ａは実際には
平坦化絶縁層３１および３３をも貫通し、前記平坦化絶
縁層３３表面にコンタクトホール２９ａを埋めるエミッ
タ電極３０ａが露出される。
ランジスタはＳＯＧ等の平坦化絶縁層３１により覆わ
れ、平坦化層３１上にはＩＴＯよりなる透明電極パター
ン３２が、コレクタ電極３０ｃおよびベース電極３０ｂ
を覆う位置に形成される。さらに、前記透明電極パター
ン３２はＳＯＧ等よりなる別の平坦化絶縁層３３により
覆われる。また前記コンタクトホール２９ａは実際には
平坦化絶縁層３１および３３をも貫通し、前記平坦化絶
縁層３３表面にコンタクトホール２９ａを埋めるエミッ
タ電極３０ａが露出される。
【００２５】平坦化絶縁層３３上には、ＩＴＯよりなる
別の透明電極パターン３４が、前記液晶セルに対応して
形成される。換言すると、透明電極パターン３４は液晶
表示装置中の他の液晶セルの対応する透明電極パターン
からは分離して形成されており、しかも基板２１に対し
て垂直に見た場合セル中の誘電体ベーストランジスタを
覆うように形成されている。
別の透明電極パターン３４が、前記液晶セルに対応して
形成される。換言すると、透明電極パターン３４は液晶
表示装置中の他の液晶セルの対応する透明電極パターン
からは分離して形成されており、しかも基板２１に対し
て垂直に見た場合セル中の誘電体ベーストランジスタを
覆うように形成されている。
【００２６】透明電極パターン３４上にはポリイミド等
のラビング処理された第１の配向膜３５が形成され、配
向膜３５上に液晶層３６が形成される。さらに液晶層３
６上にはポリイミド等のラビング処理された第２の配向
膜３７が形成され、さらに前記第２の配向膜３７上に、
ＩＴＯよりなる透明な共通電極層３８を下面に、また上
面に第２の偏光板４０を担持する別のガラス基板３９
が、前記液晶層３６が前記第１の配向膜３５と前記第２
の配向膜３７との間に封入されるように設けられる。た
だし、図１の構造中、配向膜３５および３７、液晶層３
６、共通電極３８、基板３９および偏光板４０は、液晶
表示装置中の各々の液晶セルについて共通に設けられ
る。
のラビング処理された第１の配向膜３５が形成され、配
向膜３５上に液晶層３６が形成される。さらに液晶層３
６上にはポリイミド等のラビング処理された第２の配向
膜３７が形成され、さらに前記第２の配向膜３７上に、
ＩＴＯよりなる透明な共通電極層３８を下面に、また上
面に第２の偏光板４０を担持する別のガラス基板３９
が、前記液晶層３６が前記第１の配向膜３５と前記第２
の配向膜３７との間に封入されるように設けられる。た
だし、図１の構造中、配向膜３５および３７、液晶層３
６、共通電極３８、基板３９および偏光板４０は、液晶
表示装置中の各々の液晶セルについて共通に設けられ
る。
【００２７】動作時には、例えば図示していないバック
ライト光源からの光が偏光板２３および位相差板２２を
通過してガラス基板２１に入射する。入射した光は誘電
体ベーストランジスタおよびそれを囲む絶縁体層による
実質的な吸収なく、液晶層３６に到達する。液晶層３６
は通常の如く前記第１および第２の配向膜３５，３７の
それぞれの表面において配列方向を規制された液晶分子
を含み、前記透明電極３４と３８の間に印加される電圧
によって液晶分子の配列方向が方向が変化する。すなわ
ち、誘電体ベーストランジスタのエミッタ電極３０ａに
おいて得られる電圧により、液晶層３６の光学的状態が
変化する。その結果、液晶セルは入射した光をオン・オ
フする。かかる液晶層３６の光学的状態の変化は、もち
ろん誘電体ベーストランジスタのベース電極３０ａに供
給される信号に対応する。すなわち、図１の液晶セルに
おいて、誘電体ベーストランジスタは液晶層３６の駆動
回路を構成する。駆動回路中、電極３１および３４は液
晶層３６に印加される電圧を安定させるためのキャパシ
タを形成する。
ライト光源からの光が偏光板２３および位相差板２２を
通過してガラス基板２１に入射する。入射した光は誘電
体ベーストランジスタおよびそれを囲む絶縁体層による
実質的な吸収なく、液晶層３６に到達する。液晶層３６
は通常の如く前記第１および第２の配向膜３５，３７の
それぞれの表面において配列方向を規制された液晶分子
を含み、前記透明電極３４と３８の間に印加される電圧
によって液晶分子の配列方向が方向が変化する。すなわ
ち、誘電体ベーストランジスタのエミッタ電極３０ａに
おいて得られる電圧により、液晶層３６の光学的状態が
変化する。その結果、液晶セルは入射した光をオン・オ
フする。かかる液晶層３６の光学的状態の変化は、もち
ろん誘電体ベーストランジスタのベース電極３０ａに供
給される信号に対応する。すなわち、図１の液晶セルに
おいて、誘電体ベーストランジスタは液晶層３６の駆動
回路を構成する。駆動回路中、電極３１および３４は液
晶層３６に印加される電圧を安定させるためのキャパシ
タを形成する。
【００２８】図２は図１の液晶セルの変形例である。図
２中、図１で説明した部分には同一の参照符号を付し、
その説明を省略する。
２中、図１で説明した部分には同一の参照符号を付し、
その説明を省略する。
【００２９】図２の構成では、ガラス基板２１上にベー
スコンタクト層として作用するＩＴＯ層２４ａが形成さ
れ、ベース電極３０ｂはコンタクトホール２９ｃに形成
され、ベースコンタクト層２４ａを介してＳｒＴｉＯ3
ベース層２６に接続される。一方、コレクタ電極３０ｃ
はコンタクトホール２９ｂに形成され、ベース層２６上
にはコレクタ電極３０ｃに対応してＭｇＯバリア層２
５’およびコレクタコンタクト層２４’が形成される。
かかる構成によっても、液晶層３６を駆動する透明な駆
動回路を、基板２１上に形成できる。
スコンタクト層として作用するＩＴＯ層２４ａが形成さ
