JPH07231017A - Probe apparatus - Google Patents
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- JPH07231017A JPH07231017A JP4187794A JP4187794A JPH07231017A JP H07231017 A JPH07231017 A JP H07231017A JP 4187794 A JP4187794 A JP 4187794A JP 4187794 A JP4187794 A JP 4187794A JP H07231017 A JPH07231017 A JP H07231017A
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- 239000000523 sample Substances 0.000 title claims abstract description 156
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 claims abstract description 23
- 238000007689 inspection Methods 0.000 claims description 30
- 230000001174 ascending effect Effects 0.000 claims description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 37
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 44
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 7
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- 241001422033 Thestylus Species 0.000 description 3
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 3
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 3
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002033 PVDF binder Substances 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000000806 elastomer Substances 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000003909 pattern recognition Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 229920002981 polyvinylidene fluoride Polymers 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229920002379 silicone rubber Polymers 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Measuring Leads Or Probes (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、プローブ装置に関す
る。FIELD OF THE INVENTION The present invention relates to a probe device.
【0002】[0002]
【従来の技術】半導体プロセス工程では多数のチップが
作り込まれた半導体ウエハをそのままの状態で検査装置
に掛けて個々のチップについて電気的な検査を行ない、
この検査結果に基づいて電気的にチップの不良品をスク
リーニングするようにしている。そして、このような検
査装置としてはプローブ装置が用いられている。プロー
ブ装置は、半導体ウエハを載せる水平方向及び上下方向
で位置調整可能な載置台と、この載置台を上昇させて半
導体ウエハの各チップの電極パッドにプローブ針が電気
的に接触してテスタとの間で電気信号を通すプローブカ
ードとを備え、このプローブカードを介して授受する電
気信号に基づいて各チップの電気的欠陥の有無をテスタ
により検出するように構成されている。2. Description of the Related Art In a semiconductor process step, a semiconductor wafer on which a large number of chips have been formed is mounted as it is on an inspection apparatus to electrically inspect each chip.
A defective chip is electrically screened based on the inspection result. A probe device is used as such an inspection device. The probe device includes a mounting table on which a semiconductor wafer is mounted, the position of which can be adjusted in the horizontal direction and the vertical direction, and the mounting table is raised so that the probe needle electrically contacts the electrode pad of each chip of the semiconductor wafer and the tester. And a probe card for passing an electrical signal between them, and the tester detects the presence or absence of an electrical defect in each chip based on the electrical signal transmitted and received through this probe card.
【0003】その電気的検査を行なう時には、載置台を
上昇させて半導体ウエハをプローブ針に所定の針圧で接
触させ、針先でチップ表面の絶縁膜を突き破って針先を
電極パッドに電気的に接触させるようにしている。とこ
ろが、繰り返し検査を行なっている間に針先に半導体ウ
エハ表面の絶縁材が付着してチップとの導通不良を生じ
たり、プローブ針が針圧により変形して接触不良を起こ
し、その後の検査ができなくなることがある。そのた
め、オペレータがプローブカードを適宜交換するように
している。このプローブカードは種類などによってプロ
ーブ装置に装着した時の載置台から針先までの高さが異
なるため、オペレータはプローブカードを交換する度に
載置台からプローブ針の針先までの高さを検出し、検出
高さを載置台の上昇距離として設定するようにしてい
る。When performing the electrical inspection, the mounting table is raised to bring the semiconductor wafer into contact with the probe needle with a predetermined needle pressure, and the needle tip pierces the insulating film on the chip surface to electrically connect the needle tip to the electrode pad. I am trying to make contact with. However, during the repeated inspection, the insulating material on the surface of the semiconductor wafer adheres to the tip of the needle to cause defective conduction with the chip, or the probe needle deforms due to the needle pressure to cause poor contact, and subsequent inspection is not possible. It may not be possible. Therefore, the operator appropriately replaces the probe card. The height of this probe card from the mounting table to the needle tip when mounted on the probe device differs depending on the type, so the operator detects the height from the mounting table to the probe needle tip every time the probe card is replaced. However, the detection height is set as the rising distance of the mounting table.
【0004】この高さを検出する場合には、例えばアル
ミニウムウエハなどの導電膜を有するウエハを半導体ウ
エハの代替品として用いて載置台の上昇距離を設定する
ようにしている。それには、オペレータが新たなプロー
ブカードを装着した時に、初期の高さにある載置台を手
動操作でプローブカードまで徐々に上げて行ってウエハ
をプローブ針の針先に接触させ、この接触状態を例えば
顕微鏡などにより観察し、この観察結果に基づいて載置
台の上昇距離をオペレータの判断で決めるようにしてい
る。この判断材料としては接触時のプローブ針の変形量
が用いられている。そして、上昇距離に達した時のプロ
ーブ針の変形量は、オペレータの顕微鏡観察などにより
一定の変形量にあるか否かを過去の経験から判断し、決
定するようにしている。When detecting this height, for example, a wafer having a conductive film such as an aluminum wafer is used as a substitute for a semiconductor wafer to set the rising distance of the mounting table. To do this, when the operator mounts a new probe card, the mounting table at the initial height is manually raised to the probe card to bring the wafer into contact with the needle tip of the probe needle. For example, it is observed by a microscope or the like, and the ascending distance of the mounting table is decided by the operator based on the observation result. The amount of deformation of the probe needle at the time of contact is used as the determination material. Then, the amount of deformation of the probe needle when reaching the ascending distance is determined by judging from past experience whether or not the amount of deformation of the probe needle is a certain amount of deformation by microscopic observation of the operator.
【0005】[0005]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
プローブ装置の場合には、上述のようにオペレータが顕
微鏡観察などを行ないながらプローブ針の変形量を判断
し、載置台の上昇距離を決定するようにしているため、
上昇距離の決定にはオペレータの熟練が要求されるとい
う課題があった。更に、プローブ針の変形量の判断基準
がオペレータ間で必ずしも一致しておらず、各オペレー
タの判断基準に差があるため、オペレータが変ればプロ
ーブ針の針圧に差が生じ、プローブ針に接触不良を生じ
たり、逆に針圧が高過ぎてチップを損傷したりする虞が
あった。However, in the case of the conventional probe device, the operator determines the amount of deformation of the probe needle while observing with a microscope as described above, and determines the rising distance of the mounting table. Because
There is a problem that the skill of the operator is required to determine the ascending distance. Furthermore, the judgment criteria of the deformation amount of the probe needle do not always match between operators, and there is a difference in the judgment criteria of each operator. There is a possibility that a defect may occur or, conversely, the stylus pressure may be too high to damage the chip.