れ、ベース電極３０ｂはコンタクトホール２９ｃに形成
され、ベースコンタクト層２４ａを介してＳｒＴｉＯ3
ベース層２６に接続される。一方、コレクタ電極３０ｃ
はコンタクトホール２９ｂに形成され、ベース層２６上
にはコレクタ電極３０ｃに対応してＭｇＯバリア層２
５’およびコレクタコンタクト層２４’が形成される。
かかる構成によっても、液晶層３６を駆動する透明な駆
動回路を、基板２１上に形成できる。
【００３０】図１あるいは図２の液晶セルを、ガラス基
板２１上にマトリクス状に配列することにより、液晶表
示装置が形成される。図３はかかる液晶表示装置上にお
ける液晶セルの配列を概念的に示す図である。図３は右
端の断面図に対応し、また各々の液晶セルは等価回路図
により示してある。ただし、等価回路図中、図１，２の
電極層３４，３８および配向膜３５，３７を含む液晶層
３６を記号ＬＣＤにより、また電極層３２および３４で
形成される安定化キャパシタを記号Ｃにより表す。液晶
層ＬＣＤおよびキャパシタＣは液晶素子を構成する。
板２１上にマトリクス状に配列することにより、液晶表
示装置が形成される。図３はかかる液晶表示装置上にお
ける液晶セルの配列を概念的に示す図である。図３は右
端の断面図に対応し、また各々の液晶セルは等価回路図
により示してある。ただし、等価回路図中、図１，２の
電極層３４，３８および配向膜３５，３７を含む液晶層
３６を記号ＬＣＤにより、また電極層３２および３４で
形成される安定化キャパシタを記号Ｃにより表す。液晶
層ＬＣＤおよびキャパシタＣは液晶素子を構成する。
【００３１】図３を参照するに、各々の液晶セルは、基
板および基板上に形成された誘電体ベーストランジスタ
Ｔｒを含む駆動回路層Ｌ１と、駆動回路層上に積層され
た液晶素子よりなる液晶素子層Ｌ２とにより形成され、
その際液晶層ＬＣＤを構成し液晶セルを画成するキャパ
シタ３４が、液晶表示装置を前記基板に対して垂直な方
向から見た場合に誘電体ベーストランジスタを覆うよう
に形成される。すなわち、図３中において各々の液晶セ
ルを囲むように描かれている破線は、キャパシタ３４が
図１あるいは図２の構成に対応してその下の誘電体ベー
ストランジスタを覆うように形成されている事情を示
す。
板および基板上に形成された誘電体ベーストランジスタ
Ｔｒを含む駆動回路層Ｌ１と、駆動回路層上に積層され
た液晶素子よりなる液晶素子層Ｌ２とにより形成され、
その際液晶層ＬＣＤを構成し液晶セルを画成するキャパ
シタ３４が、液晶表示装置を前記基板に対して垂直な方
向から見た場合に誘電体ベーストランジスタを覆うよう
に形成される。すなわち、図３中において各々の液晶セ
ルを囲むように描かれている破線は、キャパシタ３４が
図１あるいは図２の構成に対応してその下の誘電体ベー
ストランジスタを覆うように形成されている事情を示
す。
【００３２】このような液晶セルを基板上にマトリクス
状に配列することにより、二次元の表示が可能な液晶表
示装置を構成することができる。図４はこのような液晶
セルの二次元配列を示す図である。ただし、図４中、先
に説明した各々の液晶セルを画成するキャパシタ３４を
破線で示す。
状に配列することにより、二次元の表示が可能な液晶表
示装置を構成することができる。図４はこのような液晶
セルの二次元配列を示す図である。ただし、図４中、先
に説明した各々の液晶セルを画成するキャパシタ３４を
破線で示す。
【００３３】図４を参照するに、液晶表示装置は、図３
の液晶セルＣＥＬＬをマトリクス状に配列して形成さ
れ、列方向に延在し各々対応する誘電体ベーストランジ
スタのコレクタ電極（図１，２の電極３０ｃ）に接続さ
れる複数のデータ線ＤＸ1 〜ＤＸ5 と、行方向に延在し
各々対応する誘電体ベーストランジスタのベース電極
（図１，２の電極３０ｂ）に接続される複数のゲート線
ＧＸ1 からＧＸ3 を有する。さらに、表示データＤＡＴ
Ａｘを供給され、これに応じてゲート線ＧＸ1 〜ＧＸ3
を選択的に活性化する第１のデコーダＤＲＶ１と、表示
データＤＡＴＡｙを供給され、これに応じてデータ線Ｄ
Ｘ1 〜ＤＸ5 を選択的に活性化する第２のデコーダＤＲ
Ｖ２とが液晶表示装置に共働する。
の液晶セルＣＥＬＬをマトリクス状に配列して形成さ
れ、列方向に延在し各々対応する誘電体ベーストランジ
スタのコレクタ電極（図１，２の電極３０ｃ）に接続さ
れる複数のデータ線ＤＸ1 〜ＤＸ5 と、行方向に延在し
各々対応する誘電体ベーストランジスタのベース電極
（図１，２の電極３０ｂ）に接続される複数のゲート線
ＧＸ1 からＧＸ3 を有する。さらに、表示データＤＡＴ
Ａｘを供給され、これに応じてゲート線ＧＸ1 〜ＧＸ3
を選択的に活性化する第１のデコーダＤＲＶ１と、表示
データＤＡＴＡｙを供給され、これに応じてデータ線Ｄ
Ｘ1 〜ＤＸ5 を選択的に活性化する第２のデコーダＤＲ
Ｖ２とが液晶表示装置に共働する。
【００３４】本実施例による表示装置において、透明電
極を構成する材料としては、先に説明したＩＴＯの他に
も、ＴｉＯ2 ，ＳｎＯ2 ，Ｉｎ2 Ｏ3 等が使用可能であ
る。また、これらの透明導電性材料を使って光学的に透
明な抵抗を必要に応じて形成することも可能である。ま
た、本実施例においては、液晶素子以外にも、エレクト
ロクロミック素子のような他の遮光性素子を使うことも
可能である。
極を構成する材料としては、先に説明したＩＴＯの他に
も、ＴｉＯ2 ，ＳｎＯ2 ，Ｉｎ2 Ｏ3 等が使用可能であ
る。また、これらの透明導電性材料を使って光学的に透
明な抵抗を必要に応じて形成することも可能である。ま
た、本実施例においては、液晶素子以外にも、エレクト
ロクロミック素子のような他の遮光性素子を使うことも
可能である。