【0006】本発明は、上記課題を解決するためになさ
れたもので、プローブカードの交換時に、プローブカー
ドに左右されることなく誰にでも針圧を一定に設定して
プローブ針の接触不良を防止でき、しかも低コストで検
査できるプローブ装置を提供することを目的としてい
る。The present invention has been made in order to solve the above-mentioned problems, and when replacing a probe card, anyone can set a constant needle pressure without being influenced by the probe card to prevent a contact failure of the probe needle. It is an object of the present invention to provide a probe device that can be prevented and can be inspected at low cost.
【0007】[0007]
【課題を解決するための手段】本発明の請求項1に記載
のプローブ装置は、被検査体を載せる水平方向及び上下
方向で位置調整可能な載置台と、この載置台に対向させ
て配設されたプローブカードとを備え、上記載置台を水
平方向でプローブカードによる検査位置に調整した後、
上記載置台を上昇させて上記被検査体を上記プローブカ
ードのプローブ針に接触させて上記被検査体の電気的検
査を行なうプローブ装置において、上記載置台と共に上
昇するプローブ針検出手段を設け、このプローブ針検出
手段により上記プローブ針までの上昇距離を上記プロー
ブ針に基づく物理量の変化として検出するように構成さ
れたものである。A probe device according to a first aspect of the present invention is provided with a mounting table on which an object to be inspected is mounted, the position of which can be adjusted in the horizontal direction and the vertical direction, and the mounting table which is opposed to the mounting table. Equipped with the probe card, after adjusting the mounting table in the horizontal direction to the inspection position by the probe card,
In the probe device that raises the mounting table to bring the inspected object into contact with the probe needles of the probe card to perform an electrical inspection of the inspected object, the probe needle detection means that rises together with the mounting table is provided. The probe needle detecting means is configured to detect an ascending distance to the probe needle as a change in a physical quantity based on the probe needle.
【0008】また、本発明の請求項2に記載のプローブ
装置は、被検査体を載せる水平方向及び上下方向で位置
調整可能な載置台と、この載置台に対向させて配設され
たプローブカードとを備え、上記載置台を水平方向でプ
ローブカードによる検査位置に調整した後、上記載置台
を上昇させて上記被検査体を上記プローブカードのプロ
ーブ針に接触させて上記被検査体の電気的検査を行なう
プローブ装置において、上記載置台と共に上昇する磁気
センサを設け、この磁気センサにより上記プローブ針ま
での上昇距離を上記プローブ針に基づく磁気的変化とし
て検出するように構成されたものである。The probe device according to a second aspect of the present invention is a mounting table on which an object to be inspected is mounted, the position of which can be adjusted in the horizontal direction and the vertical direction, and a probe card which is arranged so as to face the mounting table. After adjusting the mounting table in the horizontal direction to the inspection position by the probe card, the mounting table is raised to bring the inspected object into contact with the probe needle of the probe card to electrically connect the inspected object. A probe apparatus for inspecting is provided with a magnetic sensor that rises together with the mounting table, and the magnetic sensor detects the rising distance to the probe needle as a magnetic change based on the probe needle.
【0009】また、本発明の請求項3に記載のプローブ
装置は、被検査体を載せる水平方向及び上下方向で位置
調整可能な載置台と、この載置台に対向させて配設され
たプローブカードとを備え、上記載置台を水平方向でプ
ローブカードによる検査位置に調整した後、上記載置台
を上昇させて上記被検査体を上記プローブカードのプロ
ーブ針に接触させて上記被検査体の電気的検査を行なう
プローブ装置において、上記載置台と共に上昇する圧覚
センサを設け、この圧覚センサにより上記プローブ針ま
での上昇距離を上記プローブ針の針圧の変化として検出
するように構成されたものである。According to a third aspect of the present invention, there is provided a probe device in which the position of the object to be inspected can be adjusted in the horizontal direction and the vertical direction, and a probe card disposed so as to face the mounting table. After adjusting the mounting table in the horizontal direction to the inspection position by the probe card, the mounting table is raised to bring the inspected object into contact with the probe needle of the probe card to electrically connect the inspected object. A probe device for performing an inspection is provided with a pressure sensor that rises together with the mounting table, and the pressure sensor detects the rising distance to the probe needle as a change in the needle pressure of the probe needle.
【0010】[0010]
【作用】本発明の請求項1に記載の発明によれば、プロ
ーブカードを交換した時には、載置台を水平方向で移動
させてプローブ針検出手段をプローブ針の下方に来るよ
うに位置決めした後、載置台が上昇するとこれに伴って
プローブ針検出手段が上昇し、載置台が検査時の上昇距
離まで上昇すると、プローブ針検出手段が検出する物理
量に変化が起こり、上昇距離を自動的に検出することが
できる。According to the first aspect of the present invention, when the probe card is replaced, after the mounting table is moved in the horizontal direction and the probe needle detecting means is positioned below the probe needle, When the mounting table rises, the probe needle detecting means rises accordingly, and when the mounting table rises to the rising distance at the time of inspection, the physical quantity detected by the probe needle detecting means changes, and the rising distance is automatically detected. be able to.
【0011】また、本発明の請求項2に記載の発明によ
れば、プローブカードを交換した時には、載置台を水平
方向で移動させて磁気センサをプローブ針の下方に来る
ように位置決めした後、載置台が上昇するとこれに伴っ
て磁気センサが上昇し、載置台が検査時の上昇距離まで
上昇すると、磁気センサが検出する磁気量に変化が起こ
り、上昇距離を自動的に検出することができる。According to the second aspect of the present invention, when the probe card is replaced, the mounting table is moved in the horizontal direction to position the magnetic sensor so as to come under the probe needle, When the mounting table rises, the magnetic sensor rises accordingly, and when the mounting table rises to the rising distance at the time of inspection, the magnetic amount detected by the magnetic sensor changes, and the rising distance can be automatically detected. .
【0012】また、本発明の請求項3に記載の発明によ
れば、プローブカードを交換した時には、載置台を水平
方向で移動させて圧覚センサをプローブ針の下方に来る
ように位置決めした後、載置台が上昇するとこれに伴っ
て圧覚センサが上昇し、載置台が検査時の上昇距離まで
上昇すると、圧覚センサが検出する圧力に変化が起こ
り、上昇距離を自動的に検出することができる。According to the third aspect of the present invention, when the probe card is replaced, the mounting table is moved in the horizontal direction and the pressure sensor is positioned below the probe needle. When the mounting table rises, the pressure sensor also rises accordingly. When the mounting table rises to the rising distance at the time of inspection, the pressure detected by the pressure sensor changes, and the rising distance can be automatically detected.