【００３５】次に、本発明の第２実施例による表示装置
を図５および６を参照しながら説明する。
を図５および６を参照しながら説明する。
【００３６】本発明の要旨である、誘電体ベーストラン
ジスタ等を使った光学的に透明な駆動回路は、液晶表示
素子等の遮光性の表示素子のみならず、発光性の表示素
子を駆動するのにも使用可能である。図５，６はかかる
発光性の表示素子として発光ダイオードＬＥＤを使った
例を示す。ただし図５は図３に対応し、図６は図４に対
応する。図中、先に説明した部分は同一の参照符号付
し、説明を省略する。
ジスタ等を使った光学的に透明な駆動回路は、液晶表示
素子等の遮光性の表示素子のみならず、発光性の表示素
子を駆動するのにも使用可能である。図５，６はかかる
発光性の表示素子として発光ダイオードＬＥＤを使った
例を示す。ただし図５は図３に対応し、図６は図４に対
応する。図中、先に説明した部分は同一の参照符号付
し、説明を省略する。
【００３７】図７は図５，６の表示装置中の一つの表示
セルの構成を、赤あるいは緑の発行ダイオードについて
示す断面図である。
セルの構成を、赤あるいは緑の発行ダイオードについて
示す断面図である。
【００３８】図７を参照するに、駆動回路を構成する誘
電体ベーストランジスタは図１のものと実質的に同一の
構成を有し、表示セルを画成する透明電極３４上には発
光ダイオードの一部を構成するｎ型層４１が、またｎ型
層４１上にはｐ型層４２が形成され、ガラス基板３９の
下面に担持された透明電極層３８が層４２上に形成され
る。ｎ型層４１とｐ型層４２の間にはｐｎ接合面４３が
形成され、面４３において、キャリアの自然放出により
発光が生じる。ただし、図１の液晶セルと異なり、図７
のセルでは偏光板２３，４０、位相差板２２、液晶層３
６および配向膜３５，３７は形成されない。赤色光を発
光する発光ダイオードでは、層４１および４２としてＧ
ａＡｌＡｓが、また緑色光を発光する発光ダイオードで
はＧａＰが使われる。
電体ベーストランジスタは図１のものと実質的に同一の
構成を有し、表示セルを画成する透明電極３４上には発
光ダイオードの一部を構成するｎ型層４１が、またｎ型
層４１上にはｐ型層４２が形成され、ガラス基板３９の
下面に担持された透明電極層３８が層４２上に形成され
る。ｎ型層４１とｐ型層４２の間にはｐｎ接合面４３が
形成され、面４３において、キャリアの自然放出により
発光が生じる。ただし、図１の液晶セルと異なり、図７
のセルでは偏光板２３，４０、位相差板２２、液晶層３
６および配向膜３５，３７は形成されない。赤色光を発
光する発光ダイオードでは、層４１および４２としてＧ
ａＡｌＡｓが、また緑色光を発光する発光ダイオードで
はＧａＰが使われる。
【００３９】図８は青色光を発光するための構成を示
す。
す。
【００４０】図８を参照するに、青色光を発光する発光
ダイオードは層４１としてｎ型ＧａＮを使い、層４１上
にはｎ型ＡｌＧａＮよりなる層４４とＺｎドープされた
ＩｎＧａＮ層４５が順次堆積されている。さらに層４５
上にはｐ型ＡｌＧａＮ層４６が形成され、層４６上には
層４２としてｐ型ＧａＮ層が形成される。
ダイオードは層４１としてｎ型ＧａＮを使い、層４１上
にはｎ型ＡｌＧａＮよりなる層４４とＺｎドープされた
ＩｎＧａＮ層４５が順次堆積されている。さらに層４５
上にはｐ型ＡｌＧａＮ層４６が形成され、層４６上には
層４２としてｐ型ＧａＮ層が形成される。
【００４１】図７，図８に示した発光ダイオードは各層
の厚さが非常に薄いため、可視光に対して実質的に透明
である。かかるＬＥＤを使った表示装置は、例えば電極
層３４上に半導体層４１，４３および４２を順次堆積す
ることにより、あるいはガラス基板３９上に担持された
電極層３８上に層４１〜４３よりなるＬＥＤチップを貼
付け、かかるＬＥＤチップを担持したガラス基板を電極
層３４上に貼付けることにより形成できる。
の厚さが非常に薄いため、可視光に対して実質的に透明
である。かかるＬＥＤを使った表示装置は、例えば電極
層３４上に半導体層４１，４３および４２を順次堆積す
ることにより、あるいはガラス基板３９上に担持された
電極層３８上に層４１〜４３よりなるＬＥＤチップを貼
付け、かかるＬＥＤチップを担持したガラス基板を電極
層３４上に貼付けることにより形成できる。
【００４２】図９は前記第１実施例あるいは第２実施例
による表示セルをマトリクス上に配列して形成した表示
装置を示す斜視図である。かかる表示装置は図３あるい
は図４に示した駆動回路層Ｌ1 と表示素子層Ｌ2 の積層
により構成される。図９の表示装置は可視光に対して透
明であり、表示された情報を装置のどちら側からでも見
ることができる。また、外部の光源により照明すること
により、ＯＨＰのように、表示された情報をスクリーン
上に投影することもできる。また、図９の表示装置は、
図１０に示すように、多数の装置を相互に積層すること
により、各層の情報を合成して表示することが可能であ
る。
による表示セルをマトリクス上に配列して形成した表示
装置を示す斜視図である。かかる表示装置は図３あるい
は図４に示した駆動回路層Ｌ1 と表示素子層Ｌ2 の積層
により構成される。図９の表示装置は可視光に対して透
明であり、表示された情報を装置のどちら側からでも見
ることができる。また、外部の光源により照明すること
により、ＯＨＰのように、表示された情報をスクリーン
上に投影することもできる。また、図９の表示装置は、
図１０に示すように、多数の装置を相互に積層すること
により、各層の情報を合成して表示することが可能であ
る。
【００４３】図１１はかかる複数の表示装置を積層する
ことにより構成した、本発明の第３実施例によるフルカ
ラー表示装置の構成を示す。
ことにより構成した、本発明の第３実施例によるフルカ