【0013】[0013]
【実施例】以下、図1〜図9に示す実施例に基づいて本
発明を説明する。本実施例のプローブ装置は、被検査体
例えば半導体ウエハW上に多数形成されたチップ1個ず
つ、あるいは複数個ずつ纒めて各チップについて電気的
検査を行なうものである。EXAMPLES The present invention will be described below based on the examples shown in FIGS. The probe apparatus according to the present embodiment is one in which a large number of chips formed on an object to be inspected, for example, a semiconductor wafer W are collected one by one or a plurality of chips are subjected to an electrical inspection.
【0014】実施例1.図1に示すようにプローブ装置
本体(以下、「本体」と称す。)1内の略中央には架台
2を介して検査用ステージ3が配設されている。この検
査用ステージ3は、例えば半導体ウエハWを真空保持す
る載置台4と、この載置台4上で保持された半導体ウエ
ハWをアライメントするアライメント機構5を有し、こ
のアライメント機構5を介して載置台4上の半導体ウエ
ハWの位置をX、Y、Z方向及びθ方向で位置決めする
ように構成されている。またプローブ装置本体1天面を
形成するヘッドプレート6の略中央には開口部が形成さ
れている。そして、この開口部にはインサートリング7
が装着され、このインサートリング7にカードホルダ8
を介してプローブカード9が着脱可能に取り付けられて
いる。このプローブカード9は、プリント基板に実装さ
れた複数のプローブ針10を有し、本体1内で各プロー
ブ針10が半導体ウエハW上のチップの電極パッドに個
別に接触しテストヘッド11との間で電気信号を授受し
てチップの良否を検査できるようになっている。このテ
ストヘッド11は本体1の外側からコンタクトリング1
2を介してインサートリング7に装着されている。更
に、テストヘッド11の略中央には顕微鏡(またはテレ
ビカメラ)13が配設され、装置の立ち上げ調整時ある
いはメンテナンス時に顕微鏡13により電極パッドに接
触したプローブ針8の先端などを目視観察することがで
きるようになっている。Embodiment 1. As shown in FIG. 1, an inspection stage 3 is disposed via a pedestal 2 in the approximate center of a probe device main body (hereinafter referred to as “main body”) 1. The inspection stage 3 includes, for example, a mounting table 4 that holds the semiconductor wafer W in a vacuum, and an alignment mechanism 5 that aligns the semiconductor wafer W held on the mounting table 4, and the mounting is performed via the alignment mechanism 5. It is configured to position the semiconductor wafer W on the mounting table 4 in the X, Y, Z, and θ directions. An opening is formed in the head plate 6 forming the top surface of the probe device main body 1 substantially at the center thereof. And the insert ring 7 is placed in this opening.
Is attached, and the card holder 8 is attached to the insert ring 7.
The probe card 9 is detachably attached via the. This probe card 9 has a plurality of probe needles 10 mounted on a printed circuit board, and each probe needle 10 in the main body 1 individually contacts an electrode pad of a chip on a semiconductor wafer W and contacts with a test head 11. It is possible to inspect the quality of the chip by sending and receiving electric signals. The test head 11 is provided with a contact ring 1 from the outside of the main body 1.
It is attached to the insert ring 7 via 2. Further, a microscope (or a television camera) 13 is arranged substantially in the center of the test head 11, and the tip of the probe needle 8 contacting the electrode pad is visually observed by the microscope 13 at the time of device startup adjustment or maintenance. You can do it.
【0015】本体1の右側にはオートローダ14が配設
され、このオートローダ14を用いて外部からカセット
単位で供給された半導体ウエハWを1枚ずつ検査用ステ
ージ3との間でロード、アンロードするように構成され
ている。即ち、このオートローダ14は、例えば25枚
の半導体ウエハWが収納されたカセット15を載置する
昇降可能なカセット載置台16と、このカセット載置台
16上のカセット15内の半導体ウエハWをプリアライ
メント機構(図示せず)へ移載する第1ウエハハンドリ
ング機構17とを備えて構成されている。そして、プリ
アライメント機構では第1ウエハハンドリング機構17
により移載された半導体ウエハWをオリエンテーション
フラットに基づいて自動的にプリアライメントするよう
にしている。また、上記本体1内のオートローダ14近
傍には第2ウエハハンドリング機構18が配設され、こ
の第2ウエハハンドリング機構18によりプリアライメ
ント機構上の半導体ウエハWを検査用ステージ3の載置
台4へ移載するように構成されている。An autoloader 14 is disposed on the right side of the main body 1, and the semiconductor wafer W supplied from the outside in cassette units is loaded and unloaded from the inspection stage 3 one by one by using the autoloader 14. Is configured. That is, the autoloader 14 pre-aligns the cassette mounting table 16 on which a cassette 15 storing, for example, 25 semiconductor wafers W is mounted, and the semiconductor wafer W in the cassette 15 on the cassette mounting table 16 A first wafer handling mechanism 17 that is transferred to a mechanism (not shown). Then, in the pre-alignment mechanism, the first wafer handling mechanism 17
The semiconductor wafer W transferred by is automatically pre-aligned based on the orientation flat. A second wafer handling mechanism 18 is arranged in the main body 1 near the autoloader 14, and the second wafer handling mechanism 18 transfers the semiconductor wafer W on the pre-alignment mechanism to the mounting table 4 of the inspection stage 3. It is configured to be posted.
【0016】また、本体1の左側には複数段の収納棚1
9を有するカード収納庫20が配設され、カードホルダ
8付のプローブカード9を各収納棚20に予備として収
納している。そして、検査により消耗されたプローブカ
ード9をカード交換機構(図示せず)を介して自動的に
交換するように構成されている。また、このカード収納
庫20に収納されるプローブカード9は半導体ウエハW
の種類に応じて同一種または複数種のものが収納されて
いる。A plurality of storage shelves 1 are provided on the left side of the main body 1.
A card storage 20 having 9 is arranged, and the probe card 9 with the card holder 8 is stored in each storage shelf 20 as a spare. Then, the probe card 9 consumed by the inspection is automatically replaced through a card replacement mechanism (not shown). The probe card 9 stored in the card storage 20 is a semiconductor wafer W.
The same type or a plurality of types are stored depending on the type.