ラー表示装置の構成を示す。
【００４４】図１１を参照するにフルカラー表示装置は
複数の駆動回路層Ｌ1 ，Ｌ3 ，Ｌ5と複数の表示素子層
Ｌ2 ，Ｌ4 ，Ｌ6 とを交互に積層して構成され、このう
ち層Ｌ1 およびＬ2 が三原色を構成する一の色に対応す
る表示層Ｕ1 を、層Ｌ3 およびＬ4 が三原色を構成する
別の色に対応する表示層Ｕ2 を、さらに層Ｌ5 およびＬ
6 が三原色を構成するさらに別の色に対応する表示層Ｕ
3 を形成する。図示の例では、表示層Ｕ1 が青に、表示
層Ｕ2 が緑に、また表示層Ｕ3 が赤に対応する。また、
バックライトが表示層Ｕ1 の下面に照射される。各表示
層Ｕ1 〜Ｕ3 において、表示セルは他の表示層中の対応
する表示セルとバックライトの進行方向に重なるように
形成されている。ただし、各表示セルにおいて、表示素
子は表示セル全体をカバーするのではなくその一部のみ
をカバーするように形成されている。例えば、図１の液
晶表示素子では、液晶セルを画成する透明電極３４がそ
のセルの一部のみをカバーするように形成され、しかも
電極３４の液晶セル中における位置は、同一表示層中に
おいては同一の位置にあるが、表示層が異ると変化す
る。
複数の駆動回路層Ｌ1 ，Ｌ3 ，Ｌ5と複数の表示素子層
Ｌ2 ，Ｌ4 ，Ｌ6 とを交互に積層して構成され、このう
ち層Ｌ1 およびＬ2 が三原色を構成する一の色に対応す
る表示層Ｕ1 を、層Ｌ3 およびＬ4 が三原色を構成する
別の色に対応する表示層Ｕ2 を、さらに層Ｌ5 およびＬ
6 が三原色を構成するさらに別の色に対応する表示層Ｕ
3 を形成する。図示の例では、表示層Ｕ1 が青に、表示
層Ｕ2 が緑に、また表示層Ｕ3 が赤に対応する。また、
バックライトが表示層Ｕ1 の下面に照射される。各表示
層Ｕ1 〜Ｕ3 において、表示セルは他の表示層中の対応
する表示セルとバックライトの進行方向に重なるように
形成されている。ただし、各表示セルにおいて、表示素
子は表示セル全体をカバーするのではなくその一部のみ
をカバーするように形成されている。例えば、図１の液
晶表示素子では、液晶セルを画成する透明電極３４がそ
のセルの一部のみをカバーするように形成され、しかも
電極３４の液晶セル中における位置は、同一表示層中に
おいては同一の位置にあるが、表示層が異ると変化す
る。
【００４５】図１１において、破線は各液晶セル中にお
ける透明電極３４の位置を示している。図１１よりわか
るように、青に対応する表示層Ｕ1 中の電極３４の位置
は、緑に対応する表示層Ｕ2 中の電極３４の位置に対し
てずれている。同様に、表示層Ｕ2 中の電極３４は赤に
対応する表示層Ｕ3 の位置に対してずれている。さら
に、表示層Ｕ3 の上面には赤、緑、青の三原色フィルタ
ＦＬが、それぞれの色の電極３４の位置に対応して形成
されている。
ける透明電極３４の位置を示している。図１１よりわか
るように、青に対応する表示層Ｕ1 中の電極３４の位置
は、緑に対応する表示層Ｕ2 中の電極３４の位置に対し
てずれている。同様に、表示層Ｕ2 中の電極３４は赤に
対応する表示層Ｕ3 の位置に対してずれている。さら
に、表示層Ｕ3 の上面には赤、緑、青の三原色フィルタ
ＦＬが、それぞれの色の電極３４の位置に対応して形成
されている。
【００４６】かかる構成のフルカラー表示装置では、例
えば表示層Ｕ1 中に電極３４に対応して形成された像
は、青のフィルタにより青色に着色される。同様に、表
示層Ｕ 2 中に電極３４に対応して形成された像は緑のフ
ィルタにより緑色に着色され、さらに表示層Ｕ3 中に電
極３４に対応して形成された像は赤のフィルタにより赤
色に着色される。かかる三原色の像の合成の結果、図１
１の表示装置によりフルカラーの像が得られる。
えば表示層Ｕ1 中に電極３４に対応して形成された像
は、青のフィルタにより青色に着色される。同様に、表
示層Ｕ 2 中に電極３４に対応して形成された像は緑のフ
ィルタにより緑色に着色され、さらに表示層Ｕ3 中に電
極３４に対応して形成された像は赤のフィルタにより赤
色に着色される。かかる三原色の像の合成の結果、図１
１の表示装置によりフルカラーの像が得られる。
【００４７】また、前記第１〜第３実施例による表示装
置を多数積層することにより、図１２に示すような三次
元の情報表示が可能な表示装置を構成することができ
る。本発明では、駆動回路が光学的に透明であるため、
図１２に示すように多数の表示層を積層しても、下層部
の表示層に表示された情報を、視覚的に認識することが
可能である。
置を多数積層することにより、図１２に示すような三次
元の情報表示が可能な表示装置を構成することができ
る。本発明では、駆動回路が光学的に透明であるため、
図１２に示すように多数の表示層を積層しても、下層部
の表示層に表示された情報を、視覚的に認識することが
可能である。
【００４８】図１３は、図１２の三次元表示装置の下部
にプラズマディスプレイあるいはＬＥＤアレイよりなる
バックライト照明装置ＬＬを設けた例を示す。
にプラズマディスプレイあるいはＬＥＤアレイよりなる
バックライト照明装置ＬＬを設けた例を示す。
【００４９】図１３を参照するに、バックライト照明装
置ＬＬは駆動回路を担持する支持基板ＬＬ１と、前記支
持基板ＬＬ１上に形成された発光素子アレイＬＬ２とよ
りなる。発光素子アレイＬＬ２は、例えば層Ｌ１，Ｌ２
中に形成されたセルの二次元配列に対応した発光素子の
二次元配列を含むものであるのが好ましい。また、バッ
クライト照明装置ＬＬは二次元平面上で一様に発光する
光源であってもよい。
置ＬＬは駆動回路を担持する支持基板ＬＬ１と、前記支
持基板ＬＬ１上に形成された発光素子アレイＬＬ２とよ
りなる。発光素子アレイＬＬ２は、例えば層Ｌ１，Ｌ２
中に形成されたセルの二次元配列に対応した発光素子の
二次元配列を含むものであるのが好ましい。また、バッ
クライト照明装置ＬＬは二次元平面上で一様に発光する
光源であってもよい。
【００５０】図１４は、先に説明した図１０の光学的に
透明な二次元表示装置を積層して曲面を有する三次元表
示装置を構成する場合の実施例を示す。
透明な二次元表示装置を積層して曲面を有する三次元表
示装置を構成する場合の実施例を示す。
【００５１】図１４を参照するに、本実施例では図１０
の平面状の透明表示装置に対応する透明表示層Ｐ1 ，Ｐ
2 ，Ｐ3 ，・・・を互いに傾けて配置することにより、
曲面を有する表示層Ｕ1 ，Ｕ2 ，・・・を形成する。さ
らに、これらの透明表示層を積層することにより、曲面
を有する三次元表示装置を構成することができる。ま
た、三原色に対応する表示層を積層することにより、曲
面を有するフルカラーの三次元表示装置を構成すること
も可能である。
の平面状の透明表示装置に対応する透明表示層Ｐ1 ，Ｐ
2 ，Ｐ3 ，・・・を互いに傾けて配置することにより、
曲面を有する表示層Ｕ1 ，Ｕ2 ，・・・を形成する。さ
らに、これらの透明表示層を積層することにより、曲面
を有する三次元表示装置を構成することができる。ま
た、三原色に対応する表示層を積層することにより、曲
面を有するフルカラーの三次元表示装置を構成すること
も可能である。
【００５２】図１５は図１４の構成を使って形成した球
面を有するフルカラー三次元表示装置の例を示す。図１
５を参照するに、表示装置は球殻状のフルカラー表示層
1 ，Ｖ2 ，Ｖ3 ，・・・を使い、かかる球殻状の表示層
を多数積層して形成されている。ただし、各々の表示層
Ｖ1 ，Ｖ2 ，Ｖ3 ，・・・は三原色に対応する三枚の表
示層の積層よりなる。かかる構成においては、各々の表
示層Ｖ1 ，Ｖ2 ，Ｖ3，・・・が透明であるため、球体
内部に表示された情報を表示装置の外部から視認するこ
とができる。
面を有するフルカラー三次元表示装置の例を示す。図１
５を参照するに、表示装置は球殻状のフルカラー表示層
1 ，Ｖ2 ，Ｖ3 ，・・・を使い、かかる球殻状の表示層
を多数積層して形成されている。ただし、各々の表示層
Ｖ1 ，Ｖ2 ，Ｖ3 ，・・・は三原色に対応する三枚の表
示層の積層よりなる。かかる構成においては、各々の表
示層Ｖ1 ，Ｖ2 ，Ｖ3，・・・が透明であるため、球体
内部に表示された情報を表示装置の外部から視認するこ
とができる。
【００５３】図１６は、図１５と同様な球面を有する三
次元表示装置の別の例を示す。図１６の例では、表示装
置は径の異るディスク状の透明な二次元表示層を球状に
積層して構成されている。ただし、各々のディスク状の
二次元表示層は図９の表示装置をディスク状に形成した
ものよりなり、駆動回路層Ｌ１に対応する層Ｌ１’と液
晶層Ｌ２に対応する液晶層Ｌ２’より構成される。かか
る構成においても、各々の表示層が透明であるため、球
体内部に表示された情報を外部より視認することができ
る。
次元表示装置の別の例を示す。図１６の例では、表示装
置は径の異るディスク状の透明な二次元表示層を球状に
積層して構成されている。ただし、各々のディスク状の
二次元表示層は図９の表示装置をディスク状に形成した
ものよりなり、駆動回路層Ｌ１に対応する層Ｌ１’と液
晶層Ｌ２に対応する液晶層Ｌ２’より構成される。かか
る構成においても、各々の表示層が透明であるため、球
体内部に表示された情報を外部より視認することができ
る。
【００５４】図１７は図１５の三次元表示装置の一変形
例を示す。図１７の例では、表示装置を形成する球体の
中心に空洞が形成され、かかる空洞に例えばＬＥＤアレ
イ等よりなる球状の照明装置ＬＬが、バックライト照明
のために格納される。
例を示す。図１７の例では、表示装置を形成する球体の
中心に空洞が形成され、かかる空洞に例えばＬＥＤアレ
イ等よりなる球状の照明装置ＬＬが、バックライト照明
のために格納される。
【００５５】図１８は図１６の三次元表示装置の一変形
例を示す。図１８の例でも、表示装置の中心に空洞が形
成され、照明装置ＬＬが、バックライト照明のためかか
る空洞に格納される。
例を示す。図１８の例でも、表示装置の中心に空洞が形
成され、照明装置ＬＬが、バックライト照明のためかか
る空洞に格納される。
【００５６】図１９は図１４の構成を使って形成した円
筒面を有するフルカラー三次元表示装置の例を示す。
筒面を有するフルカラー三次元表示装置の例を示す。
【００５７】図１９を参照するに、表示装置は、図１７
の球殻状表示層Ｖ1 ，Ｖ2 ，Ｖ3 ，．．．に対応する円
筒形状の表示層Ｖ1 ’，Ｖ2 ’，Ｖ3 ’，・・・を有
し、表示層Ｖ1 ’，Ｖ2 ’，Ｖ3 ’，・・・は同軸的に
積層され、また円筒の中心に形成された空洞には線状の
バックライト光源ＬＬが格納される。かかる構成におい
ても、表示層Ｖ1 ’，Ｖ2 ’，Ｖ3 ’，・・・が可視光
に対して透明であるため、内部の表示層に表示された情
報を、表示装置の外部から視認することが可能である。
の球殻状表示層Ｖ1 ，Ｖ2 ，Ｖ3 ，．．．に対応する円
筒形状の表示層Ｖ1 ’，Ｖ2 ’，Ｖ3 ’，・・・を有
し、表示層Ｖ1 ’，Ｖ2 ’，Ｖ3 ’，・・・は同軸的に
積層され、また円筒の中心に形成された空洞には線状の
バックライト光源ＬＬが格納される。かかる構成におい
ても、表示層Ｖ1 ’，Ｖ2 ’，Ｖ3 ’，・・・が可視光
に対して透明であるため、内部の表示層に表示された情
報を、表示装置の外部から視認することが可能である。
【００５８】以上説明したように、本発明による表示装
置は誘電体ベーストランジスタ等の可視光に対して透明