【0017】次に、上述した載置台4のアライメント機
構5について図2を参照しながら説明する。このアライ
メント機構5は、X方向で水平に配設された一対のXレ
ール21、21と、これらのXレール21、21に従っ
てパルスモータ等の駆動機構(図示せず)により往復移
動するXテーブル22と、Xテーブル22の上面にY方
向で水平に配設された一対のYレール23、23と、、
これらのYレール23、23に従ってパルスモータ等の
駆動機構(図示せず)により往復移動するYテーブル2
4と、Yテーブル24上で載置台4をZ方向で昇降させ
る昇降駆動機構(図示せず)及び軸を介してθ方向で載
置台4を回転させる回転駆動機構(図示せず)とを備え
ている。また、このYテーブル24には高倍率部25
A、低倍率部25B及び例えばLEDなどからなる発光
素子25Cを有するカメラ25と、このカメラ25をZ
方向で昇降させる昇降機構26が配設され、発光素子2
5Cで照射したプローブ針10の針先を高倍率部25A
または低倍率部25Bで検出しながら針先の位置を測定
するようになっている。Next, the alignment mechanism 5 of the mounting table 4 described above will be described with reference to FIG. The alignment mechanism 5 includes a pair of X rails 21 and 21 arranged horizontally in the X direction, and an X table 22 that reciprocates by a drive mechanism (not shown) such as a pulse motor according to the X rails 21 and 21. And a pair of Y rails 23, 23 arranged horizontally on the upper surface of the X table 22 in the Y direction,
A Y table 2 that reciprocates by a driving mechanism (not shown) such as a pulse motor according to these Y rails 23.
4 and a rotation drive mechanism (not shown) for raising and lowering the mounting table 4 in the Z direction on the Y table 24 and a rotation driving mechanism (not shown) for rotating the mounting table 4 in the θ direction via an axis. ing. Further, the Y table 24 has a high magnification section 25.
A, a camera 25 having a low-magnification section 25B and a light emitting element 25C composed of, for example, an LED, and the camera 25
An elevating mechanism 26 for elevating and lowering in a direction is provided, and the light emitting element 2
The needle tip of the probe needle 10 irradiated with 5C is set to the high magnification section 25A.
Alternatively, the position of the needle tip is measured while being detected by the low-magnification section 25B.
【0018】また、このアライメント機構5は、アライ
メント用及び針先位置検出用の光学手段としてCCDカ
メラ27と、このCCDカメラ27の隣に位置し、載置
台4上の半導体ウエハWの表面高さなどを検出する静電
容量センサ28と、これらを支持するようにY方向で載
置台4を跨ぐように水平に配設されブリッジ部材29と
を備え、Xレール21、21及びXテーブル22を介し
て載置台4がブリッジ部材29の下方へ移動できるよう
になっている。また、載置台4には周面から水平方向へ
突出する位置決め用プレート片30が取り付けられてい
る。この位置決め用プレート片30表面には導電性透明
薄膜例えばITO薄膜あるいはクロムメッキが施されて
おり、その中央に検出用の十字マークがターゲット31
として形成されている。このターゲット31はカメラ2
5及びCCDカメラ27で検出時の載置台4の基準位置
を検出するための目印として機能し、また、ITO薄膜
あるいはクロムメッキは静電容量センサ28により載置
台4の高さを検出する際に機能するようになっている。The alignment mechanism 5 is located next to the CCD camera 27 as an optical means for alignment and needle tip position detection, and is located next to the CCD camera 27, and the surface height of the semiconductor wafer W on the mounting table 4 is increased. And a bridge member 29 horizontally arranged so as to straddle the mounting table 4 in the Y direction so as to support them, and via the X rails 21, 21 and the X table 22. The mounting table 4 can be moved below the bridge member 29. In addition, a positioning plate piece 30 protruding horizontally from the peripheral surface is attached to the mounting table 4. The surface of the positioning plate piece 30 is coated with a conductive transparent thin film such as an ITO thin film or chrome plating, and a cross mark for detection is provided in the center of the target 31.
Is formed as. This target 31 is the camera 2
5 and the CCD camera 27 function as a mark for detecting the reference position of the mounting table 4 at the time of detection, and the ITO thin film or chrome plating is used when the height of the mounting table 4 is detected by the capacitance sensor 28. It is supposed to work.
【0019】更に、上記載置台4には図2〜図5に示す
ようにプローブ針検出手段として例えば筒状に形成され
た磁気センサ32がL字状の取付部材33を介して取り
付けられ、この磁気センサ32によりプローブ針10を
検出するように構成されている。図4は磁気センサ32
を拡大して示した図である。磁気センサ32は、図4に
示すように、例えばFe−Ni系合金等の磁性材料から
なる筒体32Aと、この筒体32Aに巻回されたコイル
32Bと、このコイル32Bに電流を印加する電源32
Cとからなり、この電源32Cからコイル32Bに電流
を印加することにより筒体32A内に磁界Bを形成する
ように構成されている。Further, as shown in FIGS. 2 to 5, a magnetic sensor 32 formed in a cylindrical shape, for example, as a probe needle detecting means is attached to the mounting table 4 via an L-shaped attachment member 33. The magnetic sensor 32 is configured to detect the probe needle 10. FIG. 4 shows a magnetic sensor 32.
It is the figure which expanded and showed. As shown in FIG. 4, the magnetic sensor 32 includes, for example, a cylindrical body 32A made of a magnetic material such as Fe—Ni alloy, a coil 32B wound around the cylindrical body 32A, and a current applied to the coil 32B. Power supply 32
C and is configured to form a magnetic field B in the cylindrical body 32A by applying a current from the power source 32C to the coil 32B.