な活性素子を使うことにより駆動回路を光学的に透明に
形成できる。その際、活性素子で光が遮光されることが
ないため、また活性素子を遮光する必要もないため、駆
動回路中の活性素子の面積を減らす必要がない。その結
果、例えば駆動回路中に冗長回路等の予備の回路を設け
ることも可能である。
置は誘電体ベーストランジスタ等の可視光に対して透明
な活性素子を使うことにより駆動回路を光学的に透明に
形成できる。その際、活性素子で光が遮光されることが
ないため、また活性素子を遮光する必要もないため、駆
動回路中の活性素子の面積を減らす必要がない。その結
果、例えば駆動回路中に冗長回路等の予備の回路を設け
ることも可能である。
【００５９】図２０はかかる冗長回路を備えた駆動回路
の構成を示す。
の構成を示す。
【００６０】図２０を参照するに、駆動回路は先に説明
した誘電体ベーストランジスタＴｒの他に、別の誘電体
ベーストランジスタＴｒ’を含み、トランジスタＴｒお
よびＴｒ’はいずれもゲート線ＧＸ上の信号に応じてデ
ータ線ＤＸあるいは冗長データ線ＤＸ’上の電圧信号を
液晶素子ＬＣＤおよび安定化キャパシタＣに供給する。
透明な活性素子を使った表示装置では、このように、表
示装置輝度あるいは視認性を損なうことなく冗長回路を
形成することができるため、信頼性を向上させることが
可能である。
した誘電体ベーストランジスタＴｒの他に、別の誘電体
ベーストランジスタＴｒ’を含み、トランジスタＴｒお
よびＴｒ’はいずれもゲート線ＧＸ上の信号に応じてデ
ータ線ＤＸあるいは冗長データ線ＤＸ’上の電圧信号を
液晶素子ＬＣＤおよび安定化キャパシタＣに供給する。
透明な活性素子を使った表示装置では、このように、表
示装置輝度あるいは視認性を損なうことなく冗長回路を
形成することができるため、信頼性を向上させることが
可能である。
【００６１】
【発明の効果】本発明によれば、表示装置の各々の表示
セルに対応して、光学的に透明な活性素子を使った光学
的に透明な駆動回路を設けることが出来、その結果従来
の表示装置で生じていた駆動回路による遮光およびそれ
にともなう表示装置の輝度の低下の問題が回避される。
特に、誘電体を活性部に使った誘電体ベーストランジス
タを使うことにより、駆動回路を遮光する遮光膜を設け
る必要がなくなる。かかる透明な駆動回路は液晶セル等
の表示部と重ねて形成することができるため、表示装置
の画素の大きさを減少させることができ、高い解像度の
表示が可能になる。また、複数の透明な表示層を三原色
に対応して積層することにより、高い解像度のフルカラ
ー表示装置を構成することができる。さらに、かかる透
明な表示層を多数積層することにより、三次元表示装置
を構成することができる。かかる三次元表示装置は医
療、航空・宇宙開発、仮想現実、さらにはインテリアの
装飾等広範に応用が可能である。
セルに対応して、光学的に透明な活性素子を使った光学
的に透明な駆動回路を設けることが出来、その結果従来
の表示装置で生じていた駆動回路による遮光およびそれ
にともなう表示装置の輝度の低下の問題が回避される。
特に、誘電体を活性部に使った誘電体ベーストランジス
タを使うことにより、駆動回路を遮光する遮光膜を設け
る必要がなくなる。かかる透明な駆動回路は液晶セル等
の表示部と重ねて形成することができるため、表示装置
の画素の大きさを減少させることができ、高い解像度の
表示が可能になる。また、複数の透明な表示層を三原色
に対応して積層することにより、高い解像度のフルカラ
ー表示装置を構成することができる。さらに、かかる透
明な表示層を多数積層することにより、三次元表示装置
を構成することができる。かかる三次元表示装置は医
療、航空・宇宙開発、仮想現実、さらにはインテリアの
装飾等広範に応用が可能である。
【図１】本発明の第１実施例による表示装置の要部の構
成を示す断面図である。
成を示す断面図である。
【図２】本発明第１実施例の一変形例を示す断面図であ
る。
る。
【図３】本発明第１実施例の表示装置の断面図に対応す
る等価回路図である。
る等価回路図である。
【図４】本発明第１実施例の表示装置の平面図に対応す
る等価回路図である。
る等価回路図である。
【図５】本発明第２実施例の表示装置の断面図に対応す
る等価回路図である。
る等価回路図である。
【図６】本発明第２実施例の表示装置の平面図に対応す
る等価回路図である。
る等価回路図である。
【図７】本発明第２実施例による表示装置の要部の構成
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図８】本発明第２実施例による表示装置の要部の別の
構成を示す断面図である。
構成を示す断面図である。
【図９】第１実施例あるいは第２実施例の二次元表示装
置を示す斜視図である。
置を示す斜視図である。
【図１０】二次元表示装置を積層した表示装置を示す斜
視図である。
視図である。
【図１１】二次元表示装置を積層して形成したフルカラ
ー表示装置の断面図に対応する等価回路図である。
ー表示装置の断面図に対応する等価回路図である。
【図１２】二次元表示装置を積層して形成した三次元表
示装置の構成を示す斜視図である。
示装置の構成を示す斜視図である。
【図１３】バックライト照明装置を備えた三次元表示装
置の構成を示す斜視図である。
置の構成を示す斜視図である。
【図１４】曲面を有する二次元表示装置を積層して形成
した三次元表示装置の構成を示す斜視図である。
した三次元表示装置の構成を示す斜視図である。
【図１５】球殻状の二次元表示装置を積層して形成した
球面状の三次元表示装置の構成を示す図である。
球面状の三次元表示装置の構成を示す図である。
【図１６】ディスク状の二次元表示装置を積層して形成
した球面状三次元表示装置の構成を示す図である。
した球面状三次元表示装置の構成を示す図である。
【図１７】図１５の表示装置において中心に照明装置を
設けた構成を示す図である。
設けた構成を示す図である。
【図１８】図１６の表示装置において中心に照明装置を
設けた構成を示す図である。
設けた構成を示す図である。
【図１９】スリーブ状の二次元表示装置を積層して形成
した円筒形状の三次元表示装置の構成を示す図である。
した円筒形状の三次元表示装置の構成を示す図である。
【図２０】誘電体べーすトランジスタを使った透明駆動
回路に設けられた冗長回路の例を示す回路図である。
回路に設けられた冗長回路の例を示す回路図である。
【図２１】従来の液晶表示装置の構成を示す図である。
【図２２】従来のフルカラー液晶表示装置の構成を示す
図である。
図である。
【図２３】従来の誘電体ベーストランジスタの構成を示
す図である。
す図である。
【図２４】従来の別の誘電体ベーストランジスタの構成
を示す図である。
を示す図である。
【図２５】従来のさらに別の誘電体ベーストランジスタ
の構成を示す図である。
の構成を示す図である。
１０ 基板 １１，１１’ 誘電体ベース １２ ベース電極 １２ａ，１２’ ベースコンタクト層 １３ａ，１３ｂ，１３ａ’，１３ｂ’，１３ａ” バリ
ア層 １４ａ，１４ａ’１４ａ” エミッタ層 １４ｂ，１４ｂ’１４ｂ” コレクタ層 １５ａ エミッタコンタクト層 １５ｂ コレクタコンタクト層 １６ａ エミッタ電極 １６ｂ コレクタ電極 ２１，３９ ガラス基板 ２２ 位相差板 ２３，４０ 偏光板 ２４，２４’ コレクタ層 ２５，２５’ コレクタバリア層 ２６ 誘電体ベース ２７ エミッタバリア層 ２８ エミッタ層 ２９，３１，３３ 絶縁層 ２９ａ エミッタコンタクトホール ２９ｂ ベースコンタクトホール ２９ｃ コレクタコンタクトホール ３０ａ エミッタ電極 ３０ｂ ベース電極 ３０ｃ コレクタ電極 ３２，３４，３８ 透明電極 ３５，３７ 分子配向膜 ３６ 液晶層 ４１，４２ クラッド層 ４３ 活性層 ＦＬ フィルタ Ｌ1 ，Ｌ3 ，Ｌ5 駆動回路層 Ｌ2 ，Ｌ4 ，Ｌ6 表示素子層 ＬＬ1 バックライト駆動回路層 ＬＬ2 バックライト層 Ｐ1 〜Ｐ3 平面状表示層 Ｕ1 〜Ｕ3 表示層
ア層 １４ａ，１４ａ’１４ａ” エミッタ層 １４ｂ，１４ｂ’１４ｂ” コレクタ層 １５ａ エミッタコンタクト層 １５ｂ コレクタコンタクト層 １６ａ エミッタ電極 １６ｂ コレクタ電極 ２１，３９ ガラス基板 ２２ 位相差板 ２３，４０ 偏光板 ２４，２４’ コレクタ層 ２５，２５’ コレクタバリア層 ２６ 誘電体ベース ２７ エミッタバリア層 ２８ エミッタ層 ２９，３１，３３ 絶縁層 ２９ａ エミッタコンタクトホール ２９ｂ ベースコンタクトホール ２９ｃ コレクタコンタクトホール ３０ａ エミッタ電極 ３０ｂ ベース電極 ３０ｃ コレクタ電極 ３２，３４，３８ 透明電極 ３５，３７ 分子配向膜 ３６ 液晶層 ４１，４２ クラッド層 ４３ 活性層 ＦＬ フィルタ Ｌ1 ，Ｌ3 ，Ｌ5 駆動回路層 Ｌ2 ，Ｌ4 ，Ｌ6 表示素子層 ＬＬ1 バックライト駆動回路層 ＬＬ2 バックライト層 Ｐ1 〜Ｐ3 平面状表示層 Ｕ1 〜Ｕ3 表示層
Claims (20)
- 【請求項１】 情報を光学的に表示する光学的表示装置
において、 光学的に透明な基板と；前記基板上に形成された、光学
的に透明な駆動回路と；前記駆動回路上に形成され、前
記駆動回路に電気的に接続され、前記駆動回路から供給
される駆動信号に応じて光学的状態を変化させる表示素
子とよりなることを特徴とする表示装置。 - 【請求項２】 前記駆動回路は光学的に透明な誘電体よ
りなる活性部を有するトランジスタよりなり、前記基板
上に前記基板に対して垂直な方向から見た場合に前記表
示素子と重なるように形成されていることを特徴とする
請求項１記載の表示装置。 - 【請求項３】 前記駆動回路は：第１の誘電率を有する
光学的に透明な第１の誘電体層と、前記第１の誘電体層
上に形成され、前記第１の誘電率よりも実質的に小さい
誘電率を有する光学的に透明な第２の誘電体層とよりな
る誘電体ベースと；光学的に透明な材料よりなり、前記
誘電体ベース上に形成されたエミッタ電極と；光学的に
透明な材料よりなり、前記誘電体ベース上に形成された
コレクタ電極と；光学的に透明な材料よりなり、前記誘
電体ベース上に前記第１の誘電体層に対して電気的に接
続されて形成されたベース電極とよりなる誘電体ベース
トランジスタよりなることを特徴とする請求項１または
２記載の表示装置。 - 【請求項４】 前記エミッタ電極は前記表示素子に電気
的に接続されていることを特徴とする請求項３記載の表
示装置。 - 【請求項５】 前記誘電体ベーストランジスタは、前記
基板表面に形成された透明導電体よりなり前記ベース電
極が接続されるベース電極層を含み、 前記誘電体ベースは前記ベース電極層上に形成され、 前記エミッタ電極および前記コレクタ電極は前記誘電体
ベースを構成する前記第１の誘電体層上に形成されるこ
とを特徴とする請求項３記載の表示装置。 - 【請求項６】 前記誘電体ベーストランジスタは、前記
基板表面に形成された透明導電体よりなり前記コレクタ
電極を接続されるコレクタ電極層を含み、 前記誘電体ベースは前記コレクタ電極層上に形成され、 前記ベース電極は前記誘電体ベースを構成する前記第２
の誘電体層上に形成され、 前記コレクタ電極は前記誘電体ベースを構成する前記第
１の誘電体層上に形成されることを特徴とする請求項３
記載の表示装置。 - 【請求項７】 前記表示素子は前記駆動信号に応じて光
を放射する発光素子よりなることを特徴とする請求項１