【0020】つまり、電源32Cからコイル32Bに電
流を印加した状態で磁気センサ32が載置台4と共にプ
ローブカード9に向かって上昇し、プローブ針10が筒
体32A内に侵入すると筒体32A内の磁界Bが変動す
ると共にこの磁界変動によりコイル32Bの電流値が変
動するため、プローブ針10が載置台4と接触する位置
でのコイル32Bの電流値を知ることができる。従っ
て、針先10Aが筒体32A内で載置台4との接触位置
に相当する位置に達した時、その時のコイル32Bの電
流値は載置台4が針先に接触する位置での基準電流値と
して利用することができる。そして、この基準電流値を
得るまでに載置台4が上昇した高さが載置台4の上昇距
離を表わすことになる。従って、プローブカード9を交
換し、このプローブカード9までの載置台4の上昇距離
を設定する時には、載置台4を手動操作により上げて行
き、磁気センサ32が基準電流値を示す位置まで上昇し
た距離が載置台4の上昇距離として制御装置34に設定
することができる。In other words, when the magnetic sensor 32 ascends together with the mounting table 4 toward the probe card 9 while the current is being applied from the power source 32C to the coil 32B, and the probe needle 10 enters into the cylindrical body 32A, the inside of the cylindrical body 32A. Since the magnetic field B fluctuates and the current value of the coil 32B fluctuates due to this magnetic field fluctuation, the current value of the coil 32B at the position where the probe needle 10 comes into contact with the mounting table 4 can be known. Therefore, when the needle tip 10A reaches the position corresponding to the contact position with the mounting table 4 in the cylindrical body 32A, the current value of the coil 32B at that time is the reference current value at the position where the mounting table 4 contacts the needle point. Can be used as The height at which the mounting table 4 is raised until the reference current value is obtained represents the ascent distance of the mounting table 4. Therefore, when replacing the probe card 9 and setting the rising distance of the mounting table 4 to the probe card 9, the mounting table 4 is manually lifted and the magnetic sensor 32 is lifted to a position showing the reference current value. The distance can be set in the control device 34 as the ascending distance of the mounting table 4.
【0021】上記制御装置34は、図6に示すように、
本体コントローラ35と、本体コントローラ35の制御
下にあるローダコントローラ36、アライメントコント
ローラ37及びカード交換機構コントローラ38を備え
て構成されている。本体コントローラ35にはメモリ3
9が接続されており、このメモリ39には種々の半導体
ウエハWに関するデータ、載置台4及び磁気センサ32
などのアライメント用のデータ、載置台4の位置決め用
データ(この中には上昇距離のデータも含まれる)が登
録されている。従って、半導体ウエハWの電気的検査を
行なう時には、本体コントローラ35の制御下でローダ
コントローラ36、アライメントコントローラ37及び
カード交換機構コントローラ38が作動し、ローダコン
トローラ36はオートローダ14を、アライメントコン
トローラ37はアライメント機構5を、そして、カード
交換機構コントローラ38はカード交換機構をそれぞれ
駆動制御するようになっている。The control unit 34, as shown in FIG.
The main body controller 35 is provided with a loader controller 36, an alignment controller 37, and a card exchange mechanism controller 38 under the control of the main body controller 35. Memory 3 in the main body controller 35
9 is connected to the memory 39. Data relating to various semiconductor wafers W, the mounting table 4 and the magnetic sensor 32 are stored in the memory 39.
Data for alignment such as the above, and data for positioning the mounting table 4 (including data on the ascending distance) are registered. Therefore, when performing an electrical inspection of the semiconductor wafer W, the loader controller 36, the alignment controller 37, and the card exchange mechanism controller 38 operate under the control of the main body controller 35, and the loader controller 36 sets the autoloader 14 and the alignment controller 37 sets the alignment. The mechanism 5 and the card exchange mechanism controller 38 drive the card exchange mechanism.
【0022】次に、動作について説明する。半導体ウエ
ハWの電気的検査を行なう場合には、まず、カード交換
機構コントローラ38がメモリ39の記憶内容に基づい
て作動し、カード収納庫20内から所定のプローブカー
ド9を取り出して古いプローブカード9を交換する。引
き続いてプローブカード9への載置台4の上昇距離を設
定する。それにはアライメント機構5が駆動してXテー
ブル22及びYステージ24がそれぞれのレール21、
21及び23、23上でX方向、Y方向へ移動して磁気
センサ32がプローブカード9の真下に来るように位置
決めする。その後、手動操作により載置台4がZ方向で
上昇して磁気センサ32がプローブ針10へ接近し、針
先が筒体32A内に侵入する。これにより磁気センサ3
2の磁界Bが変動すると共にコイル32Bの電流が変動
し、この電流が基準電流値になった時点で手動操作によ
り載置台4を止める。そして、載置台4の初期の高さか
ら基準電流値を示した位置までの載置台4の上昇距離を
記録し、これを制御装置34のメモリ39に上昇距離と
して設定登録する。これら一連の操作により載置台4の
上昇距離を設定した後、このプローブカード9を用いて
半導体ウエハWの電気的検査を行なう。Next, the operation will be described. When conducting an electrical inspection of the semiconductor wafer W, first, the card exchange mechanism controller 38 operates based on the stored contents of the memory 39, removes a predetermined probe card 9 from the card storage 20, and removes the old probe card 9. To replace. Subsequently, the rising distance of the mounting table 4 to the probe card 9 is set. To this end, the alignment mechanism 5 drives the X table 22 and the Y stage 24 to move the respective rails 21,
The magnetic sensor 32 is positioned so as to be directly below the probe card 9 by moving in the X and Y directions on 21 and 23 and 23. Then, the mounting table 4 is raised in the Z direction by a manual operation, the magnetic sensor 32 approaches the probe needle 10, and the needle tip enters the cylindrical body 32A. As a result, the magnetic sensor 3
The magnetic field B of 2 fluctuates and the current of the coil 32B fluctuates, and when the current reaches the reference current value, the mounting table 4 is stopped manually. Then, the rising distance of the mounting table 4 from the initial height of the mounting table 4 to the position indicating the reference current value is recorded, and this is set and registered in the memory 39 of the control device 34 as the rising distance. After the raising distance of the mounting table 4 is set by the series of operations, the semiconductor wafer W is electrically inspected using the probe card 9.
【0023】半導体ウエハWを検査する時には、ローダ
コントローラ36が作動してオートローダ14を駆動制
御する。この制御下でカセット載置台16が昇降して取
り出すべき半導体ウエハWが所定高さになるとカセット
載置台16が停止した後、第1ウエハハンドリング機構
17が駆動してカセット載置台16上のカセット15か
ら半導体ウエハWを1枚取り出してプリアライメント機
構へ移載する。プリアライメント機構で半導体ウエハW
を所定方向へ位置決めすると、第2ウエハハンドリング
機構18が駆動してプリアライメント機構から検査用ス
テージ3の載置台4上へ半導体ウエハWを移載する。When inspecting the semiconductor wafer W, the loader controller 36 operates to drive and control the autoloader 14. Under this control, when the cassette mounting table 16 moves up and down and the semiconductor wafer W to be taken out reaches a predetermined height, the cassette mounting table 16 stops, and then the first wafer handling mechanism 17 drives to drive the cassette 15 on the cassette mounting table 16. One semiconductor wafer W is taken out from and transferred to the pre-alignment mechanism. Semiconductor wafer W with pre-alignment mechanism
When is positioned in a predetermined direction, the second wafer handling mechanism 18 is driven to transfer the semiconductor wafer W from the pre-alignment mechanism onto the mounting table 4 of the inspection stage 3.