記載の表示装置。 - 【請求項８】 前記表示素子は前記駆動信号に応じて透
過光を遮断する液晶表示素子よりなることを特徴とする
請求項１記載の表示装置。 - 【請求項９】 前記液晶表示素子は前記駆動回路に接続
された第１の電極と、 前記第１の電極の上方に離間して形成され、前記第１の
電極に対向する第２の電極と、前記第１および第２の電
極の間に保持される液晶層と、 前記第１の電極層上に形成された第１の配向膜と、 前記第２の電極上に形成された第２の配向膜とよりなる
ことを特徴とする請求項８記載の表示装置。 - 【請求項１０】 前記第１の電極はマトリクス状に配列
されて第１群の電極要素を構成する複数の電極片より構
成され、 前記第２の電極は前記第１群の電極要素に対応してマト
リクス状に配列され、第２群の電極要素を構成し、各々
対応する前記第１群の電極要素に対して対向する複数の
電極片より構成され、 相互に対向する前記第１および第２群の電極要素の各々
は画素を形成し、 前記駆動回路は各々の画素に対応して形成された、誘電
体よりなるベースを有する誘電体ベーストランジスタよ
りなることを特徴とする請求項９記載の表示装置。 - 【請求項１１】 情報を光学的に表示する光学的表示装
置において、 各々光学的に透明な基板と、前記基板上に形成された光
学的に透明な駆動回路と、前記駆動回路上に形成され、
前記駆動回路に電気的に接続され、前記駆動回路から供
給される駆動信号に応じて光学的状態を変化させる表示
素子とを含む複数のパネルよりなり、 前記複数のパネルを積層したことを特徴とする表示装
置。 - 【請求項１２】 前記複数のパネルの各々において、前
記表示素子は前記駆動回路に接続された第１の電極と、
前記第１の電極の上方に離間して形成され、前記第１の
電極に対向する第２の電極と、前記第１および第２の電
極の間に保持される液晶層と、前記第１の電極層上に形
成された第１の配向膜と、前記第２の電極上に形成され
た第２の配向膜とよりなる液晶表示素子よりなり、 前記第１の電極はマトリクス状に配列されて第１群の電
極要素を構成する複数の電極片より構成され、 前記第２の電極は前記第１群の電極要素に対応してマト
リクス状に配列され、第２群の電極要素を構成し、各々
対応する前記第１群の電極要素に対して対向する複数の
電極片より構成され、 相互に対向する前記第１および第２群の電極要素の各々
は画素を形成し、前記駆動回路は各々の画素に対応して
形成された、誘電体層の積層よりなる誘電体ベースを有
する複数の誘電体ベーストランジスタよりなることを特
徴とする請求項１１記載の表示装置。 - 【請求項１３】 前記複数のパネルは三原色を構成する
第１の色に対応する第１のパネルと、前記第１のパネル
上に積層され、三原色を構成する第２の色に対応する第
２のパネルと、前記第２のパネル上に積層され、三原色
を構成する第３の色に対応する第３のパネルと、前記第
３のパネル上に積層されたフィルタ板よりなり、 前記フィルタ板は前記第１のパネル中の前記第１および
第２の電極要素に対応して形成された、前記第１の色の
光を選択的に通過させる第１のフィルタ要素と、前記第
２のパネル中の前記第１および第２の電極要素に対応し
て形成された、前記第２の色の光を選択的に通過させる
第２のフィルタ要素と、前記第３のパネル中の前記第１
および第２の電極要素に対応して形成された、前記第３
の色の光を選択的に通過させる第３のフィルタ要素とを
含むことを特徴とする請求項１１または１２記載の表示
装置。 - 【請求項１４】 さらに、前記複数のパネルを積層して
形成された積層体の下に、平面上の光源を配設したこと
を特徴とする請求項１１〜１３のうちいずれか一項記載
の表示装置。 - 【請求項１５】 前記複数のパネルの各々は前記光学的
に透明な基板を複数含み、前記複数の基板は曲面が形成
されるように相互に傾斜して結合されていることを特徴
とする請求項１１記載の表示装置。 - 【請求項１６】 前記複数のパネルの各々は球殻を形成
し、前記複数のパネルは球体を形成することを特徴とす
る請求項１１記載の表示装置。 - 【請求項１７】 前記球体は中心に空洞を有し、前記空
洞に光源を設けたことを特徴とする請求項１６記載の表
示装置。 - 【請求項１８】 前記複数のパネルは径の異なったディ
スク状の形状を有し、上下に積層されて球体を形成する
ことを特徴とする請求項１１記載の表示装置。 - 【請求項１９】 前記複数のパネルの各々は円筒を形成
し、同軸的に積層されることを特徴とする請求項１１記
載の表示装置。 - 【請求項２０】 前記駆動回路は、前記誘電体ベースト
ランジスタの他に、冗長回路を構成する別の誘電体ベー
ストランジスタを含むことを特徴とする請求項３記載の
表示装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4447094A JPH07253594A (ja) | 1994-03-15 | 1994-03-15 | 表示装置 |
| US08/393,679 US5706022A (en) | 1994-03-15 | 1995-02-24 | Optical display device having an optically transparent driver circuit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4447094A JPH07253594A (ja) | 1994-03-15 | 1994-03-15 | 表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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