【0024】次いで、アライメント機構5が駆動する
と、Xテーブル22及びYテーブル24がそれぞれのレ
ール21、21及び23、23上でX方向、Y方向へ移
動すると共に載置台4がθ方向に回転する。この間に位
置決め用プレート片30のターゲット31をカメラ25
の高倍率部25Aの視野の中心付近に位置決めすると共
に、ターゲット31をCCDカメラ27の視野の中心の
焦点に位置決めし、これらの一連の動作により載置台4
のX、Y、θ方向の位置を認識する。また、この状態で
ターゲット31あるいはその周囲の導電性透明薄膜を静
電容量センサ28の真下に移動させ、載置台4の高さを
静電容量センサ29で測定する。このようにして得られ
た位置データをメモリ39に登録する。Next, when the alignment mechanism 5 is driven, the X table 22 and the Y table 24 move in the X and Y directions on the rails 21, 21 and 23, 23, respectively, and the mounting table 4 rotates in the θ direction. . During this time, the target 31 of the positioning plate piece 30 is attached to the camera 25.
Is positioned near the center of the field of view of the high-magnification section 25A of the camera, and the target 31 is positioned at the focal point of the center of the field of view of the CCD camera 27.
The positions in the X, Y, and θ directions are recognized. Further, in this state, the target 31 or the conductive transparent thin film around the target 31 is moved right below the capacitance sensor 28, and the height of the mounting table 4 is measured by the capacitance sensor 29. The position data thus obtained is registered in the memory 39.
【0025】その後、載置台4上で保持されている半導
体ウエハWの最初に検査すべきチップの所定部位をCC
Dカメラ27の視野中心に合わせ、そのチップの電極パ
ッドの配列あるいはチップのスクライブラインに合わせ
て載置台4のθ方向の位置を調整し、半導体ウエハWの
チップ及び電極パッドの配列位置をパターン認識する。
更に、載置台4を半導体ウエハWを静電容量センサ28
の真下へ移動させてその高さを静電容量センサ28で測
定する。次いで、アライメント機構5が駆動してカメラ
25がプローブカード9の真下に戻ると、プローブカー
ド9の各プローブ針10の針先の概略の位置をカメラ2
5の低倍率部25Bで検出した後、高倍率部25Aで各
針先位置を正確に検出し、半導体ウエハWの載置台4に
対する水平面内の相対的な位置を認識すると共に高さ方
向の位置(針先までの高さ)を認識し、これらの位置デ
ータはメモリ39に登録される。After that, the semiconductor wafer W held on the mounting table 4 is CC-selected at a predetermined portion of the chip to be inspected first.
The position of the mounting table 4 in the θ direction is adjusted according to the arrangement of the electrode pads of the chip or the scribe line of the chip in accordance with the center of the field of view of the D camera 27, and pattern recognition of the arrangement position of the chips and the electrode pads of the semiconductor wafer W To do.
Further, the mounting table 4 is attached to the semiconductor wafer W and the capacitance sensor 28
And the height is measured by the capacitance sensor 28. Next, when the alignment mechanism 5 is driven and the camera 25 returns to the position directly below the probe card 9, the approximate position of the needle tip of each probe needle 10 of the probe card 9 is set to the camera 2.
5, the high-magnification section 25A detects each needle tip position accurately, and the high-magnification section 25A accurately detects the relative position of the semiconductor wafer W in the horizontal plane with respect to the mounting table 4 and the position in the height direction. (Height to the needle tip) is recognized, and these position data are registered in the memory 39.
【0026】このようにして得られた登録位置データと
上述の載置台4の登録位置データに基づいて載置台4の
駆動量を演算すると、この演算結果に基づいてアライメ
ント機構5が駆動する。アライメント機構5の駆動によ
りXテーブル22、Yテーブル24がそれぞれの方向へ
移動すると共に載置台4が回転し、所定のチップをプロ
ーブカード9の真下に位置決めする。その後、プローブ
カード9の交換時に得られた載置台4の上昇距離のデー
タに基づいてアライメント機構5が駆動して載置台4が
上昇すると、電極パッドがプローブ針に接触してチップ
の電気的検査を行なう。尚、載置台4が検査時に上昇す
る距離は、既に求めた上昇距離から半導体ウエハWの厚
さを減算した距離になるように本体コントローラ35に
よって演算してある。When the driving amount of the mounting table 4 is calculated based on the registration position data thus obtained and the registration position data of the mounting table 4 described above, the alignment mechanism 5 is driven based on the calculation result. By driving the alignment mechanism 5, the X table 22 and the Y table 24 move in their respective directions, and the mounting table 4 rotates, so that a predetermined chip is positioned directly below the probe card 9. After that, when the alignment mechanism 5 is driven and the mounting table 4 is lifted based on the data of the rising distance of the mounting table 4 obtained when the probe card 9 is replaced, the electrode pad comes into contact with the probe needle to electrically inspect the chip. Do. The distance that the mounting table 4 rises during the inspection is calculated by the main body controller 35 so as to be the distance obtained by subtracting the thickness of the semiconductor wafer W from the already obtained rising distance.
【0027】以上説明したように本実施例によれば、プ
ローブカード9を交換した後、載置台4の上昇距離を磁
気センサ32により検出するようにしたため、従来のよ
うに顕微鏡13によりプローブ針10の接触状態を観察
するという面倒な操作を行なう必要がなく、熟練者に頼
ることことなく誰にでも載置台4のZアップ量を簡単且
つ迅速に検出し、上昇距離を設定することができる。し
かも、オペレータの目視観察による判断が介在しないた
め、オペレータに左右されることなく常に一定の針圧を
得ることができ、プローブ針10の接触不良を生じた
り、チップの損傷を防止することができる。更に、上昇
距離を検出する時に従来のようにアルミニウムウエハな
どの高価なウエハを使う必要がなく、検査コストを低減
することができる。As described above, according to this embodiment, after the probe card 9 is exchanged, the rising distance of the mounting table 4 is detected by the magnetic sensor 32. Therefore, the probe needle 10 is used by the microscope 13 as in the prior art. It is not necessary to perform the troublesome operation of observing the contact state of No. 1, and anyone can easily and quickly detect the Z-up amount of the mounting table 4 and set the ascending distance without relying on an expert. Moreover, since there is no intervention by the operator's visual observation, a constant stylus pressure can always be obtained without being influenced by the operator, and contact failure of the probe needle 10 and damage to the tip can be prevented. . Furthermore, it is not necessary to use an expensive wafer such as an aluminum wafer when detecting the rising distance, and thus the inspection cost can be reduced.
【0028】実施例2.本実施例のプローブ装置は実施
例1における磁気センサ32に代えて圧覚センサ41を
用いた以外は実施例1と同様に構成されている。この圧
覚センサ41は、図7に示すように、その表面が載置台
4の表面と一致するように載置台4に取付部材42を介
して取り付けられている。この圧覚センサ41はプロー
ブ針10接触時に受けた圧力変動を抵抗変動、容量変
動、電圧変動などとして検出するように構成されてい
る。圧力変動を抵抗変動として検出する圧覚センサとし
ては、例えばシリコンゴム中にカーボン粒子等の導電性
粉末を混入した感圧導電性ゴム、シリコン系ポリマーに
カーボン粒子等の導電性粉末を混入した感圧抵抗素子な
どを挙げることができる。また、圧力変動を容量変動と
して検出する圧覚センサとしては可撓性電極間にエラス
トマを挟んだものが、圧力変動を電圧変動として検出す
る圧覚センサとしては例えばPVDF/PZT等の圧電
性ポリマーを挙げることができる。尚、43は圧覚セン
サ41を支持する支持部材である。Embodiment 2 The probe apparatus of this embodiment has the same structure as that of Embodiment 1 except that the pressure sensor 41 is used instead of the magnetic sensor 32 of Embodiment 1. As shown in FIG. 7, the pressure sensor 41 is attached to the mounting table 4 via a mounting member 42 so that the surface thereof matches the surface of the mounting table 4. The pressure sensor 41 is configured to detect a pressure fluctuation received when the probe needle 10 comes into contact, as a resistance fluctuation, a capacity fluctuation, a voltage fluctuation, or the like. As a pressure sensor for detecting pressure fluctuation as resistance fluctuation, for example, pressure sensitive conductive rubber in which conductive powder such as carbon particles is mixed in silicon rubber, pressure sensitive in which conductive powder such as carbon particles is mixed in silicon-based polymer are used. A resistance element etc. can be mentioned. Further, a pressure sensor that detects pressure fluctuations as capacitance fluctuations has an elastomer sandwiched between flexible electrodes, and a pressure sensor that detects pressure fluctuations as voltage fluctuations is, for example, a piezoelectric polymer such as PVDF / PZT. be able to. Reference numeral 43 is a support member that supports the pressure sensor 41.
【0029】この圧覚センサ41は、例えば図8に示す
ように、シート状の感圧導電性ゴム41Aの両面を導電
性プラスチック41B、41Bで挟んで矩形状に形成さ
れている。そして、上面の導電性プラスチック41Bの
左右両辺には電極41C、41Cが取り付けられ、下面
の導電性プラスチック41Bの上下両辺には電極41
D、41Dが取り付けられている。また、電極41C、
41Cは抵抗41E、41Eを介して正電圧側に接続さ
れ、電極41D、41Dは抵抗41F、41Fを介して
負電圧側に接続されている。従って、この圧覚センサ4
1は、その表面に針圧Pが作用し、感圧導電性ゴム41
Aが圧縮して抵抗値が変化することからプローブ針10
の接触を確認できるように構成されている。As shown in FIG. 8, for example, the pressure sensor 41 is formed in a rectangular shape by sandwiching both sides of a sheet-shaped pressure-sensitive conductive rubber 41A with conductive plastics 41B and 41B. Then, the electrodes 41C and 41C are attached to both left and right sides of the conductive plastic 41B on the upper surface, and the electrodes 41C are mounted on both upper and lower sides of the conductive plastic 41B on the lower surface.
D and 41D are attached. In addition, the electrode 41C,
41C is connected to the positive voltage side via resistors 41E and 41E, and electrodes 41D and 41D are connected to the negative voltage side via resistors 41F and 41F. Therefore, this pressure sensor 4
1, the stylus pressure P acts on the surface of the pressure sensitive conductive rubber 41.
Since A compresses and the resistance value changes, the probe needle 10
It is configured to be able to confirm the contact of.
【0030】この圧覚センサ41を用いた場合にも、図
7に示したように載置台4が上昇してプローブ針10の
針先に接触すれば、実施例1の磁気センサ32と同様に
圧覚センサ41によってプローブ針10を検出できるた
め、実施例1と同様の作用効果を期することができる。Even when this pressure sensor 41 is used, if the mounting table 4 rises and comes into contact with the tip of the probe needle 10 as shown in FIG. Since the probe 41 can be detected by the sensor 41, it is possible to achieve the same effect as that of the first embodiment.
【0031】尚、上記各実施例ではプローブ針検出手段
として磁気センサ及び圧覚センサを例に挙げて説明した
が、本発明はプローブ針の接触を物理量の変化(例え
ば、光量などの変化)として検出できるようにしたプロ
ーブ針検出手段であれば、本発明の包含される。In each of the above embodiments, the magnetic sensor and the pressure sensor are taken as an example of the probe needle detecting means, but the present invention detects the contact of the probe needle as a change in physical quantity (for example, a change in light quantity). The present invention is included in any probe needle detecting means that can be used.
【0032】また、上記各実施例では磁気センサまたは
圧覚センサをプローブ針検出手段として載置台に直接取
り付けたものについて説明したが、本発明は上記各実施
例に何等制限されるものでなく、プローブ針検出手段は
載置台と共に昇降できる位置であれば、Yテーブルなど
その他の部分に取り付けたものであっても良い。In each of the above embodiments, the magnetic sensor or the pressure sensor is directly attached to the mounting table as the probe needle detecting means. However, the present invention is not limited to the above embodiments, and the probe is not limited thereto. The needle detecting means may be attached to another portion such as a Y table as long as it can move up and down together with the mounting table.
【0033】[0033]
【発明の効果】本発明の請求項1〜請求項3のいずれか
一つに記載の発明によれば、プローブカードの交換時
に、プローブカードに左右されることなく誰にでも針圧
を一定に設定してプローブ針の接触不良を防止でき、し
かも低コストで検査できるプローブ装置を提供すること
ができる。According to the invention of any one of claims 1 to 3, when the probe card is replaced, the stylus pressure can be made constant to anyone without being influenced by the probe card. It is possible to provide a probe device which can be set to prevent contact failure of the probe needle and can be inspected at low cost.
【図1】本発明のプローブ装置の一実施例の要部を破断
して示す正面図である。FIG. 1 is a front view showing a main part of an embodiment of a probe device of the present invention in a cutaway manner.
【図2】図1に示すプローブ装置の検査用ステージのア
ライメント機構の要部を示す斜視図である。FIG. 2 is a perspective view showing a main part of an alignment mechanism of an inspection stage of the probe device shown in FIG.
【図3】図2に示すアライメント機構への磁気センサの
取付状態を示す側面図である。FIG. 3 is a side view showing a mounting state of a magnetic sensor on the alignment mechanism shown in FIG.
【図4】図4に示す磁気センサを取り出して示す斜視図
である。FIG. 4 is a perspective view showing the magnetic sensor shown in FIG. 4 taken out.
【図5】図5に示す磁気センサでプローブ針を検出する
状態を説明する断面図である。5 is a sectional view illustrating a state in which a probe needle is detected by the magnetic sensor shown in FIG.
【図6】図1に示すプローブ装置の制御系を示すブロッ
ク図である。6 is a block diagram showing a control system of the probe device shown in FIG. 1. FIG.
【図7】本発明のプローブ装置の他の実施例に用いられ
た圧覚センサを示す図5相当図である。FIG. 7 is a view corresponding to FIG. 5 showing a pressure sensor used in another embodiment of the probe device of the present invention.
【図8】図7に示す圧覚センサの構成及び機能を説明す
るための構成図である。8 is a configuration diagram for explaining a configuration and a function of the pressure sensor shown in FIG.
4 載置台 9 プローブカード 10 プローブ針 32 磁気センサ(プローブ針検出手段) 41 圧覚センサ(プローブ針検出手段) W 半導体ウエハ(被検査体) 4 mounting table 9 probe card 10 probe needle 32 magnetic sensor (probe needle detection means) 41 pressure sensor (probe needle detection means) W semiconductor wafer (inspection object)
Claims (3)
で位置調整可能な載置台と、この載置台に対向させて配
設されたプローブカードとを備え、上記載置台を水平方
向でプローブカードによる検査位置に調整した後、上記
載置台を上昇させて上記被検査体を上記プローブカード
のプローブ針に接触させて上記被検査体の電気的検査を
行なうプローブ装置において、上記載置台と共に上昇す
るプローブ針検出手段を設け、このプローブ針検出手段
により上記プローブ針までの上昇距離を上記プローブ針
に基づく物理量変化として検出することを特徴とするプ
ローブ装置。1. A probe card provided with a mounting table on which an object to be inspected is mounted, the position of which can be adjusted in the horizontal direction and the vertical direction, and a probe card which is arranged so as to face the mounting table. After adjusting to the inspection position by the above, in the probe device that raises the mounting table to bring the inspected object into contact with the probe needle of the probe card to electrically inspect the inspected object, ascend together with the above mounting table. A probe device, which is provided with a probe needle detecting means, and detects an ascending distance to the probe needle as a physical quantity change based on the probe needle by the probe needle detecting means.
で位置調整可能な載置台と、この載置台に対向させて配
設されたプローブカードとを備え、上記載置台を水平方
向でプローブカードによる検査位置に調整した後、上記
載置台を上昇させて上記被検査体を上記プローブカード
のプローブ針に接触させて上記被検査体の電気的検査を
行なうプローブ装置において、上記載置台と共に上昇す
る磁気センサを設け、この磁気センサにより上記プロー
ブ針までの上昇距離を上記プローブ針に基づく磁気的変
化として検出することを特徴とする請求項1に記載のプ
ローブ装置。2. A probe card provided with a mounting table on which an object to be inspected is mounted, the position of which can be adjusted in the horizontal direction and the vertical direction, and a probe card which is arranged so as to face the mounting table. After adjusting to the inspection position by the above, in the probe device that raises the mounting table to bring the inspected object into contact with the probe needle of the probe card to electrically inspect the inspected object, ascend with the above mounting table. The probe apparatus according to claim 1, wherein a magnetic sensor is provided, and the rising distance to the probe needle is detected by the magnetic sensor as a magnetic change based on the probe needle.
で位置調整可能な載置台と、この載置台に対向させて配
設されたプローブカードとを備え、上記載置台を水平方
向でプローブカードによる検査位置に調整した後、上記
載置台を上昇させて上記被検査体を上記プローブカード
のプローブ針に接触させて上記被検査体の電気的検査を
行なうプローブ装置において、上記載置台と共に上昇す
る圧覚センサを設け、この圧覚センサにより上記プロー
ブ針までの上昇距離を上記プローブ針の針圧として検出
することを特徴とする請求項1に記載のプローブ装置。3. A probe card provided with a mounting table on which an object to be inspected is mounted, the position of which can be adjusted in the horizontal direction and the vertical direction, and a probe card which is arranged so as to face the mounting table. After adjusting to the inspection position by the above, in the probe device that raises the mounting table to bring the inspected object into contact with the probe needle of the probe card to electrically inspect the inspected object, ascend together with the above mounting table. The probe device according to claim 1, wherein a pressure sensor is provided, and a rising distance to the probe needle is detected by the pressure sensor as a needle pressure of the probe needle.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4187794A JPH07231017A (en) | 1994-02-16 | 1994-02-16 | Probe apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4187794A JPH07231017A (en) | 1994-02-16 | 1994-02-16 | Probe apparatus |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH07231017A true JPH07231017A (en) | 1995-08-29 |
Family
ID=12620508
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4187794A Pending JPH07231017A (en) | 1994-02-16 | 1994-02-16 | Probe apparatus |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH07231017A (en) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100702087B1 (en) * | 2004-07-09 | 2007-04-02 | 야마하 가부시키가이샤 | Probe Cards and Methods for Testing Magnetic Sensors |
JP2007109861A (en) * | 2005-10-13 | 2007-04-26 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | Prober and rotation/transfer control method in prober |
JP2014086656A (en) * | 2012-10-26 | 2014-05-12 | Mitsubishi Electric Corp | Evaluation device and evaluation method |
JP2017195239A (en) * | 2016-04-19 | 2017-10-26 | 三菱電機株式会社 | Probe position inspection apparatus, semiconductor evaluation apparatus, and probe position inspection method |
CN115877047A (en) * | 2023-01-18 | 2023-03-31 | 南京燧锐科技有限公司 | Microwave chip test fixture device |
-
1994
- 1994-02-16 JP JP4187794A patent/JPH07231017A/en active Pending
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